CN105199623A - 一种双组份加成型防沉降导电硅胶及其制备方法 - Google Patents

一种双组份加成型防沉降导电硅胶及其制备方法 Download PDF

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CN105199623A CN201510724339.0A CN201510724339A CN105199623A CN 105199623 A CN105199623 A CN 105199623A CN 201510724339 A CN201510724339 A CN 201510724339A CN 105199623 A CN105199623 A CN 105199623A
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王守立
万炜涛
陈田安
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Abstract

本发明涉及一种双组份加成型防沉降导电硅胶及其制备方法,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,A组份包括基料:20~60份、含氢硅油:2~10份、抑制剂:0.005~1份、稀释剂:5~15份、偶联剂:0.005~2份、改性导电粉40~75份,B组份包括基料:10~60份、铂催化剂:0.0001~0.0005份、偶联剂:0.005~2份、改性导电粉:40~75份,本发明所提供的加成型防沉降导电硅橡胶用作FIP点胶,可防止导电胶在存储、运输过程中的沉降;硫化后的胶条具有优异的韧性;在各种各样的塑料和金属基板上,具有良好的粘结性,尤其对铝板的粘结性。

Description

一种双组份加成型防沉降导电硅胶及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种导电硅胶及其制备方法,尤其涉及一种防沉降导电硅胶及其制备方法,属于电磁屏蔽界面要求的有机吸波材料领域。
背景技术
随着现代高新技术的发展,电磁波引起的电磁干扰(EMI)和电磁兼容(EMC)问题日益严重,不但对电子仪器、设备造成干扰与损坏,影响其正常工作,而且也会污染环境,危害人类健康;另外电磁波泄漏也会危及国家信息安全和军事核心机密的安全。因此,探索高效的电磁屏蔽材料,防止电磁波引起的电磁干扰和电磁兼容问题,对于提高电子产品和设备的安全可靠性,确保信息通信系统、网络系统、传输系统的安全畅通均具有重要的意义。
目前市场上存在很多导电胶水,但有几个致命的缺陷:一是保质期很短,一般只有3个月左右,而且如果保存不当或放置时间较长,则将会出现无法点胶现象,致使产品无法使用;二是贮存稳定性差,存放一段时间后,会出现导电粉沉降,导致施胶工艺繁杂、导电性能下降;三是对法兰表面粘结性能差。
鉴于上述电磁屏蔽材料的急缺以及导电胶水存在的不足,研发出具有电磁屏蔽效果的导电胶水已成为一个迫在眉睫的问题。
发明内容
本发明针对现有导电胶水存在的不足,提供一种双组份加成型防沉降导电硅胶及其制备方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,其特征在于,由A组份和B组份按
质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:
所述B组份包括如下重量份的原料:
所述基料是由乙烯基硅油80~120份、气相法白炭黑50~70份、六甲基二硅氮烷3~8份与蒸馏水0.2~1份脱水共混制得;
所述改性导电粉是指表面包覆有偶联剂的导电粉。
进一步,所述的乙烯基硅油是指含有乙烯基的聚二有机基硅氧烷液体胶,硅氧烷液体胶的分子量为2~50w。
进一步,所述的导电粉是指纯银导电粉、纯镍导电粉、镍包石墨导电粉、银包铝导电粉、银包铜导电粉、银包镍导电粉、银包玻璃导电粉中的一种或两种以上的混合物。
进一步,所述的抑制剂为2-甲基-3-丁炔基-2醇、3-甲基-1-乙炔基-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇、1-乙炔基-1-环己醇和多乙烯基聚硅氧烷中的至少一种。
进一步,所述的稀释剂为二甲基硅油、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷或六甲基二硅氧烷中的至少一种。
进一步,所述的含氢硅油是指甲基氢硅油、甲基苯基硅油、羟基含氢硅油中的一种或两种以上的混合物。
进一步,所述的偶联剂为硅烷偶联剂A-171、钛酸酯偶联剂KR-TTS、铝酸酯偶联剂DL-411、含环氧基、羟基、腈基、羰基、酯基的硅烷偶联剂中的一种或两种及以上的混合物。
本发明的有益效果是:
1)本发明的加成型防沉降导电硅胶,具有稳定的存储性,硫化完全后具有优异的电气及物理特性,耐候性、耐高低温等性能;
2)本发明所提供的加成型防沉降导电硅橡胶用作FIP点胶,可防止导电胶在存储、运输过程中的沉降;硫化后的胶条具有优异的韧性;在各种各样的塑料和金属基板上,具有良好的粘结性,尤其对铝板的粘结性。
本发明还要求保护上述双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法,包括如下步骤:
1)导电粉干燥:将导电粉体干燥除去水分;
2)导电粉包覆:对步骤1)中所得的粉体采用湿法进行表面处理,即将偶联剂与95%的乙醇溶液混合,使其水解,然后将导电粉体加入其中,所得混合物经充分搅拌混合后,水浴加热将乙醇挥发,得到表面包覆上一层偶联剂的导电粉,即改性导电粉;
3)制备防沉降型基料:将乙烯基硅油80~120份、气相法白炭黑50~70份、六甲基二硅氮烷3~8份与蒸馏水0.2~1份置于真空捏合机内,于100~150℃、压力﹤0.01Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:取步骤3)中所得的基料20~60份、含氢硅油2~10份、抑制剂0.005~1份、稀释剂5~15份、偶联剂0.005~2份、改性导电粉40~75份搅拌混合均匀;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料20~60份、铂催化剂0.0001~0.0005份、稀释剂5~15份、偶联剂0.005~2份、改性导电粉40~75份搅拌混合均匀;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力﹤0.01Mpa的条件下脱泡20~40分钟,获得防沉降导电硅胶。
进一步,步骤1)和2)中所述的导电粉是指纯银导电粉、纯镍导电粉、镍包石墨导电粉、银包铝导电粉、银包铜导电粉、银包镍导电粉、银包玻璃导电粉中的一种或两种以上的混合物。
进一步,步骤3)中所述的乙烯基硅油是指含有乙烯基的聚二有机基硅氧烷液体胶,其分子量为2~50w。
进一步,步骤2)中所述的偶联剂与95%乙醇溶液的混合物中偶联剂占2~10wt%,偶联剂质量为吸波剂的10~20wt%。
进一步,步骤4)中所述的抑制剂为2-甲基-3-丁炔基-2醇、3-甲基-1-乙炔基-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇、1-乙炔基-1-环己醇和多乙烯基聚硅氧烷中的至少一种。
进一步,步骤4)和5)中所述的稀释剂为二甲基硅油、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷或六甲基二硅氧烷中的至少一种。
进一步,步骤4)中所述的含氢硅油是指甲基氢硅油、甲基苯基硅油、羟基含氢硅油中的一种或两种以上的混合物。
进一步,步骤3)和4)中所述的偶联剂为硅烷偶联剂A-171、钛酸酯偶联剂KR-TTS、铝酸酯偶联剂DL-411、含环氧基、羟基、腈基、羰基、酯基的硅烷偶联剂中的一种或两种及以上的混合物。
本发明的双组份防沉降硅基导电硅胶的制备方法的有益效果如下:
1)工艺流程简单,所用原料廉价易得,易于实现;
2)所得产品用作FIP点胶,可防止导电胶在存储、运输过程中的沉降;硫化后的胶条具有优异的韧性;在各种各样的塑料和金属基板上,具有良好的粘结性,尤其对铝板的粘结性。
具体实施方式
以下结合实例对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:基料:20份、甲基氢硅油:2份、抑制剂2-甲基-3-丁炔基-2醇:0.005份、二甲基硅油:5份、硅烷偶联剂A-171:0.005份、改性纯银导电粉:40份,所述B组份包括如下重量份的原料:基料:20份、铂催化剂:0.0001份、二甲基硅油:5份、硅烷偶联剂A-171:1份、改性纯银导电粉:40份,所述基料由分子量为2W的乙烯基硅油:50份、分子量为10W的乙烯基硅油:50份、疏水型白炭黑R972:60份、六甲基二硅氮烷:5份、蒸馏水:0.5份脱水共混制得,所述改性纯银导电粉是指表面包裹有硅烷偶联剂A-171的纯银导电粉。
上述双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法如下:
1)导电粉干燥,取10-30um的纯银导电粉置于鼓风干燥箱内于80℃下干燥1小时;
2)导电粉包覆,对步骤1)中所得的导电粉进行湿法表面处理,即将硅烷偶联剂A-171与95%的乙醇溶液混合使其水解30min,其中按重量份计,硅烷偶联剂A-171占5wt%,之后将导电粉加入到硅烷偶联剂A-171与乙醇的混合溶液中,硅烷偶联剂A-171为导电粉重量的15wt%,经充分搅拌混合30min后,置于80℃水浴中加热将乙醇蒸发,得到表面包覆上一层偶联剂A-171的纯银导电粉;
3)制备防沉降型基料:将分子量为2W的乙烯基硅油:50份、分子量为10W的乙烯基硅油:50份、疏水型白炭黑R972:60份、六甲基二硅氮烷:5份、蒸馏水:0.5份置于真空捏合机内,于100℃、压力0.008Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:将步骤3)中所得的基料:20份、甲基氢硅油:2份、抑制剂2-甲基-3-丁炔基-2醇:0.005份、二甲基硅油:5份、硅烷偶联剂A-171:0.005份、步骤2)中所得的纯银导电粉:40份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料:20份、铂催化剂:0.0001份、二甲基硅油:5份、硅烷偶联剂A-171:1份、步骤2)中所得的改性纯银导电粉:40份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力0.005Mpa的条件下脱泡30分钟,获得防沉降导电硅胶。
实施例2:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:基料:40份、甲基氢硅油:6份、抑制剂2-甲基-3-丁炔基-2醇:0.5份、二甲基硅油:10份、硅烷偶联剂A-171:1份、改性纯镍导电粉:60份,所述B组份包括如下重量份的原料:基料:40份、铂催化剂:0.0003份、二甲基硅油:10份、硅烷偶联剂A-171:1份、改性纯镍导电粉:65份,所述基料由分子量为10W的乙烯基硅油:50份、分子量为20W的乙烯基硅油:50份、疏水型白炭黑R972:60份、六甲基二硅氮烷:5份、蒸馏水:0.5份脱水共混制得,所述改性纯镍导电粉是指表面包裹有硅烷偶联剂A-171的纯镍导电粉。
上述双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法如下:
1)导电粉干燥,取10-30um的纯镍导电粉置于鼓风干燥箱内于80℃下干燥1小时;
2)导电粉包覆,对步骤1)中所得的导电粉进行湿法表面处理,即将硅烷偶联剂A-171与95%的乙醇溶液混合使其水解30min,其中按重量份计,硅烷偶联剂A-171占2wt%,之后将导电粉加入到硅烷偶联剂A-171与乙醇的混合溶液中,硅烷偶联剂A-171为导电粉重量的10wt%,经充分搅拌混合30min后,置于80℃水浴中加热将乙醇蒸发,得到表面包覆上一层偶联剂A-171的纯镍导电粉;
3)制备防沉降型基料:将分子量为10W的乙烯基硅油:50份、分子量为20W的乙烯基硅油:50份、疏水型白炭黑R972:60份、六甲基二硅氮烷:5份、蒸馏水:0.5份置于真空捏合机内,于120℃、压力0.005Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:将步骤3)中所得的基料:40份、甲基氢硅油:6份、抑制剂2-甲基-3-丁炔基-2醇:0.5份、二甲基硅油:10份、硅烷偶联剂A-171:1份、步骤2)中所得的纯镍导电粉:60份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料:40份、铂催化剂:0.0003份、二甲基硅油:10份、硅烷偶联剂A-171:1份、步骤2)中所得的改性纯镍导电粉:65份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力0.005Mpa的条件下脱泡30分钟,获得防沉降导电硅胶。
实施例3:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:基料:60份、羟基含氢硅油:10份、抑制剂3-甲基-1-乙炔基-3-醇:1份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、改性镍包石墨导电粉:75份,所述B组份包括如下重量份的原料:基料:60份、铂催化剂:0.0005份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、改性镍包石墨导电粉:75份,所述基料由分子量为20W的乙烯基硅油:80份、疏水型白炭黑R972:50份、六甲基二硅氮烷:5份、蒸馏水:0.8份脱水共混制得,所述改性镍包石墨导电粉是指表面包裹有钛酸酯偶联剂KR-TTS的镍包石墨导电粉。
上述双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法如下:
1)导电粉干燥,取30-50um的镍包石墨导电粉置于鼓风干燥箱内于80℃下干燥1小时;
2)导电粉包覆,对步骤1)中所得的导电粉进行湿法表面处理,即将钛酸酯偶联剂KR-TTS与95%的乙醇溶液混合使其水解30min,其中按重量份计,钛酸酯偶联剂KR-TTS占2wt%,之后将导电粉加入到钛酸酯偶联剂KR-TTS与乙醇的混合溶液中,钛酸酯偶联剂KR-TTS为导电粉重量的15wt%,经充分搅拌混合30min后,置于80℃水浴中加热将乙醇蒸发,得到表面包覆上一层偶联剂的镍包石墨导电粉;
3)制备防沉降型基料:将分子量为20W的乙烯基硅油:80份、疏水型白炭黑R972:50份、六甲基二硅氮烷:5份、蒸馏水:0.8份置于真空捏合机内,于120℃、压力0.006Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:将步骤3)中所得的基料:60份、羟基含氢硅油:10份、抑制剂3-甲基-1-乙炔基-3-醇:1份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂:2份、步骤2)中所得的改性镍包石墨导电粉:75份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料:60份、铂催化剂:0.0005份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、改性镍包石墨导电粉:75份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力0.005Mpa的条件下脱泡30分钟,获得防沉降导电硅胶。
实施例4:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:基料:20份、羟基含氢硅油:6份、抑制剂3-甲基-1-乙炔基-3-醇:0.5份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:1份、改性银包铝导电粉:60份,所述B组份包括如下重量份的原料:基料:20份、铂催化剂:0.0005份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、改性银包铝导电粉:75份,所述基料由分子量为20W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:8份、蒸馏水:0.8份脱水共混制得,所述改性银包铝导电粉是指表面包裹有钛酸酯偶联剂KR-TTS的银包铝导电粉。
上述双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法如下:
1)导电粉干燥,取30-50um的银包铝导电粉置于鼓风干燥箱内于80℃下干燥1小时;
2)导电粉包覆,对步骤1)中所得的导电粉进行湿法表面处理,即将钛酸酯偶联剂KR-TTS与95%的乙醇溶液混合使其水解30min,其中按重量份计,钛酸酯偶联剂KR-TTS占8wt%,之后将导电粉加入到钛酸酯偶联剂KR-TTS与乙醇的混合溶液中,钛酸酯偶联剂KR-TTS为银包铝导电粉重量的15wt%,经充分搅拌混合30min后,置于80℃水浴中加热将乙醇蒸发,得到表面包覆上一层偶联剂的银包铝导电粉;
3)制备防沉降型基料:将分子量为20W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:8份、蒸馏水:0.8份置于真空捏合机内,于100℃、压力0.006Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:将步骤3)中所得的基料:20份、羟基含氢硅油:6份、抑制剂3-甲基-1-乙炔基-3-醇:0.5份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:1份、改性银包铝导电粉:60份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料:20份、铂催化剂:0.0005份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、改性银包铝导电粉:75份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力0.005Mpa的条件下脱泡40分钟,获得防沉降导电硅胶。
实施例5:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:基料:60份、苯基含氢硅油:2份、抑制剂3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇:0.005份、八甲基环四硅氧烷:10份、铝酸酯偶联剂DL-411:1份、改性银包铜导电粉:40份,所述B组份包括如下重量份的原料:基料:60份、铂催化剂:0.0001份、八甲基环四硅氧烷:15份、铝酸酯偶联剂DL-411:0.005份、改性银包铜导电粉:40份,所述基料由分子量为30W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:8份、蒸馏水:0.8份脱水共混制得,所述改性银包铜导电粉是指表面包裹有铝酸酯偶联剂DL-411的银包铜导电粉。
上述双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法如下:
1)导电粉干燥,取50-80um的银包铜导电粉置于鼓风干燥箱内于80℃下干燥1小时;
2)导电粉包覆,对步骤1)中所得的导电粉进行湿法表面处理,即将硅烷偶联剂KH-560与95%的乙醇溶液混合使其水解30min,其中按重量份计,硅烷偶联剂KH-560占15wt%,之后将导电粉加入到硅烷偶联剂KH-560与乙醇的混合溶液中,硅烷偶联剂KH-560为导电粉重量的20wt%,经充分搅拌混合30min后,置于80℃水浴中加热将乙醇蒸发,得到表面包覆上一层偶联剂的银包铜导电粉;
3)制备防沉降型基料:将分子量为30W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:8份、蒸馏水:0.8份置于真空捏合机内,于100℃、压力0.002Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:将步骤3)中所得的基料:60份、苯基含氢硅油:2份、抑制剂3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇:0.005份、八甲基环四硅氧烷:10份、铝酸酯偶联剂DL-411:1份、步骤2)中所得的改性银包铜导电粉:40份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料:60份、铂催化剂:0.0001份、八甲基环四硅氧烷:15份、铝酸酯偶联剂DL-411:0.005份、步骤2)中所得的改性银包铜导电粉:40份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力0.005Mpa的条件下脱泡40分钟,获得防沉降导电硅胶。
实施例6:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:基料:20份、苯基含氢硅油:10份、抑制剂3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇:1份、八甲基环四硅氧烷:10份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:2份、改性银包镍导电粉:75份,所述B组份包括如下重量份的原料:基料:20份、铂催化剂:0.0005份、八甲基环四硅氧烷:10份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:2份、改性银包镍导电粉:60份,所述基料由分子量为40W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:3份、蒸馏水:0.3份脱水共混制得,所述改性银包镍导电粉是指表面包裹有硅烷偶联剂KH-171的银包镍导电粉。
上述双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法如下:
1)导电粉干燥,取100-120um的银包镍导电粉置于鼓风干燥箱内于80℃下干燥1小时;
2)导电粉包覆,对步骤1)中所得的导电粉进行湿法表面处理,即将硅烷偶联剂KH-171与95%的乙醇溶液混合使其水解30min,其中按重量份计,硅烷偶联剂KH-171占10wt%,之后将导电粉加入到硅烷偶联剂KH-171与乙醇的混合溶液中,硅烷偶联剂KH-171为导电粉体重量的20wt%,经充分搅拌混合30min后,置于80℃水浴中加热将乙醇蒸发,得到表面包覆上一层硅烷偶联剂KH-171的银包镍导电粉;
3)制备防沉降型基料:将分子量为40W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:3份、蒸馏水:0.3份置于真空捏合机内,于150℃、压力0.002Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:将步骤3)中所得的基料:20份、苯基含氢硅油:10份、抑制剂3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇:1份、八甲基环四硅氧烷:10份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:2份、步骤2)中所得的改性银包镍导电粉:75份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料:20份、铂催化剂:0.0005份、八甲基环四硅氧烷:10份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:2份、步骤2)中所得的改性银包镍导电粉:60份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力0.005Mpa的条件下脱泡40分钟,获得防沉降导电硅胶。
实施例7:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:基料:60份、苯基含氢硅油:6份、抑制剂3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇:0.5份、六甲基二硅氧烷:5份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:0.005份、改性银包玻璃导电粉:60份,所述B组份包括如下重量份的原料:基料:60份、铂催化剂:0.0001份、六甲基二硅氧烷:10份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:1份、改性银包玻璃导电粉:40份,所述基料由分子量2W的乙烯基硅油:60份、分子量为40W的乙烯基硅油:60份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:8份、蒸馏水:0.8份脱水共混制得,所述改性吸波碳化硅是指表面包裹有钛酸酯偶联剂KR-TTS的银包玻璃导电粉。
上述双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法如下:
1)导电粉干燥,取120-150um的银包玻璃导电粉置于鼓风干燥箱内于80℃下干燥1小时;
2)导电粉包覆,对步骤1)中所得的导电粉进行湿法表面处理,即将钛酸酯偶联剂KR-TTS与95%的乙醇溶液混合使其水解30min,其中按重量份计,钛酸酯偶联剂KR-TTS占10wt%,之后将导电粉加入到钛酸酯偶联剂KR-TTS与乙醇的混合溶液中,钛酸酯偶联剂KR-TTS为导电粉重量的20wt%,经充分搅拌混合30min后,置于80℃水浴中加热将乙醇蒸发,得到表面包覆上一层钛酸酯偶联剂KR-TTS的导电粉;
3)制备防沉降型基料:将分子量2W的乙烯基硅油:60份、分子量为10W的乙烯基硅油:60份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:8份、蒸馏水:0.8份脱水置于真空捏合机内,于100℃、压力0.002Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:将步骤3)中所得的基料:60份、苯基含氢硅油:6份、抑制剂3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇:0.5份、六甲基二硅氧烷:5份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:0.005份、改性银包玻璃导电粉:60份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料:60份、铂催化剂:0.0001份、六甲基二硅氧烷:10份、四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:1份、改性银包玻璃导电粉:40份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力0.005Mpa的条件下脱泡40分钟,获得防沉降导电硅胶。
实施例8:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:基料:40份、苯基含氢硅油:2份、抑制剂1-乙炔基-1-环己醇:0.005份、六甲基二硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、改性银包玻璃导电粉:40份,所述B组份包括如下重量份的原料:基料:40份、铂催化剂:0.0003份、六甲基二硅氧烷:5份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:0.005份、改性银包玻璃导电粉:40份,所述基料由分子量50W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:3份、蒸馏水:0.8份脱水共混制得,所述改性银包玻璃导电粉是指表面包裹有硅烷偶联剂A-174的银包玻璃导电粉。
上述双组份防沉降型硅基导电硅胶的制备方法如下:
1)导电粉干燥,取150-200um的银包玻璃导电粉置于鼓风干燥箱内于80℃下干燥1小时;
2)导电粉包覆,对步骤1)中所得的导电粉进行湿法表面处理,即将硅烷偶联剂A-174与95%的乙醇溶液混合使其水解30min,其中按重量份计,硅烷偶联剂A-174占5wt%,之后将导电粉加入到硅烷偶联剂A-174与乙醇的混合溶液中,硅烷偶联剂A-174为导电粉重量的20wt%,经充分搅拌混合30min后,置于80℃水浴中加热将乙醇蒸发,得到表面包覆上一层硅烷偶联剂A-174的导电粉;
3)制备防沉降型基料:将分子量为50W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:3份、蒸馏水:0.8份脱水置于真空捏合机内,于100℃、压力0.002Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:将步骤3)中所得的基料:40份、苯基含氢硅油:2份、抑制剂1-乙炔基-1-环己醇:0.005份、六甲基二硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、步骤2)中所得的改性银包玻璃导电粉:40份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料:40份、铂催化剂:0.0003份、六甲基二硅氧烷:5份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:0.005份、改性银包玻璃导电粉:40份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力0.005Mpa的条件下脱泡40分钟,获得防沉降导电硅胶。
实施例9:
一种双组份加成型防沉降导电硅胶,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:基料:40份、苯基含氢硅油:10份、抑制剂1-乙炔基-1-环己醇:1份、六甲基二硅氧烷:5份、铝酸酯偶联剂DL-411:0.005份、改性银包镍导电粉:75份,所述B组份包括如下重量份的原料:基料:40份、铂催化剂:0.0001份、六甲基二硅氧烷:5份、铝酸酯偶联剂DL-411:0.005份、改性银包镍导电粉:75份,所述基料由分子量2W的乙烯基硅油:60份、分子量为50W的乙烯基硅油:60份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:8份、蒸馏水:0.8份脱水共混制得,所述改性银包镍导电粉是指表面包裹有铝酸酯偶联剂DL-411的银包镍导电粉。
上述双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法如下:
1)导电粉干燥,取150-200um的银包镍导电粉置于鼓风干燥箱内于80℃下干燥1小时;
2)导电粉包覆,对步骤1)中所得的银包镍导电粉进行湿法表面处理,即将铝酸酯偶联剂DL-411与95%的乙醇溶液混合使其水解30min,其中按重量份计,铝酸酯偶联剂DL-411占5wt%,之后将导电粉加入到铝酸酯偶联剂DL-411与乙醇的混合溶液中,铝酸酯偶联剂DL-411为导电粉重量的20wt%,经充分搅拌混合30min后,置于80℃水浴中加热将乙醇蒸发,得到表面包覆上一层铝酸酯偶联剂DL-411的银包镍导电粉;
3)制备防沉降型基料:将分子量为2W的乙烯基硅油:60份、分子量为10W的乙烯基硅油:60份、疏水型白炭黑R972:70份、六甲基二硅氮烷:8份、蒸馏水:0.8份脱水置于真空捏合机内,于100℃、压力0.002Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:将步骤3)中所得的基料:40份、甲基苯基硅油:10份、抑制剂1-乙炔基-1-环己醇:1份、六甲基二硅氧烷:5份、铝酸酯偶联剂DL-411:0.005份、步骤2)中所得的改性银包镍导电粉:75份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料:40份、铂催化剂:0.0001份、六甲基二硅氧烷:5份、铝酸酯偶联剂DL-411:0.005份、步骤2)中所得的改性银包镍导电粉:75份,置于双行星搅拌机中搅拌混合1小时;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力0.005Mpa的条件下脱泡40分钟,获得防沉降导电硅胶。
对比实施例1:
在室温下将实施例1中的各个组份,基料:20份、甲基氢硅油:2份、抑制剂2-甲基-3-丁炔基-2醇:0.005份、二甲基硅油:5份、硅烷偶联剂A-171:0.005份、10-30um的纯银导电粉:40份,搅拌混合1小时得A组份,将基料:20份、铂催化剂:0.0003份、二甲基硅油:10份、硅烷偶联剂A-171:1份、10-30um的纯银导电粉:40份,搅拌混合1小时得B组份,所述基料是由分子量为2W的乙烯基硅油:50份、分子量为10W的乙烯基硅油:50份、疏水型白炭黑R972:60份搅拌混合所得,将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后获得导电硅胶。
对比实施例2:
在室温下将实施例2中的各个组份,基料:40份、甲基氢硅油:6份、抑制剂2-甲基-3-丁炔基-2醇:0.5份、二甲基硅油:10份、硅烷偶联剂A-171:1份、10-30um的纯镍导电粉:60份,搅拌混合1小时得A组份,将基料:40份、铂催化剂:0.0003份、二甲基硅油:10份、硅烷偶联剂A-171:1份、10-30um的纯镍导电粉:65份,搅拌混合1小时得B组份,所述基料由分子量为10W的乙烯基硅油:50份、分子量为20W的乙烯基硅油:50份、疏水型白炭黑R972:60份搅拌混合所得,将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀得导电硅胶。
对比实施例3:
在室温下将实施例3中的各个组份,基料:60份、羟基含氢硅油:10份、抑制剂3-甲基-1-乙炔基-3-醇:1份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、30-50um的镍包石墨导电粉:75份,搅拌混合1小时得A组份,将基料:60份、铂催化剂:0.0005份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:1份、30-50um的镍包石墨导电粉:75份,搅拌混合1小时得B组份,所述基料由分子量为20W的乙烯基硅油:80份、疏水型白炭黑R972:50份搅拌混合所得,将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀得导电硅胶。
对比实施例4:
在室温下将实施例4中的各个组份,基料:20份、羟基含氢硅油:6份、抑制剂3-甲基-1-乙炔基-3-醇:0.5份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:1份、30-50um的银包铝导电粉:60份,搅拌混合1小时得A组份,将基料:20份、铂催化剂:0.0005份、四甲基四乙烯基环四硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、30-50um的银包铝导电粉:75份,搅拌混合1小时得B组份,所述基料由分子量为20W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份搅拌混合所得,将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀得导电硅胶。
对比实施例5:
在室温下将实施例5中的各个组份,基料:60份、苯基含氢硅油:2份、抑制剂3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇:0.005份、八甲基环四硅氧烷:10份、铝酸酯偶联剂DL-411:1份、50-80um的银包铜导电粉:40份,搅拌混合1小时得A组份,将基料:60份、铂催化剂:0.0001份、八甲基环四硅氧烷:15份、铝酸酯偶联剂DL-411:0.005份、50-80um的银包铜导电粉:40份,搅拌混合1小时得B组份,所述基料由分子量为30W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份搅拌混合所得,将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀得导电硅胶。
对比实施例6:
在室温下将实施例6中的各个组份,基料:20份、苯基含氢硅油:10份、抑制剂3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇:1份、八甲基环四硅氧烷:10份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:2份、50-80um的银包镍导电粉:75份,搅拌混合1小时得A组份,将基料:20份、铂催化剂:0.0005份、八甲基环四硅氧烷:10份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:2份、50-80um的银包镍导电粉:60份,搅拌混合1小时得B组份,所述基料由分子量为40W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份搅拌混合所得,将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀得导电硅胶。
对比实施例7:
在室温下将实施例7中的各个组份,基料:60份、苯基含氢硅油:6份、抑制剂3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇:0.5份、六甲基二硅氧烷:5份、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:0.005份、80-120um的银包玻璃导电粉:60份,搅拌混合1小时得A组份,将基料:60份、铂催化剂:0.0001份、六甲基二硅氧烷:10份、四甲基-1,3二[3-(环氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷:1份、80-120um的银包玻璃导电粉:40份,搅拌混合1小时得B组份,所述基料由分子量2W的乙烯基硅油:60份、分子量为40W的乙烯基硅油:60份、疏水型白炭黑R972:70份搅拌混合所得,将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀得导电硅胶。
对比实施例8:
在室温下将实施例8中的各个组份,基料:40份、苯基含氢硅油:2份、抑制剂1-乙炔基-1-环己醇:0.005份、六甲基二硅氧烷:15份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:2份、150-200um的银包玻璃导电粉:40份,搅拌混合1小时得A组份,将基料:40份、铂催化剂:0.0003份、六甲基二硅氧烷:5份、钛酸酯偶联剂KR-TTS:0.005份、150-200um的银包玻璃导电粉:40份,搅拌混合1小时得B组份,所述基料由分子量50W的乙烯基硅油:120份、疏水型白炭黑R972:70份搅拌混合所得,将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀得导电硅胶。
对比实施例9:
在室温下将实施例9中的各个组份,基料:40份、苯基含氢硅油:10份、抑制剂1-乙炔基-1-环己醇:1份、六甲基二硅氧烷:5份、铝酸酯偶联剂DL-411:0.005份、150-200um的银包镍导电粉:75份,搅拌混合1小时得A组份,将基料:40份、铂催化剂:0.0001份、六甲基二硅氧烷:5份、铝酸酯偶联剂DL-411:0.005份、150-200um的银包镍导电粉:75份,搅拌混合1小时得B组份,所述基料由分子量2W的乙烯基硅油:60份、分子量为50W的乙烯基硅油:60份、疏水型白炭黑R972:70份搅拌混合所得,将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀得导电硅胶。
为验证本发明产品的性能,我们进行了如下测试:
(一)体积电阻率测试
将电阻仪的两个的电极压到厚度为2mm、,长和宽均为25.4mm的模压片上,测试得到电阻,固体积电阻率是测试得到的电阻值与厚度的乘积,单位为Ω*cm。结果见表1所示,制得的单组分高温硫化导电胶水具有良好的导电性。
(二)粘结强度测试
将制备实施例1~9和对比实施例1~9制得的产品用点胶器在铝基板上点成1mm高,25mm长的胶条,经160℃、1h硫化后,使用标准砝码及治具测其附着力,并计算其与铝基板的粘结强度,结果见表1,表明本发明的单组分高温硫化导电胶水与铝板具有良好的粘结性。
(三)防沉降性测试
将制备实施例1~9和对比实施例1~9制得的产品0-5℃存储6个月,测试上下层黏度的变化,测试通过流变仪进行测试,仪器装配了两个平板,平板间距为0.5mm、测试温度为23℃。结果见表1,表明本发明的单组分室高硫化导电胶水具有很好的防沉降性。
(四)撕裂强度性能测试
将制备实施例1~9和对比实施例1~9制得的产品制成厚度为2mm样片,在160℃的温度下烘烤1h后,冲切成新月形样片,然后在拉伸机上测试样片的撕裂强度。结果见表1,表明本发明的单组分室高硫化导电胶水具有很好的撕裂强度。
(五)断裂伸长率
将制备实施例1~9和对比实施例1~9制得的产品制成厚度为2mm样片,在160℃的温度下烘烤1h后,冲切成哑铃形状的样片,然后在拉伸机上测试样片的断裂伸长率。断裂延伸率是在断裂点处样片伸长的百分比。
根据表1数据结果可知,本发明制备的导电硅胶具有良好的导电性、粘结性、防沉降性、撕裂强度和断裂伸长率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
表1:实施例1-9和对比例1-9所得产品性能测试数据

Claims (10)

1.一种双组份加成型防沉降导电硅胶,其特征在于,由A组份和B组份按质量比1:1混合而成,所述A组份包括如下重量份的原料:
所述B组份包括如下重量份的原料:
所述基料是由乙烯基硅油80~120份、气相法白炭黑50~70份、六甲基二硅氮烷3~8份与蒸馏水0.2~1份脱水共混制得;
所述改性导电粉是指表面包覆有偶联剂的导电粉。
2.根据权利要求1所述的一种双组份加成型防沉降导电硅胶,其特征在于,所述的导电粉是指纯银导电粉、纯镍导电粉、镍包石墨导电粉、银包铝导电粉、银包铜导电粉、银包镍导电粉、银包玻璃导电粉中的一种或两种以上的混合物,粉体粒径为10~200um。
3.根据权利要求1所述的一种双组份加成型防沉降导电硅胶,其特征在于,所述的抑制剂为2-甲基-3-丁炔基-2醇、3-甲基-1-乙炔基-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇、1-乙炔基-1-环己醇和多乙烯基聚硅氧烷中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种双组份加成型防沉降导电硅胶,其特征在于,所述的稀释剂为二甲基硅油、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷或六甲基二硅氧烷中的至少一种,所述的含氢硅油是指甲基氢硅油、甲基苯基硅油、羟基含氢硅油中的一种或两种以上的混合物,所述的偶联剂为硅烷偶联剂A-171、钛酸酯偶联剂KR-TTS、铝酸酯偶联剂DL-411、含环氧基、羟基、腈基、羰基、酯基的硅烷偶联剂中的一种或两种及以上的混合物。
5.一种双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)导电粉干燥:将导电粉体干燥除去水分;
2)导电粉包覆:对步骤1)中所得的粉体采用湿法进行表面处理,即将偶联剂与95%的乙醇溶液混合,使其水解,然后将导电粉体加入其中,所得混合物经充分搅拌混合后,水浴加热将乙醇挥发,得到表面包覆上一层偶联剂的导电粉,即改性导电粉;
3)制备防沉降型基料:将乙烯基硅油80~120份、气相法白炭黑50~70份、六甲基二硅氮烷3~8份与蒸馏水0.2~1份置于真空捏合机内,于100~150℃、压力﹤0.01Mpa的条件下脱水共混得防沉降型基料;
4)制备A组份:取步骤3)中所得的基料20~60份、含氢硅油2~10份、抑制剂0.005~1份、稀释剂5~15份、偶联剂0.005~2份、改性导电粉40~75份搅拌混合均匀;
5)制备B组份:取步骤3)中所得的基料20~60份、铂催化剂0.0001~0.0005份、稀释剂5~15份、偶联剂0.005~2份、改性导电粉40~75份搅拌混合均匀;
6)混合:将A组份和B组份按质量比1:1混合均匀后,置于压力﹤0.01Mpa的条件下脱泡20~40分钟,获得加成型防沉降导电硅胶。
6.根据权利要求5所述的一种双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法,其特征在于,步骤3)中所述的乙烯基硅油是指含有乙烯基的聚二有机基硅氧烷液体胶,其分子量为2~50w。
7.根据权利要求5所述的一种双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法,其特征在于,所述的导电粉是指纯银导电粉、纯镍导电粉、镍包石墨导电粉、银包铝导电粉、银包铜导电粉、银包镍导电粉、银包玻璃导电粉中的一种或两种以上的混合物,粉体粒径为10~200um。
8.根据权利要求5所述的一种双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法,其特征在于,步骤2)中所述的偶联剂与95%乙醇溶液的混合物中偶联剂占2~10wt%,所述偶联剂的质量为吸波剂的10~20wt%。
9.根据权利要求5-8中任一项所述的一种双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法,其特征在于,步骤4)中所述的抑制剂为2-甲基-3-丁炔基-2醇、3-甲基-1-乙炔基-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇、1-乙炔基-1-环己醇和多乙烯基聚硅氧烷中的至少一种,所述的含氢硅油是指甲基氢硅油、甲基苯基硅油、羟基含氢硅油中的一种或两种以上的混合物。
10.根据权利要求5-8中任一项所述的一种双组份加成型防沉降导电硅胶的制备方法,其特征在于,步骤4)和5)中所述的稀释剂为二甲基硅油、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷或六甲基二硅氧烷中的至少一种,所述的偶联剂为硅烷偶联剂A-171、钛酸酯偶联剂KR-TTS、铝酸酯偶联剂DL-411、含环氧基、羟基、腈基、羰基、酯基的硅烷偶联剂中的一种或两种及以上的混合物。
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