CN105324831A

CN105324831A - 针对maldi质谱的制备强化和使用方法

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Publication number: CN105324831A
Application number: CN201480014567.2A
Authority: CN
Inventors: T·贝克; S·伯肯坎普
Original assignee: Agena Bioscience Inc
Current assignee: Agena Bioscience Inc
Priority date: 2013-03-13
Filing date: 2014-03-03
Publication date: 2016-02-10
Anticipated expiration: 2034-03-03
Also published as: CA3037727A1; US9305756B2; EP2973651B1; AU2014249722A1; AU2014249722B2; US20190122876A1; EP2973651A2; WO2014164026A2; CA2902323A1; WO2014164026A3; US10204771B2; CN105324831B; US20140260700A1; CN108918647A; US20160329199A1; CA2902323C

Abstract

本文提供可用于通过基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)在基底上制备并分析样品的组合物和方法。在一些实施方式中，本文提供的组合物包括基底、基质和纳米粒子，且有时包括一种或多种添加剂及有时包括分析物。本文提供的组合物有时包括含有二氧化硅或者由二氧化硅构成的纳米粒子。

Description

针对MALDI质谱的制备强化和使用方法

相关申请

本专利申请请求2013年3月13日提交的美国专利申请13/801,526的权益，该申请的发明人为T·贝克(ThomasBecker)和S·伯肯坎普(StefanBerkenkamp)，题为“针对MALDI质谱的制备强化和使用方法”，其代理人案卷号为SEQ-6061-UTt。前述专利申请的全部内容通过引用纳入本文，包括其文本、表格和附图。

技术领域

本技术涉及基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱。

描述

质谱可用来分析分子分析物，如肽、蛋白质、聚合物、DNA、RNA、完整细菌或细胞、碳水化合物、糖和其它分子。已有多种质谱形式，并可供应用。在一种特定类型的质谱形式中，利用基质辅助激光解吸电离(MALDI)来使分析物挥发并离子化。MALDI质谱一般涉及基质材料的运用，在分析物挥发和离子化用以质谱分析前，基质材料通常是晶体形式。MALDI质谱经常涉及飞行时间(TOF)质谱仪的使用，该质谱仪能于不同时间在离子通过质谱仪后检测这些离子。

本文提供的是可用于基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)的组合物和基底。

一些方面提供了包含纳米粒子的组合物(例如，液体组合物)。不局限于理论，含MALDI基质的液体组合物中的纳米粒子可增强基质的晶体均一性，部分是通过为基质结晶提供相对均一的晶种表面来实现。含MALDI基质的组合物有时是包含纳米粒子的液态溶液，而有时所述液体溶液被作为样品点样到基底上并呈现为特定区域处的斑点。适于进行MALDIMS的任何基质都可包括在含纳米粒子的组合物中，而且可包括一种或多种类型的基质和一种或多种类型的纳米粒子。包括在组合物中的基质有时是疏水性MALDI基质。含纳米粒子和MALDI基质的组合物有时不包括分析物，而有时包括一种或多种分析物。含纳米粒子和MALDI基质的组合物有时含有一种或多种添加剂。任何合适的添加剂都可包括在组合物中，组合物有时包括自由基清除剂(例如抗坏血酸)、草酸盐(例如草酸铵)或其组合。

某些方面还提供基底，其含有在基底上或基底内构造成将样品分隔到所述基底特定区域的结构拓扑学。不局限于理论，此类拓扑结构可随样品干燥而将样品分隔至基底的特定区域。在干燥时，样品有时从基本液体形式转换成基本晶体形式。表面拓扑结构可将样品锚定在基底上的一处或多处区域，这些区域往往排列成基底上阵列中的等距离位点。本文描述的表面拓扑结构可以通过限定样品在基底上的位置来增强针对这些样品的MS数据获取。如下文进一步详述的，本文描述的表面拓扑结构还可增强MS基底上样品的结晶均一性并通过降低离子飞行时间差异来进一步强化MALDI-TOFMS数据。

质谱基底有时包含基本平面的表面和多个拓扑构造部，每个拓扑构造部构造成将某样品保持在基底上某区域。样品可含有分析物、纳米粒子、基质、添加剂等等及其组合。基底上的每个区域可含有一个或多个拓扑构造部，每个拓扑构造部在本文中也称作容留结构。构造成分隔样品的任何类型容留结构或多种容留结构的组合都可存在于基底上的某一区域处。容留结构有时是基底上干扰样品移动的结构性障碍物(例如，平坦或基本平坦基底上的凹陷或凸起)。容留结构有时起到障碍物的作用，该障碍物通过化学相互作用、表面能量相互作用、表面纹理相互作用等等或其组合来干扰样品移动。

某些方面还提供基底与样品或斑点的多种组合，所述基底含本文所述表面拓扑结构，所述样品或斑点包含纳米粒子和MALDI基质。包含纳米粒子和MALDI基质的样品或斑点有时包含分析物而有时不含分析物。

某些方面还提供通过MALDIMS对分析物进行分析的方法，这些方法利用本文所述包含表面拓扑构造部的基底和/或含有纳米粒子和MALDI基质的组合物。能通过MALDIMS分析的任何分析物都可得以评估。分析物的非限制性示例包括核苷酸，寡核苷酸，多核苷酸，核酸，肽，蛋白质，聚合物(例如合成聚合物、工业聚合物、塑料聚合物)，糖类(saccharide)，多糖，糖(sugar)，碳水化合物，凝集素，脂质，糖蛋白，脂蛋白，小分子，小化学体，代谢物，天然产物，药物，偶联物等等及其组合。核酸的非限制性示例包括脱氧核糖核酸(DNA)、核糖核酸(RNA)、蛋白核酸(PNA)、单链核酸、双链核酸等。核酸分析物有时具有约5-约10,000个碱基对、约100-约1,000个碱基对、约100-500个碱基对或约10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、2000、3000、4000、5000、6000、7000、8000或9000个碱基对的标称、平均或算术均值(nominal，averageormean)长度。

下文进一步详述这些方面和其它方面与实施方式。

含纳米粒子和基质的组合物

含纳米粒子和基质的组合物(纳米粒子/基质组合物)可以多种形式提供和利用。纳米粒子/基质组合物有时以固体形式、晶体形式、液体形式等等及其组合形式提供。样品有时包含分析物、基质组合物(例如，纳米粒子/基质组合物)或其组合。基质组合物通常包括MALDIMS基质，往往含有纳米粒子，并有时含有一种或多种添加剂。

纳米粒子/基质组合物有时用作针对MS分析制备样品的试剂。纳米粒子/基质组合物有时以液体形式或固体形式(例如，晶体形式)提供，且用户可利用所述组合物来制备用于MS分析的基底。在非限制性的示例中，在MS分析准备中，用户可将分析物与液体或固体形式的纳米粒子/基质组合物混合，然后将所述混合物置于MS基底上的一处或多处区域。分析物组合物和纳米粒子/基质组合物其一或两者在它们被混合时一般为液体形式。另一非限制性示例中，用户可将液体形式的纳米粒子/基质组合物置于MS基底上的一处或多处区域，并将该基底暴露于使组合物中的基质结晶的条件下。此后，用户可将分析物置于这种含所述纳米粒子/基质组合物的基底的一处或多处区域。基底上的多个区域有时包含相同组合物或不同组合物，并且基底上区域的某个子集有时包含不同的组合物(例如，不同量的一种或多种样品组分，不同的样品组分(例如不同分析物))。本文所述的纳米粒子/基质组合物有时包括纳米粒子和基质以外的组分，且有时包括添加剂、分析物等等及其组合。纳米粒子/基质组合物可存在于流体处理容器(例如，管)内，流体分配装置(例如，手动或自动分配器)内和/或基底的一个或多个区域处。

有时提供包含纳米粒子/基质组合物的MALDIMS基底，且所述纳米粒子/基质组合物有时以结晶形式存在于基底的一个或多个区域处。利用此类基底的用户可将分析物置于含有所述纳米粒子/基质组合物的一个或多个区域处，然后利用所得基底进行MALDIMS分析。在此类情况中，分析物的放置往往使所述分析物施加处基底上区域处的结晶基质溶解，且所述样品通常随后重结晶。相应地，基底上的结晶体通常包括基质和纳米粒子并有时包括分析物。因此，用户可将分析物放置到基本结晶形式的含基质和纳米粒子基底的一个或多个区域处，并且所得样品可重结晶(例如，基质和分析物可共结晶)。

在表面拓扑结构以外，纳米粒子可增强基质晶体均一性并增强MALDI-TOFMS分析。基质晶体异质性(例如，晶体拓扑结构不平整)会对MALDIMS谱图有负面影响。某区域处结晶基质厚度(即，z-方向)的分布均一性的改善可获得飞行时间的较低差异性，往往得到更高品质(例如，更高分辨率)的MALDI-TOF质谱图。不局限于理论，纳米粒子可通过提供规律且多重的晶种表面来提高基质晶体同质性。

纳米粒子有时独立地具有约1纳米(nm)到约100nm，约5nm到约30nm，或约10nm到约20nm(例如，约10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或约20nm)或约15nm的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径。组合物包括两种或更多种不同类型的纳米粒子(例如，2、3、4、5、6、7、8、9、10类纳米粒子)时，每种类型的纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径可以相同或不同。

纳米粒子有时由一种或多种准金属组成，基本由其组成或包含一种或多种准金属，其非限制性示例包括硼和硅等等及其组合。“基本组成”为准金属的纳米粒子可含有以不可检测水平或相对低水平存在的一种或多种非准金属污染物(例如，其存在水平是所述准金属含量的约10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％或更低，例如，所述准金属的约1ppm、0.1ppm、0.01ppm、0.001ppm、0.0001ppm、0.00001ppm或更低)。纳米粒子有时由硅组成，基本由硅组成或包含硅(例如，二氧化硅(即SiO₂))。纳米粒子有时由热解二氧化硅粒子组合或基本由其组成。

纳米粒子有时是金属(即，由一种或多种金属组成)，基本由一种或多种金属组成或包含一种或多种金属。金属的非限制性示例包括铁、金、银、铂、铝、钛、钽、钒等等及其组合。“基本组成”为金属的纳米粒子可含有以相对低水平存在的一种或多种非金属污染物(例如，其存在水平低于所述金属含量的约10％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％或0.00001％或更低)。纳米粒子有时含有铁(例如Fe₃O₄)、二氧化钛(例如TiO₂)等等或其组合，由其组成或基本由其组成。纳米粒子有时不含金属或基本不含金属。基本不含金属的纳米粒子可以含有非显著含量的金属或不可检测含量的金属。基本不含金属的纳米粒子可以含有痕量金属污染物。痕量可以是低于约10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％或更低。在一些实施方式中，痕量是低于约1ppm、0.1ppm、0.01ppm、0.001ppm、0.0001ppm、0.00001ppm或更低。

纳米粒子有时是聚合物(即，由一种或多种聚合物组成)，基本由一种或多种聚合物组成或包含一种或多种聚合物。聚合物的非限制性示例包括聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚氯乙烯(PVC)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯乙烯(PS)、高密度聚苯乙烯、丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物、交联的聚硅氧烷、聚氨酯、基于(甲基)丙烯酸酯的聚合物、纤维素和纤维素衍生物、聚碳酸酯、ABS、四氟乙烯聚合物、聚(2-羟基甲基丙烯酸乙酯)、聚(N-乙烯基-吡咯烷酮)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(乙烯醇)、聚(丙烯酸)、聚丙烯酰胺、聚(乙烯-共聚-乙酸乙烯酯)、聚乙二醇、聚甲基丙烯酸酯、聚丙交酯(PLA)、聚乙交酯(PGA)、乙丙交酯共聚物(PLGA)、聚酐、聚原酸酯、聚氰基丙烯酸酯、聚己内酯等，其共聚物以及前述的组合。“基本组成”为聚合物的纳米粒子可含有以相对低水平存在的一种或多种非聚合物污染物(例如，其存在水平低于所述聚合物含量的约10％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％或低于约0.00001％)。在一些实施方式中，纳米粒子不含聚合物或基本不含聚合物。基本不含聚合物的纳米粒子可以含有非显著含量的聚合物或不可检测含量的聚合物。基本不含聚合物的纳米粒子可以含有痕量聚合物污染物。痕量可以是低于约10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％或更低。在一些实施方式中，痕量是低于约1ppm、0.1ppm、0.01ppm、0.001ppm、0.0001ppm、0.00001ppm或更低。

纳米粒子往往是惰性或基本惰性的，且往往不缔合或显著缔合另一分子(例如，分析物、基质、添加剂)。基本惰性的纳米粒子或者不与另一分子显著缔合的纳米粒子通常在很大程度上对与另一分子反应(例如，分析物、另一纳米粒子、基质、添加剂等或其组合)是抗性的。有时在纳米粒子和另一分子之间有最小量的相互作用，且此类相互作用一般不会干扰为分析物产生MS信号。例如，纳米粒子和另一分子之间的相互作用通常不会产生能与分析物所产生的MS信号有重叠、使其显著偏移或将其遮蔽的MS信号。惰性或基本惰性的纳米粒子材料往往对于和分析物形成加成物是抗性的。纳米粒子往往对于和其它纳米粒子形成多聚体是抗性的。纳米粒子往往不会与另一分子形成共价键。纳米粒子有时与另一分子(例如，分析物)形成弱至中等的非共价相互作用，其非限制性示例包括范德华相互作用、氢键、弱的离子相互作用、弱的静电相互作用和/或亲水或疏水相互作用。纳米粒子往往缺乏官能团，且往往未用官能团衍生化。纳米粒子往往不在MALDIMS谱图中给出信号。组合物中的纳米粒子(i)往往不结合至另一分子，(ii)往往不物理结合至另一分子，(iii)往往不化学结合至另一分子，(iv)往往不吸附至另一分子，和/或(v)往往不与接头相缔合。

组合物中的纳米粒子往往不与基质相缔合，也往往不与基质共价连接。组合物中的纳米粒子往往不与分析物(例如，肽或蛋白质)相缔合，且纳米粒子往往不与分析物共价连接(例如，不共价连接至肽或蛋白质)。组合物往往基本不含与基质或纳米粒子或者基质以及纳米粒子反应的组分或多组分，以及将基质共价连接至纳米粒子的组分或多组分。组合物中的纳米粒子(i)往往不结合至基质，(ii)往往不物理结合至基质，(iii)往往不化学结合至基质，(iv)往往不吸附至基质，和/或(v)往往不结合至接头。

可利用合适的方法来制备纳米粒子/基质组合物。纳米粒子有时悬浮在合适的溶剂(例如，水)中，且纳米粒子有时不溶于溶剂(例如，不溶于水)并作为悬浮液提供。纳米粒子有时以液体形式(例如，水)悬浮，并与基质溶液相混。在一些实施方式中，纳米粒子基本不含杂质并因此无需纯化。纳米粒子有时并非基本纯的，并可通过适当的方法进一步纯化来去除杂质，例如通过离子交换树脂纯化。在一些实施方式中，纳米粒子直接(例如，以干的形式)添加至基质溶液。

纳米粒子有时添加至基质溶液到终浓度约1微克/毫升(μg/ml)至约500μg/ml。纳米粒子有时添加至基质溶液到终浓度约75μg/ml至约300μg/ml。纳米粒子可添加至基质溶液到终浓度约125μg/ml至约250μg/ml。纳米粒子有时添加至基质溶液到终浓度约100、125、130、135、140、145、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195、200、205、210、215、220、225、230、235、240、245、250、255、260、265、270、275、280、285、290、295或约300μg/ml。纳米粒子/基质溶液有时饱和有纳米粒子。

组合物(例如，置于基底上的样品)有时含有约0.001纳克(ng；或约1皮克(pg))到约10,000ng(或约10微克(μg))、约10pg到约5μg、约20pg到约2.5μg、约1ng到约500ng、或约1ng到约100ng的纳米粒子。在一些实施方式中，组合物含有约1、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、125、130、135、140、145、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195、200、205、210、215、220、225、230、235、240、245、250、255、260、265、270、275、280、285、290、295或300ng的纳米粒子。在某些实施方式中，组合物含有约1、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、125、130、135、140、145、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195、200、205、210、215、220、225、230、235、240、245、250、255、260、265、270、275、280、285、290、295或300pg的纳米粒子。在一些实施方式中，组合物含有约1、2、3、4、5、6、7、8、9或10μg的纳米粒子。

可利用适于MADLIMS的任何基质来制备纳米粒子/基质组合物。基质一般是能量吸收性(例如，IR或UV-吸收性)物质，其吸收来自能量源(例如，激光)的能量，从而能使分析物从基底解吸。基质往往根据待通过MALDIMS分析的分析物类型来选用，且有时利用适于分析核酸的基质，适于分析肽或蛋白质的基质，或者适于分析聚合物的基质。所选基质往往是极性基质而有时是非极性基质(例如，α-氰基-4-羟基肉桂酸(α-CHCA))。可包含在纳米粒子/基质组合物中的基质的非限制性示例包括3-羟基吡啶甲酸(3-HPA)、2,5-二羟基苯甲酸(DHB)、α-氰基-4-羟基肉桂酸(α-CHCA)、吡啶甲酸(PA)、3-氨基吡啶甲酸、3-吡啶甲酸、2,4,6-三羟基苯乙酮(THAP)、邻氨基苯甲酸、烟酸、羟基苄胺、1-异喹啉醇、反-2-(3-(4-叔丁基-苯基)-2-甲基-2-亚丙烯基)丙二腈(DCTB)、芥子酸(SA)、蒽三酚(DIT)、3-氨基喹啉、反式-3-吲哚丙烯酸(IAA)、2-(4-羟基苯偶氮)苯甲酸(HABA)、琥珀酸、2,6-二羟基苯乙酮、阿魏酸、咖啡酸、丙三醇、硝基苯胺等及其组合。

纳米粒子/基质组合物可包括一种或多种类型的基质(例如，1、2、3、4、5、6、7、8、9、10类基质)。组合物中某类基质的量有时针对待分析的分析物有优化。在某些实施方式中，组合物(例如，置于基底区域处的溶液)中基质的总浓度是约1mg/ml到约200mg/ml，约1mg/ml到约200mg/ml的基质，或约40mg/ml到约100mg/ml基质(例如，约40mg/ml、45mg/ml、50mg/ml、55mg/ml、60mg/ml、65mg/ml、70mg/ml、75mg/ml、80mg/ml、85mg/ml、90mg/ml、95mg/ml或100mg/ml的基质)。在一些实施方式中，组合物中基质的总浓度是约1mM到约1M(例如，约5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、150、200、250、300、350、400、450、500、550、600、700、800或900mM基质)。

在纳米粒子/基质组合物中，基质有时主要为液体或固体形式。基质(例如，固体(如结晶)或液体形式)有时溶解和/或悬浮在合适的溶剂中，合适溶剂的非限制性示例包括水，醇(例如，甲醇、丙醇、乙醇)，丙酮，氯仿，乙腈，三氟乙酸等及其组合。主要为固体形式的基质有时主要为晶体形式。基质的晶体形式往往含有固体和一些溶剂。晶体可包括基质、纳米粒子、添加剂、分析物、溶剂(如水)等或其组合。基本为晶体形式的基质的制备条件是已知的，并在此有描述。

在一些实施方式中，组合物包含基质和纳米粒子(例如，在放置到基底某区域之前或之后)，其基质对纳米粒子之比(例如，摩尔比或摩尔浓度比)为约0.1:1到约30,000:1，约1:1到约20,000:1，约10:1到约20,000:1含有30:1到约20,000:1。在一些实施方式中，溶液或斑点含有基质和纳米粒子之比(例如，摩尔比或摩尔浓度比)为约1000:1、900:1、800:1、700:1、600:1、500:1、400:1、350:1、330:1、300:1、250:1、225:1、200:1、175:1、150:1、125:1、100:1、75:1、50:1、40:1、30:1、20:1、15:1、10:1或1:1。比值有时基于重量对重量(例如，mg对mg)，基于摩尔对摩尔，基于浓度对浓度(例如，mg/ml对mg/ml，克分子浓度对克分子浓度)或有时基于重量对体积(例如，mg对ml)来确定。对于组合物中包含多种类型基质或多种类型纳米粒子的实施方式而言，比值适用于总基质和总纳米粒子。

纳米粒子/基质组合物有时在基质以外还含有添加剂。添加剂有时通过促进电离和/或样品制备来改善MALDIMS谱图品质。添加剂有时降低加成物形成和/或改善样品结晶。

添加剂有时是自由基清除剂。可采用适用于MALDIMS的自由基清除剂，其非限制性示例包括抗坏血酸、视黄醇、生育三烯酚、生育酚、辅酶Q10、褪黑素、番茄红素、叶黄素、α-胡萝卜素、β-胡萝卜素、玉米黄素、虾青素、角黄素、黄酮(例如，木犀草素、芹黄素、桔皮素)、黄酮醇(例如，槲皮素、山萘酚、杨梅酮、异鼠李素、原花青素)、黄烷酮(favanones)(例如橙皮素(hasperetin)、柚皮素、圣草酚)、异黄酮植物雌激素(例如染料木黄酮、大豆黄素、黄豆黄素)、芪类化合物(stilbenoids)(例如白藜芦醇、紫檀芪)、花色苷(例如花青素(cyaniding)、翠雀素、二甲花翠素、花葵素、甲基花青素、矮牵牛素)、酚酸和酯(例如鞣花酸、没食子酸、水杨酸、迷迭香酸、肉桂酸、绿原酸、菊苣酸、没食子鞣质、鞣花鞣质)、非黄酮类酚类化合物(nonfalvonoidphenolics)(例如姜黄素、咕吨酮、水飞蓟素、丁子香酚)和有机抗氧化剂(例如柠檬酸、草酸、植酸、木酚素、尿酸、N-乙酰半胱氨酸)等及其组合。添加剂有时是柠檬酸铵(AC)、柠檬酸二铵(DAC)、草酸铵(AO)等或其组合。添加剂的非限制示例如美国专利第7,888,127号所描述，其发明人为T·贝克(ThomasBecker)，题为“针对质谱分析用于减少加成物形成的方法(METHODSFORREDUCINGADDUCTFORMATIONFORMASSSPECTROMETRYANALYSIS)”。

添加剂可以溶解或悬浮在合适的溶剂(例如，水)中，并有时在与组合物中的基质混合时为液体形式。添加剂有时基本不含杂质且为纯化的，而有时添加剂并非基本纯的并通过合适方法纯化来去除杂质(例如，通过离子交换树脂纯化)。添加剂(例如，以固体或液体形式)有时与含有基质的液体组合物混合。添加剂可以(i)先与基质混合后，再将所述基质与纳米粒子相混，(ii)与基质混合于所述基质与纳米粒子相混之后，(iii)先与基质混合，再将分析物与所述基质相混，或(iv)先与基质混合后，再将样品置于基底上。添加剂往往在将样品置于基底上之前与基质在溶液中混合，所述溶液可基本由基质组成(即，基质可能以相对低的量(例如，基质含量的约10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％或更低，例如基质的约1ppm、0.1ppm、0.01ppm、0.001ppm、0.0001ppm、0.00001ppm或更低)含有一种或多种非基本的杂质)。

添加剂有时以约1％到90％(wt/wt)或约10％到约40％(wt/wt)(例如，约10％、15％、20％、25％30％、35％或40％)的量存在于纳米粒子/基质组合物中。此含量的分析物有时先于将样品置于基底上已存在于样品中。添加剂有时添加至含有约10微克每毫升(μg/ml)到约400μg/ml的基质，约75μg/ml到约300μg/ml的基质，或约100μg/ml到约250μg/ml的基质(例如，约100、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240或约250μg/ml基质)的组合物中。前一语句提及的基质含量适用于含有一类基质的组合物和含有某一总量多种类型基质的组合物。添加剂有时相对于基质的摩尔比(即，添加剂摩尔数对质谱基质摩尔数)为约1:1到约1:25(例如，约1:20、1:19、1:18、1:17、1:16、1:15、1:14、1:13、1:12、1:11、1:10、1:9、1:8、1:7、1:6、1:5、1:4、1:3或1:2)。

纳米粒子/基质组合物有时含有3-HPA并可选有抗坏血酸和/或草酸铵。在一些实施方式中，3-HPA以约100mM到约500mM，约150mM到约300mM，或约225mM的浓度存在于纳米粒子/基质组合物中(例如，150mM、160mM、170mM、180mM、190mM、200mM、210mM、220mM、230mM、240mM、250mM、260mM、270mM、280mM、290mM或约300mM)。纳米粒子/基质组合物有时含有抗坏血酸和/或草酸铵，其各自的浓度为约0.5mM到约500mM或5mM到约100mM(例如，约5mM、10mM、15mM、20mM、25mM、30mM、35mM、40mM、45mM或约50mM)。在某些纳米粒子/基质组合物中，3-HPA以约200到约250mM存在，抗坏血酸以约15到约25mM存在，且草酸铵以约15到约25mM存在。纳米粒子/基质组合物有时含有3-HPA、抗坏血酸、草酸铵和含SiO₂的纳米粒子，基本由它们组成，或者由它们组成，并可选包含分析物。“基本组成”为3-HPA、抗坏血酸、草酸铵与纳米粒子和可选分析物的组合物可以含有以相对低水平存在(例如，低于3-HPA、抗坏血酸、草酸铵与纳米粒子和可选分析物的合并含量的约10％、1％、0.1％0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％)的一种或多种污染物。

基底

基底一般是不溶性支持物，其上可放置样品并通过MALDIMS或其它合适的MS形式来分析。基底有时含有平坦的表面或者基本平坦的表面，其构造成在多个离散区域接收一种或多种样品。区域有时在本文中称为位点、位置或区位。

在一些实施方式中，区域包括构造成放置样品后将样品保持在所述区域的拓扑结构或构造部。因此，拓扑结构或构造部往往在本文中称作容留结构。基底和基底的区域可包括构造成分隔样品的任何容留结构或多个容留结构的组合。容留结构往往构造成在样品被置于基底上和所述样品于区域处干燥(例如，并结晶)时分隔该样品。容留结构往往构造成在样品干燥(例如，并结晶)后容纳该样品。对于基底上晶体形式的含有基质和纳米粒子的样品，某些实施方式中基本全部的晶体形式是在各容留结构内，且基本没有晶体形式位于各容留结构外。

容留结构有时是基底上干扰样品移动的结构性障碍物(例如，平坦或基本平坦基底上的凹陷或凸起)。容留结构有时是障碍物，该障碍物通过化学相互作用、表面能量相互作用(例如，亲水相互作用、疏水相互作用或其组合)、表面纹理相互作用等等或其组合来干扰样品移动。相应地，容留结构有时包含置于基底内或基底上的凹陷(例如，井(well))，置于基底上或基底内的凸起(例如，凸柱)，表面能量不同于基底上相邻表面处表面能量的表面(本文称作“差异表面能量区位”)，具有的纹理(例如，粗糙度)不同于相邻表面处纹理的表面(本文称作“差异纹理区位”)等等及其组合。例如，凹陷或凸起可包括与相对疏水的表面邻接的相对亲水的表面(例如，凹陷或者井可包括相对亲水的某表面(例如，底表面)和相对疏水的另一表面(例如，壁表面))。

不包括容留结构的基底区位的表面有时(i)是平坦或基本平坦的，且有时基本没有抬升，基本没有高度差异和/或基本没有凹陷，(ii)是基本光滑的，(iii)包括独立选自下组的一个或多个构造部：蚀刻、光致抗蚀、偏离表面、脊、凸起、凸柱、销、台、凹陷、凹痕、井、抬升井、亲水表面(例如相对亲水的表面)、疏水表面(例如相对疏水的表面)、粗糙表面(例如相对粗糙的表面)、光滑表面(例如相对光滑的表面)等，(iv)不包括独立选自下组的一个或多个构造部：蚀刻、光致抗蚀、偏离表面、脊、凸起、凸柱、销、台、凹陷、凹痕、井、抬升井、亲水表面(例如相对亲水的表面)、疏水表面(例如相对疏水的表面)、粗糙表面(例如相对粗糙的表面)、光滑表面(例如相对光滑的表面)等。包括容留结构的区域有时(i)是平坦或基本平坦的，且有时基本没有抬升，基本没有高度差异和/或基本没有凹陷，(ii)是基本光滑的，(iii)包括独立选自下组的一个或多个构造部：蚀刻、光致抗蚀、偏离表面、凸起(例如脊、凸柱、销、台)、凹陷(例如凹痕、坑、井)、抬升井、亲水表面(例如相对亲水的表面)、疏水表面(例如相对疏水的表面)、粗糙表面(例如相对粗糙的表面)、光滑表面(例如相对光滑的表面)等，(iv)不包括独立选自下组的一个或多个构造部：蚀刻、光致抗蚀、偏离表面、脊、凸起、凸柱、销、台、凹陷、凹痕、井、抬升井、亲水表面(例如相对亲水的表面)、疏水表面(例如相对疏水的表面)、粗糙表面(例如相对粗糙的表面)、光滑表面(例如相对光滑的表面)等。

将样品定位或部分定位于某区域的任何凹陷都可作为容留结构。同样地，将样品定位或部分定位于某区域的任何凸起都可作为容留结构。凹陷或凸起往往包括偏离相邻表面的点和/或表面。点或表面有时偏离相邻表面至少1μm，有时偏离约1μm到约500μm(例如，约1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、15、20、25、30、40、50、60、70、75、80、90、100、150、200、250、300、350、400、450μm)。偏离的表面或点可以高于或低于基底的表面(例如，平坦或基本平坦的基底表面)。自基底表面测量，凸起的高度有时为约1μm到约500μm(例如，约1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、15、20、25、30、40、50、60、70、75、80、90、100、150、200、250、300、350、400、450μm)。自基底表面测量，凹陷的深度有时为约1μm到约500μm(例如，约1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、15、20、25、30、40、50、60、70、75、80、90、100、150、200、250、300、350、400、450μm)。偏离、高度或深度有时分别是容留结构的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大的偏离、高度或深度。

容留结构可以是用于保持样品于某区域的任意合适宽度。按基底表面处测定的容留结构的最大有效宽度有时为约4毫米(mm)或更小。基底表面通常是向凹陷的过渡并在凹陷内偏离表面或点之上，或者是向凸起的过渡并在该凸起的偏离表面或点之下。有效宽度有时一般是容留结构周长能匹配其内的宽度，且举例来说，有时是矩形结构的跨度或是圆形结构的直径。按基底表面处测定，容留结构的最大有效宽度有时为约0.1毫米到约5毫米(例如，约5、4、3、2、1.5、1、0.9、0.8、0.7、0.6、0.5、0.4、0.3、0.2或约0.1毫米或更小)。凹陷(例如，井)的内部有效宽度有时为约5毫米或更小(例如，约5、4、3、2、1.9、1.8、1.7、1.6、1.5、1.4、1.3、1.2、1.1毫米或更小，且有时为1毫米或更小(例如，约0.9、0.8、0.7、0.6、0.5、0.4、0.3、0.2、0.1毫米或更小)。在一些实施方式中，凹陷(例如，井)是0.1mmx0.1mm、0.2mmx0.2mm、0.3x0.3mm或约0.4x0.4mm见方。凸起(例如，销、凸柱、脊)有时包含宽度约4mm到约0.1mm或约2mm到约0.1mm(例如，约4、3、2、1.5、1、0.9、0.8、0.7、0.6、0.5、0.4、0.3、0.2或约0.1mm)。

凸起或凹陷有时包括一个或多个壁。壁表面有时与邻近表面大致垂直，有时相对于邻近表面呈大于或小于90度的角度。从一个表面到另一表面的过渡有时是弯曲的(例如，用半径划定的表面)或不是弯曲的(例如，呈角度、倾斜、阶梯式表面)。因此，从一个表面到另一表面的过渡成凸起或凹陷有时包括脊、凸块、点、凹部等或其组合。不局限于理论，存在于容留结构中的一个或多个脊或点可作为样品结晶(例如，基质结晶)的籽晶部位(seedsite)。凸起或凹陷可含有具备任何适当垂直型面或截面以及任何适当水平型面或截面的结构，非限制性示例包括蛋形，圆形，椭圆形，多边形(例如，正方形、长方形、三角形、四边形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、十角形)，金字塔形，倒金字塔形，平截，锥形，倒锥形，弧形，钵形，U形，V形，阶梯形等及其组合。凹陷(例如，井)的底部可以是任意合适的构造(例如，平坦、点式、圆整)。

将样品定位或部分定位于某区域的任何差异表面能量区位都可作为存在于区域处的容留结构。具有差异表面能量区位的容留结构有时包含(i)被相对疏水表面邻接或包围的亲水性表面，或(ii)是被疏水表面邻接或包围的相对亲水性表面。相对亲水性表面和相对疏水性表面的组合可容留样品。不局限于理论，相对疏水性表面往往排斥所分配的液体样品，而相对亲水性表面往往不排斥并保持所分配的样品。亲水性区位(例如，亲水性区域)往往相对于疏水性区位占据较少表面积，并且亲水性区位往往均匀分布在基底上(例如，在阵列中)。在一些实施方式中，基底上疏水性区位占据的表面积比亲水性区位少。在一些实施方式中，基底上每个区域的基本全部表面积都是疏水性的。在某些实施方式中，基底上的基本全部表面积(包括区域)是疏水性。在一些实施方式中，基底上存在的凸起的全部或某子集的基本全部表面积，和/或基底中存在的凹陷的全部或某子集的表面积，是亲水性的，而基底的其余表面积是疏水性的。在某些实施方式中，基底上或基底中存在的全部凸起和凹陷的表面积，以及基底的其余表面积是疏水性的。

亲水性区位有时特征在于对水的接触角小于90度，有时特征在于对水的接触角为约20度到约85度(例如，约25、30、35、40、45、60、65、60、75、80度)。亲水性区位有时特征在于对水的接触角小于20度或更小，小于13度或更小(例如，对水接触角小于或等于19、28、17、16、25、14、13、12、11、10、9、8、7、6、5、4、3、2或1度)。疏水性区位有时特征在于对水的接触角大于90度，有时特征在于对水的接触角为约95度到约180度，或约95度到约150度，或约95度到约120度(例如，约100、105、110、115、120、125、130、140、150、160、170度)。基底和/或基底的疏水性表面往往是非回射性的。疏水性区位和亲水性区位之间的接触角差异有时大于或等于相差约20度到约120度(例如，对水约25、30、35、40、45、5055、60、65、70、75、80、85、90、95、100、110度)。

通过在某些条件下处理表面，例如用疏水性物质处理(例如，得到疏水涂层)或在产生疏水表面的条件下处理，可使区位成为疏水性、基本疏水性、或更具疏水性。疏水处理的非限制性示例有用金、烷烃基硫醇或烷烃基硅烷(例如，二甲基二氯硅烷(DMDCS))处理表面。通过在特定条件下处理表面，例如用亲水性物质处理(例如，得到亲水涂层)，可使区位成为亲水性、基本亲水性、或更具亲水性。亲水性处理的非限制性示例包括向表面施加光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂涂层，或使表面暴露于氧化力(例如，电晕放电、等离子体处理、激光处理)。

将样品定位于某区域的任何差异纹理区位都可作为存在于区域处的容留结构。差异纹理区位有时包括(i)光滑或基本光滑的区位或具有第一纹理的区位，其邻接有或包围以具有第二纹理的区位，或者(ii)具有第二纹理的区位，其包围以光滑或基本光滑的区位或具有第一纹理的区位，其中所述第二纹理比第一纹理粗糙。带纹理区位有时包括脊、倒刺、凹槽、纹粒、压花构造部、蚀刻、细孔、坑、纹路、划痕、刻痕、擦痕、切痕、雕痕、割痕等及其组合。可由区域粗糙度参数、面粗糙度参数、型面粗糙度参数、幅度参数、坡间距(slopespacing)和计数参数、承载比(bearingratio)参数等及其组合来定量粗糙度。

区域有时构造成基底上的阵列。任意合适的阵列都可存在于基底上，非限制性示例包括1x8、1x12、2x3、3x3、4x4、4x6、5x5、6x6、7x7、8x8、8x12、9x9、10x10、12x12、16x24、32x48或64x96阵列等。阵列有时包含具有交替数量区域的多行。在一些实施方式中，阵列具有合适数量的规律间隔的区域，非限制性示例包括2、4、6、8、9、12、16、24、25、36、48、49、64、81、96、100、144、384和1536个区域。阵列有时包含彼此等距或基本等距的多个区域，且各区域的俯视中心往往离其相邻区域的俯视中心为相等距离。区域中心间的距离可称作间距(pitch)。1x12的阵列有时间距约9mm；4x6或1x8的阵列有时间距约4.5mm；8x12的阵列有时间距约2.25mm；16x24的阵列有时间距约1.125mm；32x48的阵列有时间距约0.5625mm。有时阵列是基本均匀的。

基底可包括适于进行MALDIMS的任何材料或由此类材料制成，这些材料的非限制性示例包括硅，二氧化硅，玻璃(例如，玻璃、可控孔度玻璃(CPG))，尼龙，王氏树脂，菲尔德树脂(MerrifieldResins)，交联葡聚糖，琼脂糖，纤维素，磁性珠，磁珠(Dynabead)，金属或金属表面(例如钢、金属合金、金、银、不锈钢、铝、硅和铜)，塑料或聚合物(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯(PVC)，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，树脂玻璃(Plexiglas))，聚酰胺，聚酯，聚四氟乙烯，特富龙(Teflon)，聚偏二氟乙烯(PVDF))，环烯烃聚合物，金涂覆的环烯烃聚合物，各种涂层材料(例如，碳氟聚合物(例如，氟化乙烯-丙烯，聚四氟乙烯)，光致抗蚀剂，二甲基二氯硅烷(DMDCS涂层))等或其组合。在一些实施方式中，基底涂有合适的材料。基底材料一般对分析物、基质、纳米粒子、添加剂和MS条件而言是惰性或基本惰性的。基底可提供为适于进行MALDIMS的任何合适结构，其非限制性示例包括珠、毛细管、盘、过滤器、浸量片(dipstick)、膜、片、梳、销(例如，适于组合合成或分析的销的阵列)等等或其组合。在一些实施方式中，基底是板且有时是芯片(例如，硅芯片)。

质谱分析

分析物有时利用本文所述的一种或多种组合物及方法通过MALDIMS得以分析。作为备样以进行MALDIMS分析的一部分，样品往往被置于基底上。样品往往是基质/纳米粒子组合物的一部分(例如，体积、等份)，可选包括分析物、添加剂等或其组合。样品往往以液体形式置于基底的一个或多个区域上，且所置样品往往暴露于干燥条件。将样品放置于基底的区域上的任意合适方法均可采用。样品可由操作者利用合适装置(例如，手动移液器)人工置于一个或多个区域上。放置样品到基底的一个或多个区域上有时是自动的，并可利用合适的自动液体分配器。置于基底上区域处的样品有时在本文中称作样点，样点可以是基本为液体形式，基本为固体形式(例如，晶体形式)等等或其组合。作为样品干燥过程的一部分，所放置的样品有时在基底上从液相转变成固相(例如，晶体形式)。干燥条件(例如，结晶条件)有时不受控(例如，在环境条件下干燥)，而有时受控。在受控干燥条件下，有时控制温度、压力、湿度、大气、气体等等及其组合。干燥(例如，结晶)有时发生于腔室(例如，真空室、湿腔、孵育器、烘箱)内。

在某些实施方式中，基底上的样品干燥(例如，结晶)于(i)常压下(例如，约14psi，约101.35kpa)，(ii)真空中，(iii)室温或常温下，(iv)环境相对湿度下，(v)高于或低于25℃或室温的温度下(例如，于约15到约40℃的温度下，约15到约35℃或约20到约30℃(例如，约20、约21、约22、约23、约24、约25、约26、约27、约28、约29或约30℃))，(vi)大于或小于环境湿度的湿度下(例如，相对湿度约30％到约70％或约45％到约55％(例如，相对湿度约45、46、47、48、49、50、51、52、53、54或约55％)，(vii)等等或(viii)其组合。

置于基底上的样品在干燥前的样点宽度(例如，直径)往往大于干燥后。所置样品在干燥时的宽度往往收缩，且所述样品往往被本文所述某些基底中的容留结构实质上容留并定位于区域。已干燥(例如，结晶)的样品往往实质上容留于本文所述某些基底上容留结构的周边以内。

样品在基底区域处的平均、算术均值、中位数、标称、最大或最小宽度(例如，直径)有时为约0.1mm到约5mm或更大，有时为约0.1mm到约4mm，约0.1mm到约2mm，或约0.2mm到约1mm(例如，约0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.8、1.9、2.0mm)。样品在基底区域处的平均、算术均值、中位数、标称、最大或最小深度(例如，厚度，z-维度)有时为约4mm到约0.001mm，约2mm到约0.01mm，约1mm到约0.01mm，约0.5mm到约0.005mm，约0.2mm到约0.005mm，约0.2mm到约0.05mm，约0.5mm到约0.2mm，或约0.02mm到约0.01mm(例如，约1000、900、800、700、600、500、400、300、200、175、150、125、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20、15、10、5或约1微米(μm)或更低)。基底上各样品的深度和/或宽度有时独立变化少于约15％、10％、5％、2％、1％、0.1％或0.01％。置于基底上的多个样品的深度和/或宽度有时独立变化约15％或更少、10％或更少、5％或更少、2％或更少、1％或更少、0.1％或更少或者0.01％或更少。

对于样品结晶的实施方式，晶体拓扑结构往往并非粗糙或参差的，并且往往基本没有较大或者针状晶体。晶体样品往往特征在于具有较小、同质且显著均匀的晶体，这些晶体往往呈雪球样晶体结构并具有较高均一性。降低晶体异质性的难度往往随区域尺寸增大(例如，1mm或更宽)而加大。在一些实施方式中，区域处样品中的所有或基本所有晶体的长度小于200μm，且有时长度为约1μm到约200μm或约10μm到约100μm(例如，约5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、60、70、80或90μm)。在某些实施方式中，区域处的样品不含或基本不含长度为200μm或更大(例如，300μm、400μm、500μm、600μm、700μm、800μm、900μm、1000μm或更大)的晶体。上述晶体参数往往适用于基底上的所有或基本所有样品。

分析物的分析有时包括确定分析物被置于基底上之后由所述分析物产生的一种或多种离子的质量。在进行MS分析之前，含有分析物且含有基质的样品有时被置于基底上。含有基质且不含分析物的样品有时被置于基底上，然后将分析物放置到已置于基底上的基质之上。在后一类实施方式中，已置于基底上的晶体基质有时在含有分析物的溶液被置于基质上时会溶解，并且所述基质在分析物放置以后重结晶。

对于MALDIMS分析，含有所置样品的基底可放入质谱仪，且基底上的样品可被离子化并挥发。样品往往接触离子化能量，且样品有时被激光脉冲离子化，这是MALDIMS的一部分。样品接触离子化能量后，样品的组分往往被输送入气相。可向已离子化的样品组分施加电压，这样可以加速离子进入无场飞行管。离子源中的离子往往由于质量差异而加速至不同速度。较小离子往往比较大离子更早到达检测器，而不同离子种类的质量可得以测定。相应地，离子化样品组分的质量、相对质量、质量差异、荷质比、相对荷质比、荷质比差异等及其组合可得以测定，这是MS分析的一部分。已知组成和质量的一种或多种组分可用作参比(例如，标准品)来确定一种或多种分析物的质量和/或组成。参比或标准品可与样品分别分析(例如，外标、外部参比)和/或可置入样品并在样品中进行分析(例如，内标、内部参比)。

采用本文所述组合物和/或基底进行分析物的MADLIMS分析时，质谱图的品质可有提高，且离子的飞行时间偏差往往由于利用了本文所述组合物和/或基底而有降低。本文所述组合物和/或基底的利用可使得MALDI质谱图中某离子种类的双峰减少，并可使得MALDI质谱图中一种或多种或全部离子种类的双峰消除。本文所述组合物和/或基底的利用可使得精度提升约2倍到约10倍(即，精度改善)，或精度提升约2倍到约5倍(例如，精度提升约3倍或4倍)。本文所述组合物和/或基底的利用可使得精度提升多至约20％(例如，精度提升多至约1、2、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18或19％)。精度可针对单次质量读取或测定来表达，且有时按下式来表达单次质量读取或测定的百万分率(ppm)。

质量测定误差(精度)＝((M_所得–M_理论)/M_理论)x10^6

对于具有相对光滑晶体拓扑结构的基底样品的质量精度有时为约200ppm到约500ppm，而对于具有相对粗糙晶体拓扑结构的基底样品的质量精度有时为约200ppm到约2,000ppm。

在MALDIMS以外，可由本文所述组合物或基底改善的另一质谱形式的非限制性示例是激光解吸质谱(LDMS)。

附图简要说明

附图描述本技术的实施方式但不具限制性。为了说明的清楚和方便，附图未按比例制作，并且在一些情况中，可能夸大或放大多个方面以协助对具体实施方式的理解。

图1显示基底的扫描电子显微镜(SEM)图像，该基底含有一种实施方式的容留结构(例如，井)和已结晶基质。所示容留结构宽约200μm深约20μm。

图2A显示一种实施方式的容留结构(例如，圆井)的俯视示意图，而图2B显示其剖面侧视图。图3A显示一种实施方式的容留结构(例如，方井)的俯视示意图，而图3B显示其剖面侧视图。图4A显示一种实施方式的容留结构(例如，圆柱)的俯视示意图，而图4B显示其剖面侧视图。图5A显示一种实施方式的容留结构(例如，方柱)的俯视示意图，而图5B显示其剖面侧视图。

实施例

下述实施例说明某些实施方式但不限制本技术。

实施例1—制备晶体

热解二氧化硅粒子(SiO₂,14nm)购自西格玛奥德里奇公司(Sigma/Aldrich，S5505-100G)。由于这些粒子易浮于空气中并因而不易转移至衡器，将整个容器内的内容物(100g)与2升超纯(nanopure)水充分混合得到50mg/ml的浓度。取等份用超纯水进一步稀释得到分别为2.5、3、3.5和5mg/ml的工作溶液。每种工作溶液取20ml转移至50ml的Falcon管，并添加25mg/ml的质子化(H+型)离子交换树脂进行清洁。为了适当混合，这些Falcon管随后被转动10分钟。然后允许树脂从分散的二氧化硅分离开(沉降)。吸出并从树脂除去溶液中的二氧化硅粒子。由于二氧化硅粒子能保持悬浮数日，预期在基质形成和分配过程中浓度不会改变。基质溶液每天由母液新鲜制得。

通过添加1000μl300mM3-羟基吡啶甲酸(3-HPA)，133μl200mM抗坏血酸和133μl200mM草酸铵制备新型基质，例外是所添加的67μl水被替换成添加67μl来自工作溶液的已分散二氧化硅。所得基质溶液含有的二氧化硅终浓度分别是125、150、175和250μg/ml。方便起见，下文将对加有二氧化硅的新型基质采用下列命名规则：Gen2-125(125μg/ml二氧化硅)、Gen2-150(150μg/ml二氧化硅)、Gen2-175(175μg/ml二氧化硅)、Gen2-250(250μg/ml二氧化硅)。

具有1mm区域(直径)的硅烷化24型SpectroChips被加载到10x探测板(scoutplate)上，并用丙酮擦拭2遍以完全去除光致抗蚀区域，然后用异丙醇擦拭再最后干擦。光致抗蚀区域的完全去除消除了清洁度和拓扑结构上的变化性，这种变化会影响基质结晶。暴露出的亲水性SiO₂锚位与疏水性周边齐平且不含可能的生产污染(例如，片切(wafercut)、条码划痕等)。光致抗蚀剂一旦去除就要格外谨慎，因为暴露出的SiO₂锚位(例如，容留结构)易受环境污染。杂质的吸收会导致不希望的接触角增大。因此，在SiO₂暴露后不久(2小时内)施加基质。

用压力驱动的容积式原件构建了基质分配器。用市售控制器(1500XL,EFD)进行正/负压供应和脉冲持续时间控制。将控制器连接至氮气容器(200L)，该容器装有压力调节器以调节控制器的输入压。基质溶液被载入5ml的筒(EFD)，该筒连接至压力控制器。该筒装有压接(crimped)的特富龙端部(EFD，压接内径0.15mm)。另外，该筒经过改良以允许连接至基质储器以便于再装填。储器和筒之间的连接由高规格硅胶管(柯尔帕姆公司(ColeParmer))构成，其可由管夹封闭。该筒被装到可编程xyz分配自动机(车乐美公司(Janome))上的可调安装托架上。所述xyz自动机通过TTL信号驱动压力控制器。为了分配，筒被加压一小段脉冲持续时间，推出待分配的基质小粒。多次分配之间，向筒施加轻微的负压以防止分配端部漏出基质。在现有设定内用以下参数来分配1μl/步点(pad):

脉冲持续时间0.005秒。

正压19-32psi

负压1.2-1.5psi

每天安装新的特富龙端部并调节这些分配参数。采用1μl玻璃毛细管(DrummondScientific公司)自三个不同位置核实1μl的分配体积。

为了基质分配，将载有9个已擦拭SpectroChip和1个未擦拭定位芯片的10x探测板装上xyz自动机。在自动分配过程之前，调节分配端部至预定位置。分配后，再装填基质溶液以使后续分配的全过程有最优的流体静压。分配全部10个芯片用时<6分钟，包括定位和基质再装填。

在基质放置(0.8-1.2μl/区域)后，载有芯片的探测板被置于湿度箱内存储塔的加热板上。发现湿度箱内的干燥条件在21℃、50％相对湿度和塔温30℃时最优。为了芯片干燥，将探测板置于具有11个探测板位置的平板堆垛机的温控盘(由水循环控制)上。平板堆垛机位于温度和湿度可控的腔室(PGC有限公司(ParameterGenerationControl,Inc.))内。

结果

自含有125μg/ml二氧化硅的新型基质观察到光滑且雪球样基质晶体。在250μg/ml，观察到MassCleave样品所得信噪比(SNR)稍有下降。发现湿度箱内的干燥条件在21℃、50％相对湿度和塔温30℃时最优。在这些条件下，芯片得率为70-80％。芯片得率按总体样点结构测定。例如，70-80％的得率表明70-80％的样点外观为雪球样且所含晶体的长度在10-100μm之间。

实施例2–纳米粒子和基质的使用

题为“用于改善质谱分析的组合物和方法(COMPOSITIONSANDPROCESSESFORIMPROVEDMASSSPECTROMETRYANALYSIS)”的美国专利12/014,671中的实施例1-3描述了用不含纳米粒子的基质组合物来分析核酸分析物的质谱方法。此类方法可用来分析本文实施例1所述的含有纳米粒子的基质组合物的有益性质。

实施例3–实施方式的示例

下文提供了本技术的某些实施方式的非限制性例子。

A1.一种基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基底，其包含多个样品，所述样品包含纳米粒子和MALDIMS基质，

所述样品基本为结晶的，

所述基质不共价连接至所述纳米粒子，且

所述纳米粒子不缔合肽或蛋白质。

A2.如实施方式A1所述的基底，其中所述基质适于核酸的质谱分析。

B1.一种基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基底，其包含多个样品，所述样品包含纳米粒子和适于质谱分析核酸的MALDIMS基质，

所述样品基本为结晶的，且

所述基质不共价连接至所述纳米粒子。

B2.如实施方式B1所述的基底，其中所述纳米粒子不与肽或蛋白质相缔合。

C1.如实施方式A1、A2、B1和B2中任一项所述的基底，其中每个样品基本不含长度为200μm或更大的晶体。

C2.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1中任一项所述的基底，其中所述样品的平均、算术均值、中位数、标称、最大或最小宽度或直径为0.2mm或更大。

C3.如实施方式A1、A2、B1、B2、C1和C2中任一项所述的基底，其中所述样品的平均、算术均值、中位数、标称或最大深度偏差为10％或更低。

C4.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C3中任一项所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有离子、疏水、氢键或范德华缔合。

C5.如实施方式C4所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有离子缔合。

C5.1.如实施方式C4中任一项所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有疏水缔合。

C5.2.如实施方式C4中任一项所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有氢键缔合。

C5.3.如实施方式C4所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有范德华缔合。

C5.4.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C3中任一项所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有缔合。

C6.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C5.4中任一项所述的基底，其中所述样品含有选自2,5-二羟基苯甲酸(DHB)、柠檬酸铵(AC)、抗坏血酸和3-羟基吡啶甲酸(3-HPA)的基质。

C7.如实施方式C6所述的基底，其中所述样品含有3-HPA。

C8.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C7中任一项所述的基底，其中所述基质基本由单一基质组成。

C8.1.如实施方式C8所述的基底，其中所述基质基本由3-HPA组成。

C9.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C3中任一项所述的基底，其中所述基质基本由多种基质组分组成。

C10.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C9.1中任一项所述的基底，其中每个样品含有一种或多种添加剂。

C11.如实施方式C10所述的基底，其中每个样品含有抗坏血酸。

C11.1.如实施方式C10或C11所述的基底，其中每个样品含有草酸铵。

C12.如实施方式C6-C11.1中任一项所述的基底，其中每个样品基本由3-HPA、抗坏血酸、草酸铵和所述纳米粒子组成。

C12.1.如实施方式C10-C12中任一项所述的基底，其中所述一种或多种添加剂不共价连接至所述纳米粒子。

C12.2.如实施方式C10-C12中任一项所述的基底，其中所述一种或多种添加剂不通过离子、疏水、氢键或范德华缔合与所述纳米粒子缔合。

C12.3.如实施方式C10-C12中任一项所述的基底，其中所述一种或多种添加剂不与所述纳米粒子缔合。

C13.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C12.3中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约1nm到约100nm。

C14.如实施方式C13所述的基底，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约5nm到约30nm。

C15.如实施方式C14所述的基底，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约10nm到约20nm。

C16.如实施方式C15所述的基底，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约15nm。

C17.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C16中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子是基本惰性的。

C18.如实施方式C17所述的基底，其中所述纳米粒子基本没有用官能性化学基团衍生化。

C19.如实施方式C17所述的基底，其中所述纳米粒子基本不与分析物缔合。

C20.如实施方式C17所述的基底，其中所述纳米粒子基本不与分析物形成共价、离子、疏水、氢键或范德华缔合。

C21.如实施方式C19或C20所述的基底，其中所述分析物是核酸分析物。

C22.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C21中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子基本不给出MALDIMS信号。

C23.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C22中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子基本不含金属。

C24.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C22中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子含有一种或多种金属，基本由一种或多种金属组成，或由一种或多种金属组成。

C25.如实施方式C23或C24所述的基底，其中所述一种或多种金属选自金、银、铂、铝、钛、钽和钒。

C26.如实施方式C23或C24所述的基底，其中所述一种或多种金属是一种金属，且该金属是铁。

C27.如实施方式C25或C26所述的基底，其中所述分析物是核酸。

C28.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C27中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子基本不形成多聚体。

C29.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C28中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子含有SiO₂。

C30.如实施方式C29所述的基底，其中所述纳米粒子基本为热解二氧化硅粒子。

C31.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C30中任一项所述的基底，其中每个样品的所述基质对纳米粒子之比是约0.1:1到约30,000:1。

C31.1.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C30中任一项所述的基底，其中每个样品的所述基质对纳米粒子之比是约1:1到约600:1。

C31.2.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C30中任一项所述的基底，其中每个样品的所述基质对纳米粒子之比是约13:1到约430:1。

C32.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C31.2中任一项所述的基底，其中所述基底选自板、芯片、盘、滤器、梳、销和浸量片。

C33.如实施方式C32所述的基底，其中所述基底是芯片。

C34.如实施方式C33所述的基底，其中所述基底是硅芯片。

C35.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C34中任一项所述的基底，其中所述基底含有基本平坦的表面。

C36.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C35中任一项所述的基底，其中所述基底的表面含有多处疏水区位。

C37.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C35中任一项所述的基底，其中所述基底的表面基本是疏水的。

C38.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C37中任一项所述的基底，其中所述基底的表面含有多处疏水区位和多处相对亲水的区位。

C39.如实施方式C38所述的基底，其中所述样品位于这些相对亲水的区位上。

C40.如实施方式C38或C39所述的基底，其中所述相对亲水的区位含有光致抗蚀剂层。

C41.如实施方式C38或C39中任一项所述的基底，其中所述相对亲水的区位不含光致抗蚀剂层。

C42.如实施方式C38-C41中任一项所述的质谱基底，其中所述疏水区位是硅烷化的。

C43.如实施方式C38-C42中任一项所述的质谱基底，其中所述相对亲水的区位排列于所述基底表面上的阵列中。

C44.如实施方式C38-C43中任一项所述的质谱基底，其中所述疏水区位位于所述基底的表面上围绕所述相对亲水的区位。

C45.如实施方式C35-C44中任一项所述的基底，其中所述基底的基本平坦的表面基本没有抬升且基本没有凹陷。

C46.如实施方式C45所述的基底，其中所述基底的表面基本不含选自片切、条码划痕、光致抗蚀剂、脊或其组合的构造部。

C47.如实施方式C35-C44中任一项所述的基底，其中所述基底的表面含有实施方式G1-G26中任一项所述的结构。

C48.如实施方式C35-C47中任一项所述的基底，其中所述基底的基本平坦的表面是基本光滑的。

C49.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C48中任一项所述的基底，其中所述样品在所述基底上置于阵列中。

C50.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C49中任一项所述的基底，其含有约24个样品。

C51.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C49中任一项所述的基底，其含有约96个样品。

C52.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C49中任一项所述的基底，其含有约384个样品。

C53.如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C52中任一项所述的基底，其中一个或多个所述样品含有分析物。

C54.如实施方式C53所述的基底，其中所述分析物选自核苷酸，寡核苷酸，多核苷酸，核酸，肽，蛋白质，聚合物(例如合成聚合物、工业聚合物、塑料聚合物)，糖类(saccharide)，多糖，糖(sugar)，碳水化合物，凝集素，脂质，糖蛋白，脂蛋白，小分子，小化学体，代谢物，天然产物，药物，偶联物及其组合。

D1.制备实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C52中任一项所述的基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基底的方法，其包括：

置样品于基底上的区域处，所述样品含有所述基质和所述纳米粒子，以及

将所述样品暴露于使样品在基底上的各区域处结晶的条件下。

D2.如实施方式D1所述的方法，其中所述基质和所述纳米粒子分别置于各区域处。

D3.如实施方式D1或D2所述的方法，其中所述样品在溶液中，且所述溶液被置于所述基底上的位点处。

D4.如实施方式D3所述的方法，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约1μg/ml到约500μg/ml。

D5.如实施方式D4所述的方法，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约75μg/ml到约300μg/ml。

D6.如实施方式D4所述的方法，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约125μg/ml或约250μg/ml。

D6.1.如实施方式D6所述的方法，其中所述溶液中基质的浓度为约1mM到约1M。

D6.2.如实施方式D6或D6.1所述的方法，其中所述溶液中基质的浓度为约1mg/ml到约100mg/ml。

D6.3.如实施方式D3到D6.2中任一项所述的方法，其中所述溶液中基质的浓度为约20mg/ml到约60mg/ml。

D6.4.如实施方式D3所述的方法，其中所述溶液中基质对纳米粒子之比是约0.1:1到约30,000:1。

D6.5.如实施方式D6.4所述的方法，其中所述溶液中基质对纳米粒子之比是约1:1到约600:1。

D6.6.如实施方式D6.5所述的方法，其中所述溶液中基质对纳米粒子之比是约13:1到约430:1。

D7.如实施方式D1-D6中任一项所述的方法，其包括干燥基底上的样品。

D8.如实施方式D7所述的方法，其中所述干燥包括将样品暴露于约30％到约80％的相对湿度。

D9.如实施方式D8所述的方法，其中所述相对湿度为约50％。

D10.如实施方式D7-D9中任一项所述的方法，其中所述干燥包括将样品暴露于约15℃到约35℃的温度。

D11.如实施方式D10所述的方法，其中所述温度为约21℃。

D12.如实施方式D7-D11中任一项所述的方法，其中所述干燥包括将样品暴露于环境压力。

D13.如实施方式D7-D12中任一项所述的方法，其包括将所述基底放入湿度箱。

D14.如实施方式D1-D13中任一项所述的方法，其中所述样品含有分析物。

D15.如实施方式D14所述的方法，其中所述分析物选自核苷酸，寡核苷酸，多核苷酸，核酸，肽，蛋白质，聚合物(例如合成聚合物、工业聚合物、塑料聚合物)，糖类(saccharide)，多糖，糖(sugar)，碳水化合物，凝集素，脂质，糖蛋白，脂蛋白，小分子，小化学体，代谢物，天然产物，药物，偶联物及其组合。

E1.用于通过基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)来分析分析物的方法，其包括：

将分析物置于实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C52中任一项所述基底上的一个或多个样品之上；

使一个或多个所述样品中的所述分析物挥发并离子化，由此产生离子；以及

通过MALDIMS分析所述分析物。

E1.1.用于通过基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)来分析分析物的方法，其包括：

置样品于基底上的一处或多处区域，所述样品含有分析物、基质和纳米粒子，由此产生如实施方式A1、A2、B1、B2和C1-C52中任一项所述的基底，该基底在一个或多个样品中含有分析物；

使各样品处的分析物挥发并离子化，由此产生离子；以及

通过MALDIMS分析所述分析物。

E2.如实施方式E1所述的方法，其中所述分析物在溶液中，且所述样品为基本结晶的或其部分在分析物放置后溶解。

E3.如实施方式E2所述的方法，其中所述基底暴露于使溶解的样品重结晶的条件下。

E4.如实施方式E1-E3中任一项所述的方法，其中所述分析物选自核苷酸，寡核苷酸，多核苷酸，核酸，肽，蛋白质，聚合物(例如合成聚合物、工业聚合物、塑料聚合物)，糖类(saccharide)，多糖，糖(sugar)，碳水化合物，凝集素，脂质，糖蛋白，脂蛋白，小分子，小化学体，代谢物，天然产物，药物，偶联物及其组合。

E5.如实施方式E1-E4中任一项所述的方法，其中质谱仪设置为进行MALDI飞行时间(MALDI-TOF)MS。

F1.一种含有基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基质和纳米粒子的组合物，

所述基质不共价连接至所述纳米粒子，

所述纳米粒子不缔合肽或蛋白质；且

组合物基本不含与所述基质或与所述纳米粒子或与所述基质以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含将所述基质共价连接至所述纳米粒子的组分或多组分。

F2.如实施方式F1所述的组合物，其中所述基质适于核酸的质谱分析。

F3.一种含有基质和纳米粒子的组合物，其中所述基质基本由3-HPA组成。

F4.如实施方式F1-F3中任一项所述的组合物，其中所述基质和纳米粒子在溶液中。

F5.如实施方式F1-F4中任一项所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有离子、疏水、氢键或范德华缔合，且所述组合物基本不含与所述基质或所述纳米粒子或所述基质以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含通过离子、疏水、氢键或范德华缔合将所述基质与所述纳米粒子缔合的组分或多组分。

F6.如实施方式F5所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有离子缔合。

F7.如实施方式F5任一项所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有疏水缔合。

F8.如实施方式F5任一项所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有氢键缔合。

F9.如实施方式F5所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有范德华缔合。

F10.如实施方式F1-F9中任一项所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有缔合，且所述组合物基本不含与所述基质或与所述纳米粒子或与所述基质以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含将所述基质与所述纳米粒子缔合的组分或多组分。

F11.如实施方式F1～F10中任一项所述的组合物，其中所述基质含有选自2,5-二羟基苯甲酸(DHB)和3-羟基吡啶甲酸(3-HPA)的基质。

F12.如实施方式F11所述的组合物，其中所述基质含有3-HPA。

F13.如实施方式F1～F12中任一项所述的组合物，其中所述基质基本由单一基质组成。

F14.如实施方式F13所述的组合物，其中所述基质基本由3-HPA组成。

F15.如实施方式F1～F14中任一项所述的组合物，其中所述基质基本由多种基质组分组成。

F16.如实施方式F1-F15中任一项所述的组合物，其中，所述组合物含有一种或多种添加剂。

F17.如实施方式F16所述的组合物，其中所述组合物含有抗坏血酸。

F18.如实施方式F16或F17所述的组合物，其中所述组合物含有草酸铵。

F19.如实施方式F16-F18中任一项所述的组合物，其中所述组合物基本由3-HPA、抗坏血酸、草酸铵和所述纳米粒子组成。

F20.如实施方式F16-F19中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子不共价缔合所述一种或多种添加剂，且所述组合物基本不含与所述一种或多种添加剂反应、或与所述纳米粒子反应、或与所述一种或多种添加剂以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含共价连接所述一种或多种添加剂和所述纳米粒子的组分或多组分。

F20.1.如实施方式F16-F19中任一项所述的组合物，其中所述一种或多种添加剂和所述纳米粒子之间基本没有离子、疏水、氢键或范德华缔合，且所述组合物基本不含与所述一种或多种添加剂反应、或与所述纳米粒子反应、或与所述一种或多种添加剂以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含通过离子、疏水、氢键或范德华缔合将所述一种或多种添加剂与所述纳米粒子缔合的组分或多组分。

F21.如实施方式F16-F19中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子不缔合所述一种或多种添加剂，且所述组合物基本不含与所述一种或多种添加剂反应，或与所述纳米粒子反应，或与所述一种或多种添加剂以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含将所述一种或多种添加剂与所述纳米粒子缔合的组分或多组分。

F22.如实施方式F1～F21中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约1nm到约100nm。

F23.如实施方式F22所述的组合物，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约5nm到约30nm。

F24.如实施方式F23所述的组合物，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约10nm到约20nm。

F25.如实施方式F24所述的组合物，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约15nm。

F26.如实施方式F1-F25中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子是基本惰性的。

F27.如实施方式F26所述的组合物，其中所述纳米粒子基本没有用官能性化学基团衍生化。

F28.如实施方式F25或F27所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不与分析物缔合。

F29.如实施方式F27或F28所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不与分析物形成共价、离子、疏水、氢键或范德华缔合。

F30.如实施方式F28或F29所述的组合物，其中所述分析物是核酸分析物。

F31.如实施方式F1～F30中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不给出MALDIMS信号。

F32.如实施方式F1-F31中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不含金属。

F33.如实施方式F1-F33中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子含有一种或多种金属，基本由一种或多种金属组成，或由一种或多种金属组成。

F34.如实施方式F31或F33所述的组合物，其中所述一种或多种金属选自金、银、铂、铝、钛、钽和钒。

F35.如实施方式F31或F33所述的组合物，其中所述一种或多种金属是一种金属，且该金属是铁。

F36.如实施方式F1-F35中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不形成多聚体。

F37.如实施方式F1-F36中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子含有SiO₂。

F38.如实施方式F37所述的组合物，其中所述纳米粒子为热解二氧化硅粒子。

F39.如实施方式F1-F38中任一项所述的组合物，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约1μg/ml到约500μg/ml。

F40.如实施方式F38所述的组合物，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约75μg/ml到约300μg/ml。

F41.如实施方式F39所述的组合物，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约125μg/ml或约250μg/ml。

F42.如实施方式F1-F41中任一项所述的组合物，其中所述基质的浓度为约1mM到约1M。

F43.如实施方式F1-F41中任一项所述的组合物，其中所述基质的浓度为约1mg/ml到约100mg/ml。

F44.如实施方式F43所述的组合物，其中所述基质的浓度为约20mg/ml到约60mg/ml。

F45.如实施方式F1-F44中任一项所述的组合物，其中所述基质对纳米粒子之比为约0.1:1到约30,000:1。

F46.如实施方式F45所述的组合物，其中所述基质对纳米粒子之比是约1:1到约600:1。

F47.如实施方式F46所述的组合物，其中所述基质对纳米粒子之比是约13:1到约430:1。

F48.如实施方式F1-F47中任一项所述的组合物，其中所述组合物基本是固体。

F49.如实施方式F48所述的组合物，其中所述组合物基本是晶体。

G1.一种基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基底，其包含基本平面的表面和多个样品容留结构；

每个所述容留结构含有置于基底内的一处或多处凹陷，置于基底上的一处或多处凸起，或置于基底内的一处或多处凹陷和置于基底上的一处或多处凸起；并且

每个所述容留结构构造为在样品于基底上干燥时将含有MALDIMS基质的样品分隔在基底的特定位点，并构造为在样品干燥后容留样品。

G2.如实施方式G1所述的质谱基底，其中每个所述容留结构含有一个或多个脊或点。

G3.如实施方式G2所述的质谱基底，其中所述一个或多个脊形成在所述容留结构的表面和基本平坦的基底表面之间。

G4.如实施例G2或G3所述的质谱基底，其中所述一个或多个脊形成在所述容留结构的两个表面之间。

G5.如实施方式G1-G4中任一项所述的质谱基底，其中每个所述容留结构含有基本平坦的表面或基本弯曲的表面，或含有基本平坦的表面和基本弯曲的表面。

G6.如实施方式G1-G5中任一项所述的质谱基底，其中每个所述容留结构选自井、脊和凸柱。

G7.如实施方式G6所述的质谱基底，其含有井。

G8.如实施方式G7所述的质谱基底，其中所述井的型面包括矩形、多边形、三角形、圆形、蛋形或椭圆形。

G9.如实施方式G7或G8所述的质谱基底，其中所述井在基底表面处的宽度为约2毫米或更小，其深度为约100μm或更小。

G10.如实施例G7-G9中任一项所述的质谱基底，其中所述井的壁含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

G11.如实施例G7-G10中任一项所述的质谱基底，其中每个井的底含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

G12.如实施方式G6所述的质谱基底，其含有脊或凸柱。

G13.如实施方式G12所述的质谱基底，其中所述脊在含有井的容留结构中。

G14.如实施方式G13所述的质谱基底，其中每个井为抬升井。

G15.如实施方式G13或G14所述的质谱基底，其中所述井在每个井近端开口处的内部宽度为约2毫米或更小，其深度为约100μm或更小。

G16.如实施例G13-G15中任一项所述的质谱基底，其中每个井的壁含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

G17.如实施例G13-G16中任一项所述的质谱基底，其中每个井的底含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

G18.如实施方式G1-G17中任一项所述的质谱基底，其中所述结构在所述基底上置于阵列中。

G19.如实施方式G18所述的质谱基底，其含有约24个结构。

G20.如实施方式G18所述的质谱基底，其含有约96个结构。

G21.如实施方式G18所述的质谱基底，其含有约384个结构。

G22.如实施方式G1-G21中任一项所述的质谱基底，其中所述基底含有基本疏水的一处或多处表面。

G23.如实施方式G1-G22中任一项所述的质谱基底，其中所述容留结构含有基本疏水的一处或多处表面。

G24.如实施方式G22或G23中任一项所述的质谱基底，其中所述基底含有相对亲水的一处或多处表面。

G25.如实施方式G22-G24中任一项所述的质谱基底，其中所述容留结构含有相对亲水的一处或多处表面。

G26.如实施方式G24或G25中任一项所述的质谱基底，其中所述相对亲水的一处或多处表面含有光致抗蚀剂。

***

本文中引用的各专利、专利申请、出版物和文献的全部内容均通过引用纳入本文。对上述专利、专利申请、出版物和文献的引用并不表示承认上述任何内容是相关的现有技术，也并不表示承认这些出版物或文献的内容或日期。

可以对上述内容进行改变而不背离本技术的基本方面。尽管参考一个或多个具体实施方式充分详细描述了本技术，但是本领域普通技术人员应认识到可对本申请中具体公开的实施方式进行改变，而这些改良和改进在本技术的范围和精神内。

本文中适当地说明性描述的技术可在没有任何本文未具体公开的元素的情况下实施。因此，例如，在本文的各个例子中，术语“包括”、“基本由……组成”和“由……组成”中的任何一个都可用其它两个中的任意一个代替。已经使用的术语和表达用作说明而非限制性的术语，此类术语和表达的使用并不排除对所显示和所描述的特征或其部分的任何等价物，以及在要求权利的本技术范围内可进行各种改良。术语“一个”或“一种”表示一种或多种其修饰的元素(例如“一种试剂”可表示一种或多种试剂)，除非上下文清楚表示所描述的是元素之一或是一种以上的元素。本文所使用的术语“约”表示在基础参数的10％范围内的数值(即±10％)，在一列数值的开头处使用的术语“约”表示修饰该列数值中的每个数值(即“约1、2和3”指约1、约2和约3)。例如，“约100克”的重量能包含90克-110克的重量。此外，当本文描述数值列表(例如，约50％、60％、70％、80％、85％或86％)时，该列表包含其所有中间值和分数值(例如，54％、85.4％)。因此，应理解，尽管通过代表性实施方式和任选的特征具体公开了本技术，但是本领域技术人员能对本文所公开内容进行改良和变化，应认为此类改良和变化落在本技术的范围内。

本技术的某些实施方式在所附的权利要求中列出。

Claims

1.一种基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基底，其包含多个样品，所述样品包含纳米粒子和MALDIMS基质，

所述样品基本为结晶的，

所述基质不共价连接至所述纳米粒子，且

所述纳米粒子不缔合肽或蛋白质。

2.如权利要求1所述的基底，其中所述基质适于核酸的质谱分析。

3.一种基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基底，其包含多个样品，所述样品包含纳米粒子和适于质谱分析核酸的MALDIMS基质，

所述样品基本为结晶的，且

所述基质不共价连接至所述纳米粒子。

4.如权利要求3所述的基底，其中所述纳米粒子不缔合肽或蛋白质。

5.如权利要求1-4中任一项所述的基底，其中每个样品基本不含长度为200μm或更大的晶体。

6.如权利要求1-5中任一项所述的基底，其中所述样品的平均、算术均值、中位数、标称、最大或最小宽度或直径为0.2mm或更大。

7.如权利要求1-6中任一项所述的基底，其中所述样品的平均、算术均值、中位数、标称或最大深度偏差为10％或更小。

8.如权利要求1-7中任一项所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有离子、疏水、氢键或范德华缔合。

9.如权利要求8所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有离子缔合。

10.如权利要求8所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有疏水缔合。

11.如权利要求8所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有氢键缔合。

12.如权利要求8所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有范德华缔合。

13.如权利要求1-7中任一项所述的基底，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有缔合。

14.如权利要求1-13中任一项所述的基底，其中所述样品含有选自2,5-二羟基苯甲酸(DHB)、柠檬酸铵(AC)、抗坏血酸和3-羟基吡啶甲酸(3-HPA)的基质。

15.如权利要求14所述的基底，其中所述样品含有3-HPA。

16.如权利要求1-15中任一项所述的基底，其中所述基质基本由单一基质组成。

17.如权利要求16所述的基底，其中所述基质基本由3-HPA组成。

18.如权利要求1-7中任一项所述的基底，其中所述基质基本由多种基质组分组成。

19.如权利要求1-18中任一项所述的基底，其中每个所述样品含有一种或多种添加剂。

20.如权利要求19所述的基底，其中每个所述样品含有抗坏血酸。

21.如权利要求19或20所述的基底，其中每个所述样品含有草酸铵。

22.如权利要求14-21中任一项所述的基底，其中每个所述样品基本由3-HPA、抗坏血酸、草酸铵和所述纳米粒子组成。

23.如权利要求19-22中任一项所述的基底，其中所述一种或多种添加剂不共价连接至所述纳米粒子。

24.如权利要求19-22中任一项所述的基底，其中所述一种或多种添加剂不通过离子、疏水、氢键或范德华缔合与疏水纳米粒子缔合。

25.如权利要求19-22中任一项所述的基底，其中所述一种或多种添加剂不与所述纳米粒子缔合。

26.如权利要求1-25中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约1nm到约100nm。

27.如权利要求26所述的基底，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约5nm到约30nm。

28.如权利要求27所述的基底，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约10nm到约20nm。

29.如权利要求28所述的基底，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约15nm。

30.如权利要求1-29中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子是基本惰性的。

31.如权利要求30所述的基底，其中所述纳米粒子基本没有用官能性化学基团衍生化。

32.如权利要求30所述的基底，其中所述纳米粒子基本不与分析物缔合。

33.如权利要求30所述的基底，其中所述纳米粒子基本不与分析物形成共价、离子、疏水、氢键或范德华缔合。

34.如权利要求32或33所述的基底，其中所述分析物是核酸分析物。

35.如权利要求1-34中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子基本不给出MALDIMS信号。

36.如权利要求1-35中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子基本不含金属。

37.如权利要求1-35中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子含有一种或多种金属，基本由一种或多种金属组成，或由一种或多种金属组成。

38.如权利要求36或27所述的基底，其中所述一种或多种金属选自金、银、铂、铝、钛、钽和钒。

39.如权利要求36或37所述的基底，其中所述一种或多种金属是一种金属，且该金属是铁。

40.如权利要求38或39所述的基底，其中所述分析物是核酸。

41.如权利要求1-40中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子基本不形成多聚体。

42.如权利要求1-41中任一项所述的基底，其中所述纳米粒子含有SiO₂。

43.如权利要求42所述的基底，其中所述纳米粒子基本为热解二氧化硅粒子。

44.如权利要求1-43中任一项所述的基底，其中各样品的基质对纳米粒子之比为约0.1:1到约30,000:1。

45.如权利要求1-43中任一项所述的基底，其中各样品的基质对纳米粒子之比为约1:1到约600:1。

46.如权利要求1-43中任一项所述的基底，其中各样品的基质对纳米粒子之比为约13:1到约430:1。

47.如权利要求1-46中任一项所述的基底，其中所述基底选自板、芯片、盘、滤器、梳、销和浸量片。

48.如权利要求47所述的基底，其中所述基底是芯片。

49.如权利要求48所述的基底，其中所述基底是硅芯片。

50.如权利要求1-49中任一项所述的基底，其中所述基底含有基本平坦的表面。

51.如权利要求1-50中任一项所述的基底，其中所述基底的表面含有疏水区位。

52.如权利要求1-50中任一项所述的基底，其中所述基底的表面是基本疏水的。

53.如权利要求1-52中任一项所述的基底，其中所述基底的表面含有疏水区位和相对亲水的区位。

54.如权利要求53所述的基底，其中所述样品位于所述相对亲水的区位上。

55.如权利要求53或54所述的基底，其中所述相对亲水的区位含有光致抗蚀剂层。

56.如权利要求53或54中任一项所述的基底，其中所述相对亲水的区位不含光致抗蚀剂层。

57.如权利要求53-56中任一项所述的质谱基底，其中所述疏水区位是硅烷化的。

58.如权利要求53-57中任一项所述的质谱基底，其中所述相对亲水的区位排列于所述基底表面上的阵列中。

59.如权利要求53-58中任一项所述的质谱基底，其中所述疏水区位位于所述基底的表面上围绕所述相对亲水的区位。

60.如权利要求50-59中任一项所述的基底，其中所述基底的基本平坦的表面基本没有抬升且基本没有凹陷。

61.如权利要求60所述的基底，其中所述基底的表面基本不含选自片切、条码划痕、光致抗蚀剂、脊或其组合的构造部。

62.如权利要求50-61中任一项所述的基底，其中所述基底的表面含有权利要求146-171中任一项所述的结构。

63.如权利要求50-62中任一项所述的基底，其中所述基底的基本平坦的表面是基本光滑的。

64.如权利要求1-63中任一项所述的基底，其中所述样品在所述基底上置于阵列中。

65.如权利要求1-64中任一项所述的基底，其含有约24个样品。

66.如权利要求1-64中任一项所述的基底，其含有约96个样品。

67.如权利要求1-64中任一项所述的基底，其含有约384个样品。

68.如权利要求1-67中任一项所述的基底，其中一个或多个所述样品含有分析物。

69.如权利要求68所述的基底，其中所述分析物选自核苷酸，寡核苷酸，多核苷酸，核酸，肽，蛋白质，聚合物(例如合成聚合物、工业聚合物、塑料聚合物)，糖类，多糖，糖，碳水化合物，凝集素，脂质，糖蛋白，脂蛋白，小分子，小化学体，代谢物，天然产物，药物，偶联物及其组合。

70.制备权利要求1-69中任一项所述的基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基底的方法，其包括：

置样品于基底上的区域处，所述样品含有基质和纳米粒子，以及

将样品暴露于使样品在基底上的各区域处结晶的条件下。

71.如权利要求70所述的方法，其中所述基质和所述纳米粒子分别置于各区域处。

72.如权利要求70或71所述的方法，其中所述样品在溶液中，且所述溶液被置于所述基底上的位点处。

73.如权利要求72所述的方法，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约1μg/ml到约500μg/ml。

74.如权利要求73所述的方法，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约75μg/ml到约300μg/ml。

75.如权利要求73所述的方法，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约125μg/ml或约250μg/ml。

76.如权利要求75所述的方法，其中所述溶液中基质的浓度为约1mM到约1M。

77.如权利要求74或75所述的方法，其中所述溶液中基质的浓度为约1mg/ml到约100mg/ml。

78.如权利要求72-77中任一项所述的方法，其中所述溶液中基质的浓度为约20mg/ml到约60mg/ml。

79.如权利要求72所述的方法，其中所述溶液中基质对纳米粒子之比是约0.1:1到约30,000:1。

80.如权利要求79所述的方法，其中所述溶液中基质对纳米粒子之比是约1:1到约600:1。

81.如权利要求80所述的方法，其中所述溶液中基质对纳米粒子之比是约13:1到约430:1。

82.如权利要求70-75中任一项所述的方法，其包括干燥基底上的样品。

83.如权利要求82所述的方法，其中所述干燥包括将样品暴露于约30％到约80％的相对湿度。

84.如权利要求83所述的方法，其中所述相对湿度为约50％。

85.如权利要求82-84中任一项所述的方法，其中所述干燥包括将样品暴露于约15℃到约35℃的温度。

86.如权利要求85所述的方法，其中所述温度为约21℃。

87.如权利要求82-86中任一项所述的方法，其中所述干燥包括将样品暴露于环境压力。

88.如权利要求82-87中任一项所述的方法，其包括将所述基底放入湿度箱。

89.如权利要求70-88中任一项所述的方法，其中所述样品含有分析物。

90.如权利要求89所述的方法，其中所述分析物选自核苷酸，寡核苷酸，多核苷酸，核酸，肽，蛋白质，聚合物(例如合成聚合物、工业聚合物、塑料聚合物)，糖类，多糖，糖，碳水化合物，凝集素，脂质，糖蛋白，脂蛋白，小分子，小化学体，代谢物，天然产物，药物，偶联物及其组合。

91.用于通过基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)来分析分析物的方法，其包括：

将分析物置于权利要求1-69中任一项所述基底上的一个或多个样品之上；

通过MALDIMS分析所述分析物。

92.用于通过基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)来分析分析物的方法，其包括：

置样品于基底上的一处或多处区域之上，所述样品含有分析物、基质和纳米粒子，由此产生如权利要求1-69中任一项所述的基底，该基底在一个或多个样品中含有分析物；

使各样品处的所述分析物挥发并离子化，由此产生离子；以及

通过MALDIMS分析所述分析物。

93.如权利要求91或92所述的方法，其中所述分析物在溶液中，且所述样品为基本结晶的或其部分在分析物放置后溶解。

94.如权利要求93所述的方法，其中所述基底暴露于使溶解的样品重结晶的条件下。

95.如权利要求91-94中任一项所述的方法，其中所述分析物选自核苷酸，寡核苷酸，多核苷酸，核酸，肽，蛋白质，聚合物(例如合成聚合物、工业聚合物、塑料聚合物)，糖类，多糖，糖，碳水化合物，凝集素，脂质，糖蛋白，脂蛋白，小分子，小化学体，代谢物，天然产物，药物，偶联物及其组合。

96.如权利要求91-95中任一项所述的方法，其中质谱仪设置为进行MALDI飞行时间(MALDI-TOF)MS。

97.一种含有基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基质和纳米粒子的组合物，

所述基质不共价连接至所述纳米粒子，

所述纳米粒子不缔合肽或蛋白质；且

所述组合物基本不含与所述基质或与所述纳米粒子或与所述基质以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含将所述基质共价连接至所述纳米粒子的组分或多组分。

98.如权利要求97所述的组合物，其中所述基质适于核酸的质谱分析。

99.一种含有基质和纳米粒子的组合物，其中所述基质基本由3-HPA组成。

100.如权利要求97-99中任一项所述的组合物，其中所述基质和纳米粒子在溶液中。

101.如权利要求97-100中任一项所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有离子、疏水、氢键或范德华缔合，且所述组合物基本不含与所述基质或与所述纳米粒子或与所述基质以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含通过离子、疏水、氢键或范德华缔合将所述基质与所述纳米粒子缔合的组分或多组分。

102.如权利要求101所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有离子缔合。

103.如权利要求101所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有疏水缔合。

104.如权利要求101所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有氢键缔合。

105.如权利要求101所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有范德华缔合。

106.如权利要求97-105中任一项所述的组合物，其中所述基质和所述纳米粒子之间基本没有缔合，且所述组合物基本不含与所述基质或与所述纳米粒子或与所述基质以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含将所述基质与所述纳米粒子缔合的组分或多组分。

107.如权利要求97-106中任一项所述的组合物，其中所述基质含有选自2,5-二羟基苯甲酸(DHB)和3-羟基吡啶甲酸(3-HPA)的基质。

108.如权利要求107所述的组合物，其中所述基质含有3-HPA。

109.如权利要求97-108中任一项所述的组合物，其中所述基质基本由单一基质组成。

110.如权利要求109所述的组合物，其中所述基质基本由3-HPA组成。

111.如权利要求97-108中任一项所述的组合物，其中所述基质基本由多种基质组分组成。

112.如权利要求97-111中任一项所述的组合物，其中，所述组合物含有一种或多种添加剂。

113.如权利要求112所述的组合物，其中所述组合物含有抗坏血酸。

114.如权利要求112或113所述的组合物，其中所述组合物含有草酸铵。

115.如权利要求112-114中任一项所述的组合物，其中所述组合物基本由3-HPA、抗坏血酸、草酸铵和所述纳米粒子组成。

116.如权利要求112-115中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子不共价缔合所述一种或多种添加剂，且所述组合物基本不含与所述一种或多种添加剂反应，或与所述纳米粒子反应，或与所述一种或多种添加剂以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含共价连接所述一种或多种添加剂和所述纳米粒子的组分或多组分。

117.如权利要求112-115中任一项所述的组合物，其中所述一种或多种添加剂和所述纳米粒子之间基本没有离子、疏水、氢键或范德华缔合，且所述组合物基本不含与所述一种或多种添加剂反应、或与所述纳米粒子反应、或与所述一种或多种添加剂以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含通过离子、疏水、氢键或范德华缔合将所述一种或多种添加剂与所述纳米粒子缔合的组分或多组分。

118.如权利要求112-117中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子不缔合所述一种或多种添加剂，且所述组合物基本不含与所述一种或多种添加剂反应，或与所述纳米粒子反应，或与所述一种或多种添加剂以及所述纳米粒子反应的组分或多组分，也基本不含将所述一种或多种添加剂与所述纳米粒子缔合的组分或多组分。

119.如权利要求97-118中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约1nm到约100nm。

120.如权利要求119所述的组合物，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约5nm到约30nm。

121.如权利要求120所述的组合物，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约10nm到约20nm。

122.如权利要求121所述的组合物，其中所述纳米粒子的平均、算术均值、中位数、标称、最小或最大直径为约15nm。

123.如权利要求97-122中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子是基本惰性的。

124.如权利要求123所述的组合物，其中所述纳米粒子基本没有用官能性化学基团衍生化。

125.如权利要求123或124所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不与分析物缔合。

126.如权利要求123-125中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不与分析物形成共价、离子、疏水、氢键或范德华缔合。

127.如权利要求125或126所述的组合物，其中所述分析物是核酸分析物。

128.如权利要求97-127中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不给出MALDIMS信号。

129.如权利要求97-128中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不含金属。

130.如权利要求97-129中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子含有一种或多种金属，基本由一种或多种金属组成，或由一种或多种金属组成。

131.如权利要求128或130所述的组合物，其中所述一种或多种金属选自金、银、铂、铝、钛、钽和钒。

132.如权利要求128或130所述的组合物，其中所述一种或多种金属是一种金属，且该金属是铁。

133.如权利要求97-132中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子基本不形成多聚体。

134.如权利要求1-133中任一项所述的组合物，其中所述纳米粒子含有SiO₂。

135.如权利要求134所述的组合物，其中所述纳米粒子为热解二氧化硅粒子。

136.如权利要求97-135中任一项所述的组合物，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约1μg/ml到约500μg/ml。

137.如权利要求136所述的组合物，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约75μg/ml到约300μg/ml。

138.如权利要求137所述的组合物，其中所述溶液中纳米粒子的浓度为约125μg/ml或约250μg/ml。

139.如权利要求97-138中任一项所述的组合物，其中所述基质的浓度为约1mM到约1M。

140.如权利要求97-138中任一项所述的组合物，其中所述基质的浓度为约1mg/ml到约100mg/ml。

141.如权利要求140所述的组合物，其中所述基质的浓度为约20mg/ml到约60mg/ml。

142.如权利要求97-141中任一项所述的组合物，其中所述基质对纳米粒子之比为约0.1:1到约30,000:1。

143.如权利要求142所述的组合物，其中所述基质对纳米粒子之比是约1:1到约600:1。

144.如权利要求143所述的组合物，其中所述基质对纳米粒子之比是约13:1到约430:1。

145.如权利要求97-144中任一项所述的组合物，其中所述组合物基本是固体。

146.如权利要求145所述的组合物，其中所述组合物基本是晶体。

147.一种基质辅助激光解吸电离(MALDI)质谱(MS)基底，其包含基本平面的表面和多个样品容留结构；

148.如权利要求147所述的质谱基底，其中每个所述容留结构含有一个或多个脊或点。

149.如权利要求148所述的质谱基底，其中所述一个或多个脊形成在所述容留结构的表面和基本平坦的基底表面之间。

150.如权利要求148或149所述的质谱基底，其中所述一个或多个脊形成在所述容留结构的两个表面之间。

151.如权利要求147-150中任一项所述的质谱基底，其中每个所述容留结构含有基本平坦的表面或基本弯曲的表面，或含有基本平坦的表面和基本弯曲的表面。

152.如权利要求147-151中任一项所述的质谱基底，其中每个所述容留结构选自井、脊和凸柱。

153.如权利要求152所述的质谱基底，其含有井。

154.如权利要求153所述的质谱基底，其中所述井的型面包括矩形、多边形、三角形、圆形、蛋形或椭圆形。

155.如权利要求153或154所述的质谱基底，其中所述井在基底表面处的宽度为约2毫米或更小，其深度为约100μm或更小。

156.如权利要求153-155中任一项所述的质谱基底，其中所述井的壁含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

157.如权利要求153-156中任一项所述的质谱基底，其中每个井的底含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

158.如权利要求152所述的质谱基底，其含有脊或凸柱。

159.如权利要求158所述的质谱基底，所述脊在含有井的容留结构中。

160.如权利要求159所述的质谱基底，其中每个井为抬升井。

161.如权利要求159或160所述的质谱基底，其中所述井在每个井近端开口处的内部宽度为约2毫米或更小，其深度为约100μm或更小。

162.如权利要求159-161中任一项所述的质谱基底，其中每个井的壁含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

163.如权利要求159-162中任一项所述的质谱基底，其中每个井的底含有基本弯曲的表面或基本平坦的表面，或含有基本弯曲的表面和基本平坦的表面。

164.如权利要求147-163中任一项所述的质谱基底，其中所述结构在所述基底上置于阵列中。

165.如权利要求164所述的质谱基底，其含有约24个结构。

166.如权利要求164所述的质谱基底，其含有约96个结构。

167.如权利要求164所述的质谱基底，其含有约384个结构。

168.如权利要求147-167中任一项所述的质谱基底，其中所述基底含有基本疏水的一处或多处表面。

169.如权利要求147-168中任一项所述的质谱基底，其中所述容留结构含有基本疏水的一处或多处表面。

170.如权利要求168或169中任一项所述的质谱基底，其中所述基底含有相对亲水的一处或多处表面。

171.如权利要求168-170中任一项所述的质谱基底，其中所述容留结构含有相对亲水的一处或多处表面。

172.如权利要求170或171所述的质谱基底，其中所述相对亲水的一处或多处表面含有光致抗蚀剂。