CN104103746A - 发光二极管封装结构及其制作方法 - Google Patents
发光二极管封装结构及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104103746A CN104103746A CN201310116168.4A CN201310116168A CN104103746A CN 104103746 A CN104103746 A CN 104103746A CN 201310116168 A CN201310116168 A CN 201310116168A CN 104103746 A CN104103746 A CN 104103746A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transmittance section
- light
- emitting diode
- circuit substrate
- diode chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 159
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 72
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 45
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 17
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 8
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 7
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 208000029257 vision disease Diseases 0.000 description 1
- 230000004393 visual impairment Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光二极管封装结构及其制造方法，发光二极管封装结构包括：基板单元、发光单元、透光单元及遮光单元。基板单元包括一电路基板。发光单元包括至少一设置在电路基板上且电性连接于电路基板的发光二极管芯片。透光单元包括一设置在电路基板上且包覆发光二极管芯片的透光胶体。透光胶体具有一设置在电路基板上且包覆发光二极管芯片的第一透光部及至少一从第一透光部向上凸出且对应于发光二极管芯片的第二透光部，且第二透光部具有一出光面。遮光单元包括一设置在电路基板上以用于裸露第二透光部的出光面的遮光胶体，且遮光胶体具有一与第二透光部的出光面齐平的上表面。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤指一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构及其制作方法。
背景技术
近年来，由于信息产业发展迅速，使用者可能在不同环境下使用可携式电子装置，例如笔记型计算机或智能型手机等。对于笔记型计算机而言，于光线较弱的环境下，使用者可能看不清楚键盘按键上所标示的数字及文字而造成作业困难，严重者甚至可能因勉强辨识按键标示而让使用者视力受损。在现有技术中，于特定按键上增设指示灯号可改善上述问题。此外，通过指示灯号不同的发光配置，可令使用此键盘的使用者知道所输入的指令是否被开启或关闭，例如天线功能或Caps Lock键的开启或关闭。
在现有技术中，于特定按键上增设指示灯号的键盘的底板模块具有电路板、发光源、预制的金属盖。发光源设置于电路板上，并且预制的金属盖覆盖发光源及电路板，此外，预制的金属盖上对应发光源的位置可开设有一第一开孔。按键设置于预制的金属盖上方，并且按键的键帽上具有对应于第一开孔的第二开孔。藉此，发光源所发出之光线可穿过预制的金属盖的第一开孔及键帽的第二开孔，以让使用者可观察得到。然而，已知发光源所发出的光线仍然会从预制的金属盖的侧面产生侧漏光现象。
发明内容
本发明实施例在于提供一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构及其制作方法，其可解决已知的“发光源所发出的光线仍然会从预制的金属盖的侧面产生侧漏光现象”的缺陷。
本发明其中一实施例所提供的一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构包括：一基板单元、一发光单元、一透光单元及一遮光单元。所述基板单元包括一电路基板。所述发光单元包括至少一设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的发光二极管芯片。所述透光单元包括一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的透光胶体，其中所述透光胶体具有一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一透光部及至少一从所述第一透光部向上凸出且对应于至少一所述发光二极管芯片的第二透光部，且至少一所述第二透光部具有一出光面及一连接于所述出光面与所述第一透光部之间的周围表面。所述遮光单元包括一设置在所述电路基板上以用于裸露至少一所述第二透光部的所述出光面的遮光胶体，其中所述遮光胶体包覆所述第一透光部且覆盖至少一所述第二透光部的所述周围表面，且所述遮光胶体具有一与至少一所述第二透光部的所述出光面齐平的上表面。
