TWI487057B - 基板運送裝置之位置調整方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Description

基板運送裝置之位置調整方法及基板處理裝置
本發明係關於一種運送基板之基板運送裝置之位置調整方法及基板處理裝置。
於半導體元件或平面顯示器(FPD)之製造過程中，所使用的基板處理裝置具有：複數個處理模組，及分別對於該等處理模組送入送出基板之基板運送裝置。此種基板處理裝置中，藉由基板運送裝置將基板依序運送至複數個處理模組，施行對應處理模組的既定處理。此時，例如若不將基板置於處理模組內的適當位置，則有無法在基板整面進行均勻處理之虞。因此，基板運送裝置雖可發揮高運送精度，但欲將基板置於適當位置，運送位置調整乃是不可欠缺的。
作為基板運送裝置之運送位置調整，例如有時進行：藉由基板運送裝置運送搭載有照相機或感測器等偵測器之調整夾具，依據偵測器偵測到的位置求出與既定基準位置之偏移，來修正該偏移之作業(教示作業)(例如專利文獻1及2)。
[習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2009-54665號公報
專利文獻2：日本特開2008-109027號公報
然而，使用調整夾具時，若不以相對應的頻率施行調整夾具的檢查或校正，則有因調整夾具本身而產生誤差調整之虞。此外，若調整夾具的操作中產生失誤，則有時無法進行適當的運送位置調整。再者，調整夾具相對高價，況且必須因應基板的運送對象即處理模組的形狀等來準備複數個調整夾具，故有時花費龐大費用在運送位置調整上。因此，宜不使用調整夾具來進行基板運送裝置的位置調整。
因此，本發明提供一種可不使用調整夾具來進行運送位置調整之基板運送裝置之位置調整方法及基板處理裝置。
根據本發明的第1態樣，提供一種基板運送裝置之位置調整方法，其包含：第1偵測步驟，藉由基板運送裝置之運送基板的基板運送部以固持基板，而偵測該基板的位置；運送步驟，將由該基板運送部所固持的該基板運送至固持基板並予以旋轉之基板旋轉部；旋轉步驟，藉由該基板旋轉部使由該基板旋轉部所固持的該基板旋轉既定角度；接收步驟，自該基板旋轉部接收由該基板旋轉部旋轉過的該基板；第2偵測步驟，偵測該基板運送部所接收的該基板之位置；掌握步驟，依據以該第1偵測步驟所求出的該基板的位置與以該第2偵測步驟所求出的該基板的位置，來掌握該基板旋轉部的旋轉中心位置；以及調整步驟，依據該所掌握的該旋轉中心位置來調整該基板運送部的位置。
根據本發明的第2態樣，提供一種基板處理裝置，其包含： 基板運送部，固持並運送基板；位置偵測部，對於該基板保持部設置，來偵測由該基板運送部所固持的該基板之位置；基板旋轉部，可在與該基板運送部之間傳送接收該基板，固持該基板並予以旋轉；以及控制部，藉由該位置偵測部求出由該基板運送部所固持的該基板之第1位置，與該基板傳遞至該基板旋轉部旋轉既定角度而由該基板運送部接收的該基板之第2位置，並依據該第1位置及第2位置來掌握該基板旋轉部的旋轉中心位置，且依據所掌握的該旋轉中心位置來調整該基板運送部的位置。
根據本發明的第3態樣，提供一種基板處理裝置，其包含：基板載置部，載置由基板運送裝置的基板固持部所運送之基板；以及至少3個基板支持構件，與由該基板固持部所運送之該基板的外緣部相接，可固持該基板；該至少3個基板支持構件係配置成：使由該至少3個基板支持構件所固持的該基板之位置與該基板載置部中的該基板之適當位置相對應。
根據本發明的第4態樣，提供一種基板運送裝置之位置調整方法，其係在一基板處理裝置中所進行，該基板處理裝置包含：基板載置部，載置由基板運送裝置的基板固持部所運送之基板；以及至少3個基板支持構件，與由該基板固持部所運送之該基板的外緣部相接，可固持該基板；該至少3個基板支持構件係配置成：使由該至少3個基板支持構件所固持的該基板之位置與該基板載置部中的該基板之適當位置相對應；而基板運送裝置之位置調整方法包含： 固持步驟，藉由該基板固持部運送該基板，使該基板固持在該至少3個基板支持構件上；接收步驟，由該基板固持部接收由該至少3個基板支持構件所固持的該基板；偵測步驟，偵測所接收的該基板之位置；以及調整步驟，依據所偵測出的該基板之位置來調整該基板固持部的位置。
根據本發明的第5態樣，提供一種基板運送裝置之位置調整方法，其包含：支持步驟；由基板運送裝置的基板固持部支持基板；偵測步驟，使固持該基板的該基板固持部，從用以載置該基板的基板載置部之上方朝該基板載置部下降既定距離，並藉由設於該基板固持部的基板偵測部偵測該基板之有無；反複步驟，在該偵測步驟中判斷該基板存在時，反複進行該偵測步驟；以及設定步驟，在該偵測步驟中判斷該基板不存在時，將此時該基板固持部的位置設定為該基板固持部的上下方向之基準位置。
根據本發明的第6態樣，提供一種基板運送裝置之位置調整方法，其包含：支持步驟；由支持基板的背面中央部之背面支持部支持基板；進入步驟，使基板運送裝置的基板固持部進入由該背面支持部所支持的基板之下方；偵測步驟，使該基板固持部朝該基板上升既定距離，並藉由設於該基板固持部的基板偵測部偵測該基板之有無；反複步驟，在該偵測步驟中判斷該基板不存在時，反複進行該偵測步驟；以及設定步驟，在該偵測步驟中判斷該基板存在時，將此時該基板固持部的位置設定為該基板固持部的上下方向之基準位置。
根據本發明實施形態，提供一種可不使用調整夾具來進行運送位置調整之基板運送裝置之位置調整方法及基板處理裝置。
 [實施發明之最佳形態]
以下，邊參照附加圖式，邊針對本發明非限定性的例示之實施形態進行說明。附加的所有圖式中，同一或相對應的構件或部件，則附上同一或相對應的元件符號，以省略反複說明。
(塗布顯影裝置)
首先，邊參照圖1至圖4，邊說明本發明實施形態的塗布顯影裝置。如圖1及圖2所示，塗布顯影裝置100中，有載具站S1、處理站S2、及介面站S3依此順序設置。此外，於塗布顯影裝置100之介面站S3側，結合有曝光裝置S4。
