CN105895368A - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，具有多个介电层和内电极，内电极具有引出部和电容部，引出部比电容部窄；第一外电极和第二外电极以及虚设电极，其中，第一外电极和第二外电极设置在陶瓷主体的沿长度方向的两个端表面上，以分别连接到第一引出部和第二引出部，虚设电极设置在介电层的与第一引出部和第二引出部相对应的边缘部的位置上，以与第一内电极和第二内电极沿陶瓷主体的宽度方向分开。
Description
本申请要求于2015年2月16日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0023516号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件。
背景技术
使用陶瓷材料的电子组件的示例包括电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等。
由于诸如小尺寸、高电容以及易于安装的优点，多层陶瓷电容器(MLCC)、陶瓷电子组件可应用于各种电子设备中。
例如，多层陶瓷电容器是安装在多种电子产品(例如，诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等的显示装置、计算机、个人数字助理(PDA)以及移动电话)的板上的片式电容器，以允许对其充电或使其放电。
多层陶瓷电容器可具有如下结构：多个介电层以及设置在介电层之间并接收不同极性的内电极交替地设置，介电层的没有形成内电极的部分中存在的空的空间作为边缘部。
在制造多层陶瓷电容器的过程中，当堆叠多个介电片并进行压制时，包含在覆盖层和有源层中的介电材料流动，因此介电材料的密度会变得均匀。
在这种情况下，介电层中的边缘部是介电层中产生台阶的部分，在台阶尺寸增大的情况下，内电极以及介电片的形成有内电极的部分中的介电材料在朝向边缘部运动的同时填充边缘部。在这种情况下，随着运动的介电材料和内电极的量增大，介电片的其厚度部分地减小的部分反而增大，因此产品的耐压特性会劣化。
具体地讲，在内电极的沿陶瓷主体的长度方向暴露的引出部形成为比内电极的电容部窄的情况下，由于陶瓷主体的台阶在与引出部对应的部分进一步增大，因此产品的耐受电压特性会进一步劣化。
发明内容
本发明的一方面可提供一种多层陶瓷电子组件，其中，所述多层陶瓷电子组件通过包括具有引出部比电容部窄的内电极以减小陶瓷主体的沿长度方向的边缘部中产生的台阶来提高耐受电压特性。
根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件可包括引出部窄于电容部的内电极。这里，虚设电极可设置在介电层的与引出部相对应的边缘部的位置上，以沿介电层的宽度方向与内电极分开。
根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：内电极，具有引出部和电容部，引出部比电容部窄；一个或更多个虚设电极，设置在介电层的均与引出部中的一个相对应的边缘部上并沿宽度方向与内电极分开。
根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体；第一外电极和第二外电极；一个或更多个虚设电极。陶瓷主体包括：多个介电层；第一内电极和第二内电极，按照使各个介电层介于第一内电极与第二内电极之间的方式交替地设置为彼此面对，第一内电极包括第一电容部和第一引出部，第二内电极包括第二电容部和第二引出部，其中，第一电容部和第二电容部彼此叠置，并且第一引出部和第二引出部分别从第一电容部和第二电容部延伸，以暴露到陶瓷主体的沿长度方向的各个端表面，其中，第一引出部和第二引出部的宽度分别比第一电容部和第二电容部的宽度窄。第一外电极和第二外电极分别设置在陶瓷主体的沿长度方向的端表面上，并且分别连接到第一引出部和第二引出部。一个或更多个虚设电极设置在介电层的分别与第一引出部和第二引出部中的一个相对应的边缘部上并沿陶瓷主体的宽度方向与第一内电极和第二内电极分开。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将会被更清楚地理解，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图；
图2是沿着图1的沿A-A’线截取的截面图；
图3是图1的省略了外电极的多层陶瓷电子组件的透视图；
图4是图1的堆叠结构的第一内电极和第二内电极的分解平面图；
图5是图1的彼此重叠的第一内电极和第二内电极的平面图；
图6是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图；
图7是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的透视图；
图8是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图；
图9是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图；
图10是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的透视图；
图11是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图；
图12是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图；
图13是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图；
