CN105378011B - 包含苯并三唑衍生物作为缓蚀剂的化学机械抛光组合物 - Google Patents

包含苯并三唑衍生物作为缓蚀剂的化学机械抛光组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN105378011B
CN105378011B CN201480038868.9A CN201480038868A CN105378011B CN 105378011 B CN105378011 B CN 105378011B CN 201480038868 A CN201480038868 A CN 201480038868A CN 105378011 B CN105378011 B CN 105378011B
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
cmp
composition
chemical
mechanical polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480038868.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105378011A (zh
Inventor
R·赖夏特
M·卡勒
M·劳特尔
Y·李
A·克里普
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BASF SE
Original Assignee
BASF SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BASF SE filed Critical BASF SE
Publication of CN105378011A publication Critical patent/CN105378011A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105378011B publication Critical patent/CN105378011B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/04—Aqueous dispersions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种化学机械抛光(CMP)组合物，包含：(A)用作缓蚀剂的一种或多种选自苯并三唑衍生物的化合物和(B)无机颗粒、有机颗粒或其复合物或混合物。本发明还涉及某些选自苯并三唑衍生物的化合物作为缓蚀剂的用途，尤其是用于提高化学机械抛光(CMP)组合物自用于制造半导体器件的基底在铜存在于所述基底上而去除钽或氮化钽的选择性。

Description

包含苯并三唑衍生物作为缓蚀剂的化学机械抛光组合物
发明领域
本发明涉及一种包含一种或多种特定苯并三唑(BTA)衍生物的化学机械抛光组合物以及所述特定苯并三唑衍生物作为缓蚀剂和/或添加剂在提高化学机械抛光(CMP)组合物的选择性中的用途。本发明还涉及制造半导体器件的相应方法，包括在CMP组合物存在下化学机械抛光基底。
现有技术描述
在半导体工业中，化学机械抛光为用于制造先进的光学、微电子机械和微电子材料和装置，例如半导体晶片的熟知技术。
在制造用于半导体工业的材料和装置的过程中，化学机械抛光(CMP) 用于使金属和/或氧化物表面平坦化。CMP利用化学与机械作用的相互作用提高待抛光表面的平坦性。化学以及机械作用由也称作CMP组合物或 CMP浆料的化学机械抛光组合物提供。抛光作用通常由一般地压在待抛光表面上且安放在移动压板上的抛光垫进行。压板的移动通常为线性、旋转或轨道式。在典型CMP方法步骤中，旋转晶片夹持具使待抛光晶片与抛光垫接触。一般将CMP组合物应用于待抛光晶片和抛光垫之间。
在许多情况下，理想的是上述化学机械抛光就通过抛光/平坦化方法去除的特定层或材料而言以高选择性进行。当CMP以高选择性进行时，所选材料或层的去除速率显著高于在被抛光工件表面处暴露的其他材料或层的去除速率。
铜(Cu)和铜基合金(本申请公开中所用符号Cu是指高纯度单质铜，表述“铜基合金”是指含有至少80重量％铜的合金)通常作为金属互连材料使用。然而，当Cu或Cu基合金用于金属化时，通常需要在Cu或Cu基合金金属化结构特征(feature)与相邻的介电绝缘材料薄层(中间层电介质 (ILD)或金属间电介质(IMD)之间提供扩散阻挡。当前，含钽(Ta)层如单质 Ta和氮化钽(TaN)最常用于这些阻挡目的。
在半导体器件的生产链中，为了去除阻挡层(TaN、TiN、Ta、Ti等)，使用阻挡化学机械抛光(阻挡CMP)。理想地进行该方法步骤，使得阻挡材料在不破坏晶片表面、导线(Cu或Cu基合金，参见上文)或介电绝缘材料(参见上文)下去除。
在CMP步骤期间，特别地在阻挡CMP期间，取决于晶片堆栈，已尝试在所需速率和选择性下抛光不同层以得到所需的无缺陷表面。例如参见 US2009/0311864A1和US2005/0076578A1。
包含缓蚀剂的CMP组合物是已知的，以控制金属表面的腐蚀。一般而言，该缓蚀剂附着在待抛光表面以形成保护性膜。苯并三唑(BTA)和某些BTA衍生物已知为缓蚀剂，参见US 2009/0311864 A1以及“Chemical Mechanical Planarization of MicroelectronicMaterials(Joseph M. Steigerwald，Shyam P.Murarka，Ronald J.Gutmann)，Wiley-VCH，2008。
如下文献公开了特定苯并三唑衍生物：US 2008/0105652 A1、US 2008/0067077A1、US 2007/0128872 A1、US 2007/0082456 A1、 US 2005/0090104 A1、US 6821309 B2、US6565619 B1。
本发明目的
本发明的一个目的在于提供适用于化学机械抛光(CMP)用于半导体工业的基底，特别地适用于化学机械抛光包含如下物质的基底的化学机械抛光(CMP)组合物：
(1)铜或铜合金，和/或
(2)钽、氮化钽、钛、氮化钛、钌、钴或其合金。
更特别地，待提供的化学机械抛光(CMP)组合物应对第一金属或合金的去除速率与第二金属或合金的去除速率之比有影响，甚至更特别地，如果铜和钽存在于基底中，则在CMP加工期间对钽(或钽合金)的去除速率与铜(或铜合金)的去除速率之比有影响。根据相关方面，本发明目的在于提供一种适用于化学机械抛光用于半导体工业的基底的CMP组合物，其在 CMP加工包含铜和钽的基底期间提供钽的高去除速率(优选与钽去除相对于铜的高选择性组合)。待提供的CMP组合物应优选具有在CMP方法中不去除的材料如铜和/或低k材料相对于钽的低材料去除速率(MRR)。
此外，CMP组合物应是其中不会发生相分离的稳定配制剂或分散体。
只要阻挡层和低k或超低k材料存在于所用半导体基底中，本发明 CMP组合物应优选去除阻挡层和保持低k和超低k材料的整体性，即就 MRR而言对阻挡层应具有比低k或超低k材料特别高的选择性。特别地，只要铜层、阻挡层和低k或超低k材料存在于待抛光基底中，本发明CMP 组合物应表现出尽可能多的以下性能的组合：(a)阻挡层的高MRR，(b)铜层的低MRR，(c)低k或超低k材料的低MRR，(d)就MRR而言阻挡层相对于铜层的高选择性，(e)就MRR而言阻挡层相对于低k和超低k 材料的高选择性。最特别地，只要铜层、钽或氮化钽层和低k或超低k材料存在于待抛光基底中，本发明CMP组合物应表现出尽可能多的以下性能的组合：(a’)钽或氮化钽的高MRR，(b’)铜层的低MRR，(c’)低k或超低k材料的低MRR，(d’)就MRR而言钽或氮化钽相对于铜的高选择性，和(e’)就MRR而言钽或氮化钽相对于低k或超低k材料的高选择性。
此外，本发明CMP组合物应表现出长贮存期，同时保持阻挡层的高 MRR。
本发明的相关目的在于提供一种制造半导体器件的方法，包括化学机械抛光基底，特别地包含钽层和/或铜层的基底。
本发明的另一目的在于提供缓蚀剂，尤其是用于提高化学机械抛光 (CMP)组合物自用于制造半导体器件的基底在铜存在于所述基底上就去除钽而言的选择性。
发明概述
根据本发明第一方面，提供一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含： (A)一种或多种式(1)化合物：
Figure BDA0000902014800000031
其中式(1)中的虚线对各自表示双键或各自表示单键，
其中
(i)当式(1)中的每对虚线表示双键时，
R1和R2之一为氢且R1和R2中另一个选自氯、溴、具有3-6个碳原子的烷基、苯甲酰基和–COOR3，其中R3选自具有3-6个碳原子的烷基或者R3为包含选自–(CH2-CH2-O)n-H和-(CH2-CH2-O)n-CH3的结构单元的取代基，其中在每种情况下n为1-15的整数，
或者
R1和R2均独立地选自溴和氯，
和
(ii)当式(1)中的每对虚线表示单键时，
R1和R2为氢，
或者R1和R2之一为氢且R1和R2中另一个选自氯、溴、具有3-6 个碳原子的烷基、苯甲酰基和–COOR3，其中R3选自具有3-6个碳原子的烷基或者R3为包含选自–(CH2-CH2-O)n-H和-(CH2-CH2-O)n-CH3的结构单元的取代基，其中在每种情况下n 为1-15的整数，
或者
R1和R2均独立地选自溴和氯，
(B)无机颗粒、有机颗粒或其复合物或混合物，
其中选自镁和钙的阳离子的总量基于相应CMP组合物的总重量为小于 1ppm。
当式(1)中的每对虚线表示双键时，式(1)中的六元环呈芳族状态。
当R1为烷基时，优选所述烷基选自叔丁基和仲丁基。
当R1和R2均不为氢时，优选R1和R2均为溴。
当R1或R2为–COOR3，其中R3为包含选自–(CH2-CH2-O)n-H 和-(CH2-CH2-O)n-CH3的结构单元的取代基，其中在每种情况下n为1-15 的整数时，R3优选为乙氧基化物残基或甲基封端乙氧基化物残基。乙氧基化物残基为结构–(CH2-CH2-O)n-H的取代基。甲基封端乙氧基化物残基为结构–(CH2-CH2-O)n-CH3的取代基。在每种情况下n为选自1-15的整数。
已知的是，不考虑在苯环上存在取代基，苯并三唑经受互变异构化，即在就三唑环上的氢原子位置(1H、2H和3H)而言有区别的分子形式之间的化学平衡。在固态中和在溶液中，苯并三唑的1H-互变异构体为主要物质[Advances in Heterocyclic Chemistry，第76卷，2000，157–323]，而2H- 互变异构体形式的浓度是可忽略的[J.Phys.Chem.A，第111卷，第28期， 2007]。然而，尤其是在水溶液中，1H和3H互变异构体呈快速平衡 [Tetrahedron.第25卷，1667-4670，1969；J.Phys.Chem.A，第111卷，第28期，2007]。这些发现也适用于取代苯并三唑，其中也存在1H和3H 互变异构体的平衡混合物[Magn.Reson.Chem.2009，47，142–148]。因此，就本申请而言，对于下文提及的每种式(1)化合物，包括所有相应的互变异构形式(1H、2H、3H)。
优选地，本发明CMP组合物的成分(A)的一种以上式(1)化合物中的一种或至少一种选自：
5-溴-1H-苯并三唑，
5-叔丁基-1H-苯并三唑，
5-苯甲酰基-1H-苯并三唑，
5,6-二溴-1H-苯并三唑，
5-氯-1H-苯并三唑，
5-仲丁基-1H-苯并三唑，
4,5,6,7-四氢-1H-苯并三唑。
对于某些应用，在本发明CMP组合物中使用5-氯-1H-苯并三唑稍不优选于使用该组的其他化合物。
一般而言，由于互变异构化，在5-位取代的苯并三唑衍生物与在6-位取代的相应苯并三唑衍生物以化学平衡存在。
根据本发明的另一方面，提供一种制造半导体装置的方法，包括在如上文和下文所定义的化学机械抛光(CMP)组合物存在下化学机械抛光基底。关于在本发明方法中使用的优选CMP组合物，参见下文。
在另一方面，本发明涉及式(1)化合物作为缓蚀剂的用途，尤其是用于提高化学机械抛光(CMP)组合物自用于制造半导体器件的基底在铜存在于所述基底上而去除钽或氮化钽的选择性：
Figure BDA0000902014800000061
其中式(1)中的虚线对各自表示双键或各自表示单键，
其中
(i)当式(1)中的每对虚线表示双键时，
R1和R2之一为氢且R1和R2中另一个选自溴、具有3-6个碳原子的烷基、苯甲酰基和–COOR3，其中R3选自具有3-6个碳原子的烷基或者R3为包含选自–(CH2-CH2-O)n-H和-(CH2-CH2-O)n-CH3的结构单元的取代基，其中在每种情况下n为1-15的整数，
或者
R1和R2均独立地选自溴和氯，
和
(ii)当式(1)中的每对虚线表示单键时，
R1和R2为氢，
或者R1和R2之一为氢且R1和R2中另一个选自氯、溴、具有3-6 个碳原子的烷基、苯甲酰基和–COOR3，其中R3选自具有3-6个碳原子的烷基或者R3为包含选自–(CH2-CH2-O)n-H和-(CH2-CH2-O)n-CH3的结构单元的取代基，其中在每种情况下n 为1-15的整数，
或者
R1和R2均独立地选自溴和氯。
成分(A)：缓蚀剂
如上文所定义的式(1)化合物用作缓蚀剂。当前认为式(1)化合物可通过在金属如铜的表面上形成保护性分子层而用作缓蚀剂。现已惊人地发现，当式(1)化合物为用于抛光包含钽或氮化钽和铜两者的基底的化学机械抛光(CMP)组合物的成分时，式(1)化合物相比于化合物苯并三唑(BTA)和相比于现有技术CMP组合物中使用的BTA的其他衍生物对钽或氮化钽去除相对于铜去除的选择性具有有利影响。此外，用作化学机械抛光(CMP)组合物的成分的式(1)化合物正面地影响钽或氮化钽的去除速率。因此，在包含式(1)化合物作为活性成分的典型化学机械抛光(CMP)组合物中，实现钽或氮化钽的高去除速率，同时实现钽或氮化钽去除相对于铜去除的高选择性。
一般而言，成分(A)即式(1)化合物的总量可以任意宽范围比例包含在本发明CMP组合物中。成分(A)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP 组合物的总重量为优选不大于1重量％(重量％意指“重量百分数”)，更优选不大于0.5重量％，最优选不大于0.1重量％，特别地不大于0.05重量％，例如不大于0.025重量％。成分(A)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选至少0.0001重量％，更优选至少0.0005 重量％，最优选至少0.001重量％，特别地至少0.005重量％，例如至少 0.01重量％。
本发明化学机械抛光(CMP)组合物包含如上文所定义且在下文进一步详细解释的成分(A)和(B)。优选地，本发明化学机械抛光(CMP)组合物进一步包含如上文所定义且在下文进一步详细解释的成分(C)。更优选地，本发明化学机械抛光(CMP)组合物，优选本文优选描述的本发明化学机械抛光(CMP)组合物进一步包含如下文所定义和进一步详细解释的成分(C)、 (D)、(E)和(F)中的一种、两种、三种或全部。在某些优选实施方案中，本发明化学机械抛光(CMP)组合物，优选本文优选描述的本发明化学机械抛光(CMP)组合物进一步包含如下文所定义和进一步详细解释的成分(G)、 (H)、(I)和(J)中的一种、一种以上或全部。
用于或用作本发明化学机械组合物的上述成分(B)、(C)、(D)、(E)、(F)、 (G)、(H)、(I)和(J)的物质不为如上文和下文所定义的用于或用作本发明化学机械组合物的成分(A)的式(1)化合物。
应注意，出于定量考虑，不为式(1)化合物且由于其结构而同时落入选自本发明相应CMP组合物的成分(B)、(C)、(D)、(E)、(F)、(G)、(H)、(I) 和(J)的各种(即两种或更多种)成分的定义下的任何物质一定在每种情况下指定为这些各成分的每一种。
除了上述成分外，本发明化学机械抛光(CMP)组合物可含有水。一般而言，本发明化学机械抛光(CMP)组合物中存在的水与其他成分一起形成水相。如果存在，所述水不视为属于选自本发明相应CMP组合物的成分 (B)、(C)、(D)、(E)、(F)、(G)、(H)、(I)和(J)的任何成分。
成分(B)：颗粒
特别地，本发明CMP组合物包含无机颗粒、有机颗粒或其复合物或混合物作为成分(B)。成分(B)本身可由如下构成：
-一种无机颗粒，
-不同种类无机颗粒的混合物或复合物，
-一种有机颗粒，
-不同种类有机颗粒的混合物或复合物，或
-一种或多种无机颗粒和一种或多种有机颗粒的混合物或复合物。
复合物为以使其彼此机械、化学或以其他方式结合的方式包含两种或更多种颗粒的复合颗粒。复合物的实例是在外部球(壳)含有一种颗粒和在内部球(核)含有另一种颗粒的核-壳颗粒。
一般而言，成分(B)即成分(B)颗粒的总量可以任意宽范围比例包含在本发明CMP组合物中。成分(B)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP 组合物的总重量为优选不大于10重量％(重量％意指“重量百分数”)，更优选不大于7重量％，最优选不大于5重量％，特别地不大于3重量％，例如不大于2.2重量％。成分(B)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP 组合物的总重量为优选至少0.002重量％，更优选至少0.01重量％，最优选至少0.08重量％，特别地至少0.5重量％，例如至少1重量％。
成分(B)颗粒的粒度分布可在宽范围内变化。成分(B)颗粒的粒度分布可为单峰或多峰的。在多峰粒度分布的情况下，通常优选双峰。为了在本发明CMP方法过程中具有容易再现的性能特征和容易再现的条件，就成分(B)而言优选单峰粒度分布。
成分(B)颗粒的平均粒度可在宽范围内变化。平均粒度为成分(B)颗粒在含水介质中的粒度分布的d50值并可利用动态光散射技术测定。然后，在颗粒基本是球形的假设下计算d50值。平均粒度分布的宽度为两个交点之间的距离(以x轴的单位给出)，在所述交点处粒度分布曲线与相对颗粒计数的50％高度交叉，其中将最大颗粒计数的高度标准化为100％高度。
在每种情况下如利用动态光散射技术使用仪器如来自Malvern Instruments，Ltd.或Horiba LB550的高性能粒度分级器(HPPS)所测，优选成分(B)颗粒的平均粒度是5-500nm，更优选10-400nm，最优选 20-300nm，特别是30-160nm，例如35-135nm。
成分(B)颗粒可具有各种形状。因此，成分(B)颗粒可具有一种或基本上仅一种形状。然而，成分(B)颗粒也可具有不同形状。例如，可存在两种不同形状的颗粒。例如，用于或用作成分(B)的颗粒可具有立方体、具有倒角边缘的立方体、八面体、二十面体、茧、球结节或具有或不具有凸起或凹陷的球体的形状。优选地，其为不具有或仅具有极少凸起或凹陷的球形。
根据另一实施方案，颗粒(B)优选为茧状。茧可具有或不具有凸起或凹陷。茧状颗粒是短轴为10-200nm，长轴/短轴之比为1.4-2.2，更优选1.6-2.0 的颗粒。优选它们的平均形状因数为0.7-0.97，更优选0.77-0.92，优选平均球度为0.4-0.9，更优选0.5-0.7，优选平均圆当量直径为41-66nm，更优选48-60nm，其可通过透射电子显微镜和扫描电子显微镜测定。
茧状颗粒的形状因数、球度和圆当量直径的测定在下文参考图1-4解释。附图示出：
图1：形状因数随着颗粒形状而改变的示意性阐述
图2：球度随着颗粒拉长而改变的示意性阐述
图3：圆当量直径(ECD)的示意性阐述
图4：在碳箔上具有20重量％固体含量的干燥茧状二氧化硅颗粒分散体的能量过滤透射电子显微镜(EF-TEM)(120千伏)图像
形状因数给出关于单个颗粒的形状和凹陷信息(参见图1)并可根据下式计算：
形状因数＝4π(面积/周长2)
不带凹陷的球状颗粒的形状因数为1。当凹陷数提高时，形状因数的值降低。
球度(参见图2)利用对中央的矩给出关于单个颗粒的拉长信息并可根据下式计算，其中M为各颗粒的重心：
球度＝(Mxx–Myy)-[4Mxy 2+(Myy-Mxx)2]0.5/(Mxx–Myy)+[4Mxy 2+ (Myy-Mxx)2]0.5拉长＝(1/球度)0.5
球状
Mxx＝Σ(x-x平均)2/N
Myy＝Σ(y-y平均)2/N
Mxy＝Σ[(x-x平均)*(y-y平均)]/N
N形成相应颗粒的图像的像素数
x、y像素坐标
x平均形成所述颗粒的图像的N个像素的x坐标的平均值
y平均形成所述颗粒的图像的N个像素的y坐标的平均值
球状颗粒的球度为1。当颗粒拉长时，球度的值降低。
单个非圆形颗粒的圆当量直径(下文也简写为ECD)给出面积与相应非圆形颗粒相同的圆的直径信息(参见图3)。
平均形状因数、平均球度和平均ECD为与所分析颗粒数量相关的各性能的算术平均值。
颗粒形状表征的程序如下。将20重量％固体含量的茧状二氧化硅颗粒水分散体分散在碳箔上并干燥。利用能量过滤透射电子显微镜(EF-TEM)(120千伏)和扫描电子显微镜二次电子图像(SEM-SE)(5千伏)分析干燥的分散体。分辨率为2k、16比特、0.6851nm/像素的EF-TEM图像 (参见图4)用于分析。利用噪声抑制后的阈值对图像进行二进制编码。然后将颗粒手动分离。区别重叠和边缘颗粒，且不将其用于分析。计算和统计分类如上文所定义的ECD、形状因数和球度。
例如，茧状颗粒为Fuso Chemical Corporation制造的FUSO PL-3，其平均初级颗粒尺寸(d1)为35nm，平均次级颗粒尺寸(d2)为70nm。
成分(B)颗粒的化学性质不受特别限制。用于或用作成分(B)的颗粒可具有相同化学性质或可为不同化学性质的颗粒的混合物或复合物。一般而言，优选化学性质相同的颗粒。一般而言，成分(B)颗粒可为：
-无机颗粒，例如金属、金属氧化物或碳化物，包括准金属、准金属氧化物或碳化物的颗粒，或
-有机颗粒，例如聚合物颗粒，
-无机和有机颗粒的混合物或复合物。
用于或用作成分(B)的颗粒为：
-优选无机颗粒，或其混合物或复合物，
-更优选选自金属或准金属的氧化物和碳化物，或其混合物或复合物的颗粒，
-最优选选自氧化铝、二氧化铈、氧化铜、氧化铁、氧化镍、氧化锰、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化锡、二氧化钛、碳化钛、氧化钨、氧化钇、氧化锆及其混合物和复合物的颗粒，
-特别优选选自氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、二氧化钛、氧化锆及其混合物和复合物的颗粒，
-特别是二氧化硅颗粒，
-例如茧状二氧化硅颗粒，
-例如胶态二氧化硅颗粒。
如果成分(B)包括有机颗粒或无机和有机颗粒的混合物或复合物，则优选聚合物颗粒为有机颗粒。
成分(C)：络合剂
本发明化学机械抛光(CMP)组合物任选进一步包含(C)一种或多种选自无机酸及其盐和有机酸及其盐的络合剂。选自无机酸、有机酸及其盐的络合剂为与某些金属离子形成可溶络合物，进而钝化所述金属离子从而使它们不能正常与其他元素或离子反应生成沉淀或垢的化合物。
如果存在，成分(C)即成分(C)的络合剂的总量可以任意宽范围比例包含在本发明CMP组合物中。成分(C)的总量在每种情况下基于本发明相应 CMP组合物的总重量为优选不大于10重量％，更优选不大于5重量％，最优选不大于3重量％，特别地不大于2重量％，例如不大于1.5重量％。成分(C)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选至少0.001重量％，更优选至少0.01重量％，最优选至少0.07重量％，特别地至少0.2重量％，例如至少0.7重量％。
优选地，用于或用作成分(C)的络合剂即一种以上成分(C)络合剂中的一种或至少一种选自无机酸及其盐和有机酸及其盐。
如果一种以上成分(C)络合剂中的一种或至少一种选自无机酸及其盐，则所述无机酸或其盐优选选自硝酸、碳酸、碳酸氢盐、碳酸盐、盐酸、磷酸、硫酸、氢氟酸和亚磷酸。
如果一种以上成分(C)络合剂中的一种或至少一种选自有机酸及其盐，则所述有机酸选自羧酸、氨基酸和磺酸。优选的羧酸为甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、乙醇酸、乳酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、草酸、肌酸、二甲基甘氨酸、柠檬酸、马来酸、苹果酸、庚二酸、辛二酸、丙三羧酸、对苯二甲酸、3-羟基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、苯甲酸、1,2,4,5-苯四甲酸、邻苯二甲酸、草酸、癸二酸、衣康酸。优选的氨基酸为丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、半胱氨酸、谷氨酰胺、谷氨酸、甘氨酸、组氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、赖氨酸、蛋氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、丝氨酸、苏氨酸、色氨酸、酪氨酸和缬氨酸。
优选地，用于或用作成分(C)的络合剂即一种以上成分(C)络合剂中的一种或至少一种为包含至少两个羧酸(-COOH)或羧酸根(-COO-)基团的化合物。
特别优选地，一种以上成分(C)络合剂中的一种或至少一种选自丙二酸、柠檬酸、己二酸、丙烷-1,2,3-三甲酸、丁烷-1,2,3,4-四甲酸、戊烷-1,2,3,4,5- 五甲酸及其盐，包含一个或多个酸基团的芳族化合物。
成分(D)：非离子表面活性剂
本发明化学机械抛光(CMP)组合物任选进一步包含一种或多种非离子表面活性剂作为成分(D)。一般而言，用于或用作成分(D)的表面活性剂为表面活性化合物，其降低液体的表面张力、两种液体之间的界面张力或液体和固体之间的界面张力。一般而言，可使用任何非离子表面活性剂(D)。
如上所述，出于定量考虑，由于其结构而同时落入本发明CMP组合物的各成分的定义下的物质一定在每种情况下指定为所有这些成分。
用于或用作成分(D)的非离子表面活性剂即成分(D)非离子表面活性剂中的一种或至少一种优选为水溶性和/或水分散性的，更优选水溶性的。“水溶性”指本发明组合物的相关组分或成分可以分子水平溶解于水相中。“水分散性”指本发明组合物的相关组分或成分可分散于水相并形成稳定的乳液或悬浮液。
一种以上成分(D)非离子表面活性剂中的一种或至少一种优选选自两亲性非离子表面活性剂，即包含一个或多个疏水基团(d1)和一个或多个亲水基团(d2)的表面活性剂。这意味着该非离子表面活性剂可包含一个以上的疏水基团(d1)，例如2、3或更多个基团(d1)，其通过至少一个下述亲水基团(d2)彼此隔开。这也意味着该非离子表面活性剂可包含一个以上亲水基团(d2)，例如2、3或更多个基团(d2)，其通过下述疏水基团(d1)彼此隔开。
因此，该非离子表面活性剂可具有不同的嵌段状通用结构。此类嵌段状通用结构的实例为：
-d1-d2，
-d1-d2-d1，
-d2-d1-d2，
-d2-d1-d2-d1，
-d1-d2-d1-d2-d1，和
-d2-d1-d2-d1-d2。
更优选地，该非离子表面活性剂为包含聚氧化烯基团作为亲水基团(d2) 的两亲性非离子表面活性剂。疏水基团(d1)优选为烷基，更优选具有4-40 个，最优选5-20个，特别优选7-18个，特别是10-16个，例如11-14个碳原子的烷基。
亲水基团(d2)优选为聚氧化烯基团。所述聚氧化烯基团可为低聚或聚合的。更优选亲水基团(d2)为选自包含如下单体单元的聚氧化烯基团的亲水基团：(d21)氧化烯单体单元，和(d22)不同于氧化乙烯单体单元的氧化烯单体单元，其中所述单体单元(d21)与单体单元(d22)不相同，所述(d2)的聚氧化烯基团含有呈无规、交替、梯度和/或嵌段状分布的单体单元(d21) 和(d22)。
最优选地，亲水基团(d2)为选自含有如下单体单元的聚氧化烯基团的亲水基团：(d21)氧化乙烯单体单元，和(d22)不同于氧化乙烯单体单元的氧化烯单体单元，其中所述(d2)的聚氧化烯基团含有呈无规、交替、梯度和/或嵌段状分布的单体单元(d21)和(d22)。
优选地，不同于氧化乙烯单体单元的氧化烯单体单元(d22)为取代的氧化烯单体单元，其中取代基选自烷基、环烷基、芳基、烷基环烷基、烷基芳基、环烷基芳基和烷基环烷基芳基。不同于氧化乙烯单体单元的氧化烯单体单元(d22)：
-更优选衍生自取代的环氧乙烷(X)，其中取代基选自烷基、环烷基、芳基、烷基环烷基、烷基芳基、环烷基芳基和烷基环烷基芳基，
-最优选衍生自烷基取代的环氧乙烷(X)，
-特别优选衍生自取代的环氧乙烷(X)，其中取代基选自具有1-10个碳原子的烷基，
-例如衍生自甲基环氧乙烷(氧化丙烯)和/或乙基环氧乙烷(氧化丁烯)。
取代的环氧乙烷(X)的取代基本身也可带有惰性取代基，即不会不利地影响环氧乙烷(X)的共聚和非离子表面活性剂(D)的表面活性的取代基。此类惰性取代基的实例为氟和氯原子、硝基和腈基团。如果存在此类惰性取代基，它们优选以使它们不会不利地影响非离子表面活性剂(D)的亲水-疏水平衡的量存在。优选取代的环氧乙烷(X)的取代基不带有此类惰性取代基。
取代的环氧乙烷(X)的取代基优选选自具有1-10个碳原子的烷基，具有5-10个碳原子呈螺环、外环和/或稠合(annealed)构型的环烷基，具有6-10 个碳原子的芳基，具有6-20个碳原子的烷基环烷基，具有7-20个碳原子的烷基芳基，具有11-20个碳原子的环烷基芳基和具有12-30个碳原子的烷基环烷基芳基。最优选取代的环氧乙烷(X)的取代基选自具有1-10个碳原子的烷基。特别地，取代的环氧乙烷(X)的取代基选自具有1-6个碳原子的烷基。
最优选的取代的环氧乙烷(X)的实例为甲基环氧乙烷(氧化丙烯)和/或乙基环氧乙烷(氧化丁烯)，特别是甲基环氧乙烷。
最优选亲水基团(d2)由单体单元(d21)和(d22)组成。
在另一个实施方案中，亲水基团(d2)优选为聚氧化乙烯、聚氧化丙烯或聚氧化丁烯基团，更优选聚氧化乙烯基团。
在其中亲水基团(d2)包含或由单体单元(d21)和(d22)组成的实施方案中，起到亲水基团(d2)作用的聚氧化烯基团含有呈无规、交替、梯度和/或嵌段状分布的单体单元(d21)和(d22)。这意味着一个亲水基团(d2)可仅具有一种分布，即：
-无规：…-d21-d21-d22-d21-d22-d22-d22-d21-d22-…；
-交替：…-d21-d22-d21-d22-d21-…；
-梯度：…-d21-d21-d21-d22-d21-d21-d22-d22-d21-d22-d22-d22-…；或
-嵌段状：…-d21-d21-d21-d21-d22-d22-d22-d22-…。
或者，亲水基团(d2)也可含有至少两种分布，例如具有无规分布的低聚或聚合片段和具有交替分布的低聚或聚合片段。最优选亲水基团(d2)优选仅具有一种分布，最优选所述分布呈无规或嵌段状。
在其中亲水基团(d2)包含或由单体单元(d21)和(d22)组成的实施方案中，(d21)与(d22)的摩尔比可变动较大，并因此可根据本发明组合物、方法和用途的具体要求最有利地调节。优选摩尔比(d21):(d22)为100:1-1:1，更优选60:1-1.5:1，最优选50:1-1.5:1，特别优选25:1-1.5:1，特别是15:1-2:1，例如9:1-2:1。
起到亲水基团(d2)作用的低聚和聚合聚氧化烯基团的聚合度也可变动较大，并因此可根据本发明组合物、方法和用途的具体要求最有利地调节。优选聚合度为5-100，优选5-90，最优选5-80。
优选地，用于或用作成分(D)的非离子表面活性剂为两亲性非离子聚氧化乙烯-聚氧化丙烯烷基醚表面活性剂，其为平均含有：
-具有10-16个碳原子的烷基，以及
呈无规分布的
-5-20个氧化乙烯单体单元(d21)，和
-2-8个氧化丙烯单体单元(d22)
的分子的混合物。
例如，用于或用作成分(D)的非离子表面活性剂为两亲性非离子聚氧化乙烯-聚氧化丙烯烷基醚表面活性剂，其为平均含有具有11-14个碳原子的烷基以及无规分布的12-20个氧化乙烯单体单元和3-5个氧化丙烯单体单元的分子的混合物。
如果存在，成分(D)即成分(D)的非离子表面活性剂的总量可以任意宽范围比例包含在本发明CMP组合物中。成分(D)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选不大于10重量％，更优选不大于 3重量％，最优选不大于1重量％，特别优选不大于0.5重量％，特别地不大于0.1重量％，例如不大于0.05重量％。成分(D)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选至少0.00001重量％，更优选至少0.0001重量％，最优选至少0.0008重量％，特别优选至少0.002重量％，特别地至少0.005重量％，例如至少0.008重量％。
一般而言，成分(D)在含水介质中的溶解度可在较宽范围内变动。成分 (D)在水中、pH 7、20℃和大气压力下的溶解度优选为至少1g/L，更优选至少5g/L，最优选至少20g/L，特别地至少50g/L，例如至少150g/L。所述溶解度可通过蒸发溶剂和测量饱和溶液中的剩余物质测定。
成分(E)：醇
本发明化学机械抛光(CMP)组合物任选进一步包含一种或多种醇作为成分(E)。
如上所述，出于定量考虑，由于其结构而同时落入本发明CMP组合物的各成分的定义下的物质一定在每种情况下指定为所有这些成分。出于定量考虑，例如，当本发明组合物在成分(E)中或作为成分(E)含有一种或多种同时落入如上文所定义的用于或用作成分(D)的非离子表面活性剂的定义下的醇时，这些表面活性剂一定指定为成分(E)和成分(D)两者。
用于或用作成分(E)的醇即成分(E)醇中的一种或至少一种优选为具有至少两个在含水介质中不可离解的羟基的醇。更优选(E)为具有两个在含水介质中不可离解的羟基的醇。如在去离子水中、25℃和大气压力下所测，“不可离解”指羟基在中性水相中反应：
醇(E)→去质子化的醇(E)+H+的pKa值(酸离解常数的对数度量)大于9.9，更优选大于11，最优选大于 12，特别优选大于13，例如大于14。例如，如在去离子水中、25℃和大气压力下所测，丙烷-1,2-二醇(α-丙二醇)的pKa值为14.9。
更优选地，用于或用作成分(E)的醇为二醇、三醇、四醇、五醇、六醇、七醇、八醇、九醇、十醇或多元醇。最优选地，该醇为二醇、三醇、五醇或六醇。特别优选地，该醇为二醇。特别最优选地，一种以上成分(E)醇中的一种或至少一种选自乙烷二醇(乙二醇)、丙烷二醇(丙二醇)和丁烷二醇 (丁二醇)。特别地，一种以上成分(E)醇中的一种或至少一种为丙烷二醇(丙二醇)。
用于或用作成分(E)的醇优选为具有2-50个碳原子的醇，更优选具有 2-20个碳原子的醇，最优选具有2-11个碳原子的醇，特别优选具有2-7个碳原子的醇，特别是具有2-4个碳原子的醇，例如具有3个碳原子的醇。
如果存在，成分(E)即成分(E)醇的总量可以任意宽范围比例包含在本发明CMP组合物中。成分(E)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP 组合物的总重量为优选不大于10重量％，更优选不大于5重量％，最优选不大于3重量％，特别优选不大于2重量％，特别地不大于1.2重量％，例如不大于0.8重量％。成分(E)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP 组合物的总重量为优选至少0.001重量％，更优选至少0.01重量％，最优选至少0.05重量％，特别优选至少0.1重量％，特别地至少0.3重量％，例如至少0.5重量％。
一般而言，成分(E)在含水介质中的溶解度可在较宽范围内变动。成分 (E)在水中、pH 7、25℃和大气压力下的溶解度优选为至少1g/L，更优选至少5g/L，最优选至少20g/L，特别地至少50g/L，例如至少150g/L。所述溶解度可通过蒸发溶剂和测量饱和溶液中的剩余物质测定。
成分(F)：氧化剂
本发明化学机械抛光(CMP)组合物任选进一步包含一种或多种氧化剂，优选一种或两种氧化剂，更优选一种氧化剂作为成分(F)。一般而言，用于或用作成分(F)的氧化剂为能氧化待抛光基底或其一个层的化合物。
如上所述，出于定量考虑，由于其结构而同时落入本发明CMP组合物的各成分的定义下的物质一定在每种情况下指定为所有这些成分。出于定量考虑，例如，当本发明组合物在成分(F)中或作为成分(F)含有一种或多种同时落入上文所定义的任意其他成分的定义下的氧化剂时，这些氧化剂一定指定为成分(F)以及所述其他成分。
优选地，用于或用作成分(F)氧化剂中的一种或至少一种优选为过氧型氧化剂。更优选地，一种以上成分(F)氧化剂中的一种或至少一种选自过氧化物、过硫酸盐、高氯酸盐、高溴酸盐、高碘酸盐和高锰酸盐及其衍生物。最优选地，该氧化剂为过氧化物或过硫酸盐。特别地，该氧化剂为过氧化物。例如，该氧化剂为过氧化氢。
如果存在，成分(F)即成分(F)氧化剂的总量可以任意宽范围比例包含在本发明CMP组合物中。成分(F)的总量在每种情况下基于组合物的总重量为优选不大于20重量％，更优选不大于10重量％，最优选不大于5重量％，特别地不大于2.5重量％，例如不大于1.5重量％。成分(F)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选至少0.01重量％，更优选至少0.08重量％，最优选至少0.4重量％，特别地至少0.75重量％，例如至少1重量％。如果过氧化氢用作唯一的成分(F)氧化剂，则成分(F) 的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选0.5-4重量％，更优选1-2重量％，例如1.2-1.3重量％。
除了成分(A)、(B)、(C)、(D)、(E)和(F)外，化学机械抛光(CMP)组合物可包含一种或多种如下文所定义的额外成分。
成分(G)：其他缓蚀剂
除了作为成分(A)存在的一种或多种式(1)化合物外，本发明化学机械抛光(CMP)组合物任选进一步包含一种或多种其他缓蚀剂作为成分(G)。
如上所述，出于定量考虑，由于其结构而同时落入本发明CMP组合物的各成分的定义下的物质一定在每种情况下指定为所有这些成分。出于定量考虑，例如，当本发明组合物在成分(G)中或作为成分(G)含有一种或多种同时落入如上文所定义的用于或用作成分(E)的醇的定义下的一种或多种其他缓蚀剂时，这些表面活性剂一定指定为成分(G)和成分(E)两者。
优选地，一种以上成分(F)其他缓蚀剂中的一种或至少一种为硫醇、成膜聚合物、多元醇、二唑、三唑、四唑及其衍生物，最优选咪唑、1,2,4- 三唑、苯并三唑、甲苯基三唑及其衍生物，其中如上文所定义的式(1)化合物被排除且由此不可视为成分(G)其他缓蚀剂。
成分(A)即如上文所定义的式(1)化合物和成分(G)即如上文所定义的其他缓蚀剂的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选不大于10重量％，更优选不大于2重量％，最优选不大于0.5重量％，特别地不大于0.15重量％，例如不大于0.08重量％。成分(A)和成分(G) 的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选至少 0.0001重量％，更优选至少0.001重量％，最优选至少0.005重量％，特别地至少0.02重量％，例如至少0.04重量％。
二价阳离子的存在
在本发明化学机械抛光(CMP)组合物中，选自镁和钙的二价阳离子的总量基于相应CMP组合物的总重量为小于1ppm。
选自镁和钙的二价阳离子以1ppm或更大的量(基于相应CMP组合物的总重量)的存在对化学机械抛光(CMP)组合物的稳定性是不利的，因为在某些阴离子如碳酸根下，钙和镁阳离子形成溶解性差的盐，所述盐沉淀。此外，二价阳离子由于存在两个化合价可形成盐桥，其交联带有负电荷的物质如聚合物阴离子，由此导致形成溶解性差或分散性差的更大物质。两种反应均导致CMP组合物中固体物质的量的改变，由此干扰抛光工艺并提高待抛光基底受损的风险。
优选地，本发明化学机械抛光(CMP)组合物以小于0.9ppm的量，优选以小于0.5ppm的总量(在每种情况下基于相应CMP组合物的总重量)含有选自镁和钙的阳离子，最优选不含任何选自镁和钙的阳离子。更优选地，本发明化学机械抛光(CMP)组合物以小于1ppm，优选小于0.9ppm的量(在每种情况下基于相应CMP组合物的总重量)含有二价金属阳离子，最优选不含任何二价金属阳离子。因此，只要化学机械抛光(CMP)组合物的任意成分为盐，优选那些盐不含选自镁和钙的阳离子，更优选不含任何二价金属阳离子。
CMP组合物的pH值
本发明化学机械抛光(CMP)组合物的性能如稳定性和抛光性能可能取决于所述组合物的pH。一般而言，CMP组合物可具有任何pH值。组合物的pH值优选不大于14，更优选不大于13，最优选不大于12，特别优选不大于11.5，特别最优选不大于11，特别地不大于10.5，例如不大于10.2。组合物的pH值优选为至少6，更优选至少7，最优选至少8，特别优选至少8.5，特别最优选至少9，特别地至少9.5，例如至少9.7。组合物的pH 值优选为6-14，更优选7-13，最优选8-12，特别优选8.5-11.5，特别最优选9-11，特别地9.5-10.5，例如9.7-10.2。
在制备本发明化学机械抛光(CMP)组合物的方法中，本发明(CMP)组合物的pH值任选通过加入一种或多种额外pH调节剂(H)而调节。一般而言，用于本发明CMP组合物的制备中的pH调节剂为加入CMP组合物中将其pH值调节为所需值的化合物。
具有上文定义的范围内的pH的化学机械抛光(CMP)组合物可通过混合(H)一种或多种pH调节剂和化学机械抛光组合物的成分(A)、(B)以及任选成分(C)、(D)、(E)、(F)和(I)(参见下文)中的一种、多种或全部而获得。
一种以上pH调节剂(H)中的一种或至少一种优选选自硝酸、硫酸、氨、四甲基氢氧化铵、氢氧化钠和氢氧化钾。在制备本发明化学机械抛光(CMP) 组合物的方法中，使用一种或多种pH调节剂(H)以将pH值调节为所需水平。一般而言，具有上文定义的范围内的pH的CMP组合物可通过包括如下步骤的方法获得(和通过包括如下步骤的方法获得)：通过将(H)一种或多种pH调节剂加入包含本发明CMP组合物的成分(A)、(B)、(C)、(D)、 (E)、(F)和(I)(对于成分(I)的定义，参见下文)中的全部或一些的相应预混物中而调节pH。
优选地，所述一种以上pH调节剂(H)中的一种或至少一种选自无机酸、羧酸、胺碱、碱金属氢氧化物和铵氢氧化物，包括四烷基铵氢氧化物。特别地，所述一种以上pH调节剂(H)中的一种或至少一种选自硝酸、硫酸、盐酸、氨、四甲基氢氧化铵、氢氧化钠和氢氧化钾。优选地，在制备本发明CMP组合物的方法中，通过一种pH调节剂(H)调节pH值。例如，pH 调节剂(H)为氢氧化钾。
如上所述，出于定量考虑，由于其结构而同时落入本发明CMP组合物的各成分的定义下的物质一定在每种情况下指定为所有这些成分。出于定量考虑，例如，当本发明组合物在成分(H)中或作为成分(H)含有一种或多种同时落入如上文所定义的用于或用作成分(C)的络合剂的定义下的一种或多种pH调节剂(H)时，这些表面活性剂一定指定为成分(H)和成分(C) 两者。
如果使用一种或多种pH调节剂，则在制备本发明化学机械抛光(CMP) 组合物的方法中加入的pH调节剂(H)的总量可为任意宽范围比例。如果存在，在制备本发明化学机械抛光(CMP)组合物的方法中加入的pH调节剂 (H)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选不大于10重量％，更优选不大于2重量％，最优选不大于0.5重量％，特别地不大于0.1重量％，例如不大于0.05重量％。如果存在，在制备本发明化学机械抛光(CMP)组合物的方法中加入的pH调节剂(H)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选至少0.0005重量％，更优选至少0.005重量％，最优选至少0.025重量％，特别地至少0.1重量％，例如至少0.4重量％。
成分(I)：缓冲剂
根据本发明，本发明CMP组合物任选进一步包含一种或多种缓冲剂 (I)。一般而言，用于或用作成分(I)的缓冲剂为加入CMP组合物中以维持 pH值在所需水平下的化合物或混合物。
优选地，一种以上成分(I)缓冲剂中的一种或至少一种选自碳酸盐或碳酸氢盐。一般而言，碳酸盐为包含至少一个CO3 2-阴离子的任意盐，碳酸氢盐为包含至少一个HCO3 –阴离子的任意盐。优选地，碳酸盐或碳酸氢盐不包含除CO3 2-或HCO3 –阴离子以外的任意阴离子。优选地，缓冲剂为碳酸盐。最优选地，一种以上成分(I)缓冲剂中的一种或至少一种为不包含除 CO3 2-阴离子以外的任意阴离子的碳酸盐。
优选地，用作或用于成分(I)的碳酸盐或碳酸氢盐包含至少一个选自 NH4 +阳离子、有机铵阳离子(如下文所定义)、N-杂环阳离子和碱金属阳离子的阳离子。更优选地，碳酸盐或碳酸氢盐包含NH4 +和碱金属阳离子中的至少一个。最优选地，用作或用于成分(I)的碳酸盐或碳酸氢盐包含至少一个碱金属阳离子。特别优选地，用作或用于成分(I)的碳酸盐或碳酸氢盐包含至少一个钠或钾阳离子。特别最优选地，用作或用于成分(I)的碳酸盐或碳酸氢盐包含至少一个钾阳离子。特别地，一种以上成分(I)缓冲剂中的一种或至少一种优选选自碳酸钾或碳酸氢钾。
例如，用作或用于成分(I)的碳酸盐或碳酸氢盐为碳酸钾。
有机铵阳离子为式[NR11R12R13R14]+的任意阳离子，其中R11、R12、R13彼此独立地为H、烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，且R14为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基。
如果存在，成分(I)即成分(I)缓冲剂的总量可以任意宽范围比例包含在本发明CMP组合物中。成分(I)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP 组合物的总重量为优选不大于10重量％，更优选不大于5重量％，最优选不大于3重量％，特别优选不大于2重量％，特别地不大于1重量％，例如不大于0.7重量％。成分(I)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP 组合物的总重量为优选至少0.001重量％，更优选至少0.01重量％，最优选至少0.05重量％，特别优选至少0.1重量％，特别地至少0.2重量％，例如至少0.4重量％。
如上所述，出于定量考虑，由于其结构而同时落入本发明CMP组合物的各成分的定义下的物质一定在每种情况下指定为所有这些成分。出于定量考虑，例如，当本发明组合物在成分(I)中或作为成分(I)含有一种或多种同时落入如上文所定义的用于或用作成分(C)的络合剂的定义下的一种或多种缓冲剂时，这些表面活性剂一定指定为成分(I)和成分(C)两者。
成分(J)：生物杀伤剂
本发明CMP组合物任选进一步包含一种或多种生物杀伤剂(J)，例如一种生物杀伤剂。一般而言，用于或用作成分(J)的一种以上生物杀伤剂中的一种或至少一种为通过化学或生物措施阻止任何有害有机体、使其无害或对其施加防治效果的化合物。
优选地，用于或用作成分(J)的一种以上生物杀伤剂中的一种或至少一种选自季铵化合物(排除季铵碳酸盐和季铵碳酸氢盐)、基于异噻唑啉酮的化合物、N-取代的二氮烯
Figure BDA0000902014800000231
(diazenium)二氧化物和N'-羟基二氮烯
Figure BDA0000902014800000232
氧化物盐。更优选地，(J)为N-取代的二氮烯
Figure BDA0000902014800000233
二氧化物或N'-羟基二氮烯
Figure BDA0000902014800000234
氧化物盐。
如果存在，成分(J)即成分(J)生物杀伤剂的总量可以任意宽范围比例包含在本发明CMP组合物中。如果存在，成分(J)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选不大于0.5重量％，更优选不大于 0.1重量％，最优选不大于0.05重量％，特别地不大于0.02重量％，例如不大于0.008重量％。如果存在，成分(J)的总量在每种情况下基于本发明相应CMP组合物的总重量为优选至少0.0001重量％，更优选至少0.0005 重量％，最优选至少0.001重量％，特别地至少0.003重量％，例如至少 0.006重量％。
根据本发明，优选包含如下组分的化学机械抛光(CMP)组合物：
(A)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.0001-1重量％的一种或多种式(1)化合物。
根据本发明，还优选包含如下组分的化学机械抛光(CMP)组合物：
(B)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.002-10重量％的无机颗粒、有机颗粒或其复合物或混合物。
根据本发明，还优选包含如下组分的化学机械抛光(CMP)组合物：
(C)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.001-10重量％的一种或多种选自有机酸及其盐的络合剂。
根据本发明，还优选包含如下组分的化学机械抛光(CMP)组合物：
(D)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.00001-10重量％的一种或多种非离子表面活性剂。
根据本发明，还优选包含如下组分的化学机械抛光(CMP)组合物：
(E)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.001-10重量％的一种或多种醇。
根据本发明，还优选包含如下组分的化学机械抛光(CMP)组合物：
(F)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.01-20重量％的一种或多种氧化剂。
根据本发明，还优选包含如下组分的化学机械抛光(CMP)组合物：
(I)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.001-10重量％的一种或多种缓冲剂。
还优选上文限定的优选浓度范围的成分(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F) 和(I)的任意组合。
根据本发明，最优选包含如下组分的化学机械抛光(CMP)组合物：
(A)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.0001-1重量％的一种或多种式(1)化合物，和
(B)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.002-10重量％的无机颗粒、有机颗粒或其复合物或混合物，和
(C)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.001-10重量％的一种或多种选自有机酸及其盐的络合剂，和
(D)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.00001-10重量％的一种或多种非离子表面活性剂，和
(E)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.001-10重量％的一种或多种醇，和
(F)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.01-20重量％的一种或多种氧化剂，和
(I)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.001-10重量％的一种或多种缓冲剂。
制备CMP组合物的方法一般是已知的。这些方法可应用于本发明 CMP组合物的制备。本发明CMP组合物可通过分散或溶解上述成分(A) 和(B)和-如果存在-其他成分(C)、(D)、(E)、(F)、(G)和(J)在含水介质，优选水中，和任选通过加入一种或多种pH调节剂(H)调节pH值和/或通过一种或多种缓冲剂(I)维持pH而制备。因此，CMP组合物可优选通过分散颗粒(B)和/或分散和/或溶解成分(A)和-如果存在-其他成分(C)、(D)、(E)、(F)、 (G)、(I)和(J)和一种或多种pH调节剂(H)在含水介质，优选水中而制备。
为此，可使用常规和标准的混合方法和混合装置，例如搅拌容器、高剪切叶轮、超声混合器、均化器喷嘴或逆流混合器。
化学机械抛光方法：
化学机械抛光(CMP)方法一般是已知的，且可以利用常用于制造具有集成电路的晶片中的CMP方法的条件下的技术和设备进行。对可用来进行抛光方法的设备无限制。
如本领域已知，CMP方法的典型设备由覆盖有抛光垫的旋转压板组成。也可使用轨道式抛光器。将晶片安放在载体或夹盘上。使晶片被处理侧面对抛光垫(单侧抛光法)。卡环将晶片固定在水平位置。
在载体下方一般水平安置较大直径压板，且该压板提供平行于待抛光晶片表面的表面。在平坦化处理期间，压板上的抛光垫接触晶片表面。
将晶片压在抛光垫上以产生所需材料损失。通常使载体与压板围绕其自载体及压板垂直延伸的各轴旋转。旋转载体轴可相对于旋转压板保持固定在适当位置或可相对于压板水平振荡。载体的旋转方向通常但不是必需地与压板相同。载体及压板的旋转速度通常但不是必需地设为不同值。在CMP方法的过程中，本发明CMP组合物一般以连续料流或逐滴形式应用于抛光垫上。通常，压板的温度设为10-70℃的温度。
晶片上的载荷可通过例如由钢制成的覆盖有软垫(通常称为背衬膜)的平板施加。如果使用更先进的设备，负载有空气或氮气压力的柔性膜将晶片压在所述垫上。该膜载体优选用于使用硬抛光垫时的低下压力方法(low down force process)，因为晶片上的下压力分布与使用硬压板设计的载体相比更均匀。根据本发明也可使用具有控制晶片上的压力分布的选项的载体。一般将它们设计为具有许多不同的可各自独立负载至一定程度的空间。
对于CMP方法的更多详情，请参考WO 2004/063301 A1，尤其第16 页第[0036]段至第18页第[0040]段以及图1和2。
通过使用本发明CMP组合物的CMP方法，可获得功能优异的具有含有介电层的集成电路的晶片。
本发明CMP组合物以即用浆料的形式提供用于CMP方法。本发明 CMP组合物具有长贮存期、表现出长期稳定的粒度分布而不附聚和维持阻挡层的高MRR。因此，它们易于处理和贮存。
此外，如下文展示的实施例所示，本发明CMP组合物结合了如下性能中的两种、更多种或全部：(a)阻挡层的高MRR，(b)铜层的低MRR， (c)低k或超低k材料的低MRR，(d)就MRR而言阻挡层相对于铜层的高选择性，(e)就MRR而言阻挡层相对于低k和超低k材料的高选择性。最特别地，只要铜层、坦或氮化坦层和低k或超低k材料存在于待抛光基底中，本发明CMP组合物应表现出尽可能多的如下性能的组合：(a’)钽或氮化钽的高MRR，(b’)铜层的低MRR，(c’)低k或超低k材料的低 MRR，(d’)就MRR而言钽或氮化钽相对于铜的高选择性，和(e’)就MRR 而言钽或氮化钽相对于低k或超低k材料的高选择性。。
本发明进一步涉及制造半导体器件的方法，包括在如上文所定义的本发明化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光基底。在所述本发明方法中，待抛光基底优选包含由钽或钽合金或氮化钽组成的表面区域和/ 或由铜或铜合金组成的表面区域。
在下文进一步通过实施例和对比例阐述本发明。
实施例和对比例
合成缓蚀剂(A)
取代BTA衍生物根据或类似于文献(El-Hamouly，W.S.；Abd-Allah， Sh.M.；Tawfik，H.A.，Egyptian Journal of Chemistry(2004)，47(3)， 333-343.)而合成
一般反应方案如下：
Figure BDA0000902014800000261
一般试验程序：
在具有机械搅拌器、温度计、回流冷凝器、氮气入口和计泡器的250mL 四颈烧瓶中在氮气气氛下将相应邻苯二胺(0.031mol)(式1a)分批加入冰醋酸(50mL)中。在冰浴中将所得浆料冷却至4℃。在40min内滴加亚硝酸钠(2.24g，0.032mol)在水(6mL)中的溶液，同时维持反应混合物的温度 <10℃。将所得浆料升温至室温并搅拌直至使用KI/直链淀粉试纸分析游离HNO2为阴性的，在薄层色谱中未见到原料(16h)。
实施例8-11和13(参见下表)中使用的式(1)化合物的后处理程序如下：
5-溴-1H-苯并三唑R1＝Br R2＝H(实施例8)
将所得浆料过滤；用水(100mL)洗涤固体残余物并且所得固体通过从乙醇(20mL)中重结晶而进一步提纯。产物在50℃和5毫巴下干燥24h并以灰白色固体获得。产率：67％。
1H-NMR(500MHz,d6-DMSO)δ＝8.20(d,J＝1.7Hz,1H,H-4),7.91 (d,J＝8.8Hz,1H,H-7),7.57(dd,J＝1.7Hz,J＝8.8Hz,1H,H-6)ppm。
5-叔丁基-1H-苯并三唑R1＝t-Bu R2＝H(实施例9)
向所得溶液中，加入水(70mL)，由此油相从溶液中分离。收集所述油并用CH2Cl2(3x30mL)萃取有机层。合并的有机层用碳酸氢钠溶液(15重量％，在水中，2x 100mL)和盐水(10mL)洗涤，在硫酸镁上干燥，过滤并蒸发。产物以油状液体获得，在静置时结晶。产率：92％。
1H-NMR(500MHz,CDCl3)δ＝15.74-10.98(brs,1H,NH),7.91-7.88 (m,2H,H-4,H-7),7.54-7,52(m,1H,H-6)ppm。
MS(EI)：m/z对于C10H13N3，计算值175；实测值175。
5-苯甲酰基-1H-苯并三唑R1＝Bz R2＝H(实施例10)
将所得浆料过滤；用水(100mL)洗涤固体残余物并且所得固体通过从乙醇(20mL)中重结晶而进一步提纯。产物在50℃和5毫巴下干燥24h并以灰白色固体获得。产率：91％。纯度(HPLC)：99.74％。
1H-NMR(500MHz,d6-DMSO)δ＝16.77-15.14(brs,1H,NH),8.72(d, J＝1.3Hz,1H,H-4),8.04(d,J＝8.8Hz,1H,H-7),7.88(dd,J＝1.3Hz, J＝8.8Hz,1H,H-6),7.81-7.79(m,2H,H-2’,H-6’),7.73-7.70(m,1H, H-4’),7.61-7.58(m,1H,H-3’,H-5’)ppm。
5,6-二溴-1H-苯并三唑R1＝Br R2＝Br(实施例11)
将所得浆料过滤；用水(100mL)洗涤固体残余物并且所得固体通过从乙醇(30mL)中重结晶而进一步提纯。产物在50℃和5毫巴下干燥24h并以浅黄色固体获得。产率：83％。
1H-NMR(500MHz,d6-DMSO)δ＝8.45(s,2H,H-4,H-7)ppm。
MS(EI)：m/z对于C6H3Br2N3，计算值275；实测值275。
5-仲丁基-1H-苯并三唑R1＝sec-Bu R2＝H(实施例13)
向所得溶液中，加入水(70mL)，由此油相从溶液中分离。收集所述油并用CH2Cl2(3x30mL)萃取有机层。合并的有机层用碳酸氢钠溶液(15重量％，在水中，2x 100mL)和盐水(10mL)洗涤，在硫酸镁上干燥，过滤并蒸发。产物以灰白色固体获得。产率：94％。
1H-NMR(500MHz,d6-DMSO)δ＝15.54(brs,1H,NH),7.95-7.26(m, 3H,H-4,H-7,H-6),2.79(m,1H,CH),1.63(m,2H,CH2),1.26(d, J＝6.9Hz,3H,CH3),0.78(t,J＝14.7Hz,3H,CH3)ppm。
由于互变异构化，在5-位具有取代基的各取代BTA包括相应互变异构体(在6-位具有所述取代基的相应取代BTA)。
4-和5-甲基-1H-苯并三唑的混合物(对比例2)可市购，例如由BASF SE 以IrgametTM TTZ市购。
5-氯-1H-苯并三唑(实施例12)可市购。
4,5,6,7-四氢-1H-苯并三唑(实施例14)可市购，例如由BASF SE以 IrgametTM SBT75市购。
对于50mm CMP试验的一般程序
几个对比CMP组合物(对比例1-7)和本发明CMP组合物(实施例8-14) 用于使用来自Allied Hightech的MetPrep 4TM台式研磨/抛光机来抛光50 mm(2英寸)直径的高纯度铜和钽盘(获自Kamis)。
下压力: 1.9psi(6lbf)；
抛光平台/载体速度: 150/110rpm；
浆料流速： 120ml/min；
时间 抛光步骤： 60s；
抛光垫： Fujibo H800NW；
垫调节(离位)： 垫通过用刷子打扫几次而手动调节
冲洗： 10sec.水
在抛光之后，所述盘用去离子水冲洗30秒，并用氮气干燥。
为了测定去除速率，抛光至少三个盘并将由这些试验获得的数据取平均值。
材料去除速率(MRR)使用Mettler Toledo XP 205DeltaRange秤通过在抛光前后毯覆(blanket)金属盘的重量差而测定。重量差可转化为膜厚差：
Figure BDA0000902014800000291
密度： 8.94g/cm3，对于铜
16.65g/cm3，对于钽
表面积： 19.635cm2
测试结果在下表中给出。
浆料制备：
储备溶液
因为一些化学品在水中不容易溶解，事先制备储备溶液。
缓蚀剂： 1重量％，在水中
非离子表面活性剂： 10重量％，在水中
醇： 10重量％，在水中
缓冲剂： 25重量％，在水中
KOH： 10重量％，在水中
制备2.5kg浆料
首先，将1500g去离子水加入烧杯中，然后加入20g丙二酸，搅拌混合物，直至酸溶解。加入KOH(10重量％，在水中)以将pH调节为7。然后，加入62.5g缓蚀剂溶液(1重量％，在水中)、160g丙二醇溶液(10重量％，在水中)、2.5g非离子表面活性剂溶液(10重量％，在水中)。如果存在，加入40g碳酸钾(25重量％，在水中)，通过加入KOH(10重量％，在水中)将pH调节为pH 11，然后缓慢加入250g二氧化硅分散体Fuso PL-3 (20重量％市购产品)。加入KOH以将pH再调节为10.5，加入其余水至最终重量2400g。在密封烧杯中搅拌配制剂15min。
在抛光前，将100g过氧化氢(31重量％)加入配制剂中并搅拌10分钟。
Figure BDA0000902014800000301
Figure BDA0000902014800000311
Figure BDA0000902014800000321
与对比例1-7的CMP组合物相反，在上述CMP试验中，本发明实施例8-14的CMP组合物表现出：
(a)
Figure BDA0000902014800000331
或更大的钽或氮化钽的材料去除速率(MRR)
和
(b)
Figure BDA0000902014800000332
或更小的铜的材料去除速率(MRR)
和
(c)就MRR而言钽或氮化钽相对于铜的6.6或更大的选择性。
在对比例15-20的含有浓度超过本发明CMP组合物的上限的钙离子 (基于相应CMP组合物的总重量为1ppm)的CMP组合物中，在5小时内发生相分离。因此，不能获得抛光数据。
稳定性测试
将本发明各实施例(实施例8-14)的200mL浆料放入烘箱中并在60℃下储存14天，测量pH和平均粒度，与时间无关。
pH：Knick Portamess 911xpH，电极：Schott instruments Blue Line 28
pH校准：Bernd Kraft GmbH(pH4-Art.Nr.03083.3000和pH7-Art.Nr.03086.3000)
MPS：Malvern Instruments GmbH，HPPS 5001
对于本发明实施例(实施例8-14)，没有观察到粒度的显著变化。

Claims (29)

1.一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：
(A)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.0005-0.5重量％的一种或多种式(1)化合物：
Figure FDA0002407142780000011
其中式(1)中的虚线对各自表示双键或各自表示单键，
其中
(i)当式(1)中的每对虚线表示双键时，
R1和R2之一为氢且R1和R2中另一个选自氯、溴和苯甲酰基，或者
R1和R2均独立地选自溴和氯，
和
(ii)当式(1)中的每对虚线表示单键时，
R1和R2为氢，
(B)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.002-10重量％的无机颗粒、有机颗粒或其复合物或混合物，
(C)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.001-10重量％的一种或多种选自有机酸及其盐的络合剂，
(D)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.00001-10重量％的一种或多种非离子表面活性剂，其中一种以上成分(D)非离子表面活性剂中的一种或至少一种选自两亲性非离子表面活性剂，
(E)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.001-10重量％的一种或多种醇，其中一种以上成分(E)醇中的一种或至少一种选自乙烷二醇(乙二醇)、丙烷二醇(丙二醇)和丁烷二醇(丁二醇)，
(F)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.01-20重量％的一种或多种氧化剂，其中一种以上成分(F)氧化剂中的一种或至少一种选自过氧化物、过硫酸盐、高氯酸盐、高溴酸盐、高碘酸盐和高锰酸盐，以及
(I)任选地，总量基于相应CMP组合物的总重量为0.001-10重量％的一种或多种缓冲剂，其中一种以上成分(I)缓冲剂中的一种或至少一种选自碳酸钾或碳酸氢钾，
其中选自镁和钙的阳离子的总量基于相应CMP组合物的总重量为小于1ppm，颗粒(B)为茧状，并且化学机械抛光组合物具有9.5-10.5的pH。
2.根据权利要求1的化学机械抛光组合物，其中(A)一种以上式(1)化合物中的一种或至少一种选自：
5-溴-1H-苯并三唑，
5-苯甲酰基-1H-苯并三唑，
5,6-二溴-1H-苯并三唑，
5-氯-1H-苯并三唑，
4,5,6,7-四氢-1H-苯并三唑。
3.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中组分(B)颗粒为选自氧化铝、二氧化铈、氧化铜、氧化铁、氧化镍、氧化锰、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化锡、二氧化钛、碳化钛、氧化钨、氧化钇、氧化锆及其混合物和复合物的颗粒。
4.根据权利要求2的化学机械抛光(CMP)组合物，其中组分(B)颗粒为选自氧化铝、二氧化铈、氧化铜、氧化铁、氧化镍、氧化锰、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化锡、二氧化钛、碳化钛、氧化钨、氧化钇、氧化锆及其混合物和复合物的颗粒。
5.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中作为络合剂(C)提及的有机酸为选自下组的一种或多种羧酸：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、乙醇酸、乳酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、草酸、肌酸、二甲基甘氨酸、柠檬酸、马来酸、庚二酸、辛二酸、丙三羧酸、对苯二甲酸、3-羟基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、苯甲酸、1,2,4,5-苯四甲酸、邻苯二甲酸、癸二酸和衣康酸。
6.根据权利要求2的化学机械抛光(CMP)组合物，其中作为络合剂(C)提及的有机酸为选自下组的一种或多种羧酸：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、乙醇酸、乳酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、草酸、肌酸、二甲基甘氨酸、柠檬酸、马来酸、庚二酸、辛二酸、丙三羧酸、对苯二甲酸、3-羟基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、苯甲酸、1,2,4,5-苯四甲酸、邻苯二甲酸、癸二酸和衣康酸。
7.根据权利要求3的化学机械抛光(CMP)组合物，其中作为络合剂(C)提及的有机酸为选自下组的一种或多种羧酸：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、乙醇酸、乳酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、草酸、肌酸、二甲基甘氨酸、柠檬酸、马来酸、庚二酸、辛二酸、丙三羧酸、对苯二甲酸、3-羟基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、苯甲酸、1,2,4,5-苯四甲酸、邻苯二甲酸、癸二酸和衣康酸。
8.根据权利要求4的化学机械抛光(CMP)组合物，其中作为络合剂(C)提及的有机酸为选自下组的一种或多种羧酸：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、乙醇酸、乳酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、草酸、肌酸、二甲基甘氨酸、柠檬酸、马来酸、庚二酸、辛二酸、丙三羧酸、对苯二甲酸、3-羟基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、苯甲酸、1,2,4,5-苯四甲酸、邻苯二甲酸、癸二酸和衣康酸。
9.根据权利要求1-8中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述非离子表面活性剂为两亲性非离子聚氧化乙烯-聚氧化丙烯烷基醚表面活性剂，其为平均含有具有11-14个碳原子的烷基以及无规分布的12-20个氧化乙烯单体单元和3-5个氧化丙烯单体单元的分子的混合物。
10.根据权利要求1-8中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述醇为丙二醇。
11.根据权利要求9的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述醇为丙二醇。
12.根据权利要求1-8中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述氧化剂为过氧化氢。
13.根据权利要求9的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述氧化剂为过氧化氢。
14.根据权利要求10的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述氧化剂为过氧化氢。
15.根据权利要求11的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述氧化剂为过氧化氢。
16.根据权利要求1-8中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其中化学机械抛光组合物可通过混合
(H)一种或多种pH调节剂
和化学机械抛光组合物的成分(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)和任选的组分(I)中的全部而获得，
其中一种以上pH调节剂(H)中的一种或至少一种选自硝酸、硫酸、氨、四甲基氢氧化铵、氢氧化钠和氢氧化钾。
17.根据权利要求9的化学机械抛光(CMP)组合物，其中化学机械抛光组合物可通过混合
(H)一种或多种pH调节剂
和化学机械抛光组合物的成分(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)和任选组分(I)中的全部而获得，
其中一种以上pH调节剂(H)中的一种或至少一种选自硝酸、硫酸、氨、四甲基氢氧化铵、氢氧化钠和氢氧化钾。
18.根据权利要求1-8中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：
(A)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.005-0.05重量％的一种或多种式(1)化合物，和/或
(B)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.5-3重量％的无机颗粒、有机颗粒或其复合物或混合物，和/或
(C)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.2-2重量％的一种或多种选自有机酸及其盐的络合剂，和/或
(D)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.005-0.05重量％的一种或多种非离子表面活性剂，和/或
(E)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.3-1.2重量％的一种或多种醇，和/或
(F)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.75-2.5重量％的一种或多种氧化剂，和/或
(I)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.2-1重量％的一种或多种缓冲剂。
19.根据权利要求9的化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：
(A)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.005-0.05重量％的一种或多种式(1)化合物，和/或
(B)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.5-3重量％的无机颗粒、有机颗粒或其复合物或混合物，和/或
(C)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.2-2重量％的一种或多种选自有机酸及其盐的络合剂，和/或
(D)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.005-0.05重量％的一种或多种非离子表面活性剂，和/或
(E)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.3-1.2重量％的一种或多种醇，和/或
(F)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.75-2.5重量％的一种或多种氧化剂，和/或
(I)总量基于相应CMP组合物的总重量为0.2-1重量％的一种或多种缓冲剂。
20.根据权利要求1-8中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其中CMP组合物以基于相应CMP组合物的总重量为小于0.9ppm的总量含有选自镁和钙的阳离子。
21.根据权利要求9的化学机械抛光(CMP)组合物，其中CMP组合物以基于相应CMP组合物的总重量为小于0.9ppm的总量含有选自镁和钙的阳离子。
22.根据权利要求1-8中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其pH值为9.7-10.2。
23.根据权利要求1-8中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其中一种或多种式(1)化合物的总量基于相应CMP组合物的总重量为0.01-0.05重量％。
24.根据权利要求1-8中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其中一种或多种式(1)化合物的总量基于相应CMP组合物的总重量为0.01-0.025重量％。
25.根据权利要求20的化学机械抛光(CMP)组合物，其中CMP组合物以基于相应CMP组合物的总重量为小于0.5ppm的总量含有选自镁和钙的阳离子。
26.根据权利要求20的化学机械抛光(CMP)组合物，其中CMP组合物不含任何选自镁和钙的阳离子。
27.一种制造半导体器件的方法，包括在如权利要求1-26中任一项所限定的化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光基底。
28.根据权利要求27的方法，其中基底包含由钽或氮化钽或钽合金组成的表面区域和/或由铜或铜合金组成的表面区域。
29.式(1)化合物作为缓蚀剂的用途，用于提高根据权利要求1-26中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物自用于制造半导体器件的基底在铜存在于所述基底上而去除钽或氮化钽的选择性：
Figure FDA0002407142780000061
其中式(1)中的虚线对各自表示双键或各自表示单键，
其中
(i)当式(1)中的每对虚线表示双键时，
R1和R2之一为氢且R1和R2中另一个选自氯、溴和苯甲酰基，或者
R1和R2均独立地选自溴和氯，
和
(ii)当式(1)中的每对虚线表示单键时，R1和R2为氢。
CN201480038868.9A 2013-07-11 2014-07-01 包含苯并三唑衍生物作为缓蚀剂的化学机械抛光组合物 Active CN105378011B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13176221.3 2013-07-11
EP13176221 2013-07-11
PCT/IB2014/062747 WO2015004567A2 (en) 2013-07-11 2014-07-01 Chemical-mechanical polishing composition comprising benzotriazole derivatives as corrosion inhibitors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105378011A CN105378011A (zh) 2016-03-02
CN105378011B true CN105378011B (zh) 2020-07-07

Family

ID=48875504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480038868.9A Active CN105378011B (zh) 2013-07-11 2014-07-01 包含苯并三唑衍生物作为缓蚀剂的化学机械抛光组合物

Country Status (10)

Country Link
US (2) US10647900B2 (zh)
EP (1) EP3019569B1 (zh)
JP (2) JP2016529700A (zh)
KR (1) KR102264348B1 (zh)
CN (1) CN105378011B (zh)
IL (1) IL243274B (zh)
RU (1) RU2669598C2 (zh)
SG (1) SG11201600138XA (zh)
TW (1) TWI656201B (zh)
WO (1) WO2015004567A2 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014178426A1 (ja) * 2013-05-02 2014-11-06 富士フイルム株式会社 エッチング方法、これに用いるエッチング液およびエッチング液のキット、ならびに半導体基板製品の製造方法
US9978609B2 (en) * 2015-04-27 2018-05-22 Versum Materials Us, Llc Low dishing copper chemical mechanical planarization
JP6813562B6 (ja) 2015-07-09 2021-02-10 ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアＢａｓｆ Ｓｅ 硬化性組成物
JP6808731B2 (ja) * 2016-06-06 2021-01-06 富士フイルム株式会社 研磨液、化学的機械的研磨方法
WO2018179061A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
US10711158B2 (en) * 2017-09-28 2020-07-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous silica slurry and amine carboxylic acid compositions for use in shallow trench isolation and methods of using them
ES2909449T3 (es) 2018-01-03 2022-05-06 Ecolab Usa Inc Derivados de benzotriazol como inhibidores de la corrosión
JP7209004B2 (ja) 2018-03-28 2023-01-19 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド ルテニウムバリアの化学機械研磨スラリー
CN109015328B (zh) * 2018-08-24 2020-09-18 福达合金材料股份有限公司 一种基于磁力抛光去除铆钉型电触头表面缺陷的方法
CN111116502A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 中国石油化工股份有限公司 一步法合成苯骈三氮唑的方法
TW202028413A (zh) * 2018-12-12 2020-08-01 德商巴斯夫歐洲公司 化學機械拋光含銅和釕的基材
WO2020120522A1 (en) * 2018-12-12 2020-06-18 Basf Se Chemical mechanical polishing of substrates containing copper and ruthenium
KR102261822B1 (ko) * 2019-05-23 2021-06-08 에스케이씨솔믹스 주식회사 결함 발생이 감소된 cmp 슬러리 조성물 및 이의 제조방법
CN110205633A (zh) * 2019-07-08 2019-09-06 威海翔泽新材料科技有限公司 一种耐卤素铜缓蚀剂及其制备方法
JP7215977B2 (ja) * 2019-08-08 2023-01-31 日揮触媒化成株式会社 セリア系複合微粒子分散液、その製造方法及びセリア系複合微粒子分散液を含む研磨用砥粒分散液
CN113122143B (zh) * 2019-12-31 2024-03-08 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其在铜抛光中的应用
CN113122144A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
US11525071B2 (en) * 2020-03-30 2022-12-13 Fujimi Incorporated Polishing composition based on mixture of colloidal silica particles
DE102020124843A1 (de) 2020-09-23 2022-03-24 MWK Bionik GmbH Mehrkomponenten-Zusammensetzung zur Oberflächenbehandlung
DE102020124845A1 (de) 2020-09-23 2022-03-24 MWK Bionik GmbH Mehrkomponenten-Zusammensetzung zur Oberflächenbehandlung
KR20220058069A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 주식회사 이엔에프테크놀로지 세정제 조성물 및 이를 이용한 세정방법
CN114591686B (zh) * 2022-03-11 2023-05-26 万华化学集团电子材料有限公司 一种铜阻挡层化学机械抛光液及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA747619A (en) * 1966-12-06 K. Howard Donald Abrasive metal-polishing compositions
CN1902291A (zh) * 2003-11-14 2007-01-24 昭和电工株式会社 抛光组合物和抛光方法
TW201307540A (zh) * 2011-03-30 2013-02-16 Fujimi Inc 研磨用組成物及研磨方法
CN103154168A (zh) * 2010-08-09 2013-06-12 福吉米株式会社 研磨用组合物及研磨方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4744950A (en) * 1984-06-26 1988-05-17 Betz Laboratories, Inc. Method of inhibiting the corrosion of copper in aqueous mediums
US6258137B1 (en) * 1992-02-05 2001-07-10 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. CMP products
US5874026A (en) * 1997-12-01 1999-02-23 Calgon Corporation Method of forming corrosion inhibiting films with hydrogenated benzotriazole derivatives
JPH11277380A (ja) * 1998-03-26 1999-10-12 Asahi Denka Kogyo Kk 半導体製品の表面研磨システム
US6375693B1 (en) * 1999-05-07 2002-04-23 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical planarization of barriers or liners for copper metallurgy
JP3899456B2 (ja) 2001-10-19 2007-03-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JPWO2003038883A1 (ja) 2001-10-31 2005-02-24 日立化成工業株式会社 研磨液及び研磨方法
JP2003142435A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6821309B2 (en) * 2002-02-22 2004-11-23 University Of Florida Chemical-mechanical polishing slurry for polishing of copper or silver films
US6812167B2 (en) * 2002-06-05 2004-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for improving adhesion between dielectric material layers
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
US20040175942A1 (en) 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
US7485241B2 (en) * 2003-09-11 2009-02-03 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same
US7153335B2 (en) 2003-10-10 2006-12-26 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Tunable composition and method for chemical-mechanical planarization with aspartic acid/tolyltriazole
US20050090104A1 (en) * 2003-10-27 2005-04-28 Kai Yang Slurry compositions for chemical mechanical polishing of copper and barrier films
TW200521217A (en) 2003-11-14 2005-07-01 Showa Denko Kk Polishing composition and polishing method
JP2005294798A (ja) 2004-03-08 2005-10-20 Asahi Glass Co Ltd 研磨剤および研磨方法
CN100468647C (zh) * 2004-03-08 2009-03-11 旭硝子株式会社 研磨剂以及研磨方法
JP2006100538A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
CN1280606C (zh) * 2004-09-30 2006-10-18 中国科学院武汉岩土力学研究所 冻土沉降钻孔监测的方法及其装置
CA2586083A1 (en) * 2004-11-22 2006-05-26 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Benzotriazole compositions
US20060118760A1 (en) 2004-12-03 2006-06-08 Yang Andy C Slurry composition and methods for chemical mechanical polishing
US20060276041A1 (en) * 2005-05-17 2006-12-07 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method, and kit for preparing chemical mechanical polishing aqueous dispersion
JP2007214155A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Fujifilm Corp バリア用研磨液及び化学的機械的研磨方法
JP2007227670A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Fujifilm Corp 化学的機械的研磨方法
JP5180185B2 (ja) * 2006-03-31 2013-04-10 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 改良された平坦化のためのポリマー抑制剤
US20070249167A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-25 Cabot Microelectronics Corporation CMP method for copper-containing substrates
US20080067077A1 (en) 2006-09-04 2008-03-20 Akira Kodera Electrolytic liquid for electrolytic polishing and electrolytic polishing method
US8557681B2 (en) * 2006-10-30 2013-10-15 International Rectifier Corporation III-nitride wafer fabrication
US20080105652A1 (en) 2006-11-02 2008-05-08 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium/tantalum substrates
WO2009008431A1 (ja) * 2007-07-10 2009-01-15 Hitachi Chemical Co., Ltd. 金属膜用研磨液及び研磨方法
JP2009087981A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Fujifilm Corp 研磨液及び研磨方法
US8435421B2 (en) * 2007-11-27 2013-05-07 Cabot Microelectronics Corporation Metal-passivating CMP compositions and methods
JP5314329B2 (ja) * 2008-06-12 2013-10-16 富士フイルム株式会社 研磨液
JP5448396B2 (ja) * 2008-09-05 2014-03-19 富士フイルム株式会社 金属用研磨液
WO2010053096A1 (ja) * 2008-11-06 2010-05-14 花王株式会社 磁気ディスク基板用研磨液組成物
JP2011017752A (ja) 2009-07-07 2011-01-27 Brother Industries Ltd 画像形成装置
JP5587620B2 (ja) * 2010-01-25 2014-09-10 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP2013138053A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP6222907B2 (ja) * 2012-09-06 2017-11-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA747619A (en) * 1966-12-06 K. Howard Donald Abrasive metal-polishing compositions
CN1902291A (zh) * 2003-11-14 2007-01-24 昭和电工株式会社 抛光组合物和抛光方法
CN1902292A (zh) * 2003-11-14 2007-01-24 昭和电工株式会社 抛光组合物和抛光方法
CN103154168A (zh) * 2010-08-09 2013-06-12 福吉米株式会社 研磨用组合物及研磨方法
TW201307540A (zh) * 2011-03-30 2013-02-16 Fujimi Inc 研磨用組成物及研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105378011A (zh) 2016-03-02
US11168239B2 (en) 2021-11-09
EP3019569A2 (en) 2016-05-18
JP2016529700A (ja) 2016-09-23
EP3019569A4 (en) 2017-05-03
IL243274A0 (en) 2016-02-29
TWI656201B (zh) 2019-04-11
US20160200943A1 (en) 2016-07-14
US10647900B2 (en) 2020-05-12
RU2669598C2 (ru) 2018-10-12
TW201512382A (zh) 2015-04-01
KR102264348B1 (ko) 2021-06-11
JP6771060B2 (ja) 2020-10-21
WO2015004567A2 (en) 2015-01-15
RU2016104422A (ru) 2017-08-16
WO2015004567A3 (en) 2015-05-14
KR20160030566A (ko) 2016-03-18
US20200255713A1 (en) 2020-08-13
JP2019143147A (ja) 2019-08-29
EP3019569B1 (en) 2018-05-30
SG11201600138XA (en) 2016-02-26
IL243274B (en) 2019-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105378011B (zh) 包含苯并三唑衍生物作为缓蚀剂的化学机械抛光组合物
CN106661382B (zh) 化学机械抛光(cmp)组合物
EP3055376B1 (en) Mixed abrasive polishing compositions
US8980750B2 (en) Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a non-ionic surfactant and a carbonate salt
JP6125630B2 (ja) Ｃｍｐ組成物及びそれを使用する方法、半導体装置の製造方法
US9263296B2 (en) Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising two types of corrosion inhibitors
US20140011362A1 (en) Chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a non-ionic surfactant and an aromatic compound comprising at least one acid group
TWI601794B (zh) 包含非離子性界面活性劑及含有至少一個酸基團之芳香化合物之化學機械拋光（ｃｍｐ）組合物
US9496146B2 (en) Method for forming through-base wafer vias
CN113195656A (zh) 含有铜和钌的基材的化学机械抛光
CN113195657A (zh) 含有铜和钌的基材的化学机械抛光
CN113242890A (zh) 含有铜和钌的基材的化学机械抛光

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant