JP2015026804A - 光学モジュール、およびその製造方法 - Google Patents

光学モジュール、およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015026804A
JP2015026804A JP2013236807A JP2013236807A JP2015026804A JP 2015026804 A JP2015026804 A JP 2015026804A JP 2013236807 A JP2013236807 A JP 2013236807A JP 2013236807 A JP2013236807 A JP 2013236807A JP 2015026804 A JP2015026804 A JP 2015026804A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
substrate
light emitting
chip
optical module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013236807A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6062349B2 (ja
Inventor
明▲徳▼ 杜
Myeong-Deok Tu
明▲徳▼ 杜
耀庭 葉
Yao-Ting Yeh
耀庭 葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lingsen Precision Industries Ltd
Original Assignee
Lingsen Precision Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lingsen Precision Industries Ltd filed Critical Lingsen Precision Industries Ltd
Publication of JP2015026804A publication Critical patent/JP2015026804A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6062349B2 publication Critical patent/JP6062349B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

【課題】 発光チップの発光効率を効果的にアップし、受光チップの受信不良という問題を改善可能な光学モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板20は、発光ゾーン22、及び、受光ゾーン24が定義されている。発光チップ30は、基板20の発光ゾーン22に設けられている。受光チップ40は、基板20の受光ゾーン24に設けられている。パッケージ部材50は、発光チップ30、及び、受光チップ40を覆い、且つ、発光チップ30の基板20とは反対側に半球状に形成されている第1のレンズ部52、及び、受光チップ40の基板20とは反対側に半球状に形成されている第2のレンズ部54を有する。封止用蓋体60は、第1のレンズ部52を収容する発光穴62および第2のレンズ部54を収容する受光穴64とを有する。接合手段は、パッケージ部材と封止用蓋体とを結合させる。【選択図】 図2

Description

本発明は、光学モジュールおよびその製造方法に関し、特に、光学モジュールのパッケージに関する。
現在、光学式の近接センサモジュールは、新世代のスマート電子機器(例えばスマートフォン)の主流技術となる。電子機器を耳(顔検出)にフィット或いはポケットの中に入れると、光学式の近接センサモジュールが直ちにスクリーン表示をオフにし、消費電力を節約すると共に不慮の接触を避け、好適な使用実感をもたらす。また、光学式の近接センサモジュールの作動原理は、次のとおりである。発光チップにより光を発射(例えば発光ダイオードLED)し、光が物体の表面反射を経由して、受光チップに投射され、電子信号に変換される。しかしながら、従来の光学式の近接センサモジュールのパッケージが完成した後、モジュールの発光チップから発射する光が物体表面の反射を経由した後、光の強度が低下する。また、隣り合う受光チップにより受信した光信号に不良が生じ、受信できなくなることでスマート電子機器の信号を安定および正確に判読できなくなるおそれがある。
この問題を改善するため、例えば、特許文献1に記載の近接センサが開発された。この近接センサは、台座、台座の周囲に垂直連結されている障壁、および、障壁を被せる蓋板を備え、収容空間を有する。収容空間には、収容空間を区切るための仕切板が設けられている。これにより、発光チップと受光チップを区切って基板に設けることで、互いに光の干渉を受けることを抑制することができる。
しかしながら、特許文献1に記載の蓋板は、固着方式で障壁に設けられているため、その接合面積が障壁の周縁のみであるので、側方から作用力をかけた時、蓋板と障壁との接合面積の不足により変位が生じやすく、更に蓋板が障壁から分離するおそれがある。
台湾特許番号第M399313号明細書
本発明は、発光チップの発光効率を効果的にアップし、受光チップの受信不良という問題を改善可能な光学モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、パッケージの接合面積を効果的に増加することで、その接合強度を向上することが可能な光学モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る光学モジュールは、基板、発光チップ、受光チップ、パッケージ部材、封止用蓋体、および、接合手段を備える。基板は、発光ゾーン、及び、受光ゾーンが定義されている。発光チップは、基板の発光ゾーンに設けられている。受光チップは、基板の受光ゾーンに設けられている。パッケージ部材は、発光チップ、及び、受光チップを覆い、且つ、発光チップの基板とは反対側に半球状に形成されている第1のレンズ部、及び、受光チップの基板とは反対側に半球状に形成されている第2のレンズ部を有する。封止用蓋体は、基板のパッケージ部材側に設けられており、発光チップ及び受光チップと対応する位置に、第1のレンズ部を収容する発光穴および第2のレンズ部を収容する受光穴とを有する。接合手段は、パッケージ部材と封止用蓋体とを結合させる。
該接合手段は、パッケージ部材の水平方向の表面に形成されている少なくとも1個の凹穴、および、封止用蓋体の凹穴に対応する位置に形成されている凸縁部を有する。凸縁部は凹穴の中で嵌めこまれている。
パッケージ部材及び封止用蓋体が、モールド方式で形成されている。
パッケージ部材の第1のレンズ部および第2のレンズ部は、同じ屈折率又は異なる屈折率を有する。
パッケージ部材は、透光性樹脂により形成されている。
封止用蓋体は、一体成形により形成されており、遮光性の樹脂により形成されている。
基板は、有機材質のビスマレイミドトリアジン(Bismaleimide Triazine)基板を含む非セラミック基板である。
本発明による光学モジュールの製造方法は、次のステップ(a)〜(d)を含む。
(a)基板において、発光ゾーン及び受光ゾーンを定義する。
(b)発光チップと受光チップを基板に電気的に接続する。
(c)透光可能なパッケージ部材を発光チップおよび受光チップの基板とは反対側に形成する。
(d)遮光である封止用蓋体をパッケージ部材の基板とは反対側に固設する。
発光チップおよび受光チップが基板に電気的に接続する方法は、ワイヤボンディングプロセス、及び、ダイアタッチプロセスである。
ステップ(a)〜ステップ(d)により製造した光学モジュールをカット又はダイカットするステップ(e)を更に含む。
本発明に係る光学モジュールは、ニーズに応じて屈折率が異なるパッケージ部材を作り出すことで、発光チップの発光効率を効果的にアップし、また受光チップの受信品質を向上することができる。更に接合手段を介して各パッケージ部材と封止用蓋体との間の接合面積を増やすことで接合強度を向上することができる。
本発明の構成、特徴及びその目的を理解してもらうため、また、当業者が具体的に実施可能とするため、以下に本発明の実施形態を図面に基いて詳細に説明する。ただし、以下に述べるものは、本発明の技術内容及び特徴を明らかにするために提供する実施形態であって、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が本発明の技術内容及び特徴を理解した後、本発明の精神を逸脱しない限りにおいて、行う種々の修正、変更又は構成要素の減少をなし得ることは本発明の技術的範囲内に含まれる。
本発明の一実施形態による光学モジュールを示す平面図である。 図1の2−2線断面図である。 本発明の一実施形態による光学モジュールを示す要部拡大図である。 本発明の一実施形態による光学モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
(一実施形態)
以下、本発明の構造、特徴及び効果を詳細に説明するため、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
まず図1〜図3を参照しながら説明する。本発明の一実施形態の光学モジュール10は、一般的なパッケージアレイ(Array)からカットして取ったモジュールで、基板20と発光チップ30と受光チップ40と2つのパッケージ部材50と封止用蓋体60と接合手段70を含む。
基板20が、本実施形態において有機材質のビスマレイミドトリアジン(Bismaleimide Triazine、通称BT)基板或いはガラス繊維ボード(通称FR4)等の非セラミック基板である。これにより、基板20の材料コストが低くすることができる。基板20の表面に発光ゾーン22及び受光ゾーン24を定義する。
発光チップ30及び受光チップ40は、各々ダイアタッチ(Die Attach)及びワイヤボンディング(Wire Bond)のプロセスを経て基板20の発光ゾーン22及び受光ゾーン24内に設けられる。発光チップ30が、光の発射に用いられ、受光チップ40が発光チップ30から発した光を受信するのに用いられる。
パッケージ部材50の材質は、透光性樹脂であり、例えば透明なエポキシ樹脂(Epoxy Resin)である。パッケージ部材50は一次モールドの方式で発光チップ30及び受光チップ40を覆う。パッケージ部材50は、発光チップ30及び受光チップ40の上方に半球状を呈する第1のレンズ部52、第2のレンズ部54が形成されている。
封止用蓋体60は、一体成形されており、材質が遮光性の樹脂であり、例えば不透光性のエポキシ樹脂(Epoxy Resin)である。封止用蓋体60は二次モールドの方式で基板20とパッケージ部材50の上に固設されている。封止用蓋体60は発光チップ30及び受光チップ40に対応する位置に発光穴62と受光穴64とが形成されている。パッケージ部材50の第1のレンズ部52および第2のレンズ部54は、発光穴62及び受光穴64の中に各々収容されている。
本実施形態において、第1のレンズ部52および第2のレンズ部54は同じ屈折率或いは異なる屈折率を有する。よって、異なる使用上の需要を満たす。第1のレンズ部52の屈折率が大きければ、発光チップ30が発射される光が比較的広いエリアをカバーすることができる。また第2のレンズ部54の屈折率が小さければ、第2のレンズ54部が反射された光を効果的に集光することができる。そこで本実施形態の光学モジュール10は、発光チップ30の発光効率を効果的にアップし、また受光チップ40の受信不良という欠陥を改善することができる。
接合手段70は、パッケージ部材50と封止用蓋体60とを結合させる。接合手段70は、パッケージ部材50の水平方向の表面に形成されている少なくとも1個の凹穴56を有する。接合手段70は、封止用蓋体60の凹穴56に対応する位置に形成されている凸縁部66を有する。凸縁部66は凹穴56の中に嵌め込まれている。パッケージ部材50と封止用蓋体60との間の当接面積が増えることで、その接合強度を向上する。
更に図4のA〜Dに示すのを参照しながら本実施形態の光学モジュールの製造方法を説明する。
ステップAでは、各アレイ基板(Substrate array)の単一基板20上で発光ゾーン22及び受光ゾーン24を定義する。
ステップBでは、発光チップ30及び受光チップ40をダイアタッチ(Die Attach)及びワイヤボンディング(Wire Bond)プロセスにより基板20の発光ゾーン22と受光ゾーン24の中に設ける。
ステップCでは、モールド(Mold)方式で発光チップ30及び受光チップ40の上方に透明のパッケージ部材50を形成し、透明のパッケージ部材50の発光チップ30及び受光チップ40に対応する位置に、半球状を呈する第1のレンズ部52および第2のレンズ部54を形成する。パッケージ部材50の水平表面に少なくとも1個の凹穴56を形成する。
ステップDでは、遮光可能な封止用蓋体60を更にモールド(Mold)方式で基板20とパッケージ部材50の上に固設する。封止用蓋体60は発光チップ30及び受光チップ40に対応する位置に位置する発光穴62および受光穴64を有し、凹穴56に対応する位置に凸縁部66を有する。パッケージ部材50の第1のレンズ部52および第2のレンズ部54は発光穴62及び受光穴64の中に収容されており、凸縁部66は凹穴56の位置に対応しており、互いに嵌合する。
本発明の実施形態のように、ステップB〜ステップDは、先に第1のレンズ部52と第2のレンズ部54の半球状構造を有する金型を発光チップ30及び受光チップ40の所定位置に合わせ、且つ基板20の表面に位置させ、次に透明な樹脂を金型の中に充填すると共に樹脂がそれぞれチップ30、40を覆うようにする。また金型の内部はパッケージ部材50の凹穴56のオスモールド構造を有するため、透明な樹脂を固化してから金型を外すことで、半球状構造を有し、水平表面に凹穴56構造を有するパッケージ部材50が形成される。次に封止用蓋体60構造を有する金型を基板20の上に置き、遮光性の樹脂を金型の中に充填し、遮光性の樹脂が金型を充満する或いは既定値に達した時、遮光性の樹脂を固化してから金型を外す。すると、一体成形の封止用蓋体60を完成することができる。封止用蓋体60は、パッケージ部材50の第1のレンズ部52および第2のレンズ部54に対応する発光穴62および受光穴64、ならびに、凹穴56に嵌合可能な凸縁部66を有する。これにより、各パッケージ部材50と封止用蓋体60との間の接合面積が増えることで、接合強度を向上することができる。
本実施形態による光学モジュールの発光チップ30が発射した光は、パッケージ部材50の第1のレンズ部52を透過し、封止用蓋体60の発光穴62を経由して物体の表面に投射される。物体表面で反射された光は、封止用蓋体60の受光穴64を経由して、パッケージ部材50の第2のレンズ部54に投射される。集光した光は受光チップ40に透過し、最後に受光チップ40が受信した光信号が電子信号に変換して演算処理に用いられる。発光と受光の過程において、パッケージ部材50の第1のレンズ部52を通じて発光チップ30が発した光の発光功率をアップする。更にパッケージ部材50の第2のレンズ部54を介して受光チップ40の受信電力をアップすることで、発光チップ30から発射された光が不平坦な物体表面に投射されても、受光チップ40が確実且つ安定的に光を受信することができる。パッケージ部材50と封止用蓋体60との間に設けられている接合手段70によりパッケージ構造の接合面積が増えることで、接合強度を向上することができる。
上記実施形態における構成要素は、例として説明するものであって、本願発明の範囲を限定するものではなく、その他の均等な要素の置き換え又は変更も本願発明の範囲内に含まれるものである。
10・・・光学モジュール、
20・・・基板、
22・・・発光ゾーン、
24・・・受光ゾーン、
30・・・発光チップ、
40・・・受光チップ、
50・・・パッケージ部材、
52・・・第1のレンズ部、
54・・・第2のレンズ部、
56・・・凹穴、
60・・・封止用蓋体、
62・・・発光穴、
64・・・受光穴、
66・・・凸縁部、
70・・・結合手段。

