CN105353567B - 采用无黑色矩阵技术的va型液晶显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板及其制作方法。该采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板由层叠设置的红色色阻(41)及蓝色色阻(42)形成的防混色区(30)、配合设置采用黑色材料的主柱状隔垫物与副柱状隔垫物来取代黑色矩阵，同时所述防混色区对应于所述主柱状隔垫物(71)、及副柱状隔垫物(72)的部分设置有凹槽(31)，所述主柱状隔垫物(71)抵触所述凹槽(31)的底部，能够提高主柱状隔垫物(71)与副柱状隔垫物(72)之间的高度差，扩大液晶量极限范围，保证产品良率。

Description

采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板及其制作方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。
液晶显示面板通常包括阵列基板、彩膜基板、及夹设于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。对于传统的垂直配向(Vertical Alignment，VA)型液晶显示面板，其阵列基板上通常设置呈矩阵式排列的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，在彩膜基板上通常设置用于滤光的彩色色阻层、用于遮光及防止不同颜色光混色的黑色矩阵(Black Matrix，BM)、与用于支撑阵列基板和彩膜基板之间的液晶层盒厚(Cell Gap)的柱状隔垫物(PhotoSpacer，PS)。PS又包括主隔垫物(Main PS)和副隔垫物(Sub PS)，Main PS的高度高于SubPS，当液晶显示面板的阵列基板和彩膜基板贴合后，Main PS顶住阵列基板，Sub PS与阵列基板间隔开。Main PS是液晶显示面板正常工作环境下一直起支撑作用的PS，当液晶显示面板受到外界压力过大时，Sub PS加入，共同顶住阵列基板来增加PS的支撑强度。
为了降低液晶显示面板的制作难度，出现了COA(Color-filter on Array)技术，即将彩色色阻直接制作在TFT阵列基板上的集成技术。请参阅图1，为现有的一种采用COA技术的VA型液晶显示面板的结构示意简图，该VA型液晶显示面板包括：TFT阵列基板100、设于所述TFT阵列基板100上呈矩阵式排列的红色、绿色、及蓝色色阻110、120、130、设于所述TFT阵列基板100边缘的密封框胶200、与所述TFT阵列基板100相对设置的上基板180、设于上基板180靠近TFT阵列基板100一侧的黑色矩阵140、设于所述上基板180及黑色矩阵140上的公共电极190、于所述黑色矩阵140下方设于公共电极190上的主柱状隔垫物160与副柱状隔垫物170、以及设于TFT阵列基板100与上基板180之间的液晶层150。由于VA型液晶显示面板由垂直电场驱动液晶的排列，为了降低制作成本，无需像平面转换(In-Plane Switching，IPS)型液晶显示面板那样在电场与色阻之间设置一层平坦层。
为了进一步降低液晶显示面板的制作成本，出现了省略掉黑色矩阵材料及制程的无黑色矩阵(BM-less)技术。图2所示为采用BM-less技术的VA型液晶显示面板的结构示意简图：在对应TFT阵列基板10设置栅极线(未图示)、与数据线(未图示的)的位置通过红色、绿色、及蓝色色阻11、12、13中的两种色阻(图1以红色、蓝色色阻11、13为示例)的堆叠来实现防止红、绿、蓝各颜色的混色；通过在上基板19上设置由黑色材料制成的主柱状隔垫物16与副柱状隔垫物17起到支撑液晶层15的盒厚及遮光的作用；通过同样由黑色材料制成的设于上基板19上的边框20’与对应设于TFT阵列基板10上的密封框胶20来实现TFT阵列基板10与上基板19的贴合与密封；从而能够省略掉黑色矩阵材料及其制程，在很大程度上降低了液晶显示面板的制作成本。
随着环境温度的升高或者降低，玻璃基板和液晶等材料会膨胀或者收缩。由于液晶的热胀系数会大于玻璃基板、和柱状隔垫物等其它部件的热膨胀系数，通常若在高温条件下，液晶的热膨胀显著大于其它部件，导致液晶层的盒厚增大，而柱状隔垫物不能相应程度地热膨胀，容易导致竖直放置的液晶显示面板中液晶由于重力作用而整体向下流动，造成重力显示不均匀缺陷，即重力Mura；若在低温条件下，液晶热收缩大于其它部件，即在仍然保持液晶层盒厚不变的情况下，液晶将不能充满整个液晶盒组件而出现真空气泡，即低温下气泡(bubble)缺陷。
假设液晶层盒厚为d，液晶层盒厚的变化值为Δd，主柱状隔垫物的高度为HM，副柱状隔垫物的高度为HS，降温时液晶层收缩，在│Δd│>│HM-HS│时出现气泡缺陷，升温时液晶层膨胀，在d+│Δd│>HM时出现重力Mura。本领域技术人员将既不在高温发生重力Mura，也不会在低温出现气泡缺陷所允许的液晶量控制范围称为液晶量极限范围(LC Margin)。
请参阅图3，在实际的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板中，在对应TFT阵列基板10’设置栅极线(未图示)、与数据线(未图示的)的位置通过红色、蓝色色阻11’、13’的直接沉积堆叠来实现防止红、绿、蓝各颜色的混色。在目前通用的3.8um液晶层15’盒厚的情况下，主柱状隔垫物16’与副柱状隔垫物17’二者之间的高度差达到0.4um以上才能保证有足够的LC Margin，这就需要将主柱状隔垫物16’的高度需要做到2.5um以上。如果将红、绿、蓝色阻的膜厚分别设计为3.0um、3.0um、3.2um，在不设置平坦层的情况下，考虑到色阻的流平性，在两种色阻的堆叠处防混色区比其它像素区高出约2.8um的高度，此时，设置于两种色阻堆叠处的主柱状隔垫物16’的高度仅为1.0um，而副柱状隔垫物17’的高度约为0.85～0.90um，也就是说，主柱状隔垫物16’与副柱状隔垫物17’的高度差仅为0.1～0.15um而已，二者高度差的不足将导致液晶显示面板的LC Margin不够，从而影响产品良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板，能够提高主柱状隔垫物与副柱状隔垫物之间的高度差，扩大液晶量极限范围，保证产品良率。
本发明的目的还在于提供一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法，能够提高主柱状隔垫物与副柱状隔垫物之间的高度差，扩大液晶量极限范围，保证产品良率。
为实现上述目的，本发明提供了一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板，包括：下基板、设于所述下基板上的TFT层、设于所述TFT层上的保护层、设于所述保护层上的彩色色阻层、设于所述彩色色阻层上的钝化层、设于所述钝化层上的像素电极层、与所述下基板相对设置的上基板、设于所述上基板靠近下基板一侧的公共电极层、设于所述公共电极层上的主柱状隔垫物与副柱状隔垫物、设于下基板边缘的密封框胶、与所述密封框胶相对的设于所述公共电极层边缘的边框、及设于下基板与上基板之间的液晶层；
所述彩色色阻层包括呈矩阵式排布的红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻，相邻两色阻之间具有由层叠设置的红色色阻及蓝色色阻形成的防混色区；
所述主柱状隔垫物、与副柱状隔垫物对应于所述防混色区设置；所述防混色区对应于所述主柱状隔垫物、及副柱状隔垫物的部分设置有凹槽，所述主柱状隔垫物抵触所述凹槽的底部；
所述主柱状隔垫物、副柱状隔垫物、及边框的材料均为黑色材料。
可选的，在所述防混色区内，蓝色色阻层叠于红色色阻上，所述凹槽设置于所述蓝色色阻内，所述红色色阻的上表面为平面。
可选的，在所述防混色区内，蓝色色阻层叠于红色色阻上，所述凹槽设置于所述蓝色色阻内，所述红色色阻对应所述凹槽下方的部分设置有第二凹槽。
所述TFT层包括：设于所述下基板上的栅极、设于所述下基板与栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于所述栅极绝缘层上分别与所述半导体层的两端相接触的源极与漏极；
所述像素电极层通过贯穿所述钝化层、防混色区、及保护层的过孔与所述漏极相接触。
所述彩色色阻层还包括白色色阻、黄色色阻中的至少一种。
本发明还提供一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一下基板，在所述下基板上制作TFT层；
步骤2、在所述TFT层与下基板上沉积形成保护层；
步骤3、在所述保护层上制作出彩色色阻层；
所述彩色色阻层包括呈矩阵式排布的红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻，相邻两色阻之间具有由层叠设置的红色色阻及蓝色色阻形成的防混色区；所述防混色区内设置有凹槽；
步骤4、在所述彩色色阻层上沉积并图案化钝化层，在所述钝化层上形成像素电极层，在下基板边缘涂布密封框胶；
步骤5、提供一上基板，在所述上基板靠近下基板的一侧形成公共电极层；
步骤6、采用黑色材料在所述公共电极层上制作主柱状隔垫物、副柱状隔垫物、及边框；
步骤7、对组下基板与上基板并填充液晶层，使所述主柱状隔垫物、与副柱状隔垫物与所述凹槽对应，主柱状隔垫物抵触所述凹槽的底部，所述边框与密封框胶对应贴合。
可选的，所述步骤3包括：
步骤31、采用普通光罩在所述保护层上依次制作出红色色阻、绿色色阻；
步骤32、涂布蓝色色阻薄膜，采用半色调光罩图案化所述蓝色色阻薄膜，形成蓝色色阻、和位于相邻两色阻之间的包括红色色阻及层叠于红色色阻上的蓝色色阻的防混色区，利用所述半色调光罩在所述防混色区的蓝色色阻内蚀刻出凹槽。
可选的，所述步骤3包括：
步骤31、在所述保护层上涂布红色色阻薄膜，采用半色调光罩图案化所述红色色阻薄膜，形成红色色阻、及位于红色色阻内的第二凹槽；
步骤32、采用普通光罩制作出绿色色阻；
步骤33、涂布并采用普通光罩图案化蓝色色阻薄膜，制作出蓝色色阻、和位于相邻两色阻之间包括红色色阻及层叠于红色色阻上的蓝色色阻的防混色区，在所述防混色区内，蓝色色阻在具有第二凹槽的红色色阻上流平，顺势自然形成凹槽。
所述TFT层包括：设于所述下基板上的栅极、设于所述下基板与栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于所述栅极绝缘层上分别与所述半导体层的两端相接触的源极与漏极；
所述像素电极层通过贯穿所述钝化层、防混色区、及保护层的过孔与所述漏极相接触。
本发明的有益效果：本发明提供的一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板，由层叠设置的红色色阻及蓝色色阻形成的防混色区、配合设置采用黑色材料的主柱状隔垫物与副柱状隔垫物来取代黑色矩阵，同时所述防混色区对应于所述主柱状隔垫物、及副柱状隔垫物的部分设置有凹槽，所述主柱状隔垫物抵触所述凹槽的底部，能够提高主柱状隔垫物与副柱状隔垫物之间的高度差，扩大液晶量极限范围，保证产品良率。本发明提供的一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法，通过制作包括层叠设置的红色色阻及蓝色色阻的防混色区、配合采用黑色材料制作主柱状隔垫物与副柱状隔垫物来取代黑色矩阵，通过使用半色调光罩对蓝色色阻、或红色色组进行图案化处理在防混色区内制作出凹槽来提高主柱状隔垫物与副柱状隔垫物之间的高度差，扩大液晶量极限范围，保证产品良率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的一种采用COA技术的VA型液晶显示面板的结构示意简图；
图2为现有的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的结构示意简图；
图3为现有的实际采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的结构示意图；
图4为本发明的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的第一实施例的结构示意图；
图5为本发明的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的第二实施例的结构示意图；
图6为本发明的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明首先提供一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板。图4所示为本发明的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的第一实施例，包括：下基板1、设于所述下基板1上的TFT层2、设于所述TFT层2上的的保护层3、设于所述保护层3上的彩色色阻层4、设于所述彩色色阻层4上的钝化层5、设于所述钝化层5上的像素电极层6、与所述下基板1相对设置的上基板9、设于所述上基板9靠近下基板1一侧的公共电极层8、设于所述公共电极层8上的主柱状隔垫物71与副柱状隔垫物72、设于下基板1边缘的密封框胶(未图示)、及与所述密封框胶相对的设于所述公共电极层8边缘的边框(未图示)、及设于下基板1与上基板9之间的液晶层19。
所述彩色色阻层4包括呈矩阵式排布的红色色阻41、绿色色阻(未图示)、及蓝色色阻42，相邻两色阻之间具有由层叠设置的红色色阻41及蓝色色阻42形成的防混色区30。
所述主柱状隔垫物71、与副柱状隔垫物72对应于所述防混色区30设置；所述防混色区30对应于所述主柱状隔垫物71、及副隔垫物72的部分设置有凹槽31，所述主柱状隔垫物71抵触所述凹槽31的底部。
所述主柱状隔垫物71、副柱状隔垫物72、及边框的材料均为黑色材料。
针对图1所示的第一实施例，在所述防混色区30内，蓝色色阻42层叠于红色色阻41上，所述凹槽31设置于所述蓝色色阻42内，所述红色色阻41的上表面为平面，所述凹槽31通过直接蚀刻蓝色色阻42而形成于蓝色色阻42内。所述凹槽31的存在增大了供容纳主柱状隔垫物71、与副柱状隔垫物72的空间，从而能够增加主柱状隔垫物71的设置高度，增大主柱状隔垫物71与副柱状隔垫物72之间的高度差，扩大液晶量极限范围，改善采用无黑色矩阵技术导致的液晶量极限范围不足的问题，保证产品良率。进一步地，可通过改变凹槽31的深度来改变主柱状隔垫物71、与副柱状隔垫物72之间的高度差，凹槽31的最大深度为蓝色色阻42的膜厚，这样，在目前通用的3.8um液晶层19盒厚的情况下，如果将红、绿、蓝色阻的膜厚分别设计为3.0um、3.0um、3.2um，由于设置了所述凹槽31，主柱状隔垫物71、与副柱状隔垫物72的高度差可增大至0.4um以上，保证了液晶量极限范围，能够防止重力显示不均匀缺陷。同时，由于所述副柱状隔垫物72也位于凹槽31内，能够避免由于副柱状隔垫物72的顶端为自由端而发生滑动移位，降低低温时气泡缺陷发生的概率。
具体地，所述TFT层2包括：设于所述下基板1上的栅极21、设于所述下基板1与栅极21上的栅极绝缘层23、设于所述栅极绝缘层23上的半导体层24、及设于所述栅极绝缘层23上分别与所述半导体层24的两端相接触的源极25与漏极26；所述像素电极层6通过贯穿所述钝化层5、防混色区30、及保护层3的过孔与所述漏极26相接触。
所述像素电极层6、及公共电极层8的材料均为氧化铟锡(Indium Tin Oxid，ITO)。
特别地，所述彩色色阻层4还可包括白色色阻、黄色色阻中的至少一种。