本发明另外一实施例所提供的一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构包括：一基板单元、一发光单元、一透光单元及一遮光单元。所述基板单元包括一电路基板。所述发光单元包括多个设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的发光二极管芯片。所述透光单元包括一设置在所述电路基板上且包覆多个所述发光二极管芯片的透光胶体，其中所述透光胶体具有一设置在所述电路基板上且包覆多个所述发光二极管芯片的第一透光部及多个从所述第一透光部向上凸出且分别对应于多个所述发光二极管芯片的第二透光部，且每一个所述第二透光部具有一出光面及一连接于所述出光面与所述第一透光部之间的周围表面。所述遮光单元包括一设置在所述电路基板上以用于裸露每一个所述第二透光部的所述出光面的遮光胶体，其中所述遮光胶体包覆所述第一透光部且覆盖每一个所述第二透光部的所述周围表面，且所述遮光胶体具有一与每一个所述第二透光部的所述出光面齐平的上表面。
本发明另外再一实施例所提供的一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构的制作方法包括下列步骤：首先，将多个发光单元设置在一承载基板上，其中多个所述发光单元电性连接于所述承载基板；接着，形成多个设置在承载基板上且分别包覆多个所述发光单元的透光胶体；然后，形成一设置在承载基板上且包覆多个所述透光胶体的遮光材料；接下来，移除所述遮光材料的一部分，以露出每一个所述透光胶体的顶端；最后，切割所述承载基板及所述遮光材料，以形成多个彼此分离的单个发光二极管封装结构，其中所述承载基板被切割以形成多个分别用来承载多个所述发光单元的电路基板，且所述遮光材料被切割以形成多个分别用来裸露多个所述透光胶体的多个所述顶端的遮光胶体。
本发明的有益效果可以在于，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构及其制作方法，其可通过“一设置在所述电路基板上以用于裸露至少一所述第二透光部的所述出光面的遮光胶体”、“一设置在所述电路基板上以用于裸露每一个所述第二透光部的所述出光面的遮光胶体”及“移除所述遮光材料的一部分，以露出每一个所述透光胶体的顶端”的设计，以使得本发明可以达到完全防止侧漏光的功效。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制作方法的流程图。
图2为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制作方法的步骤S100与S102的前视示意图。
图3为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制作方法的步骤S104的前视示意图。
图4A为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制作方法的步骤S106的前视示意图。
图4B为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制作方法的步骤S106的俯视示意图。
图5为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的前视示意图。
图6A为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的电路基板的俯视示意图。
图6B为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的电路基板的仰视示意图。
图7为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的前视示意图。
图8A为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的出光面的直径为d5时的前视示意图。
图8B为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的出光面的直径为d5时的俯视示意图。
图9A为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的出光面的直径为d6时的前视示意图。
图9B为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的出光面的直径为d6时的俯视示意图。
图10为本发明第四实施例的发光二极管封装结构的前视示意图。
图11为本发明第五实施例的发光二极管封装结构的前视示意图。
图12为本发明第六实施例的发光二极管封装结构设置于一预定键帽下方的俯视示意图。
【符号说明】
LED封装结构 Z
承载基板 1’
基板单元 1
电路基板 10
周围表面 100
顶端焊垫 101
底端焊垫 102
导电通孔 103
发光单元 2
发光二极管芯片 20
透光单元 3
透光胶体 30
顶端 300
第一透光部 30A
第二透光部 30B
出光面 300B
周围表面 301B
直径 d1、d2
直径 d3、d4、d5、d6
高度 H1、H2
荧光颗粒 31
扩散颗粒 32
遮光材料 4’
遮光单元 4
遮光胶体 40
上表面 400
周围表面 401
防突波单元 5
防突波芯片 50
切割线 L
预定键帽 K
透光开口 K100
具体实施方式
〔第一实施例〕
请参阅图1至图5所示，本发明第一实施例提供一种用于防止侧漏光的发光二极管（LED）封装结构Z的制作方法，其包括下列步骤：
首先，配合图1与图2所示，将多个发光单元2设置在一承载基板1’上，其中多个发光单元2电性连接于承载基板1’（步骤S100）。举例来说，每一个发光单元2包括至少一发光二极管芯片20，并且发光二极管芯片20可通过两条导线（未以标号示出）电性连接于承载基板1’。
