CN108807645A - 一种倒装芯片正装的led封装结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种倒装芯片正装的LED封装结构及其制作方法，本发明利用L型引线脚实现了倒装芯片的正装方式，其引出端为荧光玻璃的相反侧，防止光的遮挡；利用L型引线脚的预置的焊料层直接进行回流，无需额外的焊料，防止焊料的污染；将荧光胶体层置于LED芯片和荧光玻璃之间，可以避免LED芯片直接接触较硬的玻璃所造成的损伤，以及避免LED芯片与荧光玻璃直接接触，接触面不是非常贴合所造成的出光不均匀。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装领域，尤其涉及一种倒装芯片正装的LED封装结构及其制造方法。
背景技术
目前白墙围挡单面出光CSP基本都是采用预制白墙胶、白墙胶研磨、压制荧光胶的工艺制作。该工艺制作周期长，工艺繁琐，且需要另行投资精密研磨设备，增加了生产投资成本。采用该工艺生产单面出光CSP灯珠批量生产不具有产能及成本优势。
参见图1-2，在热解膜上制作带有特定形状的白墙围挡11，白墙围挡11高度为0.2mm，然后在白墙围挡11之间放置倒装芯片13，其次向白墙围挡11之间的孔隙处注入荧光胶12，利用定高块压制成型，最后将固化后的产品研磨、切割得到厚度为0.2mm CSP灯珠。其散热性能较差，电极直接外露，易于被氧化，使用寿命较短。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种倒装芯片正装的LED封装结构的制造方法，包括：
提供一荧光玻璃，并在所述荧光玻璃上焊接固定多个L型引线脚，所述多个L型引线脚包括相互垂直的短边和长边，所述长边垂直于所述荧光玻璃，并且所述多个L型引线脚中的每两个的短边相对；
在所述荧光玻璃上形成荧光胶体层，所述荧光胶体层的厚度小于所述短边的厚度，所述短边的上表面从所述荧光胶体的表面露出；
在所述荧光胶体层上固定LED芯片，利用引线将所述LED芯片的端子电连接至所述多个L型引线脚上，所述LED芯片为倒装芯片，且其发光面朝向所述荧光胶体层；
在所述荧光胶体层上形成白墙围挡，所述白墙围挡具有多个凹槽，所述多个凹槽的底部露出所述荧光胶体层和所述LED芯片，且所述白墙围挡包裹所述多个L型引线脚并围绕于所述LED芯片的周围，所述长边从所述白色围挡的上表面突出；
在所述多个凹槽内填充封装树脂，并进行固化；
在所述长边的突出于所述白色围挡的上表面部分形成焊球；
沿着所述白色围挡的中线进行切割以实现LED封装的单体化。
根据本发明的实施例，还包括制作多个L型引线脚的步骤，具体包括：（1）注塑成型L型金属块；（2）将所述L型金属块完全浸润至熔融焊料中；（3）将L型金属块冷却得到外表面涂覆有焊料的L型引线脚。
根据本发明的实施例，在所述荧光玻璃上焊接固定多个L型引线脚的步骤，具体包括：将短边按压在所述荧光玻璃上，并对结合部进行加热回流，使得所述短边底部的预置的焊料熔融键合至所述荧光玻璃上。
根据本发明的实施例，利用引线将所述LED芯片的端子电连接至所述多个L型引线脚上的步骤，具体包括：将引线压合至短边上，并直接进行回流，使得所述短边上预置的焊料熔融，然后进行固化。
根据本发明的实施例，在所述长边的突出于所述白色围挡的上表面部分形成焊球的步骤，具体包括：对所述长边的突出于所述白色围挡的上表面部分进行加热，使得所述部分的预置的焊料回流形成焊球。
本发明还提供了一种倒装芯片正装的LED封装结构，包括：
荧光玻璃；
两个L型引线脚，焊接在所述荧光玻璃上，所述两个L型引线脚包括相互垂直的短边和长边，所述长边垂直于所述荧光玻璃，并且所述两个L型引线脚的短边相对；
荧光胶体层，形成在所述荧光玻璃上，所述荧光胶体层的厚度小于所述短边的厚度，所述短边的上表面从所述荧光胶体的表面露出；
LED芯片，固定在所述荧光胶体层上，利用引线将所述LED芯片的端子电连接至所述多个L型引线脚上，所述LED芯片为倒装芯片，且其发光面朝向所述荧光胶体层；
白墙围挡，形成在所述荧光胶体层上，所述白墙围挡具有一凹槽，所述凹槽的底部露出所述荧光胶体层和所述LED芯片，且所述白墙围挡包裹所述两个L型引线脚并围绕于所述LED芯片的周围，所述长边从所述白色围挡的上表面突出；
封装树脂，填充在所述多个凹槽内；
焊球，形成在所述长边的突出于所述白色围挡的上表面部分。
根据本发明的实施例，所述L型引线脚的表面涂覆有焊料层。
根据本发明的实施例，所述L型引线脚的材质为铜。
本发明的优点如下：
（1）利用L型引线脚实现了倒装芯片的正装方式，其引出端为荧光玻璃的相反侧，防止光的遮挡；
（2）利用L型引线脚的预置的焊料层直接进行回流，无需额外的焊料，防止焊料的污染；
（3）将荧光胶体层置于LED芯片和荧光玻璃之间，可以避免LED芯片直接接触较硬的玻璃所造成的损伤，以及避免LED芯片与荧光玻璃直接接触，接触面不是非常贴合所造成的出光不均匀。
附图说明
图1-2为现有的制造单面出光的LED封装结构的示意图；
图3-10为本发明制造倒装芯片正装的LED封装结构的示意图；
图11为本发明的L型引线脚的示意图。
具体实施方式
参见图3-11，本发明的倒装芯片正装的LED封装结构的制造方法，包括：
提供一荧光玻璃1，并在所述荧光玻璃1上焊接固定多个L型引线脚2，所述多个L型引线脚2包括相互垂直的短边和长边，所述长边垂直于所述荧光玻璃1，并且所述多个L型引线脚2中的每两个的短边相对；
在所述荧光玻璃1上形成荧光胶体层3，所述荧光胶体层3的厚度小于所述短边的厚度，所述短边的上表面从所述荧光胶体3的表面露出；
在所述荧光胶体层3上固定LED芯片4，利用引线5将所述LED芯片4的端子电连接至所述多个L型引线脚2上，所述LED芯片4为倒装芯片，且其发光面朝向所述荧光胶体层3；
在所述荧光胶体层3上形成白墙围挡6，所述白墙围挡6具有多个凹槽，所述多个凹槽的底部露出所述荧光胶体层3和所述LED芯片4，且所述白墙围挡6包裹所述多个L型引线脚2并围绕于所述LED芯片4的周围，所述长边从所述白色围挡6的上表面突出；
在所述多个凹槽内填充封装树脂7，并进行固化；
在所述长边的突出于所述白色围挡6的上表面部分形成焊球8；
沿着所述白色围挡6的中线进行切割以实现LED封装的单体化。
根据本发明的实施例，还包括制作多个L型引线脚2的步骤，具体包括：（1）注塑成型L型金属块；（2）将所述L型金属块完全浸润至熔融焊料中；（3）将L型金属块冷却得到外表面涂覆有焊料的L型引线脚2。
在所述荧光玻璃1上焊接固定多个L型引线脚2的步骤，具体包括：将短边按压在所述荧光玻璃1上，并对结合部进行加热回流，使得所述短边底部的预置的焊料9熔融键合至所述荧光玻璃1上。
利用引线5将所述LED芯片4的端子电连接至所述多个L型引线脚上的步骤，具体包括：将引线5压合至短边上，并直接进行回流，使得所述短边上预置的焊料10熔融，然后进行固化。
在所述长边的突出于所述白色围挡6的上表面部分形成焊球8的步骤，具体包括：对所述长边的突出于所述白色围挡6的上表面部分进行加热，使得所述部分的预置的焊料回流形成焊球8。
本发明还提供了一种倒装芯片正装的LED封装结构，包括：
荧光玻璃1；
两个L型引线脚2，焊接在所述荧光玻璃1上，所述两个L型引线脚2包括相互垂直的短边和长边，所述长边垂直于所述荧光玻璃1，并且所述两个L型引线脚的短边相对；
荧光胶体层3，形成在所述荧光玻璃1上，所述荧光胶体层3的厚度小于所述短边的厚度，所述短边的上表面从所述荧光胶体3的表面露出；
LED芯片4，固定在所述荧光胶体层3上，利用引线5将所述LED芯片4的端子电连接至所述多个L型引线脚2上，所述LED芯片4为倒装芯片，且其发光面朝向所述荧光胶体层3；
白墙围挡6，形成在所述荧光胶体层3上，所述白墙围挡6具有一凹槽，所述凹槽的底部露出所述荧光胶体层3和所述LED芯片4，且所述白墙围挡6包裹所述两个L型引线脚2并围绕于所述LED芯片4的周围，所述长边从所述白色围挡6的上表面突出；
封装树脂7，填充在所述多个凹槽内；
焊球8，形成在所述长边的突出于所述白色围挡6的上表面部分。
根据本发明的实施例，所述L型引线脚2的表面涂覆有焊料层；所述L型引线脚2的材质为铜。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (8)
1.一种倒装芯片正装的LED封装结构的制造方法，包括：
提供一荧光玻璃，并在所述荧光玻璃上焊接固定多个L型引线脚，所述多个L型引线脚包括相互垂直的短边和长边，所述长边垂直于所述荧光玻璃，并且所述多个L型引线脚中的每两个的短边相对；
在所述荧光玻璃上形成荧光胶体层，所述荧光胶体层的厚度小于所述短边的厚度，所述短边的上表面从所述荧光胶体的表面露出；
在所述荧光胶体层上固定LED芯片，利用引线将所述LED芯片的端子电连接至所述多个L型引线脚上，所述LED芯片为倒装芯片，且其发光面朝向所述荧光胶体层；
在所述荧光胶体层上形成白墙围挡，所述白墙围挡具有多个凹槽，所述多个凹槽的底部露出所述荧光胶体层和所述LED芯片，且所述白墙围挡包裹所述多个L型引线脚并围绕于所述LED芯片的周围，所述长边从所述白色围挡的上表面突出；
在所述多个凹槽内填充封装树脂，并进行固化；
在所述长边的突出于所述白色围挡的上表面部分形成焊球；
沿着所述白色围挡的中线进行切割以实现LED封装的单体化。
2.根据权利要求1所述的倒装芯片正装的LED封装结构的制造方法，其特征在于：还包括制作多个L型引线脚的步骤，具体包括：（1）注塑成型L型金属块；（2）将所述L型金属块完全浸润至熔融焊料中；（3）将L型金属块冷却得到外表面涂覆有焊料的L型引线脚。
3.根据权利要求2所述的倒装芯片正装的LED封装结构的制造方法，其特征在于：在所述荧光玻璃上焊接固定多个L型引线脚的步骤，具体包括：将短边按压在所述荧光玻璃上，并对结合部进行加热回流，使得所述短边底部的预置的焊料熔融键合至所述荧光玻璃上。
4.根据权利要求2所述的倒装芯片正装的LED封装结构的制造方法，其特征在于：利用引线将所述LED芯片的端子电连接至所述多个L型引线脚上的步骤，具体包括：将引线压合至短边上，并直接进行回流，使得所述短边上预置的焊料熔融，然后进行固化。
5.根据权利要求2所述的倒装芯片正装的LED封装结构的制造方法，其特征在于：在所述长边的突出于所述白色围挡的上表面部分形成焊球的步骤，具体包括：对所述长边的突出于所述白色围挡的上表面部分进行加热，使得所述部分的预置的焊料回流形成焊球。
6.一种倒装芯片正装的LED封装结构，包括：
荧光玻璃；
两个L型引线脚，焊接在所述荧光玻璃上，所述两个L型引线脚包括相互垂直的短边和长边，所述长边垂直于所述荧光玻璃，并且所述两个L型引线脚的短边相对；
荧光胶体层，形成在所述荧光玻璃上，所述荧光胶体层的厚度小于所述短边的厚度，所述短边的上表面从所述荧光胶体的表面露出；
LED芯片，固定在所述荧光胶体层上，利用引线将所述LED芯片的端子电连接至所述多个L型引线脚上，所述LED芯片为倒装芯片，且其发光面朝向所述荧光胶体层；
白墙围挡，形成在所述荧光胶体层上，所述白墙围挡具有一凹槽，所述凹槽的底部露出所述荧光胶体层和所述LED芯片，且所述白墙围挡包裹所述两个L型引线脚并围绕于所述LED芯片的周围，所述长边从所述白色围挡的上表面突出；
封装树脂，填充在所述多个凹槽内；
焊球，形成在所述长边的突出于所述白色围挡的上表面部分。
7.根据权利要求6所述的倒装芯片正装的LED封装结构，其特征在于：所述L型引线脚的表面涂覆有焊料层。
8.根据权利要求7所述的倒装芯片正装的LED封装结构，其特征在于：所述L型引线脚的材质为铜。
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|---|---|
| CN (1) | CN108807645A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109665487A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-23 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种mems器件晶圆级系统封装方法以及封装结构 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101617412A (zh) * | 2007-02-15 | 2009-12-30 | 松下电工株式会社 | Led封装件以及立体电路部件的安装结构 |
| JP2011146480A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Nichia Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| CN102222749A (zh) * | 2010-04-19 | 2011-10-19 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光组件及其模块 |
| CN102593333A (zh) * | 2011-01-07 | 2012-07-18 | 三星Led株式会社 | 发光装置封装及其制造方法 |
| CN105161598A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种基于注塑件的csp封装结构及制造工艺 |
| CN205406565U (zh) * | 2016-03-09 | 2016-07-27 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种csp led |
| JP3206609U (ja) * | 2016-07-14 | 2016-09-23 | 林書弘 | Ｃ．ｓ．ｐ ｌｅｄのパッケージ |
| CN106531857A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-03-22 | 芜湖聚飞光电科技有限公司 | 一种芯片级led封装结构及封装工艺 |
| CN106952990A (zh) * | 2016-01-07 | 2017-07-14 | 深圳市斯迈得半导体有限公司 | 一种芯片级led封装装置及其制作工艺 |
| CN206364057U (zh) * | 2017-01-03 | 2017-07-28 | 深圳市科艺星光电科技有限公司 | Csp led可控出光角度的封装结构及照明装置 |
| CN206364056U (zh) * | 2016-12-30 | 2017-07-28 | 深圳市科艺星光电科技有限公司 | Led封装结构 |
| CN107482096A (zh) * | 2017-08-11 | 2017-12-15 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光装置及其制造方法 |
| CN207381429U (zh) * | 2017-11-21 | 2018-05-18 | 厦门市信达光电科技有限公司 | 一种超小尺寸户外灯珠支架及灯珠 |
| CN208608224U (zh) * | 2018-06-26 | 2019-03-15 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种倒装芯片正装的led封装结构 |
-
2018
- 2018-06-26 CN CN201810665805.6A patent/CN108807645A/zh active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101617412A (zh) * | 2007-02-15 | 2009-12-30 | 松下电工株式会社 | Led封装件以及立体电路部件的安装结构 |
| JP2011146480A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Nichia Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| CN102222749A (zh) * | 2010-04-19 | 2011-10-19 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光组件及其模块 |
| CN102593333A (zh) * | 2011-01-07 | 2012-07-18 | 三星Led株式会社 | 发光装置封装及其制造方法 |
| CN105161598A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种基于注塑件的csp封装结构及制造工艺 |
| CN106952990A (zh) * | 2016-01-07 | 2017-07-14 | 深圳市斯迈得半导体有限公司 | 一种芯片级led封装装置及其制作工艺 |
| CN205406565U (zh) * | 2016-03-09 | 2016-07-27 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种csp led |
| JP3206609U (ja) * | 2016-07-14 | 2016-09-23 | 林書弘 | Ｃ．ｓ．ｐ ｌｅｄのパッケージ |
| CN106531857A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-03-22 | 芜湖聚飞光电科技有限公司 | 一种芯片级led封装结构及封装工艺 |
| CN206364056U (zh) * | 2016-12-30 | 2017-07-28 | 深圳市科艺星光电科技有限公司 | Led封装结构 |
| CN206364057U (zh) * | 2017-01-03 | 2017-07-28 | 深圳市科艺星光电科技有限公司 | Csp led可控出光角度的封装结构及照明装置 |
| CN107482096A (zh) * | 2017-08-11 | 2017-12-15 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光装置及其制造方法 |
| CN207381429U (zh) * | 2017-11-21 | 2018-05-18 | 厦门市信达光电科技有限公司 | 一种超小尺寸户外灯珠支架及灯珠 |
| CN208608224U (zh) * | 2018-06-26 | 2019-03-15 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种倒装芯片正装的led封装结构 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109665487A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-23 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种mems器件晶圆级系统封装方法以及封装结构 |
| CN109665487B (zh) * | 2018-12-26 | 2020-11-10 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种mems器件晶圆级系统封装方法以及封装结构 |
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