图5所示为本发明的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的第二实施例，该第二实施例与上述第一实施例的区别在于，在所述防混色区30内，蓝色色阻42层叠于红色色阻41上，所述凹槽31设置于所述蓝色色阻42内，所述红色色阻41对应所述凹槽31下方的部分设置有第二凹槽32，所述第二凹槽32通过直接蚀刻红色色阻41形成于红色色阻41内，该第二凹槽32的深度最大值为红色色阻41的膜厚，而所述凹槽31是由于蓝色色阻42在具有第二凹槽32的红色色阻41上流平，顺势自然形成，无需对蓝色色阻42进行蚀刻。其余部分的结构、及凹槽31的作用均与第一实施例相同，此处不再重复叙述。
请参阅图6，结合图4或图5，本发明还提供一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一下基板1，在所述下基板1上制作TFT层2。
具体地，所述下基板1优先为玻璃基板；所述TFT层2包括：设于所述下基板1上的栅极21、设于所述下基板1与栅极21上的栅极绝缘层23、设于所述栅极绝缘层23上的半导体层24、及设于所述栅极绝缘层23上分别与所述半导体层24的两端相接触的源极25与漏极26。
步骤2、在所述TFT层2与下基板1上沉积形成保护层3。
具体地，所述保护层3采用氮化硅(SiNx)、或氧化硅(SiOx)等绝缘材料。
步骤3、在所述保护层3上制作出彩色色阻层4。
所述彩色色阻层4包括呈矩阵式排布的红色色阻41、绿色色阻、及蓝色色阻42，相邻两色阻之间具有由层叠设置的红色色阻41及蓝色色阻42形成的防混色区30；所述防混色区30内设置有凹槽31。
可选的，要制作如图4所示的液晶显示面板，那么所述步骤3包括：
步骤31、采用普通光罩在所述保护层3上依次制作出红色色阻41、绿色色阻；
步骤32、涂布蓝色色阻薄膜，采用半色调光罩图案化所述蓝色色阻薄膜，形成蓝色色阻42、位于相邻两色阻之间的包括红色色阻41及层叠于红色色阻41上的蓝色色阻42的防混色区30，利用所述半色调光罩在所述防混色区30的蓝色色阻42内蚀刻出凹槽31。
具体地，所述步骤32可通过控制半色调光罩的透光率来控制凹槽31的蚀刻深度。所述凹槽31的深度最大值为蓝色色阻42的膜厚。
可选的，要制作如图5所示的液晶显示面板，那么所述步骤3包括：
步骤31、在所述保护层3上涂布红色色阻薄膜，采用半色调光罩图案化所述红色色阻薄膜，形成红色色阻41、及位于红色色阻41内的第二凹槽32；
具体地，所述步骤31可通过控制半色调光罩的透光率来控制第二凹槽32的蚀刻深度。所述第二凹槽32的深度最大值为红色色阻41的膜厚；
步骤32、采用普通光罩制作出绿色色阻；
步骤33、涂布并采用普通光罩图案化蓝色色阻薄膜，制作出蓝色色阻42、位于相邻两色阻之间包括红色色阻41及层叠于红色色阻41上的蓝色色阻42的防混色区30，在所述防混色区30内，蓝色色阻42在具有第二凹槽32的红色色阻41上流平，顺势自然形成凹槽31。
步骤4、在所述彩色色阻层4上沉积并图案化钝化层5，在所述钝化层5上形成像素电极层6，在下基板1边缘涂布密封框胶。
具体地，所述像素电极层6通过贯穿所述钝化层5、防混色区30、及保护层3的过孔与所述漏极26相接触。所述钝化层5采用SiNx、或SiOx等绝缘材料。所述像素电极层6的材料为ITO。
步骤5、提供一上基板9，在所述上基板9靠近下基板1的一侧形成公共电极层8。
具体地，所述上基板9优选玻璃基板；所述公共电极层8的材料为ITO。
步骤6、采用黑色材料在所述公共电极层8上制作主柱状隔垫物71、副柱状隔垫物72、及边框。
具体地，该步骤6制作出的主柱状隔垫物71高于副柱状隔垫物72。二者之间的高度差可由控制半色调光罩、或灰阶光罩的透光率来控制。
步骤7、对组下基板1与上基板9并填充液晶层19，使所述主柱状隔垫物71、与副柱状隔垫物72与所述凹槽31对应，主柱状隔垫物71抵触所述凹槽31的底部，所述边框与密封框胶对应贴合。
上述方法由于制作出了所述凹槽31，增大了供容纳主柱状隔垫物71、与副柱状隔垫物72的空间，从而能够增加主柱状隔垫物71的设置高度，增大主柱状隔垫物71与副柱状隔垫物72之间的高度差，扩大液晶量极限范围，改善采用无黑色矩阵技术导致的液晶量极限范围不足的问题，保证产品良率。例如，在目前通用的3.8um液晶层19盒厚的情况下，如果将红、绿、蓝色阻的膜厚分别设计为3.0um、3.0um、3.2um，由于制作了所述凹槽31，主柱状隔垫物71、与副柱状隔垫物72的高度差可增大至0.4um以上，保证了液晶量极限范围，能够防止重力显示不均匀缺陷。同时，由于所述副柱状隔垫物72也位于凹槽31内，能够避免由于副柱状隔垫物72的顶端为自由端而发生滑动移位，降低低温时气泡缺陷发生的概率。
综上所述，本发明的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板，由层叠设置的红色色阻及蓝色色阻形成的防混色区、配合设置采用黑色材料的主柱状隔垫物与副柱状隔垫物来取代黑色矩阵，同时所述防混色区对应于所述主柱状隔垫物、及副柱状隔垫物的部分设置有凹槽，所述主柱状隔垫物抵触所述凹槽的底部，能够提高主柱状隔垫物与副柱状隔垫物之间的高度差，扩大液晶量极限范围，保证产品良率。本发明的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法，通过制作包括层叠设置的红色色阻及蓝色色阻的防混色区、配合采用黑色材料制作主柱状隔垫物与副柱状隔垫物来取代黑色矩阵，通过使用半色调光罩对蓝色色阻、或红色色组进行图案化处理在防混色区内制作出凹槽来提高主柱状隔垫物与副柱状隔垫物之间的高度差，扩大液晶量极限范围，保证产品良率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板，其特征在于，包括：下基板(1)、设于所述下基板(1)上的TFT层(2)、设于所述TFT层(2)上的保护层(3)、设于所述保护层(3)上的彩色色阻层(4)、设于所述彩色色阻层(4)上的钝化层(5)、设于所述钝化层(5)上的像素电极层(6)、与所述下基板(1)相对设置的上基板(9)、设于所述上基板(9)靠近下基板(1)一侧的公共电极层(8)、设于所述公共电极层(8)上的主柱状隔垫物(71)与副柱状隔垫物(72)、设于下基板(1)边缘的密封框胶、与所述密封框胶相对的设于所述公共电极层(8)边缘的边框、及设于下基板(1)与上基板(9)之间的液晶层(19)；
所述彩色色阻层(4)包括呈矩阵式排布的红色色阻(41)、绿色色阻、及蓝色色阻(42)，相邻两色阻之间具有由层叠设置的红色色阻(41)及蓝色色阻(42)形成的防混色区(30)；
所述主柱状隔垫物(71)、与副柱状隔垫物(72)对应于所述防混色区(30)设置；所述防混色区(30)对应于所述主柱状隔垫物(71)、及副柱状隔垫物(72)的部分设置有凹槽(31)，所述主柱状隔垫物(71)及副柱状隔垫物(72)对应同一个凹槽(31)且具有高度差，所述主柱状隔垫物(71)抵触所述凹槽(31)的底部；
所述主柱状隔垫物(71)、副柱状隔垫物(72)、及边框的材料均为黑色材料。
2.如权利要求1所述的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板，其特征在于，在所述防混色区(30)内，蓝色色阻(42)层叠于红色色阻(41)上，所述凹槽(31)设置于所述蓝色色阻(42)内，所述红色色阻(41)的上表面为平面。
3.如权利要求1所述的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板，其特征在于，在所述防混色区(30)内，蓝色色阻(42)层叠于红色色阻(41)上，所述凹槽(31)设置于所述蓝色色阻(42)内，所述红色色阻(41)对应所述凹槽(31)下方的部分设置有第二凹槽(32)。
4.如权利要求1所述的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板，其特征在于，所述TFT层(2)包括：设于所述下基板(1)上的栅极(21)、设于所述下基板(1)与栅极(21)上的栅极绝缘层(23)、设于所述栅极绝缘层(23)上的半导体层(24)、及设于所述栅极绝缘层(23)上分别与所述半导体层(24)的两端相接触的源极(25)与漏极(26)；
所述像素电极层(6)通过贯穿所述钝化层(5)、防混色区(30)、及保护层(3)的过孔与所述漏极(26)相接触。
5.如权利要求1所述的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板，其特征在于，所述彩色色阻层(4)还包括白色色阻、黄色色阻中的至少一种。
6.一种采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一下基板(1)，在所述下基板(1)上制作TFT层(2)；
步骤2、在所述TFT层(2)与下基板(1)上沉积形成保护层(3)；
步骤3、在所述保护层(3)上制作出彩色色阻层(4)；
所述彩色色阻层(4)包括呈矩阵式排布的红色色阻(41)、绿色色阻、及蓝色色阻(42)，相邻两色阻之间具有由层叠设置的红色色阻(41)及蓝色色阻(42)形成的防混色区(30)；所述防混色区(30)内设置有凹槽(31)；
步骤4、在所述彩色色阻层(4)上沉积并图案化钝化层(5)，在所述钝化层(5)上形成像素电极层(6)，在下基板(1)边缘涂布密封框胶；
步骤5、提供一上基板(9)，在所述上基板(9)靠近下基板(1)的一侧形成公共电极层(8)；
步骤6、采用黑色材料在所述公共电极层(8)上制作主柱状隔垫物(71)、副柱状隔垫物(72)、及边框；
步骤7、对组下基板(1)与上基板(9)并填充液晶层(19)，使所述主柱状隔垫物(71)、与副柱状隔垫物(72)与所述凹槽(31)对应，所述主柱状隔垫物(71)及副柱状隔垫物(72)对应同一个凹槽(31)且具有高度差，主柱状隔垫物(71)抵触所述凹槽(31)的底部，所述边框与密封框胶对应贴合。
7.如权利要求6所述的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤3包括：
步骤31、采用普通光罩在所述保护层(3)上依次制作出红色色阻(41)、绿色色阻；
步骤32、涂布蓝色色阻薄膜，采用半色调光罩图案化所述蓝色色阻薄膜，形成蓝色色阻(42)、和位于相邻两色阻之间的包括红色色阻(41)及层叠于红色色阻(41)上的蓝色色阻(42)的防混色区(30)，利用所述半色调光罩在所述防混色区(30)的蓝色色阻(42)内蚀刻出凹槽(31)。
8.如权利要求6所述的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤3包括：
步骤31、在所述保护层(3)上涂布红色色阻薄膜，采用半色调光罩图案化所述红色色阻薄膜，形成红色色阻(41)、及位于红色色阻(41)内的第二凹槽(32)；
步骤32、采用普通光罩制作出绿色色阻；
步骤33、涂布并采用普通光罩图案化蓝色色阻薄膜，制作出蓝色色阻(42)、和位于相邻两色阻之间包括红色色阻(41)及层叠于红色色阻(41)上的蓝色色阻(42)的防混色区(30)，在所述防混色区(30)内，蓝色色阻(42)在具有第二凹槽(32)的红色色阻(41)上流平，顺势自然形成凹槽(31)。
9.如权利要求6所述的采用无黑色矩阵技术的VA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述TFT层(2)包括：设于所述下基板(1)上的栅极(21)、设于所述下基板(1)与栅极(21)上的栅极绝缘层(23)、设于所述栅极绝缘层(23)上的半导体层(24)、及设于所述栅极绝缘层(23)上分别与所述半导体层(24)的两端相接触的源极(25)与漏极(26)；
所述像素电极层(6)通过贯穿所述钝化层(5)、防混色区(30)、及保护层(3)的过孔与所述漏极(26)相接触。
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