CN107026112A - 一种蚀刻装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种蚀刻装置，包括真空传送腔体和制程腔体，真空传送腔体与制程腔体相邻设置，真空传送腔体与制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口，传递窗口用于待蚀刻基板在真空传送腔体与制程腔体之间的传递；在真空传送腔体底部，靠近传递窗口的位置设置有破片侦测器，在真空传送腔体与制程腔体进行换片操作时，真空传送腔体内的压力大于制程腔体内的压力。本发明中的蚀刻装置主要在对于破片的检测方面做出了具体的改进，本发明中的蚀刻装置可以很好的检测到蚀刻装置中的玻璃基板是否发生破片，如果发生破片可以及时进行补救，防止因为检测不及时导致的损失扩大。

Description

一种蚀刻装置
技术领域
本发明涉及TFT-LCD制造领域，具体涉及一种蚀刻装置。
背景技术
在TFT-LCD(Thin Film Transistor--Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示面板)的制造涉及众多制程。
由最初始玻璃基板经过各种制程，最终得到液晶显示面板。在这些制程中，每一制程都至关重要。因为生产程序较长，因此，只有尽量保证每一制程中的良品率，才能控制液晶面板的制造成本，从而提高市场竞争力。
由于面板或玻璃基板的越来越薄，因此，破片成为液晶面板生产过程中一种常见的事故。例如在干法蚀刻的制程中，采用的干蚀刻设备，这一设备如图1所示，包括L/C腔(loadlock chamber)、T/C腔(transfer chamber)和多个P/C腔(process chamber)。如图1所示为现有技术中常见的一种干法蚀刻设备的俯视示意图，该设备包括一个L/C腔，一个T/C腔和三个P/C腔(process chamber)。在蚀刻制程中，玻璃首先进入L/C腔，L/C腔为玻璃进出蚀刻设备的的窗口，L/C腔也是大气与真空切换单元；然后再从L/C腔进入到T/C腔，T/C腔为真空传送单元，作为进入蚀刻之前的真空环境的保证；最后，玻璃由T/C腔进入到P/C腔，P/C腔为真空低压生产环境，蚀刻使用的特种气体在P/C腔中产生等离子体(plasma)，等离子体与进入P/C腔发生反应，从而完成蚀刻。蚀刻完成之后，玻璃再按照进入的路线反向离开蚀刻设备。
在蚀刻过程中，玻璃在蚀刻设备的各个腔体之间传送，传送的过程是由设置在设备中的机械手臂完成的，相邻的腔体之间设置有允许玻璃通过的窗口。但是传送过程中难免会造成玻璃的损坏，在行业中称为破片。如果破片发生在P/C腔中，后果尤其严重，一般会造成以下的严重影响：(1)复机时间长，一般P/C腔破片处理复机时间超过24小时；(2)破片在交换片时一般会影响到其他正常片,使损失扩大。为改善破片对于蚀刻制程的严重影响，目前业界在T/C腔与P/C腔交界窗口(gate)的底部增加破片侦测器(scan sensor),用来侦测进出P/C腔的玻璃的的完整性，一旦侦测到破片，交换片动作即停止，从而避免损失扩大。
但是，在实际的使用过程中，交换片时由于P/C腔中的气流产生的扰流的影响，P/C腔内的生成物会有部分落在破片侦测器(scan sensor)上，进而导致探测传感器侦测不良，进而造成误报警。本发明针对P/C腔产生的扰流对于探测传感器造成的影响的技术问题，对破片侦测器进行一定的改进。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本发明公开一种蚀刻装置，包括真空传送腔体和制程腔体，所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻设置，所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口，所述传递窗口用于待蚀刻基板在所述真空传送腔体与所述制程腔体之间的传递；在真空传送腔体底部，靠近所述传递窗口的位置设置有破片侦测器，在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时，所述真空传送腔体内的压力大于所述制程腔体内的压力。
在本发明的一个实施例中，所述真空传送腔体上设置有进气口，在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时，所述进气口通入气体，使得所述真空传送腔体内的压力大于与所述制程腔体内的压力。
在本发明的一个实施例中，所述进气口处还设置有气体分管，所述气体分管由所述进气口延伸至所述破片侦测器上侧，在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时，所述气体分管用于向破片侦测器处通气。
在本发明的一个实施例中，所述气体分管沿所述真空传送腔体侧壁设置。
在本发明的一个实施例中，所述气体分管出气口朝向远离所述制程腔体的方向。
在本发明的一个实施例中，所述进气口通入的气体为氮气。
在本发明的一个实施例中，所述破片侦测器为扫描传感器。
在本发明的一个实施例中，所述破片侦测器有多个。
在本发明的一个实施例中，所述气体分管包括多个出气口，所述出气口与所述破片侦测器相应设置。
本发明中的蚀刻装置主要在对于破片的检测方面做出了具体的改进，本发明中的蚀刻装置可以很好的检测到蚀刻装置中的玻璃基板是否发生破片，如果发生破片可以及时进行补救，防止因为检测不及时导致的损失扩大。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：
图1是现有技术中的一种蚀刻装置俯视示意图；
图2是本发明实施例一中的蚀刻装置真空传送腔体与制程腔体之间的关系示意图；
图3是本发明实施例一中的蚀刻装置的真空传送腔体与制程腔体相邻位置的截面示意图；
图4是本发明实施例二中的蚀刻装置的真空传送腔体与制程腔体之间的关系示意图；
图5是本发明实施例二中的蚀刻装置的真空传送腔体与制程腔体相邻位置的截面示意图。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。本发明中所谓的“破片”指的是在蚀刻过程中，玻璃基板等的破损等，即“片”指的是待蚀刻或者蚀刻完成的玻璃基板等。
如图1所示为现有技术中常见的一种干法蚀刻设备的俯视示意图，该设备包括一个L/C腔(loadlock chamber)，一个T/C腔(transfer chamber)和三个P/C腔(processchamber)。如图1所示，其中的路径1为玻璃进入蚀刻装置的在蚀刻制程中，玻璃首先进入L/C腔，L/C腔为玻璃进出蚀刻设备的的窗口，L/C腔也是大气与真空切换单元；然后再从L/C腔进入到T/C腔，T/C腔为真空传送腔体，作为进入蚀刻之前的真空环境的保证；最后，玻璃由T/C腔进入到P/C2腔，P/C2腔为制程腔体，P/C2腔为真空低压生产环境，蚀刻使用的特种气体在P/C2腔中产生等离子体(plasma)，等离子体与进入P/C2腔发生反应，从而完成蚀刻。蚀刻完成之后，玻璃再按照进入的路线反向即路径2离开蚀刻设备。图1中仅仅示意出了玻璃进入P/C2腔进行蚀刻的过程，另外两个制程腔体P/C1腔和P/C3腔可以发生同样的反应，在此不再赘述。
实施例一
本实施例以现有技术中的蚀刻设备的基础上进行的改进。本发明主要针对的是真空传送腔体与制程腔体进行换片时，在真空传送腔体可能发生的破片现象的准确的侦测，防止误测造成的损失。基于本发明的意图，如图2所示，仅仅示意处了本实施例中的真空传送腔体21与制程腔体22之间的关系示意图。其中的真空传送腔体21与制程腔体22相邻设置，真空传送腔体21与制程腔体22相邻的腔体壁23上设置有传递窗口24，传递窗口24用于待蚀刻基板在真空传送腔体21与制程腔体22之间的传递；在真空传送腔体21与制程腔体22进行换片操作时，可能会发生破片的情况，如图3所示，为本实施中真空传送腔体21与制程腔体22相邻位置的截面示意图。由图3可以看出，在真空传送腔体21底部，靠近传递窗口24的位置设置有破片侦测器25，图3中未示意出破片侦测器25的个数，本领域技术人员可知，破片侦测器25个数的可以根据需要进行设置，在此，不再赘述。如图2所示，在真空传送腔体21与制程腔体22进行换片操作时，真空传送腔体21内的压力大于制程腔体22内的压力。在图2中示意的为由真空传送腔体21到制程腔体22气流A，由制程腔体22到真空传送腔体21气流B，其中气流A大于气流B，从而保证真空传送腔体21内的压力大于制程腔体22内的压力。从而避免制程腔体22内产生的废气进入到真空传送腔体21，进而废气中的生成物进入到真空传送腔体21内，对其中的破片侦测器25受到生成物的影响做出错误的侦测结果。
如图2所示，其中的真空传送腔体21包括第一顶壁210和第一侧壁211，其中在第一顶壁210上设置有进气口212，优选的，进气口212位于真空传送腔体21的一个角上，这样设置方便气体进入到真空传送腔体21中，优选的位于距离制程腔体22较远的位置，这样的设置使得气体可以对真空传送腔体21进行充分的填充，避免将真空传送腔体21与制程腔体22交界处的气体吹散，导致制程腔体22产生的废气与真空传送腔体21中的气体的混合，而是利用进气口处进入的气体产生生的压力，减少制程腔体22产生的废气进入到真空传送腔体21中。在真空传送腔体21与制程腔体22进行换片操作时，进气口通入气体，使得所述真空传送腔体21内的压力大于与所述制程腔体22内的压力。其中制程腔体22包括第二顶壁220和第二侧壁221，在第二顶壁220上设置有多个排气口222，其中排气口222用于将制程腔体22产生的废气排出制程腔体22外侧。
实施二
在实施例一的基础上，本实施例进行进一步的改进，如图4所示，为本实施例中的蚀刻装置的真空传送腔体与制程腔体之间的关系示意图；在图4中示意可以看出，本实施例中包括两个破片侦测器25(251和252)，其中还包括气体分管26，气体分管26由进气口212延伸至所述破片侦测器25(251和252)上侧，在真空传送腔体与制程腔体进行换片操作时，气体分管26用于向破片侦测器25(251和252)处通气。在本实施例中，根据破片侦测器25有两个，因此，气体分管26与破片侦测器25(251和252)对应设置有两个气体分管出气口(261和262)。如图5所示，为本实施例中的蚀刻装置的真空传送腔体与制程腔体相邻位置的截面示意图，在图5中清晰的显示出了本实施例中的分管出气口(261和262)的位置，由于时侧面的截面图，因此只能示意处一个分管出气口，本领域技术人员可以理解，其中的两个分管出气口(261和262)是重合的。
优选的，气体分管26沿真空传送腔体21的侧壁设置，如图4所示，气体分管26沿第一侧壁211设置。这样的设置方式使得气体分管26不会对装置的正常运行产生影响，例如不会影响玻璃基板在装置中的运转的交换。
优选的，气体分管出气口(261和262)朝向远离制程腔体22的方向。这样的设置，使得可以避免如图3所示的气流B携带的生成物落到破片侦测器25(251和252)上。
优选的，进气口212处通入的气体为氮气。当然还可以采用其他的性质较为稳定的气体，例如稀有气体等。优选的采用氮气，是因为氮气作为一种性质较为稳定的气体应用比较广泛，价格较低，因此相对于稀有气体氮气具有成本低的优势。
优选的，破片侦测器25为扫描传感器。扫描传感器可以对待蚀刻或者已经完成蚀刻的玻璃基板等进行扫描，从而确认是否完整。另外玻璃基板如果发生破损，破损产生的碎屑落在扫描传感器的感知范围以内就可以立刻感知到破片的发生。
在一些实施例中，破片侦测器25可以设置有多个。尤其是在装置较大的情况下，多个破片侦测器25可以很好的对玻璃基板的完整性进行及时有效的检测，而且多个破片侦测器25可以互为补充，防止单个破片侦测器25因为检测范围有限而造成的侦测失误，例如不能及时侦测出具体情况等。
优选的，当破片侦测器25设置有多个的情况下，气体分管26包括多个气体分管出气口，气体分管出气口与破片侦测器25相应设置。即两者个数以及位置均向应设置。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种蚀刻装置，包括真空传送腔体和制程腔体，所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻设置，所述真空传送腔体与所述制程腔体相邻的腔体壁上设置有传递窗口，所述传递窗口用于待蚀刻基板在所述真空传送腔体与所述制程腔体之间的传递；
其特征在于，在真空传送腔体底部，靠近所述传递窗口的位置设置有破片侦测器，在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时，所述真空传送腔体内的压力大于所述制程腔体内的压力。
2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述真空传送腔体上设置有进气口，在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时，所述进气口通入气体，使得所述真空传送腔体内的压力大于与所述制程腔体内的压力。
3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，所述进气口处还设置有气体分管，所述气体分管由所述进气口延伸至所述破片侦测器上侧，在所述真空传送腔体与所述制程腔体进行换片操作时，所述气体分管用于向破片侦测器处通气。
4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，所述气体分管沿所述真空传送腔体侧壁设置。
5.根据权利要求4所述的蚀刻装置，其特征在于，所述气体分管出气口朝向远离所述制程腔体的方向。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于，所述进气口通入的气体为氮气。
7.根据权利要求6所述的蚀刻装置，其特征在于，所述破片侦测器为扫描传感器。
8.根据权利要求1或2所述的蚀刻装置，其特征在于，所述破片侦测器有多个。
9.根据权利要求3到7中任一项所述的蚀刻装置，其特征在于，所述破片侦测器有多个。
10.根据权利要求9所述的蚀刻装置，其特征在于，所述气体分管包括多个出气口，所述出气口与所述破片侦测器相应设置。
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