JP2017532786A - オプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品 - Google Patents
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Abstract
Description
20 オプトエレクトロニクス部品
30 オプトエレクトロニクス部品
100 オプトエレクトロニクス部材
101 上面
102 下面
110 オプトエレクトロニクス半導体チップ
111 上面
112 下面
120 変換素子
130 第1モールド体
131 上面
132 下面
140 第1電気コンタクト
150 第2電気コンタクト
160 バイア
200 第2モールド体
201 上面
202 下面
300 犠牲層
301 上面
302 下面
310 構造化部
320 プレースホルダー
400 光学材料層
401 上面
402 下面
410 光学レンズ
420 下側構造化部
430 上側構造化部
440 アンカー
450 チャネル
500 エアギャップ
600 アクチュエータ
610 レンズ側電極
620 モールド体側電極
Claims (17)
- オプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法であって、
− オプトエレクトロニクス部材(100)の上面(101)がモールド体(200)の上面(201)において少なくとも部分的に露出するように、前記オプトエレクトロニクス部材(100)を前記モールド体(200)に埋め込み、
− 前記オプトエレクトロニクス部材(100)の前記上面(101)および前記モールド体(200)の前記上面(201)上に犠牲層(300)を設け、構造化し、
− 前記犠牲層(300)上に光学材料層(400)を設け、構造化し、
− 前記犠牲層(300)を除去するステップを含む、オプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記オプトエレクトロニクス部材(100)は、オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)を有し、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)は、発光ダイオードチップである、
請求項1に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記オプトエレクトロニクス部材(100)は、前記オプトエレクトロニクス部材(100)の下面(102)が前記モールド体(200)の下面(202)において少なくとも部分的に露出するように、前記モールド体(200)に埋め込まれる、
請求項1または2に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記オプトエレクトロニクス部材(100)は、その下面(102)に電気コンタクト(140、150)を有する、
請求項3に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記オプトエレクトロニクス部材(100)は、前記オプトエレクトロニクス部材(100)の前記上面(101)および前記下面(102)が、前記モールド体(200)の前記上面(201)および前記下面(202)と同一平面上に配置されるように、前記モールド体(200)に埋め込まれる、
請求項3または4に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記モールド体(200)は、モールディングによって形成され、
前記オプトエレクトロニクス部材(100)は、前記モールド体(200)の形成時に、前記モールド体(200)に埋め込まれる、
請求項1〜5の何れか一項に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記犠牲層(300)は、フォトレジストにより構成される、
請求項1〜6の何れか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記犠牲層(300)の構造化は、マスクリソグラフィ、コンタクトリソグラフィ、グレースケールリソグラフィ、あるいはレーザー干渉リソグラフィによるフォトリソグラフィ法、直接照射、もしくはインプリント法により行われる、
請求項1〜7の何れか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記犠牲層(300)の除去は、前記犠牲層(300)を溶解することにより行われる、
請求項1〜8の何れか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記犠牲層(300)の溶解は、溶媒あるいはエッチング溶液により行われる、
請求項9に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記光学材料(400)は、プラスチックにより構成される、
請求項1〜10の何れか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記光学材料(400)の構造化は、フォトリソグラフィ法もしくはインプリント法により行われる、
請求項1〜11の何れか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 複数のオプトエレクトロニクス部材(100)が、共に前記モールド体(200)に埋め込まれ、
前記犠牲層(300)の領域は、各オプトエレクトロニクス部材(100)上に設けられ、構造化され、
前記光学材料(400)の領域は、前記犠牲層(300)の各領域上に設けられ、構造化され、
前記オプトエレクトロニクス部品(10、20、30)は、前記モールド体(200)をダイシングすることにより個片化される、
請求項1〜12の何れか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - 前記モールド体(200)のダイシングは、前記犠牲層(300)の除去の後、あるいは前記犠牲層(300)の除去の前に行われる、
請求項13に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)の製造方法。 - オプトエレクトロニクス部品(10、20、30)であって、
その上面(111)がモールド体(130、200)により少なくとも部分的に覆われないように、前記モールド体(130、200)に埋め込まれたオプトエレクトロニクス半導体チップ(110)と、
光学レンズ(410)が、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)の前記上面(111)上に設けられ、前記モールド体(130、200)に接続されている光学レンズ(410)と、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)の前記上面(111)と前記光学レンズ(410)との間に設けられているエアギャップ(500)とを有し、
前記モールド体(130、200)は、第1の部分モールド体(130)および第2の部分モールド体(200)を有し、
前記第1の部分モールド体(130)は、前記第2の部分モールド体(200)に埋め込まれ、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)は、前記第1の部分モールド体(130)に埋め込まれている、
オプトエレクトロニクス部品(10、20、30)。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(110)の前記上面(111)は、前記光学レンズ(410)の下面(402)と対向し、
前記光学レンズ(410)の下面(402)は、構造化部(420)を有する、
請求項15に記載のオプトエレクトロニクス部品(10、20、30)。 - 前記オプトエレクトロニクス部品(30)は、マイクロシステム技術アクチュエータ(600)を有し、
前記マイクロシステム技術アクチュエータ(600)は、前記光学レンズ(410)を前記モールド体(130、200)に対して動かす、
請求項15または16に記載のオプトエレクトロニクス部品(30)。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018133940A1 (en) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic element |
DE102017120385B4 (de) * | 2017-09-05 | 2024-02-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements |
DE102018127521A1 (de) * | 2018-11-05 | 2020-05-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007524243A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-08-23 | ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア | オプトエレクトロニクスによるマイクロ光学機器 |
JP2007311423A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Alps Electric Co Ltd | 発光体及びその製造方法 |
WO2009075530A2 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Amoleds Co., Ltd. | Semiconductor and manufacturing method thereof |
JP2010157638A (ja) * | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010165754A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2011009572A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Citizen Electronics Co Ltd | フリップチップ実装型led及びフリップチップ実装型ledの製造方法。 |
JP2011505071A (ja) * | 2007-11-27 | 2011-02-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも2つの発光半導体素子を備えたデバイス、および、少なくとも2つの発光半導体素子を備えたデバイスの製造方法 |
JP2013501368A (ja) * | 2009-08-07 | 2013-01-10 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
JP2013526016A (ja) * | 2010-04-16 | 2013-06-20 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクスデバイス及び該オプトエレクトロニクスデバイスの製造方法 |
JP2013534733A (ja) * | 2010-07-15 | 2013-09-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体モジュール |
JP2013535111A (ja) * | 2010-06-24 | 2013-09-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体モジュール |
JP2013541208A (ja) * | 2010-09-22 | 2013-11-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体デバイス |
JP2014506015A (ja) * | 2011-02-14 | 2014-03-06 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体装置を製造する方法 |
WO2014095923A1 (de) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils und optoelektronisches halbleiterbauteil |
WO2014127933A1 (de) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
WO2014127934A1 (de) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
WO2014128003A1 (de) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004053116A1 (de) * | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material |
JP2009081346A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Panasonic Corp | 光学デバイスおよびその製造方法 |
DE102010055265A1 (de) | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102011007328A1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Beeinflussen einer Abstrahlcharakteristik einer lichtemittierenden Diode |
US20120326170A1 (en) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Yong Liu | Wafer level molded opto-couplers |
DE102012215524A1 (de) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
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2014
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2015
- 2015-11-05 DE DE112015005016.7T patent/DE112015005016A5/de not_active Ceased
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Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007524243A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-08-23 | ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア | オプトエレクトロニクスによるマイクロ光学機器 |
JP2007311423A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Alps Electric Co Ltd | 発光体及びその製造方法 |
JP2011505071A (ja) * | 2007-11-27 | 2011-02-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも2つの発光半導体素子を備えたデバイス、および、少なくとも2つの発光半導体素子を備えたデバイスの製造方法 |
WO2009075530A2 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Amoleds Co., Ltd. | Semiconductor and manufacturing method thereof |
JP2010157638A (ja) * | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010165754A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2011009572A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Citizen Electronics Co Ltd | フリップチップ実装型led及びフリップチップ実装型ledの製造方法。 |
JP2013501368A (ja) * | 2009-08-07 | 2013-01-10 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
JP2013526016A (ja) * | 2010-04-16 | 2013-06-20 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクスデバイス及び該オプトエレクトロニクスデバイスの製造方法 |
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