接着，配合图1与图2，形成多个设置在承载基板1’上且分别包覆多个发光单元2的透光胶体30（步骤S102）。举例来说，多个透光胶体30可以通过压模成型（Compression molding）的方式同时形成在承载基板1’上且分别包覆多个发光二极管芯片20。更进一步来说，每一个透光胶体30具有一设置在承载基板1’上且包覆发光二极管芯片20的第一透光部30A及至少一从第一透光部30A向上凸出且对应于发光二极管芯片20的第二透光部30B。
然后，配合图1与图3所示，形成一设置在承载基板1’上且包覆多个透光胶体30的遮光材料4’（步骤S104）。举例来说，遮光材料4’可为填充于每两个透光胶体30之间且覆盖每一个透光胶体30的不透光黑胶。
接下来，配合图1、图4A及图4B所示，移除遮光材料4’的一部分，以露出每一个透光胶体30的顶端300（步骤S106）。举例来说，利用研磨的方式来移除一部分的遮光材料4’，直到每一个透光胶体30的顶端300外露。更进一步来说，第一透光部30A可为一设置在承载基板1’上且包覆发光二极管芯片20的第一圆柱体，并且第二透光部30B可为一与第一透光部30A一体成型的向上凸出且位于发光二极管芯片20的正上方的第二圆柱体。此外，第二透光部30B的顶端300可为一位于发光二极管芯片20的正上方的圆形表面，并且第二透光部30B的直径d2小于第一透光部30A的直径d1。
紧接着，配合图1、图4A及图5所示，沿着图4A中的X-X切割线L来切割承载基板1’及遮光材料4’，以形成多个彼此分离的单个发光二极管封装结构Z（步骤S108），其中承载基板1’被切割以形成多个分别用来承载多个发光单元2的电路基板10，并且遮光材料4’被切割以形成多个分别用来裸露多个透光胶体30的多个顶端300的遮光胶体40。更进一步来说，配合图4A与图5所示，每一个单个发光二极管封装结构Z可由电路基板10、设置在电路基板10上且电性连接于电路基板10的发光二极管芯片20、设置在电路基板10上且包覆发光二极管芯片20的透光胶体30、及设置在电路基板10上且用于裸露透光胶体30的顶端300的遮光胶体40四者所组成。
藉此，如图5所示，经过上述步骤S100至步骤S108的制作过程，本发明第一实施例可提供一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一透光单元3及一遮光单元4。首先，基板单元1包括一电路基板10。发光单元2包括至少一设置在电路基板10上且电性连接于电路基板10的发光二极管芯片20。透光单元3包括一设置在电路基板10上且包覆发光二极管芯片20的透光胶体30，其中透光胶体30具有一设置在电路基板10上且包覆发光二极管芯片20的第一透光部30A及至少一从第一透光部30A向上凸出且对应于发光二极管芯片20的第二透光部30B，并且第二透光部30B具有一出光面300B及一连接于出光面300B与第一透光部30A之间的周围表面301B（或围绕表面）。遮光单元4包括一设置在电路基板10上以用于裸露出光面300B的遮光胶体40，其中遮光胶体40包覆第一透光部30A且覆盖第二透光部30B的周围表面301B，并且遮光胶体40具有一与第二透光部30B的出光面300B齐平的上表面400。
更进一步来说，配合图4A与图5所示，第一透光部30A可为一设置在电路基板10上且包覆发光二极管芯片20的第一圆柱体。第二透光部30B可为一与第一透光部30A一体成型的向上凸出且位于发光二极管芯片20的正上方的第二圆柱体，第二透光部30B的出光面300B可为一位于发光二极管芯片20的正上方的圆形表面，并且第二透光部30B的直径d2小于第一透光部30A的直径d1。另外，电路基板10具有一周围表面100（或围绕表面），遮光胶体40具有一连接于上表面400的周围表面401(或围绕表面)，并且电路基板10的周围表面100与遮光胶体40的周围表面401彼此齐平。
再者，配合图6A与图6B所示，电路基板10具有至少两个顶端焊垫101、至少两个分别对应于两个顶端焊垫101的底端焊垫102、及两个分别电性连接于其中一顶端焊垫101与其中一底端焊垫102之间及另外一顶端焊垫101与另外一底端焊垫102之间的导电通孔103。另外，本发明的发光二极管封装结构Z更进一步包括：一防突波单元5。其中，防突波单元5包括至少一设置在电路基板10上且电性连接于电路基板10的防突波芯片50（例如，具有抗静电功能的齐纳二极管（Zener diode），并且防突波单元5可通过并联的方式电性连接于发光单元2。更进一步来说，在将多个发光单元2设置在承载基板1’上的步骤中，更进一步包括：将多个分别对应于多个发光单元2的防突波芯片50设置在承载基板1’上，其中多个防突波芯片50通过并联的方式分别电性连接于多个发光单元2，且多个所述防突波芯片50分别被多个透光胶体30所包覆。藉此，由于发光二极管芯片20与防突波芯片50皆电性连接于两个顶端焊垫101之间，所以发光单元2与防突波单元5两者可以通过并联的方式彼此电性连接，以用来保护发光单元2，并增加发光单元2的使用寿命。
〔第二实施例〕
请参阅图7所示，本发明第二实施例可提供一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一透光单元3及一遮光单元4。由图7与图5的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，透光单元3更进一步包括多个均匀分布在透光胶体30内的荧光颗粒31及多个均匀分布在透光胶体30内的扩散颗粒32，其中多个扩散颗粒32可用来增加本发明的出光效率。换言之，透光单元3可由环氧树脂或硅胶所制作出来的透光胶体30、多个荧光颗粒31及多个扩散颗粒32相互混合所形成。
〔第三实施例〕
