CN105144372A - 半导体元件装配用基板的制造方法 - Google Patents
半导体元件装配用基板的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105144372A CN105144372A CN201480023450.0A CN201480023450A CN105144372A CN 105144372 A CN105144372 A CN 105144372A CN 201480023450 A CN201480023450 A CN 201480023450A CN 105144372 A CN105144372 A CN 105144372A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal level
- semiconductor element
- basal substrate
- layer
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 260
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 260
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims abstract description 93
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 89
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 77
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 claims description 60
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 35
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N Betaine Natural products C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O N,N,N-trimethylglycinium Chemical group C[N+](C)(C)CC(O)=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims description 5
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 61
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 57
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 39
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 19
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRDJPCFGLMKJRU-UHFFFAOYSA-N DDAO Chemical group ClC1=C(O)C(Cl)=C2C(C)(C)C3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 BRDJPCFGLMKJRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000006701 autoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010960 cold rolled steel Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000022821 personality disease Diseases 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229940045944 sodium lauroyl glutamate Drugs 0.000 description 1
- IWIUXJGIDSGWDN-UQKRIMTDSA-M sodium;(2s)-2-(dodecanoylamino)pentanedioate;hydron Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCC(=O)N[C@H](C([O-])=O)CCC(O)=O IWIUXJGIDSGWDN-UQKRIMTDSA-M 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4825—Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
[课题]提供一种批量生产率优异且能够稳定地生产避免了不良情况的产生、表面安装型的半导体装置的半导体元件装配用基板。[解决手段]一种半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(1)～(7)。(1)准备在第一金属层(1)上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层(2)的基底基板(3)的工序；(2)在前述基底基板的前述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层(4)的工序；(3)在从前述抗蚀剂掩模层露出的前述第二金属层上实施再加工处理、形成再加工面的工序；(4)在前述基底基板的前述再加工面上施以有机性覆膜(6)的工序，所述有机性覆膜(6)利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制密合性；(5)在前述基底基板的前述再加工面上夹着前述有机性覆膜形成安装用金属层(7)的工序；(6)在前述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序；(7)去除前述基底基板的前述第二金属层上的前述抗蚀剂掩模的工序。
Description
技术领域
本发明涉及使用电铸框的表面安装型的半导体元件装配用基板的制造方法。
背景技术
以往，作为使用电铸框的表面安装型的半导体装置，使用在导电性基板上电铸形成有半导体元件装配用的岛部和外部导出用的电极部的半导体元件装配用基板，公知的结构如下：在岛部上装配半导体元件后，通过引线接合将半导体元件和电极部电连接，在导电性基板上进行树脂密封后，仅去除导电性基板，切断树脂密封体而单片化。
例如，专利文献1公开了如下半导体元件装配用基板的制造方法：在支撑体的一个表面的整面形成由Cr层和(Ni-Co)层这二层构成的剥离层，在剥离层上形成由铜材料形成的期望形状的导体图案。还公开了：使用该制造方法，将半导体芯片在树脂密封后在Cr层与(Ni-Co)层的边界面引入切口，从密封树脂剥离支撑体，残留的(Ni-Co)层蚀刻去除，在露出的导体图案的表面形成用于作为与其他半导体装置的连接端子发挥作用的金属层，从而制造半导体装置。
另外，专利文献2公开了：对于导电性基板的露出面实施微蚀刻等表面活化处理后，镀覆Au、Ag作为安装用金属层，在安装用金属层上电铸形成作为岛部和电极部的电铸层制成电铸物，从导电性基板去除抗蚀剂掩模层，从而制造半导体装置装配用基板。还公开了：使用该方法，在电铸物的岛部装配半导体元件，通过引线接合将半导体元件与电极部电连接，将导电性基板上的半导体元件、岛部、电极部及接合线树脂密封制成树脂密封体，剥离导电性基板，得到树脂密封体，切断树脂密封体，从而制造半导体装置。
另外，专利文献3公开了：作为导电性基板，第一金属层由Cu形成、第二金属层由Ni形成时，安装用金属层的形成中密合力过强，因此，对第二金属层的Ni表面进行自然氧化或氧化处理，形成期望厚度的氧化膜，适度地设定Ni层与电铸物的密合力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-026631号公报
专利文献2：日本特开2009-055055号公报
专利文献3：日本特开2011-198977号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在专利文献1公开的方法中，剥离层中的一者(例如(Ni-Co)层)需要通过蚀刻去除，在此基础上，为了提高与其他半导体装置的接合性，需要在导体图案上再次形成Ni、Au等金属膜，因此制造工序复杂化。
另外，在专利文献2公开的方法中，在电铸形成岛部及电极部时，为了提高导电性基板与岛部及电极部的密合力，采用对导电性基板表面进行活化处理后形成安装用金属层的方法，但是上述方法中，使用不锈钢作为导电性基板时，在进行了微蚀刻的面上容易形成凹凸，在之后的电铸中，凹凸引起结节产生，岛部、电极部的表面无法平滑地形成，担心在半导体元件装配、接合工序中产生连接不良情况。
而且，对导电性基板利用卷对卷的方式处理并连续地电铸的情况下，由于不锈钢的表面电阻大、与供电用电极的接触不良，因此镀层异常析出、或需要提高外加电压，因此存在阳极容易产生氢、容易发生凹坑不良的状况。另外，使用Cu作为导电性基板时，Cu与安装用金属层的密合力过强，将导电性基板从树脂密封体剥离时，存在岛部、电极部变形而残留于导电性基板侧这样的问题。
进而，在专利文献3所公开的方法中，虽然不存在像上述专利文献1、专利文献2那样的问题，但为了在工厂置于批量生产工序，总是形成规定厚度的氧化膜是不可缺少的，这一点在实际上相当麻烦。
因此，本发明鉴于前述课题而完成，目的在于提供一种批量生产率优异且能够稳定地生产避免了上述不良情况的产生、适当地设定电铸物与基底基板的密合力的表面安装型的半导体装置的半导体元件装配用基板的制造方法。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(1)～(7)。
(1)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序；
(2)在前述基底基板的前述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序；
(3)在从前述抗蚀剂掩模层露出的前述第二金属层上实施再加工处理来形成再加工面的工序；
(4)在前述基底基板的前述再加工面上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于前述再加工面的密合性；
(5)在前述基底基板的前述再加工面上夹着前述有机性覆膜形成前述安装用金属层的工序；
(6)在前述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序；
(7)去除前述基底基板的前述第二金属层上的前述抗蚀剂掩模的工序。
或者，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(1)～(6)。
(1)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序；
(2)在前述基底基板的前述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序；
(3)在前述基底基板的前述第二金属层上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于前述第二金属层的密合性；
(4)在前述基底基板的前述第二金属层上夹着前述有机性覆膜形成前述安装用金属层的工序；
(5)在前述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序；
(6)去除前述基底基板的前述第二金属层上的前述抗蚀剂掩模的工序。
另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，前述显示两性表面活性剂的物性的成分为甜菜碱型、氧化胺型或氨基酸型。
另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，用于形成前述再加工面的再加工处理是实施电镀Ni或电镀NiP。
另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，用于形成前述再加工面的再加工处理是实施软蚀刻、在软蚀刻后电镀Ni或者在软蚀刻后电镀NiP中的任一者。
另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，前述第一金属层为Cu、SPCC或42合金中的任一者。
另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，前述第二金属层为Ni或NiP。
另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法在前述发明的基础上，其特征在于，前述安装用金属层为Au、Pd或Au/Pd中的任一者。
发明的效果
根据本发明，能够稳定地批量生产适当地设定了电铸物与基底基板的密合力的安装表面型的半导体元件装配用基板。
附图说明
图1的(a)～(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例1～实施例9的图。另外，图1的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
图2的(a)～(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例10的图。另外，图2的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
图3的(a)～(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例11～实施例12的图。另外，图3的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
图4的(a)～(f)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例13的图。另外，图4的(f’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
图5的(a)～(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例14～实施例16的图。另外，图5的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
图6的(a)～(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例17的图。另外，图6的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
图7的(a)～(g)为按照工序顺序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例18的图。另外，图7的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
图8的(a)～(g)为按照工序示出本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的实施例19的图。另外，图8的(g’)为电极端子部和半导体元件装配部的俯视图。
具体实施方式
本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(1)～(7)。
(1)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序；
(2)在基底基板的前述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序；
(3)在从抗蚀剂掩模层露出的第二金属层上实施再加工处理、形成再加工面的工序；
(4)在基底基板的再加工面上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于再加工面的密合性；
(5)在基底基板的再加工面上夹着有机性覆膜形成安装用金属层的工序；
(6)在安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序；
(7)去除基底基板的第二金属层上的抗蚀剂掩模的工序。
在电铸工序前，在第二金属层表面上实施再加工处理形成再加工面，在再加工面上施以控制密合性的有机性覆膜，由此可以适度设定再加工面与电铸物的密合力，可以防止从树脂密封体剥离基底基板时的电沉积物变形或剥离不良。
使用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液，使有机性覆膜吸附于再加工面，从而形成有机性覆膜。通过再加工面的有机性覆膜的空隙使安装用金属密合，由此形成安装用金属层。需要说明的是，本发明中使用的两性表面活性剂是指，根据pH而亲水基团的部分带正电或带负电的表面活性剂，其离子性根据溶液的pH而变化。而且，该有机性覆膜的密度依赖于有机性覆膜液的pH。pH高时，形成高密度的有机性覆膜，其结果，安装用金属层对于再加工面的密合力变低。相反，pH低时，形成低密度的有机性覆膜，其结果，安装用金属层对于再加工面的密合力变高。
另外，通过将安装用金属层难以扩散的金属用于第二金属层(再加工面)，在半导体元件装配时的接合工序中能够抑制安装用金属层向第一金属层扩散，能够防止半导体装置的安装时的软钎料润湿性下降等不良情况。进而，通过树脂密封工序等加热处理，安装用金属层也难以向第二金属层的再加工面扩散，因此以适度的状态保持安装用金属层与第二金属层的再加工面的密合力，剥离去除基底基板时，可以在安装用金属层与第二金属层的再加工面的边界可靠地剥离。
因此，对于利用本发明的制造方法制造的半导体元件装配用基板，可以省略从树脂密封体剥离去除基底基板后镀覆安装用金属层的工序，可以在与电铸工序连续的工序中形成安装用金属层，批量生产率优异，能够进行廉价的生产。
需要说明的是，再加工面的形成工序不必须如后述那样，但由于存在形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序中第二金属层表面被污染的情况，因此优选形成再加工面。假设若不进行再加工面的形成，则有机性覆膜与安装用金属层的密合变得不均匀，有可能产生密合性的异常、脱落等问题。需要说明的是，还存在对表面进行清洗来代替再加工面的形成的方法，但也存在充分地清洗困难的情况，形成再加工面更可靠。
另外，本发明的半导体元件装配用基板的制造方法的特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下(1)～(6)的工序。
(1)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序；
(2)在基底基板的第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序；
(3)在基底基板的前述第二金属层上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于第二金属层的密合性；
(4)在基底基板的第二金属层上夹着有机性覆膜形成安装用金属层的工序；
(5)在安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序；
(6)去除基底基板的第二金属层上的前述抗蚀剂掩模的工序。
通过在电铸工序前在第二金属层表面上施以控制密合性的有机性覆膜，能够适度地设定第二金属层与电铸物(安装用金属层)的密合力，能够防止从树脂密封体剥离基底基板时的电沉积物变形或剥离不良。
使用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液，使有机性覆膜吸附于第二金属层，由此形成有机性覆膜。通过以有机性覆膜的间隙为起点使安装用金属与第二金属层密合，从而形成安装用金属层。需要说明的是，本发明中使用的两性表面活性剂是指，根据pH而亲水基团的部分带正电或带负电的表面活性剂，其离子性根据溶液的pH而变化。而且，该有机性覆膜的密度依赖于有机性覆膜液的pH。pH高时，形成高密度的有机性覆膜，其结果，安装用金属层对于第二金属层的密合力变低。相反，pH低时，形成低密度的有机性覆膜，其结果，安装用金属层对于第二金属层的密合力变高。
需要说明的是，如前所述，在形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序中，存在第二金属层表面被污染的情况，因此优选形成再加工面，但在开口部的第二金属层表面以对夹着有机性覆膜的安装用金属层不产生影响的程度保持清洁性的情况下，不需要形成再加工面。这种情况下，再加工面的形成工序变得不需要，因此制造工序可以变得最简化。
另外，对于本发明的半导体元件装配用基板的制造方法，优选显示两性表面活性剂的物性的成分为甜菜碱型、氧化胺型或氨基酸型。
利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液，以其覆盖金属表面的方式进行吸附，从而形成有机性覆膜。作为甜菜碱型的两性表面活性剂的例子，有羧基甜菜碱。作为氧化胺型的两性表面活性剂的例子，有十二烷基二甲基氧化胺。另外，作为氨基酸型的两性表面活性剂的例子，有月桂酰谷氨酸钠。需要说明的是，除了甜菜碱型、氧化胺型、氨基酸型以外，只要是包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液，则也能够形成有机性覆膜。
另外，对形成第二金属层、再加工面的材料没有特别规定，不仅可以为本发明所示的Ni，而且通常使用的引线框金属也有效。
另外，对于本发明的半导体元件装配用基板的制造方法，优选的是，用于形成再加工面的再加工处理实施电镀Ni或电镀NiP。
基本上，第二金属层由电镀Ni形成时，再加工面也由电镀Ni形成。另外，第二金属层由电镀NiP形成时，再加工面也由电镀NiP形成。
需要说明的是，为Ni单体时，加热后的端子结合强度提高，但为了使其最少化，为NiP层即可。这是因为，NiP层具有的非晶质能够降低在其上形成且成为安装用金属层的Au的热扩散。需要说明的是，从本发明的目的即适度的剥离强度管理的方面、及作为可以使对安装于端子侧的不良影响最小化的材料、以及经济性的方面出发，可以说NiP在本发明中是最适合的。
需要说明的是，为了达成本发明的目的，再加工面和第二金属层不必须为相同的材料，由于再加工面金属向安装用金属层的扩散，担心对引线接合性、组装后的剥离的影响，因此优选为相同的材料。
另外，对于本发明的半导体元件装配用基板的制造方法，优选的是，用于形成再加工面的再加工处理实施软蚀刻、在软蚀刻后电镀Ni或者在软蚀刻后电镀NiP中的任一者。
如前述那样，在形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序中，存在第二金属层表面被污染的情况，因此优选形成再加工面。污染轻微时，仅进行软蚀刻即可。由此，可以在一直相同的状态的面上完成。
另外，想要形成完全新的加工面时，实施软蚀刻后电镀Ni或软蚀刻后电镀NiP中的任一者。如此，从而形成新的再加工面，进而可以形成直至基准距(standoff)。
另外，对于本发明的半导体元件装配用基板的制造方法，优选的是，第一金属层为Cu、SPCC(冷轧钢板)或42合金(57％Fe42％Ni合金)中的任一者。
另外，对于本发明的半导体元件装配用基板的制造方法，优选的是，第二金属层为Ni或NiP。
第二金属层与之后有无再加工处理无关，基本上由电镀Ni或电镀NiP形成。需要说明的是，为Ni单体时，加热后的端子结合强度提高，但为了使其最少化，为NiP层即可。这是因为，NiP层具有的非晶质能够降低在其上形成且成为安装用金属层的Au的热扩散。
另外，对于本发明的半导体元件装配用基板的制造方法，优选的是，前述安装用金属层为Au单独，Pd单独或Au/Pd中的任一者。另外，作为安装用金属层，可以为其他金属，例如可以为Ni/Pd/Au。
以下参照图1～图8对本发明的实施例进行说明。需要说明的是，以下各实施例的说明中，仅针对最上层为半导体元件装配层、且成为半导体元件装配部的电铸物的形成方法进行说明，但对于成为电极端子部的电铸物的形成方法也同样，基本上如图示所示那样，半导体元件装配部和电极端子部的形成同时进行。
实施例
以下实施例中，作为包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液，使用商品名BestguardAgS-4(CHEMITECHCO.,LTD.制造)。需要说明的是，该化学溶液的具体的成分等如下。
成分：羧基甜菜碱10.0wt％
一硫化四甲基秋兰姆4.5wt％
巯基苯并咪唑3.0wt％
纯水82.5wt％
pH：10
需要说明的是，对于pH的调节，提高pH时利用氢氧化钾，降低pH时通过添加乳酸来调节。
(实施例1)
以下，基于图1的(a)～(g)进行说明。
首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图1的(d)所示那样在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图1的(f)所示那样进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例2)
以下，基于图1的(a)～(g)说明其他例子。本实施例将阻隔金属层5设为NiP面。
首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图1的(c)所示那样形成在基底基板3上能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀NiP(P含有率20％)，形成：形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，对基底基板3的NiP面(阻隔金属层5)用BestguardAgS-4进行浸渍处理，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而，夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例3)
以下，基于图1的(a)～(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例1的电铸物11为其他结构的例子。
首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图1的(e)所示那样，使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Pd作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液剥离抗蚀剂掩模层4时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例4)
以下，基于图1的(a)～(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例1的电铸物11为其他结构的例子。
首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图1的(f)所示那样，进行0.005μm电镀Au及0.01μm电镀Pd作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例5)
以下，基于图1的(a)～(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例1的电铸物11为其他结构的例子。
首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2进行0.3μm电镀Ni，形成：形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀NiP作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图1的(f)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例6)
以下，基于图1的(a)～(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例1的电铸物11为其他结构的例子。
首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进一步进行0.01μm作为接合金属层9的电镀Pd及0.005μm作为半导体元件装配层10的电镀Au，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例7)
以下，基于图1的(a)～(g)说明其他例子。本实施例示出针对实施例1的电铸物11、对电铸层8进行粗化镀Ni的例子。
首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图1的(c)所示那样在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进一步对Ni面进行0.5μm粗化镀Ni。接着，夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例8)
以下，基于图1的(a)～(g)说明其他例子。本实施例示出实施例1中使用SPCC材料作为第一金属层1的例子。
首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的SPCC材料作为第一金属层1。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图1的(c)所示那样，形成在基底基板3上能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，对基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)喷涂BestguardAgS-4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图1的(g)所示，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例9)
以下，基于图1的(a)～(g)说明其他例子。本实施例示出实施例1中使用42合金材料作为第一金属层1的例子。
首先，如图1的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的42合金材料作为第一金属层1。然后，如图1的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图1的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图1的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成了阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图1的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图1的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图1的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例10)
以下，基于图2的(a)～(g)进行说明。本实施例使再加工为软蚀刻处理。
首先，如图2的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图2的(b)所示那样，在其上进行2.0μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图2的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图2的(d)所示那样，对露出的第二金属层2进行1.5μm蚀刻处理，形成干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面上喷涂BestguardAgS-4，如图2的(e)所示那样，使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图2的(f)所示那样进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图2的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例11)
以下，基于图3的(a)～(g)进行说明。本实施例使再加工为软蚀刻处理后形成Ni面。
首先，如图3的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图3的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图3的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图3的(d)所示那样，对露出的第二金属层2进行1.5μm蚀刻处理、以及进行0.5μm如图3的(e)所示的电镀Ni，形成：形成有阻隔金属层5的具有基准距的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图3的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图3的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图3的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例12)
以下，基于图3的(a)～(g)说明其他例子。本实施例使再加工为在软蚀刻处理后形成NiP面。
首先，如图3的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图3的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图3的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图3的(d)所示那样，对露出的第二金属层2进行1.5μm蚀刻处理、以及进行0.5μm图3的(e)所示的电镀NiP(P含有率20％)，形成：形成有阻隔金属层5的具有基准距的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的NiP面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图3的(e)所示那样，使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图3的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而，夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图3的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例13)
以下，基于图4的(a)～(f)进行说明。本实施例示出没有再加工工序的例子。
首先，如图4的(a)所示那样，作为第一金属层1，使用板厚0.15mm的Cu材料。然后，如图4的(b)所示那样，在其上进行0.5μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图4的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，在露出的第二金属层2上喷涂BestguardAgS-4，如图4的(d)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图4的(e)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图4的(f)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例14)
以下，基于图5的(a)～(g)进行说明。本实施例示出电铸物11中不设置接合金属层9的例子。
首先，如图5的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图5的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图5的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图5的(d)所示那样，在露出的第二金属层上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图5的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图5的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Cu作为电铸层8，进而进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图5的(g)所示那样，成为基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例15)
以下，基于图5的(a)～(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例14的电铸物11为其他结构的例子。
首先，如图5的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图5的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图5的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图5的(d)所示那样，在露出的第二金属层上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图5的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图5的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而，进行0.01μm作为半导体元件装配层10的电镀Au，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图5的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例16)
以下，基于图5的(a)～(g)说明其他例子。本实施例示出使实施例14的电铸物11为其他结构的例子。
首先，如图5的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图5的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图5的(c)所示那样，在基底基板3上形成能够形成锥形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图5的(d)所示那样，在露出的第二金属层上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图5的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图5的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而借助触击电镀Ag进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图5的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有倒锥形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例17)
以下，基于图6的(a)～(g)进行说明。本实施例示出电铸物11以倒锥形状且俯视看锯齿形状形成的例子。
首先，如图6的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图6的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此在基底基板3上形成能够形成如图6的(c)所示那样的锥形状且如图6的(g’)所示那样的锯齿形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图6的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图6的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图6的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，成为在基底基板3上形成有如图6的(g)所示那样的倒锥形状且如图6的(g’)所示那样的俯视看锯齿形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例18)
以下，基于图7的(a)～(g)进行说明。本实施例示出将电铸物11形成为蘑菇型的例子。
首先，作为图7的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图7的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压厚度20μm的干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图7的(c)所示那样在基底基板3上形成抗蚀剂掩模层4。
接着，如图7的(d)所示那样，在露出的第二金属层2上进行0.3μm电镀Ni，形成：形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图7的(e)所示那样使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图7的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，以超过抗蚀剂掩模层4的方式进行35μm电镀Ni作为电铸层8，电铸以放射状扩展，以成为蘑菇型形状的方式形成。进而，夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除抗蚀剂掩模层4时，如图7的(g)所示那样，成为在基底基板3上形成有蘑菇型形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
(实施例19)
以下，基于图8的(a)～(g)进行说明。本实施例示出使电铸物11为俯视看锯齿形状的例子。
首先，如图8的(a)所示那样，使用板厚0.15mm的Cu材料作为第一金属层1。然后，如图8的(b)所示那样，在其上进行0.3μm电镀Ni作为第二金属层2，形成基底基板3。
接着，层压干膜抗蚀剂。然后，使用形成有图案的玻璃掩模进行曝光·显影，由此如图8的(c)和(g’)那样，在基底基板3上形成能够形成锯齿形状的电铸物的抗蚀剂掩模层4。
接着，如图8的(d)所示那样，在露出的第二金属层2进行0.3μm电镀Ni，形成：形成有阻隔金属层5的干净的基底基板3。
接着，在基底基板3的Ni面(阻隔金属层5)上喷涂BestguardAgS-4，如图8的(e)所示那样，使有机性覆膜6吸附于表面。
接着，如图8的(f)所示那样，进行0.03μm电镀Au作为安装用金属层7，接着，进行20μm电镀Ni作为电铸层8，进而，夹着0.01μm作为提高Ni与Ag的密合性的接合金属层9的电镀Pd，进行2μm作为半导体元件装配层10的电镀Ag，形成电铸物11。
接着，利用氢氧化钠的碱溶液去除干膜抗蚀剂时，如图8的(g)和(g’)所示那样，成为在基底基板3上形成有俯视看锯齿形状的电铸物11的半导体元件装配用基板。
需要说明的是，使用利用本发明的方法制造的半导体元件装配用基板制造半导体装置时，在半导体元件装配部装配半导体元件，将半导体元件与电极端子部电连接，将半导体元件装配部、半导体元件及电极端子部树脂密封，形成树脂密封体。然后，将包含第二金属层或再加工面(阻隔金属层)的基底基板剥离去除。安装用金属层夹着有机性覆膜形成于第二金属层或再加工面(阻隔金属层)上，因此，包含第二金属层或再加工面(阻隔金属层)的基底基板可以从安装用金属层容易地剥离。
以上，对本发明的优选实施例进行了说明，但本发明并不限于上述实施例，在不超出本发明范围的范围内，可以对上述实施例进行各种变形及替代。
附图标记说明
1···第一金属层
2···第二金属层
3···基底基板
4···抗蚀剂掩模层
5···阻隔金属层
6···有机性覆膜
7···安装用金属层
8···电铸层
9···接合金属层
10···半导体元件装配层
11···电铸物
12···电极端子部
Claims (8)
1.一种半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(1)～(7)：
(1)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序；
(2)在所述基底基板的所述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序；
(3)在从所述抗蚀剂掩模层露出的所述第二金属层上实施再加工处理来形成再加工面的工序；
(4)在所述基底基板的所述再加工面上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于所述再加工面的密合性；
(5)在所述基底基板的所述再加工面上夹着所述有机性覆膜形成所述安装用金属层的工序；
(6)在所述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序；
(7)去除所述基底基板的所述第二金属层上的所述抗蚀剂掩模的工序。
2.一种半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，在半导体元件装配用基板的制造方法中，依次经过以下工序(1)～(6)：
(1)准备在第一金属层上形成有安装用金属难以扩散的第二金属层的基底基板的工序；
(2)在所述基底基板的所述第二金属层上形成被图案化的抗蚀剂掩模层的工序；
(3)在所述基底基板的所述第二金属层上施以有机性覆膜的工序，所述有机性覆膜利用包含显示两性表面活性剂的物性的成分的化学溶液来控制安装用金属层对于所述第二金属层的密合性；
(4)在所述基底基板的所述第二金属层上夹着所述有机性覆膜形成所述安装用金属层的工序；
(5)在所述安装用金属层上通过电铸形成半导体元件装配部及电极端子部的工序；
(6)去除所述基底基板的所述第二金属层上的所述抗蚀剂掩模的工序。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，所述显示两性表面活性剂的物性的成分为甜菜碱型、氧化胺型或氨基酸型。
4.根据权利要求1或权利要求3所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，用于形成所述再加工面的再加工处理是实施电镀Ni或电镀NiP。
5.根据权利要求1或权利要求3所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，用于形成所述再加工面的再加工处理是实施软蚀刻、在软蚀刻后电镀Ni或者在软蚀刻后电镀NiP中的任一者。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层为Cu、SPCC或42合金中的任一者。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，所述第二金属层为Ni或NiP。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体元件装配用基板的制造方法，其特征在于，所述安装用金属层为Au、Pd或Au/Pd中的任一者。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013-091556 | 2013-04-24 | ||
| JP2013091556A JP6044936B2 (ja) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
| PCT/JP2014/056307 WO2014174925A1 (ja) | 2013-04-24 | 2014-03-11 | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105144372A true CN105144372A (zh) | 2015-12-09 |
| CN105144372B CN105144372B (zh) | 2018-01-09 |
Family
ID=51791510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201480023450.0A Active CN105144372B (zh) | 2013-04-24 | 2014-03-11 | 半导体元件装配用基板的制造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9870930B2 (zh) |
| JP (1) | JP6044936B2 (zh) |
| KR (1) | KR102156811B1 (zh) |
| CN (1) | CN105144372B (zh) |
| TW (1) | TWI608552B (zh) |
| WO (1) | WO2014174925A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106004075A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-10-12 | 山东华菱电子股份有限公司 | 热敏打印头用发热基板的制造方法 |
| CN108695270A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-23 | 艾普凌科有限公司 | 树脂密封型半导体装置以及其制造方法 |
| CN109964312A (zh) * | 2016-11-17 | 2019-07-02 | 新确有限公司 | 半导体元件安装用基板端子板的制造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6555927B2 (ja) * | 2015-05-18 | 2019-08-07 | 大口マテリアル株式会社 | 半導体素子搭載用リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
| JP6927634B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2021-09-01 | 大口マテリアル株式会社 | 半導体素子搭載用基板及びその製造方法 |
| JP7481865B2 (ja) | 2020-03-12 | 2024-05-13 | マクセル株式会社 | 半導体装置用基板、および半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101486282A (zh) * | 2008-01-16 | 2009-07-22 | 索尼株式会社 | 热转印记录介质 |
| CN102194763A (zh) * | 2010-03-09 | 2011-09-21 | 住友金属矿山株式会社 | 半导体元件搭载用基板及其制造方法 |
| JP2011198977A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3821376A (en) * | 1969-07-03 | 1974-06-28 | Rohm & Haas | Fungicidal use of a 1,2,4-triazole nickel salt complex |
| US4749449A (en) * | 1987-06-05 | 1988-06-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metallization utilizing a catalyst which is removed or deactivated from undesired surface areas |
| JP2850640B2 (ja) * | 1992-04-28 | 1999-01-27 | 株式会社デンソー | 混成集積回路装置 |
| WO1999038035A1 (fr) | 1996-07-22 | 1999-07-29 | Maikurooputo Co., Ltd. | Procede de fabrication d'une mini-lentille plate et mince; mini-lentille ainsi produite |
| JP3335082B2 (ja) * | 1996-07-22 | 2002-10-15 | 日本板硝子株式会社 | 平板型マイクロレンズ |
| KR100243368B1 (ko) * | 1996-10-18 | 2000-02-01 | 유무성 | 리드프레임의 열처리 방법 |
| JPH11138517A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Hitachi Chem Co Ltd | セラミックグリーンシート製造用キャリアフィルム |
| US6593643B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device lead frame |
| US6538210B2 (en) * | 1999-12-20 | 2003-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit component built-in module, radio device having the same, and method for producing the same |
| TWI312166B (en) * | 2001-09-28 | 2009-07-11 | Toppan Printing Co Ltd | Multi-layer circuit board, integrated circuit package, and manufacturing method for multi-layer circuit board |
| JP2004214265A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4341328B2 (ja) * | 2003-07-04 | 2009-10-07 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| SG158920A1 (en) * | 2005-01-27 | 2010-02-26 | Advanced Tech Materials | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| US7923423B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| JP5113346B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2013-01-09 | 日立電線株式会社 | 電子装置用基板およびその製造方法、ならびに電子装置およびその製造方法 |
| CN102177579A (zh) * | 2008-11-05 | 2011-09-07 | 株式会社三井高科技 | 半导体装置及其制造方法 |
| EP2240005A1 (en) * | 2009-04-09 | 2010-10-13 | ATOTECH Deutschland GmbH | A method of manufacturing a circuit carrier layer and a use of said method for manufacturing a circuit carrier |
| JP5891771B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2016-03-23 | 富士通株式会社 | 表面被覆方法、並びに半導体装置、及び実装回路基板 |
| TWI474449B (zh) * | 2013-09-27 | 2015-02-21 | Subtron Technology Co Ltd | 封裝載板及其製作方法 |
-
2013
- 2013-04-24 JP JP2013091556A patent/JP6044936B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-11 WO PCT/JP2014/056307 patent/WO2014174925A1/ja active Application Filing
- 2014-03-11 US US14/786,831 patent/US9870930B2/en active Active
- 2014-03-11 KR KR1020157022250A patent/KR102156811B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-11 CN CN201480023450.0A patent/CN105144372B/zh active Active
- 2014-03-26 TW TW103111242A patent/TWI608552B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101486282A (zh) * | 2008-01-16 | 2009-07-22 | 索尼株式会社 | 热转印记录介质 |
| CN102194763A (zh) * | 2010-03-09 | 2011-09-21 | 住友金属矿山株式会社 | 半导体元件搭载用基板及其制造方法 |
| JP2011198977A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106004075A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-10-12 | 山东华菱电子股份有限公司 | 热敏打印头用发热基板的制造方法 |
| CN109964312A (zh) * | 2016-11-17 | 2019-07-02 | 新确有限公司 | 半导体元件安装用基板端子板的制造方法 |
| CN109964312B (zh) * | 2016-11-17 | 2023-05-30 | 新确有限公司 | 半导体元件安装用基板端子板的制造方法 |
| CN108695270A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-23 | 艾普凌科有限公司 | 树脂密封型半导体装置以及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI608552B (zh) | 2017-12-11 |
| KR102156811B1 (ko) | 2020-09-16 |
| US9870930B2 (en) | 2018-01-16 |
| CN105144372B (zh) | 2018-01-09 |
| JP6044936B2 (ja) | 2016-12-14 |
| KR20160002682A (ko) | 2016-01-08 |
| JP2014216431A (ja) | 2014-11-17 |
| WO2014174925A1 (ja) | 2014-10-30 |
| US20160079091A1 (en) | 2016-03-17 |
| TW201507041A (zh) | 2015-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105144372A (zh) | 半导体元件装配用基板的制造方法 | |
| JP6493952B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| KR20070029812A (ko) | 프린트 배선 기판, 그 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| KR20160065763A (ko) | 리드 프레임의 제조 방법 | |
| JP2011198977A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007214519A (ja) | 金属被覆ポリイミド基板およびこれを用いた錫めっき法 | |
| JP5766318B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP5034913B2 (ja) | 半導体装置製造用基板とその製造方法 | |
| JP6236824B2 (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
| JP5846655B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08274231A (ja) | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 | |
| JP2008091490A (ja) | 配線板の製造方法 | |
| JP2019114738A (ja) | リードフレームの製造方法、リードフレーム、樹脂付きリードフレームおよび半導体装置 | |
| JP2001007268A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20060128559A (ko) | 은 하지도금을 이용한 휘스커 방지용 표면처리방법 | |
| JP2014049718A (ja) | 半導体装置の製造方法並びにそれに用いられる半導体素子搭載用基板とその製造方法 | |
| JP5302140B2 (ja) | 置換めっき層の剥離方法 | |
| JP2000164782A (ja) | 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2011044563A (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
| JP5508329B2 (ja) | リードフレーム | |
| TW201341599A (zh) | 用於電鍍組件之方法 | |
| KR100828490B1 (ko) | 리드프레임 제조방법 | |
| JP5168998B2 (ja) | 半導体装置用基板及びその製造方法 | |
| JP2005150349A (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
| TWI228157B (en) | ECP method and apparatus thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180716 Address after: Japan Kagoshima Patentee after: Oguchi Electric Materials Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: SH MATERIALS CO.,LTD. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231128 Address after: The road development processing zone Kaohsiung city Taiwan China No. 24 Patentee after: CHANG WAH TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: Japan Kagoshima Patentee before: Oguchi Electric Materials Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |