TWI585911B - 一種感應器封裝體及其製造方法 - Google Patents

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Description

一種感應器封裝體及其製造方法
本發明是關於一種感應器封裝體，且特別是有關於一種近接感應器封裝體及其製造方法。
隨著科技逐漸發展，可攜式裝置越來越普及，也越來越多元化。例如PDA、智慧型手機或者是MP4等。現在大多數的可攜式裝置都是使用觸控屏，也都會配置近接感應器(Proximity Sensor)，其乃透過光學方式感測前方是否有物體或障礙物，於實際應用中，近接感應器可供智慧型手機或手持式裝置判斷使用者是否靠近接聽，抑或供家務機器人判斷前方是否有家具或人員擋在前面。
第1A圖~第1B圖顯示的是習知一種近接感應器封裝體1000的俯視圖及剖面圖。如第1A圖所呈現的俯視圖，近接感應器封裝體1000包括一近接感應器100，其具有相對的第一上表面100a與一第一下表面100b，且第一上表面100a上形成有一發光元件120以及一光感應元件110。此外，如第1B圖所示，近接感應器100的第一上表面100a更覆蓋有一蓋板130，其具有一第一開口140對應於發光元件120，以及一第二開口150對應於光感應元件110。由於元件尺寸縮小化的要求，故發光元件120通常使用發光二極體(例如紅外光發光二極 體)等點光源為主。然而，由於點光源的出光路徑並不具方向性，其出光角度通常都超過180度，且感應器100的材質通常為矽所構成，而蓋板130通常為硬度大於8的玻璃、藍寶石或氮化矽所構成，這些材質都無法阻擋可見光穿透，故設置於發光元件120附近的光感應元件110便會受到來自發光元件120的側光(如第1A圖~第1B圖所示虛線箭號)干擾，影響其靈敏度。
有鑒於此，本發明係提供一種新穎的感應器封裝體及其製造方法，且特別是一種近接感應器封裝體及其製造方法，藉由設置一光阻擋層環繞位在感應器上的發光元件，使其側向光被光阻擋層阻檔而不會到達位在發光元件旁的光感應元件，故其靈敏性相較於習知近接感應器封裝體更高。
本發明之一目的是提供一種感應器封裝體，包括：一感應器，具有相對的一第一上表面與一第一下表面，且鄰近第一上表面處形成有一發光元件及一光感應元件，其中該發光元件與該光感應元件間隔一預定的距離，且更包括一第一、第二導電墊，分別鄰近該光感應元件及該發光元件，且該光感應元件具有相對的一第二上表面與一第二下表面；一光阻擋層，形成於該感應器的該第一上表面上且圍繞該發光元件，其中該光阻擋層包括：一蓋板，形成於該感應器的該第一上表面上，且該蓋板內具有一溝渠，該溝渠具有一內壁(inner wall)以及一底牆(bottom wall)，且該底牆不高於該光感應元件的該第二下表面；一黏著層，位於該蓋板與該感應器的該第一上表面之間， 使該蓋板與該感應器的該第一上表面結合；以及一光阻擋材料層，覆蓋於該溝渠的內壁或填滿於該溝渠內。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，其中該感應器是一種近接感應器(Proximity Sensor)。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，其中該光阻擋材料層是一種可吸光的黑色光阻。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，其中該光阻擋材料層是由具高反射係數的金屬或分散式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector；DBR)所構成的光反射層。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，其中該發光元件是一種發光二極體。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，其中發光二極體是一種表面黏著型發光二極體，包括水平式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片，且藉由表面黏著技術固定於該感應器的該第一上表面。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，其中該發光二極體是一種非表面黏著型發光二極體，埋設於該感應器內且鄰近該第一上表面。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，其中該發光二極體是紅外光發光二極體。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，其中該光感應元件是紅外光感應器。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，更包括一第一、第二焊線分別焊接到該第一、第二導電墊。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，更包括：一絕緣層，形成於該感應器的該第一下表面，且該絕緣層上具有分別裸露出該第一、第二導電墊下表面的第一、第二貫通孔；一重佈線層，形成於該絕緣層上，且經由該第一、第二貫通孔分別與該第一、第二導電墊電性連接；一鈍化保護層，覆蓋該重佈線層及該第一、第二貫通孔，且該鈍化保護層上具有裸露出該重佈線層的第一、第二開口；以及一第一、第二導電結構，分別形成於該第一、第二開口內，並分別與該重佈線層電性連接。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，上述的感應器封裝體，該第一、第二導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，更包括：一絕緣層，形成於該感應器的該第一下表面，且該絕緣層上具有分別裸露出該第一、第二導電墊的邊緣及部分該蓋板的第三下表面的第一、第二凹槽(notch)；一重佈線層，形成於該絕緣層上，且經由該第一、第二凹槽分別與該第一、第二導電墊的邊緣電性連接；一鈍化保護層，覆蓋該重佈線層及該第一、第二凹槽，且該鈍化保護層上具有裸露出該重佈線層的第三、第四開口；以及一第一、第二導電結構，分別形成於該第三、第四開口內，並分別與該重佈線層電性連接。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，上述的感應器封裝體，該第一、第二導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
本發明的另一特徵是提供一種感應器封裝體的製造方法，其步驟包括：提供一晶圓，包括複數個感應器區，且每一該等感應器區均具有相對的一第一上表面與一第一下表面，且鄰近第一上表面處形成有一發光元件及一光感應元件，其中該發光元件與該光感應元件間隔一預定的距離，且更包括一第一、第二導電墊，分別鄰近該光感應元件及該發光元件，且該光感應元件具有相對的一第二上表面與一第二下表面；提供一蓋板，其具有相對的一第三上表面與一第三下表面、且該第三下表面在對應於每一該等感應器區之處，均具有一對應於該發光元件的第一凹穴以及一對應於該光感應元件的第二凹穴；藉由一黏著層使該蓋板的該第三下表面結合至該晶圓的該第一上表面；形成一溝渠，貫穿該蓋板、該黏著層及部分該晶圓的該第一上表面，且該溝渠圍繞該發光元件，該溝渠具有一內壁(inner wall)以及一底牆(bottom wall)，且該底牆不高於該光感應元件的該第二下表面；形成一光阻擋材料層，覆蓋於該溝渠的內壁或填滿於該溝渠內；去除位在該蓋板的該第一、第二凹穴以上位置的該第三上表面及該該光反射層或該光吸收層，使該第一、第二凹穴貫通該蓋板，並形成一圍繞該發光元件的光阻擋層。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中該感應器是一種近接感應器(Proximity Sensor)。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中該光阻擋材料層是一種可吸光的黑色光阻。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中該光阻擋材料層是由具高反射係數的金屬或分散式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector；DBR)所構成的光反射層。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中該發光元件是一種發光二極體。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中發光二極體是一種表面黏著型發光二極體，包括水平式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片，且藉由表面黏著技術固定於該感應器的該第一上表面。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中該發光二極體是一種非表面黏著型發光二極體，埋設於該晶圓內且鄰近該第一上表面。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中該發光二極體是紅外光發光二極體。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中該光感應元件是紅外光感應器。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，更包括一第一、第二焊線分別焊接到該第一、第二導電墊。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，且其更包括一裁切該等感應器區的步驟，以獲得複數感應器封裝體。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，更包括以下步驟：薄化該晶圓的該第一下表面；形成一絕緣層，於該晶圓的該第一下表面，且該絕緣層上具有分別裸露出該第一、第二導電墊下表面的第一、第二貫通孔；形成一重佈線層於該絕緣層上，且經由該第一、第二貫通孔分別與該第一、第二導電墊電性連接；形成一鈍化保護層覆蓋該重佈線層及該第一、第二貫通孔，且該鈍化保護層上具有裸露出該重佈線層的第一、第二開口；以及分別形成一第一、第二導電結構於該第一、第二開口內，並分別與該重佈線層電性連接。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中該第一、第二導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體，且其更包括一裁切該等感應器區的步驟，以獲得複數感應器封裝體。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，更包括以下步驟：薄化該晶圓的該第一下表面；形成一貫穿該晶圓的該第一下表面且裸露出該第一、第二導電墊的第三、第四凹穴；形成一絕緣層於該晶圓的該第一下表面、以及該第三、第四 凹穴內；利用刻痕技術去除該第三、第四凹穴內的該絕緣層以及位在該第三、第四凹穴上方的部分該第一、第二導電墊、部分該黏著層和部分該蓋板，並分別形成一第一、第二凹槽，且該第一、第二凹槽的側壁分別裸露出該第一、第二導電墊的邊緣；形成一重佈線層於該絕緣層上，並覆蓋於該第一、第二凹槽的側壁，且分別與該第一、第二導電墊的邊緣電性連接；形成一鈍化保護層覆蓋該重佈線層及該第一、第二凹槽，且該鈍化保護層上具有裸露出該重佈線層的第三、第四開口；以及分別形成一第一、第二導電結構於該第三、第四開口內，並分別與該重佈線層電性連接。
本發明的另一特徵是提供一種如上所述的感應器封裝體的製造方法，其中該第一、第二導電結構包括焊球、焊接凸塊或導電柱。
本發明之另一特徵是提供一種感應器封裝體的製造方法，且其更包括一裁切該等感應器區的步驟，以獲得複數感應器封裝體
100、200'‧‧‧感應器
100a、200a‧‧‧第一上表面
100b、200b‧‧‧第一下表面
110、210‧‧‧光感應元件
120、220、220'‧‧‧發光元件
130、230‧‧‧蓋板
140‧‧‧第一開口
150‧‧‧第二開口
200‧‧‧晶圓
205‧‧‧感應器區
225a‧‧‧第一導電墊
225b‧‧‧第二導電墊
230‧‧‧蓋板
240‧‧‧第一凹穴
250‧‧‧第二凹穴
260‧‧‧黏著層
265‧‧‧溝渠
265a‧‧‧側壁
265b‧‧‧底牆
270‧‧‧光阻擋材料層
275‧‧‧光阻擋層
278a‧‧‧第一焊線
278b‧‧‧第二焊線
280‧‧‧絕緣層
283a‧‧‧第一凹槽
283b‧‧‧第二凹槽
285‧‧‧重佈線層
290‧‧‧鈍化保護層
295a‧‧‧第一導電結構
295b‧‧‧第二導電結構
1000、2000、3000、4000、5000、6000、7000‧‧‧近接感應器封裝體
第1A圖~第1B圖顯示的是習知一種近接感應器封裝體的俯視圖及剖面圖。
第2A圖~第2E圖顯示的是根據本發明實施例一的近接感應器封裝體的剖面製程。
第3圖顯示的是如第2E圖所示的近接感應器封裝體的俯視圖。
第4圖顯示的是根據本發明實施例二的近接感應器封裝體的剖面圖。
第5圖顯示的是根據本發明實施例三的近接感應器封裝體的剖面圖。
第6圖顯示的是根據本發明實施例四的近接感應器封裝體的剖面圖。
第7圖顯示的是根據本發明實施例五的近接感應器封裝體的剖面圖。
第8圖顯示的是根據本發明實施例六的近接感應器封裝體的剖面圖。
以下將詳細說明本發明實施例之製作與使用方式。然應注意的是，本發明提供許多可供應用的發明概念，其可以多種特定形式實施。文中所舉例討論之特定實施例僅為製造與使用本發明之特定方式，非用以限制本發明之範圍。
實施例一：
以下將配合第2A圖~第2E圖及第3圖，說明根據本發明實施例一的近接感應器封裝體2000及其製造方法。
首先，請參照第2A圖，提供一晶圓200，其包括複數個感應器區205，且每一該等感應器區205均具有相對的一第一上表面200a與一第一下表面200b，且鄰近第一上表面200a處形成有一發光 元件220及一光感應元件210，其中該發光元件220與該光感應元件210間隔一預定的距離，且更包括一第一、第二導電墊225a、225b，分別鄰近該光感應元件210與發光元件220，且該光感應元件210具有相對的一第二上表面210a與一第二下表面210b。接著，先提供一蓋板230，其具有相對的一第三上表面230a與一第三下表面230b、且第三下表面230b在對應於每一該等感應器區205之處，均具有一對應於該發光元件220的第一凹穴240以及一對應於光感應元件210的第二凹穴250，然後藉由一黏著層260使蓋板230的第三下表面230b結合至晶圓200的第一上表面200a。
上述的發光元件220是一種發光二極體，例如表面黏著型發光二極體，包括水平式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片，且藉由表面黏著技術固定於該感應器區205的該第一上表面200a；或者非表面黏著型發光二極體，埋設於該晶圓200內且鄰近於該感應器區205的該第一上表面200a。此外，在實施例中，上述的發光二極體是紅外光(IR)發光二極體，且光感應元件210是一種紅光外感應元件。
接著，請參照第2B圖，利用微影技術及蝕刻製程，在蓋板230的第三上表面230a形成一圍繞發光元件220的溝渠265，此溝渠265貫穿蓋板230、黏著層260及部分晶圓200的第一上表面200a。溝渠265具有一內壁(inner wall)265a以及一底牆(bottom wall)265b，且底牆265b不高於光感應元件210的第二下表面210b。
接著，請參照第2C圖，形成一光阻擋材料層270，覆蓋 於蓋板230的第三上表面230a、溝渠265的內壁265a及底牆265b。其中，根據本發明的其他實施例，光阻擋材料層270也可填滿於溝渠265內。此外，光阻檔材料層270為可吸光的黑色光阻或由具高反射係數所構成光反射層或由具高反射係數的金屬(例如銀或鋁)或分散式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector；DBR)所構成的光反射層。
接著，請參照第2D圖，研磨去除位在蓋板230的第一、第二凹穴240、250以上位置的第三上表面230a及該光阻擋材料層270，使第一凹穴240及第二凹穴250貫通蓋板230，並形成一圍繞發光元件220的光阻擋層275。
最後，請參照第2E圖，去除位在第一、第二導電墊225a、225b上的部分黏著層260以及蓋板230，並裸露出第一、第二導電墊225a、225b，然後裁切晶圓200的各個感應器區205，形成複數個感應器200'。接著，再以打線技術，使第一、第二焊線278a、278b分別焊接到每一個感應器200'的第一、第二導電墊225a、225b，完成一近接感應器封裝體2000。
如第3圖所呈現的近接感應器封裝體2000的俯視圖，由於光阻擋層275繞發光元件220，使得發光元件220所發出的側向光不會到達光感應元件210，故在量測距離時光感應元件210不會受到發光元件220的側向光干擾擾，故此根據本發明實施例一的近接感應器封裝體2000其靈敏度相較於第1A圖~第1B圖所示的習知近接感應器封裝體1000來得高。
實施例二：
以下將配合第4圖，說明根據本發明的實施例二的近接感應器封裝體3000及其製造方法。
根據本發明的實施例二，其特徵為在實施例一製程中所獲得如第2D圖所示的結構後，利用矽通孔(through silicon via；TSV)製程，對晶圓200的第一下表面200b繼續加工，先薄化晶圓200的第一下表面200b，然後形成一絕緣層280，於晶圓200的第一下表面200b，且絕緣層280上具有分別裸露出該第一、第二導電墊225a、225b下表面的第一、第二貫通孔(未標示)，接著再形成一重佈線層285於絕緣層280上，且經由第一、第二貫通孔(未標示)分別與第一、第二導電墊225a、225b電性連接。接著，先形成一鈍化保護層290覆蓋重佈線層285及第一、第二貫通孔(未標示)，且鈍化保護層290上具有裸露出重佈線層285的第一、第二開口(未標示)，然後再分別形成一第一、第二導電結構295a、295b於該第一、第二開口(未標示)內，並分別與重佈線層285電性連接。
最後，裁切晶圓200的各個感應器區205，形成複數個如第4圖所示的感應器封裝體3000，且每一感應器封裝體3000包括一背面具有TSV結構的感應器200'，其包括一發光元件220、一光感應元件210、一第一、第二導電墊225a、225b，以及一環繞發光元件220的光阻擋層275。
同樣地，由於近接感應器封裝體3000的發光元件220被光阻擋層275所圍繞，故光感應元件210不會受到發光元件220的側向光 所干擾，故其靈敏度相較於習知的近接感應器封裝體1000來得高。
實施例三：
以下將配合第5圖，說明根據本發明的實施例三的近接感應器封裝體4000及其製造方法。
根據本發明的實施例三，其特徵為在實施例一製程中所獲得如第2D圖所示的結構後，利用T-型接觸(T-contact)製程，對晶圓200的第一下表面200b繼續加工，先薄化晶圓200的第一下表面200b，然後形成一貫穿晶圓200的第一下表面200b且裸露出該第一、第二導電墊225a、225b的第三、第四凹穴(未標示)。接著，形成一絕緣層280於晶圓200的第一下表面200b、及第三、第四凹穴(未標示)內，然後再利用刻痕技術去除第三、第四凹穴(未標示)內的絕緣層280及位在第三、第四凹穴(未標示)上方的部分第一、第二導電墊225a、225b和部分黏著層260和部分蓋板230，並分別形成一第一、第二凹槽283a、283b，且第一、第二凹槽283a、283b的側壁分別裸露出第一、第二導電墊225a、225b。然後，先形成一重佈線層285於絕緣層280上，並覆蓋於第一、第二凹槽283a、283b的側壁，且分別與第一、第二導電墊225a、225b電性連接，然後形成一鈍化保護層290覆蓋重佈線層285及第一、第二凹槽283a、283b，且鈍化保護層290上具有裸露出重佈線層285的第三、第四開口(未標示)。然後再分別形成一第一、第二導電結構295a、295b於第三、第四開口(未標示)內，並分別與重佈線層285電性連接。
最後，裁切晶圓200的各個感應器區205，形成複數個如第5圖所示的感應器封裝體4000，且每一感應器封裝體4000包括一背面具有T-contact的感應器200'，其包括一發光元件220、一光感應元件210、一第一、第二導電墊225a、225b，以及一環繞發光元件220的光阻擋層275。
同樣地，由於近接感應器封裝體4000的發光元件220被光阻擋層275所圍繞，故光感應元件210不會受到發光元件220的側向光所干擾，故其靈敏度相較於習知的近接感應器封裝體1000來得高。
實施例四：
以下將配合第6圖，說明根據本發明的實施例四的近接感應器封裝體5000及其製造方法。
如第6圖所示，其顯示的是根據本發明的實施例四的近接感應器封裝體5000，其乃利用如實施例一所述的相同製程製造，唯一相異處在於位在感應器200'上的發光元件220'是一種非表面接觸型的發光二極體，其可藉由發光二極體製程直接製作於感應器200'內或者將發光二極體晶片埋設於感應器200'內，其製程分非本發明的重點，在此不再贅述。
同樣地，由於近接感應器封裝體5000的發光元件220'被光阻擋層275所圍繞，故光感應元件210不會受到發光元件220'的側向光所干擾，故其靈敏度相較於習知的近接感應器封裝體1000來得高。
實施例五：
以下將配合第7圖，說明根據本發明的實施例五的近接感應器封裝體6000及其製造方法。
如第7圖所示，其顯示的是根據本發明的實施例五的近接感應器封裝體6000，其乃利用如實施例二所述的相同製程製造，唯一相異處在於位在感應器200'上的發光元件220'是一種非表面接觸型的發光二極體，其可藉由發光二極體製程直接製作於感應器200'內或者將發光二極體晶片埋設於感應器200'內，其製程分非本發明的重點，在此不再贅述。
同樣地，由於近接感應器封裝體6000的發光元件220'被光阻擋層275所圍繞，故光感應元件210不會受到發光元件220'的側向光所干擾，故其靈敏度相較於習知的近接感應器封裝體1000來得高。
實施例六：
以下將配合第8圖，說明根據本發明的實施例六的近接感應器封裝體6000及其製造方法。
如第8圖所示，其顯示的是根據本發明的實施例六的近接感應器封裝體6000，其乃利用如實施例三所述的相同製程製造，唯一相異處在於位在感應器200'上的發光元件220'是一種非表面接觸型的發光二極體，其可藉由發光二極體製程直接製作於感應器200'內或者將發光二極體晶片埋設於感應器200'內，其製程分非本發明的重點，在此不再贅述。
同樣地，由於近接感應器封裝體7000的發光元件220'被光阻擋層275所圍繞，故光感應元件210不會受到發光元件220'的側向光所干擾，故其靈敏度相較於習知的近接感應器封裝體1000來得高。
綜上所述，本發明雖以近接感應器封裝體作為較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可更動與組合上述各種實施例，將本發明應用於具備發光元件與光感應元件的其他感應器封裝體。
200'‧‧‧感應器
200a‧‧‧第一上表面
200b‧‧‧第一下表面
210‧‧‧光感應元件
220‧‧‧發光元件
225a‧‧‧第一導電墊
225b‧‧‧第二導電墊
230‧‧‧蓋板
260‧‧‧黏著層
265‧‧‧溝渠
270‧‧‧光阻擋材料層
275‧‧‧光阻擋層
278a‧‧‧第一焊線
278b‧‧‧第二焊線
2000‧‧‧感應器封裝體

Claims (20)

  1. 一種感應器封裝體，包括：一感應器，具有相對的一第一上表面與一第一下表面，且鄰近第一上表面處形成有一發光元件及一光感應元件，其中該發光元件與該光感應元件間隔一預定的距離，且更包括一第一、第二導電墊，分別鄰近該發光元件與該光感應元件，且該光感應元件具有相對的一第二上表面與一第二下表面；以及一光阻擋層，形成於該感應器的該第一上表面上且圍繞該發光元件，其中該光阻擋層包括：一蓋板，形成於該感應器的該第一上表面上，且該蓋板內具有一溝渠，該溝渠具有一內壁以及一底牆，且該底牆不高於該光感應元件的該第二下表面；一黏著層，位於該蓋板與該感應器的該第一上表面之間，使該蓋板與該感應器的該第一上表面結合；以及一光阻擋材料層，覆蓋於該溝渠的內壁或填滿於該溝渠內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的感應器封裝體，其中該感應器是一種近接感應器。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的感應器封裝體，其中該光阻擋材料層是一種可吸光的黑色光阻或者一種由具高反射係數的金屬或分散式布拉格反射器所構成的光反射層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的感應器封裝體，其中發光元 件是一種表面黏著型發光二極體，包括水平式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片，且藉由表面黏著技術固定於該感應器的該第一上表面，或者該發光元件是一種非表面黏著型發光二極體，埋設於該感應器內且鄰近該第一上表面。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的感應器封裝體，其中該發光二極體是紅外光發光二極體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的感應器封裝體，其中該光感應元件是紅外光感應器。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的感應器封裝體，更包括一第一、第二焊線分別焊接到該第一、第二導電墊。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的感應器封裝體，更包括：一絕緣層，形成於該感應器的該第一下表面，且該絕緣層上具有分別裸露出該第一、第二導電墊下表面的第一、第二貫通孔；一重佈線層，形成於該絕緣層上，且經由該第一、第二貫通孔分別與該第一、第二導電墊電性連接；一鈍化保護層，覆蓋該重佈線層及該第一、第二貫通孔，且該鈍化保護層上具有裸露出該重佈線層的第一、第二開口；以及一第一、第二導電結構，分別形成於該第一、第二開口內，並分別與該重佈線層電性連接。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的感應器封裝體，更包括： 一絕緣層，形成於該感應器的該第一下表面，且該絕緣層上具有分別裸露出該第一、第二導電墊的邊緣及部分該蓋板的第三下表面的第一、第二凹槽；一重佈線層，形成於該絕緣層上及該第一、第二凹槽側壁，並與裸露的該第一、第二導電墊的邊緣電性連接；一鈍化保護層，覆蓋該重佈線層及該第一、第二凹槽，且該鈍化保護層上具有裸露出該重佈線層的第三、第四開口；以及一第三、第四導電結構，分別形成於該第三、第四開口內，並分別與該重佈線層電性連接。
  10. 一種感應器封裝體的製造方法，其步驟包括：提供一晶圓，包括複數個感應器區，且每一該等感應器區均具有相對的一第一上表面與一第一下表面，且鄰近第一上表面處形成有一發光元件及一光感應元件，其中該發光元件與該光感應元件間隔一預定的距離，且更包括一第一、第二導電墊，分別鄰近該光感應元件與該發光元件，且該光感應元件具有相對的一第二上表面與一第二下表面；提供一蓋板，其具有相對的一第三上表面與一第三下表面、且該第三下表面在對應於每一該等感應器區之處，均具有一對應於該發光元件的第一凹穴以及一對應於該光感應元件的第二凹穴；藉由一黏著層使該蓋板的該第三下表面結合至該晶圓的該第一上表面； 形成一溝渠，貫穿該蓋板、該黏著層及部分該晶圓的該第一上表面，且該溝渠圍繞該發光元件，該溝渠具有一內壁以及一底牆，且該底牆不高於該光感應元件的該第二下表面；形成一光阻擋材料層，覆蓋於該溝渠的內壁或填滿於該溝渠內；去除位在該蓋板的該第一、第二凹穴以上位置的該第三上表面及該光阻擋材料層，使該第一、第二凹穴貫通該蓋板，並形成一圍繞該發光元件的光阻擋層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的感應器封裝體的製造方法，其中該感應器是一種近接感應器。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的感應器封裝體的製造方法，其中該光阻擋層是一種可吸光的黑色光阻，或者一種由具高反射係數的金屬或分散式布拉格反射器所構成的光反射層。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的感應器封裝體的製造方法，其中該發光元件是一種表面黏著型發光二極體，包括水平式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片，且藉由表面黏著技術固定於該晶圓的該第一上表面，或者該發光元件是一種非表面黏著型發光二極體，埋設於該晶圓內且鄰近該第一上表面。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的感應器封裝體的製造方法，其中該發光二極體是紅外光發光二極體。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的感應器封裝體的製造方法，其中該光感應元件是紅外光感應器。
  16. 如申請專利範圍第10項所述的感應器封裝體的製造方法，更包括一第一、第二焊線分別焊接到該第一、第二導電墊。
  17. 如申請專利範圍第10項所述的感應器封裝體的製造方法，更包括一裁切該等感應器區的步驟，以獲得複數感應器封裝體。
  18. 如申請專利範圍第10項所述的感應器封裝體的製造方法，更包括下列步驟：薄化該晶圓的該第一下表面；形成一絕緣層，於該晶圓的該第一下表面，且該絕緣層上具有分別裸露出該第一、第二導電墊的第一、第二貫通孔；形成一重佈線層於該絕緣層上，且經由該第一、第二貫通孔分別與該第一、第二導電墊電性連接；形成一鈍化保護層覆蓋該重佈線層及該第一、第二貫通孔，且該鈍化保護層上具有裸露出該重佈線層的第一、第二開口；以及分別形成一第一、第二導電結構於該第一、第二開口內，並分別與該重佈線層電性連接。
  19. 如申請專利範圍第10項所述的感應器封裝體的製造方法，更包括下列步驟：薄化該感應器的該第一下表面；形成一貫穿該晶圓的該第一下表面且裸露出該第一、第二導電墊的第三、第四凹穴； 形成一絕緣層於該晶圓的該第一下表面、以及該第三、第四凹穴內；利用刻痕技術去除該第三、第四凹穴內的該絕緣層以及位在該第三、第四凹穴上方的部分該第一、第二導電墊、部分該黏著層和部分該蓋板，並分別形成一第一、第二凹槽，且該第一、第二凹槽的側壁分別裸露出該第一、第二導電墊的邊緣；形成一重佈線層於該絕緣層上，並覆蓋於該第一、第二凹槽的側壁，且分別與該第一、第二導電墊的邊緣電性連接；形成一鈍化保護層覆蓋該重佈線層及該第一、第二凹槽，且該鈍化保護層上具有裸露出該重佈線層的第三、第四開口；以及分別形成一第三、第四導電結構於該第三、第四開口內，並分別與該重佈線層電性連接。
  20. 如申請專利範圍第18或19項所述的感應器封裝體的製造方法，更包括一裁切該等感應器區的步驟，以獲得複數感應器封裝體。
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