请参阅图8A至图9B所示，本发明第三实施例可提供一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一透光单元3及一遮光单元4。由图8A与图5的比较可知，本发明第三实施例与第一实施例最大的差别在于：在第三实施例中，第二透光部30B的直径可从第一透光部30A朝向第二透光部30B的出光面300B的方向渐缩，其中第二透光部30B的最大直径d4小于第一透光部30A的直径d3，并且第二透光部30B的最小直径d5、d6可随着遮光胶体40的上表面400相对于第一透光部30A的高度H1、H2的变化来进行反相的改变。举例来说，当遮光胶体40的上表面400相对于第一透光部30A的高度从H1（如图8A所示）通过研磨而调降至H2（如图9A所示）时，第二透光部30B的出光面300B的直径则可从d5调升至d6。换言之，本发明第二透光部30B的出光面300B的直径（d5、d6）或宽度并非固定的状态，而是可随着不同的使用需求来进行改变或调整。
〔第四实施例〕
请参阅图10所示，本发明第四实施例可提供一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一透光单元3及一遮光单元4。由图10与图5的比较可知，本发明第四实施例与第一实施例最大的差别在于：在第四实施例中，发光单元2包括多个设置在电路基板10上且电性连接于电路基板10的发光二极管芯片20。因此，每一个单个发光二极管封装结构Z可由电路基板10、设置在电路基板10上且电性连接于电路基板10的多个发光二极管芯片20、设置在电路基板10上且包覆多个发光二极管芯片20的透光胶体30、及设置在电路基板10上且用于裸露透光胶体30的出光面300B的遮光胶体40四者所组成。
〔第五实施例〕
请参阅图11所示，本发明第五实施例可提供一种用于防止侧漏光的发光二极管封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一透光单元3及一遮光单元4。由图11与图5的比较可知，本发明第五实施例与第一实施例最大的差别在于：在第五实施例中，发光单元2包括多个设置在电路基板10上且电性连接于电路基板10的发光二极管芯片20。透光单元3包括一设置在电路基板10上且包覆多个发光二极管芯片20的透光胶体30，其中透光胶体30具有一设置在电路基板10上且包覆多个发光二极管芯片20的第一透光部30A及多个从第一透光部30A向上凸出且分别对应于多个发光二极管芯片20的第二透光部30B，并且每一个第二透光部30B具有一出光面300B及一连接于出光面300B与第一透光部30A之间的周围表面301B。遮光单元4包括一设置在电路基板10上以用于裸露每一个第二透光部30B的出光面300B的遮光胶体40，其中遮光胶体40包覆第一透光部30A且覆盖每一个第二透光部30B的周围表面301B，并且遮光胶体40具有一与每一个第二透光部30B的出光面300B齐平的上表面400。
〔第六实施例〕
请参阅图12所示，本发明第六实施例可提供一种应用于一预定键帽K的发光二极管封装结构Z，其中发光二极管封装结构Z设置于预定键帽K的下方，并且预定键帽K具有至少一对应于第二透光部30B的出光面300B的透光开口K100（例如，实心透明物或被挖空的开孔）。举例来说，预定键帽K可为一具有大写键锁定（Caps Lock）功能的键帽，当使用者按压预定键帽K时，发光二极管封装结构Z即可使得发光二极管芯片20所产生的光束从预定键帽K的透光开口K100投射出来，以提供给使用者作为指示之用。因此，使用者即可轻易通过发光二极管芯片20从预定键帽K的透光开口K100所投射出来的光束来判断具有大写键锁定功能的键帽处于开启或关闭状态。
〔实施例的有益效果〕
综上所述，本发明的有益效果可以在于，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构Z及其制作方法可通过“一设置在电路基板10上以用于裸露第二透光部30B的出光面300B的遮光胶体40”、“一设置在电路基板10上以用于裸露每一个第二透光部30B的出光面300B的遮光胶体40”及“移除遮光材料40’的一部分，以露出每一个透光胶体30的顶端300”的设计，使得本发明可以达到完全防止侧漏光的功效。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例，非因此局限本发明的专利范围，所以凡运用本发明说明书及附图内容所做出的等效技术变化，均包含于本发明的范围内。
Claims (19)
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一基板单元，所述基板单元包括一电路基板；
一发光单元，所述发光单元包括至少一设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的发光二极管芯片；
一透光单元，所述透光单元包括一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的透光胶体，其中所述透光胶体具有一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一透光部及至少一从所述第一透光部向上凸出且对应于至少一所述发光二极管芯片的第二透光部，且至少一所述第二透光部具有一出光面及一连接于所述出光面与所述第一透光部之间的周围表面；以及
一遮光单元，所述遮光单元包括一设置在所述电路基板上以用于裸露至少一所述第二透光部的所述出光面的遮光胶体，其中所述遮光胶体包覆所述第一透光部且覆盖至少一所述第二透光部的所述周围表面，且所述遮光胶体具有一与至少一所述第二透光部的所述出光面齐平的上表面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一透光部为一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一圆柱体，至少一所述第二透光部为一与所述第一透光部一体成型的向上凸出且位于至少一所述发光二极管芯片的正上方的第二圆柱体，至少一所述第二透光部的所述出光面为一位于至少一所述发光二极管芯片的正上方的圆形表面，且至少一所述第二透光部的直径小于所述第一透光部的直径。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一透光部为一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一圆柱体，至少一所述第二透光部为一与所述第一透光部一体成型的向上凸出且位于至少一所述发光二极管芯片的正上方的第二圆柱体，且至少一所述第二透光部的所述出光面为一位于至少一所述发光二极管芯片的正上方的圆形表面，其中至少一所述第二透光部的直径从所述第一透光部朝向至少一所述第二透光部的所述出光面的方向渐缩，且至少一所述第二透光部的最大直径小于所述第一透光部的直径。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述电路基板具有一周围表面，所述遮光胶体具有一连接于所述上表面的周围表面，且所述电路基板的所述周围表面与所述遮光胶体的所述周围表面彼此齐平，其中所述透光单元包括多个均匀分布在所述透光胶体内的荧光颗粒及多个均匀分布在所述透光胶体内的扩散颗粒。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，更进一步包括：一防突波单元，所述防突波单元包括至少一设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的防突波芯片，其中所述防突波单元通过并联的方式电性连接于所述发光单元。
6.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一基板单元，所述基板单元包括一电路基板；
一发光单元，所述发光单元包括多个设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的发光二极管芯片；
一透光单元，所述透光单元包括一设置在所述电路基板上且包覆多个所述发光二极管芯片的透光胶体，其中所述透光胶体具有一设置在所述电路基板上且包覆多个所述发光二极管芯片的第一透光部及多个从所述第一透光部向上凸出且分别对应于多个所述发光二极管芯片的第二透光部，且每一个所述第二透光部具有一出光面及一连接于所述出光面与所述第一透光部之间的周围表面；以及
一遮光单元，所述遮光单元包括一设置在所述电路基板上以用于裸露每一个所述第二透光部的所述出光面的遮光胶体，其中所述遮光胶体包覆所述第一透光部且覆盖每一个所述第二透光部的所述周围表面，且所述遮光胶体具有一与每一个所述第二透光部的所述出光面齐平的上表面。
7.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一透光部为一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一圆柱体，每一个所述第二透光部为一与所述第一透光部一体成型的向上凸出且位于相对应的所述发光二极管芯片的正上方的第二圆柱体，每一个所述第二透光部的所述出光面为一位于相对应的所述发光二极管芯片的正上方的圆形表面，且每一个所述第二透光部的直径小于所述第一透光部的直径。
8.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一透光部为一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一圆柱体，每一个所述第二透光部为一与所述第一透光部一体成型的向上凸出且位于相对应的所述发光二极管芯片的正上方的第二圆柱体，且每一个所述第二透光部的所述出光面为一位于相对应的所述发光二极管芯片的正上方的圆形表面，其中每一个所述第二透光部的直径从所述第一透光部朝向相对应的所述出光面的方向渐缩，且所述第二透光部的最大直径小于所述第一透光部的直径。
9.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述电路基板具有一周围表面，所述遮光胶体具有一连接于所述上表面的周围表面，且所述电路基板的所述周围表面与所述遮光胶体的所述周围表面彼此齐平，其中所述透光单元包括多个均匀分布在所述透光胶体内的荧光颗粒及多个均匀分布在所述透光胶体内的扩散颗粒。
10.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，更进一步包括：一防突波单元，所述防突波单元包括至少一设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的防突波芯片，其中所述防突波单元通过并联的方式电性连接于所述发光单元。
11.一种发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：
将多个发光单元设置在一承载基板上，其中多个所述发光单元电性连接于所述承载基板；
形成多个设置在所述承载基板上且分别包覆多个所述发光单元的透光胶体；
形成一设置在所述承载基板上且包覆多个所述透光胶体的遮光材料；
移除所述遮光材料的一部分，以露出每一个所述透光胶体的顶端；以及
切割所述承载基板及所述遮光材料，以形成多个彼此分离的单个发光二极管封装结构，其中所述承载基板被切割以形成多个分别用来承载多个所述发光单元的电路基板，且所述遮光材料被切割以形成多个分别用来裸露多个所述透光胶体的多个所述顶端的遮光胶体。
