CN105489537B - 基板搬送装置的位置调整方法以及基板处理装置 - Google Patents

基板搬送装置的位置调整方法以及基板处理装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬送装置的位置调整方法。本发明提供基板搬送装置的位置调整方法，其包括：第一检测步骤，利用搬送基板的基板搬送部保持基板，检测基板的位置；将由基板搬送部保持的基板向保持并旋转基板的基板旋转部搬送的步骤；利用基板旋转部使由基板旋转部保持的基板仅仅旋转规定的角度的步骤；从基板搬送部接收被基板旋转部旋转的基板的步骤；第二检测步骤，检测基板搬送部接收的该基板的位置；基于在第一检测步骤求出的基板的位置和在第二检测步骤求出的基板的位置，掌握基板旋转部的旋转中心位置的步骤；和基于掌握的旋转中心位置，调整基板搬送部的位置的步骤。

Description

基板搬送装置的位置调整方法以及基板处理装置
本申请是2012年3月1日提出的申请号为201210052118.X的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及搬送基板的基板搬送装置的位置调整方法以及基板处理装置。
背景技术
在半导体装置和平板显示器(FPD：Flat Panel Display)的制造工序中，使用具有多个处理模块和分别相对这些处理模块搬入搬出基板的基板搬送装置的基板处理装置。在这样的基板处理装置中，利用基板搬送装置向多个处理模块依次搬送基板，进行与处理模块对应的规定的处理。此时，例如当未将基板置于处理模块内的适当的位置时，存在在基板整个面不能进行均一的处理的问题。因此，基板搬送装置构成为能够发挥较高的搬送精度，但为了在适当的位置放置基板，不能缺少搬送位置调整。
作为基板搬送装置的搬送位置调整，例如有时利用基板搬送装置搬送搭载有照相机或传感器等的检测器的调整夹具(adjusting jig)，基于检测器检测到的位置求出与规定的基准位置的偏移，进行修正该偏移的操作(指点操作)(例如专利文献1和2)。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2009－54665号公报
专利文献2：日本特开2008－109027号公报
发明内容
发明想要解决的问题
但是，在使用调整夹具的情况下，当不以相应的频率进行调整夹具的检查和校正时，存在由于调整夹具自身导致的调整误差的问题。另外，当调整夹具的安装存在失误时，有时不能进行适当的搬送位置调整。还有，调整夹具比较昂贵，并且需要相应于位于基板的搬送目的地的处理模块的形状等准备多个调整夹具，因此搬送位置调整有时需要相当大的费用。因此，期望以不使用调整夹具的方式进行基板搬送装置的位置调整。
所以，本发明提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬送装置的位置调整方法和基板处理装置。
用于解决问题的方法
根据本发明的第一方面，提供一种基板搬送装置的位置调整方法，包括：第一检测步骤，在基板搬送装置中，利用基板搬送装置的基板保持部保持基板，检测该基板的第一位置；将由上述基板保持部保持的上述基板向保持并旋转基板的基板旋转部搬送的步骤；利用上述基板旋转部使保持于上述基板旋转部的上述基板仅仅旋转规定的角度的步骤；从上述基板旋转部接收被上述基板旋转部旋转的上述基板的步骤；第二检测步骤，检测上述基板保持部接收的该基板的第二位置；基于上述第一位置和上述第二位置，掌握上述基板旋转部的旋转中心位置的步骤；和基于上述掌握的上述旋转中心位置，调整上述基板保持部的位置的步骤。
根据本发明的第二方面，提供一种基板处理装置，其具有：
保持并搬送基板的基板保持部；位置检测部，检测与上述基板保持部相对设置，由上述基板保持部保持的上述基板的位置；基板旋转部，能够在与上述基板保持部之间进行上述基板的交接，保持并旋转上述基板；和控制部，构成为：利用上述位置检测部求出由上述基板保持部保持的上述基板的第一位置、和上述基板被交接到上述基板旋转部并被旋转规定的角度、由上述基板保持部接收的上述基板的第二位置，基于上述第一位置和上述第二位置掌握上述基板旋转部的旋转中心位置，基于掌握的上述旋转中心位置调整上述基板保持部的位置。
根据本发明的第三方面，提供一种基板处理装置，具有：基板载置部，载置由基板搬送装置的基板保持部搬送的基板；和与由上述基板保持部搬送的上述基板的外边缘部接触，能够保持该基板的至少三个基板支承部件，上述至少三个基板支承部件配置为，由上述至少三个基板支承部件保持的上述基板的位置与上述基板载置部中的上述基板的适当位置对应。
根据本发明的第四方面，提供一种位置调整方法，具有：基板载置部，载置由基板搬送装置的基板保持部搬送的基板；和与由上述基板保持部搬送的上述基板的外边缘部接触，能够保持该基板的至少三个基板支承部件，上述至少三个基板支承部件配置为，由上述至少三个基板支承部件保持的上述基板的位置与上述基板载置部中的上述基板的适当位置对应，上述基板搬送装置的位置调整方法的特征在于，具有：由上述基板保持部搬送上述基板，使上述基板保持于上述至少三个基板支承部件的步骤；从上述基板保持部接收由上述至少三个基板支承部件保持的上述基板的步骤；和检测接收的上述基板的位置的步骤，基于检测的上述基板的位置，调整上述基板保持部的位置。
根据本发明的第五方面，提供一种基板搬送装置的位置调整方法，包含：利用基板搬送装置的基板保持部支承基板的步骤；使保持上述基板的上述基板保持部，从应载置上述基板的基板载置部的上方，向该基板载置部仅仅下降规定的距离，利用设置于上述基板保持部的基板检测部来检测有无上述基板的步骤；当在上述检测的步骤中判定具有上述基板时，重复上述检测步骤的步骤；和当在上述检测的步骤中判定没有上述基板时，将该时刻的上述基板保持部的位置设定为上述基板保持部的上下方向的基准位置的步骤。
根据本发明的第六方面，提供一种基板搬送装置的位置调整方法，包含：使支承基板的背面中央部的背面支承部支承基板的步骤；使基板搬送装置的基板保持部进入被上述背面支承部支承的基板的下方的步骤；使上述基板保持部朝向上述基板仅仅上升规定的距离，利用设置于上述基板保持部的基板检测部检测有无上述基板的步骤；当在上述检测的步骤中判定没有上述基板时，重复上述检测步骤的步骤；和当在上述检测的步骤中判定具有上述基板时，将该时刻中的上述基板保持部的位置设定为上述基板保持部的上下方向的基准位置的步骤。
发明效果
采用本发明的实施方式，提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬送装置的位置调整方法和基板处理装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式涉及的光致抗蚀剂涂布显影装置的结构的俯视图。
图2是表示本发明的实施方式涉及的光致抗蚀剂涂布显影装置的结构的概略立体图。
图3是本发明的实施方式涉及的光致抗蚀剂涂布显影装置的结构的侧面图。
图4是表示从图1至图3所示的光致抗蚀剂涂布显影装置中的第三区块的结构的立体图。
图5是表示图4所示的第三区块中的涂布模块的概略侧面图。
图6是表示图4所示的第三区块中的热处理模块的说明图。
图7是表示图4所示的第三区块中的搬送臂的立体图。
图8是表示图7所示的搬送臂的俯视图和侧面图。
图9是图7和图8所示的搬送臂的叉的放大俯视图。
图10是表示从图1至图3所示的光致抗蚀剂涂布显影装置的控制部的结构的说明图。
图11是表示图10所示的控制部与图6和图7所示的热处理模块部和搬送臂之间关系的说明图。
图12是说明本发明的实施方式的搬送位置调整方法的图。
图13是说明本发明的其它的实施方式的搬送位置调整方法的图。
图14是说明本发明的其它的实施方式的搬送位置调整方法中的基板位置检测方法的图。
图15是说明本发明的其它的实施方式的搬送位置调整方法中的他的基板位置检测方法的图。
图16是说明本发明的又一个实施方式的搬送位置调整方法中的基板位置检测方法的图。
图17是接着图16，说明本发明的又一个实施方式的搬送位置调整方法中的基板位置检测方法的图。
图18是接着图17，说明本发明的又一个实施方式的搬送位置调整方法中的基板位置检测方法的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的非限定的例示的实施方式进行说明。在附图的全部的图中，对同一或者对应的部件或零件，附加同一或者对应的参照符号，省略重复的说明。
(涂布显影装置)
首先，参照图1至图4说明本发明的实施方式的涂布显影装置。如图1和图2所示，在涂布显影装置100以如下顺序设置有载体站S1、处理站S2和接口站S3。另外，涂布显影装置100的接口站S3侧与曝光装置S4结合。
载体站S1具有载置台21和搬送机构C。在载置台21上载置有收纳规定的片数(例如25片)的半导体晶片(以下晶片)W的载体20。在本实施方式中，载置台21能够并列载置4个载体20。在以下的说明中，如图1所示，设定载体20并列的方向为X方向，设定与其正交的方向为Y方向。搬送机构C从载体20取出晶片W，将其向处理站S2搬送，并且在处理站S2中接收被处理的处理完的晶片W，将其收纳于载体20。
如图1和图2所示，处理站S2与载体站S1的+Y方向侧结合，具有：架单元U1；架单元U2；第一区块(DEV层)B1；第二区块(BCT层)B2；第三区块(COT层)B3；和第四区块(TCT层)B4。
如图3所示，架单元U1，例如具有从下方开始依次层叠的，交接模块TRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4和TRS4。另外，如图1所示，在架单元U1的+X方向侧设置有自由升降的搬送机构D。在架单元U1的各模块之间，利用搬送机构D搬送晶片W。
如图3所示，架单元U2，例如具有从下方开始依次叠层的，交接模块TRS6、TRS6和CPL12。
此外，交接模块中的附加参照符号“CPL+数字”的交接模块中存在兼为对晶片W进行加热的加热模块，并存在兼为对晶片W进行冷却将其维持为规定的温度(例如23℃)的冷却模块。附加参照符号“BF+数字”的交接模块兼为能够载置多个晶片W的缓冲模块。另外，在交接模块TRS、CPL、BF等设置有载置晶片W的载置部。
(关于处理站的第三区块)
接着，参照图4至图6对第三区块B3进行说明。如图4所示，第三区块B3具有：涂布模块23；架单元U3；和搬送臂A3。如图5所示，涂布模块23具有：筐体80；设置于筐体80内的旋转卡盘81；驱动部82；药液供给喷嘴83；和杯体部84。在筐体80形成有搬送口80a，通过其利用搬送臂A3向筐体80搬入晶片W，从筐体80搬出晶片W。旋转卡盘81利用规定的吸引装置(未图示)吸引晶片W的背面中央部，来进行保持。旋转卡盘81被驱动部82支承，通过驱动部82能够旋转和上下移动。药液供给喷嘴83被支承驱动部85a和支承轴85b支承。通过旋转支承轴85b，支承驱动部85a使药液供给喷嘴83的前端部83a位于杯体部84的外侧的主(home)位置与被旋转卡盘81保持的晶片W的大致中央的上方的药液供给位置的任一处。杯体部84包围被旋转卡盘81保持的晶片W的周围，接收被供给到晶片W的药液，另外，从形成于下部的排出口排出药液。在涂布模块23中，作为药液使用光致抗蚀剂液，通过上述的结构，能够在晶片W上形成光致抗蚀剂膜。
另外，如图4所示，第三区块B3的架单元U3具有与涂布模块23相对配置的热处理模块TM。在热处理模块TM中，进行光致抗蚀剂膜形成的前处理和后处理。另外，在各热处理模块TM形成有晶片W的搬送口24。搬送臂A3设置于涂布模块23与架单元U3之间。
在此，参照图6对热处理模块TM进一步进行说明。图6是热处理模块TM的截面图。如图所示，热处理模块TM，具有：筐体90；设置于筐体90内的热板91；冷却板92；和支承板93。热板91具有圆片形状，该圆片形状具有比晶片W的直径大的外径。在热板91的内部例如设置有电热线加热器(未图示)等，由此，热板91被加热到规定的温度。另外，在热板91例如形成有三个贯通孔91a(在图6中仅仅表示2个)，通过这些贯通孔91a，对应的三个升降销(liftpin)94能够通过驱动部94a上下移动。由此，升降销94能够将晶片W载置到热板91上，能够将载置到热板91的晶片W提起。此外，图6(a)中的参照符号97是冷却风扇，能够对被热板91加热，并能够对从热板91向冷却板92交接的晶片W进行冷却。
如图6(b)所示，冷却板92具有板形状，该板形状具有比晶片W的直径大的宽度和长度。另外，在冷却板92形成有在其前端侧(热板91侧)开口的狭缝92a、92b。狭缝92a、92b容许通过驱动部95a能上下移动的升降销95上下穿过冷却板92。通过该结构，利用搬送臂A3(图4)通过搬送口24向筐体90内搬送晶片W，并被保持于冷却板92的上方时，通过升降销95穿过狭缝92a、92b向冷却板92上突出，晶片W从搬送臂A3被升降销95接收，在搬送臂A3从筐体90退出之后，晶片W被载置到冷却板92上载置。另外，冷却板92，通过未图示的水平驱动部，能够在支承板93的上方的位置和热板91的上方的位置的之间移动。因此，冷却板92兼为筐体90内的基板搬送部。例如，当载置有晶片W的冷却板92向热板91的上方移动时，通过升降销94穿过热板91的贯通孔91a和冷却板92的狭缝92a、92b向热板91上突出，晶片W从冷却板92被升降销94接收，冷却板92向支承板93的上方返回后，升降销94下降，晶片W被载置到热板91上。另外，当载置到热板91上的晶片W被升降销94提起时，冷却板92进入晶片W和热板91之间。此时，升降销94收纳于在冷却板92形成的狭缝92a、92b，因此冷却板92能够位于热板91的上方。接着，通过升降销94下降，晶片W被载置到冷却板92上。接着，冷却板92向支承板93的上方返回，晶片W经由升降销95被交接到搬送臂A3，晶片W被从热处理模块TM搬出。
另外，在冷却板92的内部形成有被冷却的或被温度调节的介质流动的导管，通过来自未图示的温度调节装置的介质流动而被维持在规定的温度。因此，当被热板91加热的晶片W被冷却板92接收时，通过冷却板92立即开始被冷却。所以，例如在从热处理模块TM搬出之后，与利用规定的冷却模块来冷却晶片W的情况相比，能够缩短冷却所需要的时间。
另外，参照图6(b)，冷却板92的下方的支承板93具有矩形板形状，该矩形板形状在大致中央具有开口93a。通过开口93a，不存在冷却板92的升降销95的上下移动被支承板93妨碍的问题。另外，支承板93的上表面配置有4个晶片支承台96。晶片支承台96，包括：具有圆筒形状的下部96a，和配置于该下部96a上的具有截头圆锥体形状的上部96b(参照图6(c))。
另外，如图6(c)所示，4个晶片支承台96配置为，利用上部96b的截头圆锥体形状的下端与下部96a的上表面限制晶片W的外缘。进一步，以被4个晶片支承台96限制的晶片W的中心和冷却板92的中心对应的方式配置4个晶片支承台96。以下，关于晶片支承台96和其配置具体地进行说明。
首先，热处理模块TM的冷却板92向热板91的上方移动。接着，利用搬送臂A3向热处理模块TM的筐体90内搬入晶片W，并将其保持于支承板93的上方。接着，支承板93的下方的升降销95通过驱动部95a上升，从搬送臂A3接收晶片W。在搬送臂A3退出后，当升降销95通过驱动部95a下降时，晶片W被支承板93的晶片支承台96支承。此时，即使晶片W的外缘接近晶片支承台96的上部96b的斜面，也在斜面滑动到达下部96a的上表面，这样，晶片W的外缘被4个晶片支承台96限制。之后，当晶片W被升降销95从晶片支承台96提起，被搬送臂A3接收时，升降销95下降，冷却板92返回到支承板93的上方。在此，通过搬送臂A3与升降销95协动，从搬送臂A3向冷却板92转移晶片W。冷却板92上的晶片W如上述的方式被载置于热板91上。此时，晶片W的中心与热板91的中心一致。即，被支承板93上的晶片支承台96限制的晶片W恰当地载置于热板91上。换而言之，当在支承板93上利用晶片支承台96对准晶片W时，以载置于热板91上的晶片W的中心与热板91的中心一致的方式，在支承板93上定位4个晶片支承台96。
再次，参照图1和图3，第一区块B1具有：显影模块22；搬送臂A1；和往复移送臂E。详细来说，在第一区块B1内具有2个显影模块22，这些显影模块22上下层叠。各显影模块22具有与上述的涂布模块23相同的结构，通过向形成于晶片W的表面和被曝光的光致抗蚀剂膜供给作为药液的显影液，来显影光致抗蚀剂膜。另外，搬送臂A1向2个显影模块22搬送晶片W。往复移送臂E在架单元U1的交接模块CPL11与架单元U2的交接模块CPL12之间搬送晶片W。
第二区块B2和第四区块B4具有与第三区块B3相同的结构。在第二区块B2中，供给防反射膜用的药液，形成有成为光致抗蚀剂膜的底层的下部防反射膜。在第四区块B4中，也供给防反射膜用的药液，在光致抗蚀剂膜的上方形成有上部防反射膜。
此外，如图3所示，对第二区块B2的搬送臂附与参照符号A2，对第四区块B4的搬送臂附与参照符号A4。
接口站S3与处理站S2的+Y方向侧结合，如图1所示，具有接口臂F。接口臂F配置于处理站S2的架单元U2的+Y方向侧。在架单元U2的各模块之间和各模块与曝光装置S4之间，利用接口臂F搬送晶片W。
(涂布显影装置中的晶片的流动)
在具有上述的结构的涂布显影装置100中，以以下的方式向各模块搬送晶片W，并对晶片W进行与模块对应的处理。首先，通过载体站S1的搬送机构C从载置台21上的载体20取出晶片W，并将其向处理站S2的架单元U1的交接模块CPL2搬送(参照图3)。搬送到交接模块CPL2的晶片W，被第二区块B2的搬送臂A2依次搬送到第二区块B2的各模块(热处理模块和涂布模块)，在晶片W上形成下部防反射膜。
形成有下部防反射膜的晶片W，被搬送臂A2向架单元U1的交接模块BF2搬送，被搬送机构D(图1)向架单元U1的交接模块CPL3搬送。接着，晶片W被第三区块B3的搬送臂A3接收，被依次搬送到第三区块B3的各模块(图4所示热处理模块TM和涂布模块23)，在下部防反射膜上形成光致抗蚀剂膜。
形成有光致抗蚀剂膜的晶片W被搬送臂A3搬送到架单元U1的交接模块BF3。
此外，形成有光致抗蚀剂膜的晶片W，在第四区块B4中，有时也形成防反射膜。在该情况下，晶片W经由交接模块CPL4被第四区块B4的搬送臂A4接收，被依次搬送到第四区块B4的各模块(热处理模块和涂布模块)，在光致抗蚀剂膜上形成上部防反射膜。之后，晶片W被搬送臂A4交接到架单元U1的交接模块TRS4。
形成有光致抗蚀剂膜(或者在其上方还有上部防反射膜)的晶片W，被搬送机构D从交接模块BF3(或者交接模块TRS4)向交接模块CPL11搬送。搬送到交接模块CPL11的晶片W，在被往复移送臂E搬送到架单元U2的交接模块CPL12后，被接口站S3的接口臂F接收。
在此之后，晶片W被接口臂F搬送到曝光装置S4，进行规定的曝光处理。进行过曝光处理的晶片W被接口臂F搬送到架单元U2的交接模块TRS6，返回到处理站S2。返回到处理站S2的晶片W，被向第一区块B1搬送，在此进行显影处理。进行过显影处理的晶片W被搬送臂A1搬送到架单元U1的交接模块TRS1，被搬送机构C返回到载体20。
(关于搬送臂)
接着，参照图7至图9，对设置于第三区块B3的搬送臂A3进行说明。
如图7所示，搬送臂A3具有：2个叉(fork)3A、3B；基台31；旋转机构32(图4)；进退机构33A、33B；和升降台34(图4)。另外，对应搬送臂A3设置有后述的检测部5A～5D(图10)。还有，搬送臂A3和检测部5A～5D被后述的控制部6控制。
叉3A配置于叉3B的上方。基台31通过旋转机构32围绕铅直轴自由旋转。另外，如图7所示，叉3A、3B各自在其基端侧被进退机构33A、33B支承。进退机构33A、33B使用滚珠丝杠机构或齿轮皮带(timing belt)等的传递机构与电动机M(图11参照)连结，相对基台31自由进退地驱动叉3A、3B。
再次参照图4，升降台34设置于旋转机构32的下方侧。升降台34设置为，沿在上下方向(图4中Z轴方向)上直线状延伸的未图示的Z轴导轨，通过升降机构自由升降。作为升降机构能够采用使用滚珠丝杠机构或齿轮皮带的机构等。在该例中，Z轴导轨和升降机构各自被覆盖体35覆盖，例如在上部一侧连接成为一体。另外，覆盖体35构成为，沿在Y轴方向上直线状延伸的Y轴导轨36滑动移动。
接着，参照图7和图8，进一步说明叉3A、3B。如图8(a)所示，叉3A、3B具有包围搬送的晶片W的周围的圆弧状的前端部。叉3A、3B形成有4个保持爪4A、4B、4C、4D。保持爪4A～4D从叉3A、3B的内边各自向内方突出，并且沿内边相互隔着间隔设置。此外，在图示的例中设置有4个保持爪4A～4D，但也可以设置三个以上的保持爪。
如图9所示，叉3A的保持爪4A～4D设置有吸附孔41A～41D；和包围吸附孔41A～41D的各自的周围的环状的垫衬42A～42D。如图8(a)所示，吸附孔41A～41D与在叉3A的内部、上表面或者下表面形成的真空配管43A连通。真空配管43A与未图示的真空排气部连接。叉3B的保持爪4A～4D也同样分别设置有吸附孔41A～41D和垫衬42A～42D，如图8(a)所示，吸附孔42A～42D与在叉3B的内部、上表面或者下表面形成的真空配管43B连通，真空配管43B与真空排气部连接。构成有这样的真空卡盘机构，因此当晶片W被保持爪4A～4D的垫衬42A～42D支承时，晶片W通过真空配管43A(或者43B)被真空排气部吸引，能够被叉3A(或者3B)牢固地保持。
此外，垫衬42A～42D为了提高与晶片W的背面周边部的密合性，例如优选采用具有弹性的橡胶等的材料制作。
(关于搬送臂的叉的检测部)
接着，关于对被叉3A、3B保持的晶片W的位置进行检测的检测部进行说明。参照图7，基台31设置有从基台31开始立起弯折并在水平方向上延伸的支承部件53。在支承部件53与其4个腕部对应安装有传感器52A、52B、52C、52D。传感器52A～52D位于在基端侧后退的叉3A、3B的上方。具体来讲，如图9所示，当从上方观看时，沿被叉3A(或者3B)保持的晶片W的周缘以规定的间隔配置有传感器52A～52D。另外，传感器52A～52D以横穿晶片W的周缘的方式延伸。传感器52A～52D在本实施方式中是CCD线传感器(line censor)。
此外，在以下的说明中，有时将叉3A、3B后退至基端侧时的位置称为主位置。
再次参照图7，在基台31上设置有光源51A、51B、51C、51D。光源51A与传感器52A对应配置，光源51B与传感器52B对应配置，光源51C与传感器52C对应配置，光源51D与传感器52D对应配置。在本实施方式中，光源51A～51D由直线状配列的多个发光二极管(LED)构成。由光源51A～51D和对应的传感器52A～52B构成检测元件部。
此外，也可以将光源51A～51D设置于支承部件53，将传感器52A～52D设置于基台31。另外，只要叉3A、3B和被它们保持的晶片W横穿检测部5A～5B之间，光源51A～51D(或者传感器52A～52D)也可以不在基台31上，使用规定的支承部件配置。
如图10所示，检测部5A包括：光源51A，传感器52A，检测控制部54，数字模拟转换器(DAC)55，和模拟数字转换器(ADC)56。另外，在图10中省略图示，但检测部5B、5C、5D，含有：对应的光源51B、51C、51D和传感器52B、52C、52D，与检测部5A同样构成。
检测控制部54是定时信号发生器(timing generator)，基于来自未图示的时钟的时钟信号，使由CCD线传感器构成的传感器52A的各CCD的动作时刻偏移，使电荷移动。另外，检测控制部54也进行由多个LED构成的光源51A的电流控制。DAC55对来自检测控制部54的数字控制信号进行模拟转换，并将转换过的模拟信号对光源51A进行输出。ADC56对来自传感器52A的作为检测信号的模拟输出信号进行数字转换，生成检测信号。
从检测部5A的ADC56输出的检测信号(检测值)被输入控制部6的计算处理部61。控制部6经由放大器57，控制驱动进退机构33A、33B的X轴驱动用的电动机、驱动基台31的Y轴驱动用的电动机、驱动升降台34的Z轴驱动用的电动机、和驱动旋转机构32的旋转驱动用的电动机。
通过利用以上的那样的结构，来自检测控制部54的控制信号被DAC55进行模拟转换，被模拟转换的控制信号被输入光源51A，光源51A发出直线状的光。从光源51A发出的光，被传感器52A接受。接受光的传感器52A，基于来自检测控制部54的控制信号的时刻，输出与受光量匹配的信号。从传感器52A输出的检测信号(检测值)，在被ADC56进行数字转换后，被输入控制部6内的计算处理部61。
控制部6不仅控制检测部5A～5D，也控制搬送臂的动作。以下，参照图11对控制模块之间的晶片W的交接的控制部6进行说明。
参照图11，搬送臂A3的叉3A进入冷却模块7内。冷却模块7，例如是图4所示的热处理模块TM中一个。如图所示，冷却模块7具有：处理容器71，载置部72，升降销73，和升降机构74。载置部72设置有用于对晶片W进行冷却至规定的温度，温度调节过的流体流动的导管(未图示)。另外，载置部72设置有多个贯通孔，与多个贯通孔对应的多个升降销73设置为可上下移动。升降销73通过升降机构74升降。
控制部6具有：计算处理部61，存储部62，显示部63，和警报产生部64。计算处理部61例如具有存储器，CPU(Central Processing Unit)，读取记录于存储部62的程序，并按照该程序所包含的命令(指令)，向搬送臂A3的各电动机M发送控制信号，执行晶片W的交接和搬送。另外，计算处理部61，读取记录于存储部62的程序，并按照该程序所包含的命令(指令)，向涂布显影装置100的各部发送控制信号，执行各种处理。
存储部62记录用于使计算处理部61执行各种处理的程序，从计算机可读取的记录介质62a存储程序。在程序中，为了实施后述的位置调整方法，具有含有使涂布显影装置100和其结构部件等动作的命令(指令)的程序。另外，作为记录介质62a，例如能够使用磁盘、光盘、硬盘、磁光(Magneto optical：MO(磁光))盘。
显示部63例如是具有液晶(LCD)面板等的显示器。在显示部63中，能够进行各种的基板处理用的程序的选择和各基板处理中的参数的输入操作。
警报产生部64含有搬送臂A3，当涂布显影装置100的各部参数异常时，产生并输出警报信号。
另外，计算处理部61，对搬送臂A3的进退机构33A、33B、基台31、升降台34、设置于旋转机构32的电动机、编码器38和计算脉冲数的计数器39等发送规定的控制信号，进行控制。而且，存储部62包含有用于执行本实施方式涉及的基板搬送方法的程序。
(关于搬送臂的Z轴方向的位置调整方法)
接着，关于本发明的实施方式的基板搬送装置的位置调整方法，以使用图4和图7所示的搬送臂A3和涂布模块23的情况为例进行说明。此外，该位置调整方法(和后述的其它的位置调整方法)，例如优选在图1所示的基板处理装置的起动之后立刻进行。另外，例如，基板处理装置在经过比规定的时间长的时间成为待机状态(idle(空转)状态)之后，在开始进行制造前进行位置调整。还有，这些位置调整方法使用的晶片，不是设置有传感器等的测试晶片，例如使用裸晶片(bare wafer)(或者再生晶片(reclaimed wafer))。
图12(a)至图12(c)表示对搬送臂A3的叉3A的Z轴方向的位置进行调整的第一的方法。如图12(a)所示，涂布模块23的旋转卡盘81通过驱动部82(图5)上升至晶片接收位置。在该状态下，保持晶片W的叉3A，在上升至能够向旋转卡盘81的上方搬送晶片W的高度之后，通过搬送口80a进入筐体80(图5)内，将晶片W维持在旋转卡盘81的上方。
接着，如图12(b)所示，叉3A下降。此时，例如仅仅下降0.1mm，然后停止，暂时起动设置于叉3A的真空机构，当检测到晶片W被叉3A吸引时，停止真空机构(吸引)，再次例如仅仅下降0.1mm。
当重复该次序时，均如图12(c)夸张所示的方式，晶片W被旋转卡盘81接收，晶片W的背面离开叉3A。在该情况下，即使起动真空机构，晶片W也不被叉3A吸引。此时的叉3A的Z轴方向的位置(高度)，作为该涂布模块23中的Z轴方向的基准位置被掌握。然后，通过将该基准位置设定为新的基准位置，位置调整结束。
在此之后，当旋转卡盘81位于杯体内的晶片旋转位置时，叉3A在距新的基准位置仅仅低规定的距离的位置，将晶片W向筐体80内搬入，在将晶片W维持于旋转卡盘81的上方后，通过向上方移动旋转卡盘81，从叉3A向旋转卡盘81交接晶片W。
此外，晶片W是否被叉3A吸引，例如能够通过在连接与上述的吸附孔41A～41D连通的真空配管43A(参照图8和图9)和真空排气部(未图示)的配管中设置的真空传感器和真空计等来进行检测。
另外，图12(d)至图12(f)表示进行搬送臂A3的叉3A的Z轴方向的位置调整的第二方法。在该方法中，使叉3A上升并掌握基准位置。即，如图12(d)所示，向旋转卡盘81交接晶片W。接着，如图12(e)所示，使叉3A进入晶片W的下方。然后，例如使叉3A仅仅上升0.1mm并停止，起动真空机构。如图12(e)所示，当在晶片W与叉3A之间具有间隙时，晶片W不被叉3A吸附。之后，当重复进行叉3A的上升、上升停止和吸引时，如图12(f)所示，叉3A与晶片W的背面接触。在该情况下，当起动真空机构时，晶片W被叉3A吸附。由此，叉3A能够掌握涂布模块23中的Z轴方向的基准位置。于是，将掌握的基准位置设定为新的基准位置，Z轴方向的位置调整结束。
根据以上说明的Z轴方向的位置调整方法，不使用调整夹具等就能够廉价且简单地掌握基准位置。另外，只要适当调整上述的下降部分和上升部分，就能够进行与对应所需精度的位置调整。
(关于搬送臂的XY方向的位置调整(1))
接着，对使用涂布模块23进行搬送臂3A的XY方向的位置调整的情况进行说明。此外，在参照的图中，为了图示的方便，省略叉3A中的传感器等。
如图13(a)所示，在面对涂布模块23的位置中，当叉3A保持晶片W时，检测出晶片W的中心位置o'。为了进行该检测，首先，通过控制部6和检测部5A(图10)计算测量晶片W的周边部的位置。具体来讲，设置于叉3A的下方的光源51A～51D(图7)朝向上方方向发光。该光被设置于叉3A的上方的传感器52A～52D接受。当传感器52A～52D为沿晶片W的径方向直线状配置有CCD的CCD线传感器时，基于各CCD的检测值，能够决定受光的CCD和不受光的CCD的边界的位置。然后，基于决定的边界的位置，能够计算测量晶片W的周边部的位置。
在此，如图14所示，使4个的传感器52A～52D的延长的方向与Y轴所成的角为θ1、θ2、θ3、θ4。另外，使当晶片W保持于叉3A的适当位置(未偏移的位置)时的传感器52A～52D上的晶片W的周边部的位置分别为a点、b点、c点、d点。另外，使保持于叉3A的晶片W的(现实的)位置中的传感器52A～52D上的晶片W的周边部的位置分别为a'点、b'点、c'点、d'点。
当使各传感器52A～52D中的a点和a'点的距离为Δa，使b点和b'点的距离为Δb，使c点和c'点的距离为Δc，使d点和d'点的距离为Δd时，距离Δa、Δb、Δc、Δd能够表示为：
Δa(mm)＝((a'点的像素数)-(a点的像素数))×像素间隔(mm)(1)
Δb(mm)＝((b'点的像素数)-(b点的像素数))×像素间隔(mm)(2)
Δc(mm)＝((c'点的像素数)-(c点的像素数))×像素间隔(mm)(3)
Δd(mm)＝((d'点的像素数)-(d点的像素数))×像素间隔(mm)(4)。
此外，a点的像素数是从传感器52A～52D的晶片W的中心侧中的开始点至a点中的像素的数。
a点～d点、a'点～d'点的坐标，以如下方式表示。
a点(X1，Y1)＝(X-Rsinθ1，Y-Rcosθ1) (5)
a'点(X1'，Y1')＝(X1－Δasinθ1，Y1-Δacosθ1)
＝(X-(R+Δa)sinθ1，Y-(R+Δa)cosθ1) (6)
b点(X2，Y2)＝(X-Rsinθ2，Y+Rcosθ2) (7)
b'点(X2'，Y2')＝(X2-Δbsinθ2，Y2+Δbcosθ2)
＝(X-(R+Δb)sinθ2，Y+(R+Δb)cosθ2) (8)
c点(X3，Y3)＝(X+Rsinθ3，Y+Rcosθ3) (9)
c'点(X3'，Y3')＝(X3+Δcsinθ3，Y3+Δccosθ3)
＝(X+(R+Δc)sinθ3，Y+(R+Δc)cosθ3) (10)
d点(X4，Y4)＝(X+Rsinθ4，Y-Rcosθ4) (11)
d'点(X4'，Y4')＝(X4+ΔDsinθ4，Y4-ΔDcosθ4)
＝(X+(R+ΔD)sinθ4，Y-(R+ΔD)cosθ4) (12)
所以，通过式(6)、式(8)、式(10)、式(12)，能够求出a'点(X1'，Y1')、b'点(X2'，Y2')、c'点(X3'，Y3')、d'点(X4'，Y4')的坐标。
此外，上述的式中，X是当晶片W位于适当位置时的晶片W的中心的X坐标，Y是当晶片W位于适当位置时的晶片W的中心的Y坐标。适当位置中的晶片W的中心位置o的坐标(X，Y)，也可通过使晶片W预先至于适当位置进行测定求得，也可基于叉3A的内边求得。
接着，根据a'点、b'点、c'点、d'点中的任意三个点算出现实的位置中的晶片W的中心位置o'的坐标(X'，Y')。例如，根据a'点(X1'，Y1')、b'点(X2'，Y2')、c'点(X3'，Y3')的三个点，现实位置中的晶片W的中心位置o'的坐标(X'，Y')，能够根据下述的式(13)和(14)求出。
数式1
数式2
另外，通过中心位置o'的坐标(X'，Y')和a'点(X1'，Y1')、b'点(X2'，Y2')、c'点(X3'，Y3')的各坐标，能够根据下述的式(15)求出半径R'。
数式3
另外，a'点、b'点、c'点、d'点中的、与前述的三个点(a'点、b'点、c'点)不同的三个点的组合，例如基于(a'点，b'点，d'点)、(a'点，c'点，d'点)、(b'点，c'点，d'点)，通过式(13)至(15)进一步算出中心位置o'的坐标(X'，Y')和半径R'。该半径R'，如以下方式，利用于为了判定4个传感器52A～52D的任一是否检测到晶片W的周边部的缺口部WN。具体来讲，首先，判定任意的三个点的组合对应的半径R'，与晶片W的已知的作为半径的R大致相等。即，如图14所示，当俯视观看，晶片W的缺口部WN均不在a'点、b'点、c'点、d'点的任一附近时，基于a'点、b'点、c'点、d'点中的、任意的三个点的组合算出的半径R'也与半径R大致相等。此时，判定4个传感器52A～52D都是未检测到晶片W的缺口部WN。
另一方面，例如，如图15所示，当俯视观看时，当晶片W的缺口部WN位于b'点的附近时，基于除去b'点之外的三个点的组合算出的半径R'与半径R大致相等。但是，基于包含b'点的三个点的组合算出的半径R'比半径R小。根据该结果，判定4个传感器52A～52D中的传感器52B检测到晶片W的缺口部WN。
接着，选择传感器52A～52D中的未检测到缺口部WN的三个传感器的检测值。如图14所示，当4个传感器52A～52D都未检测到晶片W的缺口部WN时，也可以选择传感器52A～52D中的任意三个传感器的检测值。另外，在图15所示的情况下，选择除了传感器52B之外的来自传感器52A、52C、52D的检测值。
接着，求出基于选择的三个传感器的检测值算出的晶片W的中心位置o'的坐标(X'，Y')。另外，该坐标(X'，Y')例如存储于存储部62。此外，坐标(X'，Y')是以通过叉3A被保持于适当位置的晶片W的中心位置o为原点的X-Y坐标上的坐标(即，晶片W的中心位置o'的坐标(X'，Y')表示与叉3的相对位置)。
接着，如图13(b)所示，叉3A将晶片W搬送至旋转卡盘81的上方，旋转卡盘81上升，从叉3A接收晶片W。即，此时，晶片W位于比叉3A更高的位置。另外，在图示的例中，叉3A静止于原来状态的位置，但也可以从杯体部84的上方位置退出。
接着，如图13(c)所示，旋转卡盘81旋转180°，再次下降，将晶片W交接给叉3A。在此之后，如图13(d)所示，接收晶片W的叉3A从涂布模块23退出。在面对涂布模块23的位置，与上述相同，求出晶片W的中心位置o"的坐标(X"，Y")。
在此，存储的晶片W的中心位置o'的坐标(X'，Y')和新求出的晶片W的中心位置o"的坐标(X"，Y")是通过旋转卡盘81使晶片W旋转180°左右求出的，因此这些坐标的中点相当于旋转卡盘81的旋转中心。所以，旋转中心的坐标O(Xc，Yc)能够根据O(Xc，Yc)＝(︱X'－X"︱/2，︱Y'－Y"︱/2)求出。
在此之后，通过以叉3A的适当位置中的晶片W的中心位置与求出的坐标O(Xc，Yc)一致的方式移动叉3A，并将移动后的位置设定为叉3A的X轴方向和Y轴方向的基准位置，该涂布模块23中的叉3A的位置调整结束。
根据以上说明的XY方向的位置调整方法，通过使用设置于叉3A的光源51A～51D和传感器52A～52D，求出利用涂布模块23的旋转卡盘81使晶片W旋转180°左右的晶片W的中心位置，能够求出旋转卡盘81的旋转中心位置，基于该位置能够决定叉3A的基准位置。因不需要使用调整夹具等，根据该位置调整方法，提供能够廉价且简单地进行位置调整的优点。
此外，在以上的例子中，使晶片W旋转180°，但例如也可以为90°，只要不是360°，即使为任何度数，都能够求出旋转中心位置。
另外，晶片W的中心位置的坐标(X'，Y')和坐标(X"，Y")是叉3A中的X-Y坐标平面中的坐标点，根据这些中点求出旋转卡盘81的旋转中心位置，因此不需要晶片W的叉3A的定位。即，在进行上述的位置调整方法之前，即使晶片W从叉3A中的适当位置发生偏移，也能够进行该位置调整方法。换而言之，不进行叉3A的晶片W的位置调整，也能够进行叉3A的位置调整。
此外，上述的位置调整方法具有可调整的范围，在调整之前，搬送臂A3的叉3A收纳于该范围成为前提。是否在可调整的范围，例如优选：能够利用上述的晶片W的中心位置的检测方法来进行判定，当不在可调整的范围内时，发出警报。
(关于搬送臂的XY方向的位置调整(2))
接着，使用图4和图6所示搬送臂A3和热处理模块TM，说明实施搬送臂3A的XY方向的其它的位置调整的情况。此外，在以下参照的图中，为了图示的方便，叉3A中的传感器等省略。
图16至图18是用于说明搬送臂3A的XY方向的其它的位置调整的图。例如，图16(a)中的左图和中央图是表示搬送臂3A与热处理模块TM内的支承板93等的位置关系的俯视图，右图是与中央图对应的侧视图。图16(b)至图18(i)也同样。
如图16(a)所示，搬送臂3A在面对热处理模块TM的位置保持晶片W。此时，图6所示的冷却板92向热板91的上方移动，至位置调整结束为止都处于该状态。另外，冷却板92的下方的升降销95位于较低的位置。
接着，如图16(b)所示，叉3A向支承板93的上方移动，在4个晶片支承台96的上方保持晶片W。如图16(c)所示，升降销95通过支承板93的开口93a上升，从叉3A接收晶片W。
之后，如图17(d)所示，叉3A从热处理模块TM退出。如图17(e)所示，当升降销95下降时，晶片W被支承板93上的4个晶片支承台96支承。此时，晶片W被晶片支承台96的上部96b的下端和下部96a的上表面限制，被定位于适当的位置。被晶片支承台96定位的晶片W的适当的位置，如上述的那样，与热处理模块TM内的热板91(图6)上的晶片W的适当的位置对应。
接着，如图17(f)所示，升降销95再次上升，如图18(g)所示，叉3A进入晶片W与支承板93之间。如图18(h)所示，升降销95下降，将晶片W交接到叉3A，如图18(i)所示，叉3A从热处理模块TM退出。
接着，如上述的方式，能够求出晶片W的中心位置的坐标。该坐标与被晶片支承台96定位的晶片W的中心位置一致，因此以叉3A的中心(保持于叉3A的适当的位置的晶片W的中心)与求出的坐标一致的方式移动叉3A，并通过将其中心位置设定为基准位置，叉3A的X轴方向和Y轴方向的位置调整结束。
根据以上说明的XY方向的位置调整方法，通过利用预先设置在热处理模块TM的4个晶片支承台96限制晶片W的位置，来掌握该模块中的适当的位置，能够基于掌握的位置来进行叉3A的位置调整。另外，不需要使用调整夹具等，因此根据该位置调整方法，能够廉价且简单地进行位置调整。还有，该方法，通过设置将晶片W限制于适当的位置的晶片支承台，即使在如热处理模块TM和交接单元TRS等那样的不具有使晶片W旋转的机构的模块中，也能够进行实施。例如，优选：在交接单元TRS中，除了晶片台(或者晶片支承部或者晶片支承销)即暂时载置晶片W的交接单元TRS本来的载置部之外，还以搬送臂能够到达晶片台的下方的方式设置支承板93和晶片支承台96。在该情况下，在被晶片支承台96限制的晶片W的位置，以与晶片台的适当位置对应的方式设置有支承板93和晶片支承台96。
此外，即使在该位置调整方法中，也存在可调整的范围(例如晶片W能够被晶片支承台96限制的范围)，在调整之前，搬送臂A3的叉3A收纳于该范围成为前提。是否在可调整的范围，例如优选：能够利用先前说明的晶片W的中心位置的检测方法进行判定，当不在可调整的范围内时，发出警报。
以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，对照添加的专利申请的范围的记载，能够进行各种变形变更。
例如，在上述的实施方式中，对搬送臂A3进行了说明，搬送臂A1、A2、A4、搬送机构C、搬送机构D、和接口臂F也能够还具有与搬送臂A3相同的结构，由此，能够实施上述的基板搬送方法。另外，搬送前的模块(一个模块)和搬送后(搬送目的地)的模块(其它的模块)并不限于示例，也可以是具备载置有晶片W的载置部的模块。
另外，上述的实施方式并不限于以上下重叠的方式设置2个叉3A、3B的例子，2个叉3A、3B也可以在水平方向上并列设置。另外，叉3也可以仅仅为1个，或者，也可以以上下重叠的方式或者在水平方向上并列设置三个以上。
另外，在上述的实施方式中，考虑晶片W的缺口部WN，相对叉3A等设置有4个光源51A～51D和与它们对应的4个传感器52A～52D，例如，在没有缺口部WN使用具有定向平面(OF：orientation flat)的晶片的情况下，当OF的位置未较大偏移时，为了检测OF以外的周边部，也可以设置三个光源和与它们对应的三个传感器。
另外，替代光源51A～51D和与它们对应的传感器52A～52D，也可以在保持爪4A～4D设置静电传感器来检测晶片W的叉3A等的位置。还有，例如使用照相机，基于通过照相机获得的图像，也可以检测晶片W的叉3A等的位置。当使用照相机时，能够获得晶片W的周边部的4个点的位置信息。所以，并不一定需要使用4台照相机，也可以使用1台照相机获得4个点的位置信息。当使用1台照相机时，例如能够以位于2根叉3A、3B的上方的方式经由支承部件安装于基台31。
即使在使用照相机时，作为使用传感器52A～52D的例子如上述的方式，当保持晶片W的叉3A、3B位于主位置时，通过照相机对图像进行拍照。而且，通过对拍照的图像进行图像处理，求出晶片W的周边部的4点的位置信息。接着，基于4个点中的位置信息，判定4个点中的任一个是否检测到晶片W的缺口部WN，当4个点中的任一个晶片检测到W的缺口部WN时，能够基于其1个点以外的三个点中的位置信息，检测晶片W的叉3A等的位置。
对作为光源51使用多个LED的例子进行了说明，但也能够使用在单一的LED的发光侧直线状地设置有导光材料作为直线状的光源。另外，作为传感器52，不是CCD线传感器，能够使用纤维线传感器(fiber line sensor)、光电传感器等各种的线性图象传感器。
在上述的叉3A的Z轴方向的位置调整方法(图12)中，取代含有真空传感器的真空机构，也能够在具有静电传感器的叉中实施。
另外，当求晶片W的叉3A的位置时，利用了适当位置中的晶片W的中心位置o，但替代这些，也可以在叉3A设置1个或者多个位置标记，以位置标记为基准，利用晶片W的叉3A的位置偏移。
另外，叉3A的XY方向中的位置调整方法即使在一个叉与其它的叉之间也能够实施。即，例如在图13(b)中，叉3A退出，在图13(c)中，相同的搬送臂A3的叉3B进入杯体部84的上方位置，也可以如图13(d)的方式搬出晶片W。即使在该情况下，通过利用在将晶片W交接到旋转卡盘81前的中心位置o的坐标的数据和有关从旋转卡盘81接收晶片W后的中心位置o"的坐标的数据，能够求出旋转卡盘81的旋转中心位置。
另外，在图18(g)中，向热处理模块TM进入的叉，也可以不是搬送臂A3的叉3A，而是其它的叉。即使在该情况下，被晶片支承台96限制的晶片W的位置是该模块中的适当的位置，因此当使作为适当的位置的晶片W的中心位置和与其它的叉的中心位置一致时，能够进行其它的叉的位置调整。这样的调整，例如，能够在能够到达图1所示的涂布显影装置100中的架单元U1(的例如交接单元TRS)的搬送机构D与搬送臂A1、A2、A4(图2)之间适当实施。
另外，对在热处理模块TM的支承板93设置有4个晶片支承台96的例子进行了说明，但也可以为三个以上。还有，晶片支承台96的上部96b具有倾斜面，只要通过倾斜面的下端和晶片支承台96的下部96a的上表面能够限制晶片W的位置，并不限于截头圆锥体形状。换而言之，晶片支承台96，可以具有如下形状：当晶片W的外缘与倾斜面接触时，晶片W以晶片W的外缘沿倾斜面滑动的方式下降，到达下部96a的上表面。例如，也可以由三角形状的板构成上部96b，使该板立于下部96a的上表面，以三角形的斜边作为倾斜面发挥功能。
另外，例示了具有旋转卡盘81的涂布模块23，但涂布模块也可以不是旋转卡盘81，而是具有对晶片W的周边部进行支承并使其旋转的旋转机构。
另外，优选：上述的位置调整方法，例如在各模块按每个模块存储X轴、Y轴、和Z轴方向的基准位置，在向模块搬送晶片W之前，按每个模块呼出基准位置，校正叉3A的位置。
另外，晶片W并不限于半导体晶片，也可以为FPD用的玻璃基板。
符号说明
A3～A4…搬送臂(基板搬送装置)
3A、3B…叉
31…基台
41A～41D…吸附孔
5A～5D…检测部
51A～51D…光源
52A～52D…传感器
6…控制部
W…晶片

Claims (4)

1.一种热处理装置，其对基板进行热处理，所述热处理装置的特征在于，包括：
冷却板，其构成为能够在第一位置与第二位置之间移动，并且载置并冷却基板，具有比基板的直径大的宽度和长度，所述第一位置是所述基板被搬入和搬出的位置；
圆形的热板，其对被所述冷却板冷却并从所述冷却板搬送来的所述基板进行加热，具有比所述基板的外径大的外径，所述第二位置是该热板上的位置；和
支承板，其以不能移动的方式配置于所述第一位置的下方的位置，具有多个支承部件，在所述多个支承部件之上支承所述基板，所述支承部件与所述基板的外缘接触，限制所述基板在水平方向的位移，将所述基板定位在所述基板的中心和配置于所述第一位置的所述冷却板的中心一致的位置。
2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于：
所述支承部件具有截头圆锥体形状。
3.一种基板搬送位置调整方法，其是权利要求1所述的热处理装置的基板搬送位置调整方法，该热处理装置还包括：基台，其通过升降轴上下升降，并且通过自由旋转的旋转机构围绕铅直轴动作；和基板保持部，其被设置于该基台的进退机构支承，从该基台的基端向前方侧自由进退，所述基板搬送位置调整方法的特征在于，包括：
利用所述基板保持部保持基板，对于所述基板保持部位于所述基端的所述基板，利用位置检测单元检测该基板的外缘部的至少3个位置的第一检测步骤；
交接所述基板并利用所述支承部件对该基板进行定位的步骤；
利用所述基板保持部接收所述基板并后退至所述基端的步骤；
利用所述位置检测单元检测所述基板保持部接收到的该基板的外缘部的至少3个位置的第二检测步骤；
对根据由所述第一检测步骤得到的外缘部的检测位置求出的所述基板的中心位置和基于由所述第二检测步骤得到的外缘部的检测位置得到的所述基板的中心位置进行计算处理，掌握进行所述定位后的中心位置的步骤；和
基于所掌握的所述中心位置，调整使所述基板保持部移动的位置的步骤。
4.如权利要求3所述的基板搬送位置调整方法，其特征在于：
所述位置检测单元具有用于检测基板的外缘部的4个位置的位置检测部，检测3个位置的所述第一检测步骤检测任意的3个位置。
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