KR20210057854A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210057854A
KR20210057854A KR1020190144065A KR20190144065A KR20210057854A KR 20210057854 A KR20210057854 A KR 20210057854A KR 1020190144065 A KR1020190144065 A KR 1020190144065A KR 20190144065 A KR20190144065 A KR 20190144065A KR 20210057854 A KR20210057854 A KR 20210057854A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dam pattern
disposed
substrate
display
layer
Prior art date
Application number
KR1020190144065A
Other languages
English (en)
Inventor
신동희
라유미
이근호
이용희
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190144065A priority Critical patent/KR20210057854A/ko
Priority to US17/000,346 priority patent/US11526043B2/en
Priority to CN202011006657.0A priority patent/CN112859420A/zh
Publication of KR20210057854A publication Critical patent/KR20210057854A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0102—Constructional details, not otherwise provided for in this subclass
    • G02F1/0107—Gaskets, spacers or sealing of cells; Filling and closing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
    • G02F1/133723—Polyimide, polyamide-imide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13398—Spacer materials; Spacer properties
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/161—Gaskets; Spacers; Sealing of cells; Filling or closing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675—Constructional details
    • G02F1/1679—Gaskets; Spacers; Sealing of cells; Filling or closing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/28—Adhesive materials or arrangements

Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 배치되는 비표시 영역을 포함하는 표시 장치로서, 제1 표시 기판, 상기 제1 표시 기판과 대향하는 제2 표시 기판, 및 상기 비표시 영역의 상기 제1 표시 기판과 상기 제2 표시 기판 사이에 배치되어, 상기 제1 표시 기판과 상기 제2 표시 기판을 합착하는 실링 부재를 포함하되, 상기 제1 표시 기판은, 제1 기판, 및 제1 기판 상에 배치되는 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 비표시 영역에 배치되는 복수의 댐 패턴을 포함하며, 상기 복수의 댐 패턴은 상기 실링 부재와 비중첩하며, 표면에 제1 트렌치를 포함하는 제1 댐 패턴, 및 상기 실링 부재와 중첩하는 제2 댐 패턴을 포함한다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
그 중 액정 표시 장치는 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고, 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치는 일반적으로 화상이 표시되는 표시 영역과 표시 영역의 화상을 표시하도록 각종 신호선들이 배치되는 비표시 영역을 포함한다. 최근에는 내로우 베젤(Narrow bezel)을 갖는 액정 표시 장치 구현을 위하여 비표시 영역이 점차 좁아지는 추세에 있다. 이 경우, 비표시 영역의 협소한 공간으로 인하여 각정 배선의 배치 문제 및 표시 영역으로부터 간섭 문제 등이 이슈가 되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 아웃 가스 발생을 최소화하여 신뢰성이 우수한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 배치되는 비표시 영역을 포함하는 표시 장치로서, 제1 표시 기판, 상기 제1 표시 기판과 대향하는 제2 표시 기판, 및 상기 비표시 영역의 상기 제1 표시 기판과 상기 제2 표시 기판 사이에 배치되어, 상기 제1 표시 기판과 상기 제2 표시 기판을 합착하는 실링 부재를 포함하되, 상기 제1 표시 기판은, 제1 기판, 및 제1 기판 상에 배치되는 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 비표시 영역에 배치되는 복수의 댐 패턴을 포함하며, 상기 복수의 댐 패턴은 상기 실링 부재와 비중첩하며, 표면에 제1 트렌치를 포함하는 제1 댐 패턴, 및 상기 실링 부재와 중첩하는 제2 댐 패턴을 포함한다.
상기 유기층은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료 중 적어도 하나를 포함하는 감광성 유기물을 포함할 수 있다.
상기 제1 댐 패턴은 청색의 안료를 포함하는 감광성 유기물을 포함할 수 있다.
상기 유기층은 상기 표시 영역에 배치되는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 댐 패턴과 상기 제2 댐 패턴은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 트렌치는 상기 제1 댐 패턴의 표면에 상기 제1 댐 패턴의 연장 방향과 나란하게 연장되어 형성될 수 있다.
상기 제2 댐 패턴은 제2 트렌치를 포함할 수 있다.
상기 제2 댐 패턴과 상기 제2 댐 패턴의 형상은 동일할 수 있다.
상기 유기층 상에 배치되는 절연층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 댐 패턴 상에 배치되는 절연층은 상기 제1 트렌치와 중첩되도록 제3 트렌치를 포함하고 상기 제1 트렌치와 상기 제3 트렌치는 트렌치 구조물을 형성할 수 있다.
상기 절연층 상에 배치되는 제1 배향막을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 배향막은 상기 제1 트렌치 상에 배치되어 상기 제1 댐 패턴의 적어도 일부와 접촉할 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상의 게이트 도전층, 상기 게이트 도전층 상의 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상의 반도체층, 상기 반도체층 상의 데이터 도전층, 상기 데이터 도전층 상의 유기층, 및 상기 유기층 상의 화소 전극을 포함하되, 상기 유기층은 화소별로 마련된 복수의 컬러 필터, 및 비표시 영역에 배치된 복수의 댐 패턴을 포함하며, 상기 복수의 댐 패턴 중 적어도 일부는 상면에 트렌치를 포함한다.
상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및 상기 제2 기판과 상기 화소 전극 사이에 배치된 액정층을 더 포함할 수 있다.
테두리에서 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합하는 실링 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 댐 패턴은 상기 실링 부재와 비중첩하며, 표면에 상기 트렌치를 포함하는 제1 댐 패턴 및 상기 실링 부재와 중첩하는 제2 댐 패턴을 포함할 수 있다.
상기 유기층과 상기 화소 전극 사이에 배치된 캡핑층을 더 포함하되, 상기 캡핑층은 상기 제1 댐 패턴 상면의 일부를 덮고, 상기 트렌치를 노출할 수 있다.
상기 캡핑층은 상기 복수의 컬러 필터의 상면을 모두 덮을 수 있다.
상기 제1 기판 상에 상기 화소 전극과 상기 제2 기판 사이에 배치되는 제1 배향막을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 배향막은 상기 제1 댐 패턴의 상기 트렌치의 적어도 일부와는 중첩하여 배치되고, 상기 제2 댐 패턴과 비중첩할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 제조 공정 중 표시 장치의 비표시 영역에 배치되는 제1 댐 패턴에 식각 공정을 통해 트렌치를 형성함으로써 미리 가스(gas)를 발생시킬 수 있다. 따라서, 표시 장치의 사용 중에 백라이트 유닛에서 제공되는 광에 의해 제1 댐 패턴에서 아웃 가스 발생을 감소시켜 신뢰도가 높은 표시 장치가 제공될 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시장치에서 한 화소의 구조를 확대한 부분 확대도이다.
도 4는 도 3의 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 3의 II-II', 및 III-III' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 6는 도 1의 A 영역의 일 예를 나타낸 확대도이다.
도 7은 제1 댐 패턴의 사시도이다.
도 8은 제2 댐 패턴의 사시도이다.
도 9은 제1 댐 패턴의 단면도이다.
도 10 내지 도 15는 일 실시예에 따른 제1 표시 패널의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
도 16은 도 1의 A 영역을 다른 예를 나타낸 확대도이다.
도 17은 도 16의 XVII-XVII'의 선을 따라 자른 단면도이다.
도 18은 도 1의 A 영역을 또 다른 예를 나타낸 확대도이다.
도 19는 도 18의 제1 댐 패턴의 사시도이다.
도 20은 다른 실시예에 따른 제1 댐 패턴의 사시도이다.
도 21은 다른 실시예예 다른 표시 장치의 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다른 형태로 구현될 수도 있다. 즉, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 화상이나 영상을 표시하는 장치로서, 텔레비전, 외부 광고판, 모니터, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 태블릿 PC, 스마트폰, 자동차 내비게이션 유닛, 카메라, 자동차에 제공되는 중앙정보 디스플레이(center information display, CID), 손목 시계형 전자 기기, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기 등 다양한 전자 장치가 그에 포함될 수 있다.
도면에서는 제1 방향(DR1), 제2 방향(DR2), 및 제3 방향(DR3)이 정의되어 있다. 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)은 하나의 평면 내에서 서로 수직한 방향일 수 있다. 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 위치하는 평면에 수직한 방향일 수 있다. 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2) 각각에 대해 수직을 이룬다. 실시예들에서 제3 방향(DR3)은 표시 장치(1)의 두께 방향을 나타낸다.
표시 장치(1)는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 제1 방향(DR1)이 제2 방향(DR2)보다 긴 직사각형 형상일 수 있다. 표시 장치(1)의 표시면은 두께 방향인 제3 방향(DR3)의 일측에 배치될 수 있다. 실시예들에서 다른 별도의 언급이 없는 한, 상부는 제3 방향(DR3) 일측으로 표시 방향을 나타내고, 마찬가지로 상면은 제3 방향(DR3) 일측을 향하는 표면을 나타낸다. 또한, 하부는 제3 방향(DR3) 타측으로 표시 방향의 반대 방향을 나타내고, 하면은 제3 방향(DR3) 타측을 향하는 표면을 지칭한다.
표시 장치(1)는 표시 영역(DA), 및 표시 영역(DA)의 외측에 배치되는 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 화면이 표시될 수 있는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 화면이 표시되지 않는 영역이다. 표시 영역(DA)은 활성 영역으로, 비표시 영역(NDA)은 비활성 영역으로도 지칭될 수 있다.
표시 영역(DA)은 표시 장치(1)의 중앙부에 위치할 수 있다. 표시 영역(DA)은 직사각형 형상일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 영역(DA)은 정사각형, 코너부(꼭짓점)가 둥근 사각형, 기타 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수도 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX)가 배치된다. 화소(PX)는 표시 영역(DA) 내에서 행렬 방향으로 배열되며, 각 화소(PX)마다 배치되는 컬러 필터(CF), 화소 전극(PXE) 및 박막 트랜지스터(thin film transistor: Tr)를 포함한다.
표시 영역(DA)의 주변에는 비표시 영역(NDA)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 전부 또는 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 표시 영역(DPA)은 직사각형 형상이고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)의 4변에 인접하도록 배치될 수 있다. 도면에는 비표시 영역(NDA)이 표시 영역(DA)을 둘러싸는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 일 측 또는 타 측에만 인접하게 배치되거나, 또는 표시 영역(DA)을 기준으로 표시 영역(DA)의 일측 및 양 측에 각각 인접하게 배치될 수도 있다.
비표시 영역(NDA)은 패드 영역(PDA), 및 패드 영역(PDA)과 표시 영역(DA)의 사이에 배치되는 경계 영역(BA)을 포함한다.
비표시 영역(NDA)에는 표시 영역(DA)을 구동하는 구동 회로나 구동 소자가 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 표시 장치(1)의 제1 장변(도 1에서 상변)에 인접 배치된 제1 비표시 영역(NDA), 제1 단변(도 1에서 좌변)에 인접 배치된 제2 표시 영역(NDA), 및 제2 단변(도 1에서 우변)에 인접 배치된 제3 표시 영역(NDA)에는 패드 영역(PDA)이 위치할 수 있다. 상기 패드 영역(PDA)에는 표시 장치(1)의 표시 기판 상에 패드부가 마련되고, 상기 패드부의 패드 전극 상에 외부 장치가 실장될 수 있다. 상기 외부 장치의 예로는 연결 필름, 인쇄회로기판, 구동칩(DIC), 커넥터, 배선 연결 필름 등을 들 수 있다.
경계 영역(BA)에는 복수의 댐 패턴(DP)이 배치될 수 있다. 댐 패턴(DP)은 제1 배향막(190) 형성을 위한 배향액 도포시, 배향액이 패드 영역(PDA)으로 퍼지는 것을 억제할 수 있다. 각 댐 패턴(DP)은 경계 영역(BA)의 적어도 일 측에 배치될 수 있다. 도 1 및 도 2에는 댐 패턴(DP)이 표시 장치의 일 측에만 배치되는 것을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다.
각 댐 패턴(DP1, DP2)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10), 표시 패널(10)의 하부에 배치되어 표시 패널(10)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(30), 백라이트 유닛(30)과 표시 패널(10)을 수납하는 하우징(70)을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 백라이트 유닛(30)에서 방출된 광을 제공받아 화면을 표시할 수 있다. 표시 패널(10)은 수광형 표시 패널일 수 있고, 예를 들어, 액정 표시 패널, 전기습윤 표시 패널, 전기 영동 표시 패널 등일 수 있다. 이하에서는 표시 패널(50)이 액정 표시 패널(Liquid crystal panel, LCD)인 경우를 예시하여 설명한다. 다만, 표시 패널(10)이 다른 종류인 경우에도 후술하는 설명이 동일하게 적용될 수 있음은 자명하다.
표시 패널(10)은 복수의 화소를 포함한다. 표시 패널(10)의 화소는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 표시 패널(10)은 화소마다 마련된 스위칭 소자와 화소 전극, 및 화소 전극에 대향하는 공통 전극을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 표시 기판(100) 및 제1 표시 기판(100)에 대향하는 제2 표시 기판(200)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 제1 표시 기판(100)과 제2 표시 기판(200) 사이에 배치된 액정층(300)을 더 포함할 수 있다. 제1 표시 기판(100)과 제2 표시 기판(200)은 상호 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 어느 하나의 기판이 다른 하나의 기판보다 커서 외측으로 더 돌출될 수 있다. 도면에서는 제1 표시 기판(100)이 제2 표시 기판(200)보다 커서 외측으로 더 돌출될 수 있다. 제1 표시 기판(100)이 제2 표시 기판(200)보다 돌출됨으로써, 하우징(70)과 백라이트 유닛(10) 사이에 형성된 영역은 구동칩이 외부 회로 기판이 실장되는 공간을 제공할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 표시 기판(100)과 제2 표시 기판(200)의 테두리에는 실링 부재(SLP)가 배치되어 액정층(300)의 액정 분자를 가둘 수 있다.
표시 패널(10)에 대한 더욱 상세한 설명은 후술하기로 한다.
백라이트 유닛(30)은 표시 패널(10)의 하부에 배치된다. 백라이트 유닛(10)은 광원 부재(400), 및 광학 필름(500)를 포함할 수 있다.
광원 부재(400)는 복수의 광원을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 백라이트 유닛(10)은 직하형일 수 있다. 백라이트 유닛(30)이 직하형인 경우, 광원 부재(400)는 광원 및 회로 기판을 포함할 수 있다. 광원은 표시 패널(10)에 제공되는 광을 방출한다. 광원에서 방출된 광은 상부의 광학 필름(500)으로 입사될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 광원은 발광 다이오드일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고 광을 방출할 수 있는 모든 구성 요소를 지칭하는 것일 수 있다. 회로 기판에는 광원이 실장될 수 있다. 회로 기판은 회고 기판에 실장되는 광원에 외부로부터 인가된 광원 구동 신호를 전달할 수 있다.
광원 부재(400)의 상부에는 광학 필름(500)이 배치될 수 있다. 광학 필름(500)은 광학 시트 및/또는 광학 플레이트를 포함할 수 있다. 광학 시트의 예로는 프리즘 시트, 마이크로 렌즈, 렌티큘러 시트, 확산 시트, 편광 시트, 반사 편광 시트, 위상차 시트, 보호 시트 등을 들 수 있다. 광학 플레이트의 예로는 확산 플레이트, 도광 플레이트 등을 들 수 있다. 복수의 광학 필름(500)이 적용되는 경우, 각 광학 필름(500)은 서로 중첩하도록 배치되거나 각각 이격되도록 배치될 수 있다.
확산 플레이트는 광원 부재(400)로부터 표시 패널(10) 측으로 출사되는 광을 확산시키는 기능을 수행할 수 있다. 프리즘 시트는 광의 진행 경로를 굴절하여 정면 휘도를 증가시키는 역할을 한다. 반사 편광 시트는 특정 편광의 광은 투과시키고, 다른 편광의 광은 반사하여 리사이클시킴으로써, 휘도를 증가시키는 역할을 할 수 있다.
하우징(70)은 백라이트 유닛(30) 및 표시 패널(10)을 수납한다. 하우징(70)은 바텀 샤시나 브라켓을 포함할 수 있다. 도면으로 도시하지는 않았지만, 하우징은 탑 샤시를 더 포함할 수도 있다. 하우징(70)은 바닥면(71)과 측벽(72)을 포함할 수 있다. 백라이트 유닛(30)의 광원 부재(400)는 하우징(70)의 바닥면(71) 상에 배치될 수 있다.
한편, 광학 필름(500)과 표시 패널(10)은 복수의 접착 부재(90)에 의해 부착 또는 고정될 수 있다. 접착 부재(90)는 제1 접착 부재(91), 및 제2 접착 부재(92)를 포함할 수 있다. 접착 부재(90)는 폴리머 수지나 접착 또는 점착 테이프 등을 포함할 수 있다. 또한, 접착 부재(90)는 광 투과 저지 패턴의 기능을 수행할 수도 있다. 예컨대, 접착 부재(90)가 블랙 안료나 염료 등과 같은 광 흡수 물질을 포함하거나 반사 물질을 포함함으로써, 광 투과 저지 기능을 수행할 수도 있다. 다만, 이이 제한되지 않는다.
제1 접착 부재(91)는 광학 필름(500)을 접착 또는 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 제1 접착 부재(91)는 광학 필름(500)의 테두리 부위에서 이들과 접착할 수 있다. 예컨대, 제1 접착 부재(91)는 광학 필름(500)의 테두리를 둘러싸도록 배치되어 광학 필름(500)을 고정시킬 수 있다.
제2 접착 부재(92)는 표시 패널(10)과 하우징(70)을 접착 또는 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 제2 접착 부재(92)는 표시 패널(10)의 테두리 부위에 배치될 수 있다. 도면에서는 제2 접착 부재(92)는 제1 표시 기판(100)의 테두리와 제2 표시 기판(200)의 일 측 테두리에 배치된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 표시 패널(10)은 제2 접착 부재(92)를 이용하여 하우징(70)의 측벽(92)에 고정될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 부재들은 하우징(70)의 다른 안착 구조 상에 거치되거나, 하우징(70) 내부에 마련된 몰드 프레임 상에 거치 또는 부착될 수도 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 제1 표시 기판에 배치되는 한 화소의 구조를 확대한 부분 확대도이다. 도 4는 도 3의 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다. 도 5는 도 3의 II-II', 및 III-III' 선을 따라 자른 단면도이다.
이하, 도 3 내지 도 5를 참조하여 표시 패널(10)에 대하여 상세히 설명한다.
상술한 바와 같이, 표시 패널(10)은 제1 표시 기판(100), 제2 표시 기판(200), 및 액정층(300)을 포함한다.
제1 표시 기판(100)은 제1 기판(110), 게이트 전극(GE), 반도체층(ACT), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 유기층(150), 화소 전극(PXE), 및 제1 배향막(190)을 포함할 수 있다.
제1 표시 기판(100)의 제1 기판(110)은 절연 기판일 수 있다. 제1 기판(110)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110)은 유리, 석영 등과 같은 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 그러나, 제1 기판(110)이 상기 예시된 것에 제한되는 것은 아니고, 제1 기판(110)은 폴리이미드 등과 같은 플라스틱을 포함할 수도 있고, 휘어지거나, 벤딩되거나, 폴딩되거나, 롤링될 수 있는 플렉시블한 특성을 가질 수도 있다.
표시 영역(DA)의 제1 기판(110) 상에는 게이트 도전층이 배치될 수 있다. 게이트 도전층은 제1 방향(DR1)으로 연장된 게이트 라인(GL) 및 게이트 라인(GL)으로부터 돌출된 게이트 전극(GE)이 형성된다. 게이트 라인(GL)은 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA), 및 패드 영역(PDA)까지 연장될 수 있고, 패드 영역(PDA)에서 게이트 패드를 형성할 수 있다.
게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE) 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 도전층은 알루미늄이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은이나 은합금 등 은계열 금속, 구리나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등으로 이루어진 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다.
표시 영역(DA)의 제1 기판(110), 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)상에는 게이트 절연막(130)이 배치된다. 게이트 절연막(130)은 게이트 전극(GE)을 덮도록 배치될 수 있다. 게이트 절연막(130)은 제1 기판(110) 상에 전면적으로 형성되어, 비표시 영역(NDA)까지 연장되어 배치될 수 있다.
게이트 절연막(130)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)의 게이트 절연막(130) 상에는 반도체층(ACT)이 배치된다. 반도체층(ACT)은 게이트 전극(GE)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다. 반도체층(ACT)은 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)의 게이트 절연막(130) 및 반도체층(ACT) 상에는 데이터 도전층이 배치될 수 있다. 데이터 도전층은 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)의 게이트 절연막(130) 상에는 제2 방향(DR2)으로 연장된 데이터 라인(DL)이 배치된다. 데이터 라인(DL)은 비표시 영역(PDA)의 경계 영역(BA), 및 패드 영역(PDA)까지 연장될 수 있고, 패드 영역(PDA)에서 데이터 패드(DP)를 형성할 수 있다. 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)은 서로 교차하여 화소 영역을 정의할 수 있다. 즉, 상기 화소 영역은 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)으로 둘러싸인 영역으로 정의될 수 있으며, 상기 화소 영역에는 화소(PX)가 배치될 수 있다.
표시 영역(DA)의 반도체층(ACT) 상에는 데이터 라인(DL)으로부터 분지된 소스 전극(SE) 및 소스 전극(SE)과 이격된 드레인 전극(DE)이 배치된다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 게이트 전극(GE)과 적어도 일부가 중첩될 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 반도체층(ACT)과 연결될 수 있다.
데이터 라인(DL), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)은 알루미늄, 구리, 은, 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 또는 이들의 합금 등으로 이루어진 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다.
게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 반도체층(ACT)과 함께 하나의 스위칭 소자(switching element)인 박막 트랜지스터(thin film transistor: Tr)를 이룰 수 있다. 박막 트랜지스터(Tr)는 표시 영역(DA) 내에 배치될 수 있다. 도 3에는 하나의 화소에 하나의 박막 트랜지스터가 배치되는 경우를 예시하였으나, 이에 제한되지 않음은 물론이다. 하나의 화소에 배치되는 박막 트랜지스터의 개수는 복수 일 수 있다. 또한, 하나의 화소에 복수 개의 박막 트랜지스터가 배치되는 경우, 각각의 박막 트랜지스터에 대응되도록 하나의 화소가 복수 개의 영역으로 구분될 수도 있다.
소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 게이트 절연막(130) 상에는 제1 절연층(140)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(140)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 게이트 절연막(130)을 덮도록 배치될 수 있다. 제1 절연층(140)은 제1 기판(110) 상에 전면적으로 형성되어, 비표시 영역(NDA)까지 연장되어 배치될 수 있다.
표시 영역(DA)의 제1 절연층(140)에는 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출하는 개구부가 형성될 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 패드 영역(PDA)의 제1 절연층(140)에는 데이터 패드(DP)의 적어도 일부를 노출하는 제2 컨택홀(CNT2)이 형성될 수 있다.
제1 절연층(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 절연층(140)은 박막 트랜지스터(Tr)를 보호하고, 후술할 유기층(150)에 포함된 물질이 반도체층(ACT)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
제1 절연층(140) 상에는 유기층(150)이 배치될 수 있다. 유기층(150)은 표시 영역(DA), 및 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치될 수 있다. 유기층(150)은 비표시 영역(NDA)의 패드 영역(PDA)에는 배치되지 않을 수 있다.
유기층(150)은 표시 영역(DA)에 배치되는 컬러 필터(CF), 및 비표시 영역(NDA)에 배치되는 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)을 포함할 수 있다. 유기층(150)은 색안료를 포함하는 감광성 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 색안료를 포함하는 감광성 유기물은 적색, 녹색 또는 청색의 안료 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에 배치되는 컬러 필터(CF)는 컬러 필터(CF)를 통과하는 광의 색을 특정한 색으로 변환하는 역할을 할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 컬러 필터(CF)는 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터, 및 제3 컬러 필터를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터, 제3 컬러 필터는 각각 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터 중 어느 하나일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고 제1 내지 제 3 컬러 필터는 동일한 컬러 필터일 수도 있다. 컬러 필터(CF)는 후술할 화소 전극(PXE)과 제3 방향(DR3)으로 중첩되도록 배치될 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치되는 유기층(150)은 상술한 댐 패턴(DP)을 형성할 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치되는 댐 패턴(DP)은 청색 안료를 포함한 감광성 유기물을 포함할 수 있다. 즉, 경계 영역(BA)에 배치되는 댐 패턴(DP)은 청색 컬러 필터와 동일한 물질로 형성될 수 있다.
도 1을 참조하면, 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치되는 댐 패턴(DP)은 평면상 데이터 라인(DL)과 교차하는 방향, 예시적으로 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상으로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 댐 패턴(DP)의 평면 형상은 제2 방향(D2)으로 연장된 스트라이프 형상일 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치되는 댐 패턴(DP)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
유기층(150) 상에는 캡핑층(CAP)이 배치될 수 있다. 캡핑층(CAP)은 상에 전면적으로 형성되어, 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)까지 연장되어 배치될 수 있다.
캡핑층(CAP)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CAP)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 캡핑층(CAP)은 유기층(150)을 전면적으로 덮어 유기층(150)을 보호하는 역할을 할 수 있다.
표시 영역(DA)의 캡핑층(CAP)에는 표시 영역(DA)의 제1 절연층(140)에 형성된 개구부와 중첩하는 개구부가 형성될 수 있다. 표시 영역(DA)의 제1 절연층(140)에 형성된 개구부, 및 표시 영역(DA)의 캡핑층(CAP)에 형성된 개구부는 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출할 수 있다.
캡핑층(CAP) 상에는 제2 절연층(160)이 배치된다. 제2 절연층(160)은 박막 트랜지스터(Tr) 또는 컬러 필터(CF)에 의해 형성된 단차를 완화할 수 있다. 제2 절연층(160)은 표시 영역(DA), 및 비표시 영역(NDA)까지 전면적으로 배치될 수 있다.
제2 절연층(160)은 감광성을 갖는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 유기 절연 물질의 종류는 제한되지 않는다. 제2 절연층(160)은 일정한 두께를 가지는 평탄화막으로서의 역할을 할 수 있다.
표시 영역(DA)의 제2 절연층(160)에는 표시 영역(DA)의 제1 절연층(140)에 형성된 개구부, 및 표시 영역(DA)의 캡핑층(CAP)에 형성된 개구부와 중첩하는 개구부가 형성될 수 있다. 표시 영역(DA)의 제2 절연층(160)에 형성된 개구부는 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출할 수 있다. 표시 영역(DA)의 제1 절연층(140), 캡핑층(150), 및 제2 절연층(160)에 형성된 개구부는 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출하는 제1 컨택홀(CNT1)을 형성할 수 있다. 드레인 전극(DE)은 제1 절연층(140), 캡핑층(CAP), 및 제2 절연층(160)을 관통하여 드레인 전극(DE)의 적어도 일부를 노출하는 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 후술하는 화소 전극(PXE)과 전기적으로 연결된다.
경계 영역(BA)의 제2 절연층(160)은 댐 패턴(DP) 상에 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)의 제2 절연층(160)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
패드 영역(PDA)의 제2 절연층(160)에는 패드 영역(PDA)의 제1 절연층(140)에 형성된 개구부와 중첩하는 개구부가 형성될 수 있다. 패드 영역(PDA)의 제2 절연층(160)에는 형성된 개구부는 데이터 패드(DP)의 적어도 일부를 노출할 수 있다. 패드 영역(PDA)의 제2 절연층(160)에 형성된 개구부와 패드 영역(PDA)의 제1 절연층(140)에 형성된 개구부는 제2 컨택홀(CNT)을 형성할 수 있다. 데이터 패드(DP)는 패드 영역(PDA)의 제1 절연층(140) 및 제2 절연층(160)을 관통하여 데이터 패드(DP)의 적어도 일부를 노출하는 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 후술하는 패드 연결 전극(PE)과 전기적으로 연결된다.
표시 영역(DA)의 제2 절연층(160) 상에는 각 화소(PX)마다 위치하는 화소 전극(PXE)이 배치될 수 있다. 화소 전극(PXE)은 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 드레인 전극(DE)과 연결될 수 있다. 화소 전극(PXE)은 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(PXE)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성될 수 있다.
패드 영역(PDA)의 제2 절연층(160) 상에는 패드 연결 전극(PE)이 배치될 수 있다. 패드 연결 전극(PE)은 구동 회로(예컨대 데이터 구동부)와 데이터 패드(DP)를 전기적으로 연결하는 부분으로서, 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 데이터 패드(DP)와 연결될 수 있다. 패드 연결 전극(PE)은 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(PXE)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성될 수 있다.
화소 전극(PXE), 및 제2 절연층(160) 상에는 제1 배향막(190)이 배치될 수 있다. 제1 배향막(190)은 표시 영역(DA) 뿐만 아니라, 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)의 일부에도 배치될 수 있다. 제1 배향막(190)은 비표시 영역(NDA)의 패드 영역(PDA)에는 배치되지 않을 수 있다. 제1 배향막(190)은 데이터 패드(DP), 제2 컨택홀(CNT2), 및 패드 연결 전극(PE) 과 중첩하지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 배향막(190)이 연결 전극(173)이나 주변 구동 회로(예컨대 데이터 구동부 등)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치되는 제1 배향막(190)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
제1 배향막(190)은 액정층(300)의 배향을 결정하여 액정층(300)을 배열하는 역할을 한다. 제1 배향막(190)은 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리우레탄 또는 폴리스티렌 등으로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 제1 배향막(190)은 폴리이미드를 포함하여 이루어질 수 있다.
제2 표시 기판(200)은 제2 기판(210), 차광 부재(BM), 제3 절연층(230), 공통 전극(CME), 간격재(250), 및 제2 배향막(270)을 포함한다.
제2 표시 기판(200)은 표시 장치(1)의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치될 수 있다. 제2 표시 기판(200)은 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)의 패드 영역(PDA)에는 배치되지 않을 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고, 제2 표시 기판(200)은 패드 영역(PDA)의 적어도 일부와 중첩하여 배치될 수 있다.
제2 기판(210)은 절연 기판일 수 있다. 제2 기판(210)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(210)은 유리, 석영 등과 같은 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 그러나, 제2 기판(210)이 상기 예시된 것에 제한되는 것은 아니고, 제2 기판(210)은 폴리이미드 등과 같은 플라스틱을 포함할 수도 있고, 휘어지거나, 벤딩되거나, 폴딩되거나, 롤링될 수 있는 플렉시블한 특성을 가질 수도 있다.
제2 기판(210)은 제1 기판(110)과 동일한 기판이 사용될 수도 있지만, 물질, 두께, 투과율 등이 상이할 수도 있다. 예를 들어, 제2 기판(210)은 제1 기판(110)보다 높은 투과율을 가질 수 있다. 제2 기판(210)은 제1 기판(110)보다 두꺼울 수도 있고, 그보다 얇을 수도 있다.
제2 기판(210)은 제1 표시 기판(100)의 제1 기판(110)과 대향할 수 있다. 제1 표시 기판(100)의 제1 기판(110)을 향하는 제2 기판(210)의 일면 상에는 차광 부재(BM)가 배치될 수 있다. 차광층(280)은 표시 영역(DA), 및 화상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치될 수 있다.
표시 영역(DA)의 차광 부재(BM)는 화소(PX)의 경계를 따라 배치될 수 있다. 차광 부재(BM)는 제1 표시 기판(100)의 제1 컨택홀(CNT1)와 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)의 차광 부재(BM)는 제2 기판(210)의 적어도 일부는 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)의 차광 부재(BM)는 비발광 영역에 위치하여 제1 컨택홀(CNT1)에서 빛샘이 발생하는 것을 차단할 수 있다. 차광 부재(BM)는 평면도상 격자 형상으로 형성될 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)의 차광 부재(BM)는 제2 기판(210)의 일면 상에 전면적으로 배치될 수 있다. 따라서, 비표시 영역(NDA)의 차광 부재(BM)은 비표시 영역(NDA)에서 빛샘이 발생하는 것을 차단할 수 있다.
차광 부재(BM)는 블랙 염료나 안료를 포함하는 블랙 유기 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 차광 부재(BM)는 감광성 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 차광 부재(BM)는 외광을 흡수함으로써 외광 반사로 인한 색의 왜곡을 저감시킬 수 있다. 또한, 차광 부재(BM)는 광이 인접한 화소(PX)로 침범하는 것을 방지하거나 비표시 영역(NDA)에서 발광하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
차광 부재(BM) 및 차광 부재(BM)가 노출하는 제2 기판(210) 상에는 제3 절연층(230)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(230)은 유기 또는 무기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 제3 절연층(230)은 차광 부재(BM)에 의하여 발생한 단차를 상쇄할 수 있는 충분한 두께를 가질 수 있다.
제3 절연층(230) 상에는 공통 전극(CME)이 배치될 수 있다. 공통 전극(CME)은 표시 영역(DA) 뿐만 아니라, 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)까지 배치될 수 있다.
표시 영역(DA)의 공통 전극(CME)은 각 화소(PX)의 구별없이 연결되어 있을 수 있다. 표시 영역(DA)의 공통 전극(CME)은 화소(PX)의 구별없이 전면적으로 배치된 전면 전극일 수 있다. 공통 전극(CME)은 투명 도전성 물질, 예컨대 ITO 또는 IZO 등으로 형성될 수 있다.
공통 전극(CME) 상에는 간격재(250)가 배치될 수 있다. 간격재(250)는 표시 영역(DA), 및 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)까지 배치될 수 있다.
간격재(250)는 제1 표시 기판(100)측으로 돌출될 수 있으며, 제1 표시 기판(100)과 접촉하여 제2 표시 기판(200)과 제1 표시 기판(100) 사이의 셀 갭을 유지하는 역할을 한다. 간격재(250)는 유기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 감광성을 가질 수도 있다.
표시 영역(DA)의 간격재(250)는 차광 부재(BM)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 간격재(250)는 제1 표시 기판(100)의 박막 트랜지스터(Tr)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 간격재(250)를 제1 표시 기판(100)의 박막 트랜지스터(Tr)와 중첩하도록 배치함에 따라, 차광 부재(BM)의 크기를 상대적으로 감소시키고 표시 장치(1)의 개구율을 향상시킬 수 있다. 표시 영역(DA)의 간격재(250)는 컬럼 스페이서(column spacer)일 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 표시 영역(DA)의 간격재(250)는 제1 간격재, 및 제1 간격재와 높이가 상이한 제2 간격재를 포함할 수 있다. 제1 간격재는 제1 기판(110) 및 제2 기판(210) 사이의 간격을 일정하게 유지하는 역할을 할 수 있다. 제2 간격재는 제1 간격재와 이격되어 배치되고, 제1 간격재보다 낮은 높이로 형성될 수 있다. 제2 간격재는 표시 장치(1)에 외력이 작용하는 경우, 제1 간격재에 집중될 수 있는 압력을 분사시키는 역할을 할 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)의 간격재(250)는 비표시 영역(NDA)에서의 셀 갭을 유지하며, 액정층(300)이 후술하는 실링 부재(SLP)로 이동하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 경계 영역(BA)의 간격재(250)는 액정층(300)과 실링 부재(SLP) 사이에 배치되어 액정층(300)이 실링 부재(SLP) 방향으로 이동하는 것을 방지함으로써, 액정층(300)에 의해 실링 부재(SLP)가 오염되어 발생할 수 있는 합착 불량이나 표시 영역(DA) 내의 액정 미충진으로 인한 얼룩(mura) 불량을 감소시키는 역할을 할 수 있다.
비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)의 간격재(250)는 표시 영역(DA)의 간격재(250)와 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다.
간격재(250) 및 공통 전극(CME) 상에는 제2 배향막(270)이 배치될 수 있다. 제2 배향막(270)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)의 적어도 일부에 배치될 수 있다.
표시 장치(1)의 경계 영역(BA)에는 실링 부재(SLP)가 표시 영역(DA)의 주변부를 따라 형성되어 표시 영역(DA)을 둘러 싼다. 따라서, 실링 부재(SLP)에 의해 제1 표시 기판(100)과 제2 표시 기판(200)이 합착될 뿐만 아니라, 그 사이에 소정 공간이 정의될 수 있다. 상기 정의된 공간 내에 액정층(300)이 개재됨으로써, 액정분자들이 외부로 유출되는 것이 방지될 수 있다.
실링 부재(SLP)는 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치되는 적어도 하나의 간격재(250) 및 컬러 패턴(150)과 중첩할 수 있다.
액정층(300)은 실링 부재(SLP)에 의해 둘러싸일 수 있다. 액정층(300)은 표시 영역(DA)에 전면적으로 배치되고, 연장되어 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 액정층은 반응성 액정 분자 및 반응성 모노머를 포함할 수 있다.
이하에서는, 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치되는 구조에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 도 6는 도 1의 A 영역의 일 예를 나타낸 확대도이다. 도 7은 제1 댐 패턴의 사시도이다. 도 8은 제2 댐 패턴의 사시도이다. 도 9은 제1 댐 패턴의 단면도이다. 이하에서는 설명의 편의 상, 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치된 유기층(150)은 댐 패턴(DP1, DP2)의 용어와 혼용되어 지칭될 수 있다.
도 5 내지 도 9를 참조하면, 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에 배치되는 댐 패턴(DP)은 제1 댐 패턴(DP1), 제2 댐 패턴(DP2)을 포함할 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에는 실링 부재(SLP)가 배치될 수 있다. 이하에서는, 실링 부재(SLP)와 중첩하여 배치되는 댐 패턴을 제2 댐 패턴(DP2)으로 정의하고, 실링 부재(SLP)와 비중첩하여 배치되는 댐 패턴을 제1 댐 패턴(DP1)으로 정의한다.
제1 댐 패턴(DP1) 및 제2 댐 패턴(DP2)은 경계 영역(BA)에서 길이 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 댐 패턴(DP1) 및 제2 댐 패턴(DP2)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 각 댐 패턴(DP)은 위치에 따라 제1 방향(DR1)으로 연장될 형상일 수도 있다. 제1 댐 패턴(DP1) 및 제2 댐 패턴(DP2)은 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제1 댐 패턴(DP1)은 경계 영역(BA)에서 평면상 하측(즉, 제2 방향(DR2)의 반대 방향 측)에 배치될 수 있다. 제2 댐 패턴(DP2)은 제1 댐 패턴(DP1)의 상측(즉, 제2 방향(DR2) 측)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 댐 패턴(DP1)은 경계 영역(BA)에서 표시 영역(DA) 측, 즉 경계 영역(BA)의 내측에 배치되고, 제2 댐 패턴(DP2)은 경계 영역(BA)에서 표시 영역(DA)의 반대 측, 즉 경계 영역(BA)의 외측에 배치될 수 있다.
실링 부재(SLP)는 경계 영역(BA)에서 제2 댐 패턴(DP2)과 중첩되어 배치되어 제2 댐 패턴(DP2)을 완전히 덮을 수 있다. 따라서, 실링 부재(SLP)의 평면상 면적은 제2 댐 패턴(DP2)의 면적보다 클 수 있다.
실링 부재(SLP)는 제1 댐 패턴(DP1)을 제3 방향(DR3)으로 노출하도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 실링 부재(SLP)는 제2 댐 패턴(DP2) 상에 전면적으로 배치되고, 제1 댐 패턴(DP1)과 제2 댐 패턴(DP2)의 이격 공간의 적어도 일부까지 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 댐 패턴(DP1) 및 제2 댐 패턴(DP2)의 형상을 상이할 수 있다.
제2 댐 패턴(DP2)은 상면, 하면, 및 측면을 포함할 수 있다. 제2 댐 패턴(DP2)의 하면은 제1 절연층(140) 상에 놓인다. 제2 댐 패턴(DP2)의 상면은 제2 댐 패턴(DP2)의 하면과 대향한다. 제2 댐 패턴(DP2)의 상면과 하면은 각각 하나의 평면 상에 위치하며 상면이 위치하는 평면과 하면이 위치하는 평면은 대체로 평행하여 전체적으로 균일한 두께를 가질 수 있다. 제2 댐 패턴(DP2)의 측면은 제2 댐 패턴(DP2)의 상면 및/또는 하면이 위치하는 평면과 예각을 이룰 수 있다.
제1 댐 패턴(DP1)은 상면, 하면, 및 측면을 포함할 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1)의 하면은 제1 절연층(140) 상에 놓인다. 제1 댐 패턴(DP1)의 하면은 하나의 평면 상에 위치할 수 있다.
제1 댐 패턴(DP1)은 제1 댐 패턴(DP1)의 표면에 제1 트렌치(DP1_T)을 포함할 수 있다. 제1 트렌치(DP1_T)는 제1 댐 패턴(DP1)의 상면에 형성될 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)는 제1 댐 패턴(DP1)의 연장 방향과 나란하게 연장된 형상일 수 있다. 예를 들어, 제1 댐 패턴(DP1)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상인 경우, 제1 댐 패턴(DP1)의 제1 트렌치(DP1_T)도 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상일 수 있다.
제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)는 하면 및 하면으로부터 상부를 향해 연장된 측벽을 포함할 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)의 하면은 제1 댐 패턴(DP1)의 하면과 대체로 평행할 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)의 하면은 제1 댐 패턴(DP1)의 상면의 일부를 형성하고, 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)의 측벽은 제1 댐 패턴(DP1)의 내측면을 형성할 수 있다.
제1 댐 패턴(DP1)은 제1 트렌치(DP1_T)가 형성되어 상이한 두께를 갖는 표면 단차를 가질 수 있다. 따라서, 제1 댐 패턴(DP1)에서 제1 트렌치(DP1_T)가 형성된 영역과 제1 댐 패턴(DP1)에서 제1 트렌치(DP1_T)가 형성되지 않은 영역의 두께는 상이할 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1)에서 제1 트렌치(DP1_T)가 형성되지 않은 영역의 두께는 제1 댐 패턴(DP1)에서 제1 트렌치(DP1_T)가 형성된 영역의 두께보다 클 수 있다.
제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)의 제2 방향(DR2)으로의 폭(W2)은 제1 댐 패턴(DP1)의 제2 방향(DR2)으로의 폭(W1)보다 작을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 댐 패턴(DP1)의 제2 방향(DR2)으로의 폭(W1)은 30μm 내지 35μm이고, 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)의 제2 방향(DR2)으로의 폭(W2)은 5μm 내지 7μm일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)의 높이(h2)는 제1 트렌치(DP1_T)가 형성되지 않은 제1 댐 패턴(DP1)의 영역의 두께(h1)보다 작을 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1)에서 제1 트렌치(DP1_T)가 형성된 영역에서의 제1 댐 패턴(DP1)의 두께는 제1 댐 패턴(DP1)에서 제1 트렌치(DP1_T)가 형성되지 않은 영역의 두께(h1)와 제1 트렌치(DP1_T)의 높이(h2)의 차와 동일할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 댐 패턴(DP1)에서 제1 트렌치(DP1_T)가 형성되지 않은 영역의 두께(h1)는 2.2μm 내지 3.0μm이고, 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)의 높이(h2)는 0.3μm 내지 0.5μm일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상술한 바와 같이, 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)의 제1 기판(110) 상에는 게이트 절연막(130), 및 제1 절연층(140)이 전면적으로 배치된다. 제1 절연층(140) 상에는 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)이 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)은 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터 중 어느 하나일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)은 청색 컬러 필터일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고 제1 댐 패턴(DP1)과 제2 댐 패턴(DP2)은 서로 상이한 컬러 필터로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 댐 패턴(DP1)는 청색 컬러 필터이고, 제2 댐 패턴(DP2)은 적색 컬러 필터일 수도 있다. 이하에서, 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)을 청색 컬러 필터로 형성되며, 청색 감광성 수지 조성물을 포함할 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)이 청색 감광성 수지 조성물을 포함하는 경우, 청색 감광성 수지 조성물은 우수한 열흐름성을 가지기 때문에 이를 이용하여 제조된 제1 댐 패턴(DP1) 및 표시 장치는(1) 패턴 직진성과 역테이퍼가 발생하지 않으며, 제조 공정 중 아웃가스 발생을 억제하여 패널 작동 시 잔상이 발생하지 않고, 반사 방지 효과가 우수하여 고품질의 화질, 우수한 내열성, 내화학성은 물론 내구성과 신뢰성이 우수한 장점이 있다.
제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2) 상에는 캡핑층(CAP)이 배치될 수 있다. 캡핑층(CAP)은 제2 댐 패턴(DP2), 및 제1 절연층(140) 상에 전면적으로 배치되고 제2 댐 패턴(DP2), 및 제1 절연층(140)을 완전히 덮을 수 있다.
캡핑층(CAP)은 제1 댐 패턴(DP1) 상에 배치되되, 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 댐 트렌치(DP1_T)에는 배치되지 않을 수 있다. 구체적으로, 캡핑층(CAP)에는 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 댐 트렌치(DP1_T)와 중첩되도록 트렌치가 형성될 수 있다. 캡핑층(CAP)의 트렌치는 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)과 중첩하도록 형성되어 제1 댐 패턴(DP1)의 적어도 일부를 노출할 수 있다.
캡핑층(CAP) 상에는 제2 절연층(160)이 배치된다. 제2 절연층(160)은 캡핑층(CAP) 상에 전면적으로 배치될 수 있다. 제2 절연층(160)은 제1 댐 패턴(DP1)상에 배치되되, 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)과 중첩되는 영역에는 배치되지 않을 수 있다. 구체적으로, 제2 절연층(160)에는 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T), 및 캡핑층(CAP)의 트렌치와 중첩되도록 트렌치가 형성될 수 있다. 제2 절연층(160)의 트렌치, 캡핑층(CAP)의 트렌치, 및 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)는 트렌치 구조물(TR)을 형성할 수 있다.
제2 절연층(160) 상에는 제1 배향막(190)이 배치된다. 제1 배향막(190)은 제2 절연층(160)의 적어도 일부를 노출하도록 배치될 수 있다. 제1 배향막(190)은 제1 댐 패턴(DP1)의 제1 트렌치(DP1_T)의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 도면에는 제1 배향막(190)이 트렌치 구조물(TR)에 배치되고, 제2 절연층(160)을 넘어 제2 절연층(160)의 상면 상에도 배치되어 있으나, 이에 제한되지 않고 제1 배향막(190)은 트렌치(TR)에 배치되고, 제2 절연층(160)을 완전히 넘지 못할 수도 있다.
제1 댐 패턴(DP1)이 높은 단차를 형성하기 때문에 액상 형상인 제1 배향막(190)은 제1 댐 패턴(DP1)의 적어도 일부에만 배치되고 제2 댐 패턴(DP2) 상에는 배치되지 않을 수 있다. 또한, 제1 댐 패턴(DP1)의 상면에 형성되는 제1 트렌치(DP1_T)에 의해 제1 배향막(190)은 트렌치 구조물(TR)의 적어도 일부에만 배치되고 실링 부재(SLP)에 중첩하지 않을 수 있다. 따라서, 제1 댐 패턴(DP1) 및 제1 댐 패턴(DP1)이 포함하는 제1 트렌치(DP1_T)는 제1 배향막(190)이 실링 부재(SLP) 측으로 흘러 넘치는 것을 방지하는 댐(dam)의 기능을 할 수 있다.
실링 부재(SLP)는 제1 배향막(190)이 노출하는 제2 절연층(160) 상에 배치될 수 있다. 실링 부재(SLP)는 상술한 바와 같이, 제2 댐 패턴(DP2)과 중첩되어 배치될 수 있다. 실링 부재(SLP)는 제2 절연층(160) 상에 제1 표시 기판(100)의 제1 배향막(190)과 이격되어 배치될 수 있다. 실링 부재(SLP)가 무기막 또는 제1 배향막(190)과 중첩되면, 접합 성능이 저하될 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1)은 제1 배향막(190)이 넘쳐 실링 부재(SLP)까지 연장되는 것은 차단하는 역할을 할 수 있다.
이하, 제1 표시 기판(100)의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 10 내지 도 17은 일 실시예에 따른 제1 표시 패널의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
도 10을 참조하면, 먼저 제1 기판(110) 상에 패턴화된 게이트 전극(GE)을 형성한다. 패턴화된 게이트 전극(GE)은 마스크 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110) 상에 게이트 전극 물질층을 전면 증착한 후, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝 하여 도 9에 도시된 바와 같은 게이트 전극(GE)을 형성할 수 있다.
이어 도 11을 참조하면, 게이트 전극(GE)이 형성된 제1 기판(110)의 전면에 게이트 절연막(130)을 형성한다. 이어, 게이트 절연막(130) 상에 반도체층(ACT), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 형성한다. 반도체층(ACT)은 마스크 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(130) 상에 산화물 반도체를 전면 증착한 후, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하여 도 10에 도시된 바와 같은 반도체층(ACT)을 형성할 수 있다. 이어, 반도체층(ACT) 상에 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 형성한다. 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)은 마스크 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체층(ACT) 상에 도전 물질층을 전면 증착한 후, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝 하여 도 10에 도시된 바와 같은 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 형성할 수 있다.
이어, 도 12를 참조하면 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)이 형성된 게이트 절연막(130) 상에 제1 절연층(140)을 형성한다. 이어, 제1 절연층(140) 상에 패턴화된 유기층(150)을 형성한다. 유기층(150)은 마스크 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(140)의 표시 영역(DA), 경계 영역(BA)에 전면적으로 색안료를 포함하는 감광성 유기물로 덮은 뒤, 노광 및 현상 공정을 거쳐서, 패턴화된 유기층(150)을 형성한다.
이어 도 13을 참조하면, 패턴화된 유기층(150) 상에 캡핑층(CAP), 및 제2 절연층(160)을 순차 적층하고, 표시 영역(DA)에 배치된 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 제1 컨택홀(CNT1) 및 경계 영역(BA)에 배치되는 트렌치 구조물(TR)를 형성한다. 제1 컨택홀(CNT1) 및 트렌치 구조물(TR)는 서로 동일한 마스크 공정으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 패턴화된 유기층(150) 및 패턴화된 유기층(150)이 노출하는 제1 절연층(140) 상에 캡핑층용 물질층, 및 제2 절연층용 물질층을 순차적으로 전면 증차한다. 이어, 제2 절연층용 물질층 상에 드레인 전극(DE)의 일부 및 경계 영역(BA)에 배치되는 제1 댐 패턴(DP1)의 일부를 노출하는 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 식각 마스크로 이용하여 제2 절연층(160) 및 캡핑층(CAP)을 식각하여 제1 컨택홀(CNT1) 및 트렌치 구조물(TR)를 형성한다. 이 과정에서 제1 댐 패턴(DP1) 상에 배치된 캡핑층(CAP) 및 제1 댐 패턴(DP1)은 일부는 식각용 물질과 반응하여 가스(gas)를 발생할 수 있다. 따라서, 제1 댐 패턴(DP1)에는 형성된 제1 트렌치(DP1_T)을 통해 후 공정에서 제1 댐 패턴(DP1)에 의해 발생할 수 있는 가스(gas)를 선 배출하여 이후 공정에서 제1 댐 패턴(DP1)에 의한 있는 가스(gas) 발생을 방지할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 댐 패턴(DP1)에서 발생하는 가스(gas)는 일산화탄소(CO)일 수 있다.
본 실시예의 경우, 제2 절연층(160)에 형성되는 컨택홀(CNT1) 및 트렌치 구조물(TR)을 형성하는 공정에서 제1 댐 패턴(DP1)에서 발생할 수 있는 가스(gas)를 미리 발생하여 제거할 수 있다. 구체적으로, 표시 장치(1)의 사용 시 백라이트 유닛(30)으로부터 제공받은 광에 의해 제1 댐 패턴(DP1)에서 아웃 가스(gas)가 발생할 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1)에서 발생될 수 있는 아웃 가스(gas)를 제조 공정 시 미리 발생시켜 제거함으로써, 가스(gas) 발생으로 인해 생길 수 있는 얼룩을 방지하는 장점이 있다.
이어, 도 14를 참조하면, 제2 절연층(160) 상에 패턴화된 화소 전극(PXE)을 형성한다. 패턴화된 화소 전극(PXE)은 마스크 공정에 의해 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제2 절연층(160) 상에 화소 전극용 물질층을 전면 증착한다. 상기 증착 과정에서 화소 전극용 물질층은 제1 컨택홀(CNT1)의 내부까지 증착되어 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있다.
이어, 화소 전극용 물질층 상에 포토레지스트층을 도포하고, 노광 및 현상을 통해 잔류하여야 할 화소 전극(PXE)의 패턴 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 화소 전극용 물질층을 식각한다. 화소 전극용 물질층의 식각은, 이에 제한되는 것은 아니지만, 습식 식각으로 진행될 수 있다.
이어, 도 15를 참조하면, 패턴화된 화소 전극(PXE)이 형성된 제2 절연층(160) 상에 액상의 배향액을 도포한다. 액상의 배향액은 잉크젯 프린팅이나 노즐 프린팅 등의 방법으로 도포될 수 있다. 배향액은 표시 영역(DA) 전체에 도포된다. 배향액은 표시 영역(DA) 내에서 제팅된 배향액이 퍼지면서 표시 영역(DA)의 외측을 넘어 경계 영역(BA)의 제1 댐 패턴(DP1) 상까지 퍼질 수 있다. 따라서, 경계 영역(BA)의 트렌치(TR)의 내측까지 배향액이 배치될 수 있다. 이어, 배향액을 건조하여 제1 배향막(190)을 형성한다.
이하, 다른 실시예에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이전에 이미 설명된 것과 동일한 구성에 대해서는 중복 설명을 생략하거나 간략화하고, 차이점을 위주로 설명한다.
도 16은 도 1의 A 영역을 다른 예를 나타낸 확대도이다. 도 17은 도 16의 XVI-XVI'의 선을 따라 자른 단면도이다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제2 댐 패턴(DP2_1)의 형상이 제1 댐 패턴(DP1)의 형상과 동일한 점에서 도 4 및 도 8의 실시예와 차이가 있다.
구체적으로, 본 실시예의 제2 댐 패턴(DP2_1)에는 제2 트렌치(DP2_T)가 형성될 수 있다. 제2 댐 패턴(DP2)에 형성된 제2 트렌치(DP2_T)는 제2 댐 패턴(DP2)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장된 형상일 수 있다. 예를 들어, 제2 댐 패턴(DP2)이 제1 방향(DR2)으로 연장된 형상인 경우, 제2 댐 패턴(DP2)의 제2 트렌치(DP2_T)도 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상일 수 있다.
제2 댐 패턴(DP2_1)에 형성된 제2 트렌치(DP2_T)는 제1 트렌치(DP1_T)와 동일한 형상일 수 있다. 따라서, 제2 댐 패턴(DP2)에 형성된 제2 트렌치(DP2_T)는 하면 및 하면으로부터 상부를 향해 연장된 측벽을 포함할 수 있다. 제2 댐 패턴(DP2)에 형성된 제2 트렌치(DP2_T)의 제2 방향(DR2)으로의 폭은 제1 댐 패턴(DP1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T)의 제2 방향(DR2)으로의 폭(W2)과 동일하고, 제2 트렌치(DP2_T)의 높이는 제1 트렌치 (DP1_T)의 높이(h2)와 동일할 수 있다.
제1 댐 패턴(DP1) 및 제2 댐 패턴(DP2_1)은 동일한 공정으로 형성될 수 있다. 따라서, 상술한 바와 같이, 제2 댐 패턴(DP2_1)에 형성된 제2 트렌치 (DP2_T)와 중첩되는 캡핑층(CAP), 및 제2 절연층(160)의 영역에는 개구부가 형성될 수 있다. 상기 제2 트렌치(DP2_T)와 중첩되는 영역에 형성된 개구부는 제2 댐 패턴(DP2_1)의 적어도 일부를 노출할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 댐 패턴(DP2) 상에 배치되는 실링 부재(SLP_1)의 적어도 일부는 제2 트렌치(DP2_T)와 중첩되는 영역에 형성된 개구부를 통해 제2 댐 패턴(DP2_1)의 상면의 적어도 일부와 접촉할 수 있다.
도 18은 도 2의 A 영역을 또 다른 예를 나타낸 확대도이다. 도 19은 도 18의 제1 댐 패턴의 사시도이다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 댐 패턴(DP1_1)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T1)가 복수인 점이 도 4의 실시예와 차이가 있다.
구체적으로, 본 실시예의 제1 댐 패턴(DP1_1)에는 복수의 제1 댐 트렌치(DP1_T1)가 형성될 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1_1)에 형성된 복수의 제1 댐 트렌치(DP1_T1)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.
평면상 각 제1 댐패턴 홈(DP1_T1)의 면적은 서로 동일한 직사각형일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제1 댐 패턴(DP1_1)에 형성되는 제1 댐패턴 홈(DP1_T1)의 평면 형상은 정사각형, 원 등의 다른 형상으로 적용되거나 각 제1 댐패턴 홈(DP1_T1)의 평면 형상의 크기는 서로 다를 수도 있다.
각 제1 댐패턴 홈(DP1_T1)은 이격되어 형성될 수 있다. 복수의 제1 댐패턴 홈(DP1_T1)은 제1 방향(DR1)을 따라 소정의 간격을 두고 이격되어 형성될 수 있다. 인접하여 배치되는 제1 댐패턴 홈(DP1_T1) 사이의 간격(Dh)은 동일할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 방향(DR1)으로 인접하여 배치되는 제1 댐패턴 홈(DP1_T1) 사이의 간격(Dh)은 제1 방향(DR1)으로 인접하여 배치되는 픽셀(PX) 사이의 간격과 동일할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 제1 댐 패턴(DP1_1)에 형성되는 인접한 제1 댐패턴 홈(DP1_T1) 사이의 간격(Dh)은 인접하여 배치되는 픽셀(PX) 사이의 간격(즉, 픽셀 피치(Picth))보다 클 수도 있다.
도 20은 다른 실시예에 따른 제1 댐 패턴의 사시도이다.
도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 댐 패턴(DP1_3)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T3)는 다른 실시예의 제1 트렌치의 서로 다른 패턴이 복합적으로 배치된 구조일 수 있다.
구체적으로, 제1 댐 패턴(DP1_3)의 일 측에는 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상으로 형성된 제1 트렌치(DP1_T)가 형성되고, 제1 댐 패턴(DP1_3)의 타 측에는 제1 방향(DR1)으로 소정의 간격을 두고 서로 이격되어 배치되는 복수의 제1 트렌치(DP1_T1)가 형성될 수 있다. 즉, 도 20의 실시예의 제1 댐 패턴(DP1_3)에 형성된 제1 트렌치(DP1_T3)는 도 5의 실시예의 제1 트렌치 (DP1_T) 및 도 18의 제1 트렌치(DP1_T1)가 복합된(complex) 구조일 수 있다.
도 21은 다른 실시예예 다른 표시 장치의 평면도이다.
도 21의 실시예를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)이 비표시 영역(NDA)의 경계 영역(BA)에서 표시 영역(DA)의 외주를 감싸며 배치되는 점이 도 1의 실시예와 다른 점이다.
상술한 바와 같이, 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)은 비표시 영역(NDA)의 적어도 일 측에 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)이 직사각형 형상인 예시적인 실시예에서, 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)은 표시 영역(DA)의 외주를 이루는 네 개의 변 중 적어도 일측에 배치될 수 있다.
본 실시예예서, 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)은 표시 영역(DA)의 가장 자리를 이루는 네 개의 변과 인접하도록 배치될 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1), 및 제2 댐 패턴(DP2)은 표시 영역(DA)의 테두리를 둘러싸는 폐쇄된 다각형 형상을 가지며, 표시 영역(DA)은 제1 댐 패턴(DP1)이 구획하는 폐쇄된 공간 내부에 배치될 수 있다. 제1 댐 패턴(DP1)은 표시 영역(DA)의 외측에 배치되어 표시 영역(DA)의 테두리를 감싸도록 배치되고, 제2 댐 패턴(DP2)은 제1 댐 패턴(DP1)의 외측에 배치되어 제1 댐 패턴(DP1)의 테두리를 감싸며 제1 댐 패턴(DP1)과 이격되어 배치될 수 있다.
제1 댐 패턴(DP1) 및/또는 제2 댐 패턴(DP2)은 표시 영역(DA)을 노출하는 사각형 프레임(Frame) 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 댐 패턴(DP1) 및/또는 제2 댐 패턴(DP2)은 코너부가 사선 방향으로 연장되는 형상을 가질 수도 있다. 도시하지는 않았으나, 표시 영역(DA)의 코너부와 인접한 제1 댐 패턴(DP1) 및 제2 댐 패턴(DP2)은 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)으로부터 소정의 각도를 이루며 연장될 수 있다. 이와 같이 표시 영역(DA)의 코너부와 인접한 제1 댐 패턴(DP1) 및 제2 댐 패턴(DP2)이 사선 방향으로 연장되는 경우, 표시 영역(DA)의 코너부와 인접한 비표시 영역(NDA)의 면적을 감소시킬 수 있다. 따라서, 표시 장치(1)에서 비표시 영역(NDA)이 차지하는 비율을 줄여 내로우 베젤(Narrow Bezel)을 가지는 표시 장치를 구현할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 패널
100: 제1 표시 기판
200: 제2 표시 기판
300: 액정층
110: 제1 기판
130: 게이트 절역막
140: 제1 절연층
CAP: 캡핑층
150: 유기층
160: 제2 절연층
190: 제1 배향막
DP1: 제1 댐 패턴
DP2: 제2 댐 패턴
210: 제2 기판
BM: 차광 부재
PXE: 화소 전극
CME: 공통 전극
250: 간격재
270: 제2 배향막
SLP: 실링 부재

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 배치되는 비표시 영역을 포함하는 표시 장치로서,
    제1 표시 기판;
    상기 제1 표시 기판과 대향하는 제2 표시 기판; 및
    상기 비표시 영역의 상기 제1 표시 기판과 상기 제2 표시 기판 사이에 배치되어, 상기 제1 표시 기판과 상기 제2 표시 기판을 합착하는 실링 부재를 포함하되,
    상기 제1 표시 기판은,
    제1 기판, 및 제1 기판 상에 배치되는 유기층을 포함하고,
    상기 유기층은 상기 비표시 영역에 배치되는 복수의 댐 패턴을 포함하며,
    상기 복수의 댐 패턴은 상기 실링 부재와 비중첩하며, 표면에 제1 트렌치를 포함하는 제1 댐 패턴, 및 상기 실링 부재와 중첩하는 제2 댐 패턴을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 유기층은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료 중 적어도 하나를 포함하는 감광성 유기물을 포함하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 댐 패턴은 청색의 안료를 포함하는 감광성 유기물을 포함하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 유기층은 상기 표시 영역에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 댐 패턴과 상기 제2 댐 패턴은 동일한 물질로 이루어지는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 트렌치는 상기 제1 댐 패턴의 표면에 상기 제1 댐 패턴의 연장 방향과 나란하게 연장되어 형성되는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 댐 패턴은 제2 트렌치를 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 댐 패턴과 상기 제2 댐 패턴의 형상은 동일한 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 유기층 상에 배치되는 절연층을 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 댐 패턴 상에 배치되는 절연층은 상기 제1 트렌치와 중첩되도록 제3 트렌치를 포함하고 상기 제1 트렌치와 상기 제3 트렌치는 트렌치 구조물을 형성하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 절연층 상에 배치되는 제1 배향막을 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 배향막은 상기 제1 트렌치 상에 배치되어 상기 제1 댐 패턴의 적어도 일부와 접촉하는 표시 장치.
  13. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상의 게이트 도전층;
    상기 게이트 도전층 상의 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상의 반도체층;
    상기 반도체층 상의 데이터 도전층;
    상기 데이터 도전층 상의 유기층; 및
    상기 유기층 상의 화소 전극을 포함하되,
    상기 유기층은 화소별로 마련된 복수의 컬러 필터, 및 비표시 영역에 배치된 복수의 댐 패턴을 포함하며,
    상기 복수의 댐 패턴 중 적어도 일부는 상면에 트렌치를 포함하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및 상기 제2 기판과 상기 화소 전극 사이에 배치된 액정층을 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    테두리에서 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합하는 실링 부재를 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 댐 패턴은 상기 실링 부재와 비중첩하며, 표면에 상기 트렌치를 포함하는 제1 댐 패턴 및 상기 실링 부재와 중첩하는 제2 댐 패턴을 포함하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 유기층과 상기 화소 전극 사이에 배치된 캡핑층을 더 포함하되, 상기 캡핑층은 상기 제1 댐 패턴의 상면의 일부를 덮고, 상기 트렌치를 노출하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 캡핑층은 상기 복수의 컬러 필터의 상면을 모두 덮는 표시 장치.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에 상기 화소 전극과 상기 제2 기판 사이에 배치되는 제1 배향막을 더 포함하는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 배향막은 상기 제1 댐 패턴의 상기 트렌치의 적어도 일부와는 중첩하여 배치되고, 상기 제2 댐 패턴과 비중첩하는 표시 장치.
KR1020190144065A 2019-11-12 2019-11-12 표시 장치 KR20210057854A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190144065A KR20210057854A (ko) 2019-11-12 2019-11-12 표시 장치
US17/000,346 US11526043B2 (en) 2019-11-12 2020-08-23 Display device having DAM pattern with trench
CN202011006657.0A CN112859420A (zh) 2019-11-12 2020-09-23 显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190144065A KR20210057854A (ko) 2019-11-12 2019-11-12 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210057854A true KR20210057854A (ko) 2021-05-24

Family

ID=75847452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190144065A KR20210057854A (ko) 2019-11-12 2019-11-12 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11526043B2 (ko)
KR (1) KR20210057854A (ko)
CN (1) CN112859420A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111142288B (zh) * 2020-02-25 2021-06-01 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060121370A (ko) * 2005-05-24 2006-11-29 삼성전자주식회사 액정표시장치의 제조방법과 이에 의한 액정표시장치
JP6275418B2 (ja) * 2013-09-03 2018-02-07 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR102275519B1 (ko) * 2013-12-16 2021-07-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR102184723B1 (ko) 2014-02-10 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR102292670B1 (ko) 2015-02-27 2021-08-23 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20170044327A (ko) 2015-10-15 2017-04-25 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN105353567B (zh) * 2015-12-02 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 采用无黑色矩阵技术的va型液晶显示面板及其制作方法
KR102463309B1 (ko) * 2016-01-08 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR20180024730A (ko) 2016-08-31 2018-03-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시장치
KR101980186B1 (ko) 2017-03-30 2019-05-20 동우 화인켐 주식회사 청색 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 컬러필터 및 화상 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US11526043B2 (en) 2022-12-13
CN112859420A (zh) 2021-05-28
US20210141264A1 (en) 2021-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI719738B (zh) 顯示面板及顯示裝置
US9337248B2 (en) Display device including alignment mark and light shielding pattern
JP4907844B2 (ja) 液晶表示装置
JP5233522B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
WO2010070960A1 (ja) 液晶パネルおよび液晶表示装置
US10001676B2 (en) Display device
US10197842B2 (en) Liquid crystal display device
JP2017067999A (ja) 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
US9541805B2 (en) Liquid crystal display device including shield electrodes and light shielding films and method of manufacturing the same
JP5107596B2 (ja) 液晶表示装置、及びその製造方法
KR20090041337A (ko) 액정 디스플레이 패널
JP4845749B2 (ja) 表示装置
JP2004252047A (ja) 半透過型表示装置
KR20210057854A (ko) 표시 장치
JP2003302626A (ja) 電気光学パネル用基板及びその製造方法、電気光学パネル並びに電子機器
JP2007256586A (ja) 表示装置及び電子機器
JP4052293B2 (ja) 液晶装置及び電子機器
JP2006267158A (ja) マイクロレンズ基板及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2011191475A (ja) 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4511248B2 (ja) 液晶表示装置
JP4466044B2 (ja) 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
JP2006058633A (ja) 液晶装置及び電子機器
JP2010191313A (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2005148305A (ja) 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
JP2004109817A (ja) 両面表示方式の電気光学装置およびそれを用いた電子機器