Claims (10)

  1. 発光ゾーン、及び、受光ゾーンが定義されている基板と、
    前記基板の前記発光ゾーンに設けられている発光チップと、
    前記基板の前記受光ゾーンに設けられている受光チップと、
    前記発光チップ、及び、前記受光チップを覆い、且つ、前記発光チップの前記基板とは反対側に半球状に形成されている第1のレンズ部、及び、前記受光チップの前記基板とは反対側に半球状に形成されている第2のレンズ部を有するパッケージ部材と、
    前記基板の前記パッケージ部材側に設けられており、前記発光チップ及び前記受光チップと対応する位置に、前記第1のレンズ部を収容する発光穴および前記第2のレンズ部を収容する受光穴とを有する封止用蓋体と、
    前記パッケージ部材と前記封止用蓋体とを結合させる接合手段と、
    を含むことを特徴とする光学モジュールのパッケージ。
  2. 前記接合手段は、
    前記パッケージ部材の水平方向の表面に形成されている少なくとも1個の凹穴と、
    前記封止用蓋体の前記凹穴と対応する位置に形成されている凸縁部とを有し、
    前記凸縁部が前記凹穴の中に嵌め込まれていることを特徴とする請求項1に記載の光学モジュール。
  3. 前記パッケージ部材、及び、前記封止用蓋体が、モールド方式で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学モジュールのパッケージ。
  4. 前記パッケージ部材の第1のレンズ部および第2のレンズ部は、同じ屈折率又は異なる屈折率を有することを特徴とする請求項1に記載の光学モジュールのパッケージ。
  5. 前記パッケージ部材は、透光性樹脂により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学モジュールのパッケージ。
  6. 前記封止用蓋体が、一体成形により形成されており、遮光性の樹脂により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学モジュールのパッケージ。
  7. 前記基板は、有機材質のビスマレイミドトリアジン基板を含む非セラミック基板であることを特徴とする請求項1に記載の光学モジュールのパッケージ。
  8. (a)基板に、発光ゾーン、及び、受光ゾーンを定義するステップと、
    (b)発光チップと受光チップを前記基板に電気的に接続するステップと、
    (c)透光可能なパッケージ部材を前記発光チップおよび前記受光チップの前記基板とは反対側に形成するステップと、
    (d)遮光である封止用蓋体を前記パッケージ部材の前記基板とは反対側に固設するステップと、を含むことを特徴とする光学モジュールのパッケージの製造方法。
  9. 前記発光チップおよび前記受光チップが前記基板に電気的に接続する方法は、ワイヤボンディングプロセス、及び、ダイアタッチプロセスであることを特徴とする請求項8に記載の光学モジュールのパッケージの製造方法。
  10. 前記ステップ(a)〜前記ステップ(d)により製造された光学モジュールをカット、又は、ダイカットするステップ(e)を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の光学モジュールのパッケージの製造方法。
JP2013236807A 2013-07-25 2013-11-15 光学モジュール、およびその製造方法 Active JP6062349B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102126697 2013-07-25
TW102126697A TW201505135A (zh) 2013-07-25 2013-07-25 光學模組的封裝結構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015026804A true JP2015026804A (ja) 2015-02-05
JP6062349B2 JP6062349B2 (ja) 2017-01-18

Family

ID=52389748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013236807A Active JP6062349B2 (ja) 2013-07-25 2013-11-15 光学モジュール、およびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150028357A1 (ja)
JP (1) JP6062349B2 (ja)
TW (1) TW201505135A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160103415A (ko) * 2015-02-24 2016-09-01 엘지이노텍 주식회사 근접센서와 이를 포함하는 카메라 모듈과 이를 포함하는 이동 단말기
US10170658B2 (en) * 2015-11-13 2019-01-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structures and method of manufacturing the same
CN107611147B (zh) 2016-07-11 2020-02-18 胜丽国际股份有限公司 多芯片塑胶球状数组封装结构
TWI619959B (zh) * 2016-07-11 2018-04-01 光寶新加坡有限公司 感測裝置及其製造方法
CN108269793A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 菱生精密工业股份有限公司 光学模块的封装结构
TWI616670B (zh) * 2016-12-30 2018-03-01 遠距離感測器的封裝結構
US10147835B2 (en) * 2017-03-17 2018-12-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical device and method of manufacturing the same
TWI640929B (zh) * 2017-04-18 2018-11-11 Gingy Technology Inc. 指紋辨識方法以及指紋辨識裝置
US10720751B2 (en) * 2017-09-27 2020-07-21 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical package structure, optical module, and method for manufacturing the same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005141A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd 光半導体パッケージ及びその製造方法
JP2009088435A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Citizen Electronics Co Ltd フォトリフレクタ及びその製造方法
JP2009111129A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Rohm Co Ltd フォトインタラプタ
JP2010034189A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sharp Corp 光学式近接センサ及びその製造方法並びに当該光学式近接センサを搭載した電子機器
JP3172667U (ja) * 2011-09-27 2012-01-05 菱生精密工業股▲分▼有限公司 光学モジュール
JP3172668U (ja) * 2011-09-27 2012-01-05 菱生精密工業股▲分▼有限公司 光学モジュール

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10043127A1 (de) * 1999-08-31 2001-08-30 Rohm Co Ltd Infrarot-Daten-Kommunikationsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4222792B2 (ja) * 2002-06-26 2009-02-12 シャープ株式会社 測距センサおよびそれを用いた電子機器ならびに測距センサの製造方法
US7652297B2 (en) * 2007-09-11 2010-01-26 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device
JP2009088433A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Citizen Electronics Co Ltd フォトリフレクタ
EP2495775B1 (en) * 2009-10-29 2019-08-21 Nichia Corporation Light emitting diode device and method for manufacturing the same
US8677605B2 (en) * 2011-07-22 2014-03-25 Lite-On Singapore Pte. Ltd. Method for manufacturing sensor unit

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005141A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd 光半導体パッケージ及びその製造方法
JP2009088435A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Citizen Electronics Co Ltd フォトリフレクタ及びその製造方法
JP2009111129A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Rohm Co Ltd フォトインタラプタ
JP2010034189A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sharp Corp 光学式近接センサ及びその製造方法並びに当該光学式近接センサを搭載した電子機器
JP3172667U (ja) * 2011-09-27 2012-01-05 菱生精密工業股▲分▼有限公司 光学モジュール
JP3172668U (ja) * 2011-09-27 2012-01-05 菱生精密工業股▲分▼有限公司 光学モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
TW201505135A (zh) 2015-02-01
TWI500120B (ja) 2015-09-11
US20150028357A1 (en) 2015-01-29
JP6062349B2 (ja) 2017-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6062349B2 (ja) 光学モジュール、およびその製造方法
TWI556422B (zh) 影像模組封裝及其製作方法
JP2015026802A (ja) 光学モジュール、および、その製造方法
JP2015026798A (ja) 光学モジュールのパッケージ、及びその製造方法
TWI619208B (zh) 具聚光結構之光學模組的封裝方法
TWI667767B (zh) Package structure of integrated optical module
TW201619576A (zh) 光學模組、其製造方法及電子裝置
TWI521671B (zh) The package structure of the optical module
JP2014039029A (ja) 光学素子パッケージモジュール
JP2012109475A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置
JP2015026800A (ja) 光学モジュールのパッケージ、及びその製造方法
US20170241834A1 (en) Optical sensor module and a wearable device including the same
TW201303343A (zh) 反射光探測系統
JP2013187357A (ja) 反射光センサ
JP2015026799A (ja) 光学モジュール、及びその製造方法
JP2010114114A (ja) 反射型フォトインタラプタ
TWI564610B (zh) 攝像模組及其製造方法
CN205211751U (zh) 邻近传感器以及电子设备
TWM539704U (zh) 光學模組的封裝結構
JP2013065717A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2015099948A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置
TW201834224A (zh) 光感測器
TWI473287B (zh) Optical sensing device and manufacturing method thereof
TWM566813U (zh) Handheld electronic device and integrated sensing package structure thereof
JP2013172006A (ja) 発光装置、および、光学装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150213

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150730

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20150806

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20151204

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160620

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160815

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6062349

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250