CN105409014B - 用于生产转换器元件和光电组件的方法、转换器元件以及光电组件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于生产用于光电组件的转换器元件的方法，包括：用于在支撑体（100）上布置多个转换器板（200）的步骤；用于形成被构形的主体（300）的步骤，其中，所述转换器板被嵌入在被构形的主体中，其中，所述转换器板的上面和下面保持至少部分地未被被构形的主体覆盖；以及用于分配被构形的主体以便获得转换器元件的步骤。

Description

用于生产转换器元件和光电组件的方法、转换器元件以及光 电组件

技术领域

本发明涉及如在专利权利要求1中要求保护的用于生产转换器元件的方法、如在专利权利要求6中要求保护的用于生产光电组件的方法、如在专利权利要求8中要求保护的转换器元件以及如在专利权利要求12中要求保护的光电组件。

本专利申请要求德国专利申请10 2013 214 896.8的优先权，其公开内容被通过引用合并到此。

背景技术

已知的是利用被提供用于转换由光电组件的光电半导体芯片发射的电磁辐射的波长的转换器元件来装配光电组件（例如发光二极管组件）。以示例的方式，来自蓝色谱范围的光可以由此被转换为不同色彩的光或白色光。

现有技术公开了包括多个光电半导体芯片（例如多个发光二极管芯片（LED芯片））的光电组件。在这样的光电组件中，为了控制光输出功率的目的，可以提供将光电半导体芯片彼此分离地进行驱动并且单独地开启或关闭它们的可能性。

发明内容

本发明的一个目的在于指定一种用于生产用于光电组件的转换器元件的方法。借助于包括权利要求1的特征的方法来实现该目的。本发明的进一步的目的在于指定一种用于生产光电组件的方法。借助于包括权利要求6的特征的方法来实现该目的。本发明的进一步的目的在于提供一种用于光电组件的转换器元件。借助于包括权利要求8的特征的转换器元件来实现该目的。本发明的进一步的目的在于提供一种光电组件。借助于包括权利要求12的特征的光电组件来实现该目的。在从属权利要求中指定各种改善。

一种用于生产用于光电组件的转换器元件的方法，包括：用于在载体上布置多个转换器片材的步骤；用于形成模制主体的步骤，其中，所述转换器片材被嵌入到所述模制主体中，其中，所述转换器片材的顶侧和下侧保持至少部分地未被所述模制主体覆盖；以及用于划分所述模制主体以便获得转换器元件的步骤。该方法有利地允许在公共工作操作中并行生产多个转换器元件。结果可以实现每一转换器元件的低生产成本。在此情况下，所述方法有利地使得能够生产具有可变数量的转换器片材的转换器元件。结果可以在不同的光电组件中使用可通过所述方法获得的转换器元件。特别是，由于所述方法使得能够生产具有多于一个的转换器片材的转换器元件，因此可通过所述方法获得的所述转换器元件适合用于在具有多于一个的光电半导体芯片的光电组件中使用。可通过所述方法获得的所述转换器元件的进一步的优点可以实际上在于：转换器元件的单独的转换器片材被所述模制主体光学地彼此分离，这可以防止光跨所述转换器元件的单独的转换器片材之间辐射。

在所述方法的一个实施例中，在所述载体上以规则布置来布置所述转换器片材。有利地，所述模制主体可以然后被特别简单地划分为转换器元件。此外，可通过所述方法获得的所述转换器元件中的转换器片材于是同样地具有规则的布置。

在所述方法的一个实施例中，所述载体具有用于在表面处容纳所述转换器片材的容纳区域。在此情况下，在所述载体的顶侧上布置所述转换器片材。之后，所述载体被设置为处于运动中，直到所述转换器片材的至少一些（优选地它们的全部）被布置在所述容纳区域中。所述容纳区域可以被形成为例如在所述载体的顶侧处的凹陷，并且具有实质上与所述转换器片材的大小对应的大小。可以引起所述载体振动，例如以便将所述转换器片材移动到所述容纳区域中。结果有利地促进在所述载体的顶侧处的所述转换器片材的布置。在将所述转换器片材放置在所述载体的顶侧上期间，不要求所述转换器片材的特别精确的定位。相反，所述转换器片材以自组织方式移动到为它们提供的位置。

在所述方法的一个实施例中，通过注入模制、压缩模制或转印模制，优选地通过膜辅助转印模制来形成所述模制主体。结果所述方法有利地允许成本有效的大规模生产。使用膜辅助转印模制有利地附加地使得能够特别容易地让所述转换器片材的顶侧和下侧至少部分地未被所述模制主体覆盖。

在所述方法的一个实施例中，通过锯切、切割、冲压或激光分离来划分所述模制主体。结果，模制主体的准确的划分有利地是可能的。

在所述方法的一个实施例中，以所述转换器元件包括至少两个转换器片材这样的方式来划分所述模制主体。有利地，可通过所述方法获得的所述转换器元件可以于是在包括至少两个光电半导体芯片的光电组件中被使用。在此情况下，可通过所述方法获得的所述转换器元件的使用与每个仅包括一个转换器片材的多个转换器元件的使用相比更简单并且更成本有效。

在所述方法的一个实施例中，在形成所述模制主体之后，执行进一步的步骤以用于改变被嵌入到所述模制主体中的至少一个转换器片材的厚度。有利地，结果可以对可通过所述方法获得的所述转换器元件的转换器片材的色彩轨迹进行适配。

一种用于生产光电组件的方法，包括：用于根据上面提到的类型的方法来生产转换器元件的步骤：用于提供光电半导体芯片的步骤；以及用于将所述转换器元件布置在所述光电半导体芯片的辐射发射面之上的步骤。在此情况下，所述光电半导体芯片可以是例如发光二极管芯片（LED芯片）。可以提供可通过所述方法获得的所述光电组件的转换器元件，以用于转换由所述光电半导体芯片发射的电磁辐射的波长。

在所述方法的一个实施例中，以所述转换器元件包括第一转换器片材和第二转换器片材这样的方式来生产所述转换器元件。在此情况下，此外，提供第一光电半导体芯片和第二光电半导体芯片。以如下这样的方式来布置所述转换器元件：在所述第一光电半导体芯片的辐射发射面之上布置所述第一转换器片材，并且在所述第二光电半导体芯片的辐射发射面之上布置所述第二转换器片材。该方法有利地使得能够生产包括两个光电半导体芯片的光电组件。在此情况下，对于两个光电半导体芯片而言共同地要求仅一个转换器元件。结果，所述方法对于将所述转换器元件布置在所述光电半导体芯片的所述辐射发射面之上而言有利地仅要求一个工作操作。

用于光电组件的转换器元件包括被嵌入到公共的模制主体中的多个转换器片材。在此情况下，所述转换器片材的顶侧和下侧至少部分地未被所述模制主体覆盖。有利地，该转换器元件适合用于在包括多于一个的光电半导体芯片的光电组件中使用。在此情况下，所述转换器元件适合用于转换由多个光电半导体芯片发射的电磁辐射的波长。结果，有利地，对于每个光电半导体芯片而言不要求专用的转换器元件。

在所述转换器元件的一个实施例中，所述转换器片材包括波长转换颗粒。

在此情况下，所述波长转换颗粒可以包括例如有机磷或无机磷。所述波长转换颗粒可以还包括量子点。提供所述波长转换颗粒以用于吸收具有第一波长的电磁辐射，并且用于发射具有不同的（典型地更高的）波长的电磁辐射。

在所述转换器元件的一个实施例中，所述模制主体包括硅酮、环氧树脂、塑料、陶瓷或金属。有利地，结果，所述模制主体是可简单地生产的并且成本有效的，并且对于处理来说是简单的。此外，结果，所述模制主体可以有利地具有漫反射性质。

在所述转换器元件的一个实施例中，所述模制主体包括被嵌入的光散射颗粒，特别是包括TiO₂、ZrO₂、Al₂O₃、AlN或SiO₂的颗粒。有利地，结果，所述模制主体是光学地漫反射的。

在所述转换器元件的一个实施例中，所述模制主体具有实质上与所述转换器片材的下侧齐平而终止的下侧。有利地，如果所述转换器元件被使用在光电组件中，则所述模制主体和所述转换器片材的下侧可以于是形成所述转换器元件的平坦顶侧。

所述模制主体具有在所述转换器片材的顶侧之上的被提升的顶侧。有利地，所述转换器元件的所述模制主体的被提升的部分可以充当锚定部，以便将所述转换器元件锚定到光电组件的灌封物。

在所述转换器元件的一个实施例中，在至少一个转换器片材的顶侧或下侧处布置在光学上为反射的材料的层。在此情况下，优选地使所述在光学上为反射的材料的层如此地薄以至于从所述转换器片材发出的光可以在不受阻挡的情况下实质地穿透通过所述层。有利地，所述层可以为所述转换器元件的转换器片材赋予近似白色的外观。

一种光电组件，包括：光电半导体芯片，具有辐射发射面；以及上面提到的类型的转换器元件，其被布置在所述光电半导体芯片的所述辐射发射面之上。有利地，所述转换器元件可以用来转换由所述光电组件的光电半导体芯片发射的电磁辐射的波长，并且由此例如把来自蓝色谱范围的光转换为白色光。

在所述光电组件的一个实施例中，所述转换器元件包括第一转换器片材和第二转换器片材。在此情况下，所述光电组件附加地包括第一光电半导体芯片和第二光电半导体芯片。以如下这样的方式来布置所述转换器元件：在所述第一光电半导体芯片的辐射发射面之上布置所述第一转换器片材，并且在所述第二光电半导体芯片的辐射发射面之上布置所述第二转换器片材。有利地，在该光电组件中，仅出现一个转换器元件，其被提供用于两个光电半导体芯片。有利地，所述转换器元件的两个转换器片材被形成在转换器片材之间的所述转换器元件的模制主体彼此光学地分离开，其结果是，其中来自一个光电半导体芯片的光跨越地进行辐射而进入到分配给另一光电半导体芯片的转换器片材中的情况可以被有利地最小化。

在所述光电组件的一个实施例中，在芯片载体的表面上布置所述第一光电半导体芯片和所述第二光电半导体芯片。在此情况下，在所述第一光电半导体芯片与所述第二光电半导体芯片之间，在所述芯片载体的表面上布置灌封材料。在此情况下，，所述灌封材料可以用来保护所述光电半导体芯片免遭作为外部机械影响的结果的损伤。同时，灌封材料可以有利地起作用于或贡献于所述转换器元件的固定。

附图说明

与关联于附图而被更详细地解释的示例性实施例的以下描述相关联，本发明的上面描述的性质、特征和优点以及实现它们的方式将变得更清楚并且被更清楚地理解。在此在示意性的图解中的各图中，在每种情况下：

图1示出具有多个转换器片材的载体的平面视图；

图2示出转换器片材已经被嵌入到其中的第一模制主体的平面视图；

图3示出第一模制主体的截面侧视图；

图4示出第一光电组件的截面侧视图；

图5示出第二模制主体的截面侧视图；以及

图6示出第二光电组件的截面侧视图。

具体实施方式

图1示出具有布置于其上的转换器片材200的载体100的顶侧101的高度示意性的平面视图。载体100也可以被指定为衬底。载体100可以例如被形成为膜或包括膜。载体100可以形成被提供用于注入模制、压缩模制、转印模制或某种其它模制处理的模制工具的部分。优选地以实质上平坦的方式形成载体100的顶侧101。在图1中图解的示例中，载体100的顶侧101具有圆盘形状。然而，载体100及其顶侧101也可以具有不同的几何形状（例如矩形形状）。

被布置在载体100的顶侧101上的转换器片材200也可以被指定为转换器层。每个转换器片材200具有顶侧201和与顶侧201相对的下侧202。在图1中图解的示例中，以近似方形方式在每种情况下形成转换器片材200。然而，转换器片材200也可以具有不同的形状。通过示例的方式，可以以矩形方式或圆盘形状的方式形成转换器片材200。

每个转换器片材200被设计为转换电磁辐射的波长。为此目的，转换器片材200可以吸收具有第一波长的电磁辐射（例如可见光），并且然后发射具有不同的（典型更高的）波长的电磁辐射。通过示例的方式，转换器片材200可以被设计为把具有来自蓝色谱范围的波长的光至少部分地转换为具有来自黄色谱范围的波长的光。蓝色光的未被转换的部分与通过转换产生的黄色光的叠加可以于是例如赋予白色印象。

每个转换器片材200包括具有被嵌入的波长转换颗粒的基质材料。基质材料例如可以包括玻璃、硅酮或陶瓷。所嵌入的波长转换颗粒例如可以包括有机磷或无机磷。波长转换颗粒可以还包括量子点。基质材料优选地是在光学上实质地透明的。被嵌入到基质材料中的波长转换颗粒被设计为转换电磁辐射的波长。

以优选地规则的布置将转换器片材200布置在载体100的顶侧101处。通过示例的方式，可以在载体100的顶侧101处以具有规则的行和列的矩形格栅的形式来布置转换器片材200。在此情况下，单独的转换器片材200被彼此间隔开。以转换器片材200下侧202面对载体100的顶侧101并且与之接触这样的方式来在载体100的顶侧101处布置转换器片材200。

转换器片材200可以已经例如被单独地相继地布置在载体100的顶侧101处的它们的被分别地提供的位置处。然而，还可能的是在载体100的顶侧101处形成用于转换器片材200的容纳区域。通过示例的方式，凹陷可以被形成在载体100的顶侧101处的针对转换器片材200提供的每个位置处，所述凹陷的形状和大小近似地与转换器片材200的形状和大小对应。在此情况下，可能的是在第一步骤中在载体100的顶侧101处仅利用低的定位精度来布置转换器片材200。之后，载体100可以被设置为处于运动中，该运动例如被引起以便以如下这样的方式进行振动：凭借被布置在载体100的顶侧101处的转换器片材200例如滑动到载体100的顶侧101处的凹陷中的事实，被布置在载体100的顶侧101处的转换器片材200独立地移动到针对它们而提供的容纳区域。

图2示出在时间上接续图1中的图解的处理状态下的载体100的顶侧101的示意性平面视图。第一模制主体300已经被形成在载体100的顶侧101处。在此情况下，转换器片材200已经被嵌入到第一模制主体300中。图3示出具有形成在顶侧101之上的第一模制主体300并且具有嵌入于其中的转换器片材200的载体100的示意性截面侧视图。

转换器片材200已经以转换器片材200的顶侧201和下侧202实质上未被第一模制主体300的材料覆盖这样的方式被嵌入到第一模制主体300中。第一模制主体300具有平坦的顶侧301和与平坦的顶侧301相对的下侧302。转换器片材200的顶侧201实质上与第一模制主体300的平坦的顶侧301齐平而终止。转换器片材200的下侧202实质上与第一模制主体300的下侧302齐平而终止。第一模制主体300的下侧302面对载体100的顶侧101。

可以已经例如通过注入模制、压缩模制、转印模制或通过某种其它模制处理来形成第一模制主体300。优选地通过膜辅助转印模制来形成第一模制主体300。载体100优选地形成用于生产第一模制主体300的模制工具的部分。

例如，第一模制主体300可以包括塑料、硅酮或环氧树脂。然而，第一模制主体可以还包括陶瓷或金属。第一模制主体300优选地包括漫反射材料。为此目的，第一模制主体300的材料可以例如被填充有漫反射填充物，例如被填充有包括光散射颗粒（特别是包括TiO₂、ZrO₂、Al₂O_3、AlN或SiO₂的颗粒）的填充物。

在图2中的平面视图中，第一模制主体300具有矩形形状。然而，还可能的是形成具有不同的形状的第一模制主体300。

转换器片材200被以优选地规则的布置嵌入到第一模制主体300中。在此情况下，第一模制主体300填充在单独的转换器片材200之间的空隙，并且形成在转换器片材200的布置的周围延伸的边沿。结果，在所有转换器片材200的情况下，除了顶侧201和下侧202之外的所有侧面实质上被第一模制主体300的材料覆盖。具有被嵌入的转换器片材200的第一模制主体300形成在机械上稳定的布置。

被嵌入到第一模制主体300中的转换器片材200的数量可以是被任意选取的，并且与图2中的示例性的图解中的相比可以显著地更高。

在具有如在图2和图3中图解的被嵌入的转换器片材200的第一模制主体300的处理状态下，可以执行第一模制主体300和/或所嵌入的转换器片材200的进一步的处理。通过示例的方式，在所嵌入的转换器片材200中的一个或多个的情况下，可能的是改变厚度203，该厚度203标定相应的转换器片材200的顶侧201与下侧202之间的尺寸。通过示例的方式，在一个或多个转换器片材200的情况下，厚度203可以被减小。这使得能够影响可利用相应的转换器片材200实现的色彩轨迹。

从在图2和图3中图解的处理状态继续，一个或多个功能层可以被应用到转换器片材200。在将转换器片材200嵌入到第一模制主体300中之前或在这期间，将附加的功能层应用到转换器片材200也将已经是可能的。附加的功能层可以可选地被应用到转换器片材200的顶侧201和/或（在移除载体100之后）应用到下侧202。通过示例的方式，白色材料的薄层可以被应用到转换器片材200的顶侧201或下侧202，所述层用来遮蔽当转换器片材200被周围光照射时产生的转换器片材200的色彩印象。优选地，白色材料的所述薄层被应用到背对在包括相应的转换器片材200的光电组件中的光电半导体芯片的表面的转换器片材200的该侧201、202。在以下的示例中，这些侧是转换器片材200的下侧202。

可以在随后的处理步骤中划分具有所嵌入的转换器片材200的第一模制主体300，以便获得多个转换器元件。可通过划分第一模制主体300获得的转换器元件可以在每种情况下包括在任意布置中的任意数量的转换器片材200。通过示例的方式，借助于在图2和图3中示意性地描绘的分离区域303处分离第一模制主体300，第一转换器元件310是可获得的，其包括嵌入到第一模制主体300中的转换器片材200的第一转换器片材210、第二转换器片材220和第三转换器片材230。在此情况下，第一转换器元件310的三个转换器片材210、220、230被布置在一行中。然而，也可以从第一模制主体300形成其中转换器片材200被布置在多于一个的行中的转换器元件。

图4示出第一光电组件400的示意性截面侧视图。例如，第一光电组件400可以是发光二极管组件。

第一光电组件400包括具有顶侧411的芯片载体410。芯片载体410也可以被指定为衬底。以实质上平坦的方式形成芯片载体410的顶侧411。

在芯片载体410的顶侧411处布置包封腔体421的框420。由被在芯片载体410的顶侧411处的框420横向地界定的区域来形成腔体421。框420可以包括塑料材料，例如，并且可以已经例如通过在芯片载体410的顶侧411处的模制处理而被形成。

在腔体421的区域中，在第一光电组件400的芯片载体410的顶侧411处布置多个光电半导体芯片500。在图4中图解的示例中，在芯片载体410的顶侧411处在腔体421中将第一光电半导体芯片510、第二光电半导体芯片520和第三光电半导体芯片530彼此并排地布置成串列。例如，光电半导体芯片500可以是发光二极管芯片（LED芯片）。

每个光电半导体芯片500具有辐射发射面501以及与辐射发射面501相对的下侧502。光电半导体芯片500的下侧502面对芯片载体410的顶侧411。光电半导体芯片500被设计为在它们的辐射发射面501处发射电磁辐射。光电半导体芯片500的电接触可以被布置在光电半导体芯片500的下侧502处，并且用来将电压应用到光电半导体芯片500。例如，光电半导体芯片500可以被形成为倒装芯片。

第一光电组件400附加地包括第一转换器元件310，第一转换器元件310被形成自第一模制主体300的部分。以如下这样的方式在第一光电组件400的光电半导体芯片510、520、530之上布置第一转换器元件310：在第一光电半导体芯片510的辐射发射面501之上布置第一转换器元件310的第一转换器片材210，在第二光电半导体芯片520的辐射发射面501之上布置第一转换器元件310的第二转换器片材220，并且在第三光电半导体芯片530的辐射发射面501之上布置第一转换器元件310的第三转换器片材230。第一转换器元件310的转换器片材210、220、230的形状和大小优选地与被分别分配的光电半导体芯片510、520、530的辐射发射面501的形状和大小对应。然而，这并非是绝对必要的。

以如下这样的方式在第一光电组件400的光电半导体芯片510、520、530之上布置第一转换器元件310：第一转换器元件310的转换器片材210、220、230的顶侧201面对第一光电组件400的光电半导体芯片510、520、530的辐射发射面501。第一转换器元件310的转换器片材210、220、230可以借助于例如粘接键合连接而被连接到光电半导体芯片510、520、530的辐射发射面501。

在围绕第一光电组件400的光电半导体芯片510、520、530的腔体421的区域中布置灌封物430。光电半导体芯片510、520、530被嵌入到灌封物430中。灌封物430优选地从芯片载体410的顶侧411起延伸直至第一转换器元件310那么远。优选地，腔体421实质上完全被灌封物430填充。

借助于灌封物430，第一光电组件400的组件部分被机械地固定并且被保护而免遭作为外部机械影响的结果的损伤。此外，灌封物430可以充当第一光电组件400的光学反射器。在此情况下，灌封物430优选地包括在光学上为反射的材料。灌封物430可以包括硅酮，例如，其被填充有在光学上为反射的填充物。

第一光电组件400的第一转换器元件310的转换器片材210、220、230被提供用于转换由第一光电组件400的光电半导体芯片510、520、530发射的电磁辐射的波长。第一光电组件400的光电半导体芯片510、520、530可以例如被设计为在它们的辐射发射面501处发射具有来自蓝色谱范围的波长的电磁辐射。第一光电组件400的第一转换器元件310的转换器片材210、220、230可以被设计为把由光电半导体芯片510、520、530发射的电磁辐射转换为白色光。第一光电组件400的光电半导体芯片510、520、530也可以被不同地设计为在每种情况下发射具有不同波长的电磁辐射。替换地或附加地，第一光电组件400的第一转换器元件310的转换器片材210、220、230可以被不同地设计以生成不同光色彩的光。

可以以光电半导体芯片510、520、530可彼此分离地驱动这样的方式来设计第一光电组件400。位于第一转换器元件310的转换器片材210、220、230之间的第一模制主体300的各区段在第一光电组件400的情况下防止由光电半导体芯片510、520、530之一发射的电磁辐射进入到被分配给不同的光电半导体芯片510、520、530的第一转换器元件310的转换器片材210、220、230的一个中。在第一光电组件400的情况下，光电半导体芯片510、520、530和分配给它们的转换器片材210、220、230因此有利地在光学上被彼此分离。

第一光电组件400可以包括不同数量的光电半导体芯片500。第一光电组件400的光电半导体芯片500也可以被布置成多于一个串列。在此情况下，第一光电组件400的第一转换器元件310应当在对应的布置中具有对应的数量的转换器片材200。

图5示出第二模制主体1300的示意性截面侧视图。第二模制主体1300具有与图2和图3中示出的第一模制主体300的对应。对应的组件因此被提供有相同的参考标号并且下面将不再详细描述。下面仅解释第一模制主体300与第二模制主体1300之间的差异。

第二模制主体1300具有多个被嵌入的转换器片材200，并且是根据与第一模制主体300的生产类似的方法生产的。然而，第二模制主体1300具有在转换器片材200的顶侧201之上的单独的被嵌入的转换器片材200之间的区域中延伸的凸起顶侧1301。在转换器片材200的顶侧201之上延伸的第二模制主体1300的凸起顶侧1301的部分可以具有圆形的、角形的、尖顶的或其它的截面。

可以划分第二模制主体1300，以便获得每个均包括任意数量的所嵌入的转换器片材200的多个转换器元件。通过示例的方式，通过划分第二模制主体1300，可能的是获得包括被彼此并排地布置成串列的第一转换器片材210、第二转换器片材220和第三转换器片材230的第二转换器元件1310。

图6示出第二光电组件1400的示意性截面侧视图。第二光电组件1400具有与图4中的第一光电组件400的对应。对应的组件在图4和图6中被提供有相同的参考标号并且下面将不再详细描述。下面仅解释第一光电组件400与第二光电组件1400之间的差异。

第二光电组件1400包括第二转换器元件1310而非第一转换器元件310。以如下这样的方式在第二光电组件1400的光电半导体芯片510、520、530之上布置第二转换器元件1310：在转换器片材200的顶侧201之上延伸的第二转换器元件1310的第二模制主体1300的各部分的凸起顶侧1301面对第二光电组件1400的灌封物430。在转换器片材200的顶侧201之上延伸的第二转换器元件1310的第二模制主体1300的各部分的凸起区段在此情况下至少部分地在第二光电组件1400的光电半导体芯片510、520、530之间延伸。结果，第二转换器元件1310的第二模制主体1300的凸起顶侧1301形成锚定部，借助于该锚定部，第二转换器元件1310被特别可靠地由第二光电组件1400的灌封物430保持。第二转换器元件1310的凸起顶侧1301也可以促进第二转换器元件1310在第二光电组件1400的光电半导体芯片510、520、530的辐射发射面501之上的定位。

已经基于优选的示例性实施例以更具体的细节图解并且描述了本发明。然而，本发明不局限于所公开的示例。相反，在不脱离本发明的保护范围的情况下，可以由此得到其它变形。

参考标号列表

100 载体

101 顶侧

200 转换器片材

201 顶侧

202 下侧

203 厚度

210 第一转换器片材

220 第二转换器片材

230 第三转换器片材

300 第一模制主体

301 平坦的顶侧

302 下侧

303 分离区域

310 第一转换器元件

400 第一光电组件

410 芯片载体

411 顶侧

420 框

421 腔体

430 灌封物

500 光电半导体芯片

501 辐射发射面

502 下侧

510 第一光电半导体芯片

520 第二光电半导体芯片

530 第三光电半导体芯片

1300 第二模制主体

1301 凸起顶侧

1310 第二转换器元件

1400 第二光电组件

Claims (6)

1.一种用于生产用于光电组件（400、1400）的转换器元件（310、1301）的方法，包括以下步骤：

-在载体（100）上布置多个转换器片材（200），

-形成模制主体（300、1300），

其中，所述转换器片材（200）被嵌入到所述模制主体（300、1300）中，

其中，所述转换器片材（200）的顶侧（201）和下侧（202）保持至少部分地未被所述模制主体（300、1300）覆盖，

-划分所述模制主体（300、1300），以便获得转换器元件（310、1310），

其中，以所述转换器元件（310、1310）包括至少两个转换器片材（200）这样的方式来划分所述模制主体（300、1300），

其中，所述载体（100）具有容纳区域，所述容纳区域用于在顶侧（101）处容纳所述转换器片材（200），

其中，在所述载体（100）的所述顶侧（101）上布置所述转换器片材（200），

其中，所述载体（100）被设置为处于运动中，直到所述转换器片材（200）的至少一些被布置在所述容纳区域中。

2.如权利要求1所述的方法，

其中，通过注入模制、压缩模制或转印模制来形成所述模制主体（300、1300）。

3.如权利要求1所述的方法，

其中，通过膜辅助转印模制来形成所述模制主体（300、1300）。

4.如权利要求1所述的方法，

其中，在形成所述模制主体（300、1300）之后，执行以下的进一步的步骤：

-改变被嵌入到所述模制主体（300、1300）中的至少一个转换器片材（200）的厚度（203）。

5.一种用于生产光电组件（400、1400）的方法，

包括以下步骤：

-根据以下来生产转换器元件（310、1301）：

-在载体（100）上布置多个转换器片材（200），

-形成模制主体（300、1300），

其中，所述转换器片材（200）被嵌入到所述模制主体（300、1300）中，

其中，所述转换器片材（200）的顶侧（201）和下侧（202）保持至少部分地未被所述模制主体（300、1300）覆盖，以及

-划分所述模制主体（300、1300），以便获得转换器元件（310、1310）

-提供光电半导体芯片（500）；

-在所述光电半导体芯片（500）的辐射发射面（501）之上布置所述转换器元件（310、1310）。

6.如权利要求5所述的方法，

其中，以如下这样的方式来生产所述转换器元件（310、1310）：所述转换器元件（310、1310）包括第一转换器片材（200、210）和第二转换器片材（200、220），

其中，提供第一光电半导体芯片（500、510）和第二光电半导体芯片（500、520），

其中，以如下这样的方式来布置所述转换器元件（310、1310）：在所述第一光电半导体芯片（500、510）的辐射发射面（501）之上布置所述第一转换器片材（200、210），并且在所述第二光电半导体芯片（500、520）的辐射发射面（501）之上布置所述第二转换器片材（200、220）。