CN105093646A - 具有无机覆盖层的彩色滤光片基板以及包含它的显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开的实施例涉及具有无机覆盖层的彩色滤光片基板以及包含它的显示面板。一种彩色滤光片(CF)基板(100)，包括衬底基板(1)，形成于所述衬底基板(1)上的黑矩阵(2)和像素树脂层(3)，形成于所述黑矩阵(2)和所述像素树脂层(3)上的平坦层(4)，形成于所述平坦层(4)上的无机覆盖层(5)。通过在彩色滤光片(CF)基板上使用所述无机覆盖层可有效防止气体从像素树脂层(3)和平坦层(4)中释放出来。

Description

具有无机覆盖层的彩色滤光片基板以及包含它的显示面板
技术领域
本发明的实施例涉及具有无机覆盖层的彩色滤光片基板，其制备方法，以及包含该彩色滤光片基板的显示面板。
背景技术
在显示面板或者显示装置中，常常都需要使用彩色滤光片基板来对从其中发出的光进行过滤。彩色滤光片基板对于提高显示品质和提高显示面板或显示装置的生产效率非常重要。
发明内容
本发明的实施例提供一种彩色滤光片(CF)基板，包括第一衬底基板，形成于所述第一衬底基板上的黑矩阵和像素树脂层，形成于所述黑矩阵和所述像素树脂层上的第一平坦层，形成于所述第一平坦层上的第一无机覆盖层。所述第一无机覆盖层可有效防止气体从像素树脂层和第一平坦层中释放出来，从而使得在制造显示面板时，减少了对盒过程中抽真空的时间，能够提高对盒的效率。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层为无机非金属材料。在一些示例中，所述无机非金属材料为金属或非金属的氧化物或氮化物。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层包括：非晶硅层、多晶硅层、SiNx层、SiO2层、SiNyOz层及其组合。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层的厚度为50至1000nm，或者200至800nm，或者400至600nm。
在一些示例中，所述SiNx层的密度为3.2-3.5g/cm3。
在一些示例中，所述SiO2层的密度为2.0-2.4g/cm3。
在一些示例中，所述像素树脂层包括红色像素树脂层、绿色像素树脂层、蓝色像素树脂层、和任选的透明像素树脂层。
在一些示例中，所述第一平坦层由丙烯酸类树脂形成。
在一些示例中，所述CF基板还包括形成于所述第一无机覆盖层上的公共电极。
在一些示例中，所述CF基板还包括形成于所述第一无机覆盖层上的柱状隔垫物。
本发明的实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板和彩色滤光片(CF)基板，其中所述CF基板包括第一衬底基板，形成于所述第一衬底基板上的黑矩阵和像素树脂层，形成于所述黑矩阵和像素树脂层上的第一平坦层，和形成于所述第一平坦层上的第一无机覆盖层。
在一些示例中，所述阵列基板包括：第二衬底基板、设置在第二衬底基板上的开关元件，设置在所述开关元件上的第二平坦层，设置于所述第二平坦层上的第二无机覆盖层，以及设置于所述第二无机覆盖层上的电极。
在一些示例中，设置于所述第二无机覆盖层上的所述电极包括公共电极和像素电极。在这种情况下，所述CF基板上可以设置或者不设置电极。
在一些示例中，设置于所述第二无机覆盖层上的所述电极包括像素电极，并且所述CF基板还包括设置于所述第一平坦层上的公共电极。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层和所述第二无机覆盖层各自独立地为无机非金属材料。在一些示例中，所述无机非金属材料为金属或非金属的氧化物或氮化物。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层和所述第二无机覆盖层各自独立地包括：Si层、SiNx层、SiO2层、SiNyOz层及其组合。在一些示例中，所述SiNx层的密度为3.2-3.5g/cm3。在一些示例中，所述SiO2层的密度为2.0-2.4g/cm3。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层和所述第二无机覆盖层的厚度各自独立地为50至1000nm，或者200至800nm，或者400至600nm。
本发明的实施例还提供一种制备彩色滤光片(CF)基板的方法，所述CF基板包括第一衬底基板，形成于所述第一衬底基板上的黑矩阵(BM)和像素树脂层，形成于所述黑矩阵和像素树脂层上的第一平坦层，和形成于所述第一平坦层上的第一无机覆盖层，所述方法包括：
在所述第一衬底基板上形成所述黑矩阵(BM)；
在所述黑矩阵之间形成所述像素树脂层；
在所述像素树脂层上形成第一平坦层；和
在所述第一平坦层上形成所述第一无机覆盖层。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层通过以下方法中的任一种形成：
a.沉积50-1000nm厚的非晶硅层，再将该非晶硅层的全部或至少一部分转变为多晶硅层；
b.沉积50-1000nm厚的非晶硅层，然后使该非晶硅层的全部或至少一部分转变成SiO2层，SiNx层和/或SiNyOz层。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种示例性彩色滤光片基板的示意图。
图2为根据本发明的一种彩色滤光片基板的示意图。
图3-6说明了根据本发明的一种彩色滤光片基板的制造过程。
图7为根据本发明的另一种彩色滤光片基板的示意图。
图8为根据本发明的一种显示面板的示意图。
图9为根据本发明的另一种显示面板的示意图。
附图标记说明：
100-彩色滤光片(CF)基板；200-阵列基板；1-第一衬底基板；
2-黑矩阵；3-像素树脂层；4-第一平坦层；
5-第一无机覆盖层；6-柱状隔垫物；7-公共电极；
21-开关元件(TFT)；22-第二平坦层；23-第二无机覆盖层；
24-像素电极。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1示出了一种液晶显示器彩色滤光片(CF)基板的结构示意图。CF基板主要包括形成在第一衬底基板1上的黑矩阵2和像素树脂层3，形成于所述黑矩阵2和像素树脂层3上的第一平坦层4，以及形成于所述第一平坦层4上的隔垫物6。第一平坦层4主要用来降低像素树脂层3的段差。第一平坦层4可以由透明有机树脂材料制成。但是，第一平坦层4和像素树脂层3会同步产生释放的气体，释放的气体会增加对盒过程中抽真空的时间，严重影响对盒的效率，同时，释放的气体较多时会导致残留在液晶盒内，这会加重显示器中残像的发生以及增多显示器四个角的气泡数量，而且容易对液晶产生污染从而发生Zara不良(点状不良)现象。在一些示例中，当使用图1所示的液晶显示器彩色滤光片(CF)基板制备显示面板的情况下，在对盒时，以ODF(OneDropFill)设备(使用条件：1.0Pa/30s，以下均同)抽真空时间为65至70秒。在本申请中，以ODF(OneDropFill)设备在1.0Pa/30s的条件下抽真空时间的长短来评价对盒的效率。
本发明的一种示例(如图2所示)涉及一种彩色滤光片(CF)基板100，其包括第一衬底基板1，形成于所述第一衬底基板1上的黑矩阵2和像素树脂层3，形成于所述黑矩阵2和像素树脂层3上的第一平坦层4，形成于所述第一平坦层4上的第一无机覆盖层5。在一些示例中，所述第一无机覆盖层为无机PVX层(passivationlayer)。所述PVX层采用无机非金属或金属或非金属的氧化物或氮化物制作。所述PVX层的制备方法可以为现有技术中已知的方法。在一些示例中，采用能够制备出致密的PVX层的方法。所述第一无机覆盖层可有效防止气体从像素树脂层3和第一平坦层4中释放出来。从而减少了对盒过程中抽真空的时间，能够提高对盒的效率，同时使得残留在液晶盒内部的气体残余物减少，从而会减少显示器中残像的发生以及减少显示器四个角的气泡数量，并且由于降低了对液晶的污染从而也降低了液晶显示器发生Zara不良(点状不良)现象的可能性。这里所述的气体残余物主要是指有机树脂材料中残留的未聚合的小分子单体，有机溶剂和水等，这些气体在本申请中也称为小分子气体。在一些示例中，当使用图2所示的彩色滤光片(CF)基板制备液晶显示器显示面板的情况下，在对盒时，以ODF(OneDropFill)设备(使用条件：1.0Pa/30s)抽真空时间为34至58s。在本申请中，在使用无机覆盖层的示例中，以ODF(OneDropFill)设备(使用条件：1.0Pa/30s)抽真空时间的长短来评价对盒的效率，以及相应地无机覆盖层阻挡小分子气体逸出的能力。