图14是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图；
图15是根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。
然而，本公开可按照很多不同的形式实施，并不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的，并且将把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了清晰起见，可夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终用于表示相同或相似的元件。
根据示例性实施例，一种多层陶瓷电子组件可包括：内电极，具有引出部和电容部，引出部比电容部窄，其中，虚设电极(dummy electrode)被设置为在介电层的宽度方向上与位于介电层的对应于引出部的边缘部的位置上的内电极分开。
虚设电极可暴露于陶瓷主体的沿宽度方向的一个表面，虚设电极的暴露的部分的沿陶瓷主体的长度方向的内端部可与电容部的沿长度方向的端部布置在同一条虚线上。因此，虚设电极可用于识别陶瓷主体的沿长度方向的边缘部的位置。
作为另一示例，虚设电极可暴露于陶瓷主体的沿长度方向的一个表面，虚设电极的暴露的部分的沿陶瓷主体的宽度方向的内端部可与电容部的沿陶瓷主体的宽度方向的端部布置在同一条虚线上。因此，虚设电极可用于识别陶瓷主体的沿宽度方向的边缘的位置。
图1是根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图，图2是沿着图1的A-A’线截取的截面图，图3是图1的省略了外电极的多层陶瓷电子组件的透视图，图4是图1的堆叠结构的第一内电极和第二内电极的分解平面图，图5是示出图1的彼此重叠的第一内电极和第二内电极的平面图。
在本示例性实施例中，为了便于解释，图1中的“T”、“L”和“W”分别指厚度方向、长度方向和宽度方向。
参照图1至图5，根据本示例性实施例，多层陶瓷电子组件100可包括陶瓷主体110、第一内电极121和第二内电极122、第一外电极131和第二外电极132以及虚设电极141。
陶瓷主体110可通过沿厚度方向堆叠多个介电层111然后对堆叠的介电层111进行烧结而形成。
在这种情况下，陶瓷主体110的各个相邻的介电层111可彼此一体化，从而各个相邻的介电层111之间的界限不是显而易见的。
此外，陶瓷主体110可呈六面体形状。然而，陶瓷主体110的形状不限于此。
在本示例性实施例中，为了便于解释，陶瓷主体110的沿厚度方向(T)(介电层111堆叠的方向)彼此背对的表面将被定义为第一表面1和第二表面2，陶瓷主体110的将第一表面1和第二表面2彼此连接并且沿长度方向(L)彼此背对的表面将被定义为第三表面3和第四表面4，陶瓷主体110的连接第三表面3和第四表面4并且沿宽度方向(W)彼此背对的表面将被定义为第五表面5和第六表面6。
此外，具有预定厚度的上覆盖层112可形成在陶瓷主体110的最上面的内电极上，下覆盖层113可形成在陶瓷主体110的最下面的内电极之下。
上覆盖层112和下覆盖层113可分别由与介电层111的成分相同的成分形成，并且可通过分别在陶瓷主体110的最上面的内电极上和最下面的内电极之下堆叠至少一个或更多个介电层(不包括内电极)而形成。
介电层111可包含具有高介电常数的陶瓷材料(例如，BaTiO3基陶瓷粉末)。然而，介电层111的材料不限于此。
BaTiO3基陶瓷粉末可以是例如钙(Ca)、锆(Zr)等部分固溶在钛酸钡(BaTiO3)中的(Ba1-xCax)TiO3、Ba(Ti1-yCay)O3、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3等，但BaTiO3基陶瓷粉末不限于此。
此外，介电层111中还可包含陶瓷添加剂、有机溶剂、塑化剂、粘合剂和分散剂中的至少一种。
例如过渡金属氧化物或碳化物、稀土元素、镁(Mg)、铝(Al)等可用于陶瓷添加剂。
在第一内电极121和第二内电极122形成在陶瓷片(形成介电层111)上并进行堆叠之后，第一内电极121和第二内电极122可通过烧结按照每个介电层111介于第一内电极121与第二内电极122之间的方式交替地设置在陶瓷主体110中。
如上所述的第一内电极121和第二内电极122(为应用有彼此不同极性的电极)可被设置为沿介电层111的堆叠方向彼此面对，并且可通过设置在第一内电极121与第二内电极122之间的介电层111彼此电绝缘。
在本示例性实施例中，第一内电极121和第二内电极122可具有例如瓶颈形状，其中，第一内电极121和第二内电极122的暴露于陶瓷主体110的外部的部分的宽度比第一内电极121和第二内电极122彼此重叠的部分的宽度窄。这种瓶颈结构可减少内电极的裂纹和脱层的产生。
对于这种瓶颈结构，第一内电极121可包括第一电容部121a和第一引出部121b，第二内电极122可包括第二电容部122a和第二引出部122b，其中，第一电容部121a和第二电容部122a沿厚度方向彼此重叠，第一引出部121b的宽度可比第一电容部121a的宽度窄，第二引出部122b的宽度可比第二电容部122a的宽度窄。
第一引出部121b和第二引出部122b可以是分别从第一电容部121a和第二电容部122a延伸的部分，以分别引出到陶瓷主体110的沿长度方向的第三表面3和第四表面4。
第一电容部121a和第一引出部121b可通过锥形的第一连接部彼此连接，第二电容部122a和第二引出部122b可通过锥形的第二连接部彼此连接，但第一电容部121a和第一引出部121b以及第二电容部122a和第二引出部122b不限于此。第一电容部121a和第二电容部122a以及第一引出部121b和第二引出部122b的形状可进行各种改变。例如，第一引出部121b可以为相对于第一电容部121a呈大约90°角的台阶式，第二引出部122b可以为相对于第二电容部122a呈大约90°角的台阶式。