12.根据权利要求11所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，每一个所述发光单元包括至少一发光二极管芯片，且每一个所述单个发光二极管封装结构由所述电路基板、设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的至少一所述发光二极管芯片、设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的所述透光胶体、及设置在所述电路基板上且用于裸露所述透光胶体的所述顶端的所述遮光胶体四者所组成，其中所述透光胶体具有一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一透光部及至少一从所述第一透光部向上凸出且对应于至少一所述发光二极管芯片的第二透光部，且所述第二透光部具有一形成在所述顶端上的出光面及一连接于所述出光面与所述第一透光部之间的周围表面，其中所述遮光胶体包覆所述第一透光部且覆盖至少一所述第二透光部的所述周围表面，且所述遮光胶体具有一与至少一所述第二透光部的所述出光面齐平的上表面。
13.根据权利要求12所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一透光部为一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一圆柱体，至少一所述第二透光部为一与所述第一透光部一体成型的向上凸出且位于至少一所述发光二极管芯片的正上方的第二圆柱体，至少一所述第二透光部的所述出光面为一位于至少一所述发光二极管芯片的正上方的圆形表面，且至少一所述第二透光部的直径小于所述第一透光部的直径。
14.根据权利要求12所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一透光部为一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一圆柱体，至少一所述第二透光部为一与所述第一透光部一体成型的向上凸出且位于至少一所述发光二极管芯片的正上方的第二圆柱体，且至少一所述第二透光部的所述出光面为一位于至少一所述发光二极管芯片的正上方的圆形表面，其中至少一所述第二透光部的直径从所述第一透光部朝向至少一所述第二透光部的所述出光面的方向渐缩，且至少一所述第二透光部的最大直径小于所述第一透光部的直径。
15.根据权利要求11所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，每一个所述发光单元包括多个发光二极管芯片，且每一个所述单个发光二极管封装结构由所述电路基板、设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的多个所述发光二极管芯片、设置在所述电路基板上且包覆多个所述发光二极管芯片的所述透光胶体、及设置在所述电路基板上且用于裸露所述透光胶体的所述顶端的所述遮光胶体四者所组成，其中所述透光胶体具有一设置在所述电路基板上且包覆多个所述发光二极管芯片的第一透光部及多个从所述第一透光部向上凸出且分别对应于多个所述发光二极管芯片的第二透光部，且每一个所述第二透光部具有一形成在所述顶端上的出光面及一连接于所述出光面与所述第一透光部之间的周围表面，其中所述遮光胶体包覆所述第一透光部且覆盖每一个所述第二透光部的所述周围表面，且所述遮光胶体具有一与每一个所述第二透光部的所述出光面齐平的上表面。
16.根据权利要求15所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一透光部为一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一圆柱体，每一个所述第二透光部为一与所述第一透光部一体成型的向上凸出且位于相对应的所述发光二极管芯片的正上方的第二圆柱体，每一个所述第二透光部的所述出光面为一位于相对应的所述发光二极管芯片的正上方的圆形表面，且每一个所述第二透光部的直径小于所述第一透光部的直径。
17.根据权利要求15所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一透光部为一设置在所述电路基板上且包覆至少一所述发光二极管芯片的第一圆柱体，每一个所述第二透光部为一从所述第一透光部一体成型的向上凸出且位于相对应的所述发光二极管芯片的正上方的第二圆柱体，且每一个所述第二透光部的所述出光面为一位于相对应的所述发光二极管芯片的正上方的圆形表面，其中每一个所述第二透光部的直径从所述第一透光部朝向相对应的所述出光面的方向渐缩，且所述第二透光部的最大直径小于所述第一透光部的直径。
18.根据权利要求11所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，所述电路基板具有一周围表面，所述遮光胶体具有一周围表面，且所述电路基板的所述周围表面与所述遮光胶体的所述周围表面彼此齐平，其中所述透光胶体的内部具有多个均匀分布的荧光颗粒及多个均匀分布的扩散颗粒。
19.根据权利要求11所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，在将多个所述发光单元设置在所述承载基板上的步骤中，更进一步包括：将多个分别对应于多个所述发光单元的防突波芯片设置在所述承载基板上，其中多个所述防突波芯片通过并联的方式分别电性连接于多个所述发光单元，且多个所述防突波芯片分别被多个所述透光胶体所包覆。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310116168.4A CN104103746B (zh) | 2013-04-03 | 2013-04-03 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310116168.4A CN104103746B (zh) | 2013-04-03 | 2013-04-03 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104103746A true CN104103746A (zh) | 2014-10-15 |
