CN106024725B - 半导体ic内藏基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔(112a)的预浸料坯(111a)。接着，将半导体IC(120)容纳于贯通孔(112a)，通过在该状态下热压预浸料坯(111a)而使树脂的一部分流入到贯通孔(112a)，由此由流入的树脂将容纳在贯通孔(112a)的半导体IC(120)埋入。在本发明中，在半导体IC(120)的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC(120)埋入，因而可以得到在半导体IC(120)的上下不存在芯部的超薄型构造。

Description

半导体IC内藏基板及其制造方法
本申请是申请日为2013年9月22日、申请号为201310432296.X、发明名称为半导体 IC内藏基板及其制造方法的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种半导体IC内藏基板及其制造方法，特别是涉及一种超薄型的半导体IC内藏基板及其制造方法。
背景技术
在一般的印制基板中，在基板的表面安装有多个半导体IC等电子器件，并经由基板内部的配线层来进行这些电子器件之间的连接。然而，由于这种类型的印制基板要对整体厚度实施减薄是困难的，因此作为面向智能手机等要求薄型化的设备的印制基板，有时使用将半导体IC埋入到树脂层的类型的半导体IC内藏基板(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2002-246761号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，专利文献1所记载的半导体IC内藏基板由于将半导体IC容纳于设置在芯层(内层)的凹部，因此在半导体IC的下部也存在有芯层(内层)。因此，要进一步减薄整体厚度是困难的。虽然为了进一步减薄整体厚度可以考虑削除位于半导体IC下部的芯层，但在这种情况下，导致不能够正确地保持半导体IC。
因此，本发明的目的在于提供一种更薄型的半导体IC内藏基板及其制造方法。
解决技术问题的手段
本发明所涉及的半导体IC内藏基板，其特征在于，具备树脂基板、以及埋入到所述树脂基板的半导体IC，所述树脂基板包含芯材浸渍于规定的树脂而成的芯部、以及以在平面上看被所述芯部包围的形式贯通所述芯部而设置的容纳部，所述半导体IC埋入到填充在所述容纳部的所述规定的树脂。
根据本发明，半导体IC被埋入到贯通芯部而设置的容纳部，因而在半导体IC的上下不存在芯部。因此，可以将整体厚度做得很薄。而且，由于浸渍芯部的树脂和填充在容纳部的树脂相同，因此不会发生起因于热膨胀系数之差等的变形等。
在本发明中，优选地，还具备形成在所述树脂基板的一个表面并与所述半导体IC的外部端子相连接的配线层、以及覆盖所述配线层的抗蚀膜。据此，可以用简单的构造来将半导体IC的外部端子连接于外部。
在本发明中，优选地，在所述树脂基板的另一个表面不设置配线层。据此，配线层仅为1层，因而可以进一步减薄整体厚度。
在本发明中，优选地，所述树脂基板的厚度中，所述容纳部比所述芯部薄，由此所述树脂基板的所述一个或另一个表面在所述容纳部具有凹陷的形状。据此，可以在内藏有半导体IC的部分进一步减薄树脂基板的厚度。
在本发明中，优选地，所述半导体IC具有设置有外部端子的主面、以及位于与所述主面相反的侧的背面，所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方的一部分用粘接剂覆盖，剩余的部分用所述规定的树脂覆盖。或者，所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方仅一部分用所述规定的树脂覆盖，所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方整个面用所述规定的树脂覆盖。由此，由于半导体IC上下的热膨胀系数之差变小，因此在半导体IC难以发生翘曲或开裂。
在此情况下，优选地，所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方整个面用所述规定的树脂覆盖，特别更优选地，所述半导体IC的侧面不存在用所述粘接剂覆盖的部分。据此，可以切实地保护半导体IC并且防止半导体IC的翘曲或开裂。另外，可以在制造过程中防止粘接剂附着于用于处理半导体IC的安装机的头部分。
