KR102466420B1 - 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102466420B1
KR102466420B1 KR1020170106149A KR20170106149A KR102466420B1 KR 102466420 B1 KR102466420 B1 KR 102466420B1 KR 1020170106149 A KR1020170106149 A KR 1020170106149A KR 20170106149 A KR20170106149 A KR 20170106149A KR 102466420 B1 KR102466420 B1 KR 102466420B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
color conversion
layer
scattering
conversion layer
light
Prior art date
Application number
KR1020170106149A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190021516A (ko
Inventor
장원우
박진호
오원식
박향아
백승인
편승범
하재민
하현지
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170106149A priority Critical patent/KR102466420B1/ko
Priority to US15/901,718 priority patent/US11520184B2/en
Priority to CN201810959230.9A priority patent/CN109426031A/zh
Publication of KR20190021516A publication Critical patent/KR20190021516A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102466420B1 publication Critical patent/KR102466420B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133504—Diffusing, scattering, diffracting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133504—Diffusing, scattering, diffracting elements
    • G02F1/133507—Films for enhancing the luminance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/13356—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements
    • G02F1/133562—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements on the viewer side
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
    • G02F2202/108—Materials and properties semiconductor quantum wells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/36—Micro- or nanomaterials

Abstract

일 실시예에 따른 색변환 표시판은 기판 위에 위치하며 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 색변환층, 그리고 상기 기판 위에 위치하는 투과층을 포함하고, 상기 반도체 나노 결정은 상기 색변환층 전체 함량 대비 30 wt% 초과로 포함되고, 상기 산란체는 상기 색변환층 전체 함량 대비 12 wt% 이하로 포함된다.

Description

색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치{COLOR CONVERSION PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 개시는 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치로 사용되는 액정 표시 장치는 두 개의 전기장 생성 전극과 액정층, 색필터, 그리고 편광층을 포함할 수 있다. 광원에서 발생한 광이 액정층, 색필터, 및 편광층을 통과하여 시청자에게 도달하게 되는데, 편광층과 색필터 등에서 광손실이 발생할 수 있다. 액정 표시 장치뿐만 아니라 유기 발광 표시 장치 등의 표시 장치에서도 광손실이 발생할 수 있다.
편광층 등에서 발생하는 광손실을 줄이고 높은 색재현율을 가지는 표시 장치를 구현하기 위하여 양자점과 같은 반도체 나노 결정을 사용한 색변환 표시판을 포함하는 표시 장치가 제안되고 있다.
실시예들은 출광 효율이 향상된 색변환 표시판 및 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 표시판은 기판 위에 위치하며 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 색변환층, 그리고 상기 기판 위에 위치하는 투과층을 포함하고, 상기 반도체 나노 결정은 상기 색변환층 전체 함량 대비 30 wt% 초과로 포함되고, 상기 산란체는 상기 색변환층 전체 함량 대비 12 wt% 이하로 포함된다.
상기 반도체 나노 결정의 함량은 40 wt% 내지 60 wt%일 수 있다.
상기 색변환층은 적색 색변환층 및 녹색 색변환층을 포함하고, 상기 적색 색변환층 및 상기 녹색 색변환층 중 적어도 하나는, 상기 기판 위에 위치하는 산란층, 그리고 상기 산란층과 중첩하는 메인 색변환층을 포함할 수 있다.
상기 적색 색변환층은 상기 기판 위에 위치하는 제1 산란층 및 제2 산란층, 그리고 상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하는 제1 메인 색변환층을 포함하며, 상기 제1 산란층 및 상기 제2 산란층은 상기 산란체를 포함하고, 상기 제1 메인 색변환층은 상기 산란체 및 제1 반도체 나노 결정을 포함할 수 있다.
상기 녹색 색변환층은 상기 기판 위에 위치하는 제1 산란층 및 제2 산란층, 그리고 상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하는 제2 메인 색변환층을 포함하고, 상기 제1 산란층 및 상기 제2 산란층은 상기 산란체를 포함하고, 상기 제2 메인 색변환층은 상기 산란체 및 제2 반도체 나노 결정을 포함할 수 있다.
상기 산란층의 두께는 1 내지 2μm이고, 상기 메인 색변환층의 두께는 2 내지 4μm일 수 있다.
상기 적색 색변환층은 제1 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제1 메인 색변환층, 상기 제1 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제1 산란층을 포함하고, 상기 녹색 색변환층은 제2 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고 상기 제2 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제2 산란층을 포함할 수 있다.
상기 제1 메인 색변환층과 상기 제1 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 이하이고, 상기 제2 메인 색변환층과 상기 제2 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 이하일 수 있다.
상기 적색 색변환층은 제1 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제1 메인 색변환층, 그리고 상기 제1 메인 색변환층 위에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제1 산란층을 포함하고, 상기 녹색 색변환층은 제2 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고 상기 제2 메인 색변환층 위에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제2 산란층을 포함할 수 있다.
상기 제1 메인 색변환층과 상기 제1 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 이하이고, 상기 제2 메인 색변환층과 상기 제2 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 표시판은 기판 위에 위치하며 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 적색 색변환층 및 녹색 색변환층, 그리고 상기 기판 위에 위치하는 투과층을 포함하고, 상기 적색 색변환층 및 상기 녹색 색변환층 중 적어도 하나는 상기 기판 위에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 산란층, 그리고 상기 산란층과 중첩하며 상기 산란체 및 상기 반도체 나노 결정을 포함하는 메인 색변환층을 포함한다.
상기 반도체 나노 결정은 상기 색변환층 전체 함량 대비 30wt% 초과로 포함되고, 상기 산란체는 상기 색변환층 전체 함량 대비 12 wt% 이하로 포함될 수 있다.
상기 반도체 나노 결정은 상기 색변환층 전체 함량 대비 40 내지 60 wt% 포함될 수 있다.
상기 적색 색변환층은 상기 기판 위에 위치하는 제1 산란층 및 제2 산란층, 그리고 상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하는 제1 메인 색변환층을 포함하고, 상기 녹색 색변환층은 상기 기판 위에 위치하는 상기 제1 산란층 및 상기 제2 산란층, 그리고 상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하는 제2 메인 색변환층을 포함할 수 있다.
상기 제1 산란층 및 상기 제2 산란층 각각의 두께는 1 내지 2μm 이고, 상기 제1 메인 색변환층 및 상기 제2 메인 색변환층 각각의 두께는 2 내지 4μm일 수 있다.
상기 적색 색변환층은 제1 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제1 메인 색변환층, 상기 제1 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제1 산란층을 포함하고, 상기 녹색 색변환층은 제2 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고 상기 제2 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제2 산란층을 포함할 수 있다.
상기 제1 산란층과 상기 제1 메인 색변환층의 두께 비는 2:1 이상이면서 1:2 이하이고, 상기 제2 산란층과 상기 제2 메인 색변환층의 두께 비는 2:1 이상이면서 1:2 이하일 수 있다.
상기 적색 색변환층은 제1 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제1 메인 색변환층, 그리고 상기 제1 메인 색변환층 위에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제1 산란층을 포함하고, 상기 녹색 색변환층은 제2 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고 상기 제2 메인 색변환층 위에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제2 산란층을 포함할 수 있다.
상기 제1 메인 색변환층과 상기 제1 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 미만이고, 상기 제2 메인 색변환층과 상기 제2 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 미만일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판, 상기 박막 트랜지스터 표시판과 중첩하는 색변환 표시판, 그리고 상기 박막 트랜지스터 표시판 및 색변환 표시판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 색변환 표시판은, 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 색변환층, 그리고 상기 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 산란체를 포함하는 투과층을 포함하고, 상기 반도체 나노 결정은 상기 색변환층 전체 함량 대비 40 내지 60wt% 포함되고, 상기 산란체는 상기 색변환층 전체 함량 대비 12wt% 이하로 포함된다.
상기 색변환층은 적색 색변환층 및 녹색 색변환층을 포함하고, 상기 적색 색변환층 및 상기 녹색 색변환층 중 적어도 하나는 상기 기판과 상기 액정층 사이에 위치하는 산란층, 그리고 상기 산란층과 중첩하는 메인 색변환층을 포함할 수 있다.
상기 적색 색변환층은 상기 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제1 산란층 및 제2 산란층, 그리고 상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하며 상기 산란체 및 제1 반도체 나노 결정을 포함하는 제1 메인 색변환층을 포함하고, 상기 녹색 색변환층은 상기 기판과 상기 액정층 사이에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 상기 제1 산란층 및 상기 제2 산란층, 그리고 상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하며 상기 산란체 및 제2 반도체 나노 결정을 포함하는 제2 메인 색변환층을 포함할 수 있다.
상기 적색 색변환층은 제1 반도체 나노 결정을 포함하는 제1 메인 색변환층, 그리고 상기 제1 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하는 제1 산란층을 포함하고, 상기 녹색 색변환층은 제2 반도체 나노 결정을 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고 상기 제2 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하는 제2 산란층을 포함할 수 있다.
상기 제1 산란층과 상기 제1 메인 색변환층의 두께 비는 2:1 이상이면서 1:2 미만이고, 상기 제2 산란층과 상기 제2 메인 색변환층의 두께 비는 2:1 이상이면서 1:2 미만일 수 있다.
상기 적색 색변환층은 제1 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제1 메인 색변환층, 그리고 상기 제1 메인 색변환층과 상기 액정층 사이에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제1 산란층을 포함하고, 상기 녹색 색변환층은 제2 반도체 나노 결정 및 상기 산란체를 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고 상기 제2 메인 색변환층과 상기 액정층 사이에 위치하며 상기 산란체를 포함하는 제2 산란층을 포함할 수 있다.
상기 제1 메인 색변환층과 상기 제1 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 미만이고, 상기 제2 메인 색변환층과 상기 제2 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 미만일 수 있다.
실시예들에 따르면 색변환 표시판 및 표시 장치의 출광 효율이 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 표시판의 단면도이다.
도 2는 도 1의 실시예의 변형 실시예에 따른 색변환 표시판의 단면도이다.
도 3은 도 1의 실시예의 변형 실시예에 따른 색변환 표시판의 단면도이다.
도 4는 도 1의 실시예의 변형 실시예에 따른 색변환 표시판의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 화소를 포함하는 표시 장치에 대한 평면도이다.
도 6은 도 5의 VI-VI선을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 도 6의 실시예의 변형 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 6의 실시예의 변형 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 6의 실시예의 변형 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10은 적색을 방출하는 화소에서 실시예 및 비교예에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다.
도 11은 적색을 방출하는 화소에서 반도체 나노 결정의 함량에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다.
도 12는 적색을 방출하는 화소에서 산란체의 함량에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다.
도 13은 녹색을 방출하는 화소에서 실시예 및 비교예에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다.
도 14는 녹색을 방출하는 화소에서 반도체 나노 결정의 함량에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다.
도 15는 녹색을 방출하는 화소에서 산란체의 함량에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 표시판(30)을 설명한다. 도 1은 일 실시예에 따른 색변환 표시판(30)의 단면도이다.
색변환 표시판(30)은 기판(310) 위에 위치하는 차광 부재(320)를 포함한다. 차광 부재(320)는 후술할 적색 색변환층(330R)과 녹색 색변환층(330G) 사이, 녹색 색변환층(330G)과 투과층(330B) 사이, 투과층(330B)과 적색 색변환층(330R) 사이에 위치할 수 있다. 또한 차광 부재(320)는 인접한 적색 색변환층(330R)과 적색 색변환층(330R) 사이, 인접한 녹색 색변환층(330G)과 녹색 색변환층(330G) 사이, 그리고 인접한 투과층(330B)과 투과층(330B) 사이에도 위치할 수 있다. 차광 부재(320)는 평면 상 격자 또는 직선 형태를 가질 수 있다.
차광 부재(320)는 서로 인접한 화소에서 각각 방출되는 광의 혼색을 방지하고 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 배치되는 영역을 구획할 수 있다. 차광 부재(320)는 광을 차단(반사 또는 흡수)하기 위한 어떠한 재질도 가능할 수 있다.
기판(310) 및 차광 부재(320) 위에 청색광 컷팅 필터(322)가 위치한다. 청색광 컷팅 필터(322)는 적색 색변환층(330R)과 기판(310) 사이 및 녹색 색변환층(330G)과 기판(310) 사이에 위치할 수 있다. 이때, 청색광 컷팅 필터(322)는 적색 및 녹색을 방출하는 영역과 중첩하나 청색을 방출하는 영역과는 중첩하지 않을 수 있다. 한편 도 1은 기판(310) 바로 위에 청색광 컷팅 필터(322)가 위치하는 것으로 도시되어 있으나 이에 제한되지 않고 기판(310)과 청색광 컷팅 필터(322) 사이에 별도의 버퍼층이 위치할 수 있다.
청색광 컷팅 필터(322)는 적색 색변환층(330R)과 중첩하는 제1 영역 및 녹색 색변환층(330G)과 중첩하는 제2 영역을 포함하고, 상기 영역들은 서로 연결될 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고 제1 영역 및 제2 영역이 서로 이격되어 형성될 수도 있다.
청색광 컷팅 필터(322)는 라이트 유닛(미도시)으로부터 공급되는 청색광이 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에서 흡수되지 않고 기판(310)을 통과하여 방출되는 것을 차단(흡수 또는 반사)할 수 있다. 라이트 유닛으로부터 공급되는 청색광은 도 1을 기준으로 색변환 표시판(30) 위에서 색변환 표시판(30)으로 입사되고 색변환층(330R, 330G)을 통과하면서 변환되거나 투과층(330B)을 통과한 후 기판(310)을 통과하여 방출될 수 있다.
라이트 유닛(미도시)으로부터 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에 제3 방향(D3)으로 입사되는 청색광은 반도체 나노 결정(331R, 331G)에 의해 적색 또는 녹색으로 변환되고, 변환되지 않은 일부 청색 광은 그대로 출광될 수 있다. 이때 그대로 출광되는 청색광과 변환되어 출광되는 적색광 또는 녹색광이 혼색되어 각 화소가 제공하는 색재현율이 저하될 수 있다. 청색광 컷팅 필터(322)는 이와 같이 변환되지 않고 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)으로부터 출광되는 청색광을 차단하여 적색광 또는 녹색광과 청색광이 혼색되는 것을 방지할 수 있다.
청색광 컷팅 필터(322)는 전술한 효과를 수행하기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있으며, 일 예로 황색 색필터(Yellow color filter)를 포함할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(322)는 단일층 또는 복수층으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
복수의 색변환층(330R, 330G)은 청색광 컷팅 필터(322) 위에 위치하고 투과층(330B)은 청색광 컷팅 필터(322)의 개재 없이 기판(310) 바로 위에 위치할 수 있다. 도 1에 도시된 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)은 제1 방향(D1)을 따라 반복 배열될 수 있다.
복수의 색변환층(330R, 330G)은 입사되는 광을 입사되는 광과 다른 파장을 가지는 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 복수의 색변환층(330R, 330G)은 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)을 포함할 수 있다. 투과층(330B)에서는 입사되는 광의 변환이 없으며, 입사되는 광을 그대로 방출할 수 있다. 투과층(330B)에는 일 예로 청색광이 입사되고, 청색광이 그대로 방출될 수 있다.
적색 색변환층(330R)은, 입사되는 청색광을 적색광으로 변환하는 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다. 제1 반도체 나노 결정(331R)은 형광체 및 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R)은 적색 색변환층(330R)의 전체 함량 대비 약 30 wt% 초과되게 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 40 내지 60 wt% 함량을 가질 수 있다. 제1 반도체 나노 결정(331R)의 함량이 약 40 wt% 미만인 경우 공급되는 청색광이 적색광으로 변환되는 효율이 낮을 수 있고, 제1 반도체 나노 결정(331R)의 함량이 약 60 wt% 초과인 경우 적색 색변환층(330R)에 포함되는 제1 반도체 나노 결정(331R)의 적정 수준이 초과됨으로써 오히려 변환 효율이 저하될 수 있다.
녹색 색변환층(330G)은 입사되는 청색광을 녹색광으로 변환하는 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다. 제2 반도체 나노 결정(331G)은 형광체 및 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 반도체 나노 결정(331G)은 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 30 wt% 초과되게 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 40 내지 60 wt% 함량을 가질 수 있다. 제2 반도체 나노 결정(331G)의 함량이 약 40 wt% 미만인 경우 공급되는 청색광이 녹색광으로 변환되는 효율이 낮을 수 있고, 제2 반도체 나노 결정(331G)의 함량이 약 60 wt% 초과인 경우 녹색 색변환층(330G)에 포함되는 제2 반도체 나노 결정(331G)의 적정 수준이 초과됨으로써 오히려 변환 효율이 저하될 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R) 및 제2 반도체 나노 결정(331G)에 포함되는 양자점(Quantum Dot)은 서로 독립적으로 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, GaAlNP, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R)이 적색 형광체를 포함하는 경우, 적색 형광체는 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, CaAlSiN3, CaMoO4, 및 Eu2Si5N8을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 반도체 나노 결정(331G)이 녹색 형광체를 포함하는 경우, 녹색 형광체는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, 바리움마그네슘알루미네이트(BAM), 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON 및 (Sr1 - xBax)Si2O2N2을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 x는 0 내지 1 사이의 임의의 수일 수 있다.
투과층(330B)은 입사되는 소광의 광을 통과시킬 수 있다. 투과층(330B)은 청색광을 투과시키는 수지(resin)를 포함할 수 있다. 청색을 방출하는 영역에 위치하는 투과층(330B)은 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않고 입사된 청색을 그대로 통과시킨다.
도시하지 않았으나 투과층(330B)은 염료 및 안료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 염료 또는 안료를 포함하는 투과층(330B)은 외광 반사를 감소시키고 색순도가 향상된 청색광을 제공할 수 있다.
적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B) 중 적어도 하나는 산란체(335R, 335G, 335B)를 더 포함할 수 있다. 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 포함하는 각각의 산란체(335R, 335G, 335B)의 함량은 상이할 수 있다.
일 실시예에 따라 적색 색변환층(330R)에 포함되는 산란체(335R)는 적색 색변환층(330R)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335R)가 포함되는 함량이 전체 함량 대비 약 12 wt% 초과일 경우 색변환 없이 산란되어 방출되는 청색광의 광량이 증가할 수 있다. 이에 따르면 제1 반도체 나노 결정(331R)에 의한 광 변환 효율이 낮아지므로 출광 효율 및 색 재현성이 낮아질 수 있다.
이와 유사하게, 녹색 색변환층(330G)에 포함되는 산란체(335G)는 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335G)가 포함되는 함량이 전체 함량 대비 약 12 wt% 초과일 경우에도 색변환 없이 산란되어 방출되는 청색광의 광량이 증가할 수 있다. 이에 따르면 제2 반도체 나노 결정(331G)에 의한 광 변환 효율이 낮아지므로 출광 효율 및 색 재현성이 낮아질 수 있다.
투과층(330B)에 포함된 산란체(335B)는 투과층(330B)에 입사되는 광을 산란시켜 투과층(330B)에서 통과하여 나가는 광량을 증가시키거나 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 만들 수 있다.
산란체(335R, 335G, 335B)는 입사되는 광을 고르게 산란시키기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있다. 산란체(335R, 335G, 335B)는 일 예로 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)은 일 예로 감광성 수지를 포함할 수 있으며 포토리소그래피 공정을 통해 제조될 수 있다. 또는 프린팅 공정이나 잉크젯 공정을 통해 제조될 수 있으며 이러한 공정에 의할 경우, 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)은 감광성 수지가 아닌 다른 물질을 포함할 수 있다. 본 명세서는 포토리소그래피 공정, 프린팅 공정 또는 잉크젯 공정에 의해 제조되는 색변환층 및 투과층에 대해 설명하였으나 이에 제한되지 않는다.
광필터층(340)은 복수의 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B) 위에 위치할 수 있다.
광필터층(340)은 특정 파장의 광을 투과시키고 상기 특정 파장의 광 이외의 광은 반사 또는 흡수하는 필터일 수 있다. 광필터층(340)은 고굴절률을 가지는 막과 저굴절률을 가지는 막이 약 10 내지 20층을 형성하도록 교번하여 적층된 구조를 포함할 수 있다. 즉, 광필터층(340)은 굴절률이 서로 다른 복수의 층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 고굴절률을 가지는 막과 저굴절률을 가지는 막 사이의 보강 및/또는 상쇄 간섭을 이용하여 전술한 바와 같이 특정 파장을 투과 및/또는 반사시킬 수 있다.
광필터층(340)은 TiO2, SiNx, SiOy, TiN, AlN, Al2O3, SnO2, WO3, ZrO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 일 예로 SiNx와 SiOy가 교번하여 적층된 구조일 수 있다. SiNx, SiOy에서 x, y는 화학조성비를 결정하는 요소로서, 막을 형성하는 공정 조건에 따라 조절될 수 있다.
본 명세서는 도시하지 않았으나 광필터층(340)과 적색 색변환층(330R) 사이, 광필터층(340)과 녹색 색변환층(330G) 사이 및 광필터층(340)과 투과층(330B) 사이에 위치하는 캡핑층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 캡핑층은 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)을 형성하고 난 이후의 고온 공정들에서 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G)이 포함하는 반도체 나노 결정(331R, 331G)의 손상 및 소광을 방지할 수 있다. 캡핑층이 광필터층(340)과 동일한 재질로 형성되는 경우 캡핑층은 생략될 수 있다.
전술한 색변환 표시판(30)은 소정의 함량을 가지는 반도체 나노 결정(331R, 331G) 및 산란체(335R, 335G)를 포함함으로써 색변환층(330R, 330G)으로 공급되는 광을 효과적으로 변환하고 방출할 수 있다. 따라서 사용자 방향으로 방출되는 광량이 증가하여 색재현성을 증가시키며 공급되는 청색광을 효율적으로 이용할 수 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 도 1의 실시예를 변형한 색변환 표시판의 다양한 실시예들에 대해 설명한다. 도 2, 도 3 및 도 4 각각은 도 1의 실시예의 변형 실시예에 따른 색변환 표시판의 단면도이며, 전술한 구성요소와 동일 유사한 구성요소에 대한 자세한 설명은 생략할 수 있다.
도 2를 참조하면, 색변환 표시판(30)은 기판(310) 위에 위치하는 차광 부재(320), 청색광 컷팅 필터(322), 복수의 색변환층(330R, 330G), 투과층(330B) 및 광필터층(340)을 포함할 수 있다.
적색 색변환층(330R)은 기판(310) 기준에서 제3 방향(D3)을 따라 순서대로 적층된 제1 산란층(330R-a), 제1 메인 색변환층(330R-b) 및 제2 산란층(330R-c)을 포함할 수 있다. 제1 산란층(330R-a) 및 제2 산란층(330R-c)은 산란체(335R)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제1 메인 색변환층(330R-b)은 산란체(335R)와 함께 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다.
입사된 청색광을 적색광으로 변환하여 방출하는 제1 메인 색변환층(330R-b)은 제1 산란층(330R-a)과 제2 산란층(330R-c) 사이에 위치한다. 제2 산란층(330R-c)은 제1 산란층(330R-a)으로 입사되는 청색 광을 산란시켜 보다 많은 광량이 제1 메인 색변환층(330R-b)에 공급되도록 한다. 제1 산란층(330R-a)은 제1 메인 색변환층(330R-b)에서 적색으로 변환되어 출광되는 광을 산란시켜 시인성을 향상시키거나, 제1 메인 색변환층(330R-b)에서 변환되지 않고 그대로 출광되는 청색광을 다시 제1 메인 색변환층(330R-b) 방향으로 산란시켜 방출되는 광 효율을 증가시킬 수 있다.
적색 색변환층(330R)에 포함되는 산란체(335R)는 적색 색변환층(330R)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 즉, 제1 산란층(330R-a), 제2 산란층(330R-c) 및 제1 메인 색변환층(330R-b)에 포함되는 산란체(335R)의 총 함량은 적색 색변환층(330R) 전체 함량의 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335R)의 함량이 전체 함량 대비 약 12 wt% 초과일 경우 색변환 없이 산란되어 방출되는 청색광의 광량이 증가할 수 있다. 이에 따르면 제1 반도체 나노 결정(331R)에 의한 광 변환 효율이 낮아지므로 출광 효율 및 색 재현성이 낮아질 수 있다.
제1 메인 색변환층(330R-b)에 포함되는 제1 반도체 나노 결정(331R)은 적색 색변환층(330R)의 전체 함량 대비 약 30wt 초과일 수 있으며, 바람직하게는 약 40 내지 60 wt% 함량으로 포함할 수 있다. 제1 반도체 나노 결정(331R)의 함량이 약 40 wt% 미만인 경우 공급되는 청색광이 적색광으로 변환되는 효율이 낮을 수 있고, 제1 반도체 나노 결정(331R)의 함량이 약 60 wt% 초과인 경우 적색 색변환층(330R)에 포함되는 제1 반도체 나노 결정(331R)의 적정 수준이 초과됨으로써 오히려 변환 효율이 저하될 수 있다.
이와 동일하게, 녹색 색변환층(330G)은 제1 산란층(330G-a), 제2 메인 색변환층(330G-b) 및 제2 산란층(330G-c)을 포함할 수 있다. 제1 산란층(330G-a) 및 제2 산란층(330G-c)은 산란체(335G)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제2 메인 색변환층(330G-b)은 산란체(335G)와 함께 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다.
입사된 청색광을 녹색광으로 변환하여 방출하는 제2 메인 색변환층(330G-b)은 제1 산란층(330G-a)과 제2 산란층(330G-c) 사이에 위치한다. 제2 산란층(330G-c)은 제2 산란층(330G-c)으로 입사되는 광을 산란시켜 보다 많은 청색광이 제2 메인 색변환층(330G-b)에 공급되도록 한다. 제1 산란층(330G-a)은 제2 메인 색변환층(330G-b)에서 녹색으로 변환되어 출광되는 녹색 광을 산란시켜 시인성을 향상시키거나, 제2 메인 색변환층(330G-b)에서 변환되지 않고 그대로 출광되는 청색광을 다시 제2 메인 색변환층(330G-b) 방향으로 산란시켜 방출되는 광 효율을 증가시킬 수 있다.
녹색 색변환층(330G)에 포함되는 산란체(335R)는 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 즉, 제1 산란층(330G-a), 제2 산란층(330G-c) 및 제2 메인 색변환층(330G-b)에 포함되는 산란체(335G)의 총 함량은 녹색 색변환층(330G) 전체 함량의 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335G)의 함량이 전체 함량 대비 약 12 wt% 초과일 경우 색변환 없이 산란되어 방출되는 청색광의 광량이 증가할 수 있다. 이에 따르면 제2 반도체 나노 결정(331G)에 의한 광 변환 효율이 낮아지므로 출광 효율 및 색 재현성이 낮아질 수 있다.
제2 메인 색변환층(330G-b)에 포함되는 제2 반도체 나노 결정(331G)은 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 30 wt% 초과로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 40 내지 60 wt% 함량으로 포함할 수 있다. 제2 반도체 나노 결정(331G)의 함량이 약 40 wt% 미만인 경우 공급되는 청색광이 녹색광으로 변환되는 효율이 낮을 수 있고, 제2 반도체 나노 결정(331G)의 함량이 약 60 wt% 초과인 경우 녹색 색변환층(330G)에 포함되는 제2 반도체 나노 결정(331G)의 적정 수준이 초과됨으로써 오히려 변환 효율이 저하될 수 있다.
제1 산란층(330R-a, 330G-a) 및 제2 산란층(330R-c, 330G-c) 각각의 두께(ta, tc)는 약 1 내지 2μm 일 수 있다. 또한 제1 메인 색변환층(330R-b) 및 제2 메인 색변환층(330G-b)의 두께(tb)는 약 2 내지 4 μm일 수 있다. 전술한 두께 보다 얇게 형성되는 경우, 각 층에 포함되는 산란체(335R, 335G) 및 반도체 나노 결정(331R, 331G)의 함량이 극히 미미하여 광을 산란시키거나 광을 변환시키는 것이 어려울 수 있다. 또한 산란층이 2 μm 보다 두껍게 형성되거나 메인 색변환층이 4 μm 보다 두껍게 형성되는 경우 광 산란 효과는 우수할 수 있으나 산란층 두께 대비 반도체 나노 결정을 포함하는 층의 두께가 얇게 되므로 광 변환 효율이 저하되고 변환되어 사용자 방향으로 방출되는 광량이 감소할 수 있다.
이상에서 설명한 내용 외에 도 1에서 설명한 내용은 본 실시예에 적용 가능하다.
다음으로 도 3을 참조하면, 색변환 표시판(30)은 기판(310) 위에 위치하는 차광 부재(320), 청색광 컷팅 필터(322), 복수의 색변환층(330R, 330G), 투과층(330B) 및 광필터층(340)을 포함할 수 있다.
적색 색변환층(330R)은 제3 방향(D3)을 따라 적층된 제1 산란층(330R-a) 및 제1 메인 색변환층(330R-b)을 포함할 수 있다. 제1 산란층(330R-a)은 산란체(335R)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제1 메인 색변환층(330R-b)은 산란체(335R)와 함께 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다.
제1 산란층(330R-a)은 제1 메인 색변환층(330R-b)에서 적색으로 변환되어 출광되는 광을 산란시켜 시인성을 향상시키거나, 제1 메인 색변환층(330R-b)에서 변환되지 않고 그대로 출광되는 청색광을 다시 제1 메인 색변환층(330R-b) 방향으로 산란시켜 방출되는 광 효율을 증가시킬 수 있다.
적색 색변환층(330R)에 포함되는 산란체(335R)는 적색 색변환층(330R)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 즉, 제1 산란층(330R-a) 및 제1 메인 색변환층(330R-b)에 포함되는 산란체(335R)의 총 함량은 적색 색변환층(330R) 전체 함량의 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335R)의 함량이 전체 함량 대비 약 12 wt% 초과일 경우 색변환 없이 산란되어 방출되는 청색광의 광량이 증가할 수 있다. 이에 따르면 제1 반도체 나노 결정(331R)에 의한 광 변환 효율이 낮아지므로 출광 효율 및 색 재현성이 낮아질 수 있다.
제1 메인 색변환층(330R-b)에 포함되는 제1 반도체 나노 결정(331R)은 적색 색변환층(330R)의 전체 함량 대비 약 30 wt% 초과일 수 있으며, 바람직하게는 약 40 내지 60 wt% 함량으로 포함할 수 있다. 제1 반도체 나노 결정(331R)의 함량이 약 40 wt% 미만인 경우 공급되는 청색광이 적색광으로 변환되는 효율이 낮을 수 있고, 제1 반도체 나노 결정(331R)의 함량이 약 60 wt% 초과인 경우 적색 색변환층(330R)에 포함되는 제1 반도체 나노 결정(331R)의 적정 수준이 초과됨으로써 오히려 변환 효율이 저하될 수 있다.
이와 동일하게, 녹색 색변환층(330G)은 제2 산란층(330G-a) 및 제2 메인 색변환층(330G-b)을 포함할 수 있다. 제2 산란층(330G-a)은 산란체(335G)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제2 메인 색변환층(330G-b)은 산란체(335G)와 함께 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다.
녹색 색변환층(330G)에 포함되는 제2 산란층(330G-a)은 제2 메인 색변환층(330G-b)에서 녹색으로 변환되어 출광되는 광을 산란시켜 시인성을 향상시키거나, 제2 메인 색변환층(330G-b)에서 변환되지 않고 그대로 출광되는 청색광을 다시 제2 메인 색변환층(330G-b) 방향으로 산란시켜 방출되는 광 효율을 증가시킬 수 있다.
녹색 색변환층(330G)에 포함되는 산란체(335R)는 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 즉, 제2 산란층(330G-a) 및 제2 메인 색변환층(330G-b)에 포함되는 산란체(335R)의 총 함량은 녹색 색변환층(330G) 전체 함량의 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335R)의 함량이 전체 함량 대비 약 12 wt% 초과일 경우 색변환 없이 산란되어 방출되는 청색광의 광량이 증가할 수 있다. 이에 따르면 제2 반도체 나노 결정(331G)에 의한 광 변환 효율이 낮아지므로 출광 효율 및 색 재현성이 낮아질 수 있다.
제2 메인 색변환층(330G-b)에 포함되는 제2 반도체 나노 결정(331G)은 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 30 wt% 초과로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 40 내지 60 wt% 함량으로 포함될 수 있다. 제2 반도체 나노 결정(331G)의 함량이 약 40 wt% 이하인 경우 공급되는 청색광이 녹색광으로 변환되는 효율이 낮을 수 있고, 제2 반도체 나노 결정(331G)의 함량이 약 60 wt% 초과인 경우 녹색 색변환층(330G)에 포함되는 제2 반도체 나노 결정(331G)의 적정 수준이 초과됨으로써 오히려 변환 효율이 저하될 수 있다.
적색 색변환층(330R)의 제1 메인 색변환층(330R-b)의 두께(tb)와 제1 산란층(330R-a)의 두께(ta)의 비율은 약 1:2 이상이면서 약 2:1 이하이고, 일 예로 약 1:1일 수 있다. 이와 동일하게, 제2 메인 색변환층(330G-b)의 두께(tb)와 제2 산란층(330G-a)의 두께(ta)의 비율은 약 1:2 이상이면서 약 2:1 이하일 수 있으며, 일 예로 약 1:1일 수 있다. 이러한 비율을 만족하는 범위에서 제1 산란층(330R-a), 제1 메인 색변환층(330R-b), 제2 산란층(330G-a) 및 제2 메인 색변환층(330G-b) 각각은 약 2 내지 4 μm의 두께를 가질 수 있다. 상기 두께 보다 얇게 형성되거나 전술한 비율보다 작게 형성되는 경우, 각 층에 포함되는 산란체 및 반도체 나노 결정의 함량이 극히 적어 광을 산란시키거나 광을 변환시키는 효율이 미미할 수 있다. 또한 상기 두께보다 두껍게 형성되거나 전술한 비율보다 크게 형성되는 경우 광 산란 효과는 우수할 수 있으나 산란층 두께 대비 반도체 나노 결정을 포함하는 층의 두께가 얇아 광 변환 효율이 저하되고 변환되어 사용자 방향으로 방출되는 광량이 감소할 수 있다.
이상에서 설명한 내용 외에 도 1에서 설명한 내용은 본 실시예에 적용 가능하다.
도 4를 참조하면, 색변환 표시판(30)은 기판(310) 위에 위치하는 차광 부재(320), 청색광 컷팅 필터(322), 복수의 색변환층(330R, 330G), 투과층(330B) 및 광필터층(340)을 포함할 수 있다.
적색 색변환층(330R)은 제1 메인 색변환층(330R-b) 및 제1 산란층(330R-c)을 포함할 수 있다. 제1 산란층(330R-c)은 산란체(335R)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제1 메인 색변환층(330R-b)은 산란체(335R)와 함께 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다.
제1 산란층(330R-c)은 제1 산란층(330R-c)으로 입사되는 청색 광을 산란시켜 보다 많은 광량이 제1 메인 색변환층(330R-b)에 공급되도록 한다.
적색 색변환층(330R)에 포함되는 산란체(335R)는 적색 색변환층(330R)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 즉, 제1 산란층(330R-c) 및 제1 메인 색변환층(330R-b)에 포함되는 산란체(335R)의 총 함량은 적색 색변환층(330R) 전체 함량의 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335R)의 함량이 전체 함량 대비 약 12 wt% 초과일 경우 입사되는 변환없이 산란되어 방출되는 광량이 증가할 수 있다. 이에 따르면 제1 반도체 나노 결정(331R)에 의한 광 변환 효율이 낮아지므로 출광 효율 및 색 재현성이 낮아질 수 있다.
이와 동일하게, 녹색 색변환층(330G)은 제2 메인 색변환층(330G-b) 및 제2 산란층(330G-c)을 포함할 수 있다. 제2 산란층(330G-c)은 산란체(335G)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제2 메인 색변환층(330G-b)은 산란체(335G)와 함께 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다.
제2 산란층(330G-c)은 제2 산란층(330G-c)으로 입사되는 청색 광을 산란시켜 보다 많은 광량이 제2 메인 색변환층(330G-b)에 공급되도록 한다.
녹색 색변환층(330G)에 포함되는 산란체(335G)는 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 즉, 제2 산란층(330G-c) 및 제2 메인 색변환층(330G-b)에 포함되는 산란체(335G)의 총 함량은 녹색 색변환층(330G) 전체 함량의 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335G)의 함량이 전체 함량 대비 약 12 wt% 초과일 경우 색변환 없이 산란되어 방출되는 광량이 증가할 수 있다. 이에 따르면 제2 반도체 나노 결정(331G)에 의한 광 변환 효율이 낮아지므로 출광 효율 및 색 재현성이 낮아질 수 있다.
제1 메인 색변환층(330R-b)의 두께(tb)와 제1 산란층(330R-c)의 두께(tc)의 비율은 약 1:2 이상이고 약 2:1 이하일 수 있으며, 일 예로 약 1:1일 수 있다. 이와 동일하게, 제2 메인 색변환층(330G-b)의 두께(tb)와 제2 산란층(330G-c)의 두께(tc)의 비율은 약 1:2 이상이고 약 2:1 이하일 수 있으며, 일 예로 약 1:1일 수 있다. 이러한 비를 만족하는 범위에서 제1 메인 색변환층(330R-b), 제1 산란층(330R-c), 제2 메인 색변환층(330G-b) 및 제2 산란층(330G-c) 각각은 약 2 내지 4 μm의 두께를 가질 수 있다. 상기 두께 보다 얇게 형성되거나 전술한 비율보다 작게 형성되는 경우, 각 층에 포함되는 산란체 및 반도체 나노 결정의 함량이 극히 적어 광을 산란시키거나 광을 변환시키는 효율이 미미할 수 있다. 또한 상기 두께보다 두껍게 형성되거나 전술한 비율보다 크게 형성되는 경우 광 산란 효과는 우수할 수 있으나 산란층 두께 대비 반도체 나노 결정을 포함하는 층의 두께가 얇으므로 광 변환 효율이 저하되고 변환되어 사용자 방향으로 방출되는 광량이 감소할 수 있다.
이상에서 설명한 내용 외에 도 1에서 설명한 내용은 본 실시예에 적용 가능하다.
이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 5는 일 실시예에 따른 복수의 화소에 대한 평면도이고, 도 6은 도 5의 VI-VI선을 따라 자른 단면도이다. 전술한 색변환 표시판과 동일 유사한 구성요소에 대한 설명은 생략할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 유닛(500), 박막트랜지스터 표시판(100), 박막트랜지스터 표시판(100)과 이격되어 마주하는 색변환 표시판(30) 및 박막트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(30) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다.
라이트 유닛(500)은 박막트랜지스터 표시판(100)의 배면에 위치하며 광을 발생하는 광원 및 상기 광을 수신하고 수신된 광을 박막트랜지스터 표시판(100) 및 색변환 표시판(30)을 향해 가이드하는 도광판(미도시)을 포함할 수 있다.
라이트 유닛(500)은 청색을 방출하는 어떠한 광원도 포함할 수 있으며 일 예로 발광 다이오드(light emitting diode)를 포함할 수 있다. 광원은 도광판(미도시)의 적어도 하나의 측면에 배치되는 에지형(edge type)이거나 도광판(미도시)의 직하부에 위치하는 직하형일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 앞에서 설명한 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500) 대신에 화이트 광원이나 자외선 광원을 포함하는 라이트 유닛(500)으로 변형하여 사용할 수도 있다. 다만, 이하에서는 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500)을 사용한 표시 장치에 대해 설명하기로 한다.
박막트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110)과 라이트 유닛(500) 사이에 위치하는 제1 편광층(12)을 포함한다. 제1 편광층(12)은 라이트 유닛(500)에서 입사되는 광을 편광시킨다.
제1 편광층(12)은 도포형 편광층, 코팅형 편광층, 및 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer) 중 적어도 하나일 수 있다. 제1 편광층(12)은 필름 형태, 도포 형태, 프린팅 형태 등 다양한 방법으로 제1 기판(110)의 일면에 형성될 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
제1 기판(110)에는 복수의 화소가 행렬로 배치된다.
박막트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110)과 액정층(3) 사이에서 제1 방향(D1)으로 연장되며 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트선(121)과 액정층(3) 사이에 위치하는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140)과 액정층(3) 사이에 위치하는 반도체층(154), 반도체층(154)과 액정층(3) 사이에 위치하며 제2 방향(D2)으로 연장되는 데이터선(171), 데이터선(171)에 연결된 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격된 드레인 전극(175), 그리고 데이터선(171)과 액정층(3) 사이에 위치하는 보호막(180)을 포함할 수 있다.
반도체층(154)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)으로 덮이지 않은 부분에서 채널층을 형성하며, 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막트랜지스터를 이룬다.
보호막(180) 위에 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 보호막(180)이 가지는 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 전극(191)과 액정층(3) 사이에 제1 배향막(11)이 위치할 수 있다.
색변환 표시판(30)은 박막트랜지스터 표시판(100)과 중첩하는 제2 기판(310), 그리고 제2 기판(310)과 액정층(3) 사이에 위치하는 차광 부재(320)를 포함한다. 또한 제2 기판(310)과 색변환층(330R, 330G) 사이에 청색광 컷팅 필터(322)가 위치한다.
청색광 컷팅 필터(322)는 라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 청색광을 차단 또는 흡수할 수 있다. 라이트 유닛(500)으로부터 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에 입사되는 청색광은 반도체 나노 결정(331R, 331G)에 의해 적색 또는 녹색으로 변환되는데, 이때 일부 청색 광이 변환되지 않고 출광될 수 있으며, 이러한 청색광과 적색광 또는 녹색광은 혼색되어 색재현율이 저하될 수 있다.
적색 색변환층(330R)과 녹색 색변환층(330G)은 청색광 컷팅 필터(322)와 액정층(3) 사이에 위치하고 투과층(330B)은 제2 기판(310)과 액정층(3) 사이에 위치할 수 있다. 투과층(330B)은 색변환 없이 입사되는 광을 방출할 수 있으며 일 예로 청색광이 입사되어 청색광을 방출할 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R)은 적색 색변환층(330R)의 전체 함량 대비 약 30 wt% 초과로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 약 40 내지 60 wt% 함량으로 포함될 수 있다. 제2 반도체 나노 결정(331G) 역시 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 30wt% 초과로 포함될 수 있으며 약 40 내지 60 wt% 함량으로 포함될 수 있다. 제1 및 제2 반도체 나노 결정(331R, 331G)의 함량이 약 40 wt% 이하인 경우 공급되는 청색광이 적색광 또는 녹색광으로 변환되는 효율이 낮을 수 있고, 제1 및 제2 반도체 나노 결정(331R, 331G)의 함량이 약 60 wt% 초과인 경우 적색 및 녹색 색변환층(330R, 330G)에 포함되는 제1 및 제2 반도체 나노 결정(331R, 331G)의 적정 수준이 초과됨으로써 오히려 변환 효율이 저하될 수 있다.
적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B) 중 적어도 하나는 산란체(335R, 335G, 335B)를 더 포함할 수 있다. 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 포함하는 각각의 산란체의 함량은 상이할 수 있다.
일 실시예에 따라 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에 포함되는 산란체(335R, 335G)는 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335R, 335G)가 포함되는 함량이 약 12 wt% 초과일 경우 반도체 나노 결정(331R, 331G)에 의해 변환되는 광량이 감소하고 변환없이 산란되어 방출되는 광량이 증가할 수 있다.
광필터층(340)은 복수의 색변환층(330R, 330G)과 액정층(3) 사이에 위치하고 투과층(330B)과 액정층(3) 사이에 위치할 수 있다. 광필터층(340)은 제2 기판(310) 전면과 중첩하는 형태일 수 있으며, 실시예에 따라 광필터층(340)은 생략될 수 있다.
광필터층(340)과 액정층(3) 사이에 오버코팅막(350)이 위치한다. 오버코팅막(350)은 제2 기판(310) 전면과 중첩할 수 있다.
오버코팅막(350)은 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)의 일면을 평탄화시킬 수 있다. 오버코팅막(350)은 유기 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 평탄화 기능을 할 수 있는 어떠한 물질도 가능하다.
오버코팅막(350)과 액정층(3) 사이에 제2 편광층(22)이 위치할 수 있다. 제2 편광층(22)은 도포형 편광층, 코팅형 편광층, 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer) 중 하나 이상이 사용될 수 있으며, 일 예로 제2 편광층(22)은 금속 패턴을 포함하는 와이어 그리드 편광층일 수 있다. 제2 편광층(22)은 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태, 프린팅 형태 등 다양한 방법으로 오버코팅막(350)과 액정층(3) 사이에 위치할 수 있다. 제2 편광층(22)이 와이어 그리드 편광층인 경우, 제2 편광층(22)의 수 나노미터의 폭을 가지는 복수의 바(bar)를 포함할 수 있다.
다음, 제2 편광층(22)과 액정층(3) 사이에 절연막(362), 공통 전극(370) 및 제2 배향막(21)이 차례로 위치한다.
절연막(362)은 금속 재질의 제2 편광층(22)과 공통 전극(370)을 절연시키는 층으로, 제2 편광층(22)이 금속 재질이 아닌 경우 생략될 수 있다. 공통 전압을 인가받는 공통 전극(370)은 전술한 화소 전극(191)과 전계를 형성할 수 있다.
액정층(3)은 박막트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(30) 사이에 위치하며 복수의 액정 분자(31)를 포함한다. 액정 분자(31)들의 움직임 정도 등에 따라 라이트 유닛(500)으로부터 수신된 광의 투과도를 제어할 수 있다.
이하에서는 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 7, 8 및 도 9는 다른 실시예에 따라 도 5의 VI-VI선을 따라 자른 단면도이다. 전술한 구성요소와 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 2, 도 5 및 도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 유닛(500), 박막트랜지스터 표시판(100), 박막트랜지스터 표시판(100)과 이격되어 마주하는 색변환 표시판(30) 및 박막트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(30) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다. 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 액정층(3)은 전술한 바와 동일하므로 이하에서는 자세한 설명을 생략한다.
색변환 표시판(30)은 박막트랜지스터 표시판(100)과 중첩하는 제2 기판(310), 그리고 제2 기판(310)과 액정층(3) 사이에 위치하는 차광 부재(320)를 포함한다. 제2 기판(310)과 색변환층(330R, 330G) 사이에 청색광 컷팅 필터(322)가 위치한다. 청색광 컷팅 필터(322)는 적색 및 녹색을 방출하는 영역과 중첩하도록 위치하고 청색을 방출하는 영역에는 위치하지 않는다.
적색 색변환층(330R)은 제1 산란층(330R-a), 제1 메인 색변환층(330R-b) 및 제2 산란층(330R-c)을 포함할 수 있다. 제1 산란층(330R-a) 및 제2 산란층(330R-c)은 산란체(335R)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제1 메인 색변환층(330R-b)은 산란체(335R)와 함께 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다.
입사된 청색광을 적색광으로 변환하여 방출하는 제1 메인 색변환층(330R-b)은 제1 산란층(330R-a)과 제2 산란층(330R-b) 사이에 위치한다. 제2 산란층(330R-c)은 제2 산란층(330R-c)으로 입사되는 청색 광을 산란시켜 보다 많은 광량이 제1 메인 색변환층(330R-b)에 공급되도록 한다. 제1 산란층(330R-a)은 제1 메인 색변환층(330R-b)에서 적색으로 변환되어 출광되는 광을 산란시켜 시인성을 향상시키거나, 제1 메인 색변환층(330R-b)에서 변환되지 않고 그대로 출광되는 청색광을 다시 제1 메인 색변환층(330R-b) 방향으로 산란시켜 방출되는 광 효율을 증가시킬 수 있다.
이와 동일하게, 녹색 색변환층(330G)은 제1 산란층(330G-a), 제2 메인 색변환층(330G-b) 및 제2 산란층(330G-c)을 포함할 수 있다. 제1 산란층(330G-a) 및 제2 산란층(330G-c)은 산란체(335G)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제2 메인 색변환층(330G-b)은 산란체(335G)와 함께 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다.
입사된 청색광을 녹색광으로 변환하여 방출하는 제2 메인 색변환층(330G-b)은 제1 산란층(330G-a)과 제2 산란층(330G-b) 사이에 위치한다. 제2 산란층(330G-c)은 제2 산란층(330G-c)으로 입사되는 광을 산란시켜 보다 많은 청색광이 제2 메인 색변환층(330G-b)에 공급되도록 한다. 제1 산란층(330G-a)은 제2 메인 색변환층(330G-b)에서 녹색으로 변환되어 출광되는 녹색 광을 산란시켜 시인성을 향상시키거나, 제2 메인 색변환층(330G-b)에서 변환되지 않고 그대로 출광되는 청색광을 다시 제2 메인 색변환층(330G-b) 방향으로 산란시켜 방출되는 광 효율을 증가시킬 수 있다.
제1 산란층(330R-a, 330G-a) 및 제2 산란층(330R-c, 330G-b) 각각의 두께(ta, tc)는 약 1 내지 2μm 일 수 있다. 또한 제1 메인 색변환층(330R-b) 및 제2 메인 색변환층(330G-b)의 두께(tb)는 약 2 내지 4 μm일 수 있다. 상기 두께 보다 얇게 형성되는 경우, 각 층에 포함되는 산란체(335R, 335G) 및 반도체 나노 결정(331R, 331G)의 함량이 극히 미미하여 광을 산란시키거나 광을 변환시키는 것이 어려울 수 있다. 또한 전술한 두께보다 두껍게 형성되는 경우 광 산란 효과는 우수할 수 있으나 산란층 두께 대비 반도체 나노 결정을 포함하는 층의 두께가 얇아 광 변환 효율이 저하되고 변환되어 사용자 방향으로 방출되는 광량이 감소할 수 있다.
광필터층(340)은 복수의 색변환층(330R, 330G)과 액정층(3) 사이, 그리고 투과층(330B)과 액정층(3) 사이에 위치할 수 있으며, 광필터층(340)과 액정층(3) 사이에 오버코팅막(350)이 위치한다. 오버코팅막(350)과 액정층(3) 사이에 제2 편광층(22), 절연막(362), 공통 전극(370) 및 제2 배향막(21)이 차례로 위치할 수 있다.
이하에서는 도 5 및 도 8을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 유닛(500), 박막트랜지스터 표시판(100), 박막트랜지스터 표시판(100)과 이격되어 마주하는 색변환 표시판(30) 및 박막트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(30) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다. 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 액정층(3)은 전술한 바와 동일하므로 이하에서는 자세한 설명을 생략한다.
색변환 표시판(30)은 박막트랜지스터 표시판(100)과 중첩하는 제2 기판(310), 그리고 제2 기판(310)과 액정층(3) 사이에 위치하는 차광 부재(320)를 포함한다. 제2 기판(310)과 색변환층(330R, 330G) 사이에 청색광 컷팅 필터(322)가 위치한다. 적색 색변환층(330R)과 녹색 색변환층(330G)은 청색광 컷팅 필터(322)와 액정층(3) 사이에 위치하고 투과층(330B)은 제2 기판(310)과 액정층(3) 사이에 위치할 수 있다.
적색 색변환층(330R)은 제1 산란층(330R-a) 및 제1 메인 색변환층(330R-b)을 포함할 수 있다. 제1 산란층(330R-a)은 산란체(335R)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제1 메인 색변환층(330R-b)은 산란체(335R)와 함께 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다.
이와 동일하게, 녹색 색변환층(330G)은 제2 산란층(330G-a) 및 제2 메인 색변환층(330G-b)을 포함할 수 있다. 제2 산란층(330G-a)은 산란체(335G)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제2 메인 색변환층(330G-b)은 산란체(335G)와 함께 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다.
제1 메인 색변환층(330R-b)의 두께(tb)와 제1 산란층(330R-a)의 두께(ta)의 비율은 약 1:2 이상이면서 약 2:1 이하이고, 일 예로 약 1:1일 수 있다. 이와 동일하게, 제2 메인 색변환층(330G-b)의 두께(tb)와 제2 산란층(330G-a)의 두께(ta)의 비율은 약 1:2 이상이면서 2:1 이하일 수 있으며, 일 예로 약 1:1일 수 있다. 이러한 비율을 만족하는 범위에서 제1 산란층(330R-a), 제1 메인 색변환층(330R-b), 제2 산란층(330G-a) 및 제2 메인 색변환층(330G-b) 각각은 약 2 내지 4 μm의 두께를 가질 수 있다. 상기 두께 보다 얇게 형성되거나 전술한 비율보다 작게 형성되는 경우, 각 층에 포함되는 산란체 및 반도체 나노 결정의 함량이 극히 적어 광을 산란시키거나 광을 변환시키는 효율이 미미할 수 있다. 또한 상기 두께보다 두껍게 형성되거나 전술한 비율보다 크게 형성되는 경우 광 산란 효과는 우수할 수 있으나 산란층 두께 대비 반도체 나노 결정을 포함하는 층의 두께가 얇아 광 변환 효율이 저하되고 변환되어 사용자 방향으로 방출되는 광량이 감소할 수 있다.
광필터층(340)은 복수의 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)과 액정층(3) 사이에 위치할 수 있고, 광필터층(340)과 액정층(3) 사이에 오버코팅막(350)이 위치할 수 있다. 오버코팅막(350)과 액정층(3) 사이에 제2 편광층(22), 절연막(362), 공통 전극(370) 및 제2 배향막(21)이 차례로 위치할 수 있다.
이하에서는 도 5 및 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명할 수 있다.
도 4, 도 5 및 도 9를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 유닛(500), 박막트랜지스터 표시판(100), 박막트랜지스터 표시판(100)과 이격되어 마주하는 색변환 표시판(30) 및 박막트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(30) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다. 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 액정층(3)은 전술한 바와 동일하므로 이하에서는 자세한 설명을 생략한다.
색변환 표시판(30)은 박막트랜지스터 표시판(100)과 중첩하는 제2 기판(310), 그리고 제2 기판(310)과 액정층(3) 사이에 위치하는 차광 부재(320)를 포함한다. 제2 기판(310)과 색변환층(330R, 330G) 사이에 청색광 컷팅 필터(322)가 위치한다. 청색광 컷팅 필터(322)는 적색 및 녹색을 방출하는 영역과 중첩하도록 위치하고 청색을 방출하는 영역에는 위치하지 않는다.
적색 색변환층(330R)과 녹색 색변환층(330G)은 청색광 컷팅 필터(322)와 액정층(3) 사이에 위치하고 투과층(330B)은 제2 기판(310)과 액정층(3) 사이에 위치할 수 있다.
적색 색변환층(330R)은 제1 메인 색변환층(330R-b) 및 제1 산란층(330R-c)을 포함할 수 있다. 제1 산란층(330R-c)은 산란체(335R)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제1 메인 색변환층(330R-b)은 산란체(335R)와 함께 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다.
제1 산란층(330R-c)은 제1 메인 색변환층(330R-b)에서 적색으로 변환되어 출광되는 광을 산란시켜 시인성을 향상시키거나, 제1 메인 색변환층(330R-b)에서 변환되지 않고 그대로 출광되는 청색광을 다시 제1 메인 색변환층(330R-b) 방향으로 산란시켜 제1 반도체 나노 결정(331R)에 제공되는 청색 광의 광량을 증가시킬 수 있다.
이와 동일하게, 녹색 색변환층(330G)은 제2 메인 색변환층(330G-b) 및 제2 산란층(330G-c)을 포함할 수 있다. 제2 산란층(330G-c)은 산란체(335G)를 포함할 수 있으며 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않는다. 제2 메인 색변환층(330G-b)은 산란체(335G)와 함께 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다.
제2 산란층(330G-c)은 제2 메인 색변환층(330G-b)에서 녹색으로 변환되어 출광되는 광을 산란시켜 시인성을 향상시키거나, 제2 메인 색변환층(330G-b)에서 변환되지 않고 그대로 출광되는 청색광을 다시 제2 메인 색변환층(330G-b) 방향으로 산란시켜 방출되는 광 효율을 증가시킬 수 있다.
녹색 색변환층(330G)에 포함되는 산란체(335G)는 녹색 색변환층(330G)의 전체 함량 대비 약 12 wt% 이하일 수 있다. 즉, 제2 산란층(330G-c) 및 제2 메인 색변환층(330G-b)에 포함되는 산란체(335G)의 총 함량은 녹색 색변환층(330G) 전체 함량의 약 12 wt% 이하일 수 있다. 산란체(335G)의 함량이 전체 함량 대비 약 12 wt% 초과일 경우 변환없이 산란되어 방출되는 광량이 증가할 수 있다. 이에 따르면 제2 반도체 나노 결정(331G)에 의한 광 변환 효율이 낮아지므로 출광 효율 및 색 재현성이 낮아질 수 있다.
제1 메인 색변환층(330R-b)의 두께(tb)와 제1 산란층(330R-c)의 두께(tc)의 비율은 약 1:2 이상이고 약 2:1 이하일 수 있으며, 일 예로 약 1:1일 수 있다. 이와 동일하게, 제2 메인 색변환층(330G-b)의 두께(tb)와 제2 산란층(330G-c)의 두께(tc) 의 비율은 약 1:2 이상이고 약 2:1 이하일 수 있으며, 일 예로 약 1:1일 수 있다. 이러한 비를 만족하는 범위에서 제1 메인 색변환층(330R-b), 제2 산란층(330R-c), 제2 메인 색변환층(330G-b) 및 제4 산란층(330G-c) 각각은 약 2 내지 4 μm의 두께를 가질 수 있다. 전술한 두께 보다 얇게 형성되거나 전술한 비율보다 작게 형성되는 경우, 각 층에 포함되는 산란체 및 반도체 나노 결정의 함량이 극히 적어 광을 산란시키거나 광을 변환시키는 효율이 미미할 수 있다. 또한 전술한 두께보다 두껍게 형성되거나 전술한 비율보다 크게 형성되는 경우 광 산란 효과는 우수할 수 있으나 산란층 두께 대비 반도체 나노 결정을 포함하는 층의 두께가 얇아 광 변환 효율이 저하되고 변환되어 사용자 방향으로 방출되는 광량이 감소할 수 있다.
이하에서는 도 10 내지 도 15를 참조하여 본 발명에 따른 실시예 및 비교예를 살펴본다. 도 10은 적색을 방출하는 화소에서 실시예 및 비교예에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이고, 도 11은 적색을 방출하는 화소에서 반도체 나노 결정의 함량에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이고, 도 12는 적색을 방출하는 화소에서 산란체의 함량에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다. 또한 도 13은 녹색을 방출하는 화소에서 실시예 및 비교예에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이고, 도 14는 녹색을 방출하는 화소에서 반도체 나노 결정의 함량에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이고, 도 15는 녹색을 방출하는 화소에서 산란체의 함량에 따른 출광 효율을 나타낸 그래프이다.
도 10을 참조하면, 실시예 1은 도 2의 색변환 표시판이고, 실시예 2는 도 3의 색변환 표시판이며, 실시예 3은 도 4의 색변환 표시판이고, 비교예는 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 단일 색변환층을 구비한 색변환 표시판이다.
도 10에서는 색변환 표시판에 입사되는 청색광이 산란체에 의해 다시 되돌아오는 경우에 대한 청색광의 광량을 측정하고, 색변환 표시판에 입사되는 청색광이 반도체 나노 결정에 의해 변환되어 사용자 방향(기판 외측)으로 방출되는 적색광의 광량을 측정하였다.
도 10 그래프의 x축은 방출되는 광의 파장대이고, y축은 비교예 대비 실시예에서 방출되는 광량의 비를 나타낸 것이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 실시예 1 내지 3은 적색광(파장 600 nm 내지 700 nm) 파장대에서 비교예 보다 많은 광량의 적색광이 방출됨을 확인하였으며, 실시예 1 내지 3의 경우 청색광(파장 400 내지 500 nm)에서 비교예 보다 상당히 적은 광량의 청색광이 검출됨을 확인하였다.
즉, 비교예 대비 실시예의 경우 더 많은 적색광이 사용자에게 입사되는 방향으로 방출됨을 확인하였다. 또한 적색광으로 변환되지 못하고 산란체에 의해 라이트 유닛 방향으로 되돌아가는 광의 광량이 감소함을 확인하였으며, 이는 비교예 대비 많은 광량이 청색광에서 적색광으로 변환되어 방출되었음을 알 수 있다.
이하에서는 표 1 내지 표 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 색변환 표시판의 출광 효율에 대해 살펴본다.
우선 실시예 1은 도 2의 실시예에 따른 색변환 표시판에서 제1 산란층 및 제2 산란층의 두께가 1.5 μm 이고 제1 메인 색변환층의 두께가 3μm인 적색 화소의 경우이며, 비교예 1은 제1 산란층 및 제2 산란층의 두께가 3 μm이고 제1 메인 색변환층의 두께가 6μm인 적색 화소의 경우이다.
실시예 1 및 비교예 1에 대해, 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 단일 층 구조의 색변환층에서 사용자 방향으로 방출되는 적색광과 라이트 유닛 방향으로 되돌아가는 청색광의 광량을 기준으로, 측정한 적색광 및 청색광의 광량을 표 1에 나타냈다.
표 1을 참조하면 실시예 1에 따라 소정의 두께를 만족시키는 경우 사용자 방향으로 방출되는 적색광의 광량이 증가(0.854 →1.124)할 뿐만 아니라 반도체 나노 결정에 의해 흡수되지 못하고 라이트 유닛 방향으로 다시 되돌아 가는 청색광의 광량이 감소 (1.463 →1.026)함을 확인하였다.
적색광 청색광
실시예 1 1.124 1.026
비교예 1 0.854 1.463
다음, 실시예 2 및 비교예 2를 살펴보면, 실시예 2는 도 3에 도시된 색변환층에서 제1 산란층과 제1 메인 색변환층의 두께 비가 1:1인 경우이고, 비교예 2는 제1 산란층과 제1 메인 색변환층의 두께 비가 1:2인 경우이다.
하기 첨부된 표 2를 참조하면 본 발명의 실시예에 따른 두께비를 가지는 경우, 실시예 2에 따라 사용자 방향으로 방출되는 적색 광량이 증가하고(0.876→1.058), 라이트 유닛 방향으로 되돌아가는 청색 광량이 감소(1.441 →1.27)함을 확인하였다.
적색광 청색광
실시예 2 1.058 1.27
비교예 2 0.876 1.441
실시예 3은 도 4에 도시된 색변환층에서 제1 메인 색변환층과 제2 산란층의 두께 비율이 1:1인 경우이고, 비교예 3은 제1 메인 색변환층과 제2 산란층의 두께 비율이 2:1인 경우이다.
하기 표 3에 나타난 바와 같이 소정의 두께비를 가지는 색변환층을 포함하는 실시예 3은 이러한 수치 범위를 만족시키지 않는 비교예 3 대비 적색광의 출광 광량이 증가하였고(0.969 →1.165), 반도체 나노 결정에 의해 흡수되지 않고 라이트 유닛 방향으로 되돌아가는 청색광의 광량이 감소함(1.035 →0.769)을 확인하였다.
적색광 청색광
실시예 3 1.165 0.769
비교예 3 0.969 1.035
다음 도 11을 살펴보면, 적색광 피크비는 반도체 나노 결정의 함량이 30 wt%인 경우에 대한 비율로, 반도체 나노 결정의 함량에 따라 사용자 방향으로 방출되는 적색광의 광량을 비교한 것이고, 청색광 피크비는 역시 반도체 나노 결정의 함량이 30 wt%인 경우를 기준으로 반도체 나노 결정의 함량에 따라 라이트 유닛 방향으로 다시 되돌아가는 청색광의 광량을 비교한 것이다.
도 11에 나타난 바와 같이 색변환층에 포함되는 반도체 나노 결정의 함량에 따라 사용자 방향으로 방출되는 적색광의 광량과 라이트 유닛 방향으로 다시 산란되어 색변환에 사용되지 않는 청색광의 광량이 상이함을 알 수 있다.
구체적으로, 반도체 나노 결정의 함량이 약 30 wt%를 초과하는 경우 사용자 방향으로 방출되는 적색광의 광량이 증가함을 알 수 있다. 일 예로 반도체 나노 결정의 함량이 약 30 wt% 인 경우에서 약 50 wt%까지 증가하는 경우 출광되는 광량의 증가가 약 20%에 이름을 알 수 있다. 또한 반도체 나노 결정의 함량이 약 60 wt%인 경우까지 약 20% 의 광량 증가 효과를 가짐을 알 수 있었다. 다만 반도체 나노 결정의 함량이 약 60 wt%를 초과하는 경우 오히려 출광되는 광 효율이 감소함을 확인하였다.
또한, 반도체 나노 결정의 함량에 따른 청색광 광량의 변화를 살펴보면, 색변환층에 포함되는 반도체 나노 결정의 함량이 증가할수록 반도체 나노 결정에 의해 흡수되지 못하고 다시 라이트 유닛 방향으로 이동하는 청색광의 광량이 감소함을 알 수 있었다. 반도체 나노 결정의 함량이 약 30 wt%인 경우를 기준으로 색변환 표시판에서 라이트 유닛을 향하는 방향으로 반사되는 청색광이 점진적으로 감소함을 확인하였다.
이들을 조합하면 반도체 나노 결정의 함량이 약 30wt% 초과, 특히 약 40 내지 60 wt%인 경우 청색광이 적색광으로 변환되어 사용자 방향으로 출광되는 광량이 증가될 수 있다. 또한 상기 범위 내에서 반도체 나노 결정에 흡수되지 않고 산란체 등에 의해 다시 라이트 유닛 방향으로 방출되는 청색광의 광량을 감소시킬 수 있다. 따라서 전술한 함량을 가지는 색변환층은 청색광이 적색광으로 변환되는 광 효율 및 광량이 증가될 수 있다.
다음, 도 12를 참조하여 색변환층에 포함되는 산란체의 함량 변화에 따른 적색광 및 청색광의 광량 변화를 살펴본다.
도 12를 참고하면, 색변환층에 포함되는 반도체 나노 결정의 함량이 약 50 wt%인 경우를 기준으로 색변환층에 포함되는 산란체의 함량이 증가할수록 사용자 방향으로 방출되는 적색광의 광량이 감소하고, 라이트 유닛 방향으로 다시 반사되는 청색광의 광량이 증가함을 확인하였다.
색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치는 사용자 방향으로 방출하는 적색광의 광량이 높고 라이트 유닛 방향으로 다시 반사되는 청색광의 광량이 작아야 하므로 도 12에 따라 본원 실시예에 따른 산란체는 약 12 wt% 이하로 포함되어야 함을 확인하였다.
이들을 종합하면, 본 발명의 실시예에 따른 색변환층은 약 40 내지 60 wt% 함량의 반도체 나노 결정을 포함하고, 약 12 wt% 이하의 산란체를 포함함으로써, 사용자 방향으로 방출되는 광량을 증가시킬 수 있음을 확인하였다.
전술한 도 10 내지 도 12와 유사하게 이하에서는 도 13 내지 도 15를 참조하여 녹색광을 방출하는 화소 영역에서의 출광률을 살펴본다. 도 10 내지 도 12와 유사한 실험 조건 및 결과 등에 대해서는 생략할 수 있다.
도 13을 참조하면, 실시예 1은 도 2의 색변환 표시판이고, 실시예 2는 도 3의 색변환 표시판이며, 실시예 3은 도 4의 색변환 표시판이고, 비교예는 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 단일 색변환층을 구비한 색변환 표시판이다.
도 13에서는 색변환 표시판에 입사되는 청색광이 산란체에 의해 다시 되돌아오는 경우에 대한 청색광의 광량을 측정하고, 색변환 표시판에 입사되는 청색광이 반도체 나노 결정에 의해 변환되어 사용자 방향(기판 외측)으로 방출되는 녹색광의 광량을 측정하였다.
도 13의 그래프에서 x축은 방출되는 광의 파장대이고, y축은 비교예 대비 실시예에서 방출되는 광량의 비를 나타낸 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시예 1 내지 3은 녹색광(파장 500 nm 내지 600 nm) 파장대에서 비교예 보다 많은 광량의 녹색광이 방출됨을 확인하였으며, 실시예 1 내지 3의 경우 청색광(파장 400 내지 500 nm)에서 비교예 보다 상당히 적은 광량의 청색광이 검출됨을 확인하였다.
즉, 비교예 대비 실시예의 경우 더 많은 녹색광이 사용자에게 입사되는 방향으로 방출됨을 확인하였다. 또한 녹색광으로 변환되지 못하고 산란체에 의해 라이트 유닛 방향으로 되돌아가는 광의 광량이 감소함을 확인하였으며, 이는 비교예 대비 많은 광량이 청색광에서 녹색광으로 변환되어 방출되었음을 알 수 있다.
이하에서는 표 4 내지 표 6을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 색변환 표시판의 출광 효율에 대해 살펴본다.
우선 실시예 1은 도 2의 실시예에 따른 색변환 표시판에서 제1 산란층 및 제2 산란층의 두께가 1.5 μm이고 제1 메인 색변환층의 두께가 3μm인 녹색 화소의 경우이며, 비교예 1은 제1 산란층 및 제2 산란층의 두께가 3 μm이고 제1 메인 색변환층의 두께가 6μm인 녹색 화소의 경우이다.
실시예 1 및 비교예 1에 대해, 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 단일 층 구조의 색변환층에서 사용자 방향으로 방출되는 녹색광과 라이트 유닛 방향으로 되돌아가는 청색광의 광량을 기준으로, 측정한 녹색광 및 청색광의 광량을 표 4에 나타냈다.
표 4를 참조하면 실시예 1에 따라 소정의 두께를 만족시키는 경우 사용자 방향으로 방출되는 녹색광의 광량이 증가(0.888 → 1.147) 할 뿐만 아니라 반도체 나노 결정에 의해 흡수되지 못하고 라이트 유닛 방향으로 다시 되돌아 가는 청색광의 광량이 감소 (1.262 →0.941)함을 확인하였다.
녹색광 청색광
실시예 1 1.147 0.941
비교예 1 0.888 1.262
다음, 실시예 2 및 비교예 2를 살펴보면, 실시예 2는 도 3에 도시된 색변환층에서 제1 산란층과 제1 메인 색변환층의 두께 비가 1:1인 녹색 화소의 경우이고, 비교예 2는 제1 산란층과 제1 메인 색변환층의 두께 비가 1:2인 녹색 화소의 경우이다.
하기 첨부된 표 5를 참조하면 본 발명의 실시예에 따른 두께비를 가지는 경우, 실시예 2에 따라 사용자 방향으로 방출되는 녹색 광량이 증가하고(0.930 →1.135), 라이트 유닛 방향으로 되돌아가는 청색 광량이 감소(1.246 →1.083)함을 확인하였다.
녹색광 청색광
실시예 2 1.135 1.083
비교예 2 0.930 1.246
실시예 3은 도 4에 도시된 색변환층에서 제1 메인 색변환층과 제2 산란층의 두께 비율이 1:1인 녹색 화소의 경우이고, 비교예 3은 제1 메인 색변환층과 제2 산란층의 두께 비율이 2:1인 녹색 화소의 경우이다.
하기 표 6에 나타난 바와 같이 소정의 두께비를 가지는 색변환층을 포함하는 실시예 3은 이러한 수치 범위를 만족시키지 않는 비교예 3 대비 녹색광의 출광 광량이 증가하였고(0.944 →1.142), 반도체 나노 결정에 의해 흡수되지 않고 라이트 유닛 방향으로 되돌아가는 청색광의 광량이 감소함(1.026 →0.796)을 확인하였다.
녹색광 청색광
실시예 3 1.142 0.796
비교예 3 0.944 1.026
다음 도 14를 살펴보면, 녹색광 피크비는 반도체 나노 결정의 함량이 40 wt%인 경우에 대한 비율로, 반도체 나노 결정의 함량에 따라 사용자 방향으로 방출되는 녹색광의 광량을 비교한 것이고, 청색광 피크비는 역시 반도체 나노 결정의 함량이 40 wt%인 경우를 기준으로 반도체 나노 결정의 함량에 따라 라이트 유닛 방향으로 다시 되돌아가는 청색광의 광량을 비교한 것이다.
도 14에 나타난 바와 같이 색변환층에 포함되는 반도체 나노 결정의 함량에 따라 사용자 방향으로 방출되는 녹색광의 광량과 라이트 유닛 방향으로 다시 산란되어 색변환에 사용되지 않는 청색광의 광량이 상이함을 알 수 있다.
구체적으로, 반도체 나노 결정의 함량이 약 40 wt%를 초과하는 경우 사용자 방향으로 방출되는 녹색광의 광량이 증가함을 알 수 있다. 일 예로 반도체 나노 결정의 함량이 약 30 wt% 인 경우에서 약 50 wt%까지 증가하는 경우 출광되는 광량의 증가가 약 30%에 이름을 알 수 있다. 다만 반도체 나노 결정의 함량이 약 50 wt%를 초과하는 경우 오히려 출광되는 광 효율이 감소함을 확인하였다.
또한, 반도체 나노 결정의 함량에 따른 청색광 광량의 변화를 살펴보면, 색변환층에 포함되는 반도체 나노 결정의 함량이 증가할수록 반도체 나노 결정에 의해 흡수되지 못하고 다시 라이트 유닛 방향으로 이동하는 청색광의 광량이 감소함을 알 수 있었다. 반도체 나노 결정의 함량이 약 40 wt%인 경우를 기준으로 색변환 표시판에서 라이트 유닛을 향하는 방향으로 반사되는 청색광이 점진적으로 감소함을 확인하였다.
이들을 조합하면 반도체 나노 결정의 함량이 약 30wt% 초과, 특히 약 40 내지 60 wt%인 경우 청색광이 녹색광으로 변환되어 사용자 방향으로 출광되는 광량이 증가될 수 있다. 또한 상기 범위 내에서 반도체 나노 결정에 흡수되지 않고 산란체 등에 의해 다시 라이트 유닛 방향으로 방출되는 청색광의 광량을 감소시킬 수 있다.
다음, 도 15를 참조하여 색변환층에 포함되는 산란체의 함량 변화에 따른 녹색광 및 청색광의 광량 변화를 살펴본다.
도 15를 참고하면, 색변환층에 포함되는 반도체 나노 결정의 함량이 약 40 wt%인 경우를 기준으로 색변환층에 포함되는 산란체의 함량이 증가할수록 사용자 방향으로 방출되는 녹색광의 광량이 감소하고, 라이트 유닛 방향으로 다시 반사되는 청색광의 광량이 증가함을 확인하였다.
색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치는 사용자 방향으로 방출하는 녹색광의 광량이 높고 라이트 유닛 방향으로 다시 반사되는 청색광의 광량이 작아야 하므로 도 15에 따라 본원 실시예에 따른 산란체는 약 12 wt% 이하로 포함되어야 함을 확인하였다.
이들을 종합하면, 본 발명의 실시예에 따른 색변환층은 약 40 내지 60 wt% 함량의 반도체 나노 결정을 포함하고, 약 12 wt% 이하의 산란체를 포함함으로써, 사용자 방향으로 방출되는 광량을 증가시킬 수 있음을 확인하였다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
30: 색변환 표시판
310: 기판
322: 청색광 컷팅 필터
330R: 적색 색변환층
330G: 녹색 색변환층
330B: 투과층
331R, 331G: 반도체 나노 결정
335R, 335G, 335B: 산란체

Claims (26)

  1. 기판 위에 위치하며 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 색변환층, 그리고
    상기 기판 위에 위치하는 투과층을 포함하고,
    상기 색변환층은 적색 색변환층 및 녹색 색변환층을 포함하고,
    상기 적색 색변환층에 포함되는 상기 반도체 나노 결정은 상기 적색 색변환층 전체 함량 대비 30 wt% 초과 60 wt% 이하로 포함되고,
    상기 녹색 색변환층에 포함되는 상기 반도체 나노 결정은 상기 녹색 색변환층 전체 함량 대비 40 wt% 초과 60 wt% 이하로 포함되고,
    상기 산란체는 상기 색변환층 전체 함량 대비 12 wt% 이하로 포함되고,
    상기 적색 색변환층 및 상기 녹색 색변환층 중 적어도 하나는,
    상기 기판 위에 위치하는 산란층, 그리고
    상기 산란층과 중첩하는 메인 색변환층을 포함하며,
    상기 산란층이 포함하는 제1 산란체와 상기 메인 색변환층이 포함하는 제2 산란체는 동일한 색변환 표시판.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 적색 색변환층은
    상기 기판 위에 위치하는 제1 산란층 및 제2 산란층, 그리고
    상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하는 제1 메인 색변환층을 포함하며,
    상기 제1 산란층 및 상기 제2 산란층 각각은 상기 제1 산란체를 포함하고, 상기 제1 메인 색변환층은 상기 제2 산란체 및 제1 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환 표시판.
  5. 제1항에서,
    상기 녹색 색변환층은,
    상기 기판 위에 위치하는 제1 산란층 및 제2 산란층, 그리고
    상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하는 제2 메인 색변환층을 포함하고,
    상기 제1 산란층 및 상기 제2 산란층 각각은 상기 제1 산란체를 포함하고, 상기 제2 메인 색변환층은 상기 제2 산란체 및 제2 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환 표시판.
  6. 제1항에서,
    상기 산란층의 두께는 1 내지 2μm이고, 상기 메인 색변환층의 두께는 2 내지 4μm인 색변환 표시판.
  7. 제1항에서,
    상기 적색 색변환층은,
    제1 반도체 나노 결정 및 상기 제2 산란체를 포함하는 제1 메인 색변환층,
    상기 제1 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하며 상기 제1 산란체를 포함하는 제1 산란층을 포함하고,
    상기 녹색 색변환층은,
    제2 반도체 나노 결정 및 상기 제2 산란체를 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고
    상기 제2 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하며 상기 제1 산란체를 포함하는 제2 산란층을 포함하는 색변환 표시판.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 메인 색변환층과 상기 제1 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 이하이고, 상기 제2 메인 색변환층과 상기 제2 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 이하인 색변환 표시판.
  9. 제1항에서,
    상기 적색 색변환층은,
    제1 반도체 나노 결정 및 상기 제2 산란체를 포함하는 제1 메인 색변환층, 그리고
    상기 제1 메인 색변환층 위에 위치하며 상기 제1 산란체를 포함하는 제1 산란층을 포함하고,
    상기 녹색 색변환층은,
    제2 반도체 나노 결정 및 상기 제2 산란체를 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고
    상기 제2 메인 색변환층 위에 위치하며 상기 제1 산란체를 포함하는 제2 산란층을 포함하는 색변환 표시판.
  10. 제9항에서,
    상기 제1 메인 색변환층과 상기 제1 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 이하이고, 상기 제2 메인 색변환층과 상기 제2 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 이하인 색변환 표시판.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 박막 트랜지스터 표시판, 그리고
    상기 박막 트랜지스터 표시판과 중첩하는 색변환 표시판을 포함하고,
    상기 색변환 표시판은,
    기판과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이에 위치하며 반도체 나노 결정 및 산란체를 포함하는 색변환층, 그리고
    상기 기판과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이에 위치하며 산란체를 포함하는 투과층을 포함하고,
    상기 색변환층은 적색 색변환층 및 녹색 색변환층을 포함하고,
    상기 적색 색변환층에 포함되는 상기 반도체 나노 결정은 상기 적색 색변환층 전체 함량 대비 30 wt% 초과 60 wt% 이하로 포함되고,
    상기 녹색 색변환층에 포함되는 상기 반도체 나노 결정은 상기 녹색 색변환층 전체 함량 대비 40 wt% 초과 60 wt% 이하로 포함되며,
    상기 색변환층에 포함되는 상기 산란체는 상기 색변환층 전체 함량 대비 12wt% 이하로 포함되고,
    상기 적색 색변환층 및 상기 녹색 색변환층 중 적어도 하나는,
    상기 기판과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이에 위치하는 산란층, 그리고
    상기 산란층과 중첩하는 메인 색변환층을 포함하며,
    상기 산란층이 포함하는 제1 산란체와 상기 메인 색변환층이 포함하는 제2 산란체는 동일한 표시 장치.
  21. 삭제
  22. 제20항에서,
    상기 적색 색변환층은,
    상기 기판과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이에 위치하며 상기 제1 산란체를 포함하는 제1 산란층 및 제2 산란층, 그리고
    상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하며 상기 제2 산란체 및 제1 반도체 나노 결정을 포함하는 제1 메인 색변환층을 포함하고,
    상기 녹색 색변환층은,
    상기 기판과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이에 위치하며 상기 제1 산란체를 포함하는 상기 제1 산란층 및 상기 제2 산란층, 그리고
    상기 제1 산란층과 상기 제2 산란층 사이에 위치하며 상기 제2 산란체 및 제2 반도체 나노 결정을 포함하는 제2 메인 색변환층을 포함하는 표시 장치.
  23. 제20항에서,
    상기 적색 색변환층은,
    제1 반도체 나노 결정을 포함하는 제1 메인 색변환층, 그리고
    상기 제1 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하는 제1 산란층을 포함하고,
    상기 녹색 색변환층은,
    제2 반도체 나노 결정을 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고
    상기 제2 메인 색변환층과 상기 기판 사이에 위치하는 제2 산란층을 포함하는 표시 장치.
  24. 제23항에서,
    상기 제1 산란층과 상기 제1 메인 색변환층의 두께 비는 2:1 이상이면서 1:2 미만이고, 상기 제2 산란층과 상기 제2 메인 색변환층의 두께 비는 2:1 이상이면서 1:2 미만인 표시 장치.
  25. 제20항에서,
    상기 적색 색변환층은,
    제1 반도체 나노 결정 및 상기 제2 산란체를 포함하는 제1 메인 색변환층, 그리고
    상기 제1 메인 색변환층과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이에 위치하며 상기 제1 산란체를 포함하는 제1 산란층을 포함하고,
    상기 녹색 색변환층은,
    제2 반도체 나노 결정 및 상기 제2 산란체를 포함하는 제2 메인 색변환층, 그리고
    상기 제2 메인 색변환층과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이에 위치하며 상기 제1 산란체를 포함하는 제2 산란층을 포함하는 표시 장치.
  26. 제25항에서,
    상기 제1 메인 색변환층과 상기 제1 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 미만이고, 상기 제2 메인 색변환층과 상기 제2 산란층의 두께 비는 1:2 이상이면서 2:1 미만인 표시 장치.
KR1020170106149A 2017-08-22 2017-08-22 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 KR102466420B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170106149A KR102466420B1 (ko) 2017-08-22 2017-08-22 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
US15/901,718 US11520184B2 (en) 2017-08-22 2018-02-21 Color conversion display panel and display device including the same
CN201810959230.9A CN109426031A (zh) 2017-08-22 2018-08-22 颜色转换显示面板和包括该颜色转换显示面板的显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170106149A KR102466420B1 (ko) 2017-08-22 2017-08-22 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190021516A KR20190021516A (ko) 2019-03-06
KR102466420B1 true KR102466420B1 (ko) 2022-11-11

Family

ID=65437570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170106149A KR102466420B1 (ko) 2017-08-22 2017-08-22 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11520184B2 (ko)
KR (1) KR102466420B1 (ko)
CN (1) CN109426031A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10545379B2 (en) * 2018-02-01 2020-01-28 Innolux Corporation Display device
US10762806B2 (en) * 2018-04-24 2020-09-01 Innolux Corporation Display device
KR20210131504A (ko) 2020-04-23 2021-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016124312A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and display device
US20170222102A1 (en) * 2015-12-30 2017-08-03 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
US20170328541A1 (en) 2015-02-09 2017-11-16 Fujifilm Corporation Wavelength conversion member, backlight unit, image display device, and method of manufacturing wavelength conversion member
US20180186817A1 (en) 2015-10-27 2018-07-05 Lg Chem, Ltd. Compound and color conversion film comprising same

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1229356A3 (en) * 2001-01-31 2004-01-21 Planar Systems, Inc. Methods and apparatus for the production of optical filters
US8459814B2 (en) * 2010-05-12 2013-06-11 National Taiwan University Of Science And Technology White-light emitting devices with stabilized dominant wavelength
KR101860935B1 (ko) * 2012-03-15 2018-05-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130140462A (ko) * 2012-06-14 2013-12-24 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네슨스 표시 장치
WO2014084012A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 シャープ株式会社 散乱体基板
KR20140074495A (ko) * 2012-12-10 2014-06-18 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네선트 패널, 이를 갖는 포토루미네선트 액정표시장치 및 이의 제조방법
TW201427893A (zh) * 2013-01-07 2014-07-16 群康科技(深圳)有限公司 圖案化色轉換膜及應用其之顯示裝置
US9559322B2 (en) 2013-04-05 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dots, methods of manufacturing quantum dots and methods of manufacturing organic light emitting display devices using the same
CN103487857A (zh) 2013-10-11 2014-01-01 张家港康得新光电材料有限公司 量子点薄膜及背光模组
KR102174381B1 (ko) * 2014-04-03 2020-11-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
DE102014106634B4 (de) * 2014-05-12 2019-08-14 Osram Oled Gmbh Beleuchtungsvorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsvorrichtung
KR101581762B1 (ko) 2014-06-27 2016-01-04 엘지전자 주식회사 백라이트유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
KR101879016B1 (ko) 2014-11-21 2018-07-16 동우 화인켐 주식회사 자발광 감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 컬러필터 및 상기 컬러필터를 포함하는 화상표시장치
US10551670B2 (en) 2015-01-05 2020-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display with improved color reproducibility
KR101777596B1 (ko) * 2015-01-06 2017-09-13 코닝정밀소재 주식회사 양자점 복합체 및 이를 포함하는 광전소자
KR101764478B1 (ko) 2015-01-13 2017-08-03 주식회사 엘지화학 색 변환 필름 및 이의 제조방법
WO2016124324A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Merck Patent Gmbh Electronic element and display
US10996515B2 (en) * 2015-08-28 2021-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel, display device comprising the same and manufacturing method of the color conversion panel
US10712614B2 (en) 2015-09-30 2020-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel and display device including the same
KR102461106B1 (ko) * 2015-11-27 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20190017956A (ko) * 2016-06-13 2019-02-20 비아비 솔루션즈 아이엔씨. 보호용 코팅을 포함하는 보호 물품

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016124312A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and display device
US20170328541A1 (en) 2015-02-09 2017-11-16 Fujifilm Corporation Wavelength conversion member, backlight unit, image display device, and method of manufacturing wavelength conversion member
US20180186817A1 (en) 2015-10-27 2018-07-05 Lg Chem, Ltd. Compound and color conversion film comprising same
US20170222102A1 (en) * 2015-12-30 2017-08-03 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US11520184B2 (en) 2022-12-06
CN109426031A (zh) 2019-03-05
KR20190021516A (ko) 2019-03-06
US20190064600A1 (en) 2019-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102522593B1 (ko) 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102444611B1 (ko) 표시 장치
KR102223001B1 (ko) 표시 장치
KR102416572B1 (ko) 표시 장치
KR102527215B1 (ko) 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20220038331A (ko) 표시 장치
KR102392670B1 (ko) 표시 장치
US20190018273A1 (en) Display device
KR102650553B1 (ko) 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102584304B1 (ko) 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US11073718B2 (en) Color conversion panel having blue light cutting filter and display device including the same
KR102555322B1 (ko) 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102421594B1 (ko) 표시 장치
KR102404724B1 (ko) 표시 장치
KR102626391B1 (ko) 표시 장치
CN108254966B (zh) 颜色转换显示面板及包括颜色转换显示面板的显示设备
KR20180120301A (ko) 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102466420B1 (ko) 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102423677B1 (ko) 표시 장치
KR102440112B1 (ko) 표시 장치
US10707276B2 (en) Display device
KR102345438B1 (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant