CN105483656A - 一种tco电子薄膜的制备方法 - Google Patents

一种tco电子薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105483656A
CN105483656A CN201510892316.0A CN201510892316A CN105483656A CN 105483656 A CN105483656 A CN 105483656A CN 201510892316 A CN201510892316 A CN 201510892316A CN 105483656 A CN105483656 A CN 105483656A
Authority
CN
China
Prior art keywords
precursor liquid
solution
substrate
film
zinc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510892316.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105483656B (zh
Inventor
程江
杨鑫
张洪涛
王祺
柳红东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Dingwang Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Chongqing University of Arts and Sciences
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing University of Arts and Sciences filed Critical Chongqing University of Arts and Sciences
Priority to CN201510892316.0A priority Critical patent/CN105483656B/zh
Publication of CN105483656A publication Critical patent/CN105483656A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105483656B publication Critical patent/CN105483656B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1258Spray pyrolysis
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216Metal oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

本发明提供了一种TCO电子薄膜的制备方法,采用喷雾热分解法,包括配制前驱液、薄膜沉积步骤,所述前驱液为锌铵[(Zn(NH3)4](OH)2溶液。本发明以碱性的锌铵溶液为前驱液,采用喷雾热解法,以可移动加热平台作为加热源,可以在130℃左右制备出结晶性质优良的ZnO薄膜,具有不伤衬底,低成本,无污染,无毒无害,工艺简单,能大面积制膜等优点。

Description

一种TCO电子薄膜的制备方法
本申请是针对申请号为201410034109.7、申请日为2014年01月24日、发明名称为“一种低温制备氧化锌电子薄膜的方法”的分案申请。
技术领域
本发明涉及氧化物薄膜的制备,特别涉及TCO氧化锌电子薄膜的制备方法。
背景技术
喷雾热分解法是少数几种可以实现非真空制备ZnO薄膜的技术之一,该方法不受真空度及腔体限制,可实现大面积成膜,设备与工艺简单,制造成本低,适合规模化生产。在本发明以前,利用超声喷雾热解制备ZnO薄膜有相关报道,普遍存在缺点主要有:(1)沉积温度高,(2)不能实现大面积成膜,(3)原料成本高,(4)原料对人及环境有毒害。例:专利CN1707752A,以管式炉为加热源,只能制备小面积的ZnO薄膜;薄膜沉积温度高(500~800℃),只能采用耐高温的无机材料作为衬底。而本发明原料分解温度低,可以在130℃左右制备ZnO薄膜;采用了可移动加热平台作为加热源,可以实现在柔性衬底上制备大面积ZnO薄膜,适应卷对卷工艺及大规模生产要求。又例:YoshinoKenji.Low-TemperatureGrowthofZnOFilmsbySprayPyrolysi:日本,JapaneseJournalofAppliedPhysics,50(4),(2011年)报导采用二乙基锌而原料,虽然在较低温度(100℃)制备出ZnO薄膜,但原料二乙基锌毒性强,容易着火爆炸,价格昂贵;制备工艺更接近化学气相输运(CVD)法,过程控制相对复杂,对氧气和水蒸气控制严格,因此需在惰性气氛下进行;另外以固定的加热台作为加热源,难以实现大面积制膜。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低温、非真空制备大面积ZnO电子薄膜的方法。
本发明的目的是通过以下措施实现的:
一种低温制备氧化锌电子薄膜的方法,采用喷雾热分解法,包括配制前驱液、薄膜沉积步骤,其特征在于:所述前驱液为锌铵[(Zn(NH3)4](OH)2溶液。优选地,上述锌铵[(Zn(NH3)4](OH)2溶液pH为10~12,[(Zn(NH3)4]2+浓度为0.05~0.2mol/L。所述前驱液室温下可长期、稳定存在于碱性溶液中,可在较低温度下喷雾热分解后形成氧化锌薄膜。上述前驱液中包含的主要离子为:[(Zn(NH3)4]2+、OH-和NH3 +;上述前驱液中的酸根离子总含量小于0.5%。酸根离子是除OH-以外的阴离子,包括CH3COO-、NO3 -和Cl-等阴离子。上述锌盐为醋酸锌、氯化锌、硝酸锌中的一种或多种。上述薄膜沉积以可移动加热平台作为衬底的加热源,薄膜沉积温度为130℃~200℃,上述前驱液经气流冲击雾化喷于衬底沉积成膜,喷嘴距衬底200~500mm,溶液流量为0.5ml/min~5ml/min,气流压力为1.5atm~5atm,沉积速度为2nm/min~10nm/min。上述温制备氧化锌电子薄膜的方法还包括热处理,所述热处理是指将薄膜沉积后的薄膜和衬底在200℃~250℃,保温2h。进一步地,若对氧化锌薄膜掺杂作为TCO薄膜使用,将ZnO薄膜及衬底至于管式气氛炉中,通入弱还原性气体后,抽真空至10-3Pa~10-2Pa,加热至400℃~800℃,保温2h后自然冷却,以提高导电性。
上述前驱液采用水、甲醇、氨水的混合液作为锌铵溶液的溶剂,甲醇体积:水与氨水的体积之和为1:2~5。具体地,配制上述前驱液步骤包括:
将锌盐溶于水,先加入少量氨水,过滤并清洗沉淀获得氢氧化锌沉淀;
②以水与甲醇混合液将氢氧化锌沉淀进行分散,再加入氨水至沉淀完全溶解形成pH为10~12,浓度为0.05~0.2mol/L透明的锌铵[(Zn(NH3)4](OH)2溶液,其中甲醇体积:水与氨水的体积和为1:2~5。
具体地,上述低温制备氧化锌电子薄膜的方法,包括以下步骤:
(1)前驱液配制
将5~20g可溶性锌盐溶于去离子水,配置成一定浓度的不饱和溶液,置于烧杯。在磁力或电动搅拌作用下,滴入浓氨水,控制溶液PH值范围为7~8,Zn2+逐步转化为Zn(OH)2沉淀;真空抽滤,边抽滤边用大量去离子水反复冲洗沉淀,去除酸根离子(如:CH3COO-、NO3 -、Cl-等杂质),干燥沉淀;称取干燥后的沉淀,加入去离子水与甲醇混合液进行分散,再加入氨水直至沉淀溶解,甲醇体积:水与氨水的体积之和为1:2~5,制得pH为10~12,[(Zn(NH3)4]2+浓度为0.05~0.2mol/L透明的锌铵溶液作为前驱液;
(2)薄膜沉积
将衬底(玻片、PET或PMMA)置于可移动加热台,加热至130℃~200℃,在控制面板上设定可移动加热台的行走方式;将精细雾化喷嘴(以下简称喷嘴),固定,调整喷嘴高度距衬底200~500mm;运行可移动加热平台的控制程序,可移动加热平台按设定方式自动行走;接入压缩空气并打开喷嘴;取30~100ml的前驱液放入锥形瓶,将蠕动泵接入喷嘴,控制流量为0.5ml/min~5ml/min;通过调压阀将气压控制为1.5atm~5atm,液体经气流冲击雾化,喷洒于衬底后成膜,沉积速度约为2nm/min~10nm/min;
(3)热处理
将制备的ZnO薄膜及衬底加热至200℃~250℃,保温2h以提高其结晶性;若作为TCO薄膜使用,将ZnO薄膜及衬底至于管式气氛炉中,通入弱还原性气体后,抽真空至10-3Pa~10-2Pa,加热至400℃~800℃,保温2h后自然冷却,以提高导电性。
本发明所用的醋酸锌、硝酸锌、氯化锌等化学试剂均为分析纯(AR)以上。所用的精细雾化喷嘴材质为不锈钢,针嘴孔径为0.3mm~0.5mm。所用可移动加热台加热器为铸铝加热板,中心与边缘温差<±1℃。
本发明具有如下有益效果:
本发明的原料不含有机金属配合物和难挥发的有机溶剂,不仅薄膜沉积温度低,而且成本低,制备工艺简单,可以大规模推广应用。本发明以碱性的锌铵溶液为前驱液,采用喷雾热解法,以可移动加热平台作为加热源,可以在130℃左右制备出结晶性质优良的ZnO薄膜,具有不伤衬底,低成本,无污染,无毒无害,工艺简单,能大面积制膜等优点。工艺中衬底材料的选择范围大,所受限制小,若以柔性的有机薄膜为衬底,使用特殊的传送装置,可以实现卷对卷生产。
本发明制备的ZnO薄膜主要用途为有机太阳能电池的阴极缓冲层,能提高有机太阳能电池光电转换效率(PCE);也可以通过掺杂也作为TCO薄膜。本发明制得氧化锌薄膜具有优异的性能,可见光范围内平均透过率达到85%以上,表面粗糙度<10nm,且不含残留溶剂,杂质含量在1%以下。本发明制备的ZnO薄膜为C轴择优取向的ZnO薄膜,微观颗粒的平均粒径约10nm~20nm,均匀性好。
附图说明
图1制备的ZnO薄膜的扫面电子显微镜照片;
图2制备的ZnO薄膜的X射线衍射谱。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的具体实施方式做进一步的描述,并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例1
一种低温喷雾热分解制备ZnO电子薄膜的方法,步骤如下:
(1)前驱液配制
将11g醋酸锌溶于去离子水,配置成1mol/L的醋酸锌溶液,置于烧杯,在磁力或电动搅拌作用下,滴入浓氨水,控制溶液PH为8,Zn2+逐步转化为Zn(OH)2沉淀,真空抽滤,边抽滤边用大量去离子水反复冲洗,去除多余的阴离子(CH3COO-、NO3 -、Cl-等杂质),干燥,称取5g沉淀物,加入30ml去离子水和10ml甲醇,加入10ml氨水,沉淀溶解,形成pH为11,[(Zn(NH3)4]2+浓度为0.1mol/L透明的锌铵溶液作为前驱液。
(2)薄膜沉积
将玻璃纤维增强PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底置于可移动加热台,加热至130℃,控制可移动平台的运动方式,行走速率为50mm/s,行走范围为200mm×200mm。调整喷嘴与衬底距离为300mm,接入压缩空气并打开喷嘴,取50ml的前驱液放入锥形瓶,将蠕动泵接入锥形瓶和喷嘴,前驱液流量控制为1ml/min,通过调压阀将气压控制为3atm,液体经气流冲击雾化,喷洒于衬底,沉积时间为100min。
(3)热处理
将制备的ZnO薄膜及衬底加热至200℃,保温2h后自然冷却。
从图1中的X射线衍射谱可以看出,制备的为C轴择优取向的ZnO薄膜,图2为所制备ZnO薄膜的SEM照片,表明该ZnO薄膜微观颗粒的平均粒径约10nm~20nm,均匀性好。
实施例2
一种低温喷雾热分解制备ZnO电子薄膜的方法,同实施例1,其中:
第(1)步中,前驱液配制的原料采用硝酸锌,沉淀物中加入25ml去离子水和15ml甲醇。
第(2)步中,衬底加热温度为150℃。
第(3)步中,制备的ZnO薄膜及衬底加热至250℃,保温2h后自然冷却。
制得的ZnO薄膜:可见光范围内平均透过率达到85%以上,表面粗糙度<10nm,且不含残留溶剂,杂质含量在1%以下,C轴择优取向,微观颗粒的平均粒径约10nm~20nm,均匀性好。
实施例3
一种低温喷雾热分解制备ZnO电子薄膜的方法,同实施例1,其中:
第(2)步中,调整喷嘴与衬底距离为200mm,取30ml的前驱液放入锥形瓶,将蠕动泵接入喷嘴,前驱液流量控制为0.5ml/min,通过调压阀将气压控制为2atm,沉积时间为30min。
制得的ZnO薄膜:可见光范围内平均透过率达到85%以上,表面粗糙度<10nm,且不含残留溶剂,杂质含量在1%以下,C轴择优取向,微观颗粒的平均粒径约10nm~20nm,均匀性好。
实施例4
一种低温喷雾热分解制备ZnO电子薄膜的方法,同实施例1,其中:
第(1)步中,前驱液配制的原料采用醋酸锌溶液,制得pH为10,[(Zn(NH3)4]2+浓度为0.05mol/L透明的锌铵溶液作为前驱液。
第(2)步中,喷嘴与衬底距离为200mm,前驱液流量控制为0.5ml/min,
第(3)步完成后,保温2h后取出样品。
制得的ZnO薄膜:可见光范围内平均透过率达到85%以上,表面粗糙度<10nm,且不含残留溶剂,杂质含量在1%以下,C轴择优取向,微观颗粒的平均粒径约10nm~20nm,均匀性好。
实施例5
一种低温喷雾热分解制备ZnO电子薄膜的方法,同实施例1,其中:
第(1)步中,前驱液配制的原料采用氯化锌,配成0.5mol/L的氯化锌溶液,制得pH为12,[(Zn(NH3)4]2+浓度为0.2mol/L透明的锌铵溶液作为前驱液。
第(2)步中,衬底加热温度为200℃。
第(2)步完成后,保温2h后自然冷却。
制得的ZnO薄膜:可见光范围内平均透过率达到85%以上,表面粗糙度<10nm,且不含残留溶剂,杂质含量在1%以下,C轴择优取向,微观颗粒的平均粒径约10nm~20nm,均匀性好。
实施例6
一种低温喷雾热分解制备ZnO电子薄膜的方法,其中:第(1)步同实施例1,第(2)步与第(3)步同实施例4。
第(3)步结束后,通过喷涂法在样品镀膜一面依次沉积P3HT:PCBM、PEDOT:PSS和银电极,组装成聚合物薄膜太阳能电池(PSC)。
制得的ZnO薄膜:可见光范围内平均透过率达到85%以上,表面粗糙度<10nm,且不含残留溶剂,杂质含量在1%以下,C轴择优取向,微观颗粒的平均粒径约10nm~20nm,均匀性好。
组装的聚合物薄膜太阳能电池:开路电压VOC为:0.63V,短路电流JSC为:8.6mA/cm2,PCE为:3.3%。
实施例7
一种低温喷雾热分解制备ZnO:B电子薄膜的方法,同实施例1,其中:
第(1)步中,在如实施例1方法配置的前驱液中加入硼酸铵(NH4B5O8),使得溶液中B/Zn=3at%。
第(2)步中,以石英玻璃为衬底,衬底加热温度为200℃。
第(3)步中,将ZnO薄膜及衬底至于管式气氛炉中,通入H2体积含量为5%,Ar体积含量为95%的混合气体后,抽真空至10-3,加热至600℃,保温2h后自然冷却。
制得的TCO薄膜:可见光范围内平均透过率达到85%以上,表面粗糙度<10nm,载流子浓度为:1.4×1022/cm3,电阻率为:3.3×10-3Ω·cm。

Claims (1)

1.一种TCO电子薄膜的制备方法,其特征在于,步骤如下:
(1)前驱液配制
将11g醋酸锌溶于去离子水,配置成1mol/L的醋酸锌溶液,置于烧杯,在磁力或电动搅拌作用下,滴入浓氨水,控制溶液pH为8左右,Zn2+逐步转化为Zn(OH)2沉淀,真空抽滤,边抽滤边用大量去离子水反复冲洗,去除多余的阴离子,干燥,称取5g沉淀物,加入30ml去离子水和10ml甲醇,加入10ml氨水,沉淀溶解,形成pH为11,[(Zn(NH3)4]2+浓度为0.1mol/L透明的锌铵溶液作为前驱液;在所述前驱液中加入硼酸铵(NH4B5O8),使得溶液中B/Zn=3at%;
(2)薄膜沉积
将石英玻璃衬底置于可移动加热台,加热至200℃,控制可移动平台的运动方式,行走速率为50mm/s,行走范围为200mm×200mm;调整喷嘴与衬底距离为300mm,接入压缩空气并打开喷嘴,取50ml的前驱液放入锥形瓶,将蠕动泵接入锥形瓶和喷嘴,前驱液流量控制为1ml/min,通过调压阀将气压控制为3atm,液体经气流冲击雾化,喷洒于衬底,沉积时间约为100min;
(3)热处理
将ZnO薄膜及衬底至于管式气氛炉中,通入H2体积含量为5%,Ar体积含量为95%的混合气体后,抽真空至10-3,加热至600℃,保温2h后自然冷却。
CN201510892316.0A 2014-01-24 2014-01-24 一种tco电子薄膜的制备方法 Active CN105483656B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510892316.0A CN105483656B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种tco电子薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410034109.7A CN103757613B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种低温制备氧化锌电子薄膜的方法
CN201510892316.0A CN105483656B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种tco电子薄膜的制备方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410034109.7A Division CN103757613B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种低温制备氧化锌电子薄膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105483656A true CN105483656A (zh) 2016-04-13
CN105483656B CN105483656B (zh) 2018-03-06

Family

ID=50524927

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510892316.0A Active CN105483656B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种tco电子薄膜的制备方法
CN201510892469.5A Active CN105506584B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种电子薄膜的制备方法
CN201410034109.7A Active CN103757613B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种低温制备氧化锌电子薄膜的方法
CN201510892350.8A Active CN105349970B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种性能优异的电子薄膜制备方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510892469.5A Active CN105506584B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种电子薄膜的制备方法
CN201410034109.7A Active CN103757613B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种低温制备氧化锌电子薄膜的方法
CN201510892350.8A Active CN105349970B (zh) 2014-01-24 2014-01-24 一种性能优异的电子薄膜制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (4) CN105483656B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107699870A (zh) * 2017-09-18 2018-02-16 中山大学 超重力化学沉积管内薄膜制备方法及系统

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106000705B (zh) * 2016-07-12 2018-11-06 河北大学 一种用于制备薄膜的全自动脉冲喷涂装置及喷涂方法
CN108091414B (zh) * 2017-12-13 2020-05-15 浙江海洋大学 一种银纳米线复合透明导电薄膜及其制备
CN110590181A (zh) * 2018-06-12 2019-12-20 兰州大学 ZnO薄膜的制备方法及其在紫外传感器中的应用
CN111239203B (zh) * 2018-11-29 2022-05-17 中国科学院大连化学物理研究所 一种氧化铜薄膜的制备方法
CN109752431B (zh) * 2018-12-29 2021-07-30 海南大学 一种利用喷雾干燥法制备微电极的方法
CN114182235B (zh) * 2020-09-14 2023-09-29 北京环境特性研究所 一种建立生长室内气体平衡流场的方法
CN112939580B (zh) * 2021-01-29 2022-07-01 广西碧清源环保投资有限公司 一种陶瓷过滤膜的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1563485A (zh) * 2004-04-22 2005-01-12 上海交通大学 强紫外吸收纳米氧化锌薄膜的制备方法
JP2013105722A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Kuraray Co Ltd 透光性導電膜とその製造方法、デバイス、及び太陽電池
CN103413833A (zh) * 2013-07-09 2013-11-27 复旦大学 一种柔性ZnO基薄膜晶体管及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5094882A (en) * 1990-12-12 1992-03-10 Ford Motor Company Zinc oxide film growth rate accelerator
JP2004149367A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Japan Science & Technology Agency 酸化亜鉛粒子又は膜製造用水溶液及び酸化亜鉛粒子又は膜の製造方法
CN1707752A (zh) * 2004-06-09 2005-12-14 中国科学院上海硅酸盐研究所 掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法
CN102330075A (zh) * 2011-09-26 2012-01-25 中国地质大学(武汉) 一种ZnO基透明导电薄膜的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1563485A (zh) * 2004-04-22 2005-01-12 上海交通大学 强紫外吸收纳米氧化锌薄膜的制备方法
JP2013105722A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Kuraray Co Ltd 透光性導電膜とその製造方法、デバイス、及び太陽電池
CN103413833A (zh) * 2013-07-09 2013-11-27 复旦大学 一种柔性ZnO基薄膜晶体管及其制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SEUNG-WOO SEO等: "Low-temperature growth of highly conductive and transparent aluminum-doped ZnO", 《KOREAN JOURNAL OF CHEMICAL ENGINEERING》 *
宁鸿霞等: "《无机及分析化学实验》", 30 November 2002, 石油大学出版社 *
陈建林等: "《氧化锌透明导电薄膜及其应用》", 30 June 2011, 北京:化学工业出版社 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107699870A (zh) * 2017-09-18 2018-02-16 中山大学 超重力化学沉积管内薄膜制备方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN105506584A (zh) 2016-04-20
CN105349970B (zh) 2017-12-05
CN103757613B (zh) 2015-12-30
CN105349970A (zh) 2016-02-24
CN103757613A (zh) 2014-04-30
CN105483656B (zh) 2018-03-06
CN105506584B (zh) 2018-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103757613B (zh) 一种低温制备氧化锌电子薄膜的方法
CN101661994B (zh) 一种无需真空过程制备有机聚合物太阳能电池的方法
CN101805136B (zh) 在ito导电玻璃上原位制备纳米网状硫铟锌三元化合物光电薄膜的化学方法
CN104148047A (zh) 一种碳掺杂氧化锌基可见光催化剂的宏量制备方法
CN105679941A (zh) 一种基于p型铜铁矿结构半导体材料的平面结构钙钛矿太阳能电池及其制备
CN105261705B (zh) 一种有机太阳能电池制备方法
CN105047821A (zh) 基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池及制备方法
CN103794729A (zh) 大面积聚合物太阳能电池及其活性层的制备方法
CN103700725B (zh) 一种用于太阳能电池的基于纳米粒子铜铟硫硒薄膜的制备方法
Yuan et al. Preparation and DSC application of the size-tuned ZnO nanoarrays
CN105164047B (zh) Cu2ZnSnS4纳米粒子
CN105036178A (zh) 一种改性纳米氧化锌的制备方法
CN104607216A (zh) 磷铝共掺杂型导电氧化锌纳米催化剂的一步合成方法
CN103318851B (zh) 铜铟镓硫硒太阳能电池、薄膜吸收层及其制备方法
CN109817735A (zh) 溶液法制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池
CN109524547B (zh) 一种新型无机空穴传输层材料的制备方法及其应用
CN106277027A (zh) 一种花状氧化锌纳米棒团簇的制备方法
CN104716222B (zh) 射频裂解硒蒸气制作铜铟镓硒薄膜的方法
CN108550642A (zh) 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法
CN107240645B (zh) 钙钛矿-纳米锗颗粒有机-无机复合太阳能电池的制备
Cheng et al. Low-temperature preparation of ZnO thin film by atmospheric mist chemistry vapor deposition for flexible organic solar cells
CN105001678A (zh) 一种纳米氧化锌粉体材料
Karimi et al. Preparation and characterization of zinc sulfide thin film by electrostatic spray deposition of nano-colloid
Zhao et al. Rapid synthesis of Cu2ZnSnS4 nanocrystalline thin films directly on transparent conductive glass substrates by microwave irradiation
CN101740667B (zh) 铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211210

Address after: 400037 No. 2-1, building 2, No. 752, LanMei Road, Jiulongpo District, Chongqing

Patentee after: Chongqing Weina Light Technology Development Co.,Ltd.

Address before: 402160, Honghe Avenue, Yongchuan District, Chongqing, 319

Patentee before: CHONGQING University OF ARTS AND SCIENCES

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220210

Address after: 402760 5th floor, building 52, enterprise Tiandi, Bishan District, Chongqing

Patentee after: Chongqing Dingwang Technology Co.,Ltd.

Address before: 400037 No. 2-1, building 2, No. 752, LanMei Road, Jiulongpo District, Chongqing

Patentee before: Chongqing Weina Light Technology Development Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right