本发明所涉及的半导体IC内藏基板的制造方法，其特征在于，具备：第1工序，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂而成并具有以在平面上看被所述芯材和所述树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔的预浸料坯；第2工序，将半导体IC容纳于所述贯通孔；以及第3工序，通过按压所述预浸料坯而使所述树脂的一部分流入到所述贯通孔，由此由所述流入的树脂将容纳在所述贯通孔的所述半导体IC埋入。
根据本发明，在半导体IC的上下没有芯材的状态下，由树脂将半导体IC埋入，因而可以得到在半导体IC上下不存在芯部的构造。而且，由于浸渍于芯材的树脂和将半导体IC埋入的树脂相同，因此也不会发生起因于热膨胀系数之差等的变形等。
在本发明中，优选地，所述第2工序包含将在载体上搭载所述半导体IC的工序、以所述半导体IC位于所述贯通孔的形式在所述载体贴附所述预浸料坯的工序。据此，可以正确地处理非常薄的预浸料坯并进行按压。
优选地，搭载所述半导体IC的工序包含在所述载体贴附第1金属箔的工序、在所述第1金属箔上涂布粘接剂的工序、以及通过在所述粘接剂上搭载所述半导体IC而在所述第1金属箔粘接所述半导体IC的工序。据此，第1金属箔介于载体与半导体IC之间，因而载体的操作容易。
优选地，所述第3工序通过在所述预浸料坯的表面贴附第2金属箔并由此在所述贯通孔的上下被所述第1和第2金属箔覆盖的状态下按压来进行。据此，可以通过第1和第2金属箔来正确地规定流入到贯通孔的树脂的表面位置。
在本发明中，优选地，还具备：第4工序，对所述第1金属箔图案化；第5工序，以所述图案化后的所述第1金属箔作为掩模，在存在于所述贯通孔的所述树脂或者所述粘接剂形成通孔，由此使所述半导体IC的外部端子露出；以及第6工序，形成与所述露出的外部端子相连接的配线层。据此，可以面朝下地搭载半导体IC，并且将第1金属箔作为掩模来利用。
在本发明中，优选地，还具备：第4工序，对所述第2金属箔图案化；第5工序，以所述图案化后的所述第2金属箔作为掩模，在存在于所述贯通孔的所述树脂形成通孔，由此使所述半导体IC的外部端子露出；以及第6工序，形成与所述露出的外部端子相连接的配线层。据此，可以面朝上地搭载半导体IC，并且将第2金属箔作为掩模来利用。
优选地，粘接所述半导体IC的工序，以所述半导体IC的主面和背面的一方的一部分接触于所述粘接剂而剩余的部分不接触于所述粘接剂的形式粘接所述半导体IC，特别更优选地，以所述半导体IC的侧面不接触于所述粘接剂的形式粘接所述半导体IC。据此，可以防止粘接剂附着于用于处理半导体IC的安装机的头部分。
发明效果
如此，根据本发明，可以提供超薄型的半导体IC内藏基板及其制造方法。
附图说明
图1是表示本发明优选的第1实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100外观的大致斜视图。
图2是沿着图1所示的A-A线的截面图。
图3是用于说明半导体IC内藏基板100的制造方法的工序图。
图4是用于说明半导体IC内藏基板100的制造方法的工序图。
图5是用于说明半导体IC内藏基板100的制造方法的工序图。
图6是用于说明预浸料坯111a的形状的大致斜视图。
图7是本发明优选的第2实施方式所涉及的半导体IC内藏基板200的截面图。
图8是用于说明半导体IC内藏基板200的制造方法的工序图。
图9是用于说明半导体IC内藏基板200的制造方法的工序图。
图10是用于说明半导体IC内藏基板200的制造方法的工序图。
图11是本发明优选的第3实施方式所涉及的半导体IC内藏基板300的截面图。
图12是本发明优选的第4实施方式所涉及的半导体IC内藏基板400的截面图。
符号说明：
100,200,300,400 半导体IC内藏基板
110 树脂基板
110a,110b 表面
111 芯部
111a 预浸料坯
112 容纳部
112a 贯通孔
120 半导体IC
120a 半导体IC的主面
120b 半导体IC的背面
120c 半导体IC的侧面
121 外部端子
122,122a 芯片附着膏体
130 配线层
130a 镀层
130b 覆膜
131 连接部
140 抗蚀膜
150 载体
160 粘接薄片
170,180 金属箔
190 通孔
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边就本发明优选的实施方式作详细的说明。
图1是表示本发明优选的第1实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100外观的大致斜视图。另外，图2是沿着图1所示的A-A线的截面图。
如图1和图2所示，本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100具备树脂基板110、以及埋入到树脂基板110的半导体IC120。树脂基板110的厚度为90～100μm左右，是超薄型的。因此，对于埋入到树脂基板110的半导体IC120来说也有必要为超薄型的，例如薄型化到40μm左右。
树脂基板110具有包含芯材的芯部111和不包含芯材的容纳部112。容纳部112以在平面上看被芯部111包围的形式上下贯通芯部111而设置。在容纳部112，填充有与浸渍芯部111的树脂相同的树脂，半导体IC120被埋入到填充于容纳部112的树脂内。换言之，在由相同的树脂构成的树脂基板110，具有在平面上看有存在芯材的区域和不存在芯材的区域，且半导体IC120被埋入到芯材不存在的区域的构造。树脂基板110的厚度中，容纳部112比芯部111要薄些，由此，树脂基板110的表面110a在容纳部112上具有稍稍凹陷的形状。得到这样的形状起因于后述的制造方法。通过所涉及的凹陷，虽然是部分的但树脂基板110的厚度变得更薄。
作为芯部111和容纳部112所使用的树脂材料，可以使用玻璃环氧树脂等热硬化性树脂。另外，作为芯部111所使用的芯材，可以使用玻璃纤维、芳纶纤维等树脂纤维等。
半导体IC120是在由硅(Si)或镓砷化合物(GaAs)等构成的半导体基板上集成了晶体管等有源元件或电容器等无源元件的电子器件。制造阶段中的半导体IC120的厚度例如为700μm左右，但是在制造工序的最终阶段通过研磨半导体基板的背面而薄型化到40μm左右。本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100使用这样薄型化后的半导体IC120。
在半导体IC120的主面，设置有被称为焊盘电极的多个外部端子121。外部端子121被连接于形成在树脂基板110的表面110b的配线层130。配线层130除了与外部的连接部(后述的用符号131表示的部分)之外由抗蚀膜140覆盖。另外，半导体IC120的主面被是粘接剂的芯片附着膏体(die attach paste)122粘接于配线层130。
本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100具有设置在树脂基板110表面110b的仅仅1层配线层130，在树脂基板110的表面110a不设置配线层。因此，树脂基板110的表面110a处于整个面露出于外部的状态。
以上是本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100的构造。如此，本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100由于半导体IC120被埋入到贯通芯部111而设置的容纳部112，因此成为在半导体IC120的上下不配置芯材的构造。而且，由于在树脂基板110，仅一个表面110b形成有配线层130，还有一个表面110a不形成配线层，因此配线层所造成的厚度也被限制于最小限度。此外，由于半导体IC120在被粘接在配线层130的状态下被保持，因此也没有必要将用于保持半导体IC120的构件配置在半导体IC120的上下。通过这些特征，本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100实现了厚度为90～100μm左右的超薄型化。
接着，就本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100的制造方法作说明。
图3～图5是用于说明本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100的制造方法的工序图。
首先，如图3(a)所示，准备由不锈钢等金属材料构成的载体150，经由粘接薄片160将金属箔170贴附于其表面。虽然没有特别的限定，但是优选使用铜(Cu)作为金属箔170的材料。接着，如图3(b)所示，将未硬化状态的芯片附着膏体(die attach paste)122a提供给金属箔170的表面，如图3(c)所示，一边定位一边将半导体IC120搭载在芯片附着膏体122a上。虽然没有特别的限定，但是芯片附着膏体122a优选不含有填充料。这是因为，若在芯片附着膏体122a含有直径比较大的填充料，则有夹在半导体IC120与金属箔170之间而使半导体IC120被搭载时的压力破损的担忧。
