KR20200124762A - 격리형 후면 헬륨 전달 시스템 - Google Patents

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Abstract

본원에서 설명되는 실시예들은 불활성 가스가 기생 플라즈마를 형성하는 것을 방지하는 후면 가스 전달 조립체를 제공한다. 후면 가스 전달 조립체는 기판 지지 조립체의 스템에 배치된 제1 가스 채널을 포함한다. 기판 지지 조립체는 제1 가스 채널로부터 연장된 제2 가스 채널을 갖는 기판 지지부를 포함한다. 후면 가스 전달 조립체는, 스템과 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된, 제1 가스 채널 내에 배치된 다공성 플러그; 기판 지지부의 상부 표면 상에 배치된 기판의 후면 표면에 불활성 가스를 전달하도록 구성된, 제1 가스 채널에 연결된 가스 소스; 및 스템과 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된 다공성 플러그까지 연장된, 제1 가스 채널 내의 가스 튜브를 더 포함한다.

Description

격리형 후면 헬륨 전달 시스템
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 프로세싱 챔버들에 관한 것이며, 프로세싱 챔버들에서 사용하기 위한 후면 가스 전달 조립체들에 관한 것이다.
[0002] 집적 회로들 및 다른 전자 디바이스들의 제조에서, 다양한 재료 층들의 증착 또는 에칭을 위해 플라즈마 프로세스들이 흔히 사용된다. 고 주파수 전력, 이를테면 RF(radio frequency) 전력이, 예컨대 프로세스 챔버 내부에, 플라즈마를 생성하기 위해 흔히 사용된다. RF 전력이 기판 지지부에 인가될 때, 프로세싱 동안 기판 지지부에 기판을 척킹하기 위해, 흔히, 기판 지지부에 DC(direct current) 바이어스가 또한 인가된다. 프로세싱 동안의 기판 지지부와 기판 사이의 열 전달 및 열 균일성을 개선하기 위해, 후면 가스 전달 조립체에 의해, 기판의 후면에 헬륨과 같은 불활성 가스가 전달된다.
[0003] 그러나, 프로세싱 동안, 후면 가스 전달 조립체를 통해 유동하는 불활성 가스는, 기판 지지부에 인가되는 RF 전력에 대한 후면 가스 전달 조립체의 근접성으로 인해, 후면 가스 전달 조립체를 따라 다양한 포인트들에서 이온화될 수 있다. 이온화된 불활성 가스는 기생 플라즈마를 형성할 수 있으며, 그 기생 플라즈마는 후면 전달 가스 조립체 전체에 걸쳐 전파되고, 기판의 후면 표면 상에 원하지 않는 오염물들, 이를테면 금속들을 증착한다.
[0004] 따라서, 불활성 가스가 기생 플라즈마를 형성하는 것을 방지하는 개선된 후면 가스 전달 조립체가 필요하다.
[0005] 일 실시예에서, 후면 가스 전달 조립체가 제공된다. 후면 가스 전달 조립체는 기판 지지 조립체의 스템(stem)에 배치된 제1 가스 채널을 포함한다. 기판 지지 조립체는 제1 가스 채널로부터 연장된 제2 가스 채널을 갖는 기판 지지부를 포함한다. 후면 가스 전달 조립체는, 스템과 기판 지지부의 인터페이스(interface)에 포지셔닝된, 제1 가스 채널 내에 배치된 다공성 플러그(porous plug)를 더 포함한다.
[0006] 다른 실시예에서, 후면 가스 전달 조립체가 제공된다. 후면 가스 전달 조립체는 기판 지지 조립체의 스템에 배치된 제1 가스 채널을 포함한다. 기판 지지 조립체는 제1 가스 채널로부터 연장된 제2 가스 채널을 갖는 기판 지지부를 포함한다. 후면 가스 전달 조립체는, 스템과 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된, 제1 가스 채널 내에 배치된 다공성 플러그; 기판 지지부의 상부 표면 상에 배치된 기판의 후면 표면에 불활성 가스를 전달하도록 구성된, 제1 가스 채널에 연결된 가스 소스; 및 스템과 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된 다공성 플러그까지 연장된, 제1 가스 채널 내의 가스 튜브를 더 포함한다.