| CN104103746B CN104103746B (zh) | 2017-03-08 |
Family
ID=51671719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310116168.4A Active CN104103746B (zh) | 2013-04-03 | 2013-04-03 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104103746B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465968A (zh) * | 2013-09-23 | 2015-03-25 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
| US9525113B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-12-20 | Brightek Optoelectronic (Shenzhen) Co., Ltd. | Method of manufacturing a LED package structure for preventing lateral light leakage |
| CN108630672A (zh) * | 2017-03-20 | 2018-10-09 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 影像显示模块及其制作方法、及显示设备 |
| CN109698190A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-04-30 | 张文林 | 一种彩色显示灯珠及其加工方法 |
| CN110808323A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-02-18 | 鸿利智汇集团股份有限公司 | 一种led封装方法 |
| CN111372352A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-03 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | 指示传感模块、封装工艺及触摸开关 |
| CN112133814A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-25 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | Led封装单体、按键装置及led封装方法 |
| CN114966945A (zh) * | 2016-04-13 | 2022-08-30 | 塔科图特科有限责任公司 | 具有嵌入光源的照明多层结构 |
| CN116613265A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-08-18 | 广东新克尔光电科技有限公司 | 一种led灯珠及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020154366A1 (en) * | 2001-04-24 | 2002-10-24 | Tomoharu Horio | Infrared data communication module and method of making the same |
| CN201478309U (zh) * | 2009-06-09 | 2010-05-19 | 苏州市悠文电子有限公司 | 发光二极管改良结构 |
| CN201673932U (zh) * | 2010-05-11 | 2010-12-15 | 嘉兴淳祥电子科技有限公司 | 薄膜开关led指示灯封装结构 |
-
2013
- 2013-04-03 CN CN201310116168.4A patent/CN104103746B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020154366A1 (en) * | 2001-04-24 | 2002-10-24 | Tomoharu Horio | Infrared data communication module and method of making the same |
| CN201478309U (zh) * | 2009-06-09 | 2010-05-19 | 苏州市悠文电子有限公司 | 发光二极管改良结构 |
| CN201673932U (zh) * | 2010-05-11 | 2010-12-15 | 嘉兴淳祥电子科技有限公司 | 薄膜开关led指示灯封装结构 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465968A (zh) * | 2013-09-23 | 2015-03-25 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
| US9525113B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-12-20 | Brightek Optoelectronic (Shenzhen) Co., Ltd. | Method of manufacturing a LED package structure for preventing lateral light leakage |
| CN104465968B (zh) * | 2013-09-23 | 2017-08-29 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
| CN114966945A (zh) * | 2016-04-13 | 2022-08-30 | 塔科图特科有限责任公司 | 具有嵌入光源的照明多层结构 |
| US11934004B2 (en) | 2016-04-13 | 2024-03-19 | Tactotek Oy | Illuminated multilayer structure with embedded light sources |
| CN108630672A (zh) * | 2017-03-20 | 2018-10-09 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 影像显示模块及其制作方法、及显示设备 |
| CN108630672B (zh) * | 2017-03-20 | 2020-04-14 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 影像显示模块及其制作方法、及显示设备 |
| CN109698190A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-04-30 | 张文林 | 一种彩色显示灯珠及其加工方法 |
| CN110808323A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-02-18 | 鸿利智汇集团股份有限公司 | 一种led封装方法 |
| CN111372352A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-03 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | 指示传感模块、封装工艺及触摸开关 |
| CN112133814A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-25 | 弘凯光电(深圳)有限公司 | Led封装单体、按键装置及led封装方法 |
| CN116613265A (zh) * | 2023-06-02 | 2023-08-18 | 广东新克尔光电科技有限公司 | 一种led灯珠及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104103746B (zh) | 2017-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104103746A (zh) | 发光二极管封装结构及其制作方法 | |
| JP6030611B2 (ja) | 側面漏光防止用の発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法 | |
| CN104465968A (zh) | 发光二极管封装结构及其制作方法 | |
| US7700965B2 (en) | Light emitting diode | |
| TWI527166B (zh) | The package structure of the optical module | |
| CN205427873U (zh) | 指纹感测单元及指纹感测模块 | |
| CN103579216A (zh) | 光学元件封装模块 | |
| CN106558572A (zh) | 指纹感测封装模块及其制造方法 | |
| CN108573964A (zh) | 半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法 | |
| JP2015026802A (ja) | 光学モジュール、および、その製造方法 | |
| JP2015026804A (ja) | 光学モジュール、およびその製造方法 | |
| JP2015026803A (ja) | 光学モジュール、及びその製造方法 | |
| CN205248264U (zh) | 指纹感测封装模块 | |
| CN205406565U (zh) | 一种csp led | |
| TW201823766A (zh) | 遠距離感測器的封裝結構 | |
| CN107146787B (zh) | 一种集成表贴发光器件的生产工艺 | |
| US20090321763A1 (en) | Light emitting diode | |
| CN203260628U (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| CN110112163A (zh) | 一种图像传感器封装结构及封装方法 | |
| CN101924099B (zh) | 发光二极管装置 | |
| TWM471036U (zh) | 發光二極體封裝結構 | |
| TW201824524A (zh) | 光學模組的封裝結構 | |
| TW201440256A (zh) | 用於防止側漏光的發光二極體封裝結構及其製作方法 | |
| CN220914265U (zh) | 发光二极管封装组件 | |
| CN213845309U (zh) | 一种发光二极管封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |