CN105514014B - 静电卡盘 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能通过简化构造来降低主体基板上的特异点的数量和面积，且能通过减少工时等实现制造的容易化和制造效率的提高的静电卡盘。静电卡盘包括：主体基板(11)，其由陶瓷形成，且具有基板正面和基板背面；吸附用电极，其设于主体基板；金属基座(12)，其具有基座正面和基座背面，且配置为基座正面朝向主体基板的基板背面侧；内部通孔(51)，其以贯穿金属基座的基座正面与基座背面之间的方式形成。在主体基板上设有多个加热区域，在该多个加热区域中分别配置有加热电极。在内部通孔内配置有与各加热区域的加热电极电连接的多个加热电极端子(53)。配置在内部通孔内的多个加热电极端子与配置在内部通孔内的连接构件(6)电连接。

Description

静电卡盘
技术领域
本发明涉及一种静电卡盘。
背景技术
以往，在半导体制造装置中，对半导体晶圆(例如硅晶圆)进行干蚀刻(例如等离子体蚀刻)等加工处理。为了提高该加工精度，在半导体制造装置内需要能可靠地支承半导体晶圆的支承部件。作为该支承部件，公知有利用静电引力来支承半导体晶圆的静电卡盘。
当半导体晶圆的温度产生偏差时，加工精度会降低。为了提高加工精度，需要使由静电卡盘支承的半导体晶圆的温度均匀。例如，在专利文献1中，公开了一种静电卡盘，该静电卡盘在对半导体晶圆进行支承的陶瓷基板(主体基板)的内部具有加热电极。能够利用该加热电极来加热半导体晶圆。
专利文献1：日本特开2007－317772号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，为了使半导体晶圆的温度分布均匀，所述专利文献1的静电卡盘为具有被划分成多个区域的主体基板和配置于各区域的加热电极的结构，且为能够对各区域的加热电极分别独立地进行温度控制的结构。因此，当加热电极的数量增加时，用于向加热电极供电的加热电极端子的数量也增加。并且，在加热电极端子的数量增加时，需要与该加热电极端子的数量相应地在静电卡盘内部设置用于容纳加热电极端子的内部空间(端子孔)。由此，静电卡盘的构造变得复杂。
另外，例如，在散热用的金属基座上形成许多端子孔，由此，形成有端子孔的部分与主体基板之间的接触不充分。因此，在形成有端子孔的部分中，向金属基座散热的散热性降低，在主体基板上产生许多局部温度变高的热量的特异点(以下也称作“特异点”)。由此，难以使半导体晶圆的温度分布均匀化。另外，由于在金属基座上形成有多个端子孔，因此，主体基板与金属基座之间的粘接性降低，进而导致位置对准变得烦杂等粘接作业性的降低。
另外，由于加热电极端子的数量和端子孔的数量增加，因此导致例如形成于金属基座内部的冷却用水路的位置的自由度这样的、静电卡盘内部的结构的设计自由度的降低。另外，会使用于将许多加热电极端子连接于外部电源的连接工时、形成许多端子孔的孔加工工时等静电卡盘的制造过程中的工时增加，从而导致制造效率的降低。
本发明是鉴于该背景而做出的，其欲提供一种能够通过简化构造来降低主体基板上的特异点的数量和面积，且能够通过减少工时等实现制造的容易化和制造效率的提高的静电卡盘。
用于解决问题的方案
本发明提供一种静电卡盘，其特征在于，该静电卡盘包括：主体基板，其由陶瓷形成，且具有基板正面和基板背面；吸附用电极，其设于该主体基板；金属基座，其具有基座正面和基座背面，该金属基座配置为所述基座正面朝向所述主体基板的所述基板背面侧；以及内部通孔，其以贯穿该金属基座的所述基座正面与所述基座背面之间的方式形成。在所述主体基板上设有多个加热区域，在该多个加热区域中分别配置有加热电极，在所述内部通孔内配置有与各个所述加热区域的所述加热电极电连接的多个加热电极端子，配置在所述内部通孔内的所述多个加热电极端子与配置在所述内部通孔内的连接构件电连接。
在所述静电卡盘中，将与主体基板的各加热区域的加热电极电连接的多个加热电极端子集中地配置在内部通孔内。然后，将集中地配置在内部通孔内的多个加热电极端子与配置在内部通孔内的连接构件电连接。
因此，不必如以往那样与加热电极端子的数量相应地在静电卡盘内部设置端子孔(本发明的内部通孔)。由此，能够简化静电卡盘的构造，从而能够降低主体基板上的特异点的数量和面积。因此，能够使由设置于主体基板的吸附用电极吸附的半导体晶圆等被吸附物的温度分布更均匀化。
另外，由于不必如以往那样在静电卡盘内部设置许多端子孔，因此能够提高静电卡盘内部的结构的设计自由度。另外，在借助例如粘接层将主体基板和金属基座粘接起来的情况下，能够提高两者之间的粘接性，进而还能够提高位置对准等粘接作业性。另外，与以往相比，能够减少制造过程中的工时(例如孔加工工时)，并能够谋求制造的容易化和制造效率的提高。
另外，在内部通孔内，将多个加热电极端子连接于1个连接构件，因此能够高效地进行加热电极端子与外部构件之间的电连接作业。由此，能够谋求制造的容易化和制造效率的提高。例如，若将多个加热电极端子一并集中地连接于1个连接构件，则能够减少连接工时，从而能够进一步提高制造效率。
如上所述，采用本发明，能够提供一种能够通过简化构造来降低主体基板上的特异点的数量和面积，且能够通过减少工时等实现制造的容易化和制造效率的提高的静电卡盘。
也可以是，在所述静电卡盘中，在自所述主体基板的所述基板正面侧观察所述基板背面侧的情况下，所述内部通孔配置在所述主体基板的任意的所述加热区域内。在该情况下，能够使导致产生特异点的内部通孔的位置为与特定的加热区域相对应的位置。由此，通过对该特定的加热区域的加热电极进行控制而调整温度，能够更简单地对被吸附物的温度分布进行调整而使该温度分布均匀化。
另外，也可以是，所述静电卡盘还包括贯通端子孔，该贯通端子孔以贯穿所述金属基座的所述基座正面和所述基座背面之间的方式形成，在该贯通端子孔中配置与所述吸附用电极电连接的吸附用电极端子，在自所述主体基板的所述基板正面侧观察所述基板背面侧的情况下，所述贯通端子孔配置在与所述内部通孔相同的所述加热区域内。在该情况下，能够使导致产生特异点的内部通孔和贯通端子孔的位置为与特定的同一加热区域相对应的位置。由此，通过对该特定的加热区域的加热电极进行控制而调整温度，能够更简单地对被吸附物的温度分布进行调整而使该温度分布均匀化。
另外，在所述加热电极端子上设有凸状的凸型连接部，在所述连接构件上设有能与所述加热电极端子的所述凸型连接部相连接的多个凹状的凹型连接部。在该情况下，容易在内部通孔内进行将多个加热电极端子连接于1个连接构件的作业。另外，能够提高将加热电极端子与连接构件之间电连接时的可靠性。
所述主体基板构成为能够使用在对设于该主体基板的吸附用电极施加电压时产生的静电引力来吸附被吸附物。作为被吸附物，可列举出半导体晶圆、玻璃基板等。
所述主体基板例如能够由层叠起来的多个陶瓷层构成。采用这样的结构，易于在主体基板的内部形成各种构造(例如加热电极等)。
作为构成所述主体基板的陶瓷材料，可以使用例如以氧化铝、氧化钇(yttria)、氮化铝、氮化硼、碳化硅、氮化硅等的高温烧制陶瓷为主要成分的烧结体等。
作为构成所述主体基板的陶瓷材料，也可以根据用途而相应地使用以将氧化铝等无机陶瓷填料添加到硼硅酸系玻璃、硼硅酸铅系玻璃中而得到的玻璃陶瓷等低温烧制陶瓷为主要成分的烧结体。另外，也可以使用以钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶等电介质陶瓷为主要成分的烧结体。
此外，在制造半导体的干蚀刻等各处理中，采用使用等离子体的各种技术。在使用等离子体的处理中，大多使用卤素气体等腐蚀性气体。因此，要求暴露在等离子体、腐蚀性气体中的静电卡盘具有较高的耐腐蚀性。因而，优选的是，主体基板由相对于等离子体、腐蚀性气体具有耐腐蚀性的陶瓷材料、例如以氧化铝、氧化钇等为主要成分的陶瓷材料形成。
作为构成所述吸附用电极和所述加热电极的导体的材料，其并没有特别限定，但在利用同时烧制法来形成上述导体和陶瓷部分(主体基板)的情况下，需要使导体中的金属粉末的熔点高于主体基板的烧制温度。例如，在主体基板由所谓高温烧制陶瓷(例如氧化铝等)形成的情况下，作为导体中的金属粉末，可以使用镍(Ni)、钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、以及这些金属的合金等。
另外，在主体基板由所谓的低温烧制陶瓷(例如玻璃陶瓷等)形成的情况下，作为导体中的金属粉末，可以使用铜(Cu)、银(Ag)、以及它们的合金等。另外，在主体基板由高介电常数陶瓷(例如钛酸钡等)形成的情况下，可以使用镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)、以及它们的合金等。
所述吸附用电极和所述加热电极能够通过如下方式形成：使用含有金属粉末的导体膏，并利用以往周知的方法、例如网版印刷等方法涂敷该导体膏，之后进行烧制。
作为构成所述金属基座的金属材料，可以使用铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、钛(Ti)等。
所述主体基板和所述金属基座例如在两者之间隔着粘接层等接合(粘接)起来。作为构成粘接层的材料，可以使用例如硅酮树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺－酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等树脂材料，以及铟等金属材料等。
附图说明
图1是表示实施方式1的静电卡盘的构造的截面说明图。
图2的(A)是表示吸附用电极的俯视图，图2的(B)是表示与吸附用电极相连接的通路的俯视图。
图3的(A)是表示加热电极的俯视图，图3的(B)是表示与加热电极相连接的通路的俯视图，图3的(C)是表示与驱动器相连接的通路的俯视图。
图4的(A)是表示加热电极端子和连接构件的构造的说明图，图4的(B)是表示加热电极端子和连接构件电连接后的状态的说明图。
图5是表示贯通端子孔和内部通孔的位置的说明图。
图6的(A)是表示实施方式2的静电卡盘中的、加热电极端子和连接构件的构造的说明图，图6的(B)是表示加热电极端子和连接构件电连接后的状态的说明图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式连同附图一起进行说明。
实施方式1
如图1～图5所示，本实施方式的静电卡盘1包括：主体基板11，其由陶瓷形成，且具有基板正面111和基板背面112；吸附用电极21，其设于主体基板11；金属基座12，其具有基座正面121和基座背面122，该金属基座12配置为基座正面121朝向主体基板11的基板背面112侧；以及内部通孔51，其以贯穿金属基座12的基座正面121与基座背面122之间的方式形成。
在主体基板11上设有多个加热区域113(113a、113b)，在该多个加热区域113(113a、113b)中分别配置有加热电极41(41a、41b)。在内部通孔51内配置有与各加热区域113(113a、113b)的加热电极41(41a、41b)电连接的多个加热电极端子53。配置在内部通孔51内的多个加热电极端子53与配置在内部通孔51内的连接构件6电连接。以下，详细说明该静电卡盘1。
如图1所示，静电卡盘1是用于对作为被吸附物的半导体晶圆8进行吸附保持的装置。静电卡盘1包括主体基板11、金属基座12以及粘接层13等。主体基板11和金属基座12借助配置于两者之间的粘接层13接合起来。
在本实施方式中，将主体基板11侧设为上侧，将金属基座12侧设为下侧。上下方向是主体基板11和金属基座12层叠的层叠方向，且是主体基板11和金属基座12的厚度方向。与上下方向(厚度方向)正交的方向是静电卡盘1沿平面扩展的方向(平面方向、面方向)。
如该图所示，主体基板11是用于对半导体晶圆8进行吸附保持的构件。主体基板11具有基板正面111和基板背面112且形成为直径300mm、厚度3mm的圆板状。主体基板11的基板正面111是用于吸附半导体晶圆8的吸附面。主体基板11是通过将多个陶瓷层(省略图示)层叠起来而构成的。各陶瓷层包括以氧化铝为主要成分的氧化铝制烧结体。
在主体基板11的内部配置有吸附用电极21和加热电极(发热体)41。吸附用电极21在主体基板11的内部配置在大致同一平面上。吸附用电极21由于施加直流高电压而产生静电引力。在该静电引力的作用下，将半导体晶圆8吸附并保持于主体基板11的基板正面(吸附面)111。吸附用电极21由钨形成。
加热电极41在主体基板11的内部中配置在比吸附用电极21靠下方侧(靠金属基座12侧)的位置。加热电极41在主体基板11的内部配置在大致同一平面上。发热体41由钨形成。作为构成吸附用电极21和加热电极41的材料，除了可以使用所述钨以外，还可以使用钼及钨和钼的合金等。
如该图所示，金属基座12是由铝或铝合金形成的金属制的冷却用构件(冷却板)。金属基座12具有基座正面121和基座背面122且形成为直径340mm、厚度32mm的圆板状。金属基座12配置于主体基板11的下方侧。在金属基座12的内部设有供冷却介质(例如，氟化液、纯水等)流通的制冷剂流路123。
如该图所示，粘接层13配置在主体基板11与金属基座12之间。粘接层13由含有硅酮树脂的粘接剂构成。主体基板11和金属基座12借助粘接层13接合起来。
如图2的(A)所示，如上所述，吸附用电极21在主体基板11的内部配置在大致同一平面上。吸附用电极21形成为俯视时呈圆形形状。
如图2的(B)所示，在吸附用电极21的下方侧(靠金属基座12的一侧)配置有通路22。通路22在上下方向上沿着主体基板11的中心轴线形成。通路22与吸附用电极21相连接。
如图1所示，在静电卡盘1的内部设有自金属基座12的基座背面122朝向主体基板11侧地沿上下方向形成的截面呈圆形形状的贯通端子孔31。贯通端子孔31贯穿金属基座12的基座背面122与基座正面121之间并形成到主体基板11的内部。贯通端子孔31设置在与后述的内部通孔51的形成位置不同的位置。在贯通端子孔31内嵌入有筒状的绝缘构件32。在贯通端子孔31的底面(主体基板11)设有金属化层23。金属化层23与通路22相连接。即，吸附用电极21借助通路22与金属化层23相连接。
在金属化层23上设有吸附用电极端子33。在吸附用电极端子33上安装有端子配件34。端子配件34与电源电路(省略图示)相连接。经由吸附用电极端子33等向吸附用电极21供给用于产生静电引力的电力。
如图3的(A)所示，主体基板11具有两个加热区域113。即，主体基板11具有作为包含主体基板11的中心轴线在内的内侧区域的第1加热区域113a和作为该第1加热区域113a的外侧区域的第2加热区域113b。
如上所述，加热电极41在主体基板11的内部配置在大致同一平面上。加热电极41具有配置于第1加热区域113a的第1加热电极41a和配置于第2加热区域113b的第2加热电极41b。长条状的第1加热电极41a和第2加热电极41b在第1加热区域113a和第2加热区域113b中通过多次折回而配置成大致同心圆状。
如图3的(B)所示，在第1加热区域113a中，在第1加热电极41a的下方侧(靠金属基座12的一侧)配置有一对通路421、422。一对通路421、422分别与第1加热电极41a的一对端子部411a、412a相连接。
另外，在第2加热区域113b中，在第2加热电极41b的下方侧(靠金属基座12的一侧)配置有一对通路431、432。一对通路431、432分别与第2加热电极41b的一对端子部411b、412b相连接。
如图1所示，在一对通路421、422和一对通路431、432的下方侧(靠金属基座12的一侧)配置有以互相分离的方式形成的4个驱动器(内部导电层)441、442、451、452(在图1中仅示出驱动器441、451)。驱动器441、442、451、452在主体基板11的内部配置在大致同一平面上。一对驱动器441、442分别与一对通路421、422相连接。一对驱动器451、452分别与一对通路431、432相连接。
如图3的(C)所示，在一对驱动器441、442的下方侧(靠金属基座12的一侧)配置有一对通路461、462。一对通路461、462分别与一对驱动器441、442相连接。
另外，在一对驱动器451、452的下方侧(靠金属基座12的一侧)配置有一对通路471、472。一对通路471、472分别与一对驱动器451、452相连接。
如图1所示，在静电卡盘1的内部设有自金属基座12的基座背面122朝向主体基板11侧地沿上下方向形成的截面呈四边形的内部通孔51。内部通孔51贯穿金属基座12的基座背面122与基座正面121之间并形成到主体基板11的内部。在内部通孔51内嵌入有筒状的绝缘构件52。
在内部通孔51的底面(主体基板11)设有4个金属化层481、482、491、492(在图1中仅示出金属化层481、491)。一对金属化层481、482分别与一对通路461、462相连接。一对金属化层491、492分别与一对通路471、472相连接。
如图4的(A)所示，在各金属化层481、482、491、492分别设有加热电极端子53。加热电极端子53通过钎焊而接合于各金属化层481、482、491、492。即，在4个加热电极端子53之中，两个加热电极端子53与第1加热电极41a电连接，余下的两个加热电极端子53与第2加热电极41b电连接。在各加热电极端子53上设有凸状(销形状)的凸型连接部531。凸型连接部531的销直径可以设为0.2mm～0.5mm，销长度可以设为2mm～5mm，配置间距可以设为1mm～2.54mm。
另外，在内部通孔51内配置有1个连接构件6。连接构件6具有连接器部61和连接线缆62。在连接器部61上设有与凸状(销形状)的凸型连接部531相对应的4个凹状的凹型连接部611。
如图4的(B)所示，加热电极端子53的凸型连接部531插入到连接构件6的连接器部61的凹型连接部611。4个加热电极端子53与1个连接构件6电连接。连接构件6与电源电路(省略图示)相连接。经由加热电极端子53、连接构件6等向第1加热电极41a和第2加热电极41b供给用于使第1加热电极41a和第2加热电极41b发热的电力。
如图5所示，内部通孔51的整个部分配置在与主体基板11的第1加热区域113a相对应的位置。另外，与内部通孔51同样地，贯通端子孔31的整个部分配置在与第1加热区域113a相对应的位置。
另外，如上所述，在内部通孔51内配置有与第1加热电极41a和第2加热电极41b电连接的4个加热电极端子53。配置在内部通孔51内的4个加热电极端子53与配置在内部通孔51内的1个连接构件6电连接。
在静电卡盘1(主体基板11、金属基座12、粘接层13)的内部设有冷却用气体供给路径，该冷却用气体供给路径成为用于将半导体晶圆8冷却的氦等冷却用气体的供给通路，对此省略了图示。在主体基板11的基板正面(吸附面)111设有以冷却用气体供给路径开口的方式形成的多个冷却用开口部(省略图示)和以使自该冷却用开口部供给来的冷却用气体扩展到主体基板11的整个基板正面(吸附面)111的方式形成的环状的冷却用槽部(省略图示)。
接下来，说明静电卡盘1的制造方法。
首先，利用以往公知的方法来制作以氧化铝为主要成分的陶瓷坯片。在本实施方式中，制作要成为主体基板11的多张陶瓷坯片。
接着，在多张陶瓷坯片的必要部位上形成要成为贯通端子孔31的空间、要成为冷却用气体供给路径等冷却气体的流路的空间、要成为通路22、421、422、431、432、461、462、471、472的通孔等。此外，最后对贯通端子孔31施加研磨加工，以得到更高的位置精度。
接着，在多张陶瓷坯片中，在要形成通路22、421、422、431、432、461、462、471、472的位置处形成的通孔内填充金属油墨(metallize ink)。另外，在多张陶瓷坯片中，利用网版印刷等方法在要形成吸附用电极21、加热电极41(41a、41b)、驱动器441、442、451、452的位置涂敷金属油墨。其中，金属油墨是向以氧化铝为主要成分的陶瓷坯片用的原料粉末混合钨粉末并使其成为浆料状而得到的。
接着，将多张陶瓷坯片互相位置对准并进行层叠和热压接。由此，获得层叠片。然后，将层叠片切成规定的形状。之后，在还原气氛中，在1400℃～1600℃的范围(例如1450℃)的温度条件下对层叠片进行5小时的烧制。由此，获得由氧化铝制烧结体形成的主体基板11。
接着，在主体基板11的必要的部位上形成金属化层23、481、482、491、492等。然后，在金属化层23设置吸附用电极端子33。另外，利用钎焊将加热电极端子53接合于金属化层481、482、491、492。在本实施方式中，利用钎焊将4个加热电极端子53一并接合于金属化层481、482、491、492。
之后，使用含有硅酮树脂的粘接剂将主体基板11和金属基座12接合起来。此外，在金属基座12的必要的部位上预先形成要成为贯通端子孔31、内部通孔51的空间。由此，利用粘接层13将主体基板11和金属基座12接合起来。
接着，将连接构件6插入到内部通孔51内。然后，将4个加热电极端子53的凸型连接部531插入连接构件6的连接器部61的凹型连接部611。由此，将加热电极端子53和连接构件6连接起来。由此，获得静电卡盘1。
接下来，说明本实施方式的静电卡盘1的作用效果。
在本实施方式的静电卡盘1中，将与主体基板11的各加热区域113a、113b的加热电极41a、41b电连接的多个(4个)加热电极端子53集中地配置在内部通孔51内。然后，将集中地配置在内部通孔51内的多个(4个)加热电极端子53与配置在内部通孔51内的连接构件6电连接。
因此，不必如以往那样与加热电极端子53的数量相应地在静电卡盘1内部设置端子孔(本实施方式的内部通孔51)。由此，能够简化静电卡盘1的构造，从而能够降低主体基板11上的特异点的数量和面积。因此，能够使由设置于主体基板11的吸附用电极21吸附的半导体晶圆(被吸附物)8的温度分布更均匀化。
另外，由于不必如以往那样在静电卡盘1内部设置许多端子孔，因此能够提高静电卡盘1内部的结构的设计自由度。另外，在如本实施方式那样借助粘接层13将主体基板11和金属基座12粘接起来的情况下，能够提高两者之间的粘接性，进而还能够提高位置对准等粘接作业性。另外，与以往相比，能够减少制造过程中的工时(例如孔加工工时)，并能够谋求制造的容易化和制造效率的提高。
另外，在内部通孔51内，将多个加热电极端子53连接于1个连接构件6，因此能够高效地进行加热电极端子53与外部构件(连接构件6)之间的电连接作业。由此，能够谋求制造的容易化和制造效率的提高。如本实施方式那样将多个加热电极端子53一并集中地连接于1个连接构件6，能够减少连接工时，从而能够进一步提高制造效率。
在本实施方式的静电卡盘1中，在自主体基板11的基板正面111侧观察基板背面112侧的情况下，内部通孔51配置在主体基板11的任意的加热区域113内(在本实施方式中第1加热区域113a内)。因此，能够使导致产生特异点的内部通孔51的位置为与特定的加热区域113(第1加热区域113a)相对应的位置。由此，通过对该特定的加热区域113(第1加热区域113a)的加热电极41(第1加热电极41a)进行控制而调整温度，能够更简单地对半导体晶圆(被吸附物)8的温度分布进行调整而使该温度分布均匀化。
另外，静电卡盘1还包括贯通端子孔31，该贯通端子孔31以贯穿金属基座12的基座正面121和基座背面122的方式形成，在该贯通端子孔31中配置与吸附用电极21电连接的吸附用电极端子33。另外，在自主体基板11的基板正面111侧观察基板背面112侧的情况下，贯通端子孔31配置在与内部通孔51相同的加热区域113(113a)内。因此，能够使导致产生特异点的内部通孔51和贯通端子孔31的位置为与特定的同一加热区域113(第1加热区域113a)相对应的位置。由此，通过对该特定的加热区域113(第1加热区域113a)的加热电极41(第1加热电极41a)进行控制而调整温度，能够更简单地对半导体晶圆(被吸附物)8的温度分布进行调整而使该温度分布均匀化。
另外，在加热电极端子53上设有凸状(销形状)的凸型连接部531。另外，在连接构件6上设有能与加热电极端子53的凸型连接部531相连接的多个凹状的凹型连接部611。因此，容易在内部通孔51内进行将多个加热电极端子53连接于1个连接构件6的作业。另外，能够提高将加热电极端子53与连接构件6之间电连接时的可靠性。
如上所述，采用本实施方式，能够提供一种静电卡盘1，该静电卡盘1能够通过简化构造来降低主体基板上的特异点的数量和面积，且能够通过减少工时等实现制造的容易化和制造效率的提高。
实施方式2
如图6的(A)、图6的(B)所示，本实施方式是对静电卡盘1中的连接构件6的结构进行变更后的例子。
如图6的(A)所示，连接构件6具有连接器部61、连接线缆62以及中继构件63。在连接器部61上设有4个凸状(销形状)的连接凸部612。在中继构件63上设有能与加热电极端子53的凸型连接部531相连接的4个凹状的凹型连接部631。另外，在中继构件63上设有能与连接器部61的连接凸部612相连接的4个凹状的连接凹部632。
如图4的(B)所示，加热电极端子53的4个凸型连接部531分别插入到连接构件6的中继构件63的4个凹型连接部631。另外，连接构件6的连接器部61的4个连接凸部612分别插入到连接构件6的中继构件63的4个连接凹部632。其他基本结构与实施方式1相同。
接下来，说明本实施方式的作用效果。
在本实施方式中，加热电极端子53和连接构件6的连接器部61借助中继构件63连接起来。因此，即使改变加热电极端子53的结构(例如，凸型连接部531的销形状、直径、长度、间距等)，通过改变连接构件6的中继构件63的结构(例如，凹型连接部631的形状等)，也能够易于进行加热电极端子53与连接构件6之间的电连接，而无需改变连接构件6的其他部分(例如，连接器部61、连接线缆62等)的结构。其他基本的作用效果与实施方式1相同。
其他实施方式
不言而喻，本发明并不限定于所述的实施方式等，能够在不脱离本发明的范围内以各种方式来实施。
(1)在所述的实施方式中，主体基板具有两个加热区域(第1加热区域、第2加热区域)，但主体基板也可以具有3个以上的加热区域。另外，加热电极的数量为两个，但也可以为3个以上。另外，加热电极端子的数量为4个，但并不限定于此。
(2)在所述的实施方式中，内部通孔配置在主体基板的第1加热区域内，但也可以是，例如，内部通孔配置在主体基板的第2加热区域内。
(3)在所述的实施方式中，将加热电极端子配置在内部通孔内，将吸附用电极端子配置于贯通端子孔，但也可以是，例如，不设置贯通端子孔，而是将加热电极端子和吸附用电极端子配置在内部通孔内。
(4)在所述的实施方式中，内部通孔和贯通端子孔均配置在主体基板的第1加热区域内，但也可以是，例如，仅将内部通孔和贯通端子孔中的一者配置于主体基板的第1加热区域内。
(5)在所述的实施方式中，加热电极端子的数量为4个且连接构件为1个，但并不限定于此，只要将多个加热电极端子与1个连接构件电连接即可。例如，也可以构成为，将多个加热电极端子和1个连接构件A、以及另外多个加热电极端子和1个连接构件B设置在1个内部通孔内。此时，1个连接构件A具有能分别与多个加热电极端子相连接的多个连接部，1个连接构件B具有能分别与多个加热电极端子相连接的多个连接部。另外，也可以构成为，将多个加热电极端子和1个连接构件C、以及另外1个加热电极端子和与该另外1个加热电极端子电连接的外部端子设置在1个内部通孔内。
附图标记说明
1、静电卡盘；11、主体基板；111、基板正面；112、基板背面；12、金属基座；121、基座正面；122、基座背面；21、吸附用电极；51、内部通孔；113、加热区域；41、加热电极；53、加热电极端子；6、连接构件。

Claims (4)

1.一种静电卡盘，其特征在于，
该静电卡盘包括：
主体基板，其由陶瓷形成，且具有基板正面和基板背面；
吸附用电极，其设于该主体基板；
金属基座，其具有基座正面和基座背面，该金属基座配置为所述基座正面朝向所述主体基板的所述基板背面侧；以及
内部通孔，其以贯穿该金属基座的所述基座正面与所述基座背面之间的方式形成，
在所述主体基板上设有多个加热区域，多个加热电极分别配置在该多个加热区域中，
在所述内部通孔内集中地配置有与各个所述加热区域的所述加热电极电连接的多个加热电极端子，
配置在所述内部通孔内的所述多个加热电极端子与配置在所述内部通孔内的连接构件电连接。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，
在自所述主体基板的所述基板正面侧观察所述基板背面侧的情况下，所述内部通孔配置在所述主体基板的任意的所述加热区域内。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，
该静电卡盘还包括贯通端子孔，该贯通端子孔以贯穿所述金属基座的所述基座正面和所述基座背面之间的方式形成，在该贯通端子孔中配置与所述吸附用电极电连接的吸附用电极端子，
在自所述主体基板的所述基板正面侧观察所述基板背面侧的情况下，所述贯通端子孔配置在与所述内部通孔相同的所述加热区域内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘，其特征在于，
在所述加热电极端子上设有凸状的凸型连接部，在所述连接构件上设有能与所述加热电极端子的所述凸型连接部相连接的多个凹状的凹型连接部。
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