[0007] 또 다른 실시예에서, 후면 가스 전달 조립체가 제공된다. 후면 가스 전달 조립체는 기판 지지 조립체의 스템에 배치된 제1 가스 채널을 포함한다. 기판 지지 조립체는 제1 가스 채널로부터 연장된 제2 가스 채널을 갖는 기판 지지부를 포함한다. 후면 가스 전달 조립체는, 스템과 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된, 제1 가스 채널 내에 배치된 다공성 플러그; 기판 지지부의 상부 표면 상에 배치된 기판의 후면 표면에 불활성 가스를 전달하도록 구성된, 제1 가스 채널에 연결된 가스 소스; 및 약 0.025 인치 내지 0.075 인치의 내경, 및 5 마이크로인치 미만의 표면 마감(surface finish)을 갖는 내측 표면을 갖는, 전기 접지부에 연결된 가스 튜브를 더 포함하며, 가스 튜브는 제1 가스 채널에 접합되고, 스템과 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된 다공성 플러그까지 연장된다.
[0008] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1a는 실시예에 따른 플라즈마 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0010] 도 1b는 도 1a에 도시된 기판 지지 조립체의 확대된 개략적인 단면도이다.
[0011] 도 1c는 도 1b에 도시된 후면 가스 전달 조립체의 확대된 개략적인 단면도이다.
[0012] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
[0013] 본원에서 설명되는 실시예들은 불활성 가스가 기생 플라즈마를 형성하는 것을 방지하는 개선된 후면 가스 전달 조립체를 제공한다. 후면 가스 전달 조립체는 기판 지지 조립체의 스템에 배치된 제1 가스 채널을 포함한다. 기판 지지 조립체는 제1 가스 채널로부터 연장된 제2 가스 채널을 갖는 기판 지지부를 포함한다. 후면 가스 전달 조립체는, 스템과 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된, 제1 가스 채널 내에 배치된 다공성 플러그; 기판 지지부의 상부 표면 상에 배치된 기판의 후면 표면에 불활성 가스를 전달하도록 구성된, 제1 가스 채널에 연결된 가스 소스; 및 스템과 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된 다공성 플러그까지 연장된, 제1 가스 채널 내의 가스 튜브를 더 포함한다.
[0014] 도 1a는 일 실시예에 따른 플라즈마 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도이며, 플라즈마 프로세싱 챔버(100)는 캘리포니아, 산타클라라에 소재된 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능하다. 아래에서 설명되는 챔버는 예시적인 챔버이고, 다른 제조자들로부터의 챔버들을 포함하는 다른 챔버들이 본 개시내용의 양상들과 함께 사용될 수 있거나 또는 본 개시내용의 양상들을 달성하기 위해 수정될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
[0015] 플라즈마 프로세싱 챔버(100)는 챔버 바디(102), 기판 지지 조립체(105), 및 가스 분배 조립체(104)를 포함하며, 가스 분배 조립체(104)는 기판 지지 조립체(105) 맞은편에 포지셔닝되고, 기판 지지 조립체(105)와의 사이에 프로세스 볼륨(106)을 정의한다. 가스 분배 조립체는, 기판 지지 조립체(105) 상에 포지셔닝된 기판(110) 상으로의 막의 증착 또는 기판(110)으로부터의 막의 에칭을 가능하게 하기 위해, 플라즈마 프로세싱 챔버(100)의 프로세스 볼륨(106) 내로 가스들을 균일하게 분배하도록 구성된다. 가스 분배 조립체(104)는 가스 유입구 통로(117)를 포함하며, 가스 유입구 통로(117)는 가스 유동 제어기(120)로부터의 가스를 행거 플레이트(119)로부터 서스펜딩(suspend)된 가스 분배 매니폴드(118) 내로 전달한다. 가스 분배 매니폴드(118)는 복수의 홀들 또는 노즐들(미도시)을 포함하며, 그 복수의 홀들 또는 노즐들을 통해, 프로세싱 동안, 가스성 혼합물들이 프로세스 볼륨(106) 내로 주입된다. 가스 분배 조립체(104)는 기판 지지부(108)에 인가되는 RF 에너지가 프로세스 볼륨(106) 내에 전기장을 생성할 수 있게 하기 위해 RF 리턴에 연결될 수 있으며, 그 전기장은 기판(110)의 프로세싱을 위한 플라즈마를 생성하기 위해 사용된다.
[0016] 기판 지지 조립체(105)는 기판 지지부(108), 베이스(115), 기판 지지부(108)에 베이스(115)를 연결하는 스템(114), 및 구동 시스템(103)을 포함한다. 기판 지지 조립체(105)는 플라즈마 프로세싱 챔버(100)의 내부 볼륨 내에 배치된다. 기판 지지부(108)는 기판(110)을 지지하는 상부 표면(109), 및 기판 지지부(108)에 스템(114)을 탑재하기 위한 하부 표면(111)을 갖는다. 일 실시예에서, 기판 지지부(108)는 소결된 세라믹 재료, 이를테면, 알루미늄 질화물(AlN), 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 탄화물(SiC) 등으로 형성된다. 기판 지지부(108)는 스템(114)에 의해 프로세스 볼륨(106)에서 이동가능하게 배치되며, 스템(114)은 챔버 바디(102) 외부에 위치된 구동 시스템(103)에 커플링된다. 스템(114) 및 베이스(115)는, 기판 지지부(108)가 상승, 하강, 및/또는 회전될 수 있게 하기 위해, 구동 시스템(103) 및 벨로즈(bellows)(미도시)에 연결된다.
[0017] 도 1b는 기판 지지 조립체(105)의 확대된 개략적인 단면도이다. 일 실시예에서, 기판 지지 조립체(105)는 베이스(115)에 배치된 상호연결 조립체(130)를 포함한다. 상호연결 조립체(130)는 기판 지지부(108) 내에 배치된 전극(112)과 RF 회로(170) 및 DC 회로(175)를 커플링시킨다. 일 실시예에서, 전극(112)은 전도성 메시(mesh), 이를테면, 텅스텐-함유, 구리-함유, 또는 몰리브덴-함유 전도성 메시를 포함한다.
[0018] RF 회로(170)는 전도성 로드(rod)(122)에 의해 전극(112)에 전기적으로 커플링된다. RF 회로(170)는 기판(110)을 프로세싱하기 위해 프로세스 볼륨(106)(도 1a에 도시됨) 내에 플라즈마를 생성하기 위하여, 프로세스 볼륨(106)에 전기장을 생성하도록 구성된다. 전기장은 기판 지지부(108) 내의 전극(112)과, 전기 접지부에 연결된 가스 분배 조립체(104)(도 1a에 도시됨) 사이에 생성된다. RF 회로(170)는 전극(112)으로의 RF 전력의 인가를 가능하게 하기 위해, RF 전력 소스(171), 및 RF 전력 소스(171)와 전극(112) 사이에 커플링된 정합 회로(172)를 포함한다.
[0019] DC 회로(175)는 전도성 로드(122)에 의해 전극(112)에 전기적으로 커플링된다. DC 회로(175)는 프로세싱 동안 기판 지지부(108)에 기판(110)을 정전기적으로 척킹하기 위해 사용될 수 있다. DC 회로(175)는 DC 전력 소스(176), 및 DC 전력 소스(176)와 전극(112) 사이에 커플링된 RF 필터(177)를 포함할 수 있다. RF 필터(177)는 RF 회로(170)로부터의 고 주파수 전력으로부터 DC 전력 소스(176)를 보호하기 위해 사용될 수 있다. DC 전력 소스(176)는 양 또는 음의 DC 전압을 생성하도록 구성될 수 있다. 가열 회로(160)가 전도성 로드(155)에 의해 가열 엘리먼트(150)에 전기적으로 커플링된다. 가열 회로(160)는 가열 전력 소스(165)와 가열 엘리먼트(150) 사이에 커플링된 RF 필터(166)를 더 포함한다. RF 필터(166)는 RF 회로(170)로부터의 고 주파수 전력으로부터 가열 전력 소스(165)를 보호하기 위해 사용될 수 있다.
[0020] 기판 지지 조립체(105)는 기판(110)의 후면에 헬륨과 같은 불활성 가스를 제공하기 위해 후면 가스 전달 조립체(116)를 더 포함한다. 불활성 가스는 프로세싱 동안 기판 지지부(108)와 기판(110) 사이의 열 전달 및 열 균일성을 개선하기 위해 사용될 수 있다. 후면 가스 전달 조립체(116)는 가스 소스(124)에 연결된 제1 가스 채널(126)을 포함한다. 제1 가스 채널(126)은 RF 개스킷(132), 상호연결 조립체(130), 및 스템(114)을 통해 연장된다. 기판 지지부(108)에 배치된 제2 가스 채널(136)이 제1 가스 채널(126)로부터 연장되어 연속적인 가스 채널을 형성한다. 제2 가스 채널(136)은 기판(110)의 후면 표면에 불활성 가스를 제공하기 위해 활용된다. 제1 가스 채널(126)에 커플링된 RF 개스킷(132)은 제1 가스 채널(126) 내부의 불활성 가스가 RF 전력의 존재로 인해 이온화되고 기생 플라즈마를 형성하는 것을 막는다. 일부 예들에서, RF 개스킷(132)은 전기 접지부에 연결될 수 있다.
[0021] 후면 가스 전달 조립체(116)는 기판 지지부(108)의 하부 표면(111)과 스템(114)의 인터페이스에 포지셔닝된 다공성 플러그(134)를 더 포함한다. 다공성 플러그(134)는 제1 가스 채널(126) 내에 배치된다. 다공성 플러그(134)는 다공성 플러그(134)와 제1 가스 채널(126) 사이에 억지 끼워맞춤(interference fit)을 형성하도록 제1 가스 채널(126)의 내경과 대략 동일한 외경을 갖는다. 저-밀도 소결된 세라믹 재료로 형성된 다공성 플러그(134)는 불활성 가스가 제1 가스 채널로부터 연장된 제2 가스 채널(136)을 통해 유동할 수 있게 하는 통로들을 갖는다. 다공성 플러그는 알루미늄 산화물(Al2O3) 및/또는 알루미늄 질화물(AlN) 함유 재료들을 포함할 수 있다. 다공성 플러그(134)는 제1 가스 채널(126) 내부의 불활성 가스가 RF 전력의 존재로 인해 이온화되는 것을 방지하고, 그에 따라, 예컨대, 플라즈마가 제1 가스 채널(126)을 따라 아래로 전파되는 것을 방지함으로써, 제2 가스 채널(136) 내의 기생 플라즈마의 형성을 방지한다. 기생 플라즈마는 기생 플라즈마가 전파될 수 있게 하는 가능한(viable) 양의 단면적이 있는 경우에만 공간 내로 전파될 것이다. 다공성 플러그(134) 내의 통로들의 유효 단면(effective cross section)들은 이온화된 불활성 가스가 다공성 플러그(134)를 통해 전파되는 것을 방지하는 단면적들을 갖는다. 기판(110) 아래의 기생 플라즈마의 형성은, 기판(110)의 후면 상에 증착되어 최종 디바이스 성능에 악영향을 미칠 수 있는 입자 오염의 생성을 초래할 수 있다. 따라서, 후면 기생 플라즈마의 감소는 유익하다.
[0022] 게다가, 기생 플라즈마를 감소시키는 것에 부가하여, 다공성 플러그(134)는, 기판(110)으로부터 이격되어 있음으로써(예컨대, 기판(110)과 비-접촉 구성으로 있음으로써), 입자 오염을 추가로 감소시킨다. 소결된 세라믹 재료들로 형성된 종래의 기판 지지부들은 불-균일한 조성들을 갖는다. 따라서, 종래의 기판 지지부들에 배치된 다공성 플러그들은 불-균일한 조성들로부터 기인하는 상이한 열 팽창 비율들 및 약한 접합들로 인해 변위될 수 있다. 따라서, 본원에서 개시되는 세라믹 다공성 플러그(134)와 같은 플러그의 사용은, 플러그에 대한 기판 지지부(108)의 팽창/수축으로 인해, 기판 지지부(108) 내의 제2 가스 채널(136)의 원위 단부에 포지셔닝되는 경우 입자 오염을 초래할 것이다. 그러나, 본 개시내용의 세라믹 다공성 플러그(134)는 스템(114) 내에 포지셔닝되며, 스템(114)은 일반적으로 더 균일한 조성을 갖는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되고, 다공성 플러그(134)와 스템(114) 사이의 상대적인 이동으로 인한 입자 생성의 영향을 덜 받는다.
[0023] 도 1c는 후면 가스 전달 조립체(116)의 확대된 개략적인 단면도이다. 후면 가스 전달 조립체(116)는 기판 지지부(108)의 하부 표면(111)과 스템(114)의 인터페이스에 포지셔닝된 다공성 플러그(134)까지 연장된 가스 튜브(140)를 더 포함한다. 가스 튜브(140)는 제1 가스 채널(126)의 내측 표면(127)에 접합된다. 일 실시예에서, 가스 튜브(140)는, RF 개스킷(132) 전에(예컨대, 유동적으로 상류에) 포지셔닝된, 제1 가스 채널(126)의 제1 부분(138)에 접합된 제1 단부(142), 및 다공성 플러그(134)에 접합된 제2 단부(144)를 갖는다. 가스 튜브(140)는, RF 개스킷(132) 전에 포지셔닝된, 제1 가스 채널(126)의 제1 부분(138)에 용접될 수 있다. 가스 튜브(140)는, 기판 지지 조립체(105)에서의 RF 전력 및 회로부에 대한 후면 가스 전달 조립체(116)의 근접성으로 인한, 동작 동안의 RF 전력의 존재로 인해, 가스 튜브(140) 내부의 불활성 가스가 이온화되는 것을 막기 위해, 전기 접지부에 연결될 수 있다. 다공성 플러그(134)는 제1 가스 채널(126)의 제2 부분(146)에서 가스 튜브(140)와 제1 가스 채널(126) 사이의 공간(128)을 따라 아래로 기생 플라즈마의 형성이 전파되는 것을 추가로 방지한다.
[0024] 일 실시예에서, 가스 튜브(140)는, 가스 튜브(140) 내부의 불활성 가스가 RF 전력의 존재로 인해 이온화되는 것을 방지하면서 불활성 가스가 가스 튜브(140)를 통해 유동할 수 있게 할 정도로 좁은 내경(148)을 갖는다. 일 실시예에서, 내경(148)은 약 0.025 인치 내지 0.075 인치이다. 다른 실시예에서, 가스 튜브(140)는, 가스 튜브(140)의 내측 표면(152)이 5 마이크로인치(μin) 미만의 표면 마감을 갖도록, 전기주조된 니켈로 형성된다. 5 μin 미만의 표면 마감은 미량의 오염물들이 튜브의 내부 표면 상에 증착된 후에 박편화되어 떨어져 기판들을 오염시키게 하지 않으면서 불활성 가스가 전달될 수 있게 한다. 또한, 전기주조된 니켈은 시간이 지남에 따라 동작 동안 발생할 수 있는 부식성 파괴 및 온도에 대한 내성이 매우 강하고, 이에 의해, 입자 생성의 가능성이 감소된다.
[0025] 일 예에서, 불활성 가스가 기판의 후면 표면 상에 금속들 또는 다른 오염물들을 증착하는 기생 플라즈마를 형성하는 것을 방지하는 개선된 후면 가스 전달 조립체가 본원에서 설명된다. 제2 가스 채널에 커플링된 기판 지지부의 하부 표면과 스템의 인터페이스에 포지셔닝된 다공성 플러그는 소결된 세라믹 재료로 형성된 기판 지지부가 활용될 수 있게 한다. 부가적으로, 다공성 플러그는, 불활성 가스가 이온화되어, 기판 지지부에 배치된 제2 가스 채널을 따라 위로 또는 가스 전달 조립체의 제1 가스 채널을 따라 아래로 전파되는 것을 방지한다. 전기 접지부에 연결된 가스 튜브는 가스 튜브 내부의 불활성 가스가 이온화되는 것을 방지하며, 가스 튜브에 접합된 다공성 플러그는 기생 플라즈마가 가스 튜브와 제1 가스 채널 사이의 공간을 따라 아래로 전파되는 것을 추가로 방지한다. 가스 튜브는, 가스 튜브 내부의 불활성 가스가 이온화되는 것을 방지하면서 불활성 가스가 가스 튜브를 통해 유동할 수 있게 할 정도로 좁은 내경을 갖는다. 5 마이크로인치(μin) 미만의 표면 마감을 갖는 전기주조된 니켈로 형성된 가스 튜브는 미량의 오염물들이 튜브의 내부 표면 상에 증착된 후에 박편화되어 떨어져 기판들을 오염시키게 하지 않으면서 불활성 가스가 전달될 수 있게 한다.
[0026] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 지지 조립체의 스템(stem)에 배치된 제1 가스 채널 ― 상기 기판 지지 조립체는 상기 제1 가스 채널로부터 연장된 제2 가스 채널을 갖는 기판 지지부를 포함함 ―; 및
    상기 스템과 상기 기판 지지부의 인터페이스(interface)에 포지셔닝된, 상기 제1 가스 채널 내에 배치된 다공성 플러그(porous plug)
    를 포함하는,
    후면 가스 전달 조립체.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 가스 채널에 연결된 가스 소스를 더 포함하는,
    후면 가스 전달 조립체.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 후면 가스 전달 조립체는 상기 기판 지지부의 상부 표면 상에 배치된 기판의 후면 표면에 불활성 가스를 전달하도록 구성되는,
    후면 가스 전달 조립체.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 가스 채널은 RF 개스킷(RF gasket)을 통해 연장되는,
    후면 가스 전달 조립체.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 RF 개스킷은 전기 접지부에 연결되는,
    후면 가스 전달 조립체.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 스템과 상기 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된 상기 다공성 플러그까지 연장된, 상기 제1 가스 채널 내의 가스 튜브(gas tube)를 더 포함하는,
    후면 가스 전달 조립체.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 가스 튜브는 전기 접지부에 연결되는,
    후면 가스 전달 조립체.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 가스 튜브는 상기 제1 가스 채널의 내측 표면에 접합되는,
    후면 가스 전달 조립체.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 가스 튜브는, 상기 RF 개스킷 전에 포지셔닝된, 상기 제1 가스 채널의 제1 부분에 용접되는,
    후면 가스 전달 조립체.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 가스 튜브는 약 0.025 인치 내지 0.075 인치의 내경을 갖는,
    후면 가스 전달 조립체.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 가스 튜브의 내측 표면은 5 마이크로인치(μin) 미만의 표면 마감(surface finish)을 갖는,
    후면 가스 전달 조립체.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 가스 튜브는 전기주조된 니켈로 형성되는,
    후면 가스 전달 조립체.
  13. 기판 지지 조립체의 스템에 배치된 제1 가스 채널 ― 상기 기판 지지 조립체는 상기 제1 가스 채널로부터 연장된 제2 가스 채널을 갖는 기판 지지부를 포함함 ―;
    상기 스템과 상기 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된, 상기 제1 가스 채널 내에 배치된 다공성 플러그;
    상기 기판 지지부의 상부 표면 상에 배치된 기판의 후면 표면에 불활성 가스를 전달하도록 구성된, 상기 제1 가스 채널에 연결된 가스 소스; 및
    상기 스템과 상기 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된 상기 다공성 플러그까지 연장된, 상기 제1 가스 채널 내의 가스 튜브
    를 포함하는,
    후면 가스 전달 조립체.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 가스 채널은 전기 접지부에 연결된 RF 개스킷을 통해 연장되고, 상기 가스 튜브는 상기 전기 접지부에 연결되는,
    후면 가스 전달 조립체.
  15. 기판 지지 조립체의 스템에 배치된 제1 가스 채널 ― 상기 기판 지지 조립체는 상기 제1 가스 채널로부터 연장된 제2 가스 채널을 갖는 기판 지지부를 포함함 ―;
    상기 스템과 상기 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된, 상기 제1 가스 채널 내에 배치된 다공성 플러그;
    상기 기판 지지부의 상부 표면 상에 배치된 기판의 후면 표면에 불활성 가스를 전달하도록 구성된, 상기 제1 가스 채널에 연결된 가스 소스; 및
    약 0.025 인치 내지 0.075 인치의 내경, 및 5 마이크로인치 미만의 표면 마감을 갖는 내측 표면을 갖는, 전기 접지부에 연결된 가스 튜브
    를 포함하며,
    상기 가스 튜브는 상기 제1 가스 채널에 접합되고, 상기 스템과 상기 기판 지지부의 인터페이스에 포지셔닝된 상기 다공성 플러그까지 연장되는,
    후면 가스 전달 조립체.
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