CN112466958A - 光传感器封装体的封装方法及封装结构的封装方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种光传感器封装体及封装结构的封装方法，主要解决现有封装技术中存在的开发成本高、开发周期长的问题。该光传感器封装体的封装方法包括以下步骤：基板上设置若干光传感器单元，每个光传感器单元包括光发射端和光接收端；对基板上的若干光传感器单元进行第一次封装，形成塑封体；切割塑封体，形成光发射端与光接收端之间的第一隔离沟槽；对基板上的结构进行第二次封装，填补第一隔离沟槽形成第一隔离墙，第一隔离墙将光发射端与光接收端隔离。本发明提供的方法实现了仅使用一副模具将塑封体中光发射端与光接收端隔离的方案，大幅减少了模具的数量，以及定制模具的费用，使得新外形的开发成本显著降低，开发周期缩短。
Description
技术领域
本发明涉及光传感器封装领域，具体涉及一种光传感器封装体的封装方法及封装结构的封装方法。
背景技术
随着技术的发展以及智能手机的普及，智能穿戴设备也逐步进入到人们的生活当中，智能手机中的距离传感器、智能手环和智能手表中的心率传感器、血氧饱和度检测等都需要用到光传感器，光传感器通常包括光发射端和光接收端，在应用中，要求光发射端的发射光尽量从外部反射回光接收端。此处外部指光传感器塑封体外部，对光传感器来说塑封体内部不需要有从光发射端到光接收端的光通路，对具有光传感器的设备整体来说是整个设备内部不要有从光发射端到光接收端的光通路。基于此要求，传统的光传感器通常需要通过两套模具实现封装。第一套模具用透明塑封料将发射端和接收端分开各自包裹在独立的塑封体内部，第二套模具用黑色塑封料将两个透明的塑封再次包裹起来，向外部留两处光孔。当封装外形方案比较多时，模具的数量也相应成倍增多，对应的模具采购费大幅增加，导致新外形的开发成本较高，该方法在封装过程中还需要进行模具切换或装有不同模具的2台设备配合，生产效率较低，设备成本较高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种光传感器封装体的封装方法及封装结构的封装方法，使用单个模具即可实现光传感器的多次封装。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
根据本发明的一方面，提供一种光传感器封装体的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
基板上设置若干光传感器单元，所述每个光传感器单元包括光发射端和光接收端；
对基板上的若干光传感器单元进行第一次封装，形成塑封体，所述塑封体包裹基板上的所述若干光传感器单元；
切割所述塑封体，形成所述光传感器单元的光发射端与光接收端之间的第一隔离沟槽；
对基板上的若干光传感器单元进行第二次封装，所述第二次封装用以填补所述第一隔离沟槽，形成第一隔离墙，所述第一隔离墙将所述光传感器单元的光发射端与光接收端隔离。
优选地，每个所述光传感器单元包括一个光接收端和至少一个光发射端。
优选地，所述第一次封装采用透光塑封料，所述第二次封装采用非透光塑封料。
优选地，所述第一次封装和所述第二次封装采用相同的模具。
优选地，所述第一隔离沟槽的宽度包括120-300um。
优选地，所述第一隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第一隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
优选地，切割所述塑封体还包括形成环绕所述光传感器单元的第二隔离沟槽。
优选地，所述第二隔离沟槽的宽度大于所述第一隔离沟槽的宽度。
优选地，所述第二隔离沟槽的深度与所述第一隔离沟槽的深度相同。
优选地，所述第二隔离沟槽的宽度包括300-700um。
优选地，所述第二隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第二隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
优选地，所述第二次封装填补所第二隔离沟槽形成第二隔离墙，所述第二隔离墙将所述各个光传感器单元之间隔离。
优选地，切割所述塑封体还包括形成从塑封体的上表面向下延伸的遮光槽，所述遮光槽环绕所述光发射端和/或所述光接收端，所述遮光槽与所述第二隔离沟槽相连。
优选地，所述遮光槽的深度小于所述第二隔离沟槽的深度。
优选地，所述遮光槽的宽度包括100-300um，所述遮光槽的深度包括80-150um。
优选地，所述第二次封装填补所述遮光槽形成遮光罩。
根据本发明的另一方面，提供一种光传感器封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
基板上设置若干光传感器单元，所述每个光传感器单元包括光发射端和光接收端；
对基板上的若干光传感器单元进行第一次封装，形成塑封体，所述塑封体包裹基板上的所述若干光传感器单元；
切割所述塑封体，形成所述光传感器单元的光发射端与光接收端之间的第一隔离沟槽；
对基板上的若干光传感器单元进行第二次封装，形成塑封体，所述第二次封装用以填补所述第一隔离沟槽，形成第一隔离墙，所述第一隔离墙将每个光传感器单元的光发射端与光接收端之间隔离；
切割第二次封装形成的塑封体和所述基板，获取多个相互独立的包含光传感器单元的光传感器封装结构。
优选地，每个所述光传感器单元包括一个光接收端和至少一个光发射端。
优选地，所述第一次封装采用透光塑封料，所述第二次封装采用非透光塑封料。
优选地，所述第一次封装和所述第二次封装采用相同的模具。
优选地，所述第一隔离沟槽的宽度包括120-300um。
优选地，所述第一隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第一隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
优选地，切割所述塑封体还包括形成环绕所述光传感器单元的第二隔离沟槽。
优选地，所述第二隔离沟槽的宽度大于所述第一隔离沟槽的宽度。
优选地，所述第二隔离沟槽的深度与所述第一隔离沟槽的深度相同。
优选地，所述第二隔离沟槽的宽度包括300-700um。
优选地，所述第二隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第二隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
优选地，所述第二次封装填补所第二隔离沟槽形成第二隔离墙，所述第二隔离墙将所述各个光传感器单元之间隔离。
优选地，切割所述塑封体还包括形成从塑封体的上表面向下延伸的遮光槽，，所述遮光槽环绕所述光发射端和/或所述光接收端，所述遮光槽与所述第二隔离沟槽相连。
优选地，所述遮光槽的深度小于所述第二隔离沟槽的深度。
优选地，所述遮光槽的宽度包括100-300um，所述遮光槽的深度包括80-150um。
优选地，所述第二次封装填补所述遮光槽形成遮光罩。
优选地，所述光传感器封装结构中所述第二隔离墙的宽度包括100-300um。
本发明的有益效果是：
本发明提供的光传感器封装方法，通过在第一次封装后对塑封体进行切割，再进行第二次封装，实现了仅使用一副模具将塑封体中光发射端与光接收端进行隔离的方案，大幅减少了模具相关费用，以及定制模具所消耗的时间，使得光传感器新外形的开发成本显著降低，开发周期也得以缩短，且仅需一套封装设备与模具配合，无需换模或多套封装设备，有利于提高生产节拍，提高设备利用率，降低生产成本。采用拼板设计，一批次可生产多个光传感器，有利于提高产品的一致性和稳定性，压缩生产成本，提升生产效率。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1是本发明实施例的光传感器封装体的封装方法的示意图；
图2-7是本发明第一实施例的光传感器封装体的封装方法的各步骤的局部示意图；
图8是本发明第一实施例的光传感器封装结构的截面图；
图9是本发明第二实施例的光传感器封装体的局部示意图；
图10是本发明第二实施例的光传感器封装结构的截面图。
图11-14是本发明第三实施例光传感器封装体的封装方法的部分步骤的局部示意图；
图15是本发明第三实施例的光传感器封装结构的截面图；
图16-18是本发明第四实施例的光传感器封装体的封装方法的部分步骤的局部示意图；
图19是本发明第四实施例的光传感器封装结构的截面图。
具体实施方式
以下基于实施例对本发明进行描述，但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。为了避免混淆本发明的实质，公知的方法、过程、流程、元件并没有详细叙述。
图1示出了本发明实施例的光传感器封装体的封装方法的示意图，该封装方法包括：
在步骤S10中，对基板上的光传感器单元进行第一次封装；
在该步骤中，第一次封装采用透光塑封料，光传感器单元置入模具中后从流道内灌入透光塑封料，将光传感器单元中的光发射端和光接收端一同封装在透光塑封料中，当然地，模具内的气体可从流道内流出，也可根据实际情况设置额外的排气口。
在步骤S20中，切割第一次封装形成的塑封体；
在该步骤中，由于光传感器单元中的光发射端与光接收端需要进行光隔离，避免两者之间在塑封体内具有光通路，需要对光发射端与光接收端之间的塑封体进行切割，形成沟槽结构(此处的沟槽结构涵盖下述各实施例中的第一沟槽、第二沟槽和遮光槽)，同时切割掉第一次封装在流道形成的部分，保证流道的畅通。
在步骤S30中，对基板上的光传感器单元进行第二次封装；
在该步骤中，将切割后的第一次封装形成的塑封体再次置入同一模具中，通过流道对模具内灌入非透光塑封料进行第二次封装，非透光塑封料会填补步骤S20中切割的部分，使光发射端与光接收端之间的沟槽结构被非透光塑封料填充，从而实现光发射端与光接收端之间的隔离。
参照图2至图7说明本发明第一实施例光传感器封装体的封装方法的各步骤的局部示意图。
如图2所示，本发明第一实施例中的基板110上设置有多个光传感器单元120，每个光传感器单元例如包括光发射端121和光接收端122，每个光传感器单元的光发射端121与光接收端122例如设置在同一行中，图中虽然仅示出了两个光传感器单元120，每个光传感器单元120中仅包括一个光发射端121和一个光接收端122，但在具体使用时其数量可根据实际情况进行相应调整。
图3示出了本发明第一实施例中进行第一次封装的局部示意图，第一次封装所用的模具图中未示出，为了使图中各结构更加清晰，该塑封体130采用了透视效果，具体地，该塑封体130在进行封装时，将模具与设置有多个光传感器单元120的基板110相连并固定，从流道向模具内灌入透光塑封料进行第一次封装，流道尺寸较大，可兼作排气孔使用，模具内的气体也从流道中流出，模具内的塑封料固化后形成将光发射端121和光接收端122覆盖的塑封体130，其中，流道被塑封料填充形成塑封体130中前凸的部分。
图4和图5分别示出了本发明第一实施例中对塑封体进行切割的局部示意图和截面图，为了切割后可进行第二次封装，需要保持流道131畅通，故将第一次封装形成的塑封体130中的堵塞流道131的部分进行了切除，为了实现光发射端121与光接收端122之间的隔离，对光发射端121与光接收端122之间的封装体130及基板110进行部分切除形成第一隔离沟槽132，第一隔离沟槽132的宽度例如为120-300um，第一隔离沟槽132从封装体130的上表面延伸至下表面，完全贯穿封装体130并深入基板110中，基板110被切除的部分的深度占基板110总厚度的10％-50％。
图6和图7分别示出了本发明第一实施例中对切割后的塑封体进行第二次封装的局部示意图和截面图，采用第一次封装同样的模具，将模具与切割后的封装体130相连并与采用与第一次封装相同的定位进行对准固定，从流道中灌入非透光塑封料，使非透光塑封料填充第一隔离沟槽132，从而在第一隔离沟槽132的区域形成非透光区域即第一隔离墙1321，从而在塑封体内光发射端与光接收端之间形成非透光的隔离。
图8示出了本发明第一实施例对光传感器封装体进行切割后获取的单个光传感器封装结构的截面图，图中可见在光发射端121与光接收端122的周边进行了切割，以分离多个光传感器单元，并除去多余的部分以减小体积。其中切割后的第一隔离墙1321的宽度例如为120-300um。
图9和图10分别示出了本发明第二实施例的光传感器封装体的局部示意图和光传感器封装结构的截面图；图中可见该实施例中每个光传感器单元包括两个光发射端121和123，两个光发射端分别位于光接收端122的左右两侧，且两个光发射端与位于中间位置的光接收端122之间均设置有第一隔离墙1321隔离。同样地，在封装结构的截面图中，对塑封体130和基板110进行了切割，以分离多个光传感器单元，并除去多余的部分以减小体积，获得多个独立的光传感器封装结构，其中，两个第一隔离墙1321的宽度例如均为120-300um。
图11和图12分别示出了本发明第三实施例中对塑封体进行切割的示意图和俯视图，相比于第一实施例中切割形成的第一隔离沟槽132，其在光传感器单元的四周还切割形成了第二隔离沟槽133，第二隔离沟槽133环绕光传感器单元设置，第二隔离沟槽133的宽度例如大于第一隔离沟槽132的宽度，由于相邻两个光传感器单元在后续会沿图示中的点划线(透光区域)进行切割分离成2个单体的光传感器封装结构，为了减小对切割精度及切割损耗的要求，相邻的两个光传感器单元之间的第二隔离沟槽133的宽度可以更宽，即图示中最边缘(基板四周的边缘)的第二隔离沟槽133的宽度小于两个光传感器单元之间的第二隔离沟槽133的宽度。第二隔离沟槽的宽度包括300-700um，第一隔离沟槽和第二隔离沟槽均从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，在基板上的切割深度为基板厚度的10％-50％，且第二隔离沟槽与第一隔离沟槽深度相同。进一步地，图中相邻的两个光传感器单元之间设置有两道第二隔离沟槽133，当然地，其也可仅设置一道第二隔离沟槽133，使得该第二隔离沟槽133的宽度与图示中的2道隔离沟槽133的宽度及中间部分的宽度之和相同即可。填充第二隔离沟槽形成的第二隔离墙1331，在切割获取封装结构单体时会被部分去除，故最终获得的单体结构中第二隔离墙1331的宽度小于第二隔离沟槽133的宽度。
图13和图14分别示出了本发明第三实施例中对塑封体进行第二次封装的示意图及截面图，与第一实施例类似，在第二次封装时，第二隔离沟槽133与第一隔离沟槽132一同被非透光塑封料填充，第二次封装完成后可使光传感器单元四周的第二隔离沟槽133充满非透光塑封料形成第二隔离墙1331，避免光发射端的光照外漏，并可减小外界光照对光接收端的干扰。
图15示出了本发明第三实施例对光传感器封装体进行切割后获取的单个光传感器封装结构的截面图，图中可见在光发射端121与光接收端122的周边进行了切割，以分离多个光传感器单元，并除去多余的部分以减小体积，获得多个独立的光传感器封装结构，第二隔离墙1331在此次切割中会被切去一部分，但并不影响其隔离效果，切割获取的封装结构单体中的第二隔离墙1331的厚度包括100-300um。
图16和图17分别示出了本发明第四实施例中对塑封体进行切割的示意图和第二次封装的俯视图，相比于第三实施例中切割形成的第一隔离沟槽132和第二隔离沟槽133，还形成了从塑封体130的上表面向下延伸的遮光槽134，为了进行区分，第一隔离槽132、第二隔离槽133和遮光槽134分别在俯视图中以不同填充样式示出，相比于第三实施例，该遮光槽134对与光传感器单元的塑封体上方的透光区域开口进行缩减，使从塑封体中射出的光更加集中，其接收光的接收位置也更加有限，避免非目标光照对光接收端的干扰。提高了光照的发射和接收精度，有利于提高光传感器的性能和稳定性，使其可以适用更多的复杂场景。具体地，与第三实施例类似，在第二次封装时，遮光槽134、第二隔离沟槽133以及第一隔离沟槽132一同被非透光塑封料填充，第二次封装完成后可使光传感器单元顶部四周的遮光槽充满非透光塑封料形成遮光罩1341，遮光槽134的宽度例如包括100-300um，深度例如包括80-150um，遮光槽134的深度小于第二隔离沟槽的深度。
图18和图19分别示出了本发明第三实施例光传感器封装体的截面图以及切割成单个光传感器封装结构的截面图，图18中可见该遮光槽134从塑封体130的上表面向下延伸并与第二隔离沟槽133和第一隔离沟槽132相连，通过第二次封装在遮光槽134中填充非透光塑封料，有效减小了光发射端从塑封体中可射出光照的开口面积，也减小了光接收端从塑封体外部接收光照的开口面积，可以提高光发射端射出光照的精度，缩小光接收端接收光照范围，避免接收非目标光照，减小外界干扰，提高精度和性能。在进行获取单个的光传感器封装结构时，如图19所示为切除部分第二隔离墙1331以获取最终的封装结构。
本发明提供的光传感器封装方法，通过在第一次封装后对塑封体进行切割，再进行第二次封装，实现了仅使用一副模具将塑封体中光发射端与光接收端进行隔离的方案，大幅减少了模具相关费用，以及定制模具所消耗的时间，使得光传感器新外形的开发成本显著降低，开发周期也得以缩短，且仅需一套封装设备与模具配合，无需换模或多套封装设备，有利于提高生产节拍，提高设备利用率，降低生产成本。采用拼板设计，一批次可生产多个光传感器，有利于提高产品的一致性和稳定性，压缩生产成本，提升生产效率。
此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。
同时，应当理解，示例实施例被提供，以使本公开是全面的，并将其范围充分传达给本领域技术人员。很多特定细节(例如特定部件、设备和方法的示例)被给出以提供对本公开的全面理解。本领域技术人员将明白，不需要采用特定细节，示例实施例可以以很多不同的形式被实施，并且示例实施例不应被理解为限制本公开的范围。在一些示例实施例中，众所周知的设备结构以及众所周知的技术没有详细描述。
当一元件或层被提及为在另一元件或层“上”、“被接合到”、“被连接到”或“被联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、被直接接合、连接或联接到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相比之下，当一元件被提及为“直接”在另一元件或层“上”、“直接被接合到”、“直接被连接到”或“直接被联接到”另一元件或层时，可不存在中间元件或层。用于描述元件之间关系的其它词语应该以相似方式被解释(例如，“之间”与“直接在之间”，“邻近”与“直接邻近”等)。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多关联的所列项目中的任一或全部组合。
虽然术语第一、第二、第三等在此可被用于描述各个元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应该被这些术语限制。这些术语可仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、区域、层或区段区分开。诸如“第一”、“第二”的术语和其它数值术语当在此使用时不意味着次序或顺序，除非上下文明确指出。因而，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或区段可被称为第二元件、部件、区域、层或区段，而不背离示例实施例的教导。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (33)
1.一种光传感器封装体的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
基板上设置若干光传感器单元，所述光传感器单元包括光发射端和光接收端；
对基板上的若干光传感器单元进行第一次封装，形成塑封体，所述塑封体包裹基板上的所述若干光传感器单元；
切割所述塑封体，形成所述光传感器单元的光发射端与光接收端之间的第一隔离沟槽；
对基板上的若干光传感器单元进行第二次封装，所述第二次封装用以填补所述第一隔离沟槽，形成第一隔离墙，所述第一隔离墙将所述光传感器单元的光发射端与光接收端隔离。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，每个所述光传感器单元包括一个光接收端和至少一个光发射端。
3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一次封装采用透光塑封料，所述第二次封装采用非透光塑封料。
4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一次封装和所述第二次封装采用相同的模具。
5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一隔离沟槽的宽度包括120-300um。
6.根据权利要求1-5任一项所述的封装方法，其特征在于，所述第一隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第一隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
7.根据权利要求1-5任一项所述的封装方法，其特征在于，切割所述塑封体还包括形成环绕所述光传感器单元的第二隔离沟槽。
8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽的宽度大于所述第一隔离沟槽的宽度。
9.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽的深度与所述第一隔离沟槽的深度相同。
10.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽的宽度包括300-700um。
11.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第二隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
12.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述第二次封装填补所第二隔离沟槽形成第二隔离墙，所述第二隔离墙将所述各个光传感器单元之间隔离。
13.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，切割所述塑封体还包括形成从塑封体的上表面向下延伸的遮光槽，所述遮光槽环绕所述光发射端和/或所述光接收端，所述遮光槽与所述第二隔离沟槽相连。
14.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述遮光槽的深度小于所述第二隔离沟槽的深度。
15.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述遮光槽的宽度包括100-300um，所述遮光槽的深度包括80-150um。
16.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述第二次封装填补所述遮光槽形成遮光罩。
17.一种光传感器封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
基板上设置若干光传感器单元，所述光传感器单元包括光发射端和光接收端；
对基板上的若干光传感器单元进行第一次封装，形成塑封体，所述塑封体包裹基板上的所述若干光传感器单元；
切割所述塑封体，形成所述光传感器单元的光发射端与光接收端之间的第一隔离沟槽；
对基板上的若干光传感器单元进行第二次封装，形成塑封体，所述第二次封装用以填补所述第一隔离沟槽，形成第一隔离墙，所述第一隔离墙将每个光传感器单元的光发射端与光接收端之间隔离；
切割第二次封装形成的塑封体和所述基板，获取多个相互独立的包含光传感器单元的光传感器封装结构。
18.根据权利要求17所述的封装方法，其特征在于，每个所述光传感器单元包括一个光接收端和至少一个光发射端。
19.根据权利要求17所述的封装方法，其特征在于，所述第一次封装采用透光塑封料，所述第二次封装采用非透光塑封料。
20.根据权利要求17所述的封装方法，其特征在于，所述第一次封装和所述第二次封装采用相同的模具。
21.根据权利要求17所述的封装方法，其特征在于，所述第一隔离沟槽的宽度包括120-300um。
22.根据权利要求17-21任一项所述的封装方法，其特征在于，所述第一隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第一隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
23.根据权利要求17-21任一项所述的封装方法，其特征在于，切割所述塑封体还包括形成环绕所述光传感器单元的第二隔离沟槽。
24.根据权利要求23所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽的宽度大于所述第一隔离沟槽的宽度。
25.根据权利要求23所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽的深度与所述第一隔离沟槽的深度相同。
26.根据权利要求23所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽的宽度包括300-700um。
27.根据权利要求23所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽从上至下完全贯穿所述塑封体，并向下延伸至所述基板，所述第二隔离沟槽在所述基板上的切割深度为所述基板厚度的10％-50％。
28.根据权利要求23所述的封装方法，其特征在于，所述第二次封装填补所第二隔离沟槽形成第二隔离墙，所述第二隔离墙将所述各个光传感器单元之间隔离。
29.根据权利要求23所述的封装方法，其特征在于，切割所述塑封体还包括形成从塑封体的上表面向下延伸的遮光槽，所述遮光槽环绕所述光发射端和/或所述光接收端，所述遮光槽与所述第二隔离沟槽相连。
30.根据权利要求29所述的封装方法，其特征在于，所述遮光槽的深度小于所述第二隔离沟槽的深度。
31.根据权利要求29所述的封装方法，其特征在于，所述遮光槽的宽度包括100-300um，所述遮光槽的深度包括80-150um。
32.根据权利要求29所述的封装方法，其特征在于，所述第二次封装填补所述遮光槽形成遮光罩。
33.根据权利要求28所述的封装方法，其特征在于，所述光传感器封装结构中所述第二隔离墙的宽度包括100-300um。
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