CN106449690A - 传感器封装体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种传感器封装体及其制造方法，传感器封装体包括传感器及光阻挡层，传感器具有相对的第一上表面与第一下表面，且邻近第一上表面处形成有发光组件及光感应组件，发光组件与光感应组件间隔预定的距离，传感器还包括分别邻近光感应组件及发光组件的第一及第二导电垫，且光感应组件具有相对的第二上表面与第二下表面。光阻挡层形成于传感器的第一上表面上且围绕发光组件，且包括：盖板，形成于传感器的第一上表面上，且盖板内具有沟渠，沟渠具有内壁以及底墙，且底墙不高于光感应组件的第二下表面；黏着层，位于盖板与传感器的第一上表面之间，使盖板与传感器的第一上表面结合；以及光阻挡材料层，覆盖于沟渠的内壁或填满于沟渠内。

Description

传感器封装体及其制造方法
技术领域
本发明关于一种传感器封装体，且特别是有关于一种近接传感器封装体及其制造方法。
背景技术
随着科技逐渐发展，便携设备越来越普及，也越来越多元化。例如PDA、智能型手机或者是MP4等。现在大多数的便携设备都是使用触控屏，也都会配置近接传感器(ProximitySensor)，其乃通过光学方式感测前方是否有物体或障碍物，于实际应用中，近接传感器可供智能型手机或手持式装置判断用户是否靠近接听，抑或供家务机器人判断前方是否有家具或人员挡在前面。
图1A～图1B显示的是现有一种近接传感器封装体1000的俯视图及剖面图。如图1A所呈现的俯视图，近接传感器封装体1000包括一近接传感器100，其具有相对的第一上表面100a与一第一下表面100b，且第一上表面100a上形成有一发光组件120以及一光感应组件110。此外，如图1B所示，近接传感器100的第一上表面100a更覆盖有一盖板130，其具有一第一开口140对应于发光组件120，以及一第二开口150对应于光感应组件110。由于组件尺寸缩小化的要求，故发光组件120通常使用发光二极管(例如红外光发光二极管)等点光源为主。然而，由于点光源的出光路径并不具方向性，其出光角度通常都超过180度，且传感器100的材质通常为硅所构成，而盖板130通常为硬度大于8的玻璃、蓝宝石或氮化硅所构成，这些材质都无法阻挡可见光穿透，故设置于发光组件120附近的光感应组件110便会受到来自发光组件120的侧光(如图1A～图1B所示虚线箭号)干扰，影响其灵敏度。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种新颖的传感器封装体及其制造方法，且特别是一种近接传感器封装体及其制造方法，通过设置一光阻挡层环绕位在传感器上的发光组件，使其侧向光被光阻挡层阻档而不会到达位在发光组件旁的光感应组件，故其灵敏性相较于现有近接传感器封装体更高。
本发明的一目的是提供一种传感器封装体，包括：一传感器，具有相对的一第一上表面与一第一下表面，且邻近第一上表面处形成有一发光组件及一光感应组件，其中该发光组件与该光感应组件间隔一预定的距离，且还包括一第一、第二导电垫，分别邻近该光感应组件及该发光组件，且该光感应组件具有相对的一第二上表面与一第二下表面；一光阻挡层，形成于该传感器的该第一上表面上且围绕该发光组件，其中该光阻挡层包括：一盖板，形成于该传感器的该第一上表面上，且该盖板内具有一沟渠，该沟渠具有一内壁(innerwall)以及一底墙(bottom wall)，且该底墙不高于该光感应组件的该第二下表面；一黏着层，位于该盖板与该传感器的该第一上表面之间，使该盖板与该传感器的该第一上表面结合；以及一光阻挡材料层，覆盖于该沟渠的内壁或填满于该沟渠内。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，其中该传感器是一种近接传感器(Proximity Sensor)。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，其中该光阻挡材料层是一种可吸光的黑色光阻。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，其中该光阻挡材料层是由具高反射系数的金属或分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector；DBR)所构成的光反射层。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，其中该发光组件是一种发光二极管。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，其中发光二极管是一种表面黏着型发光二极管，包括水平式发光二极管芯片、垂直式发光二极管芯片或覆晶式发光二极管芯片，且通过表面粘着技术固定于该传感器的该第一上表面。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，其中该发光二极管是一种非表面黏着型发光二极管，埋设于该晶圆内且邻近该第一上表面。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，其中该发光二极管是红外光发光二极管。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，其中该光感应组件是红外光传感器。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，还包括一第一、第二焊线分别焊接到该第一、第二导电垫。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，还包括：一绝缘层，形成于该传感器的该第一下表面，且该绝缘层上具有分别裸露出该第一、第二导电垫下表面的第一、第二贯通孔；一重布线层，形成于该绝缘层上，且经由该第一、第二贯通孔分别与该第一、第二导电垫电性连接；一钝化保护层，覆盖该重布线层及该第一、第二贯通孔，且该钝化保护层上具有裸露出该重布线层的第一、第二开口；以及一第一、第二导电结构，分别形成于该第一、第二开口内，并分别与该重布线层电性连接。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，上述的传感器封装体，该第一、第二导电结构包括焊球、焊接凸块或导电柱。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，还包括：一绝缘层，形成于该传感器的该第一下表面，且该绝缘层上具有分别裸露出该第一、第二导电垫的边缘及部分该盖板的第三下表面的第一、第二凹槽(notch)；一重布线层，形成于该绝缘层上，且经由该第一、第二凹槽分别与该第一、第二导电垫的边缘电性连接；一钝化保护层，覆盖该重布线层及该第一、第二凹槽，且该钝化保护层上具有裸露出该重布线层的第三、第四开口；以及一第一、第二导电结构，分别形成于该第三、第四开口内，并分别与该重布线层电性连接。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，上述的传感器封装体，该第一、第二导电结构包括焊球、焊接凸块或导电柱。
本发明的另一特征是提供一种传感器封装体的制造方法，其步骤包括：提供一晶圆，包括多个传感器区，且每一该等传感器区均具有相对的一第一上表面与一第一下表面，且邻近第一上表面处形成有一发光组件及一光感应组件，其中该发光组件与该光感应组件间隔一预定的距离，且还包括一第一、第二导电垫，分别邻近该光感应组件及该发光组件，且该光感应组件具有相对的一第二上表面与一第二下表面；提供一盖板，其具有相对的一第三上表面与一第三下表面、且该第三下表面在对应于每一该等传感器区之处，均具有一对应于该发光组件的第一凹穴以及一对应于该光感应组件的第二凹穴；通过一黏着层使该盖板的该第三下表面结合至该晶圆的该第一上表面；形成一沟渠，贯穿该盖板、该黏着层及部分该晶圆的该第一上表面，且该沟渠围绕该发光组件，该沟渠具有一内壁(inner wall)以及一底墙(bottom wall)，且该底墙不高于该光感应组件的该第二下表面；形成一光阻挡材料层，覆盖于该沟渠的内壁或填满于该沟渠内；去除位在该盖板的该第一、第二凹穴以上位置的该第三上表面及该该光反射层或该光吸收层，使该第一、第二凹穴贯通该盖板，并形成一围绕该发光组件的光阻挡层。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中该传感器是一种近接传感器(Proximity Sensor)。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中该光阻挡材料层是一种可吸光的黑色光阻。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中该光阻挡材料层是由具高反射系数的金属或分布式布拉格反射器(Distributed BraggReflector；DBR)所构成的光反射层。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中该发光组件是一种发光二极管。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中发光二极管是一种表面黏着型发光二极管，包括水平式发光二极管芯片、垂直式发光二极管芯片或覆晶式发光二极管芯片，且通过表面粘着技术固定于该传感器的该第一上表面。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中该发光二极管是一种非表面黏着型发光二极管，埋设于该晶圆内且邻近该第一上表面。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中该发光二极管是红外光发光二极管。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中该光感应组件是红外光传感器。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，还包括一第一、第二焊线分别焊接到该第一、第二导电垫。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，且其还包括一裁切该等传感器区的步骤，以获得多个传感器封装体。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，还包括以下步骤：薄化该晶圆的该第一下表面；形成一绝缘层，于该晶圆的该第一下表面，且该绝缘层上具有分别裸露出该第一、第二导电垫下表面的第一、第二贯通孔；形成一重布线层于该绝缘层上，且经由该第一、第二贯通孔分别与该第一、第二导电垫电性连接；形成一钝化保护层覆盖该重布线层及该第一、第二贯通孔，且该钝化保护层上具有裸露出该重布线层的第一、第二开口；以及分别形成一第一、第二导电结构于该第一、第二开口内，并分别与该重布线层电性连接。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中该第一、第二导电结构包括焊球、焊接凸块或导电柱。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体，且其还包括一裁切该等传感器区的步骤，以获得多个传感器封装体。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，还包括以下步骤：薄化该晶圆的该第一下表面；形成一贯穿该晶圆的该第一下表面且裸露出该第一、第二导电垫的第三、第四凹穴；形成一绝缘层于该晶圆的该第一下表面、以及该第三、第四凹穴内；利用刻痕技术去除该第三、第四凹穴内的该绝缘层以及位在该第三、第四凹穴上方的部分该第一、第二导电垫、部分该黏着层和部分该盖板，并分别形成一第一、第二凹槽，且该第一、第二凹槽的侧壁分别裸露出该第一、第二导电垫的边缘；形成一重布线层于该绝缘层上，并覆盖于该第一、第二凹槽的侧壁，且分别与该第一、第二导电垫的边缘电性连接；形成一钝化保护层覆盖该重布线层及该第一、第二凹槽，且该钝化保护层上具有裸露出该重布线层的第三、第四开口；以及分别形成一第一、第二导电结构于该第三、第四开口内，并分别与该重布线层电性连接。
本发明的另一特征是提供一种如上所述的传感器封装体的制造方法，其中该第一、第二导电结构包括焊球、焊接凸块或导电柱。
本发明的另一特征是提供一种传感器封装体的制造方法，且其还包括一裁切该等传感器区的步骤，以获得多个传感器封装体。
附图说明
图1A～图1B显示的是现有一种近接传感器封装体的俯视图及剖面图。
图2A～图2E显示的是根据本发明实施例一的近接传感器封装体的剖面制程。
图3显示的是如图2E所示的近接传感器封装体的俯视图。
图4显示的是根据本发明实施例二的近接传感器封装体的剖面图。
图5显示的是根据本发明实施例三的近接传感器封装体的剖面图。
图6显示的是根据本发明实施例四的近接传感器封装体的剖面图。
图7显示的是根据本发明实施例五的近接传感器封装体的剖面图。
图8显示的是根据本发明实施例六的近接传感器封装体的剖面图。
其中，附图中符号的简单说明如下：
100、200′ 传感器
100a、200a 第一上表面
100b、200b 第一下表面
110、210 光感应组件
120、220、220′ 发光组件
130、230 盖板
140 第一开口
150 第二开口
200 晶圆
205 传感器区
225a 第一导电垫
225b 第二导电垫
230 盖板
240 第一凹穴
250 第二凹穴
260 黏着层
265 沟渠
265a 侧壁
265b 底墙
270 光阻挡材料层
275 光阻挡层
278a 第一焊线
278b 第二焊线
280 绝缘层
283a 第一凹槽
283b 第二凹槽
285 重布线层
290 钝化保护层
295a 第一导电结构
295b 第二导电结构
1000～7000 近接传感器封装体。
具体实施方式
以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然而，应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定形式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。
<实施例一>
以下将配合图2A～图2E及图3，说明根据本发明实施例一的近接传感器封装体2000及其制造方法。
首先，请参照图2A，提供一晶圆200，其包括多个传感器区205，且每一该等传感器区205均具有相对的一第一上表面200a与一第一下表面200b，且邻近第一上表面200a处形成有一发光组件220及一光感应组件210，其中该发光组件220与该光感应组件210间隔一预定的距离，且还包括一第一、第二导电垫225a、225b，分别邻近该光感应组件210与发光组件220，且该光感应组件210具有相对的一第二上表面210a与一第二下表面210b。接着，先提供一盖板230，其具有相对的一第三上表面230a与一第三下表面230b、且第三下表面230b在对应于每一该等传感器区205之处，均具有一对应于该发光组件220的第一凹穴240以及一对应于光感应组件210的第二凹穴250，然后通过一黏着层260使盖板230的第三下表面230b结合至晶圆200的第一上表面200a。
上述的发光组件220是一种发光二极管，例如表面黏着型发光二极管，包括水平式发光二极管芯片、垂直式发光二极管芯片或覆晶式发光二极管芯片，且通过表面粘着技术固定于该感应区205的该第一上表面200a；或者非表面黏着型发光二极管，埋设于该晶圆200内且邻近于该感应区205的该第一上表面200a。此外，在实施例中，上述的发光二极管是红外光(IR)发光二极管，且光感应组件210是一种红光外感应组件。
接着，请参照图2B，利用微影技术及蚀刻制程，在盖板230的第三上表面230a形成一围绕发光组件220的沟渠265，此沟渠265贯穿盖板230、黏着层260及部分晶圆200的第一上表面200a。沟渠265具有一内壁(inner wall)265a以及一底墙(bottom wall)265b，且底墙265b不高于光感应组件210的第二下表面210b。
接着，请参照图2C，形成一光阻挡材料层270，覆盖于盖板230的第三上表面230a、沟渠265的内壁265a及底墙265b。其中，根据本发明的其他实施例，光阻挡材料层270也可填满于沟渠265内。此外，光阻档材料层270为可吸光的黑色光阻或由具高反射系数所构成光反射层或由具高反射系数的金属(例如银或铝)或分布式布拉格反射器(DistributedBragg Reflector；DBR)所构成的光反射层。
接着，请参照图2D，研磨去除位在盖板230的第一、第二凹穴240、250以上位置的第三上表面230a及该光阻挡材料层270，使第一凹穴240及第二凹穴250贯通盖板230，并形成一围绕发光组件220的光阻挡层275。
最后，请参照图2E，去除位在第一、第二导电垫225a、225b上的部分黏着层260以及盖板230，并裸露出第一、第二导电垫225a、225b，然后裁切晶圆200的各个传感器区205，形成多个传感器200′。接着，再以打线技术，使第一、第二焊线278a、278b分别焊接到每一个传感器200′的第一、第二导电垫225a、225b，完成一近接传感器封装体2000。
如图3所呈现的近接传感器封装体2000的俯视图，由于光阻挡层275绕发光组件220，使得发光组件220所发出的侧向光不会到达光感应组件210，故在量测距离时光感应组件210不会受到发光组件220的侧向光干扰扰，故此根据本发明实施例一的近接传感器封装体2000的灵敏度相较于图1A～图1B所示的现有近接传感器封装体1000来得高。
<实施例二>
以下将配合图4，说明根据本发明的实施例二的近接传感器封装体3000及其制造方法。
根据本发明的实施例二，其特征为在实施例一制程中所获得如图2D所示的结构后，利用硅通孔(through silicon via；TSV)制程，对晶圆200的第一下表面200b继续加工，先薄化晶圆200的第一下表面200b，然后形成一绝缘层280，于晶圆200的第一下表面200b，且绝缘层280上具有分别裸露出该第一、第二导电垫225a、225b下表面的第一、第二贯通孔(未标示)，接着再形成一重布线层285于绝缘层280上，且经由第一、第二贯通孔(未标示)分别与第一、第二导电垫225a、225b电性连接。接着，先形成一钝化保护层290覆盖重布线层285及第一、第二贯通孔(未标示)，且钝化保护层290上具有裸露出重布线层285的第一、第二开口(未标示)，然后再分别形成一第一、第二导电结构295a、295b于该第一、第二开口(未标示)内，并分别与重布线层285电性连接。
最后，裁切晶圆200的各个传感器区205，形成多个如图4所示的传感器封装体3000，且每一传感器封装体3000包括一背面具有TSV结构的传感器200′，其包括一发光组件220、一光感应组件210、一第一、第二导电垫225a、225b，以及一环绕发光组件220的光阻挡层275。
同样地，由于近接传感器封装体3000的发光组件220被光阻挡层275所围绕，故光感应组件210不会受到发光组件220的侧向光所干扰，故其灵敏度相较于现有的近接传感器封装体1000来得高。
<实施例三>
以下将配合图5，说明根据本发明的实施例三的近接传感器封装体4000及其制造方法。
根据本发明的实施例三，其特征为在实施例一制程中所获得如图2D所示的结构后，利用T-型接触(T-contact)制程，对晶圆200的第一下表面200b继续加工，先薄化晶圆200的第一下表面200b，然后形成一贯穿晶圆200的第一下表面200b且裸露出该第一、第二导电垫225a、225b的第三、第四凹穴(未标示)。接着，形成一绝缘层280于晶圆200的第一下表面200b、及第三、第四凹穴(未标示)内，然后再利用刻痕技术去除第三、第四凹穴(未标示)内的绝缘层280及位在第三、第四凹穴(未标示)上方的部分第一、第二导电垫225a、225b和部分黏着层260和部分盖板230，并分别形成一第一、第二凹槽283a、283b，且第一、第二凹槽283a、283b的侧壁分别裸露出第一、第二导电垫225a、225b。然后，先形成一重布线层285于绝缘层280上，并覆盖于第一、第二凹槽283a、283b的侧壁，且分别与第一、第二导电垫225a、225b电性连接，然后形成一钝化保护层290覆盖重布线层285及第一、第二凹槽283a、283b，且钝化保护层290上具有裸露出重布线层285的第三、第四开口(未标示)。然后再分别形成一第一、第二导电结构295a、295b于第三、第四开口(未标示)内，并分别与重布线层285电性连接。
最后，裁切晶圆200的各个传感器区205，形成多个如图5所示的传感器封装体4000，且每一传感器封装体4000包括一背面具有T-contact的传感器200′，其包括一发光组件220、一光感应组件210、一第一、第二导电垫225a、225b，以及一环绕发光组件220的光阻挡层275。
同样地，由于近接传感器封装体4000的发光组件220被光阻挡层275所围绕，故光感应组件210不会受到发光组件220的侧向光所干扰，故其灵敏度相较于现有的近接传感器封装体1000来得高。
<实施例四>
以下将配合图6，说明根据本发明的实施例四的近接传感器封装体5000及其制造方法。
如图6所示，其显示的是根据本发明的实施例四的近接传感器封装体5000，其乃利用如实施例一所述的相同制程制造，唯一相异处在于位在传感器200′上的发光组件220′是一种非表面接触型的发光二极管，其可通过发光二极管制程直接制作于传感器200′内或者将发光二极管芯片埋设于传感器200′内，其制程分非本发明的重点，在此不再赘述。
同样地，由于近接传感器封装体5000的发光组件220′被光阻挡层275所围绕，故光感应组件210不会受到发光组件220′的侧向光所干扰，故其灵敏度相较于现有的近接传感器封装体1000来得高。
<实施例五>
以下将配合图7，说明根据本发明的实施例五的近接传感器封装体6000及其制造方法。
如图7所示，其显示的是根据本发明的实施例五的近接传感器封装体6000，其乃利用如实施例二所述的相同制程制造，唯一相异处在于位在传感器200′上的发光组件220′是一种非表面接触型的发光二极管，其可通过发光二极管制程直接制作于传感器200′内或者将发光二极管芯片埋设于传感器200′内，其制程分非本发明的重点，在此不再赘述。
同样地，由于近接传感器封装体6000的发光组件220′被光阻挡层275所围绕，故光感应组件210不会受到发光组件220′的侧向光所干扰，故其灵敏度相较于现有的近接传感器封装体1000来得高。
<实施例六>
以下将配合图7，说明根据本发明的实施例六的近接传感器封装体6000及其制造方法。
如图7所示，其显示的是根据本发明的实施例六的近接传感器封装体6000，其乃利用如实施例三所述的相同制程制造，唯一相异处在于位在传感器200′上的发光组件220′是一种非表面接触型的发光二极管，其可通过发光二极管制程直接制作于传感器200′内或者将发光二极管芯片埋设于传感器200′内，其制程分非本发明的重点，在此不再赘述。
同样地，由于近接传感器封装体7000的发光组件220′被光阻挡层275所围绕，故光感应组件210不会受到发光组件220′的侧向光所干扰，故其灵敏度相较于现有的近接传感器封装体1000来得高。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (20)

1.一种传感器封装体，其特征在于，包括：
传感器，具有相对的第一上表面与第一下表面，且邻近第一上表面处形成有发光组件及光感应组件，其中该发光组件与该光感应组件间隔预定的距离，且还包括第一导电垫及第二导电垫，该第一导电垫及该第二导电垫分别邻近该发光组件与该光感应组件，且该光感应组件具有相对的第二上表面与第二下表面；以及
光阻挡层，形成于该传感器的该第一上表面上且围绕该发光组件，其中该光阻挡层包括：
盖板，形成于该传感器的该第一上表面上，且该盖板内具有沟渠，该沟渠具有内壁以及底墙，且该底墙不高于该光感应组件的该第二下表面；
黏着层，位于该盖板与该传感器的该第一上表面之间，使该盖板与该传感器的该第一上表面结合；以及
光阻挡材料层，覆盖于该沟渠的内壁或填满于该沟渠内。
2.根据权利要求1所述的传感器封装体，其特征在于，该传感器是一种近接传感器。
3.根据权利要求2所述的传感器封装体，其特征在于，该光阻挡材料层是一种可吸光的黑色光阻，或者是一种由具高反射系数的金属或分散式布拉格反射器所构成的光反射层。
4.根据权利要求3所述的传感器封装体，其特征在于，该发光组件是一种表面黏着型发光二极管，包括水平式发光二极管芯片、垂直式发光二极管芯片或覆晶式发光二极管芯片，且通过表面粘着技术固定于该传感器的该第一上表面；或者，该发光组件是一种非表面黏着型发光二极管，且埋设于该传感器内且邻近该第一上表面。
5.根据权利要求4所述的传感器封装体，其特征在于，该发光二极管是红外光发光二极管。
6.根据权利要求5所述的传感器封装体，其特征在于，该光感应组件是红外光传感器。
7.根据权利要求4所述的传感器封装体，其特征在于，还包括分别焊接到该第一导电垫及该第二导电垫的第一焊线及第二焊线。
8.根据权利要求1所述的传感器封装体，其特征在于，还包括：
绝缘层，形成于该传感器的该第一下表面，且该绝缘层上具有分别裸露出该第一导电垫及该第二导电垫的下表面的第一贯通孔及第二贯通孔；
重布线层，形成于该绝缘层上，且经由该第一贯通孔及该第二贯通孔分别与该第一导电垫及该第二导电垫电性连接；
钝化保护层，覆盖该重布线层、该第一贯通孔及该第二贯通孔，且该钝化保护层上具有裸露出该重布线层的第一开口及第二开口；以及
第一导电结构及第二导电结构，分别形成于该第一开口及该第二开口内，并分别与该重布线层电性连接。
9.根据权利要求1所述的传感器封装体，其特征在于，还包括：
绝缘层，形成于该传感器的该第一下表面，且该绝缘层上具有分别裸露出该第一导电垫及该第二导电垫的边缘及部分该盖板的第三下表面的第一凹槽及第二凹槽；
重布线层，形成于该绝缘层上及该第一凹槽及该第二凹槽的侧壁，并与裸露的该第一导电垫及该第二导电垫的边缘电性连接；
钝化保护层，覆盖该重布线层、该第一凹槽及该第二凹槽，且该钝化保护层上具有裸露出该重布线层的第三开口及第四开口；以及
第三导电结构及第四导电结构，分别形成于该第三开口及该第四开口内，并分别与该重布线层电性连接。
10.一种传感器封装体的制造方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，该晶圆包括多个传感器区，且每一传感器区均具有相对的第一上表面与第一下表面，且邻近第一上表面处形成有发光组件及光感应组件，其中该发光组件与该光感应组件间隔预定的距离，且还包括第一导电垫及第二导电垫，该第一导电垫及该第二导电垫分别邻近该光感应组件与该发光组件，且该光感应组件具有相对的第二上表面与第二下表面；
提供盖板，该盖板具有相对的第三上表面与第三下表面，且该第三下表面在对应于每一传感器区之处，均具有一对应于该发光组件的第一凹穴以及一对应于该光感应组件的第二凹穴；
通过黏着层使该盖板的该第三下表面结合至该晶圆的该第一上表面；
形成沟渠，该沟渠贯穿该盖板、该黏着层及部分该晶圆的该第一上表面，且该沟渠围绕该发光组件，该沟渠具有内壁以及底墙，且该底墙不高于该光感应组件的该第二下表面；
形成光阻挡材料层，该光阻挡材料层覆盖于该沟渠的内壁或填满于该沟渠内；
去除位在该盖板的该第一凹穴及该第二凹穴以上位置的该第三上表面及该光阻挡材料层，使该第一凹穴及该第二凹穴贯通该盖板，并形成围绕该发光组件的光阻挡层。
11.根据权利要求10所述的传感器封装体的制造方法，其特征在于，该传感器是一种近接传感器。
12.根据权利要求11所述的传感器封装体的制造方法，其特征在于，该光阻挡层是一种可吸光的黑色光阻，或者是一种由具高反射系数的金属或分散式布拉格反射器所构成的光反射层。
13.根据权利要求10所述的传感器封装体的制造方法，其特征在于，该发光组件是一种一种表面黏着型发光二极管，包括水平式发光二极管芯片、垂直式发光二极管芯片或覆晶式发光二极管芯片，且通过表面粘着技术固定于该晶圆的该第一上表面；或者，该发光组件是一种非表面黏着型发光二极管，且埋设于该晶圆内且邻近该第一上表面。
14.根据权利要求13所述的传感器封装体的制造方法，其特征在于，该发光二极管是红外光发光二极管。
15.根据权利要求14所述的传感器封装体的制造方法，其特征在于，该光感应组件是红外光传感器。
16.根据权利要求10所述的传感器封装体的制造方法，其特征在于，还包括分别焊接到该第一导电垫及该第二导电垫的第一焊线及第二焊线。
17.根据权利要求10所述的传感器封装体的制造方法，其特征在于，还包括裁切该多个传感器区的步骤，以获得多个传感器封装体。
18.根据权利要求10所述的传感器封装体的制造方法，其特征在于，还包括下列步骤：
薄化该晶圆的该第一下表面；
于该晶圆的该第一下表面形成绝缘层，且该绝缘层上具有分别裸露出该第一导电垫及该第二导电垫的第一贯通孔及第二贯通孔；
于该绝缘层上形成重布线层，且该重布线层经由该第一贯通孔及该第二贯通孔分别与该第一导电垫及该第二导电垫电性连接；
形成覆盖该重布线层、该第一贯通孔及该第二贯通孔的钝化保护层，且该钝化保护层上具有裸露出该重布线层的第一开口及第二开口；以及
于该第一开口及该第二开口内分别形成第一导电结构及第二导电结构，并分别与该重布线层电性连接。
19.根据权利要求10所述的传感器封装体，其特征在于，还包括下列步骤：
薄化该传感器的该第一下表面；
形成贯穿该晶圆的该第一下表面且裸露出该第一导电垫及该第二导电垫的第三凹穴及第四凹穴；
于该晶圆的该第一下表面、该第三凹穴及该第四凹穴内形成绝缘层；
利用刻痕技术去除该第三凹穴及该第四凹穴内的该绝缘层以及位在该第三凹穴及该第四凹穴上方的部分该第一导电垫、该第二导电垫、部分该黏着层和部分该盖板，并分别形成第一凹槽及第二凹槽，且该第一凹槽及该第二凹槽的侧壁分别裸露出该第一导电垫及该第二导电垫的边缘；
于该绝缘层上形成重布线层，该重布线层覆盖于该第一凹槽及该第二凹槽的侧壁，且分别与该第一导电垫及该第二导电垫的边缘电性连接；
形成覆盖该重布线层、该第一凹槽及该第二凹槽的钝化保护层，且该钝化保护层上具有裸露出该重布线层的第三开口及第四开口；以及
于该第三开口及该第四开口内分别形成第三导电结构及第四导电结构，且该第三导电结构及该第四导电结构分别与该重布线层电性连接。
20.根据权利要求18或19所述的传感器封装体的制造方法，其特征在于，还包括裁切该多个传感器区的步骤，以获得多个传感器封装体。
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