KR102440112B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판, 그리고 상기 박막 트랜지스터 표시판과 중첩하는 색변환 표시판을 포함하며, 상기 색변환 표시판은 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 그리고 투과층을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터 표시판은 인접한 화소 전극 사이에 교번하며 위치하는 제1 차폐 전극 및 제2 차폐 전극을 포함하며, 상기 제1 차폐 전극 및 상기 제2 차폐 전극에 서로 다른 전압이 인가된다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 두 개의 전기장 생성 전극과 액정층, 색필터, 그리고 편광층을 포함할 수 있다. 광원에서 발생한 광은 액정층, 색필터 및 편광층을 통과하여 시청자에게 도달하게 되는데, 편광층과 색필터 등에서 광손실이 발생하는 문제가 있다. 액정 표시 장치뿐만 아니라 유기 발광 표시 장치 등의 표시 장치에서도 이와 같은 광손실이 발생할 수 있다.
광손실을 줄이고 높은 색재현율을 가지는 표시 장치를 구현하기 위하여 반도체 나노 결정을 사용한 색변환 표시판을 포함하는 표시 장치가 제안되고 있다.
실시예들은 색재현율 및 휘도가 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판, 그리고 상기 박막 트랜지스터 표시판과 중첩하는 색변환 표시판을 포함하며, 상기 색변환 표시판은 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 그리고 투과층을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터 표시판은 인접한 화소 전극 사이에 교번하며 위치하는 제1 차폐 전극 및 제2 차폐 전극을 포함하며, 상기 제1 차폐 전극 및 상기 제2 차폐 전극에 서로 다른 전압이 인가된다.
상기 제1 차폐 전극에 인가되는 전압은 상기 제2 차폐 전극에 인가되는 전압 보다 클 수 있다.
상기 제1 차폐 전극은 상기 화소 전극에 인가되는 전압 보다 높은 전압을 인가받고 상기 제2 차폐 전극은 상기 화소 전극에 인가되는 전압과 동일하거나 낮은 전압을 인가 받을 수 있다.
상기 화소 전극은 세로 줄기부, 가로 줄기부 및 미세 가지부를 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 제1 차폐 전극 및 상기 제2 차폐 전극 사이에 위치하며 상기 세로 줄기부는 상기 제1 차폐 전극에 인접하게 위치할 수 있다.
상기 가로 줄기부는 상기 세로 줄기부의 중앙에서 직교할 수 있다.
상기 화소 전극과 중첩하는 액정층은 액정 분자의 배열 방향이 상이한 2개의 도메인을 포함할 수 있다.
인접한 2개의 상기 화소 전극은 상기 제1 차폐 전극을 기준으로 대칭일 수 있다.
상기 제1 차폐 전극, 상기 제2 차폐 전극 및 상기 화소 전극은 동일한 층에 위치할 수 있다.
상기 세로 줄기부와 상기 제1 차폐 전극 사이에 위치하는 액정 분자는 상기 미세 가지부와 중첩하는 액정 분자와 나란하게 배열될 수 있다.
상기 색변환 표시판은 상기 색변환층과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이, 그리고 상기 투과층과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이에 위치하는 광필터층, 오버코팅막 및 편광층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판, 상기 박막 트랜지스터 표시판과 중첩하는 색변환 표시판, 그리고 상기 박막 트랜지스터 표시판과 상기 색변환 표시판 사이에 위치하며 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층을 포함하며, 상기 색변환 표시판은 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 그리고 투과층을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터 표시판은 세로 줄기부, 가로 줄기부 및 미세 가지부를 포함하는 화소 전극, 그리고 인접한 화소 전극 사이에 위치하는 차폐 전극을 포함하며, 상기 세로 줄기부와 상기 차폐 전극 사이에 위치하는 액정 분자는 상기 미세 가지부와 중첩하는 액정 분자와 나란하게 배열된다.
상기 미세 가지부는 상기 색변환층 및 상기 투과층과 중첩할 수 있다.
상기 색변환 표시판은 상기 색변환층 및 상기 투과층 사이에 위치하는 차광 부재를 더 포함하고, 상기 차광 부재는 상기 제1 차폐 전극 및 상기 제2 차폐 전극과 중첩할 수 있다.
복수의 상기 제1 차폐 전극은 서로 연결되고, 복수의 상기 제2 차폐 전극은 서로 연결될 수 있다.
실시예들에 따르면 색재현율 및 휘도가 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 복수의 화소의 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 2의 실시예에 따른 액정 분자의 거동을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 5는 비교예에 따른 액정 분자의 거동을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 6은 도 2의 변형 실시예에 따른 표시 장치의 화소의 평면도이다.
도 7은 비교예 1 내지 비교예 3, 실시예 1 내지 실시예 2에 따른 일 화소의 휘도 시뮬레이션 이미지이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 일 실시예에 따른 복수의 화소의 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III'선을 따라 자른 단면도이고, 도 4는 도 2의 실시예에 따른 액정 분자의 거동을 설명하기 위한 개략적인 도면이고, 도 5는 비교예에 따른 액정 분자의 거동을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
우선 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110) 위에 위치하는 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)을 포함할 수 있다. 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)은 제1 방향(게이트선 연장 방향)을 따라 교번하며 위치할 수 있으며 제2 방향(데이터선 연장 방향)을 따라 연장된 형태를 가질 수 있다.
표시 장치가 포함하는 복수의 제1 차폐 전극(192a)은 서로 연결되어 제1 패드부(193a)를 통해 소정의 제1 전압을 인가 받을 수 있다. 복수의 제2 차폐 전극(192b) 역시 제2 패드부(193b)를 통해 소정의 제2 전압을 인가 받을 수 있다. 제1 전압과 제2 전압은 상이할 수 있으며, 일 예로 제1 전압은 제2 전압 보다 클 수 있다.
이하에서는 도 2 및 도 3을 참조하여 표시 장치의 구조에 대해 보다 구체적으로 살펴본다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 유닛(500), 박막 트랜지스터 표시판(100), 박막 트랜지스터 표시판(100)과 이격되어 중첩하는 색변환 표시판(300) 및 박막 트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(300) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다.
라이트 유닛(500)은 제3 방향을 따라 박막 트랜지스터 표시판(100)의 배면에 위치한다. 라이트 유닛(500)은 광을 발생하는 광원 및 상기 광을 수신하고 수신된 광을 박막 트랜지스터 표시판(100)을 향해 가이드하는 도광판(미도시)을 포함할 수 있다.
라이트 유닛(500)은 청색을 방출하는 어떠한 광원도 포함할 수 있으며 일 예로 발광 다이오드(light emitting diode)를 포함할 수 있다. 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500) 대신에 화이트 광원이나 자외선 광원을 포함하는 라이트 유닛(500)으로 변형하여 사용할 수도 있다. 다만, 이하에서는 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500)을 사용한 표시 장치에 대해 설명하기로 한다.
상기 광원은 도광판의 적어도 하나의 측면에 배치되는 에지형(edge type)이거나 도광판의 직하부에 위치하는 직하형일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110)과 라이트 유닛(500) 사이에 위치하는 제1 편광층(12)을 포함할 수 있다. 제1 편광층(12)은 라이트 유닛(500)에서 제1 기판(110)으로 입사되는 광을 편광시킨다.
제1 편광층(12)은 도포형 편광층, 코팅형 편광층 및 인쇄형 편광층 등 어떠한 방법으로 제조된 편광층도 가능하다. 일 예로 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer)일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110)과 액정층(3) 사이에서 제1 방향으로 연장되며 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트선(121)과 액정층(3) 사이에 위치하는 게이트 절연층(140), 게이트 절연층(140)과 액정층(3) 사이에 위치하는 반도체층(154), 반도체층(154)과 액정층(3) 사이에 위치하며 제2 방향으로 연장되는 데이터선(171), 데이터선(171)에 연결된 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격된 드레인 전극(175), 그리고 데이터선(171)과 액정층(3) 사이에 위치하는 보호막(180)을 포함할 수 있다.
반도체층(154)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)으로 덮이지 않은 부분에서 채널을 형성한다. 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터(Tr)를 이룬다.
보호막(180) 위에 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 보호막(180)이 가지는 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따른 화소 전극(191)은 가로 줄기부(191a), 가로 줄기부(191a)와 직교하도록 연결된 세로 줄기부(191b), 그리고 가로 줄기부(191a) 및 세로 줄기부(191b)로부터 대각 방향을 따라 연장된 복수의 미세 가지부(191c)를 포함한다. 일 실시예에 따라 가로 줄기부(191a)는 세로 줄기부(191b)의 중심에서 세로 줄기부(191b)와 직교하도록 연결될 수 있다. 미세 가지부(191c)는 가로 줄기부(191a)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룬다. 서로 다른 대각 방향으로 연장된 미세 가지부(191c)들은 서로 직교할 수 있다.
일 화소 전극(191)은 가로 줄기부(191a) 및 세로 줄기부(191b)를 기준으로 구분되는 제1 영역(Da) 및 제2 영역(Db)을 포함할 수 있다. 제1 영역(Da) 및 제2 영역(Db)에서는 액정 분자(31)의 배열 방향이 상이할 수 있다. 구체적으로 미세 가지부(191c)의 변은 전계를 왜곡하여 액정 분자(31)의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전계의 수평 성분은 미세 가지부(191c)의 변에 실질적으로 평행할 수 있다. 액정 분자(31)는 미세 가지부(191c)의 길이 방향에 평행한 방향을 따라 기울어질 수 있다. 일 화소 전극(191)은 서로 다른 2 개의 방향으로 기울어진 미세 가지부(191c)를 포함하므로 액정 분자(31)가 기울어지는 방향은 2 방향일 수 있다. 액정 분자(31)의 배향 방향이 다른 2 개의 도메인이 액정층(3)에 형성될 수 있다.
화소 전극(191)과 동일한 층에 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)이 위치할 수 있다. 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)은 화소 전극(191)과 이격되어 배치되며 데이터선(171)과 실질적으로 평행하게 연장된다. 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)은 데이터선(171)과 중첩한다. 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)은 제1 방향을 따라 서로 교번하며 배치될 수 있다.
제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)은 화소 전극(191)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)은 화소 전극(191)을 제조하는 공정에서 동시에 형성될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 차폐 전극(192a)과 제2 차폐 전극(192b)은 서로 다른 전압을 인가 받을 수 있다. 일 실시예에 따라 제1 차폐 전극(192a)은 화소 전극(191)에 인가되는 전압 보다 높은 제1 전압을 인가 받을 수 있으며 제2 차폐 전극(192b)은 화소 전극(191)에 인가되는 전압과 동등한 수준 또는 보다 낮은 제2 전압을 인가 받을 수 있다.
화소 전극(191)의 세로 줄기부(191b)는 화소 전극(191)에 인가되는 전압 보다 높은 전압을 인가 받는 제1 차폐 전극(192a)에 인접하게 위치할 수 있다. 제1 차폐 전극(192a)을 기준으로 제1 차폐 전극(192a)의 우측에 위치하는 일 화소는 제1 차폐 전극(192a)과 인접하도록 위치하는 세로 줄기부(191b)를 포함할 수 있으며 제1 차폐 전극(192a)의 좌측에 위치하는 일 화소 역시 제1 차폐 전극(192a)과 인접하도록 위치하는 세로 줄기부(191b)를 포함할 수 있다. 제1 차폐 전극(192a)을 기준으로 좌우에 위치하는 화소 전극(191)의 형태가 대칭일 수 있다.
인접한 2개의 제2 차폐 전극(192b) 사이에 위치하는 2개의 화소 전극(191)은 서로 다른 방향으로 액정 분자(31)가 배열된 4개의 도메인을 포함할 수 있다. 제1 차폐 전극(192a)을 기준으로 양쪽에 위치하는 2개의 화소 전극(191)은 서로 다른 방향으로 액정 분자(31)가 배열된 4개의 도메인(Da, Db, Dc, Dd)을 포함할 수 있다.
구체적으로 제1 차폐 전극(192a)을 기준으로 우측에 위치하는 화소 전극(191)은 우상향 방향으로 연장된 미세 가지부(191c) 및 우하향 방향으로 연장된 미세 가지부(191c)를 포함할 수 있다. 또한 제1 차폐 전극(192a)을 기준으로 좌측에 위치하는 화소 전극(191)은 좌상향 방향으로 연장된 미세 가지부(191c) 및 좌하향 방향으로 연장된 미세 가지부(191c)를 포함할 수 있다. 인접한 2개의 화소 전극(191)과 중첩하는 액정층(3)은 액정 분자(31)의 배열 방향에 따라 구분되는 4개의 도메인(Da, Db, Dc, Dd)을 포함할 수 있다.
이하에서는 전술한 화소 전극(191) 및 차폐 전극(192a, 192b)을 포함하는 표시 장치의 액정 분자(31)의 거동에 대해 살펴본다.
도 4를 참조하면 제1 차폐 전극(192a)에 화소 전극(191)에 인가되는 전압 대비 높은 제1 전압이 인가되는 경우 정방향 프린지 필드가 강하게 형성된다. 이에 제1 차폐 전극(192a)과 세로 줄기부 사이에 위치하는 액정 분자(31)는 미세 가지부에 의해 배열되는 액정 분자(31)들과 나란한 방향으로 배열될 수 있다. 제1 차폐 전극(192a)과 화소 전극(191) 사이의 경계에서도 동일한 액정 분자(31)의 배열을 통해 표시 장치의 휘도를 향상시킬 수 있다.
또한 제2 차폐 전극(192b)에 화소 전극(191)에 인가되는 전압 대비 낮은 제2 전압이 인가되는 경우 화소 전극(191)과 제2 차폐 전극(192b) 사이의 경계에서 발생하는 역방향 프린지 필드가 약할 수 있다. 제2 차폐 전극(192b)과 화소 전극(191) 사이에 위치하는 액정 분자(31)를 미세 가지부에 의해 배열되는 액정 분자(31)들과 나란하게 배열함으로써 표시 장치의 휘도를 향상시킬 수 있다.
반면 도 5에 도시된 바와 같이 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)에 동일한 전압(일 예로 공통 전압)이 인가되는 경우 세로 줄기부와 제1 차폐 전극(192a) 사이에 위치하는 액정 분자(31)와 미세 가지부와 중첩하는 액정 분자(31) 사이의 배열 방향이 충돌하여 암부가 발생될 수 있다. 이러한 암부에 의해 표시 장치의 휘도가 감소할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 미세 가지부(191c)가 위치하는 영역뿐만 아니라 차폐 전극(192a, 192b)에 인접하며 액정 분자(31)의 배열 제어가 용이하지 않은 영역까지 효과적으로 액정 분자(31)를 배열함으로써 보다 향상된 휘도의 표시 장치를 제공할 수 있다.
화소 전극(191)과 액정층(3) 사이, 그리고 차폐 전극(192a, 192b)과 액정층(3) 사이에 제1 배향막(11)이 위치할 수 있다.
색변환 표시판(300)은 박막 트랜지스터 표시판(100)과 중첩하는 기판(310)을 포함한다. 기판(310)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 차광 부재(320)가 위치한다. 보다 구체적으로 기판(310)과 후술할 색변환층(330R, 330G) 사이, 그리고 기판(310)과 후술할 투과층(330B) 사이에 차광 부재(320)가 위치한다.
차광 부재(320)는 제1 방향을 따라 적색 색변환층(330R)과 녹색 색변환층(330G) 사이, 녹색 색변환층(330G)과 투과층(330B) 사이, 그리고 투과층(330B)과 적색 색변환층(330R) 사이에 위치할 수 있다. 또한 차광 부재(320)는 제2 방향을 따라 인접한 적색 색변환층(330R)과 적색 색변환층(330R) 사이, 인접한 녹색 색변환층(330G)과 녹색 색변환층(330G) 사이, 그리고 인접한 투과층(330B)과 투과층(330B) 사이에도 위치할 수 있다. 차광 부재(320)는 평면 상 격자 또는 직선 형태를 가질 수 있다.
차광 부재(320)는 인접한 화소에서 방출되는 서로 다른 광의 혼색을 방지하고 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 배치되는 영역을 구획할 수 있다. 차광 부재(320)는 광을 차단(반사 또는 흡수)하기 위한 어떠한 재질도 가능할 수 있다.
기판(310) 및 차광 부재(320)와 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 청색광 컷팅 필터(325)가 위치할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 적색 색변환층(330R)과 기판(310) 사이 및 녹색 색변환층(330G)과 기판(310) 사이에 위치할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 적색 및 녹색을 방출하는 영역과 중첩하며 청색을 방출하는 영역과는 중첩하지 않을 수 있다.
청색광 컷팅 필터(325)는 적색 색변환층(330R)과 중첩하는 제1 영역 및 녹색 색변환층(330G)과 중첩하는 제2 영역을 포함하고, 상기 영역들은 서로 연결될 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고 제1 영역 및 제2 영역이 서로 이격되어 형성될 수도 있다. 제1 영역과 제2 영역이 서로 이격되어 위치하는 경우, 이격된 청색광 컷팅 필터(325)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
청색광 컷팅 필터(325)는 라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 청색광을 차단할 수 있다. 라이트 유닛(500)으로부터 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에 입사되는 청색광은 반도체 나노 결정(331R, 331G)에 의해 적색 또는 녹색으로 변환되는데, 일부 청색 광은 변환되지 않고 출광될 수 있다. 변환없이 출광되는 청색광은 적색광 또는 녹색광과 혼색되어 색재현율을 저하시킬 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 청색광이 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에서 흡수되지 않고 기판(310)을 통과하여 방출되는 것을 차단(흡수 또는 반사)할 수 있다.
청색광 컷팅 필터(325)는 전술한 효과를 수행하기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있으며, 일 예로 황색 색필터(Yellow color filter)를 포함할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 단일층 또는 복수층으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
한편 본 명세서는 기판(310)과 접촉하는 청색광 컷팅 필터(325)를 도시하였으나 이에 제한되지 않고 기판(310)과 청색광 컷팅 필터(325) 사이에 별도의 버퍼층(미도시)이 위치할 수 있다.
복수의 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)은 기판(310)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 위치할 수 있다. 복수의 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)은 제1 방향을 따라 교번하여 배열될 수 있다.
복수의 색변환층(330R, 330G)은 입사되는 광을 입사되는 광과 다른 파장을 가지는 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 복수의 색변환층(330R, 330G)은 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)을 포함할 수 있다. 투과층(330B)에서는 입사되는 광의 변환이 없으며 입사되는 광을 그대로 방출할 수 있다. 투과층(330B)에는 청색광이 입사되고 입사된 청색광이 그대로 방출될 수 있다.
적색 색변환층(330R)은 입사되는 청색광을 적색광으로 변환하는 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다. 제1 반도체 나노 결정(331R)은 형광체 및 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
녹색 색변환층(330G)은 입사되는 청색광을 녹색광으로 변환하는 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다. 제2 반도체 나노 결정(331G)은 형광체 및 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R) 및 제2 반도체 나노 결정(331G)에 포함되는 양자점(Quantum Dot)은 서로 독립적으로 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, GaAlNP, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며 이 범위에서 색순도나 색재현율을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되므로 시야각이 향상될 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R)이 적색 형광체를 포함하는 경우, 적색 형광체는 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, CaAlSiN3, CaMoO4 및 Eu2Si5N8을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 반도체 나노 결정(331G)이 녹색 형광체를 포함하는 경우, 녹색 형광체는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, 바리움마그네슘알루미네이트(BAM), 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON 및 (Sr1 - xBax)Si2O2N2을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 x는 0 내지 1 사이의 임의의 수일 수 있다.
투과층(330B)은 입사되는 광을 그대로 통과시킬 수 있다. 투과층(330B)은 청색광을 투과시키는 수지(resin)를 포함할 수 있다. 청색을 방출하는 영역에 위치하는 투과층(330B)은 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않고 입사된 청색을 그대로 통과시킨다.
도시하지 않았으나 투과층(330B)은 염료 및 안료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 염료 또는 안료를 포함하는 투과층(330B)은 외광 반사를 감소시키고 색순도가 향상된 청색광을 제공할 수 있다.
적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B) 중 적어도 하나는 산란체(332)를 더 포함할 수 있다. 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 포함하는 각각의 산란체(332)의 함량은 상이할 수 있다.
산란체(332)는 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)에서 변환되거나 통과하여 방출되는 광량을 증가시키고 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 제공할 수 있다.
산란체(332)는 입사되는 광을 고르게 산란시키기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있다. 산란체(332)는 일 예로 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)은 일 예로 감광성 수지를 포함할 수 있으며 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다. 또는 프린팅 공정이나 잉크젯 공정을 통해 형성될 수 있으며 이러한 공정에 의할 경우, 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)은 감광성 수지가 아닌 다른 물질을 포함할 수 있다. 본 명세서는 포토리소그래피 공정, 프린팅 공정 또는 잉크젯 공정에 의해 형성되는 색변환층 및 투과층에 대해 설명하였으나 이에 제한되지 않는다.
색변환층(330R, 330G)과 오버코팅막(350) 사이, 그리고 투과층(330B)과 오버코팅막(350) 사이에 광필터층(340)이 위치한다.
광필터층(340)은 특정 파장의 광을 투과시키고 상기 특정 파장의 광 이외의 광은 반사 또는 흡수하는 필터일 수 있다. 광필터층(340)은 고굴절률을 가지는 막과 저굴절률을 가지는 막이 복수회 교번하여 적층된 구조를 포함하며 이들 사이의 보강 및/또는 상쇄 간섭을 이용하여 특정 파장을 투과 및/또는 반사시킬 수 있다.
광필터층(340)은 TiO2, SiNx, SiOy, TiN, AlN, Al2O3, SnO2, WO3, ZrO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 일 예로 SiNx와 SiOy가 교번하여 적층된 구조일 수 있다. SiNx, SiOy에서 x, y는 화학조성비를 결정하는 요소로 막을 형성하는 공정 조건에 따라 조절될 수 있다.
실시예에 따라 광필터층(340)은 생략될 수 있으며 저굴절층 등으로 대체될 수 있다.
광필터층(340)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 오버코팅막(350)이 위치한다. 오버코팅막(350)은 기판(310) 전면과 중첩할 수 있다.
오버코팅막(350)은 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)의 일면을 평탄화시킬 수 있다. 오버코팅막(350)은 유기 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 평탄화 기능을 할 수 있는 어떠한 물질도 가능하다.
오버코팅막(350)과 액정층(3) 사이에 제2 편광층(22)이 위치할 수 있다. 제2 편광층(22)은 도포형 편광층, 코팅형 편광층, 인쇄형 편광층 등 어떠한 방법으로 형성된 편광층(22)도 포함할 수 있다. 일 예로 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer)이 사용될 수 있다. 제2 편광층(22)이 와이어 그리드 편광층인 경우, 제2 편광층(22)은 수 나노미터의 폭을 가지는 복수의 바(bar)를 포함할 수 있다.
제2 편광층(22)과 액정층(3) 사이에 절연층(360), 공통 전극(370) 및 제2 배향막(21)이 위치한다.
절연층(360)은 금속 재질의 제2 편광층(22)과 공통 전극(370)을 절연시키는 층으로 제2 편광층(22)이 금속 재질이 아닌 경우 생략될 수 있다. 공통 전압을 인가받는 공통 전극(370)은 전술한 화소 전극(191)과 전계를 형성할 수 있다. 본 명세서는 공통 전극(370)이 화소 전극(191)과 서로 다른 표시판에 위치하는 구성을 기재하였으나, 이에 제한되지 않고 동일한 표시판에 포함될 수 있다.
액정층(3)은 박막 트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(300) 사이에 위치하며 복수의 액정 분자(31)를 포함한다. 액정 분자(31)들의 움직임 정도 등에 따라 라이트 유닛(500)으로부터 수신된 광의 투과도를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따른 액정층(3)은 반응성 메조겐(Reactive Mesogen) 또는 반응성 메조겐의 중합체를 더 포함할 수 있다.
이하에서는 도 6을 참조하여 본 발명의 변형 실시예에 따른 표시 장치에 대해 살펴본다. 도 6은 도 2의 변형 실시예에 따른 표시 장치의 화소의 평면도이다. 앞서 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 구성요소와 동일한 설명에 대해서는 이하에서 설명을 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 화소 전극(191)은 가로 줄기부(191a), 세로 줄기부(191b) 및 가로 줄기부(191a)와 세로 줄기부(191b)로부터 대각 방향을 따라 연장된 미세 가지부(191c)를 포함한다. 일 실시예에 따르면 가로 줄기부(191a)는 세로 줄기부(191b)의 끝단과 직교하도록 연결될 수 있다. 일 화소 전극(191)은 가로 줄기부(191a) 및 세로 줄기부(191b)로부터 뻗어나와 일 대각 방향으로 연장된 복수의 미세 가지부(191c)를 포함할 수 있다.
화소 전극(191)의 세로 줄기부(191b)는 화소 전극(191)에 인가되는 전압 보다 높은 전압을 인가받는 제1 차폐 전극(192a)에 인접하게 위치할 수 있다. 제1 차폐 전극(192a)을 기준으로 제1 차폐 전극(192a)의 우측에 위치하는 일 화소는 제1 차폐 전극(192a)과 인접하도록 위치하는 세로 줄기부(191b)를 포함할 수 있으며 제1 차폐 전극(192a)의 좌측에 위치하는 일 화소 역시 제1 차폐 전극(192a)과 인접하도록 위치하는 세로 줄기부(191b)를 포함할 수 있다. 제1 차폐 전극(192a)을 기준으로 좌우에 위치하는 화소 전극(191)의 형태가 대칭일 수 있다.
인접한 2개의 제2 차폐 전극(192b) 사이에 위치하는 2개의 화소 전극(191)과 중첩하는 액정층(3)은 서로 다른 방향으로 액정 분자(31)가 배열된 2개의 도메인을 포함할 수 있다. 구체적으로 제1 차폐 전극(192a)을 기준으로 우측에 위치하는 화소 전극(191)은 우상향 방향으로 연장된 미세 가지부(191c)를 포함하고 제1 차폐 전극(192a)을 기준으로 좌측에 위치하는 화소 전극(191)은 좌상향 방향으로 연장된 미세 가지부(191c)를 포함할 수 있다. 인접한 2개의 화소 전극(191)과 중첩하는 액정층(3)은 액정 분자(31)의 배열 방향에 따라 구분되는 2개의 도메인을 포함할 수 있다.
본 명세서는 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)에 서로 다른 전압을 인가하는 실시예에 대해 설명하였다. 이에 제한되지 않고 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)에 동일한 전압이 인가될 수 있다. 제1 차폐 전극(192a)과 제2 차폐 전극(192b)에 동일한 전압(일 예로 공통 전압)이 인가되는 실시예에서는 화소 전극(191) 및 공통 전극(370)에 전압이 인가되지 않은 초기 상태의 액정 분자(31)의 배열을 제어하는 방법을 사용할 수 있다.
일 실시예에 따라 화소 전압(191) 및 공통 전극(370)에 전압이 인가되지 않은 상태에서 제1 차폐 전극(192a)과 인접한 세로 줄기부(191b) 사이에 위치하는 액정 분자(31)는 미세 가지부(191c)와 중첩하는 액정 분자(31)의 배열과 나란할 수 있다.
구체적으로 본원 발명에 따른 액정층(3)은 액정 화합물 및 반응성 메조겐을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터 표시판(100) 또는 색변환 표시판(300) 위에 액정 물질을 적하한 후 박막 트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(300)을 합착하는 방식으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
합착한 이후 화소 전극(191) 및 공통 전극(370)에 전압을 인가한 상태에서 자외선(UV)과 같은 광을 조사하는 전계 노광 공정이 수행된다. 그러면 적하된 액정 물질에 포함된 반응성 메조겐이 박막 트랜지스터 표시판(100) 또는 색변환 표시판(300) 쪽으로 이동하면서 배향 중합체를 포함하는 돌기를 형성할 수 있다. 돌기는 액정 분자(31)들이 화소 전극(191)의 미세 가지부(191c)의 길이 방향에 평행한 방향으로 선경사를 가지는 것을 도울 수 있다.
이러한 전계 노광 공정에서 제1 차폐 전극(192a)에는 화소 전극(191)에 인가되는 전압 보다 높은 제1 전압을 인가하고 제2 차폐 전극(192b)에는 화소 전극(191)에 인가되는 전압 보다 낮거나 동일한 수준의 제2 전압을 인가할 수 있다. 이에 따르면 도 4에서 설명한 바와 같이 제1 차폐 전극(192a)과 세로 줄기부(191b) 사이, 제2 차폐 전극(192b)과 화소 전극(191) 사이, 그리고 미세 가지부(191c)와 중첩하도록 위치하는 액정 분자(31)들의 배열 방향이 나란한 초기 상태를 제공할 수 있다.
전계 노광 공정에서 제1 차폐 전극(192a)에 제1 전압을 인가하고 제2 차폐 전극(192b)에 제2 전압을 인가하며, 표시 장치의 구동 중에는 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)에 동일한 전압을 인가하기 위한 어떠한 구성도 가능함은 물론이다. 일 예로 기판(110)은 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)에 동일한 전압을 인가하는 패드부를 포함하고, 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)에 다른 전압을 인가하기 위한 패드부는 제조 공정 중에 기판(110) 외측으로 연장되어 표시 장치의 제조 이후 제거되는 구성도 가능할 수 있다.
전술한 실시예를 통해서는 표시 장치의 구동 중에 제1 차폐 전극(192a) 및 제2 차폐 전극(192b)에 동일한 전압을 인가하더라도 액정 분자(31)의 초기 상태에 의한 영향으로 암부 발생 등에 의한 휘도 감소를 방지할 수 있다.
이하에서는 도 7을 참조하여 비교예 및 실시예에 따른 일 화소의 휘도 정도에 대해 살펴본다. 도 7은 비교예 1 내지 비교예 3, 실시예 1 내지 실시예 2에 따른 일 화소의 휘도 시뮬레이션 이미지이다.
도 7을 참조하면 비교예 1은 차폐 전극이 없으며 일 화소 전극과 중첩하는 액정층이 액정 분자의 배열 방향이 상이한 4개의 도메인을 포함하는 표시 장치이고, 비교예 2는 화소 전극의 테두리가 묶인 형태를 가지며 다른 조건은 비교예 1과 동일한 표시 장치이고, 비교예 3은 일 화소 전극과 중첩하는 액정층이 2개의 도메인을 포함하는 표시 장치이다. 실시예 1은 일 실시예에 따라 일 화소 전극과 중첩하는 액정층이 2 개의 도메인을 포함하고 제1 차폐 전극 및 제2 차폐 전극을 포함하는 표시 장치이고, 실시예 2는 일 화소 전극과 중첩하는 액정층이 1개의 도메인을 포함하며 제1 차폐 전극 및 제2 차폐 전극을 포함하는 표시 장치이다.
이들에 대해 휘도를 살펴본 결과, 비교예 1은 약 97%, 비교예 2는 약 100%, 비교예 3은 101.4%의 휘도를 나타냈다. 또한 실시예 1은 약 106.5%, 실시예 2는 약 106.7%의 휘도를 나타냈다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 비교예들 대비 약 6% 이상 향상된 휘도를 나타냄을 확인하였다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 박막 트랜지스터 표시판
191: 화소 전극
192a, 192b: 차폐 전극
300: 색변환 표시판
330R, 330G: 색변환층
331R, 331G: 반도체 나노 결정
330B: 투과층

Claims (20)

  1. 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판, 그리고
    상기 박막 트랜지스터 표시판과 중첩하는 색변환 표시판을 포함하며,
    상기 색변환 표시판은 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 그리고 투과층을 포함하고,
    상기 박막 트랜지스터 표시판은 인접한 화소 전극 사이에 교번하며 위치하는 제1 차폐 전극 및 제2 차폐 전극을 포함하며,
    상기 제1 차폐 전극 및 상기 제2 차폐 전극에 서로 다른 전압이 인가되는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 차폐 전극에 인가되는 전압은 상기 제2 차폐 전극에 인가되는 전압 보다 큰 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 차폐 전극은 상기 화소 전극에 인가되는 전압 보다 높은 전압을 인가받고 상기 제2 차폐 전극은 상기 화소 전극에 인가되는 전압과 동일하거나 낮은 전압을 인가 받는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 화소 전극은 세로 줄기부, 가로 줄기부 및 미세 가지부를 포함하고,
    상기 화소 전극은 상기 제1 차폐 전극 및 상기 제2 차폐 전극 사이에 위치하며 상기 세로 줄기부는 상기 제1 차폐 전극에 인접하게 위치하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 가로 줄기부는 상기 세로 줄기부의 중앙에서 직교하는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 화소 전극과 중첩하는 액정층은 액정 분자의 배열 방향이 상이한 2개의 도메인을 포함하는 표시 장치.
  7. 제4항에서,
    인접한 2개의 상기 화소 전극은 상기 제1 차폐 전극을 기준으로 대칭인 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 차폐 전극, 상기 제2 차폐 전극 및 상기 화소 전극은 동일한 층에 위치하는 표시 장치.
  9. 제4항에서,
    상기 세로 줄기부와 상기 제1 차폐 전극 사이에 위치하는 액정 분자는 상기 미세 가지부와 중첩하는 액정 분자와 나란하게 배열되는 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 색변환 표시판은,
    상기 색변환층과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이, 그리고 상기 투과층과 상기 박막 트랜지스터 표시판 사이에 위치하는 광필터층, 오버코팅막 및 편광층 중 적어도 하나를 더 포함하는 표시 장치.
  11. 박막 트랜지스터 표시판,
    상기 박막 트랜지스터 표시판과 중첩하는 색변환 표시판, 그리고
    상기 박막 트랜지스터 표시판과 상기 색변환 표시판 사이에 위치하며 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층을 포함하며,
    상기 색변환 표시판은 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 그리고 투과층을 포함하고,
    상기 박막 트랜지스터 표시판은,
    세로 줄기부, 가로 줄기부 및 미세 가지부를 포함하는 화소 전극, 그리고
    인접한 상기 화소 전극 사이에 위치하는 차폐 전극을 포함하며,
    상기 세로 줄기부와 상기 차폐 전극 사이에 위치하는 상기 액정 분자는 상기 미세 가지부와 중첩하는 상기 액정 분자와 나란하게 배열되는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 차폐 전극은 서로 다른 전압을 인가 받는 제1 차폐 전극 및 제2 차폐 전극을 포함하고,
    상기 제1 차폐 전극 및 상기 제2 차폐 전극은 상기 인접한 화소 전극 사이에 교번하며 위치하는 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 차폐 전극에 인가되는 전압은 상기 제2 차폐 전극에 인가되는 전압 보다 큰 표시 장치.
  14. 제11항에서,
    상기 미세 가지부는 상기 색변환층 및 상기 투과층과 중첩하는 표시 장치.
  15. 제11항에서,
    상기 색변환 표시판은 상기 색변환층 및 상기 투과층 사이에 위치하는 차광 부재를 더 포함하고,
    상기 차광 부재는 상기 차폐 전극과 중첩하는 표시 장치.
  16. 제11항에서,
    상기 화소 전극과 중첩하는 상기 액정층은 상기 액정 분자의 배열 방향이 상이한 2개의 도메인을 포함하는 표시 장치.
  17. 제12항에서,
    인접한 2개의 상기 화소 전극은 상기 제1 차폐 전극을 기준으로 대칭인 표시 장치.
  18. 제12항에서,
    상기 제1 차폐 전극, 상기 제2 차폐 전극 및 상기 화소 전극은 동일한 층에 위치하는 표시 장치.
  19. 제12항에서,
    상기 제1 차폐 전극은 상기 화소 전극에 인가되는 전압 보다 높은 전압을 인가 받고, 상기 제2 차폐 전극은 상기 화소 전극에 인가되는 전압과 동일하거나 낮은 전압을 인가 받는 표시 장치.
  20. 제12항에서,
    복수의 상기 제1 차폐 전극은 서로 연결되고, 복수의 상기 제2 차폐 전극은 서로 연결되는 표시 장치.
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