本发明的一种示例涉及制备彩色滤光片(CF)基板100的方法，所述CF基板包括第一衬底基板1，形成于所述第一衬底基板1上的黑矩阵(BM)2和像素树脂层3，形成于所述黑矩阵和像素树脂层上的第一平坦层4，和形成于所述第一平坦层4上的第一无机覆盖层5，所述方法包括：在所述第一衬底基板1上形成所述黑矩阵(BM)2；在所述黑矩阵2之间形成所述像素树脂层3；在所述像素树脂层3上形成第一平坦层4；和在所述第一平坦层4上形成所述第一无机覆盖层5。
在一些示例中，所述制备彩色滤光片(CF)基板100的方法还包括在所述第一无机覆盖层上形成隔垫物6。在一些示例中，所述隔垫物6为柱状隔垫物。
本发明的一种示例涉及一种显示面板，其包括阵列基板和彩色滤光片(CF)基板，其中所述CF基板包括第一衬底基板1，形成于所述第一衬底基板1上的黑矩阵2和像素树脂层3，形成于所述黑矩阵2和像素树脂层3上的第一平坦层4，和形成于所述第一平坦层4上的第一无机覆盖层5。
在所述显示面板的一些示例中，所述阵列基板包括：第二衬底基板20、设置在第二衬底基板20上的开关元件21，设置在所述开关元件21上的第二平坦层22，设置于所述第二平坦层22上的第二无机覆盖层23，以及设置于所述第二无机覆盖层上的电极24。第二平坦层22通常采用与第一平坦层类似的有机材料制备。在显示面板的彩色滤光片(CF)基板100的第一平坦层4上设置第一无机覆盖层5和在阵列基板200的第二平坦层22上设置第二无机覆盖层23使得能够同时减少来自阵列基板的释放气体和来自CF基板的释放气体的量，这进一步降低了显示面板对盒过程中抽真空的时间，能够进一步提高对盒的效率，同时使得残留在液晶盒内部的气体残余物进一步减少，从而会进一步减轻显示器中残像的发生以及减少显示器四个角的气泡数量，并且由于进一步降低了对液晶的污染从而也进一步降低了液晶显示器发生Zara不良(点状不良)现象的可能性。
实施例1
下面参考图2-6说明根据本发明的彩色滤光片(CF)基板及其制备方法。
图2示出了一种彩色滤光片(CF)基板100，其包括第一衬底基板1，形成于所述第一衬底基板1上的黑矩阵2和像素树脂层3，形成于所述黑矩阵2和像素树脂层3上的第一平坦层4，形成于所述第一平坦层4上的第一无机覆盖层5。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层为无机PVX层(passivationlayer)。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层为无机非金属材料，或金属或非金属的氧化物或氮化物。具体的非金属材料可以是硅。金属氧化物层可以是不具有导电性的金属氧化物例如氧化铜等。非金属氧化物可以是二氧化硅。氮化物例如氮化硅也可以用作该第一无机覆盖层。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层包括：非晶硅层、多晶硅层、SiNx层、SiO2层、SiNyOz层及其组合。此处，x的值可以为4/3，也可以在4/3±1/3以内。此处，y和z的关系是可以变化的，只要3y+2z＝4即可，或者y和z的关系也可以在“3y+2z＝4”上变化不超过20％。
在一些示例中，所述第一无机覆盖层的厚度为50至1000nm。无机覆盖层的厚度可以根据需要而定，只要能够达到比较好地抑制气体从像素树脂层和第一平坦层穿过无机覆盖层而溢出即可。在一些示例中，所述第一无机覆盖层的厚度为200至800nm，或者400至600nm。
在一些示例中，当所述第一无机覆盖层包含SiNx层时，所述SiNx层的密度为3.2-3.5g/cm3。较致密的SiNx层能够较好地抑制气体从像素树脂层和第一平坦层穿过无机覆盖层而溢出。所述SiNx层达到100至200nm的厚度的情况下，能够实现基本上阻止小分子气体的溢出。
在一些示例中，当所述第一无机覆盖层包含SiO2层时，所述SiO2层的密度为2.0-2.4g/cm3。较致密的SiO2层能够较好地抑制气体从像素树脂层和第一平坦层穿过无机覆盖层而溢出。在所述SiO2层达到200至400nm的厚度的情况下，能够实现基本上阻止小分子气体的溢出。
在一些示例中，其中所述像素树脂层3包括红色像素树脂层、绿色像素树脂层、蓝色像素树脂层和任选的透明像素树脂层。
在一些示例中，所述第一平坦层由丙烯酸类树脂形成。
在一些示例中，如图6所示，所述CF基板还包括形成于所述第一无机覆盖层上的公共电极7。公共电极7形成于彩膜基板上是非必要的，并且公共电极的形状也没有特别限制，其可以是板状电极，也可以是梳状电极，也可以是其它任何可行的形状。公共电极通常采用透明电极，例如ITO。
在一些示例中，所述CF基板100还包括形成于所述第一平坦层4上的柱状隔垫物6。在形成有公共电极7的情况下，柱状隔垫物6可以形成于该公共电极上。
制备本实施例的彩色滤光片(CF)基板的方法可以如下：
步骤101(如图3所示)：在第一衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵围成像素区域；
一般而言，彩色滤光片(CF)基板(或者第一衬底基板)上的区域可以分成像素区域和非像素区域。黑矩阵形成的区域对应于该非像素区域。
第一衬底基板可以采用玻璃基板或其他透明材料基板。可以在玻璃基板上旋涂或刮涂一层由光刻胶制成的黑矩阵材料层，采用刻画有图形的掩膜板对基板进行曝光，然后，对曝光后的基板进行显影，得到黑矩阵的图形。其中，所述黑矩阵图形的厚度可以为1-5μm。
对于黑矩阵的制备方法没有限制，例如，黑矩阵的制备也可以通过真空镀膜法完成。
步骤102(如图4所示)：在所述黑矩阵2之间形成所述像素树脂层3。
由于像素树脂层3可能包含各种颜色的像素树脂层例如红色像素树脂层、绿色像素树脂层、和蓝色像素树脂层，或者还可以包含透明的像素树脂层，因此每种颜色的像素树脂层通常需要分别形成。像素树脂层的厚度可以为1.0至1.3微米。
首先，将能够与像素树脂材料相溶的溶剂分散添加到像素树脂材料中。
优选地，所述溶剂为低沸点溶剂，其在常压沸点低于70℃，例如，可以采用乙醇、乙醚、戊烷、丙酮或氯仿。
接下来，在形成有黑矩阵的第一衬底基板上涂覆添加有溶剂的像素树脂材料。
接下来，对涂覆有像素树脂材料的第一衬底基板进行热处理，使得像素树脂材料中分散的溶剂挥发。此热处理即为光刻工艺中的前烘过程。所述热处理温度可以为90-110℃，时间可以为3-5min。
接下来，采用刻画有图形的掩膜板对热处理后的基板进行曝光，并经显影和热处理后，形成像素树脂层的图形。
对于各种颜色的像素树脂层，重复以上步骤，即可得到完整的像素树脂层。制备所述像素树脂层的方法不限于以上所示例的方法，还可以使用染色法、印刷法、电沉积法及喷墨法制备。
步骤103(如图5所示)：在完成步骤102的基板上形成第一平坦层4；
可以采用涂布、烘烤等工艺来形成所述第一平坦层4。所述第一平坦层4是有机材料制成的。一般而言，第一平坦层4是透明的，其作用是保护像素树脂层不受磨损，提高其耐热性，并使表面平坦化。因此第一平坦层4也可以称作保护层(overcoat)。
第一平坦层4的具体形成步骤可以是：在形成了像素树脂层的第一衬底基板上涂覆感光型有机树脂材料的层，使其固化。具体而言，该感光型有机树脂材料可以是正性光刻胶或者负性光刻胶。使该感光型有机树脂材料固化的方法可以根据材料的不同而确定。例如，负性光刻胶可以使用光照固化。常用正性光刻胶如广泛使用的BP212系列等；而常用负性光刻胶如广泛使用的SU8系列等。还可以列举的有东进正光刻胶：DSAM3037，DSAM3020等系列；东进负光刻胶：DNR-L300D1等系列。
步骤104(如图6所示)：在所述第一平坦层4上形成所述第一无机覆盖层5。
使用化学气相沉积(CVD)方法在第一平坦层4的表面上形成SiO2层。该SiO2层的厚度为300nm。该SiO2层的密度为1.9至小于2.0g/cm3。在本申请中，以ODF(OneDropFill)设备(使用条件：0.5Pa/10s，以下均同)抽真空时间的长短来评价无机覆盖层阻挡小分子气体逸出的能力。通过ODF设备测试，在采用通过这种方法形成的无机覆盖层的情况下，ODF时间为50s。
在一种示例中，使用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在第一平坦层4的表面上形成SiNx层。该SiNx层的厚度为200nm。密度为3.2-3.5g/cm3。通过ODF设备测试，通过这种方法形成的无机覆盖层的ODF时间为56s；
在一种示例中，首先通过溅射法或者磁控溅射法在第一平坦层4的表面上形成300nm厚的非晶硅层，然后通过在无氢的条件下使用激光照射对非晶硅薄膜进行晶化，从而得到300nm厚的多晶硅薄膜。通过ODF设备测试，在采用通过这种方法形成的无机覆盖层的情况下，ODF时间为42s。
在一种示例中，采用CVD方法在第一平坦层4的表面上形成300nm厚度的非晶硅，采用准分子激光对非晶硅进行晶化过程，之后先将样品经1％(体积)的HF处理表面，再将样品放入干燥纯氧气氛中(氧气的体积含量大于98％，并且水的体积含量小于10ppm)中，采用高能量密度(100-500mJ·cm-2)的近红外准分子激光进行扫描，从而形成约300nm厚的致密SiO2薄膜。该方法形成的SiO2薄膜结构致密，密度为2.0-2.4g/cm3，具有很好的气体阻挡能力。通过ODF设备测试，在采用通过这种方法形成的无机覆盖层的情况下，ODF时间为45s。
在一种示例中，采用CVD方法在第一平坦层4的表面上形成300nm厚度的SiNx和100nm厚度的SiO2作为缓冲层，之后沉积200nm厚度的非晶硅，采用准分子激光对非晶硅进行晶化过程，之后先将样品经1％(体积)的HF处理表面，再将样品放入干燥纯氧气氛中(氧气的体积含量大于98％，并且水的体积含量小于10ppm)中，采用高能量密度(100-500mJ·cm-2)的近红外准分子激光进行扫描，从而形成约200nm厚的致密SiO2薄膜。该方法形成的SiO2薄膜结构致密，密度为2.0-2.4gcm-3，具有很好的气体阻挡能力。并且由于使用了多种无机材料层的组合，因此这种设计使得所得到的无机覆盖层5的气体阻挡能力能够进一步提升。通过ODF设备测试，在采用通过这种方法形成的无机覆盖层的情况下，ODF时间为36s。
在一种示例中，采用CVD方法在第一平坦层4的表面上依次沉积50nm厚度的SiNx和100nm厚度的SiO2作为缓冲层，之后沉积200nm厚度的非晶硅，采用准分子激光对非晶硅进行晶化过程，之后先将样品经1％(体积)的HF处理表面，再在含有NH3的氛围下，采用近红外准分子激光(能量密度为约100-500mJ·cm-2)进行扫描生长出100nm厚的SiNx薄膜。该方法形成的SiNx薄膜致密度高，密度为3.2-3.5g·cm-3。通过ODF设备测试，在采用通过这种方法形成的无机覆盖层的情况下，ODF时间为58s。
步骤105(任选步骤)：在完成步骤104的第一衬底基板上形成公共电极7。
可以采用沉积或电镀的方式来形成所述公共电极(如图7所示)，所述公共电极7可以是透明导电层，厚度可以为需要说明的是，公共电极不一定要设置在彩膜基板上，因此，在彩膜基板上形成公共电极的步骤是可选的。
步骤106：在完成步骤104或105的第一衬底基板上形成柱状隔垫物6。
可以采用光刻工艺来形成所述柱状隔垫物6。具体地，在完成步骤104或105的第一衬底基板上涂覆由光刻胶制成的柱状隔垫物层，通过曝光、显影工艺，最终形成柱状隔垫物。所述柱状隔垫物与其下面的层相连处的横截面直径可以为15-20μm，所述柱状隔垫物悬空一端的横截面直径可以为5-10μm；所述柱状隔垫物的高度可以为5-10μm(如图2或7中所示)。
在进一步的步骤中，还可以将步骤106获得的彩色滤光片(CF)基板制造成显示面板。因此，本实施例还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括阵列基板、步骤106获得的彩色滤光片(CF)基板，以及，填充在所述阵列基板和所述彩色滤光片之间的液晶。
本申请的发明人发现，通过在彩色滤光片(CF)基板上使用所述第一无机覆盖层可有效防止气体从像素树脂层3和第一平坦层4中释放出来。从而减少了对盒过程中抽真空的时间，能够提高对盒的效率，同时使得残留在液晶盒内部的气体残余物减少，从而会减轻显示器中残像的发生以及减少显示器四个角的气泡数量，并且由于降低了对液晶的污染从而也降低了液晶显示器发生Zara不良(点状不良)现象的可能性。当所述第一无机覆盖层的水汽透过率越低，以上效果会越好。
实施例2
下面参考附图8和9来说明根据本发明的显示面板。需要说明的是，图8和9中仅以曲线I和II之间的部分来对显示面板的结构进行说明，曲线I和II之外的部分并未在图8和9中具体示出。
如图8所示，一种显示面板，包括阵列基板200和彩色滤光片(CF)基板100，其中所述CF基板包括第一衬底基板1，形成于所述第一衬底基板1上的黑矩阵2和像素树脂层3，形成于所述黑矩阵2和像素树脂层3上的第一平坦层4，和形成于所述第一平坦层4上的第一无机覆盖层5。这里的彩色滤光片(CF)基板100可以与实施例1中的相同，并且其制备方法也可以相同。
在一种示例中(如图8和9所示)，所述阵列基板包括：第二衬底基板20、设置在第二衬底基板20上的开关元件21，设置在所述开关元件21上的第二平坦层22，设置于所述第二平坦层22上的第二无机覆盖层23，以及设置于所述第二无机覆盖层23上的电极24。
所述第二无机覆盖层可以是无机非金属材料，或金属或非金属的氧化物或氮化物。具体的非金属材料可以是硅。金属氧化物层可以是不具有导电性的金属氧化物例如氧化铜等。非金属氧化物可以是二氧化硅。氮化物例如氮化硅也可以用作该第二无机覆盖层。
在一些示例中，所述第二无机覆盖层包括：非晶硅层、多晶硅层、SiNx层、SiO2层、SiNyOz层及其组合。
在一些示例中，所述第二无机覆盖层的厚度为50至1000nm。在一些示例中，所述第二无机覆盖层的厚度为200至800nm，或者400至600nm。
在一些示例中，当所述第二无机覆盖层包含SiNx层时，所述SiNx层的密度为3.2-3.5g/cm3。较致密的SiNx层能够较好地抑制气体从第二平坦层穿过第二无机覆盖层而溢出。所述SiNx层达到100至200nm的厚度的情况下，即能够实现基本上阻止小分子气体的溢出。
在一些示例中，当所述第二无机覆盖层包含SiO2层时，所述SiO2层的密度为2.0-2.4g/cm3。较致密的SiO2层能够较好地抑制气体从第二平坦层穿过第二无机覆盖层而溢出即。所述SiO2层达到200至400nm的厚度的情况下，即能够实现基本上阻止小分子气体的溢出。
在阵列基板一侧的第二平坦层上也设置了防止气体溢出的第二无机覆盖层，这进一步降低了显示面板对盒过程中抽真空的时间，能够进一步提高对盒的效率，同时使得残留在液晶盒内部的气体残余物进一步减少，从而会进一步减轻显示器中残像的发生以及减少显示器四个角的气泡数量，并且由于进一步降低了对液晶的污染从而也进一步降低了液晶显示器发生Zara不良(点状不良)现象的可能性。
在一些示例中，所述显示面板中还包括设置在阵列基板200和彩色滤光片(CF)基板100之间的液晶层。
在一种示例中，所述设置于所述第二无机覆盖层上的电极包括公共电极和像素电极，并且所述CF基板上设置或者不设置公共电极。
在一种示例中，所述设置于所述第二无机覆盖层上的电极包括像素电极，并且所述CF基板还包括设置于所述第一平坦层上的公共电极(如图9所示)。
制备本实施例的显示面板的方法包括以下步骤：
如实施例1中所述制备彩色滤光片(CF)基板。
在第二衬底基板20上形成开关元件21。该开关元件是薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有以下结构：栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极、漏极、和钝化层等。
在该开关元件上形成第二平坦层22。该第二平坦层22的形成方法可以与第一平坦层4的形成方法相同。第二平坦层的厚度可以为但不限于0.8微米至3微米。
在该第二平坦层22上形成第二无机覆盖层23。形成该第二无机覆盖层的方法可以与形成第一无机覆盖层5的方法相同。
通过刻蚀工艺，形成穿过第二无机覆盖层23、第二平坦层22以及开关元件的钝化层的通孔，从而露出开关元件的输出电极例如漏极。
通过化学气相沉积方法在所述第二衬底基板上形成透明电极层，并且通过刻蚀工艺形成电极图案。该电极图案可以是像素电极，也可以是像素电极和公共电极二者。
然后通过对盒工艺，形成所述显示面板。
在本实施例中，在显示面板的彩色滤光片(CF)基板100的第一平坦层4上设置第一无机覆盖层5和在阵列基板200的第二平坦层22上设置第二无机覆盖层23使得能够同时减少来自阵列基板的释放气体和来自CF基板的释放气体的量，这进一步降低了显示面板对盒过程中抽真空的时间，能够进一步提高对盒的效率，同时使得残留在液晶盒内部的气体残余物进一步减少，从而会进一步减轻显示器中残像的发生以及减少显示器四个角的气泡数量，并且由于进一步降低了对液晶的污染从而也进一步降低了液晶显示器发生Zara不良(点状不良)现象的可能性。在本实施例中，在制备本实施例的显示面板的情况下，在对盒时，以ODF(OneDropFill)设备(使用条件：0.5Pa/10s)抽真空时间稳定地为32至40s。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (20)

1.一种彩色滤光片基板，包括衬底基板，形成于所述衬底基板上的黑矩阵和像素树脂层，形成于所述黑矩阵和所述像素树脂层上的平坦层，和形成于所述平坦层上的无机覆盖层。
2.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板，其中所述无机覆盖层为无机非金属材料。
3.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板，其中所述无机覆盖层包括：非晶硅层、多晶硅层、SiNx层、SiO2层、SiNyOz层及其组合。
4.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板，其中所述无机覆盖层的厚度为50至1000nm。
5.根据权利要求3所述的彩色滤光片基板，其中所述SiNx层的密度为3.2-3.5g/cm3。
6.根据权利要求3所述的彩色滤光片基板，其中所述SiO2层的密度为2.0-2.4g/cm3。
7.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板，其中所述像素树脂层包括红色像素树脂层、绿色像素树脂层和蓝色像素树脂层。
8.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板，其中所述平坦层由丙烯酸类树脂形成。
9.根据权利要求1所述的彩色滤光片基板，还包括形成于所述无机覆盖层上的公共电极。
10.一种显示面板，包括阵列基板和彩色滤光片基板，其中所述彩色滤光片基板包括第一衬底基板，形成于所述第一衬底基板上的黑矩阵和像素树脂层，形成于所述黑矩阵和像素树脂层上的第一平坦层，和形成于所述第一平坦层上的第一无机覆盖层。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中所述阵列基板包括：第二衬底基板、设置在第二衬底基板上的开关元件，设置在所述开关元件上的第二平坦层，设置于所述第二平坦层上的第二无机覆盖层，以及设置于所述第二无机覆盖层上的电极。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中设置于所述第二无机覆盖层上的所述电极包括公共电极和像素电极。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其中设置于所述第二无机覆盖层上的所述电极包括像素电极，并且所述彩色滤光片基板还包括设置于所述第一平坦层上的公共电极。
14.根据权利要求10所述的显示面板，其中所述第一无机覆盖层包括：Si层、SiNx层、SiO2层、SiNyOz层及其组合。
15.根据权利要求10所述的显示面板，其中所述第一无机覆盖层的厚度为50至1000nm。
16.根据权利要求10所述的显示面板，其中所述SiNx层的密度为3.2-3.5g/cm3。
17.根据权利要求10所述的显示面板，其中所述SiO2层的密度为2.0-2.4g/cm3。
18.根据权利要求11所述的显示面板，其中所述第二无机覆盖层包括：Si层、SiNx层、SiO2层、SiNyOz层及其组合。
19.一种制备彩色滤光片基板的方法，所述彩色滤光片基板包括衬底基板，形成于所述衬底基板上的黑矩阵和像素树脂层，形成于所述黑矩阵和像素树脂层上的平坦层，和形成于所述平坦层上的无机覆盖层，所述方法包括：
在所述衬底基板上形成所述黑矩阵；
在所述黑矩阵之间形成所述像素树脂层；
在所述像素树脂层上形成平坦层；和
在所述平坦层上形成所述无机覆盖层。
20.根据权利要求19所述的制备彩色滤光片基板的方法，其中，所述无机覆盖层通过以下方法中的任一种形成：
a.沉积50-1000nm厚的非晶硅层，再将该非晶硅层的全部或至少一部分转变为多晶硅层；
b.沉积50-1000nm厚的非晶硅层，然后使该非晶硅层的全部或至少一部分转变成SiO2层，SiNx层和/或SiNyOz层。
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