CN105668611B - 一种球形硫化镉晶体及其制备方法 - Google Patents
一种球形硫化镉晶体及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种球形硫化镉晶体及其制备方法。将含镉源和硫源的水溶液混合均匀后,加入到高压反应釜中,往高压反应釜中添加表面活性剂,在140‑200℃下水热反应8~16小时后,制得球形硫化镉晶体。该方法操作简捷,成本较低,而且反应是在密闭的高压釜中进行,更易控制。制得的硫化镉晶体为纯净的六方纤锌矿,且结晶程度较高,同时相对于其他形貌的硫化镉晶体,球形硫化镉晶体具有更大的比表面积,其光催化性能更高。
Description
技术领域
本发明属于光催化材料的制备领域,具体涉及一种球形硫化镉晶体及其制备方法。
背景技术
随着人类社会的快速发展,环境污染问题的日益严重,半导体光催化技术越来越
受到人们的重视。半导体光催化技术是利用太阳能,在常温常压下深度降解空气和水中多种挥发性有机物质,在此过程中极少产生二次污染。其中硫化镉是重要的宽带隙半导体,其禁带宽度为2 .42 ev,表现出很多新奇的非线性光学性质,因而在光催化、发光材料、生物检测、太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。
目前,合成CdS的方法主要有溶剂共热法、沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法等。其中水热法更为简单,成本较低,反应是在密闭的高压釜中进行,更易控制。而且相对于其他形貌的硫化镉晶体,所得球形硫化镉晶体具有更大的比表面积,其光催化性能更高,因而越来越受到人们的广泛重视。
申请公布号为CN 101700905 A的中国专利申请公开了一种球状硫化镉纳米晶的制备方法,该发明采用简单的微波水热法制备工艺,反应在液相中一次完成,不需要后期处理,所得的硫化镉纳米晶具有规则的球状,其直径为20nm-200nm。然而该方法制得的硫化镉晶体结晶程度不高,光催化性能不高;而且其需要采用特殊的设备来进行制备,成本较高。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种球形硫化镉晶体及其制备方法。该方法操作简单,成本较低,而且反应是在密闭的高压釜中进行,更易控制;制得的硫化镉晶体为纯净的六方纤锌矿,且结晶程度较高,同时相对于其他形貌的硫化镉晶体,球形硫化镉晶体具有更大的比表面积,其光催化性能更高。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种球形硫化镉晶体的制备方法:将含镉源和硫源的水溶液混合均匀后,加入到高压反应釜中,往高压反应釜中添加表面活性剂,在140-200 ℃下水热反应8~16小时后,制得球形硫化镉晶体。
所述的镉源为氯化镉,硫源为硫脲;硫脲的浓度为0 .3~1 mol/L,硫与镉的摩尔比为6~1:1;高压反应釜的填充度为50%~80%。
所述的表面活性剂为羟丙基纤维素,其添加量为0.1~0.5 g。
一种如上所述的制备方法制得的球形硫化镉晶体。
本发明的有益效果在于:
1)本发明的制备方法操作简单,成本较低,而且反应是在密闭的高压釜中进行,更易控制。制得的硫化镉晶体为纯净的六方纤锌矿,且结晶程度较高,同时相对于其他形貌的硫化镉晶体,球形硫化镉晶体具有更大的比表面积,其光催化性能更高;
2)本发明通过在混合液中添加表面活性剂羟丙基纤维素,仅通过常规的实验设备即可制备出球形硫化镉晶体;通过SEM图对比,未添加表面活性剂和添加表面活性剂的硫化镉晶体,形貌不同;并通过XRD分析对比,制备时添加活性剂的硫化镉晶体在26.4°左右的衍射峰更为尖锐,说明晶体的结晶程度更高,光催化性能也更优异。
附图说明
图1是实施例1的SEM图;
图2是对比例1的SEM图;
图3是实施例1、对比例1的XRD图;
图4是实施例1(1)、对比例1(2)的光催化亚甲基蓝的效果图。
具体实施方式
下面以具体实施例来对本发明做进一步说明,但本发明的保护范围不限于此。
实施例1
称取氯化镉,硫脲和表面活性剂羟丙基纤维素,将氯化镉和硫脲用蒸馏水配制成混合溶液,硫脲的浓度为0.8 mol/L,氯化铬的浓度为0.2 mol/L;将该混合溶液加入至高压反应釜中,加入0.2 g羟丙基纤维素,反应釜填充度为70%(高压反应釜的体积为100 mL,即反应液为70 mL);将反应釜放入烘箱中在180 ℃时恒温反应10小时;取出反应釜,自然冷却后,
将反应后的溶液洗涤、离心、干燥后,即制得球形硫化镉晶体。
对比例1
称取氯化镉,硫脲和表面活性剂羟丙基纤维素,将氯化镉和硫脲用蒸馏水配制成混合溶液,硫脲的浓度为0.8 mol/L,氯化铬的浓度为0.2 mol/L;将该混合溶液加入至高压反应釜中;将反应釜放入烘箱中在180 ℃时恒温反应10小时;取出反应釜,自然冷却后,将反应后的溶液洗涤、离心、干燥后,即制得硫化镉晶体。
由图1可知,实施例1添加表面活性剂时,所得硫化镉晶体为球形;由图2可知,对比例1未添加表面活性剂时,所得硫化镉晶体为棒状;图3为实施例1所制得的硫化镉晶体的XRD图,其主要衍射峰与标准图谱( JCPDS 42-1049 )衍射峰位置一致,没有出现Cd,CdO或其他镉化合物的杂质峰,说明所得的样品均为纯净的六方纤锌矿,结晶程度较高。部分衍射峰尖锐程度不同,与是否添加表面活性剂有关。图4是实施例1(1)、对比例1(2)的光催化亚甲基蓝的降解曲线图,结果显示,球形硫化镉的光催化性能高于棒状硫化镉的光催化活性,这是因为球形硫化镉具有更大的比表面积。
实施例2
称取氯化镉,硫脲和表面活性剂羟丙基纤维素,将氯化镉和硫脲用蒸馏水配制成混合溶液,硫脲的浓度为1 mol/L,氯化铬的浓度为0.2 mol/L;将该混合溶液加入至高压反应釜中,加入0.5 g羟丙基纤维素,反应釜填充度为70%;将反应釜放入烘箱中在140 ℃时恒温反应16小时;取出反应釜,自然冷却后,将反应后的溶液洗涤、离心、干燥后,即制得球形硫化镉晶体。
实施例3
称取氯化镉,硫脲和表面活性剂羟丙基纤维素,将氯化镉和硫脲用蒸馏水配制成混合溶液,硫脲的浓度为0.3 mol/L,氯化铬的浓度为0.3 mol/L;将该混合溶液加入至高压反应釜中,加入0.1 g羟丙基纤维素,反应釜填充度为70%;将反应釜放入烘箱中在200 ℃时恒温反应8小时;取出反应釜,自然冷却后,将反应后的溶液洗涤、离心、干燥后,即制得球形硫化镉晶体。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (1)
1. 一种球形硫化镉晶体的制备方法,其特征在于:将含镉源和硫源的水溶液混合均匀后,加入到高压反应釜中,往高压反应釜中添加表面活性剂,在140-200℃下水热反应8~16小时后,制得球形硫化镉晶体;所述的镉源为氯化镉,硫源为硫脲;硫脲的浓度为0.3~1mol/L,硫与镉的摩尔比为6~1:1;高压反应釜的填充度为50%~80%;所述的表面活性剂为羟丙基纤维素,其添加量为0.1~0.5g。
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