半导体IC120的搭载以形成有外部端子121的主面朝向下侧(芯片附着膏体122a侧)的形式，以所谓的面朝下方式进行。然后，通过使芯片附着膏体122a热硬化或紫外线硬化，如图3(d)所示那样将半导体IC120固定于载体150。
在此状态下，将具有图6所示的形状的预浸料坯111a贴附于载体150上。所使用的预浸料坯111a是芯材浸渍于未硬化状态的树脂而成的芯部111的前驱体，并设置有之后要成为容纳部112的贯通孔112a。贯通孔112a的平面尺寸设定得稍大于半导体IC120的平面尺寸。然后，如图3(e)所示，以将半导体IC120容纳于该贯通孔112a的形式将预浸料坯111a贴附于载体150上。由此，半导体IC120处于其四周被预浸料坯111a包围的状态。
接着，如图4(a)所示，以覆盖预浸料坯111a的形式贴附金属箔180。虽然没有特别的限定，但是优选使用铜(Cu)作为金属箔180的材料。由此，容纳有半导体IC120的贯通孔112a处于上下被金属箔170,180覆盖的状态。在此状态下，从上下对预浸料坯111a热压。通过所涉及的热压的压力，如图4(b)所示，浸渍预浸料坯111a的树脂的一部分流入到贯通孔112a，容纳于贯通孔112a的半导体IC120被流入的树脂埋入。然后，通过热压时的高温，使浸渍预浸料坯111a的树脂以及流入到贯通孔112a的树脂进行热硬化，并获得硬化状态的芯部111以及容纳部112。
当进行这样的热压时，树脂的一部分会流入到贯通孔112a，因而存在于芯部111的树脂的量自身减少。因此，所使用的预浸料坯111a的厚度优选考虑这点来设定。另外，由于容纳部112由从预浸料坯111a流出的树脂所构成，因此其厚度比芯部111的厚度要薄些。因此，若使构成预浸料坯111a的芯材以及未硬化状态的树脂的体积与贯通孔112a的体积最优化，则容纳部112比芯部111变得更薄，作为产品可以薄型化到极限。
再有，在热压中，不需要同时进行压力的施加与高温的施加，也可以通过压力的施加使树脂的一部分流入到贯通孔112a之后，通过高温的施加使树脂热硬化。或者，也可以使用不是热硬化性的树脂，通过按压使树脂的一部分流入到贯通孔112a之后，通过进行紫外线的照射等来使树脂热硬化。另外，热压或者按压优选在减压下进行。由此，可以防止气泡混入到容纳部112。
通过上述工序使树脂硬化后，如图4(c)所示剥离载体150。接着，如图4(d)所示，通过对金属箔170进行图案化，除去位于外部端子121正下方的部分的金属箔170。然后，如图4(e)所示，将图案化后的金属箔170作为掩模，在芯片附着膏体122形成通孔190，由此使外部端子121露出。再有，在通过热压而流入的树脂位于外部端子121的正下方的情况下，在该树脂会形成有通孔190。
接着，通过依次进行使金属膜覆盖通孔190的内部的无电镀、电镀，如图5(a)所示在树脂基板110的表面110b形成镀层130a。然后，只要如图5(b)所示，通过对镀层130a图案化而形成配线层130，再如图5(c)所示，根据需要用金(Au)等覆膜130b对配线层130的表面进行表面处理后，如图5(d)所示，形成抗蚀膜140，便完成本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100。
如此，在本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100的制造方法中，通过热压使预浸料坯111a所包含的未硬化状态的树脂流入到贯通孔112a内，由此埋入半导体IC120，因而即使是预浸料坯111a的厚度非常薄的情况下，也可以正确地将半导体IC120埋入到树脂。
以上，已就在以面朝下方式搭载半导体IC120的情况下的构造和制造方法作了说明，但是作为半导体IC120的搭载方法并不限于面朝下方式，也可以是面朝上方式。以下，就在以面朝上方式搭载半导体IC120的情况下的构造和制造方法进行说明。
图7是本发明优选的第2实施方式所涉及的半导体IC内藏基板200的截面图。
如图7所示，本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板200，在半导体IC120的背面粘接有芯片附着膏体122的方面，与上述的第1实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100不同。关于其它方面与第1实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100基本相同，因而对相同的要素标注相同符号，省略重复的说明。
图8～图10是用于说明本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板200的制造方法的工序图。
首先，如图8(a)所示，准备载体150，经由粘接薄片160将金属箔170贴附在其表面。接着，如图8(b)所示，将未硬化状态的芯片附着膏体122a提供给金属箔170的表面。至此，与图3(a)、(b)所示的工序相同。其后，在本实施方式中，如图8(c)所示，以面朝上方式将半导体IC120搭载于芯片附着膏体122a上。所谓面朝上的方式是指以形成有外部端子121的主面朝向上侧(与芯片附着膏体122a相反的侧)的形式进行搭载的方式。然后，通过使芯片附着膏体122a硬化，如图8(d)所示那样将半导体IC120固定于载体150。
其后的工序与第1实施方式基本同样，以在贯通孔112a容纳有半导体IC120的形式将预浸料坯111a贴附于载体150上后(图8(e))贴附覆盖预浸料坯111a的金属箔180(图9(a))，在该状态下从上下对预浸料坯111a热压(图9(b))。由此，浸渍预浸料坯111a的树脂的一部分流入到贯通孔112a，容纳在贯通孔112a的半导体IC120被流入的树脂埋入。
以上的工序完成后，在哪个阶段剥离载体150都可以，但由于在本实施方式中在设置有载体150的侧的表面110b不设置配线层130，因此以上的工序完成后，可以在任意阶段剥离载体150。以下，以直至紧跟最终工序之前不剥离载体150的那样地推进工序的情况为例进行说明。
在通过以上的工序使树脂硬化之后，对金属箔180图案化(图9(c))，将图案化后的金属箔180作为掩模，在构成容纳部112的树脂形成通孔190(图9(d))。接着，在树脂基板110的表面110a形成镀层130a之后(图9(e))，通过对镀层130a图案化而形成配线层130(图10(a))，再根据需要在由覆膜130b对配线层130的表面进行表面处理之后(图10(b))，形成抗蚀膜140(图10(c))。
然后，从载体150剥离树脂基板110(图10(d))，只要通过蚀刻除去金属箔170(图10(e))，便完成本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板200。再有，并不需要依次进行图10(a)～(e)的工序，例如也可以依照树脂基板110的剥离(图10(d))、镀层130a的图案化(图10(a))、金属箔170的除去(图10(e))、抗蚀膜140的形成(图10(c))、配线层130的表面处理(图10(b))的顺序来进行工序。
通过以上所述，制作以面朝上方式搭载有半导体IC120的半导体IC内藏基板200。本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板200可以获得与第1实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100基本同样的效果。
图11是本发明优选的第3实施方式所涉及的半导体IC内藏基板300的截面图。
如图11所示，本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板300，在仅半导体IC120主面120a的一部分粘接有芯片附着膏体122而剩余的部分被填充在容纳部112的树脂覆盖方面，与上述的第1实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100不同。关于其它方面与第1实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100基本相同，因而对相同要素标注相同的符号，省略重复的说明。再有，关于半导体IC120的背面120b，其整个面被填充在容纳部112的树脂覆盖。关于半导体IC120的侧面120c，也优选其整个面被填充在容纳部112的树脂覆盖。由于通过所涉及的结构而使半导体IC120上下的热膨胀系数之差变小，因此在半导体IC120难以发生翘曲或开裂。
为了得到这样的结构，在图3(b)所示的工序中减小未硬化状态的芯片附着膏体122a的涂布面积，由此，只要在图3(c)所示的工序中以仅半导体IC120的主面120a的一部分接触于芯片附着膏体122a而剩余的部分不接触的形式粘接半导体IC120即可。关于半导体IC120的侧面120c也优选以芯片附着膏体122a不接触的形式粘接半导体IC120。据此，由于芯片附着膏体122a不会绕到半导体IC120的背面120b，因此芯片附着膏体122a不会附着于用于处理半导体IC120的安装机的头部分。
图12是本发明的优选的第4实施方式所涉及的半导体IC内藏基板400的截面图。
如图12所示，本实施方式所涉及的半导体IC内藏基板400，在仅在半导体IC120的背面120b的一部分粘接有芯片附着膏体122而剩余的部分被填充在容纳部112的树脂覆盖方面，与上述的第2实施方式所涉及的半导体IC内藏基板200不同。关于其它方面与第2实施方式所涉及的半导体IC内藏基板200基本相同，因而对相同要素标注相同的符号，省略重复的说明。再有，关于半导体IC120的主面120a，除了设置有外部端子121的部分之外，其整个面被填充在容纳部112的树脂覆盖。关于半导体IC120的侧面120c，也优选其整个面被填充在容纳部112的树脂覆盖。通过相关的结构，可以得到与上述第3实施方式相同的效果。
为了获得像这样的结构，在图8(b)所示的工序中减小未硬化状态的芯片附着膏体122a的涂布面积，由此，只要在图8(c)所示的工序中以仅半导体IC120的背面120b的一部分接触于芯片附着膏体122a而剩余的部分不接触的形式粘接半导体IC120即可。关于半导体IC120的侧面120c，也优选以芯片附着膏体122a不接触的形式粘接半导体IC120。关于其效果，与上述第3实施方式同样。
以上，已就本发明优选的实施方式作了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行各种各样的变更，不用说这些也是包含在本发明的范围内的。
例如，在上述实施方式中，将1个半导体IC120内藏于树脂基板110，但是对于所内藏的半导体IC的个数并不限定于此，也可以是2个以上。在内藏2个以上的半导体IC的情况下，可以将这2个以上的半导体IC埋入到同一树脂层内，也可以分别埋入到不同的树脂层内。在分别将半导体IC埋入到不同的树脂层的情况下，只要重复图3(b)～图5(b)的工序即可。

Claims (6)

1.一种半导体IC内藏基板，其特征在于：
具备树脂基板、埋入到所述树脂基板且被薄型化的半导体IC、以及形成在所述树脂基板的一个表面并与所述半导体IC的外部端子相连接的配线层，
所述树脂基板包含芯材浸渍于规定的树脂而成的芯部、以及以在平面上看被所述芯部包围的形式贯通所述芯部而设置的容纳部，
所述半导体IC埋入到填充在所述容纳部的所述规定的树脂，
所述配线层与露出于所述树脂基板的所述一个表面的所述芯部接触，
在所述树脂基板的另一个表面不设置配线层，
所述树脂基板的厚度中，所述容纳部比所述芯部薄，由此所述树脂基板的所述一个或另一个表面在所述容纳部具有凹陷的形状，
所述配线层的一部分埋入到使所述半导体IC的所述外部端子露出的通孔的内部。
2.如权利要求1所述的半导体IC内藏基板，其特征在于：
还具备覆盖所述配线层的抗蚀膜。
3.如权利要求1或2所述的半导体IC内藏基板，其特征在于：
所述半导体IC具有设置有外部端子的主面、以及位于与所述主面相反的侧的背面，
所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方的一部分用粘接剂覆盖，剩余的部分用所述规定的树脂覆盖。
4.如权利要求3所述的半导体IC内藏基板，其特征在于：
所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方整个面用所述规定的树脂覆盖。
5.如权利要求3所述的半导体IC内藏基板，其特征在于：
所述半导体IC的侧面不存在用所述粘接剂覆盖的部分。
6.如权利要求1或2所述的半导体IC内藏基板，其特征在于：
所述半导体IC具有设置有外部端子的主面、以及位于与所述主面相反的侧的背面，
所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方，仅一部分用所述规定的树脂覆盖，
所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方，整个面用所述规定的树脂覆盖。
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