CN205406565U - 一种csp led - Google Patents
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Abstract
一种CSP LED,其包括芯片、以及荧光胶层,所述芯片包括顶面、底面、位于所述顶面和所述顶面之间且与所述顶面和底面连接的侧面,所述底面上设有电极,所述荧光胶层覆盖于所述顶面和侧面,其特征在于:所述CSP LED还包括设置于所述荧光胶层四周的挡胶白墙,所述白墙内嵌有金属箔片。本实用新型通过在挡胶白墙嵌入金属箔片,提高了白墙的强度;通过白墙与荧光胶四周侧面都接触,荧光胶覆盖了LED芯片的四个侧面和顶面,增强了胶体、芯片和白墙间结合力,使CSP LED灯珠质量大大提高。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED封装技术,尤其是指一种CSPLED。
背景技术
CSP(ChipScalePackage)封装,即为芯片级封装。其具有体积小、重量轻、输入/输出端数多、电性能好、热性能好,而且CSP电路跟其它封装的电路一样,是可以进行测试、老化筛选的,提高了电路的可靠性。但是在封装过程中,现有的LED封装技术中,使得CSPLED灯珠结构的结合力不够,非常容易造成荧光胶、芯片和白墙三者之间脱落;而且,由于白墙的强度不高,在切割单元时或者使用时非常容易裂开。
发明内容
本实用新型为解决上述问题而提供了一种CSPLED。
一种CSPLED技术方案如下:一种CSPLED,其包括芯片、以及荧光胶层,所述芯片包括顶面、底面、位于所述顶面和所述顶面之间且与所述顶面和底面连接的侧面,所述底面上设有电极,所述荧光胶层覆盖于所述顶面和侧面,其特征在于:所述CSPLED还包括设置于所述荧光胶层四周的挡胶白墙,所述白墙内嵌有金属箔片。
优选地,所述金属箔片高度低于白墙高度。
优选地,所述金属箔片嵌于所述白墙中心位置。
优选地,所述金属箔片为铜箔片。
优选地,所述金属箔片为铝箔片。
优选地,所述白墙为回字形闭环结构,所述金属箔片为口字形封闭结构。
优选地,所述白墙为圆环形结构,所述金属箔片为圆圈结构。
优选地,所述白墙、荧光胶层和芯片电极的一端面在同一平面,白墙和荧光胶顶端面齐平。
优选地,白墙与荧光胶接触面为垂直面。
优选地,白墙与荧光胶接触面为斜直面。
本发明的有益效果是:通过在挡胶白墙嵌入金属箔片,提高了白墙的强度;通过使白墙顶端面和荧光胶顶端面齐平,且白墙与荧光胶体四周侧面都接触,荧光胶体覆盖了LED芯片的四个侧面和顶面,增强了胶体、芯片和白墙间结合力,使CSPLED灯珠质量大大提高。
附图说明
图1为第一和第二实施例CSPLED的正剖面视图结构图。
图2为第一实施例图1所示CSPLED的俯视图。
图3为第二实施例图1所示CSPLED的俯视图。
图4为第三和第四实施例CSPLED的正剖面视图结构图。
图5为第三实施例图4所示CSPLED的俯视图。
图6为第四实施例图4所示CSPLED的俯视图。
图中标识说明
1.白墙5.白墙
2.铜箔6.铝箔片
3.荧光胶7.荧光胶
4.芯片8.芯片
41.半导体晶片81.半导体晶片
42.芯片电极82.芯片电极
具体实施方式
为阐述本实用新型的思想及目的,下面将结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的说明。
实施例1
如图1~2所示,其为实施例1的CSPLED示意图,包括LED芯片4、白墙1、荧光胶3,LED芯片4包括半导体晶片41和设于半导体晶片41下端面的芯片电极42,LED芯片4的半导体晶片41四个侧面和顶面都为发光面,在四个侧面和顶面的发光面都被荧光胶3所覆盖上,以加强发光效果和发光更充分。
在荧光胶3的四周设有挡胶白墙1,其中,白墙的材料为片状模塑料(SMC),白墙1为中部设有贯穿通孔的正方体,在白墙1内嵌有铜箔片2,铜箔片2嵌在白墙1的中心位置,铜箔片2高度为白墙1高度的四分之三,白墙1的结构为回字形封闭结构,嵌在白墙1内的铜箔片2为口字形封闭结构,以增强白墙1的强度,同时也增强LED的整体结构。白墙1、荧光胶3和芯片电极42的底端面在同一平面内,以保护芯片电极42。白墙1和荧光胶3顶端面齐平,白墙1与荧光胶3接触面为垂直接触面,以增强芯片4、白墙1、荧光胶3三者之间的结合力。
实施例2
如图1和图3所示,在实施例1的基础上,白墙1的结构还可以为圆环封闭结构,嵌在白墙1内的铜箔片2可以为圆圈封闭结构。
实施例3
如图4~5所示,其为第一实施例CSPLED的示意图,包括LED芯片8、白墙5、荧光胶7,LED芯片8包括半导体晶片81和设于半导体晶片81下端面的芯片电极82,LED芯片8的半导体晶片81四个侧面和顶面都为发光面,在四个侧面和顶面的发光面都被荧光胶7所覆盖上,以加强发光效果和发光更充分。
在荧光胶7的四周设有挡胶白墙5,其中,白墙的材料为环氧塑封料(EMC),白墙1为中部设有贯穿通孔的正方体,在白墙5内嵌有铝箔片6,铝箔片6嵌在白墙5的中心位置,铝箔片6高度为白墙5高度的二分之一,白墙5的结构为圆环封闭结构,嵌在白墙5内的铝箔片6为圆圈形封闭结构,以增强白墙5的强度,同时也增强LED的整体结构。白墙5、荧光胶7和芯片电极82的底端面在同一平面内,以保护芯片电极82。白墙5和荧光胶7顶端面齐平,白墙5与荧光胶7接触面为斜直接触面,以增强芯片8、白墙5、荧光胶7三者之间的结合力。
实施例4
如图4和图6所示,在实施例3的基础上,白墙5的结构还可以为回字形封闭结构,嵌在白墙5内的铝箔片6为口字形封闭结构。
以上是对本实用新型所提供的具体实施例,其有益效果为:通过在挡胶白墙嵌入金属箔片,提高了白墙的强度;通过使白墙顶端面和荧光胶顶端面齐平,且白墙与荧光胶四周侧面都接触,荧光胶覆盖了LED芯片的四个侧面和顶面,增强了胶体、芯片和白墙间结合力,并且保护了芯片电极,使CSPLED灯珠质量大大提高。
实施例对本方案进行了详细的介绍,本文中应用了具体个例对本实用新型的结构原理及实施方式进行了阐述,以上实施例只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (10)
1.一种CSPLED,其包括芯片、以及荧光胶层,所述芯片包括顶面、底面、位于所述顶面和所述底面之间且与所述顶面和底面连接的侧面,所述底面上设有电极,所述荧光胶层覆盖于所述顶面和侧面,其特征在于:所述CSPLED还包括设置于所述荧光胶层四周的挡胶白墙,所述白墙内嵌有金属箔片。
2.根据权利要求1所述的CSPLED,其特征在于:所述金属箔片高度低于白墙高度。
3.根据权利要求1所述的CSPLED,其特征在于:所述金属箔片嵌于所述白墙中心位置。
4.根据权利要求1所述的CSPLED,其特征在于:所述金属箔片为铜箔片。
5.根据权利要求1所述的CSPLED,其特征在于:所述金属箔片为铝箔片。
6.根据权利要求1所述的CSPLED,其特征在于:所述白墙为回字形闭环结构,所述金属箔片为口字形封闭结构。
7.根据权利要求1所述的CSPLED,其特征在于:所述白墙为圆环形结构,所述金属箔片为圆圈结构。
8.根据权利要求1所述的CSPLED,其特征在于:所述白墙、荧光胶层和芯片电极的一端面在同一平面,白墙和荧光胶顶端面齐平。
9.根据权利要求1所述的CSPLED,其特征在于:白墙与荧光胶接触面为垂直面。
10.根据权利要求1所述的CSPLED,其特征在于:白墙与荧光胶接触面为斜直面。
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