載具站S1具有載置台21及運送機構C。於載置台21上載置有收納既定片數(例如25片)半導體晶圓(以下簡稱晶圓)W之載具20。本實施形態中，於載置台21可並排載置4個載具20。在以下說明中，如圖1所示，令載具20的並排方向為X方向，令與其垂直的方向為Y方向。運送機構C，用於自載具20將晶圓W取出，運送至處理站S2，並接收在處理站S2中已處理之處理完畢的晶圓W，將其收納於載具20。
處理站S2，如圖1及圖2所示，結合於載具站S1的正Y方向側，並具有棚架單元U1、棚架單元U2、第1區塊(DEV層)B1、第2區塊(BCT層)B2、第3區塊(COT層)B3、及第4區塊(TCT層)B4。
棚架單元U1，如圖3所示，具有例如自下方起依序疊層之傳遞模組TRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4、TRS4。此外，如圖1所示，於棚架單元U1之正X方向側，設有自由升降之運送機構D。在棚架單元U1之各處理模組之間，係藉由運送機構D運送晶圓W。
棚架單元U2，如圖3所示，具有例如自下方起依序疊層之傳遞模組TRS6、TRS6、CPL12。
另，傳遞模組之中，附上元件符號「CPL+數字」之傳遞模組，係兼作加熱晶圓W之加熱模組，並兼作冷卻晶圓W來維持在既定溫度(例如23℃)用之冷卻模組。而附上元件符號「BF+數字」之傳遞模組，係兼作可載置複數片晶圓W之緩衝模組。此外，於傳遞模組TRS、CPL、BF等設有載置晶圓W之載置部。
(有關處理站的第3區塊)
其次，邊參照圖4至圖6，邊針對第3區塊B3進行說明。
第3區塊B3，如圖4所示，具有塗布模組23、棚架單元U3、及運送臂A3。塗布模組23，如圖5所示，具有框體80、設於框體80內的旋轉夾頭81、驅動部82、化學液供給噴嘴83、及杯體部84。於框體80形成有運送口80a，晶圓W係藉由運送臂A3通過該運送口送入框體80，自框體80送出。旋轉夾頭81，藉由既定吸引裝置(未圖示)吸引晶圓W的背面中央部而固持之。旋轉夾頭81，由驅動部82所支持，藉由驅動部82可旋轉及上下移動。化學液供給噴嘴83，由支持驅動部85a及支持軸85b所支持。支持驅動部85a，藉由支持軸85b之旋轉，使化學液供給噴嘴83的前端部83a位於杯體部84外側的起始位置，或由旋轉夾頭81所固持的晶圓W的大約中央上方之化學液供給位置兩者之任一位置。杯體部84，包圍由旋轉夾頭81所固持的晶圓W周圍，並接收供給至晶圓W的化學液，且將化學液自形成於下部的排出口排 出。塗部模組23中使用光阻液作為化學液，藉由上述構成可在晶圓W上形成光阻膜。
此外，如圖4所示，第3區塊B3的棚架單元U3，係配置成與塗布模組23對向，並具有熱處理模組TM。在熱處理模組TM中進行光阻膜形成的前處理及後處理。此外，各熱處理模組TM中形成有晶圓W的運送口24。運送臂A3設於塗布模組23與棚架單元U3之間。
在此，邊參照圖6邊更加說明熱處理模組TM。圖6係熱處理模組TM的剖面圖。如圖所示，熱處理模組TM具有：框體90、設於框體90內的熱板91、冷卻板92、及支持板93。熱板91，呈外徑大於晶圓W直徑之圓板形狀。熱板91的內部，設有例如電熱線加熱器(未圖示)等，藉此將熱板91加熱至既定溫度。此外，於熱板91形成有例如3個貫通孔91a(圖6中僅顯示2個)；所對應的3個升降銷94通過該等貫通孔91a藉由驅動部94a可上下移動。藉此，升降銷94可將晶圓W載置於熱板91上，可將載置於熱板91的晶圓W往上推。另，圖6(a)中的元件符號97為冷卻風扇，可使由熱板91加熱晶圓W後從熱板91傳遞至冷卻板92的晶圓W冷卻。
冷卻板92，如圖6(b)所示，呈寬度及長度大於晶圓W直徑之平板形狀。此外，於冷卻板92形成有於其前端側(熱板91側)開口之狹縫92a、92b。狹縫92a、92b容許藉由驅動部95a而可上下移動的升降銷95上下地穿通冷卻板92。藉由此構成，若晶圓W藉由運送臂A3(圖4)通過運送口24運送至框體90內，而固持在冷卻板92的上方，則升降銷95穿通狹縫92a、92b突出於冷卻板92上，藉此升降銷95自運送臂A3接收晶圓W，運送臂A3自框體90退出之後，晶圓W載置於冷卻板92上。此外，冷卻板92，藉由未圖示的水平驅動部，可於支持板93上方的位置，與熱板91 上方的位置之間移動。因此，冷卻板92兼作框體90內的基板運送部。例如，若載置有晶圓W的冷卻板92往熱板91上方移動，則升降銷94穿通熱板91的貫通孔91a與冷卻板92的狹縫92a、92b而突出於熱板91上，藉此升降銷94自冷卻板92接收晶圓W，冷卻板92回到支持板93上方之後，升降銷94下降而晶圓W載置於熱板91上。此外，若藉由升降銷94將載置於熱板91上的晶圓W往上推，則冷卻板92進入晶圓W與熱板91之間。此時，升降銷94收納於形成於冷卻板92的狹縫92a、92b，故冷卻板92可位於熱板91上方。其次，升降銷94下降，藉此使晶圓W載置於冷卻板92上。其次，冷卻板92回到支持板93上方，晶圓W介由支持銷95傳遞至運送臂A3，晶圓W自熱處理模組TM送出。
此外，於冷卻板92內部，形成了有經冷卻或經溫度調整的媒體流通之導管，並有媒體自未圖示的調溫裝置流通因而維持在既定溫度。因此，由熱板91所加熱的晶圓W，若由冷卻板92所接收，則藉由冷卻板92立即開始冷卻。因此，相較於例如自熱處理模組TM送出之後，藉由既定冷卻模組使晶圓W冷卻之情形，可縮短冷卻所需之時間。
此外，參照圖6(b)，冷卻板92下方的支持板93，呈在大約中央具有開口93a之矩形平板形狀。藉由開口93a，使冷卻板92的升降銷95之上下移動不會受支持板93妨礙。此外，於支持板93的頂面配置有4個晶圓支持台96。晶圓支持台96由呈圓筒形狀的下部96a，與配置於該下部96a上呈圓錐台形狀的上部96b所構成(參照圖6(c))。
此外，4個晶圓支持台96，如圖6(c)所示，係配置成：藉由上部96b的圓錐台形狀的下端，與下部96a的頂面來限制晶圓W的外緣。再者，4個晶圓支持台96係配置成：使由4個晶圓支持台96所限制之晶圓W的中心，與冷卻板92的中心互相對應。以 下，具體說明晶圓支持台96及其配置。
首先，使熱處理模組TM的冷卻板92往熱板91上方移動。其次，晶圓W由運送臂A3送入熱處理模組TM的框體90內，固持於支持板93上方。其次，藉由驅動部95a使支持板93下方的升降銷95上升，自運送臂A3接收晶圓W。運送臂A3退出之後，若藉由驅動部95a使升降銷95下降，則晶圓W由支持板93的晶圓支持台96所支持。此時，晶圓W的外緣，即使與晶圓支持台96的上部96b的斜面相接，亦會自斜面滑落而抵達下部96a的頂面，如此晶圓W的外緣係由4個晶圓支持台96所限制。之後，若藉由支持銷95將晶圓W從晶圓支持台96往上推，而由運送臂A3接收之，則升降銷95下降，冷卻板92回到支持板93上方。在此，協同運送臂A3與升降銷95，因此晶圓W自運送臂A3移至冷卻板92。冷卻板92上的晶圓W，以上述方式載置於熱板91。此時，晶圓W的中心與熱板91的中心一致。亦即，由支持板93上的晶圓支持台96所限制之晶圓W，係適當地載置於熱板91上。換言之，支持板93上4個晶圓支持台96，係以在支持板93上藉由晶圓支持台96使晶圓W對位，即可使載置於熱板91上的晶圓W的中心與熱板91的中心一致之方式定位。
再次參照圖1及圖3，第1區塊B1具有顯影模組22、運送臂A1及穿梭臂E。詳細而言，於第1區塊B1內，有2個顯影模組22上下疊層。各顯影模組22，具有與上述塗布模組23同樣的構成；並將作為化學液的顯影液供給至形成於晶圓W表面並曝光的光阻膜上，藉此使光阻膜顯影。此外，運送臂A1，係將晶圓W運送至2個顯影模組22。。穿梭臂E，在棚架單元U1之傳遞模組CPL11與棚架單元U2之傳遞模組CPL12之間運送晶圓W。
第2區塊B2及第4區塊B4，具有與第3區塊B3同樣的構成。於第2區塊B2中，供給反射防止膜用的化學液，而形成了成為光 阻膜的底層之下部反射防止膜。於第4區塊B4中，亦供給反射防止膜用的化學液，而在光阻膜之上形成上部反射防止膜。
另，如圖3所示，對第2區塊B2的運送臂附上元件符號A2，對第4區塊B4的運送臂附上元件符號A4。
介面站S3，結合於處理站S2的正Y方向側，如圖1所示，具有介面臂F。介面臂F，配置於處理站S2的棚架單元U2之正Y方向側。在棚架單元U2之各處理模組之間、及各模組與曝光裝置S4之間，係藉由介面臂F運送晶圓W。
(塗布顯影裝置中晶圓的流向)
在具有上述構成的塗布顯影裝置100中，晶圓W以下述方式運送至各模組，對晶圓W進行模組所對應之處理。首先，藉由載具站S1的運送機構C，將晶圓W從載置台21上的載具20取出，運送至處理站S2的棚架單元U1之傳遞模組CPL2(參照圖3)。運送至傳遞模組CPL2之晶圓W，藉由第2區塊B2之運送臂A2，依序運送至第2區塊B2的各模組(熱處理模組及塗布模組)，於晶圓W上形成下部反射防止膜。
形成有下部反射防止膜之晶圓W，藉由運送臂A2運送至棚架單元U1之傳遞模組BF2，藉由運送機構D(圖1)運送至棚架單元U1之傳遞模組CPL3。其次，晶圓W由第3區塊B3之運送臂A3所接收，依序運送至第3區塊B3之各模組(圖4所示之熱處理模組TM及塗布模組23)，於下部反射防止膜上形成光阻膜。
形成有光阻膜之晶圓W，係藉由運送臂A3傳遞至棚架單元U1之傳遞模組BF3。
另，形成有光阻膜之晶圓W，有時亦於第4區塊B4中更形成反射防止膜。此時，晶圓W介由傳遞模組CPL4，由第4區塊B4之運送臂A4所接收，依序運送至第4區塊B4的各模組(熱處 理模組及塗布模組)，於光阻膜上形成上部反射防止膜。之後，晶圓W，藉由運送臂A4傳遞至棚架單元U1之傳遞模組TRS4。
形成有光阻膜(或在光阻膜上更形成有上部反射防止膜)之晶圓W，藉由運送機構D，從傳遞模組BF3(或傳遞模組TRS4)運送至傳遞模組CPL11。運送至傳遞模組CPL11之晶圓W，藉由穿梭臂E運送至棚架單元U2之傳遞模組CPL12後，由介面站S3之介面臂F所接收。
之後，晶圓W藉由介面臂F運送往曝光裝置S4，施行既定之曝光處理。施行完曝光處理的晶圓W，藉由介面臂F運送至棚架單元U2之傳遞模組TRS6，回到處理站S2。將回到處理站S2之晶圓W，運送至第1區塊B1，在該處施行顯影處理。施行完顯影處理之晶圓W，藉由運送臂A1運送至棚架單元U1之傳遞模組TRS1，藉由運送機構C回到載具20。
(有關運送臂)
其次，參照圖7至圖9，對設於第3區塊B3之運送臂A3加以說明。
如圖7所示，運送臂A3具有：2片叉部3A、3B、基台31、旋轉機構32(圖4)、進退機構33A、33B、及升降台34(圖4)。此外，對應運送臂A3而設有後述的偵測部5A~5D(圖10)。而且，運送臂A3及偵測部5A~5D係由後述的控制部6所控制。
叉部3A配置於叉部3B的上方。基台31藉由旋轉機構32而圍繞鉛直軸自由旋轉。此外，如圖7所示，叉部3A、3B，其基端側分別為進退機構33A、33B所支持。進退機構33A、33B，係使用滾珠螺桿機構或確動皮帶等傳達機構而與馬達M(參照圖11)連結；並使叉部3A、3B相對於基台31自由進退地驅動。
再次參照圖4，升降台34設於旋轉機構32之下方側。升降台34係設置為：沿著於上下方向(圖4中Z軸方向)直線狀地延伸之未圖示的Z軸導軌，藉由升降機構自由升降。作為升降機構，可採用使用滾珠螺桿機構或確動皮帶之機構等。此例中Z軸導軌及升降機構各自以殼體35覆蓋，例如於上部側中相連接而成為一體。此外殼體35係構成為：沿著於Y軸方向直線狀地延伸之Y軸導軌36滑動。
其次，邊參照圖7及圖8，邊更加說明叉部3A、3B。如圖8(a)所示，叉部3A、3B具有：包圍所運送晶圓W的周圍之圓弧狀前端部。於叉部3A、3B，形成有4個固持爪4A、4B、4C、4D。固持爪4A~4D，係自叉部3A、3B之內緣各自往內方凸出，並且沿著內緣互相隔著間隔地設置。另，圖示之例中雖設有4個固持爪4A~4D，但只要設有3個以上的固持爪即可。
如圖9所示，於叉部3A的固持爪4A~4D設置有吸附孔41A~41D，以及包圍各吸附孔41A~41D的周圍之環狀墊片42A~42D。吸附孔41A~41D如圖8(a)所示，與形成於叉部3A之內部、頂面或底面之真空配管43A相連通。真空配管43A，與未圖示之真空排氣部相連接。於叉部3B的固持爪4A~4D，亦同樣地設置吸附孔41A~41D以及墊片42A~42D；吸附孔41A~41D如圖8(a)所示，與形成於叉部3B之內部、頂面或底面之真空配管43B相連通；真空配管43B與真空排氣部相連接。由於構成了此種真空夾頭機構，故若晶圓W由固持爪4A~4D之墊片42A~42D所支持，則通過真空配管43A(或43B)由真空排氣部所吸引住，而可穩定地固持在叉部3A(或3B)。
另，墊片42A~42D，為了提高與晶圓W的背面周緣部之密接性，宜以例如橡膠等具有彈性的材料製作之。
(有關運送臂的叉部之偵測部)
其次，對偵測叉部3A、3B所固持的晶圓W之位置之偵測部加以說明。參照圖7，於基台31設有自基台31直立而彎曲往水平方向延伸之支持構件53。於支持構件53，對應其4個腕部而裝設有感測器52A、52B、52C、52D。感測器52A~52D，位於後退至基端側的叉部3A、3B上方。具體而言，如圖9所示，自上方觀之，則沿著叉部3A(或3B)所固持的晶圓W之周緣，以既定的間隔設置有感測器52A~52D。此外，感測器52A~52D，以穿越晶圓W的周緣之方式延伸。感測器52A~52D在本實施形態中為CCD線感測器。
另，在以下說明中，有時將叉部3A、3B後退至基端側時的位置稱為起始位置。
再次參照圖7，於基台31上設有光源51A、51B、51C、51D。光源51A係對應感測器52A而配置，光源51B係對應感測器52B而配置，光源51C係對應感測器52C而配置，光源51D係對應感測器52D而配置。光源51A~51D，在本實施形態中，係由成直線狀配置之複數個發光二極體(LED)所構成。由光源51A~51D與所對應的感測器52A~52B構成偵測元件部。
另，光源51A~51D設置於支持構件53，感測器52A~52D設置於基台31亦可。此外，只要叉部3A、3B及其所固持的晶圓W可穿越偵測部5A、5B之間，光源51A~51D(或感測器52A~52D)亦可使用既定的支持構件來進行配置，而非設置於基台31上。
如圖10所示，由光源51A、感測器52A、偵測控制部54、數位類比轉換器(DAC)55、及類比數位轉換器(ADC)56構成偵測部5A。此外，圖10中雖省略圖示，但偵測部5B、5C、5D，包含所對應的光源51B、51C、51D與感測器52B、52C、52D，與偵測部5A同樣地構成。
偵測控制部54為時序產生器，其依據來自未圖示之時鐘的時鐘訊號，使由CCD線感測器所構成的感測器52A之各CCD的動作時序偏移，使電荷移動。此外，偵測控制部54，亦施行由複數個LED所構成的光源51A之電流控制。DAC55將來自偵測控制部54之數位控制訊號作類比轉換，對光源51A輸出所轉換的類比訊號。ADC56係將來自感測器52A之偵測訊號即類比輸出訊號作數位轉換，產生偵測訊號。
由偵測部5A的ADC56輸出之偵測訊號(偵測值)，被輸入至控制部6的演算處理部61。控制部6介由放大器57控制：使進退機構33A、33B驅動之X軸驅動用的馬達；使基台31驅動之Y軸驅動用的馬達、使升降台34驅動之Z軸驅動用的馬達、及使旋轉機構32驅動之旋轉驅動用的馬達。
藉由如同以上之構成，來自偵測控制部54之控制訊號藉DAC55類比轉換，將類比轉換過之控制訊號輸入至光源51A，藉此使光源51A直線狀地發光。自光源51A發光的光線，於感測器52A中受光。接收光線之感測器52A，依據來自偵測控制部54之控制訊號的時序，將反應受光量的訊號輸出。由感測器52A輸出之偵測訊號(偵測值)，藉由ADC56數位轉換後，被輸入至控制部6內之運算處理部61。
控制部6，不僅控制偵測部5A~5D，亦控制運送臂之動作。以下，邊參照圖11，邊說明控制模組間的晶圓W傳送之控制部6。
參照圖11，運送臂A3的叉部3A進入冷卻模組7內。冷卻模組7，為例如圖4所示之熱處理模組TM其中之一。如圖所示，冷卻模組7具有：處理容器71、載置部72、升降銷73、及升降機構74。於載置部72，為了使晶圓W冷卻而變成既定的溫度，遂設置了有經溫度調整的流體流通之導管(未圖示)。此外，於載置部72設有複數個貫通孔，對應複數個貫通孔之複數個升降銷73設置成 可上下移動。升降銷73係藉由升降機構74升降。
控制部6，具有運算處理部61、記憶部62、顯示部63、及警報發出部64。運算處理部61，例如具有記憶體、CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)；並讀取記憶部62所記錄之程式，依照該程式所含之命令(指令)，將控制訊號送至運送臂A3之各馬達M，以實行晶圓W之傳遞及運送。此外，運算處理部61，讀取記憶部62所記錄之程式，依照該程式所含之命令(指令)，將控制訊號送至塗布顯影裝置100之各部，以實行各種處理。
記憶部62，係從可電腦讀取之記錄媒體62a(記錄有用來使運算處理部61實行各種處理之程式)中儲存程式。程式之中，有一程式，其包含為了實施後述的位置調整方法，遂使塗布顯影裝置100及其構成部件等動作之命令(指令)。此外，作為記錄媒體62a，可使用例如軟性磁碟、光碟、硬碟、磁光碟(Magnetoptical；MO)等。
顯示部63，係具有例如液晶(LCD)面板等之顯示器。顯示部63，可施行各種基板處理用的程式之選擇、或各基板處理的參數之輸入操作。
警報發出部64，於包含運送臂A3在內之塗布顯影裝置100的各部發生異常時，產生警報並輸出之。
此外，運算處理部61對運送臂A3之進退機構33A、33B、基台31、升降台34、旋轉機構32所設的馬達、編碼器38或計算脈衝數之計數器39等送出既定之控制訊號，並控制之。而記憶部62，含有用於實行本實施形態的基板運送方法之程式。
(有關運送臂的Z軸方向之位置調整方法)
其次，針對本發明實施形態之基板運送裝置之位置調整方法，以使用圖4及圖7所示的運送臂A3及塗布模組23之情形為 例加以說明。此外，該位置調整方法(以及後述之其他位置調整方法)，宜在例如圖1所示之基板處理裝置啟動後立刻進行之。此外，例如基板處理裝置在比既定時間長的時間下處於待機狀態(idle狀態)後，在開始生產運轉之前進行該位置調整方法亦可。而且，該等位置調整方法中所使用的晶圓，可使用例如裸晶圓(或再生晶圓(reclaimed wafer))，而非使用設有感測器等之測試晶圓。
圖12(a)至圖12(c)，顯示運送臂A3的叉部3A之Z軸方向的位置調整之第1方法。如圖12(a)所示，塗布模組23的旋轉夾頭81藉由驅動部82(圖5)上升至晶圓接收位置。在此狀態下，固持晶圓W的叉部3A，上升至可在旋轉夾頭81上方運送晶圓W之高度後，通過運送口80a進入框體80(圖5)內，將晶圓W維持在旋轉夾頭81上方。
其次，如圖12(b)所示，叉部3A下降。此時，下降例如0.1mm便停止，暫時啟動叉部3A所設之真空機構，讓晶圓W為叉部3A所吸引，若偵測到以上情形，則停止真空機構(吸引)，再次下降例如0.1mm。
反複此順序，最終如圖12(c)所誇大顯示，晶圓W由旋轉夾頭81所接收，晶圓W的背面自叉部3A分離。此時，即使啟動真空機構，亦沒有讓晶圓W為叉部3A所吸引。將此時的叉部3A之Z軸方向的位置(高度)，掌握為該塗布模組23之Z軸方向的基準位置。而將該基準位置設定為新基準位置，因而位置調整結束。
之後，當旋轉夾頭81位於杯體內的晶圓旋轉位置時，叉部3A在以既定距離低於新基準位置之位置將晶圓W送入框體80內，將晶圓W維持於旋轉夾頭81上方後，旋轉夾頭81往上方移動，藉此將晶圓W從叉部3A傳遞至旋轉夾頭81。
另，晶圓W是否為叉部3A所吸引，可藉由例如聯繫與上述吸附孔41A~41D相連通的真空配管43A(參照圖8及圖9)，與真空排氣部(未圖示)之配管中所設之真空感測器或真空計，來進行偵測。
此外，圖12(d)至圖12(f)，顯示運送臂A3的叉部3A之Z軸方向的位置調整之第2方法。在此方法中，使叉部3A上升，並且掌握基準位置。亦即，如圖12(d)所示，將晶圓W先傳遞至旋轉夾頭81。其次，如圖12(e)所示，使叉部3A進入晶圓W的下方。而使叉部3A上升例如0.1mm便停止，並啟動真空機構。如圖12(e)所示，當晶圓W與叉部3A之間有空隙時，晶圓W不會吸附於叉部3A。其後，若反複進行叉部3A的上升、上升停止、及吸引，則如圖12(f)所示，叉部3A會與晶圓W的背面相接。此時，若啟動真空機構，則晶圓W吸附於叉部3A。因此叉部3A可掌握塗布模組23之Z軸方向的基準位置。而將所掌握的基準位置設定為新基準位置，Z軸方向的位置調整結束。
根據以上所說明的Z軸方向的位置調整方法，無須使用調整夾具等，便可廉價且簡便地掌握基準位置。此外，適當調整上述的下降量及上升量，便可進行因應所需精度之位置調整。
(有關運送臂的XY方向之位置調整(1))
其次，說明使用塗布模組23來進行運送臂3A的XY方向之位置調整之情形。另，所參照的圖式中，運送臂A3的感測器等為了圖式方便則予以省略。
如圖13(a)所示，在面臨塗布模組23的位置中叉部3A固持著晶圓W時，偵測出晶圓W的中心位置o'。欲進行該偵測，首先藉由控制部6及偵測部5A(圖10)計測晶圓W的周緣部之位置。具體而言，設於叉部3A下方之光源51A~51D(圖7)朝向上方發光。此光由設於叉部3A上方之感測器52A~52D受光。感測器52~52D 為沿著晶圓W之徑方向將CCD呈直線狀地配列而構成的CCD線感測器時，依據各CCD的偵測值，可決定受光之CCD與未受光的CCD之邊界位置。而依據所決定之邊界位置，可計測晶圓W的周緣部之位置。
在此，如圖14所示，令4個感測器52A~52D之延伸方向與Y軸所構成的角為θ1、θ2、θ3、θ4。此外，令晶圓W固持在叉部3A之適當位置(未偏移的位置)時感測器52A~52D上之晶圓W的周緣部的位置，分別為a點、b點、c點、d點。此外，令以叉部3A所固持之晶圓W之(現實)位置之感測器52A~52D上之晶圓W的周緣部的位置，分別為a'點、b'點、c'點、d'點。
若令各感測器52A~52D中a點與a'點之距離為△a，b點與b'點之距離為△b，c點與c'點之距離為△c，d點與d'點之距離為△d，則距離△a、△b、△c、△d可表示為：△a[mm]={(a'點之畫素數)-(a點之畫素數)}×畫素間隔[mm] (1)
△b[mm]={(b'點之畫素數)-(b點之畫素數)}×畫素間隔[mm] (2)
△c[mm]={(c'點之畫素數)-(c點之畫素數)}×畫素間隔[mm] (3)
△d[mm]={(d'點之畫素數)-(d點之畫素數)}×畫素間隔[mm] (4)
另，a點之畫素數係指自感測器52A~52D之晶圓W中心側的起點開始至a點為止的畫素之數目。
a點~d點、a'點~d'點的座標，如以下表示。
a點(X1,Y1)=(X-Rsinθ1,Y-Rcosθ1) (5)
a'點(X1',Y1')=(X1-△asinθ1,Y1-△acosθ1)=(X-(R+△a)sinθ1,Y-(R+△a)cosθ1) (6)
b點(X2,Y2)=(X-Rsinθ2,Y+Rcosθ2) (7)
b'點(X2',Y2')=(X2-△bsinθ2,Y2+△bcosθ2)=(X-(R+△b)sinθ2,Y+(R+△b)cosθ2) (8)
c點(X3,Y3)=(X+Rsinθ3,Y+Rcosθ3) (9)
c'點(X3',Y3')=(X3+△csinθ3,Y3+△ccosθ3)=(X+(R+△c)sinθ3,Y+(R+△c)cosθ3) (10)
d點(X4,Y4)=(X+Rsinθ4,Y-Rcosθ4) (11)
d'點(X4',Y4')=(X4+△dsinθ4,Y4-△dcosθ4)=(X+(R+△d)sinθ4,Y-(R+△d)cosθ4) (12)
從而由式(6)、式(8)、式(10)、式(12)，可求出a'點(X1',Y1')、b'點(X2',Y2')、c'點(X3',Y3')、d'點(X4',Y4')之座標。
另，上述式中，X為晶圓W位於適當位置時的晶圓W中心之X座標；Y為晶圓W位於適當位置時的晶圓W中心之Y座標。適當位置的晶圓W之中心位置o之座標(X、Y)，可藉由預先將晶圓W置於適當位置進行測定而求出，亦可依據叉部3A的內緣而求出。
其次，由a'點、b'點、c'點、d'點中之任3點計算出現實位置的晶圓W中心位置o'之座標(X',Y')。例如，由a'點(X1',Y1')、b'點(X2',Y2')、c'點(X3',Y3')之3點，現實位置的晶圓W之中心位置o'之座標(X',Y')，可由下記式(13)及式(14)所求出。
此外，半徑R'，藉由中心位置o'之座標(X',Y')與a'點(X1',Y1')、b'點(X2',Y2')、c'點(X3',Y3')之各座標，可自下記式(15)求出。
此外，依據a'點、b'點、c'點、d'點之中與前述3點(a'點、b'點、c'點)相異的3點之組合，例如(a'點、b'點、d'點)、(a'點、c'點、d'點)、(b'點、c'點、d'點)，並利用式(13)至(15)，更計算出中心位置o'之座標(X',Y')及半徑R'。此半徑R'，如下所示，係用來判斷4個感測器52A~52D任一者是否偵測出晶圓W之周緣部的缺口WN。具體而言，首先判斷對應任3點的組合之半徑R'是否與晶圓W的已知半徑即R約略相等。亦即，如圖14所示，晶圓W之缺口WN，於俯視時，未在a'點、b'點、c'點、d'點任一者之附近時，依據a'點、b'點、c'點、d'點之中任3點之組合所計算出之半徑R'亦與半徑R約略相等。此時，判斷為4個感測器52A~52D均未偵測出晶圓W的缺口WN。
另一方面，例如如圖15所示，晶圓W之缺口WN，於俯視中位於b'點附近時，依據b'點以外的3點之組合所計算出之半徑R'變得和半徑R約略相等。但，依據包含b'點的3點之組合所計算出之半徑R'變得小於半徑R。由此結果，判斷為4個感測器52A~52D之感測器52B偵測出晶圓W的缺口WN。
其次，選擇感測器52A~52D中未偵測出缺口WN之3個感測器的偵測值。如圖14所示，當4個感測器52A~52D均未偵測出晶圓W的缺口WN時，亦可選擇感測器52A~52D中任3個感測器的偵測值。此外，圖15所示的情形，選擇來自感測器52B以外的感測器52A、52C、52D之偵測值。
其次，求出依據所選擇的3個感測器的偵測值所計算出之晶圓W的中心位置o'之座標(X',Y')。此外，此座標(X',Y')記憶於例 如記憶部62。另，座標(X',Y')係以由叉部3A固持在適當位置的晶圓W之中心位置o作為原點之X-Y座標上的座標(亦即，晶圓W之中心位置o'的座標(X',Y')顯示有關叉部3A的相對位置)。
其次，如圖13(b)所示，叉部3A將晶圓W運送至旋轉夾頭81的上方，旋轉夾頭81上升而自叉部3A接收晶圓W。亦即，此時晶圓W位於高於叉部3A之位置。此外，在圖示的例中，叉部3A雖在原位置保持靜止，但亦可自杯體部84的上方位置退出。
其次，如圖13(c)所示，旋轉夾頭81旋轉180°並再次下降，將晶圓W傳遞至叉部3A。之後，如圖13(d)所示，接收了晶圓W的叉部3A自塗布模組23退出。在對望塗布模組23的位置，與上述同樣地求出晶圓W的中心位置o"的座標(X",Y")。
在此，預先記憶的晶圓W的中心位置o'的座標(X',Y')與新求出的晶圓W的中心位置o"的座標(X",Y")，係晶圓W藉由旋轉夾頭81旋轉180°左右所求出，故該等座標的中點相當於旋轉夾頭81的旋轉中心。從而，旋轉中心的座標O(Xc,Yc)，可由O(Xc,Yc)=(|X'-X"|/2、|Y'-Y"|/2)所求出。
之後，使叉部3A移動，俾使叉部3A的適當位置之晶圓W的中心位置與所求座標O(Xc,Yc)一致，並將移動後的位置設定成叉部3A的X軸方向及Y軸方向之基準位置，因而此塗布模組23的叉部3A之位置調整結束。
根據以上所說明的XY方向之位置調整方法，使用設於叉部3A的光源51A~51D及感測器52A~52D求出藉由塗布模組23的旋轉夾頭81使晶圓W旋轉180°左右之晶圓W的中心位置，藉此可求出旋轉夾頭81的旋轉中心位置，並可依據該位置來決定叉部3A的基準位置。由於無需使用調整夾具等，故根據該位置調整方 法，便提供了可廉價且簡便地進行位置調整之優點。
另，在上例中，雖使晶圓W旋轉180°，但亦可為90°，只要不是360°，無論幾次均可求出旋轉中心位置。
此外。晶圓W的中心位置的座標(X',Y')及座標(X",Y")，係在叉部3A的X-Y座標平面的座標點，並從該等座標點的中點求出旋轉夾頭81的旋轉中心位置，故不用進行晶圓W相對於叉部3A之定位。亦即，在進行上述位置調整方法前，即使晶圓W自叉部3A的適當位置偏移，亦可進行此位置調整方法。換言之，即使不進行相對於叉部3A的晶圓W之位置調整，亦可進行叉部3A的位置調整。
另，上述位置調整方法中有可調整的範圍，前提是在調整前，運送臂A3的叉部3A落入該範圍。是否位於可調整的範圍，例如可藉由上述晶圓W的中心位置的偵測方法加以判斷；非位於可調整的範圍內時，宜發出警報。
(有關運送臂的XY方向之位置調整(2))
其次，說明使用圖4及圖6所示之運送臂A3及熱處理模組TM來實施運送臂3A的XY方向之另一位置調整之情形。另，以下所參照的圖式中，運送臂A3的感測器等為了圖式方便則予以省略。
圖16至圖18係用來說明運送臂3A的XY方向之另一位置調整之圖。例如圖16(a)的左圖及中央圖係顯示運送臂A3與熱處理模組TM內的支持板93等之關係位置之俯視圖；右圖係對應中央圖的側視圖。圖16(b)至圖18(i)亦相同。
如圖16(a)所示，運送臂3A在面臨熱處理模組TM的位置固持著晶圓W。此時，圖6所示之冷卻板92往熱板91的上方移動， 保持此狀態直到位置調整結束。此外，冷卻板92的下方之升降銷95位於較低位置。
其次，如圖16(b)所示，叉部3A往支持板93的上方移動，將晶圓W固持於4個晶圓支持台96的上方。如圖16(c)所示，升降銷95通過支持板93的開口93a上升，自叉部3A接收晶圓W。
之後，如圖17(d)所示，叉部3A自熱處理模組TM退出。如圖17(e)所示，若支持銷95下降，則由支持板93上的4個晶圓支持台96支持晶圓W。此時，晶圓W由晶圓支持台96的上部96b的下端與下部96a的頂面所限制而定位於適當位置。由晶圓支持台96所定位的晶圓W之適當位置，如上所述，係對應熱處理模組TM內的熱板91(圖6)上的晶圓W之適當位置。
其次，如圖17(f)所示，升降銷95再次上升，如圖18(g)所示，叉部3A進入晶圓W與支持板93之間。如圖18(h)所示，升降銷95下降，將晶圓W傳遞至叉部3A，如圖18(i)所示，叉部3A自熱處理模組TM退出。
緊接其後，如上所述，求出晶圓W的中心位置的座標。此座標，由於與由晶圓支持台96所定位的晶圓W的中心位置一致，故移動叉部3A，俾使叉部3A的中心(固持在叉部3A的適當位置之晶圓W的中心)與所求座標一致，並將該中心位置設定成基準位置，因而叉部3A的X軸方向及Y軸方向的位置調整結束。
根據以上所說明的XY方向之位置調整方法，便可藉由預先設於熱處理模組TM的4個晶圓支持台96來限制晶圓W的位置，藉此可掌握該模組的適當位置，並依據所掌握的位置進行叉部3A的位置調整。此外，由於無須使用調整夾具等，故根據該位置調整方法，便可廉價且簡便地進行位置調整。再者，設置將晶圓W限制在適當位置之晶圓支持台，因此在未具有如熱處理模組TM或傳遞單元TRS等使晶圓W旋轉之機構之模組中，亦可實施該方 法。例如，在傳遞單元TRS中，除了暫時載置晶圓W的傳遞單元TRS本來的載置部即晶圓平台(或晶圓支持部或晶圓支持銷)以外，宜設置支持板93及晶圓支持台96，俾使運送臂可接近晶圓平台的下方。此時，支持板93及晶圓支持台96，係以使由晶圓支持台96所限制的晶圓W的位置對應晶圓平台的適當位置之方式設置。
另，該位置調整方法中亦有可調整的範圍(例如晶圓W可由晶圓支持台96所限制之範圍)，前提是在調整前運送臂A3的叉部3A落入該範圍。是否位於可調整的範圍，例如可藉由先前說明之晶圓W的中心位置的偵測方法加以判斷；非位於可調整的範圍內時，宜發出警報。
以上，雖說明了本發明之較佳實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態，對照附加的申請專利範圍之記載，可作各種變形、變更。
例如，上述實施形態中，雖說明了運送臂3A，但運送臂A1、A2、A4、運送機構C、運送機構D、及介面臂F亦可具有與運送臂A3同樣的構成，因此可進行上述基板運送方法。此外，運送前的模組(一模組)及運送後(運送對象)的模組(其他模組)，並不限於所例示者，亦可為具有載置晶圓W的載置部之模組。
此外，上述實施形態，並不限於2片叉部3A、3B設成上下重疊之例，2片叉部3A、3B亦可於水平方向並排設置。此外，叉部3僅有1片亦可，或者是3片以上上下重疊或於水平方向並排設置亦可。
此外，上述實施形態中，雖考慮到晶圓W的缺口WN，而對於叉部3A等設置了4個光源51A~51D與對應該等光源的4個感 測器52A~52D，但在例如使用無缺口WN而具有定向平面(OF)之晶圓，而OF的位置沒有大幅偏移時，為了偵測OF以外的周緣部，亦可設置3個光源與對應該等光源的3個感測器。
此外，不設置光源51A~51D與對應該等光源的感測器52A~52D，而是在固持爪4A~4D上設置靜電感測器，來偵測晶圓W相對於叉部3A等之位置亦可。再者，亦可使用例如照相機，依據由照相機所取得之影像來偵測晶圓W相對於叉部3A等之位置。使用照相機時，獲得晶圓W的周緣部之4點的位置資訊即可。因此，不必非要使用4台照相機，亦可使用1台照相機獲得4點的位置資訊。使用1台照相機時，例如，可介由支持構件安裝於基台31，使其位於2根叉部3A、3B之上方。
使用照相機時，如同以使用感測器52A~52D之例所做的說明，當固持著晶圓W的叉部3A、3B位於起始位置時，以照相機拍攝影像。而對所拍攝之影像進行影像處理，藉此求出晶圓W之周緣部之4點的位置資訊。其次，依據4點的位置資訊，判斷4點中任一者是否偵測出晶圓W的缺口WN，當判斷為4點中任一者偵測出晶圓W的缺口WN時，可依據該1點以外之3點的位置資訊，偵測晶圓W相對於叉部3A等之位置。
雖說明了使用複數個LED作為光源51之例，但亦可使用於單一LED的發光側設置直線狀的導光材料作為直線狀光源者。此外，作為感測器52，可使用光纖線感測器、光電感測器等各種線性圖像感測器，而非使用CCD線感測器。
以具有靜電感測器的叉部來取代含有真空感測器的真空機構，亦可實施上述叉部3A的Z軸方向之位置調整方法(圖12)。
此外，求出晶圓W相對於叉部3A之位置時，雖利用了適當位置的晶圓W之中心位置o，但取而代之的是，亦可在叉部3A 預先設置1個或複數個位置標記，並以位置標記為基準來利用晶圓W相對於叉部3A之位置偏移。
此外，叉部3A的XY方向之位置調整方法，亦可於一個叉部與其他叉部之間實施之。亦即，例如圖13(b)中，叉部3A退出，圖13(c)中同一運送臂A3的叉部3B進入杯體部84的上方位置，如圖13(d)所示將晶圓W運送出亦可。此時，亦利用晶圓W傳遞至旋轉夾頭81前的中心位置o'的座標之相關資料，與自旋轉夾頭81接收晶圓W後的中心位置o"的座標之相關資料，藉此可求出旋轉夾頭81的旋轉中心位置。
此外，圖18(g)中進入熱處理模組TM的叉部，亦可為其他叉部，而非運送臂A3的叉部3A。即使在此時，由晶圓支持台96所限制之晶圓W的位置亦為該模組的適當位置，故只要使位於適當位置的晶圓W之中心位置，與其他叉部的中心位置一致，便可進行其他叉部的位置調整。此種調整，例如可適宜地實施於可接近圖1所示的塗布顯影裝置100的棚架單元U1(之例如傳遞單元TRS)之運送機構D與運送臂A1、A2、A4(圖2)之間。
此外，雖說明了於熱處理模組TM的支持板93設置4個晶圓支持台96之例，但有3個以上即可。再者，只要晶圓支持台96的上部96b具有傾斜面，並藉由傾斜面的下端與晶圓支持台96的下部96a的頂面來限制晶圓W的位置，便不限於圓錐台形狀。換言之，晶圓支持台96之形狀只要是當晶圓W外緣與傾斜面相接時，晶圓W能以晶圓W外緣沿著傾斜面滑動之方式下降，到達下部96a的頂面即可。例如由三角形狀平板構成上部96b，將該平板豎立於下部96a的頂面，以三角形的斜邊作為傾斜面來發揮機能亦可。
此外，雖例示了具有旋轉夾頭81的塗布模組23，但塗布模組 亦可具有支持晶圓W的周緣部並予以旋轉之旋轉機構，而非旋轉夾頭81。
此外，上述位置調整方法，例如宜針對各模組進行之，並將X軸、Y軸、及Z軸方向的基準位置預先記憶在每個模組，在將晶圓W運送至模組之前，對每個模組叫出基準位置來校正叉部3A的位置。
此外，晶圓W並不限於半導體晶圓，亦可為FPD用的玻璃基板。
A1~A4‧‧‧運送臂(基板運送裝置)
B1‧‧‧第1區塊(DEV層)
B2‧‧‧第2區塊(BCT層)
B3‧‧‧第3區塊(COT層)
B4‧‧‧第4區塊(TCT層)
BF2、BF3、CPL2、CPL3、CPL4、CPL11、CPL12、TRS1、TRS4、TRS6‧‧‧傳遞模組
C‧‧‧運送機構
D‧‧‧運送機構
E‧‧‧穿梭臂
F‧‧‧介面臂
M‧‧‧馬達
S1‧‧‧載具站
S2‧‧‧處理站
S3‧‧‧介面站
S4‧‧‧曝光裝置
TM‧‧‧熱處理模組
U1~U3‧‧‧棚架單元
W‧‧‧半導體晶圓
WN‧‧‧缺口
20‧‧‧載具
21‧‧‧載置台
22‧‧‧顯影模組
23‧‧‧塗布模組
24‧‧‧運送口
3A、3B‧‧‧叉部
31‧‧‧基台
32‧‧‧旋轉機構
33A、33B‧‧‧進退機構
34‧‧‧升降台
35‧‧‧殼體
36‧‧‧Y軸導軌
38‧‧‧編碼器
39‧‧‧計數器
4A~4D‧‧‧固持爪
41A~41D‧‧‧吸附孔
42A~42D‧‧‧墊片
43A、43B‧‧‧真空配管
5A~5D‧‧‧偵測部
51A~51D‧‧‧光源
52A~52D‧‧‧感測器
53‧‧‧支持構件
54‧‧‧偵測控制部
55‧‧‧數位類比轉換器(DAC)
56‧‧‧類比數位轉換器(ADC)
57‧‧‧放大器
6‧‧‧控制部
61‧‧‧運算處理部
62‧‧‧記憶部
62a‧‧‧記錄媒體
63‧‧‧顯示部
64‧‧‧警報發出部
7‧‧‧冷卻模組
71‧‧‧處理容器
72‧‧‧載置部
73‧‧‧升降銷
74‧‧‧升降機構
80‧‧‧框體
80a‧‧‧運送口
81‧‧‧旋轉夾頭
82‧‧‧驅動部
83‧‧‧化學液供給噴嘴
83a‧‧‧前端部
84‧‧‧杯體部
85a‧‧‧支持驅動部
85b‧‧‧支持軸
90‧‧‧框體
91‧‧‧熱板
91a‧‧‧貫通孔
92‧‧‧冷卻板
92a、92b‧‧‧狹縫
93‧‧‧支持板
93a‧‧‧開口
94、95‧‧‧升降銷
94a、95a‧‧‧驅動部
96‧‧‧晶圓支持台
96a‧‧‧下部
96b‧‧‧上部
97‧‧‧冷卻風扇
100‧‧‧塗布顯影裝置
o'、o"‧‧‧中心位置
圖1係顯示本發明實施形態之光阻塗布顯影裝置其構成的俯視圖。
圖2係顯示本發明實施形態之光阻塗布顯影裝置其構成的概略立體圖。
圖3係顯示本發明實施形態之光阻塗布顯影裝置其構成的側視圖。
圖4係顯示圖1至圖3所示之光阻塗布顯影裝置其第3區塊之構成的立體圖。
圖5係顯示圖4所示之第3區塊其塗布模組的概略側視圖。
圖6(a)~(c)係顯示圖4所示之第3區塊其熱處理模組的說明圖。
圖7係顯示圖4所示之第3區塊其運送臂的立體圖。
圖8(a)~(b)係顯示圖7所示之運送臂的俯視圖及側視圖。
圖9係將圖7及圖8所示之運送臂其叉部放大顯示的俯視圖。
圖10係顯示圖1至圖3所示之光阻塗布顯影裝置其控制部之構成的說明圖。
圖11係顯示圖10所示之控制部與圖6及圖7所示之熱處理模組與運送臂之關係的說明圖。
圖12(a)~(f)係本發明實施形態之運送位置調整方法的說明圖。
圖13(a)~(d)係本發明另一實施形態之運送位置調整方法的說明圖。
圖14係本發明另一實施形態之運送位置調整方法其基板位置偵測方法的說明圖。
圖15係本發明另一實施形態之運送位置調整方法其另一基板位置偵測方法的說明圖。
圖16(a)~(c)係本發明更另一實施形態之運送位置調整方法其基板位置偵測方法的說明圖。
圖17(d)~(f)係延續圖16之本發明更另一實施形態之運送位置調整方法其基板位置偵測方法的說明圖。
圖18(g)~(i)係延續圖17之本發明更另一實施形態之運送位置調整方法其基板位置偵測方法的說明圖。
o'、o"‧‧‧中心位置
W‧‧‧晶圓
3A‧‧‧叉部
81‧‧‧旋轉夾頭
84‧‧‧杯體部

Claims (7)

  1. 一種基板運送裝置之位置調整方法，包含：第1偵測步驟，藉由基板運送裝置的基板固持部以吸附、固持基板之背面，而藉由對於該固持部設置之位置偵測部，偵測該基板之外緣部的四個位置；運送步驟，以由該基板固持部吸附、固持著該基板的狀態，運送至固持基板並予以旋轉之基板旋轉部；旋轉步驟，藉由該基板旋轉部使由該基板旋轉部所固持的該基板旋轉既定角度；接收步驟，該基板固持部吸附、接收由該基板旋轉部旋轉過的該基板；第2偵測步驟，藉由該位置偵測部，偵測該基板固持部所接收的該基板之外緣部的四個位置；旋轉中心位置掌握步驟，依據由該第1偵測步驟偵測到之外緣部的4個位置之中任意3個位置、及由該第2偵測步驟偵測到之外緣部的4個位置之中任意3個位置，來掌握該基板旋轉部的旋轉中心位置；以及調整步驟，依據該所掌握的該旋轉中心位置來調整該基板固持部的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項的基板運送裝置之位置調整方法，其中，於該旋轉步驟中，將該基板旋轉180°；於該旋轉中心位置掌握步驟中，由在該第1偵測步驟所求出的該基板的中心位置與在該第2偵測步驟所求出的該基板的中心位置之中點，來掌握該旋轉中心位置。
  3. 如申請專利範圍第1或2項的基板運送裝置之位置調整方法，其中，以該位置偵測部偵測出之該基板的外緣部之四個位置之中， 當其中一個位置為形成於該基板的外緣部之缺口時，依據剩餘的三個位置來掌握該基板旋轉部之旋轉中心位置。
  4. 一種具有基板固持部之基板處理裝置，包含：位置偵測部，用以偵測由該基板固持部所固持的該基板之外緣部的4個位置；該基板固持部具有吸附基板的背面之固持爪；基板旋轉部，其可與該基板固持部之間傳遞該基板，並用以固持而旋轉該基板；該基板係在由該基板固持部吸附、固持的狀態下進行運送；以及控制部，藉由該位置偵測部求出固持於該基板固持部之旋轉前的該基板之外緣部的4個位置，與被傳遞至該基板旋轉部並旋轉既定角度而由該基板固持部吸附、接收的旋轉後之該基板之外緣部的4個位置，並依據該旋轉前之外緣部的4個位置之中任意3個位置、及該旋轉後之外緣部的4個位置之中任意3個位置，來掌握該基板旋轉部的旋轉中心位置，且依據所掌握的該旋轉中心位置來調整該基板固持部的位置。
  5. 如申請專利範圍第4項的基板處理裝置，其中，該既定角度為180°，並由以該旋轉前的3個位置而得之該旋轉前的旋轉中心位置，及以該旋轉後的3個位置而得之該旋轉後的旋轉中心位置，兩者的中點來掌握該旋轉中心位置。
  6. 如申請專利範圍第4或5項的基板處理裝置，其中，該位置偵測部，包含光源及光感測器。
  7. 如申請專利範圍第6項的基板處理裝置，其中，該光源係以於基板的徑方向配置在直線上之複數LED構成，該光感測器，係以於該基板的徑方向配置在直線上之CCD感測器構成。
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