描述了如上所述的陶瓷主体的边缘部为锥形或台阶式的情况，在制造的多层陶瓷电子组件中，陶瓷主体的拐角部可按照加工工艺打磨成圆角。在这种情况下，会使陶瓷主体的拐角部与内电极之间的间距缩短，因此电子组件的电性能会劣化。
然而，当第一连接部(为将第一电容部121a和第一引出部121b彼此连接的侧部)和第二连接部(将连接二电容部122a和第二引出部122b彼此连接的侧部)为锥形或台阶式时，在拐角部与第一内电极121和第二内电极122之间可保持具有足够宽的间隔，因此保护第一内电极121和第二内电极122的介电材料的体积可相对增大，从而防止电子组件的电性质劣化。
此外，第一引出部121b和第二引出部122b的交替地暴露于陶瓷主体110的沿长度方向的第三表面3和第四表面4的端部可分别与位于陶瓷主体110的沿长度方向的第三表面3和第四表面4上的第一外电极131和第二外电极132的第一头部131a和第二头部132a接触，从而进行电连接。
第一内电极121和第二内电极122可由导电金属(例如，镍(Ni)、镍(Ni)合金等)形成。然而，第一内电极121和第二内电极122的材料不限于此。
通过上述构造，当将预定电压施加到第一外电极131和第二外电极132时，电荷可在彼此面对的第一内电极121和第二内电极122之间积累。
多层陶瓷电子组件100的电容可与沿介电层111的堆叠方向彼此重叠的第一电容部121a和第二电容部122a之间的重叠面积成比例。
第一外电极131和第二外电极132可分别设置到陶瓷主体110的沿长度方向的两个端部。
第一外电极131可包括第一头部131a和第一带部131b，第二外电极132可包括：第二头部132a和第二带部132b。
第一头部131a和第二头部132a可以是分别与第一内电极121的第一引出部121b以及第二内电极122的第二引出部122b的暴露的端部接触的部分，从而电连接到第一内电极121和第二内电极122，同时分别覆盖陶瓷主体110的沿长度方向的第三表面3和第四表面4。
第一带部131b和第二带部132b可以是分别从第一头部131a和第二头部132a延伸的部分，以部分地覆盖陶瓷主体110的周表面，并且用于提高第一外电极131与陶瓷主体110之间以及第二外电极132与陶瓷主体110之间的粘附强度并且在电子组件安装在板上时提高产品的电连接性等。
按照需要，镀层(未示出)可形成在第一外电极131和第二外电极132上。
作为示例，镀层可包括分别形成在第一外电极131和第二外电极132上的第一镍(Ni)镀层和第二镍(Ni)镀层以及分别形成在第一镍镀层和第二镍镀层上的第一锡(Sn)镀层和第二锡(Sn)镀层。然而，镀层不限于此。
虚设电极141可被设置为在每个介电层111的与第一内电极121的第一引出部121b以及第二内电极122的第二引出部122b相对应的边缘部的位置与第一内电极121和第二内电极122沿宽度方向分开。
虚设电极141可用于补偿沿宽度方向的边缘，其中，所述边缘根据由于称之为瓶颈形状的结构(引出部比电容部窄的结构)而与第一电容部121a和第二电容部122a相比在第一内电极121或第二内电极122中相对减小的第一引出部121b和第二引出部122b的面积而相对增大。
因此，由于陶瓷主体110的沿长度方向的两个边缘部中的台阶可通过虚设电极141而减小，因此可减少裂纹和脱层的产生，并且可提高产品的耐受电压特性。
在根据相关技术的多层陶瓷电容器中，在通过切割陶瓷主体(在制造工艺中完成陶瓷主体的压制)制造电容器之后，可用肉眼观察电容器的沿W-T方向切割的截面或者对电容器的沿W-T方向切割的截面进行成像而将内电极和介电层彼此辨别出来，从而可确认电容器的沿宽度方向的边缘。
然而，当用肉眼或成像观察电容器的沿L-T方向切割的截面时，可能仅观察到介电层，并且可能难以辨别出设置在陶瓷主体内的各个内电极。因此，电容器的沿长度方向切割的边缘可能不能够用于使用肉眼或成像对电容器进行分类。
根据现有技术，为了观察电容器的沿长度方向的截面的边缘，使用沿L-T方向截断并切割电容器的中部的方法。然而，在这种情况下，由于切割的电容器破损而导致会产生损失。
根据本示例性实施例，每个虚设电极141可暴露于陶瓷主体110的沿宽度方向的第五表面5和第六表面6的靠近虚设电极141的一个表面。
虚设电极141的暴露的部分中的沿陶瓷主体110的长度方向的内端部可与第一电容部121a和第二电容部122a的沿长度方向的端部布置在同一条虚线上。
虚设电极141的暴露于陶瓷主体110的第五表面5或第六表面6的部分可用作陶瓷主体110的沿长度方向的边缘Li的标记。
因此，在通过切割工艺进行切割而不损坏电子组件的沿L-T方向的中部的情况下，可通过虚设电极141的暴露于陶瓷主体110的第五表面5或第六表面6的部分使用肉眼或通过对其成像而容易地确认多层陶瓷电子组件100的沿长度方向的边缘。
此外，由于上述结构，可通过解决以下问题来提高成品率：在未对电容器进行分类的状态下，对没有损坏的或切割的电容器执行后处理(例如，烧结、外电极形成工艺、镀覆工艺等)之后，基于电容器的电特性对电容器进行分类，而当电容器有缺陷时，电容器报废。
虽然在本示例性实施例中示出并描述了虚设电极141设置在一个介电层111的所有四个拐角部的周围的情况，但虚设电极141不限于此。也就是说，如果必要的话，虚设电极141可仅由设置在与第一引出部121b或第二引出部122b相邻的部分中的一个或两个虚设电极组成。
此外，每个虚设电极141可暴露于陶瓷主体110的沿长度方向的第三表面3和第四表面4中靠近虚设电极141的一个表面。
虚设电极141的暴露的部分中的沿陶瓷主体110的宽度方向的内端部可与第一电容部121a和第二电容部122a的沿宽度方向的端部布置在同一条虚线上。
虚设电极141的暴露于陶瓷主体110的第三表面3或第四表面4的部分可用作陶瓷主体110的沿宽度方向的边缘Wi的标记。
在本示例性实施例中，虚设电极141可具有与通过如下获得的构造相似的构造：按照四边形形状形成虚设电极141，并且对所述四边形的位于陶瓷主体110中的的角以及所述四边形的位于陶瓷主体110的拐角中的角中的一个角或两个角进行倒角。
虚设电极141可具有六边形形状，六边形的一条边可暴露于陶瓷主体110的沿长度方向的一个表面，六边形的另一条边可暴露于陶瓷主体110的沿宽度方向的一个表面。
变型的示例性实施例
图6是示出根据另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图。
参照图6，根据本示例性实施例，虚设电极142可具有四边形形状，并且具有四边形形状的虚设电极142的一侧可暴露于陶瓷主体110的第五表面5和第六表面6中的靠近四边形形状的虚设电极142的一个表面。虚设电极142的暴露的部分中的沿长度方向(L)的内端部可与第一电容部121a和第二电容部122a的沿长度方向的端部布置在同一条虚线上，从而用作陶瓷主体110的沿长度方向的边缘Li的标记。
在这种情况下，虚设电极142可被设置为不暴露于陶瓷主体110的沿长度方向的第三表面3和第四表面4，并且虚设电极142的与其暴露的侧部相对的另一侧可被设置为与第一内电极121和第二内电极122分开。
图7和图8是示出根据另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的透视图和平面图。
参照图7和图8，根据本示例性实施例，虚设电极144可具有四边形形状，虚设电极144的彼此连接的两侧可暴露于陶瓷主体110的靠近虚设电极144的拐角。
在这种情况下，虚设电极144的沿长度方向(L)的长度可比第一引出部121b和第二引出部122b的沿长度方向(L)的长度短，因此虚设电极144可不与第一内电极121和第二内电极122接触，并且虚设电极144的暴露于陶瓷主体110的宽度方向(W)的第五表面5和第六表面6的内端部可与第一电容部121b和第二电容部122b的沿宽度方向的端部布置在同一条虚线上，从而用作陶瓷主体110的沿宽度方向的边缘Wi的标记。
如图9所示，可按照倾斜的形式对设置在陶瓷主体110中的虚设电极145的拐角进行倒角。
在这种情况下，虚设电极145的沿长度方向(L)的长度可与第一引出部121b和第二引出部122b的沿长度方向(L)的长度相同，因此虚设电极145可用作陶瓷主体110的沿长度方向的边缘Li的标记。
此外，虚设电极145的暴露于陶瓷主体110的沿宽度方向(W)的第五表面5和第六表面6的内端部可与第一电容部121b和第二电容部122b的沿宽度方向的端部布置在同一条虚线上，从而用作陶瓷主体110的沿宽度方向的边缘Wi的标记。
如图10和图11所示，可切除虚设电极146的设置在陶瓷主体110的拐角中的角，因此虚设电极146可具有槽部。
如图12所示，如果必要的话，可按照倾斜的形式对虚设电极150的设置在陶瓷主体110的拐角中的角进行倒角。
图13是根据另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图。
参照图13，根据本示例性实施例，虚设电极147可具有三角形形状，并且三角形的位于三角形的最长边的两端的两个顶点可分别暴露于陶瓷主体110的沿长度方向的第三表面3和第四表面4中的靠近虚设电极147的一个表面以及暴露于陶瓷主体110的沿宽度方向第五表面5和第六表面6中的靠近虚设电极147的一个表面。
图14和图15是根据本发明的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的虚设电极的平面图。
参照图14，虚设电极148可具有多边形形状，并且分别暴露于陶瓷主体110的沿长度方向的一个表面以及陶瓷主体110的沿宽度方向的一个表面，而具有多边形形状的虚设电极148的侧部可暴露于陶瓷主体的沿长度方向的一个表面，并且具有多边形形状的虚设电极148的顶点可暴露于陶瓷主体的沿宽度方向的一个表面。
相反地，如果必要的话，虚设电极148可形成为使多边形的顶点暴露于陶瓷主体110的沿长度方向的一个表面并使多边形的侧部暴露于陶瓷主体110的沿宽度方向的一个表面。
此外，如图15所示，可对设置在陶瓷主体110中的虚设电极149的拐角进行倒角。
如上所述，根据本公开的示例性实施例，内电极可包括电容部以及比电容部窄的引出部，因此陶瓷主体的沿长度方向的边缘部的台阶可减小，从而减少裂纹和分层的产生，并且提高产品的耐受电压特性。
虽然上面示出并描述了示例性实施例，但是对本领域的技术人员将明显的是，在不脱离由权力要求限定的本发明的范围的情况下，可以做出修改和改变。
Claims (16)
1.一种多层陶瓷电子组件，包括：
内电极，具有引出部和电容部，引出部比电容部窄；
一个或更多个虚设电极，设置在介电层的均与引出部中的一个相对应的边缘部上并沿宽度方向与内电极分开。
2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个暴露于陶瓷主体的沿宽度方向的一个表面，虚设电极的暴露部分的沿陶瓷主体的长度方向的内端部与电容部的沿长度方向的端部布置在同一条虚线上。
3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个暴露于陶瓷主体的沿长度方向的一个表面，虚设电极的暴露部分的沿陶瓷主体的宽度方向的内端部与电容部的沿宽度方向的端部布置在同一条虚线上。
4.一种多层陶瓷电子组件，包括：
陶瓷主体，包括：
多个介电层；
第一内电极和第二内电极，按照使各个介电层介于第一内电极与第二内电极之间的方式交替地设置为彼此面对，第一内电极包括第一电容部和第一引出部，第二内电极包括第二电容部和第二引出部，其中，第一电容部和第二电容部彼此叠置，并且第一引出部和第二引出部分别从第一电容部和第二电容部延伸，以暴露到陶瓷主体的沿长度方向的各个端表面，
其中，第一引出部和第二引出部的宽度分别比第一电容部和第二电容部的宽度窄；
第一外电极和第二外电极，分别设置在陶瓷主体的沿长度方向的端表面上，并且分别连接到第一引出部和第二引出部；
一个或更多个虚设电极，设置在介电层的分别与第一引出部和第二引出部中的一个相对应的边缘部上并沿陶瓷主体的宽度方向与第一内电极和第二内电极分开。
5.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，第一内电极和第二内电极还分别包括第一连接部和第二连接部，第一连接部将第一电容部和第一引出部彼此连接并形成为锥形，第二连接部将第二电容部和第二引出部彼此连接并形成为锥形。
6.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个暴露于陶瓷主体的沿宽度方向的一个表面。
7.如权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极的暴露的部分的沿陶瓷主体的长度方向的内端部与第一电容部和第二电容部的沿长度方向的端部布置在同一条虚线上。
8.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个暴露于陶瓷主体的沿长度方向一个表面。
9.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极的暴露的部分的沿陶瓷主体的宽度方向的内端部与第一电容部和第二电容部的沿宽度方向的端部布置在同一条虚线上。
10.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，一个或更多个虚设电极中的至少一个暴露于陶瓷主体的拐角。
11.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个具有四边形形状，并且暴露于陶瓷主体的沿宽度方向的一个表面。
12.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个具有四边形形状，并且暴露于陶瓷主体的拐角。
13.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个具有四边形形状，并且具有呈倒角的拐角。
14.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个具有四边形形状，并且具有位于陶瓷主体的拐角处的呈倒角的拐角。
15.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个具有三角形的形状，并且位于三角形的最长边的两端的两个端点分别暴露于陶瓷主体的沿长度方向的一个表面和陶瓷主体的沿宽度方向的一个表面。
16.如权利要求4所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述一个或更多个虚设电极中的至少一个具有多边形形状并暴露于陶瓷主体的沿长度方向的一个表面和陶瓷主体的沿宽度方向的一个表面，并且具有设置在陶瓷主体的拐角处的槽部。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107645879A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-30 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种陶瓷电子部件及其制备方法 |
| CN110574131A (zh) * | 2017-05-15 | 2019-12-13 | 株式会社村田制作所 | 层叠型电子部件和层叠型电子部件的制造方法 |
| CN110797196A (zh) * | 2018-08-02 | 2020-02-14 | 三星电机株式会社 | 多层电容器 |
| CN112151272A (zh) * | 2019-06-26 | 2020-12-29 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
| CN112242248A (zh) * | 2019-07-17 | 2021-01-19 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
| CN112735824A (zh) * | 2017-09-26 | 2021-04-30 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器及制造其的方法 |
| CN113161145A (zh) * | 2020-01-23 | 2021-07-23 | 三星电机株式会社 | 多层电子组件 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160013703A (ko) | 2014-07-28 | 2016-02-05 | 삼성전기주식회사 | 적층 커패시터, 그 제조 방법 및 그를 사용하는 전자기기 |
| JP6266583B2 (ja) * | 2015-12-07 | 2018-01-24 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
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| JP6851174B2 (ja) * | 2016-10-26 | 2021-03-31 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR101933416B1 (ko) * | 2016-12-22 | 2019-04-05 | 삼성전기 주식회사 | 커패시터 부품 |
| KR101952871B1 (ko) | 2017-04-13 | 2019-02-28 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그의 실장 기판 |
| KR102620526B1 (ko) * | 2018-08-14 | 2024-01-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| KR102142516B1 (ko) * | 2018-09-04 | 2020-08-07 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 |
| JP7446318B2 (ja) | 2019-01-28 | 2024-03-08 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 超広帯域性能を有する積層セラミックコンデンサ |
| KR20210009628A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-27 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 |
| KR20190116176A (ko) * | 2019-09-19 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| CN114762067A (zh) * | 2019-11-08 | 2022-07-15 | 阿莫技术有限公司 | 宽带电容器 |
| KR20220048221A (ko) * | 2020-10-12 | 2022-04-19 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| JP2023019368A (ja) * | 2021-07-29 | 2023-02-09 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101154503A (zh) * | 2006-09-29 | 2008-04-02 | Tdk株式会社 | 叠层电容器 |
| US20080144253A1 (en) * | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
| US20090154055A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
| US20120134068A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-05-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayered ceramic capacitor |
| CN102568824A (zh) * | 2010-09-28 | 2012-07-11 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件 |
| JP2012231078A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Kyocera Corp | コンデンサ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129476A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| JP2001167908A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Tdk Corp | 半導体電子部品 |
| JP2003282356A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | コンデンサアレイ |
| JP4375006B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2009-12-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| KR100587006B1 (ko) | 2004-12-23 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 및 그 제조 방법 |
| JP5217692B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-06-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP5267583B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2013-08-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP5287934B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2013-09-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの製造方法 |
| KR20130039400A (ko) * | 2011-10-12 | 2013-04-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| KR101630029B1 (ko) * | 2014-03-07 | 2016-06-13 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품의 실장 기판 |
-
2015
- 2015-02-16 KR KR1020150023516A patent/KR102236098B1/ko active IP Right Grant
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- 2015-10-30 CN CN201510727985.2A patent/CN105895368B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101154503A (zh) * | 2006-09-29 | 2008-04-02 | Tdk株式会社 | 叠层电容器 |
| US20080144253A1 (en) * | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
| US20090154055A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
| CN102568824A (zh) * | 2010-09-28 | 2012-07-11 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件 |
| US20120134068A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-05-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayered ceramic capacitor |
| JP2012231078A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Kyocera Corp | コンデンサ |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110574131A (zh) * | 2017-05-15 | 2019-12-13 | 株式会社村田制作所 | 层叠型电子部件和层叠型电子部件的制造方法 |
| CN110574131B (zh) * | 2017-05-15 | 2022-05-17 | 株式会社村田制作所 | 层叠型电子部件和层叠型电子部件的制造方法 |
| CN107645879A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-30 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种陶瓷电子部件及其制备方法 |
| CN112735824A (zh) * | 2017-09-26 | 2021-04-30 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器及制造其的方法 |
| CN110797196A (zh) * | 2018-08-02 | 2020-02-14 | 三星电机株式会社 | 多层电容器 |
| CN112151272A (zh) * | 2019-06-26 | 2020-12-29 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
| CN112151272B (zh) * | 2019-06-26 | 2023-03-28 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
| US11705279B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-07-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
| CN112242248A (zh) * | 2019-07-17 | 2021-01-19 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
| CN112242248B (zh) * | 2019-07-17 | 2023-09-01 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
| CN113161145A (zh) * | 2020-01-23 | 2021-07-23 | 三星电机株式会社 | 多层电子组件 |
| CN113161145B (zh) * | 2020-01-23 | 2024-05-14 | 三星电机株式会社 | 多层电子组件 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |