CN108886077A - 用于制造光电子照明装置的方法和光电子照明装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 80
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 64
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 43
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 14
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 14
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000002245 Penicillium camembertii Nutrition 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007739 conversion coating Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种用于制造光电子照明装置的方法和一种光电子照明装置。本发明提供了一种有效的技术概念，其可以有效地增加来自体积发射器LED芯片的电磁辐射的解耦合。这通过在体积发射器LED芯片的侧表面上提供由光学材料制成的框架来实现，其中该框架具有弯曲部分。经由体积发射器LED芯片的侧表面解耦合的光因此耦合到框架中，并且可以再次经由该框架而被解耦合或者例如在施加到框架上的反射材料上予以反射。
Description
技术领域
本发明涉及光电子照明装置和用于制造光电子照明装置的制造方法。
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2016 100 563.0的优先权，其公开内容通过引用并入于此。
背景技术
公开的专利申请DE 10 2010 031 237 A1在其段落[0031]中描述了蓝宝石体积发射器例如从公开的专利申请DE 10 2006 015 788 A1中已知。公开的专利申请DE 10 2010031 237 A1的段落[0031]进一步解释了蓝宝石可以被用作用于半导体层序列的生长衬底。与薄膜芯片对照而言，在蓝宝石体积发射器的情况下，生长衬底在制造过程结束时未与半导体层序列相分离。（生长）衬底对于在半导体层序列的有源区中生成的辐射而言是辐射透射的。
公开的专利申请DE 10 2010 031 237 A1的段落[0031]进一步解释了在体积发射器的情况下，与表面发射器对照而言，关键的辐射部分也经由衬底从半导体芯片耦合输出。
此外，在体积发射器的情况下生成的电磁辐射也经由体积发射器的衬底的侧面耦合输出。
可以看出本发明所基于的目的在于提供用于有效地耦合输出来自体积发射器LED芯片的电磁辐射的有效概念。
发明内容
该目的通过独立权利要求的相应主题来实现。本发明的有利配置是相应从属权利要求的主题。
根据一个方面，提供了一种用于制造光电子照明装置的方法，包括以下步骤：
-提供一个或多个体积发射器LED芯片，每个芯片包括衬底，该衬底包括第一侧和与第一侧相对的第二侧，其中包括用于生成电磁辐射的有源区的半导体层序列被布置在所述衬底的第一侧上，其中所述衬底至少部分地透射所生成的电磁辐射，
-将所述（一个或多个）体积发射器LED芯片布置到光学组件的安装面上，使得在布置之后，相应衬底的所述第二侧面向所述安装面并且相应衬底的所述第一侧背向所述安装面，
-在所述安装面上施加可固化的、可流动的光学材料，以便分别形成至少部分地封闭所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片并接触所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片的一个或多个相应侧面的分流框架，
-固化相应的框架，以便分别形成至少部分地封闭一个体积发射器LED芯片或多个体积发射器LED芯片并接触一个或多个相应侧面的固化框架，所述框架包括由于分流而与所述安装面相对的弯曲部分。
根据另一方面，提供了一种光电子照明装置，包括：
-一个或多个体积发射器LED芯片，每个芯片包括衬底，该衬底包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中包括用于生成电磁辐射的有源区的半导体层序列被布置在所述衬底的第一侧上，其中所述衬底至少部分地透射所生成的电磁辐射，
-其中，将所述（一个或多个）体积发射器LED芯片布置在光学组件的安装面上，使得相应衬底的所述第二侧面向所述安装面并且相应衬底的所述第一侧背向所述安装面，
-其中，由光学材料分别形成至少部分地封闭所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片并且接触一个或多个相应侧面的固化框架，所述框架包括与所述安装面相对的弯曲部分。
本发明基于以下见解：可以通过在（一个或多个）体积发射器LED芯片周围形成框架来实现上述目的，所述框架包括弯曲部分。因此有利地实现的是，从侧面耦合输出的电磁辐射可以在所述弯曲部分处被反射，尤其是在朝着光学组件的方向上反射，使得来自（一个或多个）体积发射器LED芯片的电磁辐射的有效耦合输出可以通过这种方式实现。
本发明提供了在自调节过程的基础上形成的弯曲部分。这是因为使用了可流动的材料这一事实，由于其流动性，该材料在被施加到安装面上之后是分流的。因此，弯曲部分自动形成，而不需要为此目的进行主动干预。然后一旦该材料固化，弯曲部分将不再变化并且将变得稳定。
与光学组件和光学材料相关的形容词“光学”的使用尤其意味着该材料和/或该组件至少部分地、尤其是完全地透射电磁辐射。尤其而言，该材料和/或该组件至少部分地、尤其是完全地透射由有源区中的半导体层序列所生成的电磁辐射。
在本发明的含义内的“部分透射”意指例如针对电磁辐射的透射率为至少70％，尤其是80％，优选是90％，例如95％，例如99％。
如下面将解释的那样，如果体积发射器LED芯片包括在示例性实施例中提供的转换层，则光学尤其意味着该材料和/或该组件至少部分地、尤其是完全地透射经转换的电磁辐射。
转换层尤其是被配置为将借助于有源区生成的电磁辐射的第一波长或第一波长范围转换为包括第二波长和/或第二波长范围的电磁辐射的层。举例来说，转换层包括磷光体。
措辞“至少部分地透射”尤其包括这样的事实：针对所生成或经转换的电磁辐射的波长的透射率为至少70％，尤其是80％，例如90％，尤其是95％，例如99 ％。措辞“至少部分地透射”尤其包括措辞“完全透射”。
根据一个实施例，规定：在相应固化框架的背向安装面的面上施加反射材料。
这尤其提供了可以进一步有效地增加发光效率或电磁辐射的产出的技术优势。尤其而言，这提供了可以以有效的方式进一步增加来自（一个或多个）体积发射器LED芯片的耦合输出效率的技术优势。这是因为反射材料因此实现了对所生成的电磁辐射和/或经转换的电磁辐射的更有效的反射。
由于弯曲部分和施加在弯曲部分上的反射材料，因此有利地形成用于所生成的电磁辐射和/或用于经转换的电磁辐射的反射器。例如，弯曲部分包括双曲线形状。
因此，反射材料尤其表示被配置为反射所生成和/或经转换的电磁辐射的至少一个子范围、尤其是完整波长范围的材料。所生成的和/或经转换的电磁辐射的反射率分别例如为至少70％，尤其是至少80％，例如至少90％，尤其是至少95％，例如至少99％。
根据一个实施例，反射材料是聚合物，尤其是硅树脂，和/或反射材料包括聚合物，尤其是硅树脂。
根据一个实施例，反射材料包括环氧树脂或由环氧树脂形成。
例如，反射材料包括多个散射颗粒。有利地实现的是，所生成的和/或经转换的电磁辐射可以在这种散射颗粒处被散射。
例如，散射颗粒是TiO2颗粒。
举例来说，反射材料是模制化合物或灌封化合物，散射颗粒被嵌入于其中。
举例来说，反射材料被配置为生成白色印象。这种反射材料尤其可以被指定为白色反射材料。
根据一个实施例，规定：提供多个体积发射器LED芯片，并且光学组件包括与安装面相对的多个透镜，其中在固化相应的框架之后，体积发射器LED芯片被单体化，使得每个体积发射器LED芯片被提供有一个或多个专用透镜。
这尤其提供了可以通过透镜实现所生成的和/或经转换的电磁辐射的有效光学成像的技术优势。
根据一个实施例，规定：提供多个体积发射器LED芯片，其中光学组件包括与安装面相对的多个透镜。根据该实施例，规定：体积发射器LED芯片不被单体化。因此提供了一种多芯片组件，其中每个体积发射器LED芯片被分配有一个或多个专用透镜。
根据一个实施例，以长方体形式配置光学组件。
这尤其提供了可以实现来自（一个或多个）体积发射器LED芯片的电磁辐射的有效耦合输出或者光的有效耦合输出的技术优势。例如，以长方体形式配置的光学组件形成为薄层。
根据一个实施例，光学组件由玻璃形成。
根据一个实施例，光学组件由硅树脂形成。
根据一个实施例，规定：提供多个体积发射器LED芯片，其中以长方体形式配置光学组件，其中在固化相应的框架之后，体积发射器LED芯片被单体化，使得每个体积发射器LED芯片被提供有以长方体形式配置的专用光学组件。
根据一个实施例，规定：一个体积发射器LED芯片或多个体积发射器LED芯片分别包括布置在相应衬底的第二侧上并形成一个体积发射器LED芯片或多个体积发射器LED芯片的相应侧面的转换层。
这尤其提供了可以通过转换层实现电磁辐射的有效转换的技术优势。因此根据具体使用的转换层，有利地使得所期望的经转换波长的生成成为可能。
根据一个实施例，规定：光学材料是聚合物，尤其是硅树脂，和/或光学材料包括聚合物，尤其是硅树脂。
提供聚合物，尤其是硅树脂，尤其提供了可以使得有效的施加和有效的固化成为可能的技术优势。尤其而言，聚合物和/或硅树脂在技术上可以以简单的方式处理并且一般来说具有成本效益。
根据一个实施例，规定：相应的衬底是蓝宝石衬底，使得一个体积发射器LED芯片或多个体积发射器LED芯片被配置为蓝宝石体积发射器LED芯片。
这尤其提供了可以有效地制造体积发射器LED芯片的技术优势。
在一个实施例中，衬底是半导体层序列的生长衬底。也就是说，例如，半导体层序列在衬底上生长。
根据一个实施例，规定：光电子照明装置已经和/或将要借助于用于制造光电子照明装置的方法来予以制造。
光电子照明装置的技术功能类似地从用于制造光电子照明装置的方法的相应技术功能中出现。也就是说，因此尤其而言，设备特征从对应的方法特征中出现，反之亦然。
根据一个实施例，规定：在相应的固化框架的背向安装面的面上施加反射材料。
根据一个实施例，规定：光学组件包括与安装面相对的多个透镜，使得为了单体化，每个体积发射器LED芯片可以被提供有一个或多个专用透镜。
在一个实施例中，一个透镜和/或多个透镜由玻璃形成。举例来说，透镜形成为玻璃片材，其在一侧是平的并且在与所述一侧相对的另一侧是弯曲的，也就是说，玻璃片材具有透镜曲率。
在一个实施例中，规定：一个体积发射器LED芯片或多个体积发射器LED芯片分别包括仅仅在相应衬底的第二侧上布置的转换层，使得一个体积发射器LED芯片或多个体积发射器LED芯片的相应的侧面没有转换层。
在一个实施例中，规定：光学材料包含磷光体。因此，固化框架包括所述磷光体。
在一个实施例中，规定：转换层包括磷光体。
在一个实施例中，提供：光学材料的磷光体不同于转换层的磷光体。这尤其提供了转化层和固化框架可以包括不同转换属性的技术优势。
如果半导体层序列的侧壁被提供有磷光体，例如转换层或固化框架的磷光体，则这尤其提供了磷光体与半导体层序列的这种空间接近性实现了在体积发射器LED芯片的操作期间所生成的热能的有效耗散的技术优势。
在一个实施例中，规定：光学材料和形成转换层的材料是不同的材料。也就是说，因此尤其而言，相应磷光体被嵌入其中的材料可以是不同的。尤其而言，它们是相同的材料。
在一个实施例中，转换层的磷光体对应于光学材料的磷光体。也就是说，因此尤其而言，转换层与光学材料包括相同的磷光体。
也就是说，因此尤其而言，相应的磷光体本身可以是不同的或相同的。
在一个实施例中，光学材料是转换基质材料。在一个实施例中，转换层包括转换基质材料。在一个实施例中，转换层的转换基质材料不同于已经和/或将要用作光学材料的转换基质材料。结果，可以以有利的方式有效地实现期望的转换属性。
根据一个实施例，将相应的磷光体嵌入对应的转换基质材料中。因此，根据一个实施例，光学材料是包含嵌入的磷光体的转换基质材料。因此，根据一个实施例，转换层由包括嵌入的磷光体的转换基质材料形成。
措辞“和/或”尤其包括措辞“和/或”。
附图说明
结合以下结合附图更详细解释的示例性实施例的描述，本发明的上述属性、特征和优点以及实现它们的方式将变得更清楚并且被更清楚地理解。
图1示出了第一光电子照明装置，
图2示出了第二光电子照明装置，
图3示出了第三光电子照明装置，
图4至图7分别示出了用于制造光电子照明装置的方法中的连续时间点，
图8示出了用于制造光电子照明装置的方法的流程图，
图9示出了用于制造光电子照明装置的方法中的时间点，和
图10示出了第四光电子照明装置。
在下文中，相同的附图标记可用于相同的特征。此外，为了清楚起见，规定：并不总是描绘用于所有附图中的所有元件的所有附图标记。
具体实施方式
图1以横向截面图示出了第一光电子照明装置101。
光电子照明装置101包括体积发射器LED芯片102。体积发射器LED芯片102包括衬底103。衬底103包括第一侧105。衬底103包括与第一侧105相对的第二侧107。衬底103例如是蓝宝石衬底。体积发射器LED芯片102例如是蓝宝石体积发射器LED芯片。
半导体层序列109被布置在衬底103的第一侧105上，所述半导体层序列包括用于生成电磁辐射的有源区（未示出）。
将反射镜层111布置在半导体层序列109上，通过该反射镜层，向反射镜层111的方向辐射的所生成的电磁辐射被反射回衬底103的方向。有源区（未示出）因此位于反射镜层111和衬底103之间。
将两个相互间隔开且电绝缘的焊盘113布置在反射镜层111上。经由两个焊盘113实现了半导体层序列109的电接触。反射镜层111被配置为经由两个焊盘113实现这种电接触。也就是说，通过反射镜层111可以使得半导体层序列109的电接触成为可能。
体积发射器LED芯片102包括转换层117。将转换层117布置在半导体层序列109的、反射镜层111的和衬底103的相对的横向侧壁115上。也就是说，转换层117一直延伸到反射镜层111的下边缘。此外，转换层117还被布置在衬底103的第二侧107上。
因此，转换层117形成体积发射器LED芯片102的相对的侧面119。
光电子照明装置101此外还包括光学组件131。光学组件131包括安装面133。光学组件131此外还包括与安装面133相对的透镜135。
因此，体积发射器LED芯片102包括由转换层117的背向衬底103的第二侧107的面所形成的上侧121。
体积发射器LED芯片102此外还包括下侧123，所述下侧123与上侧121相对并且至少部分地由焊盘113的和转换层117的背向上侧121的面所形成。
体积发射器LED芯片102通过其上侧121而被布置在光学组件131的安装面133上。举例来说，将体积发射器LED芯片102粘接在安装面133上。
由于这种布置，第二侧107因此面向安装面133。
光电子照明装置101此外还包括框架125，所述框架125由固化的光学材料形成，该固化的光学材料在固化之前是可流动的。所述框架125接触体积发射器LED芯片102的侧面119。此外，框架125封闭体积发射器LED芯片102。此外还将框架125施加在安装面133上。
固化框架125包括弯曲部分127。弯曲部分127与安装面133相对。
将反射材料129施加在弯曲部分127的并且一般来说是框架125的背向安装面133的面128上。反射材料129例如是白色硅树脂或环氧树脂，一般来说是白色模制化合物。
例如通过模制过程或模制方法或灌封过程施加反射材料129。以这样的方式施加反射材料129：使得其与体积发射器LED芯片102的下侧123齐平地延伸。因此，形成平面下侧。
在图1中描绘了具有附图标记137的两个箭头，其象征性地示出了经转换的电磁辐射的光路。所述光路或光束路径137示出了将来自转换层117的经转换的电磁辐射耦合到光学材料中，也就是说耦合到框架125中。取决于耦合输入和原始光束方向，经转换的光137进入透镜135并且从那里再次从透镜135射出。为了清楚起见，未示出由于透镜135引起的经转换的光137的折射。
取决于经转换的光的最初耦合输入的光束方向，也可能是这种光或一般来说这种电磁辐射被反射材料129反射的情况。
因此，有利地实现了借助于体积发射器LED芯片102生成的电磁辐射的有效耦合输出。这尤其与光学材料（即，包括其弯曲部分127的框架125）被省去的情况相比较，其中仅提供反射材料129，即例如白色模制化合物，而不是框架125。这是因为在这种情况下，由于反射材料129，通过侧面119从体积发射器LED芯片102耦合输出的光或者一般来说电磁辐射将被直接反射回到体积发射器LED芯片102中，其结果是耦合输出效率将降低。
图2以横向截面图示出了第二光电子照明装置201。
与图1中的第一光电子照明装置101基本上类似地形成光电子照明装置201。作为区别，提供以长方体形式配置的不同光学组件203来代替光学组件231。光学组件103例如是包含玻璃的透明薄层。
图3以横向截面图示出了第三光电子照明装置301。
与图2中的第二光电子照明装置201基本上类似地配置光电子照明装置301。作为区别，提供多个体积发射器LED芯片102，它们全部包括共同的光学组件203，其中以长方体形式配置光学组件203。在这方面，例如提供或形成所谓的多芯片封装。
图4至图7分别以横向截面图示出了用于制造光电子照明装置—这里尤其是用于制造根据图1的多个光电子照明装置101—的方法中的连续时间点。
在图4中所示的第一步骤规定：多个体积发射器LED芯片102通过其上侧121布置到光学组件131的安装面133上。光学组件131包括与安装面133相对的多个透镜135。规定：每个体积发射器LED芯片102被分配专用透镜135。
尤其而言，体积发射器LED芯片102以这样的方式布置在安装面133上：使得相应透镜135的光轴（这里未示出）延伸通过体积发射器LED芯片102的对称轴（这里未示出）。
作为示例，规定：体积发射器LED芯片102粘接到安装面133上。
光学组件131例如是模制部件。举例来说，光学组件131是注塑模制部件。如果光学组件包括多个透镜，则它也可以被称为透镜阵列或透镜布置。
图5示出了用于制造光电子照明装置的方法中的第二步骤，所述第二步骤在时间上在第一步骤之后。根据所述第二步骤，规定：将可固化的、可流动的光学材料501施加在安装面133上，以便分别形成封闭多个体积发射器LED芯片102的框架。所述框架接触相应体积发射器LED芯片102的侧面119并且由于其流动性而是分流的。规定：对可固化和所施加的材料501进行固化，使得形成包括类似于图1的弯曲部分127的框架125。
例如，光学材料501是透明硅树脂。
图6示出了用于制造光电子照明装置的方法中的第三时间点，其中第三时间点在第二时间点之后。根据该第三步骤，规定：将反射材料129施加在面128上。举例来说，规定：在模制过程或模制方法或灌封过程的上下文中施加反射材料129。在这种情况下，规定：反射材料129以这样的方式施加，即产生齐平的下侧。
图7示出了用于制造光电子照明装置的方法中的第四时间点，其中第四时间点在时间上在第三时间点之后。根据该第四步骤，规定：多个体积发射器LED芯片102被单体化，使得制造出根据图1的多个光电子照明装置101。
单体化包括例如锯切和/或冲压和/或激光锯切。
图8示出了用于制造光电子照明装置的方法的流程图。
该方法包括以下步骤：
-提供801一个或多个体积发射器LED芯片，每个芯片包括衬底，该衬底包括第一侧和与第一侧相对的第二侧，其中包括用于生成电磁辐射的有源区的半导体层序列布置在衬底的第一侧上，其中衬底至少部分地透射所生成的电磁辐射，
-将（一个或多个）体积发射器LED芯片布置803在光学组件的安装面上，使得在布置803之后，相应衬底的第二侧面向安装面并且相应衬底面的第一侧背向安装面，
-在安装面上施加805可固化的、可流动的光学材料，以便分别形成至少部分封闭—尤其是完全封闭—一个体积发射器LED芯片或多个体积发射器LED芯片并且接触一个体积发射器LED芯片或多个体积发射器LED芯片的一个或多个相应侧面的分流框架，
-固化807相应的框架，以便分别形成至少部分地封闭一个体积发射器LED芯片或多个体积发射器LED芯片并接触一个或多个相应侧面的固化框架，所述框架包括由于分流而与安装面相对的弯曲部分。
由于弯曲部分看起来类似于漏斗和/或可以包括漏斗形状，因此弯曲部分也可以称为漏斗部分。
因此，例如规定弯曲部分包括漏斗形状。
图9示出了用于制造光电子照明装置的方法中的时间点。
提供体积发射器LED芯片901。与体积发射器LED芯片102基本上类似地配置体积发射器LED芯片901。
作为区别，在体积发射器LED芯片901的情况下，未将转换层117布置在半导体层序列109的、反射镜层111的和衬底103的横向侧壁115上。将体积发射器LED芯片901的转换层117仅仅布置在衬底103的第二侧107上。
没有转换层117的横向侧壁115形成体积发射器LED芯片901的相对的侧面119。
图10示出了光电子照明装置1001。
根据本发明的方法的一个实施例，与图2中的光电子照明装置102基本上类似地制造光电子照明装置1001。
作为区别，使用根据图9的体积发射器LED芯片901而不是体积发射器LED芯片102。
此外，用于形成固化框架125的光学材料包括磷光体。因此，固化框架125包括所述磷光体，并且因此有利地包括转换功能。也就是说，从侧面119发射的电磁辐射借助于固化框架125的磷光体在该电磁辐射的波长方面被转换。
在一个实施例中，规定：固化框架125的磷光体不同于转换层117所包含的磷光体。这尤其提供了转换层117和固化框架125可以包括不同的转换属性的技术优势。
总之，本发明提供了一种有效的技术概念，其可以有效地增加来自体积发射器LED芯片的电磁辐射的耦合输出。这是由于在体积发射器LED芯片的侧面处提供了包括光学材料的框架，其中框架包括弯曲部分。通过体积发射器LED芯片的侧面耦合输出的光因此耦合到框架中，并且可以通过框架再次耦合输出或者例如在施加在框架上的反射材料上予以反射。
尽管已经通过优选的示例性实施例更具体地说明和描述了本发明，但是本发明不受所公开的示例的限制，并且本领域技术人员在不脱离本发明的保护范围的情况下可以从中得出其他变型。
附图标记列表
101第一光电子照明装置
102体积发射器LED芯片
103衬底
105衬底的第一侧
107衬底的第二侧
109半导体层序列
111反射镜层
113焊盘
115横向侧壁
117转换层
119侧面
121体积发射器LED芯片的上侧
123体积发射器LED芯片的下侧
125固化框架
127固化框架的弯曲部分
128固化框架的表面
129反射材料
131光学组件
133安装面
135透镜
137经转换的光
201第二光电子照明装置
203光学组件
301第三光电子照明装置
501光学材料
801提供
803布置
805施加
807固化
901体积发射器LED芯片
1001第四光电子照明装置
Claims (18)
1.一种用于制造光电子照明装置（101、201、301）的方法，包括以下步骤：
-提供（801）一个或多个体积发射器LED芯片（102），每个芯片包括衬底（103），所述衬底（103）包括第一侧（105）和与所述第一侧（105）相对的第二侧（107），其中包括用于生成电磁辐射的有源区的半导体层序列（109）被布置在所述衬底（103）的第一侧（105）上，其中所述衬底（103）至少部分地透射所生成的电磁辐射，
-将所述一个或多个体积发射器LED芯片（102）布置（803）到光学组件（131、203）的安装面（133）上，使得在所述布置（803）之后，将相应衬底（103）的所述第二侧（107）面向所述安装面（133），并且将相应衬底（103）的所述第一侧（105）背向所述安装面（133），
-在所述安装面（133）上施加（805）可固化的、可流动的光学材料（501），以便分别形成至少部分地封闭所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）并接触所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）的一个或多个相应侧面（119）的分流框架（125），
-固化（807）相应的框架（125），以便分别形成至少部分地封闭所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）并接触所述一个或多个相应侧面（119）的固化框架（125），所述框架包括由于分流而与所述安装面（133）相对的弯曲部分（127）。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在相应的固化框架（125）的背向所述安装面（133）的面（128）上施加反射材料（129）。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，提供多个体积发射器LED芯片（102），并且其中所述光学组件（131、203）包括与所述安装面（133）相对的多个透镜（135），其中，在固化相应的框架（125）之后，将所述体积发射器LED芯片（102）单体化，使得每个体积发射器LED芯片（102）被提供有一个或多个专用透镜（135）。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，以长方体形式配置所述光学组件（131、203）。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）分别包括布置在相应衬底（103）的所述第二侧（107）上并形成所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）的相应侧面（119）的转换层（117）。
6. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）分别包括仅仅在相应衬底（103）的所述第二侧（ 107）上布置的转换层（117），使得所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）的相应侧面（119）没有所述转换层（117）。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述光学材料（501）是聚合物，尤其是硅树脂，和/或包括聚合物，尤其是硅树脂。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，相应衬底（103）是蓝宝石衬底，使得所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）被配置为蓝宝石体积发射器LED芯片（102）。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述光学材料（501）包括磷光体。
10.一种光电子照明装置（101、201、301），包括：
-一个或多个体积发射器LED芯片（102），每个芯片包括衬底（103），所述衬底（103）包括第一侧（105）和与所述第一侧（105）相对的第二侧（107），其中包括用于生成电磁辐射的有源区的半导体层序列（109）被布置在所述衬底（103）的第一侧（105）上，其中所述衬底（103）至少部分地透射所生成的电磁辐射，
-其中，所述一个或多个体积发射器LED芯片（102）被布置在光学组件（131、203）的安装面（133）上，使得相应衬底（103）的所述第二侧（107）面向所述安装面（133）并且相应衬底（103）的所述第一侧（105）背向所述安装面（133），
-其中，由光学材料（501）分别形成至少部分地封闭所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）并且接触一个或多个相应侧面（119）的固化框架（125），所述框架包括与所述安装面（133）相对的弯曲部分（127）。
11.根据权利要求10所述的光电子照明装置（101、201、301），其中，在相应的固化框架（125）的背向所述安装面（133）的面（128）上施加反射材料（129）。
12.根据权利要求10或11所述的光电子照明装置（101、201、301），其中，所述光学组件（131、203）包括与所述安装面（133）相对的多个透镜（135），使得为了单体化，每个体积发射器LED芯片（102）可以被提供有一个或多个专用透镜（135）。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的光电子照明装置（101、201、301），其中，以长方体形式配置所述光学组件（131、203）。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的光电子照明装置（101、201、301），其中，所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）分别包括布置在相应衬底（103）的所述第二侧（107）上并形成所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）的相应侧面（119）的转换层（117）。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的光电子照明装置（101、201、301），其中，所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）分别包括仅仅在相应衬底（103）的第二侧（107）上布置的转换层（117），使得所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）的相应侧面（119）没有所述转换层（117）。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的光电子照明装置（101、201、301），其中，所述光学材料（501）是聚合物，尤其是硅树脂，和/或包括聚合物，尤其是硅树脂。
17.根据权利要求10至16中任一项所述的光电子照明装置（101、201、301），其中，相应衬底（103）是蓝宝石衬底，使得所述一个体积发射器LED芯片或所述多个体积发射器LED芯片（102）被配置为蓝宝石体积发射器LED芯片（102）。
18.根据权利要求10至17中任一项所述的光电子照明装置（101、201、301），其中，所述光学材料（501）包括磷光体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102016100563.0 | 2016-01-14 | ||
| DE102016100563.0A DE102016100563B4 (de) | 2016-01-14 | 2016-01-14 | Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und optoelektronische Leuchtvorrichtung |
| PCT/EP2017/050591 WO2017121815A1 (de) | 2016-01-14 | 2017-01-12 | Verfahren zum herstellen einer optoelektronischen leuchtvorrichtung und optoelektronische leuchtvorrichtung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108886077A true CN108886077A (zh) | 2018-11-23 |
| CN108886077B CN108886077B (zh) | 2021-10-08 |
Family
ID=57796363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780017474.9A Active CN108886077B (zh) | 2016-01-14 | 2017-01-12 | 用于制造光电子照明装置的方法和光电子照明装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11171123B2 (zh) |
| CN (1) | CN108886077B (zh) |
| DE (1) | DE102016100563B4 (zh) |
| WO (1) | WO2017121815A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|
| CN108886077B (zh) | 2021-10-08 |
| WO2017121815A1 (de) | 2017-07-20 |
| US11171123B2 (en) | 2021-11-09 |
| US20190019783A1 (en) | 2019-01-17 |
| DE102016100563B4 (de) | 2021-08-05 |
| DE102016100563A1 (de) | 2017-07-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |