CN106814495A - 颜色转换面板、其制造方法及包括颜色转换面板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种颜色转换面板、其制造方法以及包括所述颜色转换面板的显示装置。所述颜色转换面板，包括：基板、在所述基板上的传输层和多个颜色转换层、在所述多个颜色转换层和所述传输层上的覆盖层，以及在所述覆盖层上的滤光层。

Description

颜色转换面板、其制造方法及包括颜色转换面板的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年11月27日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0167429号的优先权和权益，所述申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的实施方式的多个方面涉及颜色转换面板、其制造方法以及包括所述颜色转换面板的显示装置。
背景技术
目前，在显示装置中，主要使用其中在两个显示面板中提供场致电极的液晶显示器。在一个显示面板(下文称作“薄膜晶体管阵列板”)处的矩阵中布置多个薄膜晶体管和像素电极，并且在另一个显示面板(下文称作“共用电极板”)(另一个显示面板的整个表面被共用电极覆盖)中设置红色、绿色和蓝色滤光器。
然而，所述显示装置在偏光器和滤光器中产生漏光。
背景技术部分公开的以上信息是为了增强对本发明的背景的理解，并且因此其可包含不形成现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施方式的多个方面涉及具有改善的(例如，提高的)对比度和颜色再现性的颜色转换面板，以及包括所述颜色转换面板的显示装置。
根据本发明的一些实施方式，提供了一种颜色转换面板，包括：基板；在所述基板上的传输层和多个颜色转换层；在所述多个颜色转换层和所述传输层上的覆盖层；以及在所述覆盖层上的滤光层。
在实施方式中，所述覆盖层覆盖所述多个颜色转换层和所述传输层的每个上表面和每个侧表面。
在实施方式中，所述颜色转换面板进一步包括在所述多个颜色转换层和所述传输层的相邻层之间的光阻挡部件。
在实施方式中，所述覆盖层包括无机材料。
在实施方式中，所述覆盖层包括非氧化性材料。
在实施方式中，所述覆盖层包括硅氮化物。
在实施方式中，所述覆盖层的厚度小于或等于约1μm。
在实施方式中，所述覆盖层在低于约100℃下形成。
根据本发明的一些实施方式，提供了一种用于制造颜色转换面板的方法，所述方法包括：在基板上形成多个颜色转换层；在所述多个颜色转换层上沉积覆盖层；以及在所述覆盖层上沉积滤光层，其中所述覆盖层在低于约100℃的温度下沉积。
在实施方式中，所述覆盖层包括无机材料，并且其中所述滤光层的所述沉积在高温工艺中进行。
在实施方式中，所述覆盖层包括非氧化性材料。
在实施方式中，所述覆盖层包括硅氮化物。
在实施方式中，所述覆盖层的厚度小于或等于约1μm。
根据本发明的一些实施方式，提供了一种显示装置，包括：显示面板；以及在所述显示面板上的颜色转换面板，其中所述颜色转换面板包括：基板，在所述基板面向所述显示面板的一个表面上的传输层和多个颜色转换层，在所述多个颜色转换层和所述传输层面向所述显示面板的一个表面上的覆盖层，以及在所述覆盖层和所述显示面板之间的滤光层。
在实施方式中，所述覆盖层覆盖所述多个颜色转换层和所述传输层的每个上表面和每个侧表面。
在实施方式中，所述显示装置进一步包括在所述多个颜色转换层和所述传输层的相邻层之间的光阻挡部件。
在实施方式中，所述覆盖层包括无机材料。
在实施方式中，所述覆盖层包括非氧化性材料。
在实施方式中，所述覆盖层包括硅氮化物。
在实施方式中，所述覆盖层的厚度小于或等于约1μm。
因此，根据本发明的示例性实施方式的颜色转换面板和包括所述颜色转换面板的显示装置具有优异的对比度和颜色再现性，从而改善了显示质量。
附图说明
图1为根据本发明的示例性实施方式的颜色转换面板的截面图。
图2为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的截面示意图。
图3为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的俯视图；并且图4为沿图3的IV-IV线的截面图。
图5为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的一个像素的俯视图；并且图6为沿图5的VI-VI线的截面图。
图7为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的截面图。
图8为根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器中的多个像素的俯视图；并且图9为沿图8的IX-IX线的截面图。
图10为比较本发明的示例性实施方式和对比例的退化相对于工作寿命的图表。
一些符号的描述
10： 显示面板 12、22： 偏光器
30： 颜色转换面板 310： 基板
11： 第一定向层 21： 第二定向层
110： 第一基板 121： 栅线
具体实施方式
下文将参照附图更全面地描述本发明的实施方式的多个方面，其中示出本发明的示例性实施方式。本领域技术人员会认识到，在不背离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式改变所描述的实施方式
附图和描述被认为本质上是说明性的而不是限制性的。说明书通篇相同的参考编号指代相同的元件。
另外，在附图中，为了更好的理解和易于描述，每个元件的尺寸和厚度是随意表示的，并且本发明的实施方式不限于此。在附图中，为了清楚，放大了层、膜、板、区等的厚度。在附图中，为了更好的理解和易于描述，放大了一些层和区域的厚度。
为了实现具有减少漏光和高效率的显示装置，本发明的实施方式的多个方面涉及包括颜色转换面板的显示装置。现在将参照图1描述根据本发明的示例性实施方式的颜色转换面板。图1为根据本发明的示例性实施方式的颜色转换面板的截面图。
如图1中示出的，根据本发明的示例性实施方式的颜色转换面板30包括放置在基板310上的多个颜色转换层330R和330G、传输层330B以及光阻挡部件320。
多个颜色转换层330R和330G可通过将设定的或预定的入射光转换成不同颜色的光的方法来发光。举例来说，所述多个颜色转换层330R和330G可为红色转换层330R和绿色转换层330G。
传输层330B可通过传输设定的或预定的入射光的方法来发光。举例来说，传输层330B可传输蓝色光。
光阻挡部件320放置在相邻的颜色转换层330R和330G之间，以及在相邻的颜色转换层330G和传输层330B之间。换言之，光阻挡部件320可限定其中设置彼此相邻的红色转换层330R、绿色转换层330G和传输层330B的区域。
红色转换层330R可包括荧光体(phosphors)(或荧光层)和/或量子点，以将入射蓝色光转换成红色光。
绿色转换层330G可包括荧光体(phosphors)(或荧光层)和/或量子点，以将入射蓝色光转换成绿色光。
红色转换层330R和绿色转换层330G可进一步包括在有或没有荧光体的情况下用于转换颜色的量子点。在这种情况下，所述量子点可选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和/或其组合。
所述II-VI族化合物可选自由以下组成的组中：选自由以下组成的组的二元化合物：CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物；选自由以下组成的组的三元化合物：CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物；以及选自由以下组成的组的四元化合物：HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物。
所述III-V族化合物可选自由以下组成的组中：选自由以下组成的组的二元化合物：GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物；选自由以下组成的组的三元化合物：GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物；以及选自由以下组成的组的四元化合物：GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、GaAlNP及其混合物。
所述IV-VI族化合物可选自由以下组成的组中：选自由以下组成的组的二元化合物：SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物；选自由以下组成的组的三元化合物：SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物；以及选自由以下组成的组的四元化合物：SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物。所述IV族元素可选自由以下组成的组中：Si、Ge及其混合物。所述IV族化合物可为选自由以下组成的组的二元化合物：SiC、SiGe及其混合物。
而且，可包括III-VI族化合物、II-III-V族化合物或II-III-VI族化合物及其组合。
所述III-VI族化合物可包括比如GaO的化合物，所述II-III-V族化合物可包括比如InZnP的化合物，所述II-III-VI族化合物可包括比如InZnSCdSe的化合物；然而，本发明的实施方式不限于此。
在这种情况下，所述二元化合物，所述三元化合物或所述四元化合物可以以均一的浓度存在于颗粒中，或者可以存在于相同的颗粒中，所述相同的颗粒分成其中浓度分布部分上不同的状态。另外，颜色转换层可具有核/壳结构，其中一个量子点围绕另一个量子点。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，使得壳中存在的元素的浓度在接近其核时逐渐降低。
量子点可具有这样的发光波长光谱，所述发光波长光谱具有约45nm或以下、优选约40nm或以下、以及更优选约30nm或以下的半高全宽(FWHM)，在该范围内，可改善(例如，提高)颜色纯度或颜色再现性。此外，由于通过量子点发射的光是在所有方向上被发射的，所以可改善(例如，提高)发光角度。
此外，量子点不特别限于具有本发明的实施方式相关技术领域中通常使用的形状，并且更具体地，可具有球形形状(比如在纳米颗粒中)、锥体形状、多臂形状或立方体形状，或者可为纳米管、纳米线、纳米纤维、平面纳米颗粒和/或类似物。
当红色转换层330R包括红色荧光体时，所述红色荧光体可为(Ca,Sr,Ba)S、(Ca,Sr,Ba)2Si5N8、CaAlSiN3、CaMoO4和Eu2Si5N8中的一种材料，但是不限于此。红色转换层330R可包括至少一种红色荧光体。
当绿色转换层330G包括绿色荧光体时，所述绿色荧光体可为钇铝石榴石(YAG)、(Ca,Sr,Ba)2SiO4、SrGa2S4、BAM、α-SiAlON、β-SiAlON、Ca3Sc2Si3O12、Tb3Al5O12、BaSiO4、CaAlSiON和(Sr1-xBax)Si2O2N2中的一种材料，但是不限于此。绿色转换层330G可包括至少一种绿色荧光体。在这种情况下，x可为0和1之间的任何数。
传输层330B可为用于传输由光组件提供的蓝色光的聚合物材料。例如，对应于用于发射蓝色光的区域的传输层330B，在没有额外的荧光体(或荧光层)或量子点的情况下将该入射的蓝色光发射。
举例来说，红色转换层330R、绿色转换层330G、传输层330B以及光阻挡部件320的材料可为光敏树脂，并且因此，它们可通过光刻工艺形成。
而且，红色转换层330R、绿色转换层330G、传输层330B以及光阻挡部件320可通过印刷工艺形成，并且在这种情况下，在制造过程中可使用与光敏树脂不同的材料。
在一些实施方式中，颜色转换层和光阻挡部件通过光刻工艺或印刷工艺形成，然而，本发明的实施方式不限于此，并且可使用其他方法或其他材料。
根据本发明的示例性实施方式的多个颜色转换层330R和330G以及传输层330B中的至少一个可进一步包括散射成分(scattering member)。例如，多个颜色转换层330R和330G以及传输层330B可分别包括散射成分，然而它们不限于此，并且作为另一个示例性实施方式，传输层330B可包括散射成分，而红色转换层330R和绿色转换层330G可不包括散射成分。
每种散射成分散射从荧光体(或荧光层)和量子点中的至少一个发射的光，以便发射更多光。照此，提高了发光效率。
在这种情况下，红色转换层330R和绿色转换层330G中包括的散射成分的含量与传输层330B中包括的散射成分的含量可是不同的。举例来说，红色转换层330R和绿色转换层330G中包括的散射成分的含量可大于传输层330B中包括的散射成分的含量。
传输层330B中包括的散射成分可将从传输层330B发射的光的前亮度和侧亮度调节为一致。而且，红色转换层330R和绿色转换层330G中包括的散射成分可提高红色转换层330R和绿色转换层330G的发光效率。如上所述，每个颜色转换层中包括的散射成分可具有不同的用途，从而在不同的环境下使用。
散射成分的材料可为均匀地散射光的任何适合的材料，比如TiO2、ZrO2、Al2O3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3、ITO和/或类似物。
而且，散射成分可具有约1.5或以上的折射率。传输层330B以及包括具有该折射率的散射成分的颜色转换层330R和330G可改善(例如，提高)发光效率。
接下来，覆盖层340放置在多个颜色转换层330R和330G、传输层330B以及光阻挡部件320上。在形成颜色转换层330R和330G以及传输层330B之后，覆盖层340防止或基本上防止颜色转换层330R和330G以及传输层330B由高温工艺带来的损害。更具体地，在形成颜色转换层330R和330G以及传输层330B之后的过程中，颜色转换层330R和330G中包括的荧光体(或荧光层)和量子点以及传输层330B可被水分和高温工艺损害或消光；然而，这可通过覆盖层340避免或减轻。
为了保护颜色转换层330R和330G以及传输层330B，可沉积覆盖层340以覆盖颜色转换层330R和330G以及传输层330B的一个暴露的表面。具体地，覆盖层340可分别覆盖多个颜色转换层330R和330G以及传输层330B的上表面和侧表面。
覆盖层340可为无机材料，比如硅氮化物和/或类似物。然而，其不限于这种材料，并且覆盖层340可由作为非氧化性且透明材料的任何适合的材料构成。在这种情况下，覆盖层340可为具有大于约95％的透光率的任何适合的无机材料。
覆盖层340可在低于100℃下形成。相比于在高温下沉积的覆盖层，在低温下沉积的本发明的实施方式的覆盖层340可有效防止或减轻颜色转换层的退化。
覆盖层340的厚度可小于或等于1μm。覆盖层340的1μm的厚度足以保护多个颜色转换层330R和330G以及传输层330B免受高温或水分的损害。
滤光层350放置在覆盖层340上。在本说明书中，覆盖层340和滤光层350放置在光阻挡部件320上；然而，本发明的实施方式不限于此，并且覆盖层和滤光层可放置在颜色转换层330R和330G以及传输层330B上，而且，光阻挡部件可放置在滤光层上，或者作为另一个示例性实施方式，光阻挡部件可放置在覆盖层上，而滤光层放置在覆盖层和光阻挡部件上。
滤光层350为传输设定或预定的波长的光并反射或吸收除了所述设定的或预定的波长的光以外的光的滤光器，比如干涉滤光器。滤光层350可由其中沉积了具有不同折射率的多个膜的结构制造。例如，所述膜可包括聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚苯乙烯(PS)和/或类似物。
另外，滤光层350可通过高温工艺沉积。举例来说，所述沉积可在约250℃至约350℃的温度下进行。如上所述，根据通过高温工艺沉积的滤光层350，颜色转换层330R和330G中包括的量子点可发生消光，然而，根据本发明的示例性实施方式的覆盖层340防止或基本上防止或减轻消光。
当光在颜色转换层330R和330G以及传输层330B中被发射或传输的同时，滤光层350又将在与入射到使用者的方向相反的方向上发射的光引导到颜色转换层330R和330G以及传输层330B，由此改善(例如，提高)发光效率。在一些示例性实施方式中，可省略滤光层350。上述颜色转换面板提供优异的颜色再现性和发光效率。
接下来，将参照图2、3和4描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置。图2为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的截面示意图；图3为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的俯视图；并且图4为沿图3的IV-IV线的截面图。
首先，参考图2，将简要描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置，其中所述显示装置包括颜色转换面板30、与颜色转换面板30相接触的显示面板10以及光组件500。根据本发明的示例性实施方式的颜色转换面板30可为参照图1描述的颜色转换面板，因而，其具体描述可不再赘述。然而，在颜色转换面板30的这种情况下，图1中示出的基板310可远离显示面板10分开放置。颜色转换面板30的基板310可设置在相对于显示面板10最远的位置。
显示面板10可包括用于形成垂直电场的液晶面板，然而不限于此，并且其可为显示面板，比如用于形成水平电场的液晶面板、等离子显示面板(PDP)、有机发光二极管显示器(OLED)、表面传导电子发射显示器(SED)、场发射显示器(FED)、真空荧光显示器(VFD)或电子纸。接下来，可进一步详细地描述显示面板10。
光组件500可包括放置在显示面板10下面且产生光的光源，以及用于接收光且用于在显示面板10和颜色转换面板30的方向上引导所接收的光的光导装置。当显示面板10为自发光显示装置时，可省略光组件500。
作为本发明的一个实施方式的示例，光组件500可包括至少一个发光二极管(LED)，比如蓝色发光二极管(LED)。根据本发明的实施方式的光源可为设置在导光板的至少一个侧面上的侧光式(edge-type)光组件，或者可以为其中光组件500的光源放置在导光板的正下部的直下式(direct-type)；然而，本发明的实施方式不限于此。
接下来，将参照图3和图4进一步详细描述根据本发明的示例性实施方式的显示面板10。
显示面板10可包括用于表示(或显示)图像的液晶面板50以及在所述液晶面板50的各自表面上的第一偏光器12和第二偏光器22。用于偏振由光组件500入射的光的第一偏光器12和第二偏光器22放置于液晶面板50的各自表面。
偏光器12和22可为涂层偏光器(coating polarizer)和线栅偏光器(wire gridpolarizer)中的至少一种。这些偏光器12和22可通过各种方法放置于显示面板100和200的一个表面，所述方法比如薄膜法、涂布法、粘附法(adhering method)和/或类似方法。然而，该描述为一个示例，并且本发明的实施方式不限于此。
液晶面板50包括下面板100和上面板200，以及插在下面板100和上面板200之间的液晶层3，所述下面板100包括用来显示图像的薄膜晶体管，所述上面板200包括面向下面板100的第二基板210。
多个像素电极以矩阵形状放置在下面板100中包括的第一基板110上。
在第一基板110上放置：在行方向上延伸且包括栅极124的栅线121，放置在栅线121上的栅绝缘层140，放置在栅绝缘层140上的半导体层154，放置在半导体层154上、在列方向上延伸且包括源极173的数据线171，漏极175，放置在数据线171和漏极175上的钝化层180以及通过接触孔185电连接且物理连接至漏极175的像素电极191。
放置在栅极124上的半导体层154在通过源极173和漏极175暴露的区域中形成沟道层，并且栅极124、半导体层154、源极173以及漏极175形成一个薄膜晶体管。
接下来，将描述上面板200。
第二基板210面向第一基板110且与第一基板110分开。光阻挡部件220、平坦化层250以及共用电极270放置在第二基板210和液晶层3之间。具体地，光阻挡部件220放置于第二基板210的面朝第一基板110的一个表面。平坦化层250放置于光阻挡部件220的面朝第一基板110的一个表面，并且平坦化层250可提供平坦的表面。共用电极270放置在平坦化层250的面朝第一基板110的一个表面。在一些示例性实施方式中，可省略平坦化层250。
施加以公共电压(common voltage)的共用电极270与像素电极191形成电场以排列放置在共用电极270和像素电极191之间的液晶层3中的液晶分子31。
液晶层3包括多个液晶分子31，并且液晶分子31的排列方向由像素电极191和共用电极270之间的电场控制。根据液晶分子的排列，可控制从光组件500接收的光的透光率以显示图像。
上述显示装置通过颜色转换面板提供进一步改善的(例如，提高的)颜色再现性和对比度。
接下来，将参照图5和图6描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置。图5为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的一个像素的俯视图；并且图6为沿图5的VI-VI线的截面图。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置包括颜色转换面板30、显示面板10以及光组件500。显示面板10可放置在光组件500上，并且颜色转换面板30可放置在显示面板10上。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置中包括的颜色转换面板30和光组件500与上述示例性实施方式中描述的相同或基本上相同，因此，对其描述不再赘述。然而，为了将颜色转换面板30中包括的基板310设置为远离显示面板10，可放置颜色转换面板30。例如，颜色转换面板30在显示面板10上是颠倒的，使得基板310可设置在顶部。
显示面板10可包括：用于显示图像的液晶面板50以及放置在液晶面板50的各自表面上的偏光器12和22。用于偏振由光组件500入射的光的第一偏光器12和第二偏光器22放置于液晶面板50的各自表面。
栅线121放置在液晶面板50中的基板110上。栅线121包括栅极124。
栅绝缘层140放置在基板110和栅线121上。在栅绝缘层140上，半导体层154放置在数据线171和源/漏极173和175下，且在薄膜晶体管Q的沟道部分上。
在每个半导体层151和154以及栅绝缘层140上，放置包括源极173、连接至源极173的数据线171以及漏极175的数据导体(171、173和175)。
栅极124、源极173和漏极175连同半导体层154形成薄膜晶体管Q，并且在源极173和漏极175之间的半导体层154中形成薄膜晶体管Q的沟道。
第一钝化层180可放置在数据导体(171、173和175)和暴露的半导体层154上。光阻挡部件220和第二钝化层240放置在第一钝化层180上。
在具有开口(对应用于显示图像的区域)的晶格结构中形成光阻挡部件220，并且所述光阻挡部件220由不透明材料(例如，不透光的材料)构成。
第一钝化层180和第二钝化层240以及光阻挡部件220具有使漏极175暴露的接触孔185。
像素电极191放置在第二钝化层240上。像素电极191包括从像素电极191朝栅线121延伸的突出部197，并且突出部197通过接触孔185物理连接且电连接至漏极175，从而接收来自漏极175的数据电压。
上述薄膜晶体管Q和像素电极191仅作为示例来描述，并且薄膜晶体管的结构以及像素电极的设计不限于本示例性实施方式中描述的结构，而可基于根据本发明的示例性实施方式的描述改变来加以应用。
下定向层11放置在像素电极191上，并且所述下定向层11可为垂直定向层。上定向层21面向下定向层11放置，并且微腔305放置在下定向层11和上定向层21之间。
如图6中示出的，在本示例性实施方式中，下定向层11和上定向层21基于它们的位置彼此区分(且在其他方面可相同或基本上相同)，并且可彼此连接。下定向层11和上定向层21可并行地或同时地形成。
将微腔305注入液晶分子31以形成液晶层3。在薄膜晶体管Q放置的部分上形成液晶入口307FP，并且液晶入口307FP可被保护层(overcoat)390覆盖。微腔305在Y轴方向上被放置于与栅线121重叠的部分的多个液晶入口307FP分割，以便形成多个微腔305。此外，微腔305在X轴方向上被下文要描述的隔墙部件(partition wall part)PWP分割，以便形成多个微腔305。多个所形成的微腔305中的每个可对应于一个、两个或更多个像素区，并且像素区可对应于显示屏幕的区域。
共用电极270放置在上定向层21上。共用电极270接收公共电压且与像素电极191(对其施加数据电压)一起产生电场，以确定在两个电极之间的微腔305处放置的液晶分子31倾斜的方向。在本示例性实施方式中，共用电极270放置在微腔305上，然而，作为另一个示例性实施方式，可替换地，共用电极270可放置在微腔305下，以实现根据共面电极(CE)模式的液晶驱动。
顶层360放置在下绝缘层350上。顶层360起到支撑体的作用，使得形成微腔305(其为像素电极191和共用电极270之间的间隔)。
在本示例性实施方式中，隔墙部件PWP放置在X轴方向上相邻的微腔305之间。隔墙部件PWP可沿Y轴方向形成(该方向作为数据线171延伸的方向)且被顶层360覆盖。隔墙部件PWP被共用电极270和顶层360填充，并且随着该结构形成隔墙，微腔305可被分隔或限定。
保护层390放置在顶层360上。在本示例性实施方式中，保护层390可放置在液晶入口307FP中以及放置在上绝缘层上。在这种情况下，保护层390可覆盖液晶入口307FP。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置在对比度和颜色再现性方面得到改善，由此提供了具有优异显示质量的显示装置，并且使用一片式基板，由此简化制造工艺和结构。
现在将参照图7描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置。图7为根据本发明的示例性实施方式的显示装置的截面图。
图7中示出的根据本发明的示例性实施方式的显示装置包括：薄膜晶体管板10'、颜色转换面板30'以及光组件500。光组件500与上文描述的构成元件相同或基本上相同，因此，对其描述不再赘述。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置包括：薄膜晶体管板10'、面向薄膜晶体管板10'且与薄膜晶体管板10'分开的颜色转换面板30'，以及放置在薄膜晶体管板10'和颜色转换面板30'之间的包括液晶分子的液晶层3。
根据本说明书的显示装置可进一步包括分别放置在薄膜晶体管板10'和颜色转换面板30'的一个表面上的第一偏光器12和第二偏光器22。根据示例性实施方式，第二偏光器22可放置在颜色转换面板30'的面朝薄膜晶体管板10'的一个表面上。例如，第二偏光器22可为内置式(in-cell)偏光器。
根据本示例性实施方式的薄膜晶体管板10'与图4的下面板100相同或基本上相同，并且颜色转换面板30'与图1的颜色转换面板30类似，以至于在相关的描述中，图7也可参考图1、图3和图4。
首先，多个像素电极以矩阵的形状放置在薄膜晶体管板10'中包括的第一基板110上。
在第一基板110上放置：在行方向上延伸且包括栅极124的栅线121，放置在栅线121上的栅绝缘层140，放置在栅绝缘层140上的半导体层154，放置在半导体层154上、在列方向上延伸且包括源极173的数据线171，漏极175，放置在数据线171和漏极175上的钝化层180以及通过接触孔185电连接且物理连接至漏极175的像素电极191。
放置在栅极124上的半导体层154在通过源极173和漏极175暴露的区域中形成沟道层，并且栅极124、半导体层154、源极173以及漏极175形成一个薄膜晶体管。
接下来，第二基板210面向第一基板110，且与第一绝缘基板110分开。在基板310和液晶层3之间放置：多个颜色转换层330R和330G以及传输层330B，以及放置在所述多个颜色转换层330R和330G以及传输层330B之间的光阻挡部件320。具体地，多个颜色转换层330R和330G、传输层330B以及光阻挡部件320放置于基板310的面朝第一基板110的一个表面上。
光阻挡部件320限定其中设置红色转换层330R、绿色转换层330G以及传输层330B的区域。红色转换层330R、绿色转换层330G以及传输层330B放置在光阻挡部件320之间。
红色转换层330R可将由光组件500提供的蓝色光转换成红色光，并且绿色转换层330G可将由光组件500提供的蓝色光转换成绿色光。为此，红色转换层330R和绿色转换层330G可包括荧光体和量子点中的至少一种。
传输层330B由透明聚合物构成，且传输由光组件500提供的蓝色光，由此表现出蓝颜色。例如，对应于发射蓝色光的区域的传输层330B可包括在没有额外的荧光体(或荧光层)或量子点的情况下发射入射的蓝色光的材料(例如，聚合物比如光敏树脂)。
接下来，覆盖层340放置在多个颜色转换层330R和330G、传输层330B以及光阻挡部件320的面朝第一基板110的一个表面上。在形成覆盖层340之后，覆盖层340防止或基本上防止颜色转换层330R和330G被之后的工艺损害。具体地，在形成颜色转换层330R和330G之后的工艺中，颜色转换层330R和330G中包括的荧光体(或荧光层)和量子点以及传输层330B可能被水分和高温损害或消光；然而，可通过根据本发明的示例性实施方式的覆盖层340防止或基本上防止所述损害和消光。
在这种情况下，覆盖层340可在低于100℃下形成。相比于在高温下沉积的覆盖层，在低温下沉积的根据本发明的示例性实施方式的覆盖层340可防止或基本上防止颜色转换层的退化。
为了保护颜色转换层330R和330G以及传输层330B，可沉积覆盖层340以覆盖颜色转换层330R和330G以及传输层330B的一个暴露的表面。具体地，覆盖层340可覆盖多个颜色转换层330R和330G以及传输层330B的面朝第一基板110的一个表面和每个侧表面。
覆盖层340可为无机材料，并且举例来说，可为硅氮化物。然而，其不限于所述材料，并且覆盖层可使用任何适合的非氧化性且透明的材料。
为了保护多个颜色转换层免受高温或水分的损害，覆盖层340的厚度可小于或等于1μm。
滤光层350放置在覆盖层340的面朝第一基板110的一个表面上。在本说明书中，覆盖层340和滤光层350放置在光阻挡部件320的面朝第一基板110的一个表面上；然而，本发明的实施方式不限于此，并且覆盖层340和滤光层350可放置在颜色转换层330R和330G以及传输层330B的面朝第一基板110的一个表面上，并且光阻挡部件可放置在滤光层350的面朝第一基板110的一个表面上，或者光阻挡部件可放置在覆盖层340的面朝第一基板110的一个表面上，而且，作为另一个示例性实施方式，滤光层可放置在覆盖层和光阻挡部件的面朝第一基板110的一个表面上。
当光在颜色转换层330R和330G以及传输层330B中被发射或传输的同时，滤光层350又将在与入射到使用者的方向相反的方向上发射的光引导到颜色转换层330R和330G以及传输层330B，由此改善(例如，提高)发光效率。在一些示例性实施方式中，可省略滤光层350。
接下来，平坦化层370放置在滤光层350的面朝第一基板110的一个表面上。平坦化层370可提供平坦的表面，并且共用电极270放置在平坦化层370的面朝第一基板110的一个表面上。在一些示例性实施方式中，可省略平坦化层370。
施加以公共电压的共用电极270与像素电极191形成电场以排列放置在液晶层3中的液晶分子31。
液晶层3包括多个液晶分子31，并且液晶分子31的排列方向由像素电极191和共用电极270之间的电场控制。根据液晶分子的排列，控制从光组件500传输的光的透光率，由此显示图像。
上述根据本发明的示例性实施方式的显示装置不包括图4中示出的上面板200，并且颜色转换面板30'代替上面板的功能和位置。该显示装置以较薄的厚度提供，并且可降低其成本和重量。
将参照图8和图9描述根据本发明的示例性实施方式的显示装置。图8为根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器中的多个像素的俯视图；并且图9为沿图8的IX-IX线的截面图。
图8和图9中示出的显示装置包括显示面板10和放置在显示面板10上的颜色转换面板30。图8和图9的颜色转换面板30与上述图1的根据示例性实施方式的颜色转换面板30相同或基本上相同，因此，对其描述不再赘述。
在显示面板10中，具有栅线121(包括第一栅极124a和第二栅极124b)的栅导体放置在第一基板110上。
栅线121传输栅信号。第一栅极124a从栅线121向上延伸，并且第二栅极124b与栅线121分开，并且包括存储电极127。
栅绝缘层140位于栅导体(121、124a、124b以及127)上。
由氢化非晶硅或多晶硅构成的第一半导体层154a和第二半导体层154b位于栅绝缘层140上。第一半导体层154a和第二半导体层154b分别放置在第一栅电极124a和第二栅电极124b上。
多对欧姆接触件163和165放置在第一半导体层154a和第二半导体层154b上。
包括数据线171、驱动电压线172以及第一漏极175a和第二漏极175b的多个数据导体在欧姆接触件163和165以及栅绝缘层140上形成。
数据线171和驱动电压线172主要在纵向方向上延伸，由此与栅线121相交。数据线171包括多个朝第一栅极124a延伸的第一源极173a，并且驱动电压线172包括朝第二栅极124b延伸的第二源极173b。
第一漏极175a和第二漏极175b彼此分开且还与数据线171和驱动电压线172分开。第一源极173a和第一漏极175a经由第一栅极124a面向彼此，并且第二源极173b和第二漏极175b经由第二栅极124b面向彼此。
半导体层154a和154b包括暴露在源极173a和173b与漏极175a和175b之间的部分。
钝化层180放置在数据导体171、172、173a、173b、175a和175b以及半导体层154a和154b的暴露的部分上。
钝化层180具有分别使第一漏极175a和第二漏极175b暴露的接触孔185a和185b。钝化层180和栅绝缘层140具有贯通其而形成的接触孔184，所述接触孔184使第二栅极124b暴露。
像素电极191和连接部件85放置在钝化层180上。
像素电极191通过接触孔185b物理连接且电连接至第二漏极175b，并且连接部件85通过接触孔184和185a连接至第二栅极124b和第一漏极175a。
隔断361放置在钝化层180上。隔断361像河岸一样围绕像素电极191的边缘，由此限定开口365，并且隔断361由有机绝缘体或无机绝缘体构成。隔断361可由包括黑色颜料的光刻胶构成，并且在这种情况下可起到光阻挡部件的作用，由此简化制造工艺。
有机发光部件470在由像素电极191上的隔断361限定的开口365中形成。根据本示例性实施方式的有机发光二极管显示器的有机发光部件470仅由发射蓝色光的有机材料构成。在根据本示例性实施方式的有机发光二极管显示器的情况中，颜色转换面板30放置在有机发光二极管显示器的上表面上以表现出红色，绿色和蓝色的各颜色，使得可仅包括表现出蓝色光的有机材料。
共用电极270放置在有机发光部件470上。在有机发光二极管显示器中，连接至栅线121的第一栅极124a、连接至数据线171的第一源极173a以及第一漏极175a与第一半导体层154a一起形成开关薄膜晶体管Qs，并且在第一源极173a和第一漏极175a之间的第一半导体层154a中形成开关薄膜晶体管Qs的沟道。连接至第一漏极175a的第二栅极124b、连接至驱动电压线172的第二源极173b以及连接至像素电极191的第二漏极175b与第二半导体层154b一起形成驱动薄膜晶体管Qd，并且在第二源极173b和第二漏极175b之间的第二半导体层154b中形成驱动薄膜晶体管Qd的沟道。像素电极191，有机发光部件470以及共用电极270形成有机发光二极管，并且像素电极191成为阳极，且共用电极270成为阴极。然而，在另一个示例中，像素电极191可成为阴极且共用电极270可成为阳极。存储电极127和驱动电压线172彼此重叠，由此形成存储电容Cst。
在根据本发明的示例性实施方式的颜色转换面板30中，颜色转换面板30的基板310面向第一基板110，并且颜色转换层330R和330G、传输层330B、光阻挡部件320、覆盖层340以及滤光层350设置为放置在第一基板110的面朝基板310的一个表面上。
根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器在发光效率和颜色再现性方面得到改善，由此提供了优异的显示质量。
接下来，将参照图10描述本发明的示例性实施方式和对比例。图10为通过比较随时间变化的光量(例如，发光效率)来比较本发明的示例性实施方式和对比例的退化相对于工作寿命的图表。
参考图10，可确认的是，即使经过了很长时间，根据示例性实施方式的包括颜色转换层上的覆盖层的颜色转换面板基本上维持光量。相比之下，根据对比例当省略了颜色转换层上的单独的覆盖层时，当经过了200h(小时)时，仅发射约50％的初始光量。
而且，如表1中示出的，在本发明的示例性实施方式中，发光效率表征为相比于对比例的约200％，并且参考图10的结果，即使经过了200h，可确认的是相比于开始时维持了约90％的光量。
(表1)
对比例 示例性实施方式
发光效率 100％ 200％
可靠性 50％ 90％
因此，根据本发明的示例性实施方式的颜色转换面板可提供进一步改善的(例如，提高的)发光效率和显示质量。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用来区分一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区、第二层或第二部分。
为了易于描述，在本文中可以使用比如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“下面(under)”、“上方(above)”、“上(upper)”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一个或多个元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描述的方位之外，空间相对术语意在包含在使用或操作中的设备的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将被定向为在其它元件或特征的“上方”。因此，示例术语“下方”和“下面”可以包含上方和下方两种方位。设备可被另外定向(例如，旋转90度或者在其它方位)，并且本文使用的空间相对描述语应该被相应地解释。此外，还将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，它可以是这两个元件之间的唯一元件，或者还可以存在一个或多个中间元件。
本文使用的术语仅为了描述特定实施方式的目的，并不旨在限制发明构思。如本文所使用的，单数形式的“一(a)”和“一(an)”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解的是，当在此说明书中使用时，术语“包括(include)”、“包括(including)”、“包含(comprise)”和/或“包含(comprising)”表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。当放在一列元件之前时，比如“至少一个”的表述修饰的是整列元件，而不是修饰该列中的单个元件。另外，当描述本发明构思的实施方式时，使用“可/可以”指“本发明构思的一个或多个实施方式”。而且，术语“示例性”意指示例或例示。
将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“被连接至”、“被结合至”或“邻接(adjacent)”另一元件或层时，它可以直接在其他元件或层上，被连接至、结合至或邻近其他元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或中间层。当元件或层被称为直接在另一元件或层“上”、“被直接连接至”、“被直接结合至”或“紧密邻接”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。
如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似的术语，而不是作为程度的术语，并且旨在对将会由本领域普通技术人员公认的测量值或计算值中的固有偏差做出解释。
如本文所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“被使用(used)”可以被认为分别与术语“利用”、“利用(utilizing)”和“被利用(utilized)”同义。
根据本文中描述的发明的实施方式的显示装置和/或任何其它相关装置或组件(比如颜色转换面板)可以利用任何适合的硬件、固件(例如专用集成电路)、软件、或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些显示装置的各种组件可以被形成在一个集成电路(IC)芯片上或单独的IC芯片上。另外，显示装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者被形成在同一个基底上。另外，显示装置的各种组件可以是执行计算机程序指令并与用于执行本文中描述的各种功能的其它系统组件交互的一个或多个计算设备中的在一个或多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令被存储在可使用比如例如随机存取存储器(RAM)的标准存储设备在计算设备中实现的存储器中。计算机程序指令还可以被存储在其它非暂时性计算机可读介质中，比如例如CD-ROM、闪存驱动器等。而且，本领域技术人员应认识到，在不脱离发明构思的示例性实施方式的范围的情况下，各种计算设备的功能可以被组合或集成到单个计算设备中，或特定计算设备的功能可以跨一个或多个其它计算设备而分布。
虽然已经关于目前被认为是实际示例性实施方式描述了本发明，要理解的是本发明不限于所公开的实施方式，而旨在涵盖由所附的权利要求书及其等价物限定的本发明的精神和范围内包括的各种适合的变型和等同安排。

Claims (10)

1.一种颜色转换面板，包括：
基板；
在所述基板上的传输层和多个颜色转换层；
在所述多个颜色转换层和所述传输层上的覆盖层；以及
在所述覆盖层上的滤光层。
2.如权利要求1所述的颜色转换面板，其中所述覆盖层包括无机材料，并且其中所述覆盖层包括非氧化性材料。
3.如权利要求2所述的颜色转换面板，其中所述覆盖层包括硅氮化物。
4.如权利要求1所述的颜色转换面板，其中所述覆盖层的厚度小于或等于1μm。
5.如权利要求1所述的颜色转换面板，其中所述覆盖层在低于100℃下形成。
6.一种用于制造颜色转换面板的方法，所述方法包括：
在基板上形成多个颜色转换层；
在所述多个颜色转换层上沉积覆盖层；以及
在所述覆盖层上沉积滤光层，
其中所述覆盖层在低于100℃的温度下沉积。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述覆盖层包括无机材料，并且其中所述滤光层的所述沉积在高温工艺中进行。
8.一种显示装置，包括：
显示面板；以及
在所述显示面板上的颜色转换面板，
其中所述颜色转换面板包括：
基板，
在所述基板面向所述显示面板的一个表面上的传输层和多个颜色转换层，
在所述多个颜色转换层和所述传输层面向所述显示面板的一个表面上的覆盖层，以及
在所述覆盖层和所述显示面板之间的滤光层。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中所述覆盖层包括无机材料，并且其中所述覆盖层包括非氧化性材料。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中所述覆盖层包括硅氮化物，并且其中所述覆盖层的厚度小于或等于1μm。
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