CN106057778A - 封装结构及其制造方法 - Google Patents

封装结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106057778A
CN106057778A CN201610367262.0A CN201610367262A CN106057778A CN 106057778 A CN106057778 A CN 106057778A CN 201610367262 A CN201610367262 A CN 201610367262A CN 106057778 A CN106057778 A CN 106057778A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plastic
sealed body
optical sensor
sensor
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610367262.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106057778B (zh
Inventor
申屠军立
叶佳明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Silergy Semiconductor Technology Ltd
Original Assignee
Hangzhou Silergy Semiconductor Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Silergy Semiconductor Technology Ltd filed Critical Hangzhou Silergy Semiconductor Technology Ltd
Priority to CN201610367262.0A priority Critical patent/CN106057778B/zh
Publication of CN106057778A publication Critical patent/CN106057778A/zh
Priority to US15/604,992 priority patent/US10333019B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN106057778B publication Critical patent/CN106057778B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0271—Housings; Attachments or accessories for photometers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0204—Compact construction
    • G01J1/0209—Monolithic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0214—Constructional arrangements for removing stray light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0488—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts with spectral filtering
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4204—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors with determination of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

公开了一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括：引线框架；第一光传感器，所述第一光传感器与所述引线框架电连接；光发射器，所述光发射器与所述第一光传感器隔开，并且与所述引线框架电连接；第一塑封体，所述第一塑封体中形成沟槽，所述沟槽将所述第一塑封体分为覆盖所述光发射器的第一部分和覆盖所述第一光传感器的第二部分，所述第一塑封体的第一部分具有面向所述第一光传感器的侧面；以及光阻层，所述光阻层位于所述第一塑封体的所述侧面上。所述光阻层防止特定波长的光波透过该光阻层而影响光传感器的正常工作，保证光传感器的抗干扰能力，实现对光传感器集成封装的同时，节省了封装结构的体积。

Description

封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及封装结构及其制造方法，更具体地，涉及具有光传感器的封装结构及其制造方法。
背景技术
在笔记本电脑、手机等设备中，通常涉及到多种光传感器。环境光传感器可以检查环境光的亮度，并以此为依据，自动调节显示器的背光亮度，以降低产品的功耗，从而实现绿色节能和产品智能化的目的。接近传感器可以检查到用户将手机贴近耳边开始打电话的动作，此时可关闭手机背光，达到节能和防止误操作的目的。
在环境光传感器与接近传感器在电子产品中使用时，接近传感器通常采用红外光传感器，红外光传感器需要接收被反射回来的红外光，而环境光传感器需要尽量避开红外光的干扰，从而使环境光传感器对环境光亮度的判断结果比较接近人眼的感觉。因此，传统的电子产品中，环境光传感器、红外光传感器以及红外光发射器通常为独立的器件，这样增加了生产成本，并且制作的传感器的装置体积较大。因此现有技术开始对环境光传感器、红外光传感器以及红外光发射器集成封装，得到一种封装结构，这种封装结构如图1所示：将环境光传感器140与红外光传感器130以叠置方式安装在引线框架110上，环境光传感器140和红外光传感器130的电极例如可以通过金属引线171与引线框架110电连接，将红外光发射器120安装在引线框架110上，其电极可以朝向引线框架110，并焊接在引线框架110上；然后进行第一次塑封工艺，形成透明的第一塑封体150，使得第一塑封体150覆盖在红外光发射器120、红外光传感器130、环境光传感器140上；接着切割第一塑封体150，以使第一塑封体150分为两部分；最后进行第二次塑封工艺，形成对红外光透射隔离的第二塑封体160，第二塑封体160覆盖整个第一塑封体150的两部分，并具有两个开口，以分别裸露部分第一塑封体150，以方便红外光发射器120发出红外光，环境光传感器140接收环境光，以及红外光传感器130接收被反射回来的红外光。
为提高笔记本电脑、手机等设备的便捷性，需要进一步缩小这种封装结构的体积。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种保证光传感器抗干扰能力且节省体积的封装结构及其制造方法。
根据本发明的一方面，提供一种封装结构，包括：引线框架；第一光传感器，所述第一光传感器与所述引线框架电连接；光发射器，所述光发射器与所述第一光传感器隔开，并且与所述引线框架电连接；第一塑封体，所述第一塑封体中形成沟槽，所述沟槽将所述第一塑封体分为覆盖所述光发射器的第一部分和覆盖所述第一光传感器的第二部分，所述第一塑封体的第一部分具有面向所述第一光传感器的侧面。
优选地，所述封装结构还包括第二光传感器，所述第二光传感器与所述引线框架电连接。
优选地，所述第一光传感器为环境光传感器，其上设有能感测环境光的环境光感应区；所述第二光传感器为红外光传感器，其上设有能感测红外光的红外光感应区；所述光发射器为红外光发射器。
优选地，所述第一塑封体为透明塑封体；所述光阻层为阻止红外光透过的红外光阻层。
优选地，所述环境光传感器的所述环境光感应区上设有第一滤光膜，所述第一滤光膜为红外截止滤光膜。
优选地，所述红外光传感器的所述红外光感应区上设有第二滤光膜，所述第二滤光膜只允许红外光透过。
优选地，所述第一塑封体在所述环境光传感器、所述红外光传感器以及所述红外光发射器上的部分可选择地具有圆弧状凸起。
优选地，所述封装结构还包括：第二塑封体，所述第二塑封体采用红外截止材料，并且覆盖所述红外光传感器除去所述红外光感应区的部分。
优选地，所述引线框架包括：内引脚，所述第一光传感器和所述光发射器与所述内引脚电连接；外引脚，所述外引脚暴露于所述第一塑封体外。
优选地，所述封装结构还包括：第三塑封体，其中，所述内引脚之间具有空隙，所述内引脚之间的所述空隙用所述第三塑封体填充。
优选地，所述第三塑封体采用红外截止材料。
根据本发明的另一方面，提供一种封装结构的制造方法，包括：提供引线框架；安装第一光传感器和光发射器，所述第一光传感器与所述光发射器隔开安装，所述第一光传感器和所述光发射器与所述引线框架采用电连接；形成第一塑封体，所述第一塑封体全部或部分覆盖所述第一光传感器和所述光发射器；在第一塑封体中形成沟槽，所述沟槽将所述第一塑封体分为覆盖所述光发射器的第一部分和覆盖所述第一光传感器的第二部分，所述第一塑封体的第一部分具有面向所述第一光传感器的侧面；在所述侧面上形成光阻层。
优选地，所述封装结构的制造方法还包括：安装第二光传感器，所述第二光传感器与所述引线框架采用电连接。
优选地，在安装所述第一光传感器和所述光发射器的同时安装所述第二光传感器。
优选地，所述第一光传感器与所述第二光传感器采用叠置的方式安装，所述第二光传感器安装在所述第一光传感器的上方。
优选地，在形成所述第一塑封体之后安装所述第二光传感器。
优选地，安装所述第二光传感器之后，形成覆盖所述第二光传感器的第二塑封体，对所述第一塑封体进行切割时，可选择地切割或不切割所述第二塑封体。
优选地，形成所述第一塑封体包括在所述第一光传感器和所述光发射器上方形成圆弧状凸起。
优选地，所述电连接通过用电连接件将所述第一光传感器或所述第二光传感器或所述光发射器上的电极与所述引线框架的内引脚连接的方式实现。
优选地，所述电连接采用将所述第一光传感器或所述第二光传感器或所述光发射器上的电极朝向所述引线框架的内引脚并与所述内引脚焊接的方式实现。
优选地，所述第二传感器与所述引线框架的电连接通过所述第一光传感器上设有的导电通道实现。
优选地，在所述光阻层与所述第一塑封体的第二部分之间用所述第一塑封体材料填充，形成完整的第一塑封体。
根据本发明的封装结构及其制造方法，包括在光发射器与光传感器之间设置一层光阻层，防止特定波长的光波透过该光阻层而影响光传感器的正常工作，保证光传感器的抗干扰能力，实现对光传感器集成封装的同时，节省了封装结构的体积。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示出根据现有技术的封装结构的截面图。
图2A示出根据本发明第一实施例的封装结构的截面图。
图2B至图2F示出根据本发明第一实施例的封装结构的制造方法的截面图。
图3A示出根据本发明第二实施例的封装结构的截面图。
图3B示出根据本发明第二实施例的封装结构中引线框架的俯视图。
图3C至图3E示出根据本发明第二实施例的封装结构的制造方法的截面图。
图4A至4C示出本发明第三实施例的封装结构的俯视图和截面图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。
应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将器件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
如果为了描述直接位于另一层、另一个区域上面的情形，本文将采用“A直接在B上面”或“A在B上面并与之邻接”的表述方式。在本申请中，“A直接位于B中”表示A位于B中，并且A与B直接邻接。
在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。
在下文中将以环境光传感器、红外光传感器以及红外光发射器的封装为例说明封装结构及其制造方法，其中环境光传感器与红外光传感器的位置可以互换。
图2A示出根据本发明第一实施例的封装结构的截面图，本实施例中，封装结构包括引线框架210，其具有内引脚和外引脚，所述内引脚用于封装结构内部元件的电连接，所述外引脚会在封装完成后暴露在封装体外，用于封装结构与外部的电连接，在本实施例中，所述引线框架具有第一表面和第二表面。红外光发射器220与环境光传感器240位于引线框架210的第一表面上且相隔一定距离，红外光发射器220为红外LED灯，环境光传感器240通过金属引线271电连接到引线框架210的内引脚上，红外光发射器220的电极朝向引线框架210的内引脚，然后以焊接的方式贴装在引线框架210上。其中，为了能够更好的感测环境光的光亮度，环境光传感器240的环境光感应区上设有第一滤光膜241，所述第一滤光膜241为红外截止滤光膜，以避免红外光发射器220发出或被反射回的红外光对环境光传感器240的影响。红外光传感器230位于引线框架210的第二表面上，其包括的红外感光区不被引线框架210遮挡，红外光传感器230通过电连接体272与所述引线框架210的内引脚电连接。红外光传感器230包括的红外光感应区上设有第二滤光膜231，所述第二滤光膜231只允许红外光透过。第一塑封体250覆盖全部红外光发射器220、全部环境光传感器240以及部分红外光传感器230，其覆盖红外光发射器220的部分具有面向环境光传感器240和/或红外光传感器230的侧面251，在所述侧面251上设有光阻层280，在本实施例中，所述光阻层280为阻止红外光透过的红外光阻层，使得红外光发射器220发出的红外光不会直接透过所述侧面251，避免了实际工作中对环境光感应器240和/或对红外光感应器230的干扰。第一塑封体250在所述环境光传感器240和红外光发射器220上的部分具有圆弧状凸起，这两个圆弧状凸起充当光学透镜的作用，有利于红外光发射器220发出的红外光发散，以及环境光传感器240接收的光聚集，从而加大了检测范围。在引线框架210的第二表面，还包括第二塑封体260，所述第二塑封体260采用红外截止材料，并且覆盖所述红外光传感器230除去所述红外光感应区的部分，这样也能避免无用的红外光对红外光感应器230的干扰。
图2B至图2F示出根据本发明第一实施例的封装结构的制造方法的截面图。请先参考图2B，首先，提供引线框架210，所述引线框架210具有第一表面和第二表面，在引线框架210的第一表面隔开安装红外光发射器220和环境光传感器240，红外光发射器220的电极朝向引线框架210的内引脚，然后以焊接的方式贴装在引线框架210上，环境光传感器240通过金属引线271电连接到引线框架210的内引脚上，为了能够更好的感测环境光的光亮度，环境光传感器240的环境光感应区上设有第一滤光膜241，所述第一滤光膜241为红外截止滤光膜。
接着，请参考图2C，形成第一塑封体250，在本实施例中，第一塑封体250选用透明塑封体，在形成覆盖红外光发射器220和环境光传感器240的第一塑封体250时，利用特殊的形状的模具，使得第一塑封体250在红外光发射器220和环境光传感器240上方的部分形成圆弧状凸起。
接着，请参考图2D，将红外光传感器230通过电连接体272电连接到引线框架210的第二表面上，红外光传感器230包括的红外光感应区上设有第二滤光膜231，所述第二滤光膜231只允许红外光透过，红外光传感器230上的红外光感应区不被引线框架210遮挡。然后，进行第二次塑封工艺，形成第二塑封体260，本实施例中，所述第二塑封体260采用红外截止材料，其覆盖红外光传感器230。
接着，请参考图2E，对第一塑封体250进行切割，同时切割部分第二塑封体260，使得红外光传感器230包括的红外光感应区不被第二塑封体260覆盖。与此同时，第一塑封体250中形成沟槽，所述沟槽延伸至红外光传感器230的表面，将所述第一塑封体250分为覆盖红外光发射器220的第一部分和覆盖环境光传感器240的第二部分，其中第一部分具有面向环境光传感器240和/或红外光传感器230的侧面251。然后，在所述侧面251上喷涂光阻材料形成光阻层280，本实施例中，所述光阻层280为阻止红外光透过的红外光阻层，使得红外光发射器220发出的红外光不会直接透过所述侧面251，避免了实际工作中对环境光感应器240和/或对红外光感应器230的干扰。
最后，请参考图2F，在光阻层280与第一塑封体250的第二部分之间用所述第一塑封体250材料填充，形成完整的第一塑封体250。至此，已完成本发明第一实施例的封装结构的制造。
图3A示出根据本发明第二实施例的封装结构的截面图，在本实施例中，封装结构包括引线框架310，请参考图3B示出的本实施例中引线框架310的俯视图，引线框架310的内引脚为条状，外引脚未绘示，但实际上所述引线框架310是包括外引脚的，引线框架310的条状内引脚之间具有间隙，采用红外截止材料的第三塑封体390填充所述内引脚之间的空隙。请继续参考图3A，红外光发射器320、红外光传感器330以及环境光传感器340位于引线框架310上，环境光传感器340叠置在红外光传感器330上，并且该两者与红外光发射器320相隔开一定距离。其中红外光发射器320和红外光传感器330采用电极朝向所述引线框架310并与之焊接的方式实现与引线框架310的电连接，而环境光传感器340通过红外光传感器330内设有的导电通道373实现与引线框架310的电连接。采用透明塑封体材料的第一塑封体350具有两部分，其中一部分覆盖红外光发射器320且具有面向环境光传感器340和/或红外光传感器330的侧面351，另一部分覆盖环境光传感器340和红外光传感器330，所述侧面351上设有光阻层380，所述光阻层380为阻止红外光透过的红外光阻层。
图3C至图3E示出根据本发明第二实施例的封装结构的制造方法的截面图。请先参考图3C，首先，提供引线框架310，所述引线框架的内引脚之间的空隙被采用红外截止材料的第三塑封体390填充，在所述引线框架310上安装红外光发射器320、红外光传感器330以及环境光传感器340，其中环境光传感器340与红外光传感器330以叠置的方式安装，两者位置可以互换。红外光传感器330和红外光发射器320采用电极朝向引线框架310并与之焊接的方式实现与引线框架310的电连接，环境光传感器340通过红外光传感器330内部设有的导电通道373实现与引线框架310的电连接。
接着，请参考图3D，形成第一塑封体350，本实施例中，第一塑封体350采用透明塑封体材料，并且全部覆盖红外光发射器320、红外光传感器330以及环境光传感器340。
接着，请参考图3E，对第一塑封体350进行切割，第一塑封体350中形成沟槽，所述沟槽延伸至红外光传感器330的表面，将所述第一塑封体350分为覆盖红外光发射器320的第一部分和覆盖红外光传感器330、环境光传感器340的第二部分，所述第一塑封体350的第一部分具有面向红外光传感器330和/或环境光传感器340的侧面351。然后，在所述侧面351上喷涂光阻材料形成光阻层380，本实施例中所述光阻层380为阻止红外光透过的红外光阻层。至此已完成本发明第二实施例的封装结构的制造。
值得说明的是，上述本发明的第二实施例还可以有不同的替代实施例。
在一个替代的实施例中，环境光传感器340的环境光感应区上设有第一滤光膜，所述第一滤光膜为红外截止滤光膜，使得环境光传感器对环境光亮度的判断结果更加接近人眼的感觉，红外光传感器330包括的红外光感应区上设有第二滤光膜，所述第二滤光膜只允许红外光透过。
在另一个替代的实施例中，第一塑封体350覆盖红外光发射器320的第一部分以及同时覆盖红外光传感器330、环境光传感器340的第二部分上具有圆弧状凸起。
在又一个代替的实施例中，所述光阻层380与所述第一塑封体350的第二部分之间被所述第一塑封体350材料填充。
在又一个代替的实施例中，所述引线框架310采用封装基板，封装基板包括第一表面和第二表面，其第一表面具有的导电迹线即内引脚，导电迹线通过封装基板中的导电通道与封装基板第二表面的外引脚电连接，红外光发射器、红外光传感器以及环境光传感器与封装基板的导电迹线电连接。
图4A至4C示出本发明第三实施例的封装结构的俯视图和截面图。其中，图4A示出本实施例的俯视图，被第一塑封体450覆盖的元件、器件、连接件以及第三塑封体490的轮廓用虚线表示，图4A中的AA线示出图4B所示截面图的截取位置，图4B中的BB线示出图4C所述截面图的截取位置。本实施例的封装结构包括引线框架410，引线框架410的包括的内引脚之间存在间隙，采用红外截止材料的第三塑封体490填充所述内引脚之间的空隙，所述引线框架410的外引脚未绘示。红外光发射器420、红外光传感器430以及环境光传感器440位于引线框架410上，三者安装在同一层面上并与引线框架410电连接。第一塑封体450覆盖红外光发射器420、红外光传感器430以及环境光传感器440，所述第一塑封体450覆盖红外光发射器420的部分具有面向红外光传感器430和面向环境光传感器440的侧面451。可以理解的是，如果光传感器的数量更多且位于光发射器的不同方向，则第一塑封体450覆盖该光发射器的部分也应相应的具有多个面向各光传感器的侧面。在本实施例中，所述第一塑封体450采用透明塑封体材料。所述侧面451上设有光阻层480，所述光阻层480为阻止红外光透过的红外光阻层。
本发明第三实施例的封装结构的制造方法与本发明第二实施例的封装结构的制造方法基本相同，以下将描述与第二实施例制造方法的不同之处。
首先在提供的引线框架410上安装红外光发射器420、红外光传感器430以及环境光传感器440，三者都以电极朝向引线框架410并与之焊接的方式实现与引线框架410之间的电连接。
接着进行的塑封工艺、切割第一塑封体以及喷涂光阻材料形成光阻层的工艺与本发明第二实施例中相应步骤的方法相同，在此不再详述。在切割第一塑封体450后，第一塑封体450中形成沟槽，所述沟槽延伸至红外光传感器430的表面，将所述第一塑封体250包括覆盖红外光发射器420的第一部分和覆盖红外光传感器430、环境光传感器440的第二部分。最后，在光阻层480与所述第一塑封体450的第二部分之间用所述第一塑封体450材料填充，使得形成更加完整的第一塑封体450。至此，已完成本发明第三实施例的封装结构的制造。
值得说明的是，首先，上述实施例中的红外光传感器与环境光传感器的位置可以互换。实际上，红外光发射器也可以为其他波长段的发光装置，此时环境光传感器、红外光传感器、位于两者感光区上的滤光膜、塑封体材料以及光阻层采用的光阻材料进行相应的改变即可。
应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (23)

1.一种封装结构，其特征在于，包括：
引线框架；
第一光传感器，所述第一光传感器与所述引线框架电连接；
光发射器，所述光发射器与所述第一光传感器隔开，并且与所述引线框架电连接；
第一塑封体，所述第一塑封体中形成沟槽，所述沟槽将所述第一塑封体分为覆盖所述光发射器的第一部分和覆盖所述第一光传感器的第二部分，所述第一塑封体的第一部分具有面向所述第一光传感器的侧面；以及
光阻层，所述光阻层位于所述第一塑封体的所述侧面上。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
第二光传感器，所述第二光传感器与所述引线框架电连接。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，
所述第一光传感器为环境光传感器，其上设有能感测环境光的环境光感应区；
所述第二光传感器为红外光传感器，其上设有能感测红外光的红外光感应区；
所述光发射器为红外光发射器。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，
所述第一塑封体为透明塑封体；
所述光阻层为阻止红外光透过的红外光阻层。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述环境光传感器的所述环境光感应区上设有第一滤光膜，所述第一滤光膜为红外截止滤光膜。
6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述红外光传感器的所述红外光感应区上设有第二滤光膜，所述第二滤光膜只允许红外光透过。
7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一塑封体在所述环境光传感器、所述红外光传感器以及所述红外光发射器上的部分可选择地具有圆弧状凸起。
8.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：
第二塑封体，所述第二塑封体采用红外截止材料，并且覆盖所述红外光传感器除去所述红外光感应区的部分。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述引线框架包括：
内引脚，所述第一光传感器和所述光发射器与所述内引脚电连接；
外引脚，所述外引脚暴露于所述第一塑封体外。
10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，还包括：
第三塑封体，
其中，所述内引脚之间具有空隙，所述内引脚之间的所述空隙用所述第三塑封体填充。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述第三塑封体采用红外截止材料。
12.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供引线框架；
安装第一光传感器和光发射器，所述第一光传感器与所述光发射器隔开安装，所述第一光传感器和所述光发射器与所述引线框架电连接；
形成第一塑封体，所述第一塑封体全部或部分覆盖所述第一光传感器和所述光发射器；
在第一塑封体中形成沟槽，所述沟槽将所述第一塑封体分为覆盖所述光发射器的第一部分和覆盖所述第一光传感器的第二部分，所述第一塑封体的第一部分具有面向所述第一光传感器的侧面；
在所述侧面上形成光阻层。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：
安装第二光传感器，所述第二光传感器与所述引线框架电连接。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在安装所述第一光传感器和所述光发射器的同时安装所述第二光传感器。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一光传感器与所述第二光传感器采用叠置的方式安装，所述第二光传感器安装在所述第一光传感器的上方。
16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在形成所述第一塑封体之后安装所述第二光传感器。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在安装所述第二光传感器之后，形成覆盖所述第二光传感器的第二塑封体。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述沟槽延伸至所述第二塑封体中。
19.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述第一塑封体包括在所述第一光传感器和/或所述光发射器上方形成圆弧状凸起。
20.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述电连接通过用电连接件将所述第一光传感器或所述第二光传感器或所述光发射器上的电极与所述引线框架的内引脚连接的方式实现。
21.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述电连接采用将所述第一光传感器或所述第二光传感器或所述光发射器上的电极朝向所述引线框架的内引脚并与所述内引脚焊接的方式实现。
22.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第二传感器与所述引线框架的电连接通过所述第一光传感器上设有的导电通道实现。
23.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述光阻层与所述第一塑封体的第二部分之间用所述第一塑封体材料填充，形成完整的第一塑封体。
CN201610367262.0A 2016-05-27 2016-05-27 封装结构及其制造方法 Active CN106057778B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610367262.0A CN106057778B (zh) 2016-05-27 2016-05-27 封装结构及其制造方法
US15/604,992 US10333019B2 (en) 2016-05-27 2017-05-25 Package structure of light emitter and light sensor with light-blocking layer and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610367262.0A CN106057778B (zh) 2016-05-27 2016-05-27 封装结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106057778A true CN106057778A (zh) 2016-10-26
CN106057778B CN106057778B (zh) 2018-11-30

Family

ID=57174957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610367262.0A Active CN106057778B (zh) 2016-05-27 2016-05-27 封装结构及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10333019B2 (zh)
CN (1) CN106057778B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI657237B (zh) * 2018-02-21 2019-04-21 茂達電子股份有限公司 光學偵測裝置及光學封裝結構
CN111337995A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 夏普株式会社 光学式接近传感器以及便携终端装置
CN112466958A (zh) * 2020-10-28 2021-03-09 杭州士兰微电子股份有限公司 光传感器封装体的封装方法及封装结构的封装方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106847802B (zh) * 2016-12-29 2019-09-24 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光学传感器封装组件及其制作方法和电子设备
CN109032433B (zh) * 2018-08-21 2020-09-25 Oppo广东移动通信有限公司 接近传感器及电子装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175545A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Canon Inc 光半導体装置
JP2001168122A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Matsushita Electronics Industry Corp 電子部品実装モジュールの製造方法および電子部品実装モジュール
JP2001267627A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Citizen Electronics Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
CN2585417Y (zh) * 2002-10-17 2003-11-05 胜开科技股份有限公司 光感测器改良构造
US20080006762A1 (en) * 2005-09-30 2008-01-10 Fadell Anthony M Integrated proximity sensor and light sensor
CN101546737A (zh) * 2008-03-25 2009-09-30 先进开发光电股份有限公司 化合物半导体元件的封装结构及其制造方法
CN201440413U (zh) * 2009-01-23 2010-04-21 原相科技股份有限公司 封装结构
CN102809764A (zh) * 2011-05-13 2012-12-05 英特赛尔美国股份有限公司 用于透明层隔离的系统和方法
CN203587801U (zh) * 2012-09-11 2014-05-07 苹果公司 接近度和光感测装置
CN104425426A (zh) * 2013-08-25 2015-03-18 飞思卡尔半导体公司 压力传感器装置及装配方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002194547A (ja) * 2000-06-08 2002-07-10 Applied Materials Inc アモルファスカーボン層の堆積方法
US9525093B2 (en) * 2009-06-30 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
KR101963809B1 (ko) * 2012-04-25 2019-03-29 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지
KR101349524B1 (ko) * 2012-06-29 2014-01-09 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈
TWI519964B (zh) * 2012-08-01 2016-02-01 慧榮科技股份有限公司 儲存媒體及具有儲存媒體的資料傳輸系統及其控制方法
CN103021989B (zh) 2012-12-11 2014-07-30 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种多组件的芯片封装结构
CN103000608B (zh) 2012-12-11 2014-11-05 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种多组件的芯片封装结构
JP6114235B2 (ja) * 2013-07-03 2017-04-12 富士フイルム株式会社 赤外線遮光組成物、赤外線遮光層、赤外線カットフィルタ、カメラモジュール
CN203721707U (zh) 2014-02-28 2014-07-16 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 芯片封装结构
CN104409369B (zh) 2014-10-31 2019-05-07 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 封装组件制造方法
CN104916599B (zh) 2015-05-28 2017-03-29 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 芯片封装方法和芯片封装结构
CN105097571B (zh) 2015-06-11 2018-05-01 合肥矽迈微电子科技有限公司 芯片封装方法及封装组件
US9976894B2 (en) * 2015-11-17 2018-05-22 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175545A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Canon Inc 光半導体装置
JP2001168122A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Matsushita Electronics Industry Corp 電子部品実装モジュールの製造方法および電子部品実装モジュール
JP2001267627A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Citizen Electronics Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
CN2585417Y (zh) * 2002-10-17 2003-11-05 胜开科技股份有限公司 光感测器改良构造
US20080006762A1 (en) * 2005-09-30 2008-01-10 Fadell Anthony M Integrated proximity sensor and light sensor
CN101546737A (zh) * 2008-03-25 2009-09-30 先进开发光电股份有限公司 化合物半导体元件的封装结构及其制造方法
CN201440413U (zh) * 2009-01-23 2010-04-21 原相科技股份有限公司 封装结构
CN102809764A (zh) * 2011-05-13 2012-12-05 英特赛尔美国股份有限公司 用于透明层隔离的系统和方法
CN203587801U (zh) * 2012-09-11 2014-05-07 苹果公司 接近度和光感测装置
CN104425426A (zh) * 2013-08-25 2015-03-18 飞思卡尔半导体公司 压力传感器装置及装配方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI657237B (zh) * 2018-02-21 2019-04-21 茂達電子股份有限公司 光學偵測裝置及光學封裝結構
US10439076B2 (en) 2018-02-21 2019-10-08 Anpec Electronics Corporation Optical detecting device and optical package structure
CN111337995A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 夏普株式会社 光学式接近传感器以及便携终端装置
CN111337995B (zh) * 2018-12-18 2023-05-23 夏普株式会社 光学式接近传感器以及便携终端装置
CN112466958A (zh) * 2020-10-28 2021-03-09 杭州士兰微电子股份有限公司 光传感器封装体的封装方法及封装结构的封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106057778B (zh) 2018-11-30
US20170345961A1 (en) 2017-11-30
US10333019B2 (en) 2019-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106057778A (zh) 封装结构及其制造方法
CN105679753B (zh) 光学模块、其制造方法及电子装置
TWI637328B (zh) 一種傳感器組件和終端
TWI585437B (zh) Composite optical sensor for small aperture and its preparation method
CN103515371B (zh) 集成型光传感器封装
CN106847802B (zh) 光学传感器封装组件及其制作方法和电子设备
KR20200066445A (ko) 전자 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
CN103400836B (zh) 近接传感器封装构造及其制作方法
TWI494805B (zh) 觸控面板及其觸控屏幕結構、觸控顯示裝置
CN106449690A (zh) 传感器封装体及其制造方法
CN205845065U (zh) 指纹辨识装置
JP6062349B2 (ja) 光学モジュール、およびその製造方法
CN107689384A (zh) 显示模组
US20180292568A1 (en) Optical proximity sensor with a self-integrated barrier
EP2693854B1 (en) High-contrast waterproof surface-mounted led lamp
TWI521671B (zh) The package structure of the optical module
CN110235254A (zh) 感测模块及其制造方法
CN109155292B (zh) 光学传感模组及其制作方法
CN108023982A (zh) 电子装置
KR20120087779A (ko) 근접센서의 제조방법
CN107968864A (zh) 输出模组和电子装置
TWI611197B (zh) 指紋檢測裝置、使用其之行動裝置以及其製造方法
CN103345027A (zh) 光学模块的封装方法
CN205452283U (zh) 一种光学芯片的封装结构
CN107968859A (zh) 输出模组和电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant