CN105706189A - 电子部件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明为使用含有有机硅树脂的封装材料的电子部件的制造方法，其包括：在含有有机硅树脂的封装材料中浸渍元件的工序，所述有机硅树脂中添加有添加量控制在60[重量％]以上且小于70[重量％]的范围的氢氧化铝或氢氧化镁以及添加有非极性溶剂；使形成在元件表面的封装材料干燥，蒸发非极性溶剂，且使有机硅树脂成分呈现在封装材料表面的工序；使封装材料固化的固化工序。由此，能够在维持封装材料的不燃性和绝缘耐压的同时削减有机硅树脂。

Description

电子部件及其制造方法

技术领域

本发明的技术涉及电压非线性电阻器等电子部件，且涉及覆盖元件的封装材料的阻燃化技术或不燃化技术。

背景技术

在电子设备、电气设备等各种设备中，为了轻量化而在框体等中使用塑料等可燃材料，并且由于设备的小型化要求等，谋求电子部件安装的高密度化，从而电子部件的烧损成为导致邻接的电子部件、设备整体损伤的原因。

由于这样的不良情况，使用可变电阻(电压非线性电阻器)作为保护电子部件或设备的电子部件。可变电阻具有对应施加电压的上升而急速降低电阻的电压非线性电阻特性，因此被用作电涌吸收元件。

作为可变电阻的一例，在氧化锌的粉末中混合微量的氧化铋粉末等，使用模具将其成型为圆板状后，以1000[℃]以上进行烧结，在得到的烧结体的两面烧接直径小于烧结体的圆板状的电极，利用焊料在该电极的各个外表面连接引线，从而形成元件，将该元件用环氧树脂等包覆，从而形成封装。该封装起到提高可变电阻的机械强度、耐热性的功能。

可变电阻通常用于在外来或内来电涌下保护电子部件或设备，可变电阻吸收超过吸收能量界限的电涌时，发生破损而成为短路状态，其封装材料有可能燃烧。可变电阻的封装材料通常由无机填料成分和环氧树脂成分形成，封装材料的燃烧是由于环氧树脂成分的燃烧所导致。

因此，封装材料使用阻燃性材料。对于该阻燃性材料，使用例如含有作为阻燃剂的溴或锑的环氧树脂。但是，环氧树脂虽为阻燃性，但可变电阻发热且该发热持续时，环氧树脂有可能发生燃烧。一旦发生燃烧，则该燃烧有可能持续至封装材料中的可燃性成分消失为止。

对于该封装材料的不燃化，已知有添加溴、锑的阻燃剂的技术。该阻燃剂增加时，树脂本身的加热流速(流动性)降低，难以形成封装膜。在粉体树脂涂装中，树脂量达30[wt％]以下时，难以形成封装膜。若将封装材料中的可燃成分减少至燃烧界限量以下，则能够使封装材料不燃化。

溴系的阻燃剂具有通过气化来抑制树脂成分燃烧的功能。气化后的溴成分对于环境的负荷大，存在臭氧层的破坏等，其使用往往受到限制。

已知有一种可变电阻，其中，关于这样的可变电阻的封装不燃化，在保护涂布中使用有机硅树脂代替溴系的阻燃剂作为阻燃性优异的涂布材料(例如专利文献1)。

已知有一种可变电阻，其中，关于有机硅树脂的燃烧抑制化，通过在有机硅树脂或有机硅弹性体中添加氢氧化铝或氢氧化镁作为阻燃剂来提高封装材料的阻燃性，利用有机硅树脂或有机硅弹性体的橡胶弹性，来抑制陶瓷内容物或封装材料本身的飞散(例如专利文献2)。

此外，已知有一种可变电阻，其中，在液态的有机硅主剂中添加固化剂，并使用添加有氢氧化铝的有机硅橡胶作为封装材料对这两种剂进行包覆(例如专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平6-215910号公报

专利文献2:日本特开2005-277100号公报

专利文献3:日本特开2006-286986号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在含有可变电阻的电子部件中，维持以往的过电压特性的同时，还要求更高的过电压。在该电子部件中，有机硅(silicone)系树脂材料不可欠缺但却很昂贵。

因此，本发明的目的在于维持不燃性和绝缘耐压特性的同时，削减有机硅树脂。

用于解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明的技术的一个方面为使用含有有机硅树脂的封装材料的电子部件的制造方法，该制造方法包括：在含有有机硅树脂的封装材料中浸渍元件的工序，所述有机硅树脂中添加有氢氧化铝或氢氧化镁以及非极性溶剂，氢氧化铝或氢氧化镁的添加量控制在60[重量％]以上且小于70[重量％]的范围；对形成在所述元件表面的所述封装材料进行干燥，使所述非极性溶剂蒸发，且使有机硅树脂成分呈现在所述封装材料表面的工序；使所述封装材料固化的固化工序。

在上述电子部件的制造方法中，所述氢氧化铝或所述氢氧化镁的添加量可以在60[重量％]以上65[重量％]以下的范围。

在上述电子部件的制造方法中，所述氢氧化铝或所述氢氧化镁的平均粒径可以在15[μm]以上且小于50[μm]的范围。

在上述电子部件的制造方法中，所述非极性溶剂的蒸汽压可以为0.5～10[kPa]。

为了实现上述目的，本发明的技术的一个方面为使用含有有机硅树脂的封装材料的电子部件，在所述有机硅树脂中添加有非极性溶剂、和氢氧化铝或氢氧化镁，该氢氧化铝或该氢氧化镁的添加量为60[重量％]以上且小于70[重量％]的范围；随着干燥，所述非极性溶剂呈现在所述封装材料的表面并蒸发，所述有机硅树脂呈现在所述封装材料的表面，发生固化。

在上述电子部件中，所述氢氧化铝或所述氢氧化镁的平均粒径可以为15[μm]以上且小于50[μm]的范围。

在上述电子部件中，在自所述封装材料表面起的深度方向的30[％]以内，该封装材料可以含有具有84至100[％]的浓度梯度的氢氧化铝或氢氧化镁。

发明效果

根据本发明，得到了如下任一效果。

(1)能够在维持封装材料的不燃性和绝缘耐压特性的同时削减有机硅树脂。

(2)即使由于施加大于额定电压的过电压，可变电阻瞬间发生破坏的情况下，也能够抑制封装树脂的飞散。

(3)能够削减有机硅树脂的使用量，从而能够降低制造成本。

并且，通过参照附图和各实施方式，将会更加明确本发明的其他目的、特点和优点。

附图说明

图1为示出第1实施方式的可变电阻的截面图。

图2为示出可变电阻的制造方法的处理工序和封装树脂的图。

图3为示出封装树脂层的浸渍处理的图。

图4为示出封装树脂层和玻璃层的状态的截面图。

图5为示出不燃性的实验结果的图。

图6为示出绝缘耐压的实验结果的图。

图7为示出封装树脂层的表面状态的评价结果的图。

具体实施方式

图1示出的是可变电阻的截面。

该可变电阻2为电压非线性电阻器，其为本发明的电子部件的一例。

在该可变电阻2中，电压非线性性电阻元件(以下简称为“元件”)4的表面覆盖有封装材料6。元件4为可变电阻元件的一例。

元件4中使用有陶瓷坯体8。该陶瓷坯体8为烧结体，其例如以氧化锌为主成分，并添加有氧化镁、氧化铋、氧化钴等。该烧结体为例如直径10[mm]左右的柱体。

该陶瓷坯体8的表面设置有电极10-1、10-2。在电极10-1上利用焊料连接有引线12-1，在电极10-2上利用焊料连接有引线12-2。

对于封装材料6，作为其一例，封装材料6包括封装树脂层6-1和玻璃层6-2。其是封装树脂层6-1为第1包覆层、玻璃层6-2为第2包覆层的例子。

图2的A以工序顺序示出了可变电阻2的制造方法。

该可变电阻2的制造方法中包括元件的形成工序S1、浸渍工序S2、干燥工序S3、固化工序S4和涂布工序S5。

在元件的形成工序S1中形成元件4。对于元件4的陶瓷坯体8，作为其一例，在作为主成分的氧化锌中加入氧化镁、氧化铋、氧化钴等，并对其进行烧结。通过该烧结得到的烧结体为例如直径10[mm]左右的柱体。在该陶瓷坯体8的一个表面侧进行电极10-1的印刷、烧制，在另一个表面侧进行电极10-2的印刷、烧制。

利用焊接在电极10-1上连接上述的引线12-1，利用焊接在电极10-2上连接引线12-2。

该元件4的形成工序S1之后，移动到浸渍工序S2。在该浸渍工序S2中，在元件的形成工序S1得到的元件4上形成封装材料6中的封装树脂层6-1。对于该封装树脂层6-1，作为其一例，使用封装树脂14。如图2的B所示，对于该封装树脂14，在有机硅树脂16中添加有氢氧化铝18和溶剂20。

在作为主剂的有机硅树脂16中以小于70[重量％＝wt％]的范围添加氢氧化铝18。该添加量的范围更优选为60[重量％]以上65[重量％]以下。

对于溶剂20，使用与有机硅树脂16的相溶性好的溶剂种类即可，例如使用非极性溶剂的溶剂种类即可。与有机硅树脂16的相溶性差的情况下，溶剂20排斥有机硅树脂16，因此干燥时产生针孔、在封装树脂层6-1内部残留气泡，因此与有机硅树脂16的相溶性很重要。对于非极性溶剂，可以使用例如苯、甲苯、二甲苯、环己烷等中的任一种。

通过添加溶剂20，能够使封装树脂14低粘度化，能够增多氢氧化铝18相对于封装树脂14的配混量，从而提高封装树脂14的形成性。并且，氢氧化铝18能够均匀分散化，因此能够防止氢氧化铝18在封装树脂层6-1的平面方向上的集中所导致的绝缘耐压的降低。

在该可变电阻2中，封装树脂层6-1为1层结构，因此与2层结构不同，即使在封装树脂层6-1产生针孔，也无法用第2层覆盖。即，对于可变电阻2的封装树脂层6-1，为了提高阻燃性，增多氢氧化铝18的配混比的同时，还必须防止氢氧化铝18的集中与针孔。因此，将与氢氧化铝18的相溶性好的非极性溶剂的溶剂20加入有机硅树脂16中。在该构成中，需要同时实现绝缘耐压的提高与外表面的形成性的维持，不在封装树脂14产生针孔，进行低粘度化且防止氢氧化铝18的集中。需要说明的是，非极性溶剂的蒸汽压(＝挥发性)优选为0.5～10[kPa]的程度。蒸汽压高的情况下，封装树脂层6-1的表面产生针孔，该表面状态不理想。另一方面，蒸汽压低的情况下，封装树脂层6-1的表面状态良好，但干燥工序中的溶剂20的蒸发耗时。

图3示出的是陶瓷坯体8向封装树脂14的浸渍处理。

如图3的A所示，浸渍处理槽22中填充有低粘度化的封装树脂14。若在该封装树脂14内进行元件4的浸渍、提拉，则如图3的B所示，元件4的表面被封装树脂14覆盖，在元件4的表面形成上述的封装树脂层6-1。

该浸渍处理之后，移动到干燥工序S3。在该干燥工序S3中，使大部分溶剂20从元件4的形成封装树脂层6-1的封装树脂14中挥发。在该工序中，封装树脂14未完全固化。

需要说明的是，该干燥工序S3优选在常温(20～30[℃])下处理。

经过该干燥工序S3，移动到固化工序S4。在该固化工序S4中，对封装树脂层6-1进行热处理使其固化。通过该固化，封装树脂层6-1得以成型。在固化工序S4中，利用热处理使干燥工序S3结束后残留的溶剂20蒸发，同时使有机硅树脂成分呈现在封装树脂层6-1的表面。即，通过实施热处理，残留在封装树脂14内的溶剂20移动至封装树脂层6-1的表面，呈现在表面并蒸发。此时，有机硅树脂成分也与移动至封装树脂层6-1的表面的溶剂20一起呈现在封装树脂层6-1的表面。之后，进一步利用热处理，呈现在封装树脂层6-1的表面的有机硅树脂成分发生固化，显示出光泽。需要说明的是，固化工序的条件适当设定即可，温度为例如150[℃]、固化时间为例如1小时即可。

对于这样的处理，包括图4的A所示的第一方案与图4的B所示的第二方案。如图4的A所示，在第一方案中，在元件4的表面形成第1区域611、第2区域612。区域611为薄皮层，相对于树脂厚度的整体，其厚度为例如30[％]左右。该区域611的厚度为自封装材料6的表面起的深度的一例。在区域611中，自薄皮层的表面起至深度方向30[％]，氢氧化铝18的浓度为例如树脂配混比约84～100[％]。此外，在区域612，在自薄皮层的表面起的深度方向30[％]以上，氢氧化铝18的浓度为例如树脂配混比约100～109[％]。

在第二方案中，形成有第1区域621、第2区域622、第3区域623。区域621为薄皮层，自该薄皮层的表面起至深度方向30[％]，氢氧化铝18的浓度为例如树脂配混比约84～100[％]。对于区域622，自薄皮层表面起至深度方向50[％]，氢氧化铝18的浓度为树脂配混比约90～100[％]。此外，对于区域623，在自薄皮层的表面起的深度方向50[％]以上，氢氧化铝18的浓度为例如树脂配混比约100～119[％]。该浓度表明了固化时的树脂成分的移动所产生的浓度梯度，该值为相对于树脂配混比例的最大的估计值。该氢氧化铝18从上层供给至下层，因此减掉移动至下层的部分后的上层的浓度即为浓度范围。该浓度范围为该区域的平均值，据认为局部存在低于下限值的浓度部分。因此，在该处理中，区域的范围可以为区域611、621的平均的最小值减去16[％]，区域612、622的平均的最大值加上9[％]。

需要说明的是，氢氧化铝18的浓度为利用能量分散型X射线分析(EDX：EnergyDispersiveX-rayspectrometry)测定得到的数值。

该固化工序S4之后，移动到涂布工序S5。在该涂布工序S5中，在封装树脂层6-1的表面进行玻璃涂布。在该玻璃涂布中，作为其一例，将用封装树脂层6-1覆盖的元件4浸渍于硅溶胶中进行玻璃涂布。对该玻璃涂布实施热处理使其固化，从而形成玻璃层6-2。由此，得到图1所示的可变电阻2。

<上述实施方式的效果>

(1)以有机硅树脂16为主剂，添加有小于70[重量％]的氢氧化铝18，更优选添加量为60～65[重量％]，因此能够削减相应部分的有机硅树脂16。由此，能够降低材料费等成本。

(2)可以在封装树脂14中添加溶剂20，能够抑制由于氢氧化铝18导致的高粘度化。即，利用添加溶剂20带来的封装树脂14的低粘度化，能够配混较多的氢氧化铝18，能够提高基于封装树脂14的封装树脂层6-1的成型性。

(3)利用添加溶剂20带来的封装树脂14的低粘度化，能够防止氢氧化铝18在封装树脂14中的集中。由此，能够防止由于氢氧化铝18在封装树脂层6-1内的集中导致的可变电阻2的绝缘耐压的降低。即，可得到优异的过电压特性。

(4)伴随着固化工序中的溶剂20的蒸发，能够使有机硅树脂16呈现在封装树脂层6-1的表面，因此能够在可变电阻2的表面显示出光泽。

(5)有机硅树脂16具有柔软性，因此即使由于施加大于额定电压的过电压，可变电阻瞬间发生破坏的情况下，也能够抑制封装树脂层6-1的飞散。

(6)封装树脂层6-1的表面成为呈现光泽的状态，提高了在封装树脂层6-1的表面激光印字有可变电阻的额定值等时的视认性。

(7)此外，通过使有机硅树脂16呈现在封装树脂层6-1的表面，防止了在表面形成刮伤，提高了耐刮痕性。

(8)在溶剂20中使用非极性溶剂，因此与有机硅树脂16的相溶性好，能够防止在封装树脂层6-1产生针孔。由此也能够防止可变电阻2的绝缘耐压的降低。

(9)越接近元件4，则封装树脂层6-1中的氢氧化铝18的浓度越高，因此进一步提高了抑制元件4的燃烧的效果。

<实验结果>

(1)不燃性的评价

该不燃性的评价涉及可变电阻2的燃烧特性。在该评价实验中，施加荷电率85[％](可变电阻电压V1[mA]×0.85)的AC电压时，对于封装材料6的封装树脂层6-1，以氢氧化铝18的粒径[μm]为参数，对每个配混比[wt％]的燃烧时间进行测定。图5的A示出该测定值，图5的B示出曲线图。在图5的B中，a为平均粒径＝10[μm]，b为平均粒径＝15[μm]，c为平均粒径＝30[μm]，d为平均粒径＝50[μm]。

在该不燃性的评价中，作为基于过电压破坏的不燃性的判断基准，将燃烧时间小于1[秒]作为具有不燃性效果。

根据该评价实验，若使平均粒径为30[μm]以上，且配混比为55[wt％]以上，则燃烧时间小于1[秒]，确认到不燃性。

即使平均粒径小于30[μm]，若配混比为60[wt％]以上，则燃烧时间也小于1[秒]，确认到不燃性。

即使平均粒径为10[μm]～50[μm]，若配混比为65[wt％]以上，则燃烧时间为0.5[秒]以下，确认到良好的不燃性。

如此，若在作为主剂的有机硅树脂16中以小于70[wt％]的范围添加氢氧化铝18，则确认到燃烧时间小于1.0[秒]的不燃性，若使氢氧化铝18的添加量的范围为60[wt％]以上65[wt％]以下，则得到更优选的不燃性。因此，能够在削减有机硅树脂16的同时提高可变电阻2的不燃性。

(2)绝缘耐压的评价

在该绝缘耐压的评价实验中，以氢氧化铝18的粒径[μm]为参数，对配混比[wt％]的绝缘破坏进行测定。图6的A示出该测定值，图6的B示出曲线图。在图6的B中，b为平均粒径＝15[μm]，c为平均粒径＝30[μm]，d为平均粒径＝50[μm]。

在该绝缘耐压的评价中，对于耐压[kV/mm]，将10[kV/mm]以上判定为具有绝缘耐压效果。

根据该评价实验，与平均粒径为15[μm]、30[μm]、50[μm]无关，只要配混比为65[wt％]以下，则得到10[kV/mm]以上的绝缘耐压效果。

因此，在作为主剂的有机硅树脂16中以小于70[wt％]的范围添加氢氧化铝18的情况下，若优选为60[wt％]～65[wt％]，则能够得到10[kV/mm]以上的绝缘耐压效果，维持可变电阻2的过电压特性。此外，对于配混比为60[wt％]～65[wt％]，最优选平均粒径为30[μm]的氢氧化铝。

(3)表面状态的评价

对于该表面状态的评价实验，目测观察形成在元件4上的封装树脂层6-1的表面性状。图7示出该评价结果。

在该评价中，以封装树脂层6-1的表面的光泽进行判断，有光泽的情况为○，光泽减少的情况为△，光泽消失的情况为×。

在该光泽的评价中，与粒径无关，若使氢氧化铝18的配混比为70[wt％]，则表面的光泽消失。

封装树脂层6-1的表面的光泽并不直接影响可变电阻2的功能，但因为损害外观上的美观，因此优选封装树脂层6-1的表面具有光泽。此外，有时在封装树脂层6-1的表面对可变电阻的额定值等进行激光印字。此时，在具有光泽的封装树脂层6-1的表面用激光印字的情况，与表面状态为凹凸状态相比，视认性提高。光泽层的形成缓和了由于氢氧化铝18的高配混导致的表面状态的粗糙，具有外观上的美观效果并在防止捆包状态下的制品之间的摩擦导致的刮伤方面有效。

[其他实施方式]

(1)在上述实施方式中，固化工序S4之后，实施涂布工序S5，在封装树脂层6-1的表面进行玻璃涂布，形成了玻璃层6-2，但可以不设置玻璃层6-2。

(2)在上述实施方式中，形成封装树脂层6-1的封装树脂14示出的是在有机硅树脂16中添加有氢氧化铝18和溶剂20的情况，但不限于此。可以在有机硅树脂16中例如与溶剂20一起添加氢氧化镁作为阻燃剂。

氢氧化镁例如以小于70[重量％＝wt％]的范围添加至作为主剂的有机硅树脂16中。该添加量的范围更优选设定为60[重量％]以上65[重量％]以下。氢氧化镁的密度为2.36[g/cm³]，与氢氧化铝的密度2.42[g/cm³]大致同等。因此，对于氢氧化镁的添加量，例如以相对于有机硅树脂16的重量比例为基准，设定与添加上述的氢氧化铝18时同等的条件即可。

此外，氢氧化镁的平均粒径设定为例如15[μm]以上且小于50[μm]的范围即可。除此之外，在将氢氧化镁添加至封装树脂14时的可变电阻2的封装树脂层6-1的形成处理中，设定与上述实施方式所示的添加氢氧化铝18时同样的添加条件和封装树脂层6-1的形成条件即可，另外，处理步骤也同样地进行即可。

(a)根据该构成，相对于添加氢氧化铝18的情况，添加氢氧化镁的封装树脂14能够提高设定脱水起始温度。即，对于封装树脂14，添加氢氧化铝时的脱水起始温度约为200[℃]，添加氢氧化镁时的脱水起始温度约为300[℃]。可变电阻2伴随着电涌施加而局部发热时，封装材料6进入“脱水”→“气化”→“膨胀”→“树脂的剥离”→“火花”→“故障模式”。通过提高封装树脂14的脱水起始温度，即使在高发热温度下，可变电阻2也能够使其发挥功能，可以用于有可能施加更大电涌电压的电子设备。

(b)以有机硅树脂16为主剂，以小于70[重量％]，更优选以60～65[重量％]添加氢氧化镁，因此能够削减相应部分的有机硅树脂16。由此，能够够降低材料费等成本。

(c)在封装树脂14中添加溶剂20，能够抑制由于氢氧化镁导致的高粘度化。即，利用溶剂20的添加带来的封装树脂14的低粘度化，能够配混较多的氢氧化镁，能够提高基于封装树脂14的封装树脂层6-1的成型性。

(d)利用溶剂20的添加带来的封装树脂14的低粘度化，能够防止氢氧化镁在封装树脂14中的集中。由此，能够防止由于封装树脂层6-1内的氢氧化镁的集中导致的可变电阻2的绝缘耐压的降低。即，能够得到优异的过电压特性。

(e)伴随着固化工序中的溶剂20的蒸发，能够使有机硅树脂16呈现在封装树脂层6-1的表面，因此能够在可变电阻2的表面显示出光泽。

(f)有机硅树脂16具有柔软性，因此即使由于施加大于额定电压的过电压，可变电阻瞬间发生破坏的情况下，也能够抑制封装树脂层6-1的飞散。

(g)封装树脂层6-1的表面成为呈现光泽的状态，提高了在封装树脂层6-1的表面激光印字有可变电阻的额定值等时的视认性。

(h)此外，通过使有机硅树脂16呈现在封装树脂层6-1的表面，由此防止了在表面形成刮伤，提高了耐刮痕性。

(i)在溶剂20中使用非极性溶剂，因此与有机硅树脂16的相溶性好，能够防止在封装树脂层6-1上产生针孔。由此也能够防止可变电阻2的绝缘耐压的下降。

(j)越靠近元件4，则封装树脂层6-1中的氢氧化镁的浓度越高，因此进一步提高了抑制元件4的燃烧的效果。

如上述说明，对于本发明最优选的实施方式等进行说明。本发明并不限于上述记载，基于权利要求中所记载或具体实施方式中所公开的发明的要旨，本领域技术人员可以进行各种变形或变更。该变形或变更当然包含在本发明的范围内。

工业上的可利用性

本发明的技术中，在可变电阻的封装材料中所含的有机硅树脂中添加氢氧化铝或氢氧化镁，根据其添加量，能够维持有机硅树脂具备的不燃特性，同时削减其使用量，能够降低制造成本等，有用性高。

符号说明

2可变电阻

4电压非线性电阻元件

6封装材料

6-1封装树脂层

6-2玻璃层

8陶瓷坯体

10-1、10-2电极

12-1、12-2引线

14封装树脂

16有机硅树脂

18氢氧化铝

20溶剂

22浸渍处理槽

611、621第1区域

612、622第2区域

623第3区域

Claims (7)

1.一种电子部件的制造方法，其为使用有含有机硅树脂的封装材料的电子部件的制造方法，其中，所述制造方法包括：

在含有机硅树脂的封装材料中浸渍元件的工序，所述有机硅树脂中添加有氢氧化铝或氢氧化镁、以及非极性溶剂，所述氢氧化铝或氢氧化镁的添加量控制在60重量％以上且小于70重量％的范围；

对形成在所述元件表面的所述封装材料进行干燥，使所述非极性溶剂蒸发，且使有机硅树脂成分呈现在所述封装材料表面的工序；和

使所述封装材料固化的固化工序。

2.如权利要求1所述的电子部件的制造方法，其中，所述氢氧化铝或所述氢氧化镁的添加量在60重量％以上且65重量％以下的范围。

3.如权利要求1或2所述的电子部件的制造方法，其中，所述氢氧化铝或所述氢氧化镁的平均粒径在15μm以上且小于50μm的范围。

4.如权利要求1至3中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，所述非极性溶剂的蒸汽压为0.5kPa～10kPa。

5.一种电子部件，其为使用有含有机硅树脂的封装材料的电子部件，其中，在所述有机硅树脂中添加有非极性溶剂、和氢氧化铝或氢氧化镁，该氢氧化铝或该氢氧化镁的添加量在60重量％以上且小于70重量％的范围，所述非极性溶剂经干燥而呈现在所述封装材料的表面并蒸发，所述有机硅树脂呈现在所述封装材料的表面并发生了固化。

6.如权利要求5所述的电子部件，其中，所述氢氧化铝或所述氢氧化镁的平均粒径在15μm以上且小于50μm的范围。

7.如权利要求5或6所述的电子部件，其中，在自所述封装材料表面起的深度方向的30％以内，该封装材料含有具有84％至100％的浓度梯度的氢氧化铝或氢氧化镁。