CN101765869A - 显示装置和显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。本发明提供即使在使用树脂作为基板材料的情况下，也能够抑制显示元件的特性的劣化的显示装置。本发明的显示装置在树脂基板(11)上依次具备有机绝缘膜(14)、无机导电膜(15)和显示元件(10)，上述显示装置具有与无机导电膜(15)并列配置的无机绝缘膜(16)，上述无机绝缘膜(16)与无机导电膜(15)一起覆盖有机绝缘膜(14)的整个表面。

Description

显示装置和显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。更详细地，涉及基板使用树脂材料的显示装置和它的制造方法。
背景技术
作为近年来广为使用的电视机、个人计算机、便携式电话、数码照相机等电子设备具备的显示面板，可列举液晶显示(LCD：LiquidCrystal Display)面板、等离子体显示面板(PDP：Plasma Display Panel)和电致发光(EL：electroluminescence)显示面板等。
像这样的显示面板，例如，若是LCD面板则设置有填充液晶材料形成的液晶层，若是PDP则设置有封入有等离子体的放电管，若是EL面板则设置有由发光体形成的发光层，它们在显示面板中起到重要的作用。
特别地，若是LCD面板，因为显示的控制通过被照射显示光的液晶层进行控制，所以液晶层的特性直接与液晶显示特性密切关联。作为使液晶(树脂)层保持防湿性、耐压性、保湿性并且防止氧化的方法，例如，可知作为专利文献公开有下述方式(例如，参照专利文献1)：在液晶(树脂)层上设置形成有金属或无机质氧化物层的气体阻挡性构造物。
但是，这样的显示装置通常基于基板进行制作，在该基板上配置电路元件、控制元件等从而完成显示装置。作为基板的材料，从绝缘性、耐压性和耐热性的观点出发，一般较多使用玻璃。
作为基板的材料，也能够使用树脂代替玻璃。这样，能够得到玻璃基板所不能得到的具有优异的挠性和轻量性的显示面板。
但是，树脂基板与玻璃基板相比水分或氧非常容易通过，再加上液晶非常不耐水分或氧，从这一点出发，在液晶显示装置中应用树脂基板仍有改善的余地。
专利文献1：特开平10-202780号公报
发明内容
本发明鉴于上述现状完成，其目的是，提供即使在使用树脂作为基板材料的情况下，也能够抑制显示元件的特性的劣化的显示装置。
作为在应用树脂基板的情况下的显示装置的结构，具体而言可考虑以下所述的结构。图6是表示假定将树脂基板应用于一般的液晶显示装置的情况下的液晶显示装置的装置结构的截面示意图。
在与玻璃基板相同地使用树脂基板制作液晶显示装置的情况下，如图6所示，一对树脂基板111、121按照夹着液晶层110的方式配置，该液晶层110是液晶显示装置的显示元件。使用密封部件120粘接一个树脂基板111和另一个树脂基板121。作为液晶显示装置的结构的一个例子，可列举这一对的两个基板111、121各自具有相互相对的电极115、125，对这些电极115、125施加电压从而在液晶层110内产生电场，调节液晶层110中的液晶分子的取向性，调节来自背光源等的光的折射性，由此，能够控制液晶显示的白模式和黑模式。
在这样的情况下，通常在一个树脂基板111上形成有作为防湿阻挡膜的无机底涂膜112，在其上的规定区域形成有薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)113和按照覆盖该TFT113与无机底涂膜112的方式形成的有机层间绝缘膜114，进而在其上在每个像素形成有像素电极115(以下，将这样的构造称为“阵列基板”)。另外，在另一个树脂基板121上形成有作为防湿阻挡膜的无机底涂膜122，在其上形成有彩色滤光片123和黑矩阵124，进而在其上整个面形成有相对电极125(以下，将这样的构造称为“相对基板”)。另外，彩色滤光片123一般由红123R、绿123G和蓝123B三色构成。根据这样的结构，能够在每个形成有像素电极115的区域，控制显示的色相和明暗。
但是，本发明者发现：像这样在液晶显示装置中应用树脂基板的情况下，在形成树脂基板时，通常进行用于使基板的厚度为100μm左右的大量的液状树脂的涂布工序和将其固化热处理的工序，其结果，总会在基板表面产生微米量级的异物或凹处，即使在这样形成的树脂基板上成膜无机底涂膜等防湿阻挡膜，通常方法下也存在不能完全覆盖该异物的情况。
具体而言，如图6所示，这样的有机异物130在树脂基板111上析出，在树脂基板111上产生不能成膜无机底涂膜112的区域。而且，如果是阵列基板，通过该有机异物130，从树脂基板111的表面、端面浸入的水分和氧会浸入有机层间绝缘膜114，进一步从像素电极115的间隙浸入液晶层110。另一方面，如果是彩色滤光片基板，则通过该有机异物130，从树脂基板121的表面、端面浸入的水分和氧会浸入彩色滤光片123和黑矩阵124，进一步从未形成相对电极125的区域浸入液晶层110。另外，图6中的虚线箭头表示水分和氧的浸入路径。
液晶材料不耐水分，在这样的结构中，即使短期不会对液晶层的特性产生影响，长期来看也会导致液晶层的特性劣化变快。
因此，本发明者对能够抑制特性劣化的显示装置的结构进行了种种研究后，着眼于无机膜的配置结构。然后发现，若是无机膜则能够有效地防止水分和氧的浸入，并且最终发现，通过按照无机膜与显示元件整个面相对配置的方式配置新的无机膜，能够有效抑制显示装置的特性劣化。特别发现，如果在现有技术中，因为对每个像素进行驱动的方式作为显示方式较为优异，所以像素电极相对液晶层面仅在一部分设置，而通过对像素电极的间隙设置新的无机膜，能够有效地防止水分和氧的浸入，能够以较大效果地防止显示元件的特性劣化。于是，本发明者想到能够完美解决上述课题的方法，至此实现本发明。
即，本发明的显示装置是在树脂基板上依次具备有机绝缘膜、无机导电膜和显示元件的显示装置，上述显示装置具有与无机导电膜并列配置的无机绝缘膜，上述无机绝缘膜与无机导电膜一起覆盖有机绝缘膜的整个表面。
以下，对本发明的显示装置进行详述。
本发明的显示装置在树脂基板上依次具备有机绝缘膜、无机导电膜和显示元件。在本说明书中，树脂是指在施加热或压力时具有组分流动性的高分子可塑性物质整体，包括热可塑性树脂和热固化性树脂中任一种。有机绝缘膜例如能够作为用于使基板上的栅极信号线、数据信号线等各种配线、作为开关元件的TFT等与形成在其上的无机导电膜绝缘分离的膜使用，但并不限定于这样的用途。无机导电膜例如能够作为用于驱动显示元件的电极使用，但并不限定于这样的用途。作为显示元件，能够列举由液晶材料构成的液晶层、由通过施加电压呈现发光特性的材料构成的有机EL层、无机EL层和通过施加电压使颗粒移动的所谓电子纸等。在用途上也没有特别限定，能够使用在由容易受到水分、氧等外部气体的影响的功能性材料构成的元件中。
本发明的显示装置具有与无机导电膜并列配置的无机绝缘膜，上述无机绝缘膜与无机导电膜一起覆盖有机绝缘膜的整个表面。在本说明书中，因为无机绝缘膜埋住形成无机导电膜的区域之外的有机绝缘膜表面，所以原则上与无机导电膜并列形成，不过它们也可以相互重叠，其结果，无机绝缘膜和无机导电膜只要覆盖有机绝缘膜的整个表面即可。
因为上述无机导电膜有使用在电极等的用途中，所以设计可能会受到限制，而无机绝缘膜与形成电极这样的情况不同，膜厚设计的自由度较高，利用这一点，上述无机绝缘膜优选膜厚比无机导电膜大。像这样，通过将无机绝缘膜的膜厚设定为比无机导电膜大，对有机异物的被覆性得到提高，防止显示劣化的可靠性得到提高。
本发明的显示装置在树脂基板上具有有机绝缘膜，树脂基板和有机绝缘膜均可能成为水分和氧的浸入路径。另一方面，因为无机导电膜和无机绝缘膜一般不会成为水分和氧的浸入路径，所以通过像本发明这样在有机绝缘膜表面覆盖无机导电膜和无机绝缘膜，能够有效地防止仅通过用于显示的电极不能防止的水分和氧向显示元件的浸入，阻碍显示元件的特性劣化。
本说明书中“覆盖整体”并不一定限定于全部覆盖的方式。即，在本发明中，无机绝缘膜和无机导电膜只要实质上覆盖有机绝缘膜的整个表面即可，可以存在一部分没有被覆盖的区域。在本发明的显示装置中，无机导电膜和无机绝缘膜按照覆盖有机绝缘膜表面的方式形成，但与树脂基板相同，在制造过程中存在从有机绝缘膜析出有机异物的情况，由此，存在在无机导电膜和无机绝缘膜的一部分产生不能覆盖有机绝缘膜的区域的情况。但是，根据本发明，即使存在这样的区域，也能够较大地确保水分和氧的浸入路径的距离，因此其结果，只要无机导电膜和无机绝缘膜在有机绝缘膜的大致整体上形成，就能够得到防止水分和氧的浸入的效果。
通过较大地确保水分和氧的浸入路径的距离能够改善它们的浸入的原因是：关于水分和氧的浸入透过量(速度)，能够表示为“浸入速度(透过量)＝浸入路径的面积×厚度/浸入时间(浸入路径的距离)”，浸入路径的距离越大，越能够减少浸入速度(透过量)。
作为本发明的显示装置的结构，只要以这样的结构要素为必须的要素形成即可，可以包含或不包含其它的结构要素，例如可以进一步具备用于控制显示的驱动器，发出显示光的光源和控制光的光学膜等。
以下对本发明的显示装置的优选方式进行详细说明。
本发明的显示装置优选在树脂基板与有机绝缘膜之间具有覆盖树脂基板整体的无机底涂膜。在本说明书中，无机底涂膜是与树脂基板相接设置的无机膜，通过这样形成无机底涂膜，能够在树脂基板与有机绝缘膜之间隔着1层防止水分和氧浸入的层，能够更有效地防止从基板表面浸入的水分和氧向显示元件浸入。另外，与上述相同，“覆盖整体”并不一定限定于全部覆盖的方式，即，在本方式中，无机底涂膜只要实质上覆盖树脂基板的整体即可，可以存在一部分没有被覆盖的区域。本发明使用树脂基板作为基板，所以存在因有机异物的存在而在无机底涂膜的一部分产生不能覆盖树脂基板的区域的情况，但根据本方式，即使产生那样的区域，也能够较大地确保水分和氧的浸入路径的距离，因此其结果，只要无机底涂膜在树脂基板的大致整体上形成，就能够得到大幅改善水分和氧的浸入的效果。
上述无机底涂膜优选配置在树脂基板的两侧。因为浸入树脂基板的水分和氧是从外界浸入的，所以通过减少树脂基板自身与外界相接的区域，能够整体上抑制水分和氧向显示元件的浸入。具体而言，来自基板表面的水分和氧的浸入被防止，它们的浸入变得只从比基板表面的面积小的基板端面进行。因此，根据本方式，能够进一步防止水分和氧向显示元件的浸入。
上述显示装置优选在树脂基板上具备栅极信号线、数据信号线和薄膜晶体管，上述无机导电膜构成配置在由栅极信号线和数据信号线包围的区域的像素电极。通常，栅极信号线与数据信号线按照相互正交的方式配置，在它们的交点设置有薄膜晶体管(TFT)。这样，像素电极在由栅极信号线和数据信号线包围的区域所构成的每个像素形成，一般不按照覆盖上述有机绝缘膜的整体的方式形成。于是，本发明能够适合于形成像这样对每个像素的驱动进行控制的显示装置的情况。
上述有机绝缘膜优选构成彩色滤光片。即，本方式是使用有机绝缘膜作为彩色滤光片的方式，根据本方式，即使在发生在制造过程中在彩色滤光片上形成有机异物、在其上不形成电极的情况下，也能够防止水分和氧向显示元件浸入。
上述有机绝缘膜优选构成黑矩阵。即，本方式是使用有机绝缘膜作为黑矩阵的方式，根据本方式，即使在发生在制造过程中在黑矩阵上形成有机异物、在其上不形成电极的情况下，也能够防止水分和氧向显示元件浸入。
上述有机绝缘膜优选厚度在10μm以下。如上所述，关于水分和氧的浸入透过量(速度)，能够表示为“浸入速度(透过量)＝浸入路径的面积×厚度/浸入时间(浸入路径的距离)”。于是，能够通过使浸入路径的厚度变薄从而减小浸入速度(透过量)。本方式基于这样的原理，通过使厚度成为比现有技术薄的10μm以下，能够有效防止水分和氧向显示元件浸入。另外，通过按照这样薄的膜厚形成有机绝缘膜，产生的有机异物的大小也变小，因此，形成在有机绝缘膜上的无机绝缘膜和无机导电膜更容易覆盖有机绝缘膜的表面。
上述显示元件优选为液晶层。即，本方式将本发明的显示装置应用于液晶显示装置。液晶层一般不耐水分和氧，会因包含它们而造成特性的劣化。因此，将本发明应用在液晶显示装置中可以说是有效的。
上述显示元件优选为电致发光层。即，本方式将本发明的显示装置应用于电致发光(EL)显示装置。由有机EL或无机EL构成的EL层也一般不耐水分和氧，会因包含它们而造成特性的劣化。因此，将本发明应用在EL显示装置中可以说是有效的。
以下，对本发明的显示装置的制造方向进行详述。
本发明也是上述本发明的显示装置的制造方法，上述制造方法包括利用化学蒸镀形成无机绝缘膜的工序。即，本制造方法是用于制造无机绝缘膜的制造方法，该无机绝缘膜与无机导电膜并列配置，与无机导电膜一起覆盖有机绝缘膜的整个表面。根据化学蒸镀(CVD：Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法，能够形成更致密的膜，因此，能够将形成在有机绝缘膜上的有机异物以较高被覆性成膜，能够大幅抑制由被覆缺陷产生的针孔(pin hole)的产生几率。由此，能够有效地防止水分和氧向显示元件浸入，能够得到能够抑制显示元件的特性劣化的显示装置。
另外，一般的，CVD的成膜温度和成膜压力越高被覆性越增大，但因为本发明使用树脂基板，所以更优选的是，能够不提高成膜温度而得到相同效果的等离子体CVD法或常压CVD法。
本发明进一步是，上述本发明的显示装置的制造方法还包括利用化学蒸镀形成无机底涂膜的工序。即，本制造方法是用于形成在树脂基板上形成的无机底涂膜的制造方法。上述这种利用CVD的成膜，也能够对无机底涂膜的成膜进行，由此，与形成上述无机绝缘膜的情况相同，能够将形成在树脂基板上的有机异物以较高被覆性成膜，能够大幅抑制由被覆缺陷产生的针孔的产生几率。由此，能够有效地防止水分和氧向显示元件浸入，能够得到能够抑制显示元件的特性劣化的显示装置。另外，如上所述，作为上述CVD法更为优选的是等离子体CVD法或常压CVD法。
本发明进一步是，上述本发明的显示装置的制造方法还包括以等级1水平的洁净度形成有机绝缘膜的工序。在本发明书中，等级1水平的洁净度意味着每1立方英尺存在的0.5μm以上的尘埃为1个以下的环境。通过在这样的环境下形成有机绝缘膜，在有机绝缘膜上有机异物变得较难产生。其结果，形成在有机绝缘膜上的无机导电膜和无机绝缘膜更容易覆盖有机绝缘膜表面，因此，制作出水分和氧向显示元件的浸入被有效防止，从而抑制显示元件的特性劣化的显示装置。
根据本发明的显示装置，无机导电膜和无机绝缘膜覆盖有机绝缘膜整个表面，因此能够有效地防止仅通过用于显示的电极所不能防止的水分和氧向显示元件的浸入，抑制显示元件的特性劣化。另外，即使在无机导电膜和无机绝缘膜的一部分产生不能覆盖有机绝缘膜的区域的情况下，也能够较大地确保水分和氧的浸入路径的距离，因此其结果，能够得到防止水分和氧的浸入的效果。
附图说明
图1是实施方式1的液晶显示装置的截面示意图。
图2-1是实施方式1的液晶显示装置具备的阵列基板的截面示意图。
图2-2是表示实施方式1的液晶显示装置具备的阵列基板的其它例子的截面示意图。
图3-1是实施方式1的液晶显示装置具备的相对基板的截面示意图。
图3-2是表示实施方式1的液晶显示装置具备的相对基板的其它例子的截面示意图。
图4是表示实施方式1的液晶显示装置的其它例子的截面示意图。
图5-1是实施方式2的有机EL显示装置的截面示意图。
图5-2是表示实施方式2的有机EL显示装置的其它例子的截面示意图。
图6是表示假定将树脂基板应用于一般的液晶显示装置的情况下的液晶显示装置的装置结构的截面示意图。
符号说明
10、110：液晶层
11、21、51、111、121：树脂基板
12、22、52、112、122：无机底涂膜
13、53、113：TFT(薄膜晶体管)
14、54、114：有机绝缘膜
15、55、115：像素电极(无机导电膜)
16、26、56：无机绝缘膜
17：阵列基板
20、120：密封部件
23、123：彩色滤光片(有机绝缘膜)
23R、123R：彩色滤光片(红)
23G、123G：彩色滤光片(绿)
23B、123B：彩色滤光片(蓝)
24、124：黑矩阵(有机绝缘膜)
25、125：相对电极(无机导电膜)
27：相对基板
30、60、130：有机异物(树脂基板上)
40、80：有机异物(有机绝缘膜、彩色滤光片或黑矩阵上)
55：阳极
58：有机EL层
58R：有机EL层(红)
58G：有机EL层(绿)
58B：有机EL层(蓝)
59：阴极
具体实施方式
参照附图，举以下实施方式对本发明进一步进行详细说明，但本发明并不只限定于这些实施方式。
(实施方式1)
本发明的实施方式1是液晶显示装置。图1是实施方式1的液晶显示装置的截面示意图。如图1所示，实施方式1的液晶显示装置具有夹持作为显示元件的液晶层10的一对树脂基板11、21。一个树脂基板11构成具备像素电极15的阵列基板17，另一个树脂基板21构成具备彩色滤光片23的相对基板27。以下对实施方式1的液晶显示装置，分阵列基板17和相对基板27进行详述。
实施方式1的液晶显示装置具备的阵列基板17能够由以下方式制作。图2-1是实施方式1的液晶显示装置具备的阵列基板的截面示意图。首先，准备膜厚为0.1mm的树脂基板11，对其表面以膜厚200nm在整个面形成氧化硅(SiO2)等透明无机膜(无机底涂膜)12。作为这时使用的无机底涂膜12的材料，此外还能够使用SiN(氮化硅)、Ta2O5(五氧化钽)、Al2O3(氧化铝)等。另外，无机底涂膜12能够使用例如CVD法、溅射法、真空蒸镀法等形成，但从能够形成致密的膜从而将有机异物以较高被覆性覆盖的观点出发，优选CVD法。另外，更优选的是等离子体CVD法或常压CVD法。另外，在实施方式1中树脂基板11是，进行用于使基板的厚度为100μm左右的大量的液状树脂的涂布工序和将其固化热处理的工序的、表面形成有有机异物30的基板。
接着，在无机底涂膜12上以交叉的方式分别设置多个栅极信号线和数据信号线，使被它们包围的区域为一个像素。通过这样，像素被形成为矩阵状。像这样形成有像素的区域成为显示区域。在栅极信号线和数据信号线的交点，配置作为开关元件的TFT13。TFT是3端子型的开关元件，隔着半导体层和栅极绝缘膜形成有栅极电极和源极/漏极电极。另外，栅极信号线与栅极电极电连接，数据信号线与源极/漏极电极的一个电连接。利用这样的结构，能够按每像素进行显示的控制。
接着，以膜厚2μm整个面地涂布有机绝缘膜14。作为有机绝缘膜14的材料，能够使用透明丙烯酸树脂等。另外，有机绝缘膜14能够使用例如旋涂法或光刻法形成。通过像这样较薄地形成有机绝缘膜14的膜厚，产生的有机异物30的大小变得较小，因此后述的无机绝缘膜和无机导电膜的被覆性得到提高。另外，通过在等级(class)1(每1立方英尺存在的0.5μm以上的尘埃为1个以下)以上的水平的超高洁净度中涂布有机绝缘膜14，能够使有机异物30更难产生。另外，因为在制造树脂基板11时产生的有机异物通常为数μm，所以根据本实施方式，能够利用有机绝缘膜14将有机异物30大致完全覆盖。
在涂布有机绝缘膜14后，在TFT13上设置用于使TFT13与形成在其上部的像素电极15连接的孔。然后对该孔形成导电膜，进一步地在构成像素的位置，形成由ITO(氧化铟锡)等形成的像素电极(无机导电膜)15。像素电极15形成为各电极间具有一定宽度的矩阵状，因此能够按每个像素电极15进行显示控制。
接着，对形成有像素电极15的区域以外的区域，即，对有机绝缘膜14露出表面的区域，使用CVD法形成氮化硅(SiN)膜(无机绝缘膜)16。作为这时使用的无机绝缘膜16的材料，此外还能够使用氧化硅(SiO2)等。另外，无机绝缘膜16也能够使用溅射法、真空蒸镀法等形成，但从能够形成致密的膜从而将有机异物以较高被覆性覆盖的观点出发，优选本实施方式这样的CVD法。另外，更优选的是等离子体CVD法或常压CVD法。由此，能够使用无机膜大致完全覆盖与液晶层10相对的阵列基板17的表面。
如图2-1的虚线所示，水分和氧通过树脂基板11、有机绝缘膜14等有机材料浸入，但根据实施方式1，即使在树脂基板11上产生有机异物30，在树脂基板11与有机绝缘膜14之间形成有水分和氧的浸入路径的情况下，因为形成有覆盖有机绝缘膜14上整体的无机导电膜15和无机绝缘膜16，所以能够防止水分和氧向液晶层10浸入。
如上所述，在实施方式1中，以等级1以上的非常高的洁净度制造绝缘膜14，有机异物产生的几率可以说相当低，但假若不在那么高的洁净度中进行制造，则如图2-2所示，在树脂基板11上产生有机异物30，并且在有机绝缘膜14上产生有机异物40的情况下，会导致形成从外部向液晶层10连通的水分和氧的浸入路径。但是，在如图2-2的虚线所示的本实施方式中，较大地确保了浸入所需路径的距离，因此即使在这样的情况下，水分和氧的浸入会花费很长的时间，实质上能够防止水分和氧向液晶层(显示元件)10浸入。另外，将有机绝缘膜14的膜厚非常薄地形成为2μm，也对使水分和氧的浸入停滞起作用。
实施方式1的液晶显示装置具备的相对基板27能够按照以下方式制作。图3-1是是实施方式1的液晶显示装置具备的相对基板的截面示意图。首先，与阵列基板17相同地准备膜厚为0.1mm的树脂基板21，对其表面以膜厚200nm整个面地形成氧化硅(SiO2)等透明无机膜(无机底涂膜)22。无机底涂膜22的材料和形成方法与阵列基板17时相同。
接着，在与阵列基板17的像素电极15对应的区域，使用有机树脂(有机绝缘膜)形成彩色滤光片23。实施方式1中，彩色滤光片23由红23R、绿23G和蓝23B构成。另外，在表示各颜色的彩色滤光片23之间，使用有机树脂(有机绝缘膜)形成防止漏光用的黑矩阵24。在这些有机树脂中，例如通过使红、蓝、绿、黑等颜料分散，能够表现各种颜色。使彩色滤光片23和黑矩阵24的膜厚为例如2μm。另外，彩色滤光片23的黑矩阵24能够使用例如印刷法、喷墨法等形成。通过像这样较薄地形成彩色滤光片23和黑矩阵24的膜厚，产生的有机异物30的大小也变得较小，因此后述的无机绝缘膜和无机导电膜的被覆性得到提高。另外，通过在等级1以上的水平的超高洁净度中涂布彩色滤光片23和黑矩阵24，能够使有机异物30更难产生。另外，因为在制造树脂基板11时产生的有机异物通常为数μm，所以根据本实施方式，能够利用彩色滤光片23和黑矩阵24将有机异物30大致完全覆盖。
接着，在显示区域内的彩色滤光片23和黑矩阵24上，设置由ITO等构成的相对电极(无机导电膜)25。
然后，对形成有相对电极25的显示区域外的区域，即，彩色滤光片23或黑矩阵24露出表面的区域，使用CVD法形成氮化硅(SiN)膜(无机绝缘膜)26。作为这时使用的无机绝缘膜26的材料，此外还能够使用氧化硅(SiO2)等。无机绝缘膜26的材料和形成方法与阵列基板时相同。由此，能够使用无机膜大致完全地覆盖与液晶层10相对的阵列基板27的表面。
如图3-1的虚线所示，水分和氧通过树脂基板21、彩色滤光片23、黑矩阵24等有机材料浸入，但根据实施方式1，即使在树脂基板21上产生有机异物30、在树脂基板21与彩色滤光片23和黑矩阵24之间形成水分和氧的浸入路径的情况下，因为形成有覆盖彩色滤光片23和黑矩阵24上整体的无机导电膜25和无机绝缘膜26，所以能够防止水分和氧向液晶层10浸入。
如上所述，在实施方式1中，以等级1以上的非常高的洁净度制造彩色滤光片23、黑矩阵24，可以说有机异物产生的几率相当低，但假若不在那么高的洁净度中进行制造，则如图3-2所示，在树脂基板21上产生有机异物30、并且在彩色滤光片23或黑矩阵24上产生有机异物40的情况下，形成从外部向液晶层10连通的水分和氧的浸入路径。但是，即使在这样的情况下，根据本实施方式，如图3-2的虚线所示，因为较大地确保了浸入所需路径的距离，所以能够在实质上防止水分和氧向液晶层(显示元件)10浸入。另外，将彩色滤光片23和黑矩阵24的膜厚非常薄地形成为2μm，也对使水分和氧的浸入停滞起作用。
实施方式1的液晶显示装置(图1)使用这样制作的阵列基板17(图2-1)和相对基板27(图3-1)制作而成。在实施方式1中，阵列基板17和相对基板27使用由几乎没有透湿性的环氧类树脂构成的膜厚5μm的密封材料20贴合。这时，通过使密封材料20的宽度为3mm，能够使水分和氧的浸入路径更大。
以上，在本实施方式中，能够从阵列基板17和相对基板27两者有效地防止来自外部的水分和氧的浸入，能够阻碍液晶显示装置的显示元件的劣化。
另外，对于上述树脂基板11、21，如图4所示，可以在其两侧形成无机底涂膜12、22，由此，能够更有效地防止水分和氧对树脂基板的浸入。具体而言，来自树脂基板11、21表面的水分和氧的浸入被防止，它们的浸入只从比基板表面面积小的基板端面进行。
(实施方式2)
本发明的实施方式2是有机EL显示装置。实施方式2的有机EL显示装置具有保持作为显示元件的有机EL层的树脂基板。
实施方式2的有机EL显示装置能够通过以下方式制作。图5-1是实施方式2的有机EL显示装置的截面示意图。首先，准备膜厚为0.1mm的树脂基板51，对其表面以膜厚200nm整个面地形成氧化硅(SiO2)等的透明无机膜(无机底涂膜)52。作为这时使用的无机底涂膜52的材料，此外还能够使用SiN(氮化铟)、Ta2O5(五氧化钽)、Al2O3(氧化铝)等。另外，无机底涂膜52能够使用例如CVD法、溅射法、真空蒸镀法等形成，但从能够形成致密的膜从而将有机异物以较高被覆性覆盖的观点出发，优选CVD法。另外，更优选的是等离子体CVD法或常压CVD法。通过在树脂基板51的两面设置无机底涂膜52，能够进一步防止水分和氧的浸入。另外，在实施方式2中树脂基板51是进行过用于使基板的厚度为100μm左右的大量的液状树脂的涂布工序和将其固化热处理的工序的、表面形成有有机异物30的基板。
接着，在无机底涂膜52上以交叉的方式分别设置多根栅极信号线和数据信号线，使被它们包围的区域为一个像素。通过这样，像素被形成为矩阵状。像这样形成像素的区域成为显示区域。在栅极信号线和数据信号线的交点，配置作为开关元件的TFT53。TFT是3端子型的开关元件，隔着半导体层和栅极绝缘膜形成有栅极电极和源极/漏极电极。另外，栅极信号线与栅极电极电连接，数据信号线与源极/漏极电极的一方电连接。利用这样的构造，能够按每像素进行显示的控制。
接着，以膜厚2μm整个面地涂布有机绝缘膜54。作为有机绝缘膜54的材料，能够使用透明丙烯酸树脂等。另外，有机绝缘膜54能够使用例如旋涂法或光刻法形成。通过像这样较薄地形成有机绝缘膜54的膜厚，产生的有机异物60的大小也变得较小，因此后述的无机绝缘膜和无机导电膜的被覆性得到提高。另外，通过在等级1以上的水平的超高洁净度中涂布有机绝缘膜54，能够使有机异物60更难产生。另外，因为在制造树脂基板51时产生的有机异物60通常为数μm，所以根据本实施方式，能够利用有机绝缘膜54将有机异物大致完全覆盖。
在涂布有机绝缘膜54后，在TFT53上设置用于使TFT53与形成在其上部的阳极55连接的孔。然后对该孔形成导电膜，进一步地在构成像素的位置形成由ITO(氧化铟锡)等构成的阳极(无机导电膜)55。阳极55形成为各电极间具有一定宽度的矩阵状，因此能够按每个阳极55进行显示的控制。
接着，对形成有阳极55的区域以外的区域，即，有机绝缘膜54露出表面的区域，使用CVD法形成氮化硅(SiN)膜(无机绝缘膜)56。作为这时使用的无机绝缘膜56的材料，此外还能够使用氧化硅(SiO2)等。另外，无机绝缘膜56能够使用溅射法等形成，但从能够形成致密的膜从而将有机异物以较高被覆性覆盖的观点出发，优选本实施方式这样的CVD法。另外，更优选的是等离子体CVD法或常压CVD法。由此，能够使用无机膜大致完全覆盖与有机EL层58相对的有机绝缘膜54的表面。
接着，在阳极55上形成有机EL层58。在实施方式2中，有机EL层58使用发出红58R、绿58G和蓝58B光的层形成。作为有机EL层58的材料，例如能够使用聚芴化合物。另外，有机EL层的结构除了发出各种颜色光的发光层之外，还可以包含有效输送空穴或电子的聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT/PSS)等的层。作为这样的有机EL层58的一个例子，能够列举依次层叠有PEDOT/PSS、聚芴化合物、和PEDOT/PSS的方式。像这样的各个层能够使用例如喷墨法、掩模真空蒸镀法等形成。另外，因为本实施方式的有机异物产生的几率相当低，所以能够使膜厚整体较薄地形成为100nm左右。
接着，在无机绝缘膜56和有机EL层58上整体形成阴极59。这些阴极59并不按每像素分割，而是电连接的。
另外，在实施方式2中，表示了一对电极中在树脂基板侧形成有阳极的底部阳极的方式，但也可以是在树脂基板侧形成有阴极的底部阴极的方式。
如图5-1的虚线所示，水分和氧通过树脂基板51、有机绝缘膜54等的有机材料浸入，但根据实施方式2，即使在树脂基板51上产生有机异物60、在树脂基板51与有机绝缘膜54之间形成水分和氧的浸入路径的情况下，因为形成有覆盖有机绝缘膜54的整体的无机导电膜55和无机绝缘膜56，所以能够防止水分和氧向有机EL层58浸入。
如上所述，在实施方式2中，以等级1以上的非常高的洁净度制造绝缘膜54，有机异物产生的几率可以说相当低，但假若不在那么高的洁净度中进行制造，则如图5-2所示，在树脂基板51上产生有机异物60、并且在有机绝缘膜54上产生有机异物80的情况下，形成从外部向有机EL层58连通的水分和氧的浸入路径。但是即使在这种情况下，根据本实施方式，如图5-2的虚线所示较大地确保了浸入所需路径的距离，因此能够在实质上防止水分和氧向有机EL层(显示元件)58浸入。另外，将有机绝缘膜54的膜厚非常薄地形成为2μm，也对使水分和氧的浸入停滞起作用。
以上，本实施方式因为有效地防止来自外部的水分和氧的浸入，所以能够阻碍有机EL显示装置的显示元件的劣化。
(实施方式3)
本发明的实施方式3是无机EL显示装置。实施方式3的无机EL显示装置除了作为显示元件使用无机EL层之外，与实施方式2具有相同的结构。
作为无机EL层的材料，例如能够使用硫化锌(ZnS)。通过使硫化锌(ZnS)含有例如铜(Cu)作为发光中心，能够发出蓝光。作为此外能够使用的发光中心，可列举氯(Cl)、碘(I)、铝(Al)、锰(Mn)等。无机EL层能够使用例如旋涂法、掩模真空蒸镀法等形成。
根据实施方式3，因为与实施方式2具有相同的结构，所以能够防止水分和氧向无机EL层浸入，能够使显示元件的劣化难以产生。
另外，本申请以2007年10月23日提出申请的日本国专利申请2007-275376号为基础，主张基于巴黎条约或进入国的法规的优先权。作为参照，本申请中引入该申请的全部内容。

Claims (12)

1.一种显示装置，其在树脂基板上依次具备有机绝缘膜、无机导电膜和显示元件，其特征在于：
该显示装置具有与无机导电膜并列配置的无机绝缘膜，
该无机绝缘膜与无机导电膜一起覆盖有机绝缘膜的整个表面。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述显示装置在树脂基板与有机绝缘膜之间具有覆盖树脂基板整体的无机底涂膜。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述无机底涂膜配置在树脂基板的两侧。
4.如权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述显示装置在树脂基板上具备栅极信号线、数据信号线和薄膜晶体管，
所述无机导电膜构成配置在由栅极信号线和数据信号线包围的区域的像素电极。
5.如权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述有机绝缘膜构成彩色滤光片。
6.如权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述有机绝缘膜构成黑矩阵。
7.如权利要求1至6中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述有机绝缘膜的厚度在10μm以下。
8.如权利要求1至7中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述显示元件是液晶层。
9.如权利要求1至7中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述显示元件是电致发光层。
10.一种显示装置的制造方法，制造权利要求1至9中任一项所述的显示装置，该制造方法的特征在于：
该制造方法包括利用化学蒸镀形成无机绝缘膜的工序。
11.一种显示装置的制造方法，制造权利要求2至9中任一项所述的显示装置，该制造方法的特征在于：
该制造方法包括利用化学蒸镀形成无机底涂膜的工序。
12.一种显示装置的制造方法，制造权利要求1至9中任一项所述的显示装置，该制造方法的特征在于：
该制造方法包括以等级1水平的洁净度形成有机绝缘膜的工序。
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