CN104904032B - 用于电子应用的吩噁硅类化合物 - Google Patents

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Abstract

包含至少一种取代的吩噁硅衍生物的有机电子应用，尤其是有机发光二极管(OLED)、有机太阳能电池(有机光伏器件)或转换元件如有机晶体管，例如有机FET(场效应晶体管)和有机TFT(薄膜晶体管)，包含至少一种取代的吩噁硅衍生物的有机半导体层、主体材料、电子/空穴/激子阻挡材料或电子/空穴注入材料，取代的吩噁硅衍生物在有机电子应用中的用途，其中至少一种取代的吩噁硅衍生物存在于电子/空穴/激子阻挡层、电子/空穴注入层和/或发光层中的有机发光二极管，包含至少一种取代的吩噁硅衍生物的发光层、电子/空穴/激子阻挡层和电子/空穴注入层，以及包含本发明至少一个有机发光二极管、至少一个发光层、至少一个电子/空穴/激子阻挡层和/或至少一个电子/空穴注入层的器件，所述器件选自固定视觉显示装置、移动视觉显示装置；照明装置；键盘；服装；家具和壁纸。

Description

用于电子应用的吩噁硅类化合物
本发明涉及包含至少一种取代的吩噁硅(phenoxasiline)衍生物的有机电子应用，尤其是有机发光二极管(OLED)，有机太阳能电池(有机光伏器件)或转换元件，例如有机晶体管，例如有机FET(场效应晶体管)和有机TFT(薄膜晶体管)，包含至少一种取代的吩噁硅衍生物的有机半导体层、主体材料、电子/空穴/激子阻挡材料或电子/空穴注入材料，取代的吩噁硅衍生物在有机电子应用中的用途，其中至少一种取代的吩噁硅衍生物存在于电子/空穴/激子阻挡层、电子/空穴注入层和/或发光层中的有机发光二极管，包含至少一种取代的吩噁硅衍生物的发光层、电子/空穴/激子阻挡层和电子/空穴注入层，和包含根据本发明的至少一个有机发光二极管、至少一个发光层、至少一个电子/空穴/激子阻挡层和/或至少一个电子/空穴注入层的器件，其选自固定视觉显示装置，例如计算机、电视机中的视觉显示装置，打印机、厨房电器和广告牌、照明、信息板中的视觉显示装置；和移动视觉显示装置，例如智能手机、无线电话、便携式电脑、数码相机、MP3播放器、车辆中的视觉显示装置，以及公共汽车和火车上的目的地显示器；照明装置；键盘；服装；家具和壁纸。
有机电子学是电子学的一个子领域，其使用包含聚合物或较小有机化合物的电子电路。有机电子学的应用领域是聚合物或较小有机化合物在有机发光二极管(OLED)中的应用，在有机太阳能电池(有机光伏器件)中，和在转换元件，例如有机晶体管如有机FET和有机TFT中的应用。
合适的新型有机材料的使用因此容许提供基于有机电子学的各种新型组件，例如显示器、传感器、晶体管、数据存储器或光伏电池。这使得以低成本开发薄、轻、灵活和可生产的新应用成为可能。
本申请的优选应用领域是较小有机化合物在有机发光二极管中的应用。
有机发光二极管(OLED)利用当材料通过电激发而激发时它们发光的性能。OLED作为阴极射线管和液晶显示器的替代品生产平面视觉显示装置特别有意义。由于非常紧凑的设计和固有的低功耗，包含OLED的器件尤其适于移动应用，例如用于智能手机、无线电话、便携式电脑等中的应用和用于照明。
OLED工作方式的基本原理和合适的OLED结构(层)例如描述于WO 2005/113704和其中引用的文献中。
除荧光材料(荧光发射体)外，所用发光材料(发射体)可以为磷光材料(磷光发射体)。与显示出单态发射的荧光发射体不同，磷光发射体通常为显示出三重态发射的有机金属配合物(M.A.Baldow等人，Appl.Phys.Lett.1999，75，4-6)。由于量子-机械原因，当使用磷光发射体时，高达4倍的量子效率、能量效率和功率效率是可能的。
特别有意义的是具有低操作电压、高效率、高效力、对热应力的高耐久性和长工作寿命的有机发光二极管。
在实践中为实现上述性能，不仅需要提供合适的发射体材料，而且还必须使OLED的其它组分(补充材料)在合适的器件组合物中相互平衡。这类器件组合物可例如包含实际发光体以分布形式存在于其中的特殊主体(基体)材料。另外，组合物可包含阻挡材料，空穴阻挡体、激子阻挡体和/或电子阻挡体可存在于器件组合物中。另外或作为选择，器件组合物可进一步包含空穴注入材料和/或电子注入材料和/或电荷传输材料如空穴传输材料和/或电子传输材料。与实际发光体组合使用的上述材料的选择对OLED的参数，包括效率和寿命以及使用和工作电压具有显著影响。
现有技术提出了大量不同的材料用于OLED的不同层中。
吩噁硅在有机电子应用中的使用仅泛泛地描述于很少的现有技术文件中。
JP-A 2003096072和EP 1 341 403 A1涉及下式的螺环化合物在OLED中的用途：
其中Z为C或Si，且A1和A2各自选自单键、取代或未取代的烷基链、醚链、硫醚链、酮链和取代或未取代的氨基链。
根据JP-A 2003096072，螺环化合物作为发光物质用于OLED中。
JP-A 2004253298涉及具有高效率和长寿命的发均匀白光的有机电致发光元件。根据JP-A 2004253298的OLED包含选自大量不同化合物的荧光化合物。荧光化合物可以为例如下式的化合物：
其中Z1选自CR15R16、O、S和SiR17R18。
JP-A 2003243178涉及具有高发光亮度和耐久性的OLED。该OLED包含至少一种下式的化合物：
其中Z1选自CR15R16、O、S和SiR17R18。
相对于现有技术，本申请的目的是提供用于有机电子应用如OLED、有机太阳能电池和转换元件，尤其是用于OLED的新型器件组合物，其包含用于改进OLED、有机太阳能电池和转换元件，尤其是OLED的性能的材料。适于新型器件组合物的材料应具有良好的可得性和稳定性，并且在OLED的情况下与用于OLED中的发射体组合在OLED中产生高效率以及长寿命和低驱动电压。更特别地，本申请的目的是提供产生OLED、有机太阳能电池和转换元件，尤其是OLED中的长寿命的材料。另外，提供具有高效率和色纯度的OLED。
该目的通过提供包含至少一种式(I)化合物的有机电子应用，尤其是有机发光二极管(OLED)、有机太阳能电池或转换元件，优选有机发光二极管(OLED)实现：
其中：
R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基或者具有给体或受体作用的取代基，所述具有给体或受体作用的取代基选自C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR10R11R12、卤素基团、卤化C1-C20烷基、羰基(-CO(R10))、羰硫基(-C＝O(SR10))、羰氧基(-C＝O(OR10))、氧基羰基(-OC＝O(R10))、硫羰基(-SC＝O(R10))、氨基(-NR10R11)、OH、拟卤素基团、酰氨基(-C＝O(NR10))、-NR10C＝O(R11)、膦酸酯(-P(O)(OR10)2)、磷酸酯(-OP(O)(OR10)2)、膦(-PR10R11)、氧化膦(-P(O)R10 2)、硫酸酯(-OS(O)2OR10)、亚砜(-S(O)R10)、磺酸酯(-S(O)2OR10)、磺酰基(-S(O)2R10)、磺酰胺(-S(O)2NR10R11)、NO2、硼酸酯(-OB(OR10)2)、亚氨基(-C＝NR10R11)、硼烷基、锡烷基、肼基、腙基、肟基、亚硝基、重氮基、乙烯基、亚硫酰亚胺(sulfoximines)、铝烷、锗烷、boroximes和环硼氮烷；
或者两个相邻的R1、R2、R3、R4、R5、R6或R7基团每种情况下与它们键合的碳原子一起形成具有总计3-12个原子的环，其中环可以为饱和或者单-或多不饱和的并且除碳原子外可具有一个或多个选自N、O和P的杂原子，其中环可以为未取代或者单-或多取代的和/或可与其它3-12元环稠合；
R8和R9各自独立地为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基或具有5-30个环原子的杂芳基；
R10、R11、R12各自独立地为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、-O-Si(C1-C20烷基)3、-O-Si(C6-C30芳基)3、C1-C20烷氧基或C6-C30芳氧基；
或者两个相邻的R10和R11、R10和R12或R11和R12基团与它们键合的原子一起形成具有总计3-12个原子的环，其中环可以为饱和或者单-或多不饱和的并且除R10、R11或R12基团键合的原子外，可具有仅碳原子或者一个或多个选自N、O和P的其它杂原子，其中环可以为未取代或者单-或多取代的和/或可与其它3-12元环稠合；
Y为C2-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基或者具有给体或受体作用的取代基，所述具有给体或受体作用的取代基选自C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR10R11R12、卤素基团、卤化C1-C20烷基、羰基(-CO(R10))、羰硫基(-C＝O(SR10))、羰氧基(-C＝O(OR10))、氧基羰基(-OC＝O(R10))、硫羰基(-SC＝O(R10))、氨基(-NR10R11)、OH、拟卤素基团、酰氨基(-C＝O(NR10))、-NR10C＝O(R11)、膦酸酯(-P(O)(OR10)2)、磷酸酯(-OP(O)(OR10)2)、膦(-PR10R11)、氧化膦(-P(O)R10 2)、硫酸酯(-OS(O)2OR10)、亚砜(-S(O)R10)、磺酸酯(-S(O)2OR10)、磺酰基(-S(O)2R10)、磺酰胺(-S(O)2NR10R11)、NO2、硼酸酯(-OB(OR10)2)、亚氨基(-C＝NR10R11)、硼烷基、锡烷基、肼基、腙基、肟基、亚硝基、重氮基、乙烯基、亚硫酰亚胺、铝烷、锗烷、boroximes和环硼氮烷；优选具有5-30个环原子的杂芳基，所述杂芳基选自吡咯基、呋喃基、噻吩基，吡咯基、呋喃基、噻吩基的苯并稠合环体系，例如苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、异中氮茚基、咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、吡唑基、咪唑基、噻唑基、唑基、三唑基和菲咯啉基；或者SiR10R11R12。
在本申请上下文中，“有机电子应用”意指“有机电子器件”。
通过使用被至少一个取代基Y取代的式(I)吩噁硅衍生物，得到具有长寿命、低驱动电压和高效率的有机电子应用，尤其是OLED、有机太阳能电池和转换元件，优选OLED。另外，在具有根据本发明使用的式(I)吩噁硅衍生物的OLED中，避免了会导致效率和色纯度损失的有问题的集聚和激发复合体形成。因此，根据本发明可提供具有长寿命的高效且纯色OLED或者具有长寿命的有机太阳能电池和转换元件。
已发现，式(I)吩噁硅衍生物特别适用于其中需要电荷载流子输送和注入性能的应用中，尤其是用于有机电子应用中，例如选自转换元件，例如有机晶体管如有机FET(场效应晶体管)和有机TFT(薄膜晶体管)、有机太阳能电池和有机发光二极管(OLED)，OLED中的式(I)吩噁硅衍生物特别适用作主体(基体)材料，优选用于发光层中，和/或用作电子/空穴/激子传输材料和/或用作电子/空穴/激子阻挡材料和/或用作电子/空穴/激子注入材料，尤其是与磷光发射体组合，或者作为有机半导体层。
在术语“电子/空穴/激子传输材料”或层、“电子/空穴/激子阻挡材料”或层和“电子/空穴/激子注入材料”或层中，应当分别理解为“电子/激子传输材料”或层或者“空穴/激子传输材料”或层；“电子/激子阻挡材料”或层或者“空穴/激子阻挡材料”或层；“电子/激子注入材料”或层或者“空穴/激子注入材料”或层。
在式(I)吩噁硅衍生物用于OLED中的情况下，得到具有良好效率和长寿命且尤其可在低使用和工作电压下操作的OLED。另外，OLED具有高色纯度。对于蓝色、绿色和红色，尤其是蓝色发射体，例如浅蓝或深蓝发射体，尤其是磷光发射体的这些，式(I)吩噁硅衍生物尤其适用作主体(基体)和/或电子/空穴/激子传输材料、电子/空穴/激子阻挡材料和/或电子/空穴注入材料。式(I)吩噁硅衍生物的高三重态能级足以将浅蓝色以及深蓝色激子限制在发射层中。因此，通过使用式(I)吩噁硅衍生物而得到非常有效的发蓝光OLED。另外，式(I)吩噁硅衍生物可作为主体(基体)和/或电子/空穴/激子传输材料、电子/空穴/激子阻挡材料和/或电子/空穴注入材料用于选自转换元件和有机太阳能电池的有机电子应用中。
根据本发明使用的式(I)吩噁硅衍生物可优选用作OLED的发光层E或任何其它层中的主体(基体)材料，优选用作发光层E中的主体(基体)材料、用作电子/空穴/激子传输材料、用作电子/空穴/激子阻挡体或者用作电子/空穴/激子注入材料。OLED的相应层是本领域技术人员已知的且例如描述于WO 2005/113704或WO 2005/019373中。优选使用根据本发明使用的式(I)吩噁硅衍生物作为主体(基体)材料或电子/空穴/激子传输材料。
C1-C20烷基应当理解意指具有1-20个碳原子的取代或未取代烷基。优选C1-C10烷基，特别优选C1-C6烷基。烷基可以为直链或者支化或环状的，其中在环烷基的情况下烷基具有至少3个碳原子。另外，烷基可被一个或多个取代基取代，所述取代基选自C1-C20烷氧基，卤素，优选F，和C6-C30芳基，所述C6-C30芳基又可以为取代或未取代的。合适的芳基取代基以及合适的烷氧基和卤素取代基描述于下文中。合适烷基的实例为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基和辛基，以及被C6-C30芳基、C1-C20烷氧基和/或卤素，尤其是F取代的所述烷基的衍生物，例如CF3。这包括所述基团的正异构体和支化异构体，例如异丙基、异丁基、异戊基、仲丁基、叔丁基、新戊基、3,3-二甲基丁基、3-乙基己基等。优选的烷基为甲基、乙基、叔丁基和CF3。
也可未被取代或者被对烷基所述的以上基团取代的合适环烷基(C3-C20环烷基)的实例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基和环癸基。这些也可任选为多环环体系，例如芴基、十氢化萘基、降冰片基、莰烷基或金刚烷基。
具有3-20个环原子的杂环烷基应当理解意指衍生自上述环烷基的具有3-20个环原子的取代或未取代杂环烷基，其中环烷基基础骨架中的环原子中的至少一个原子被杂原子替代。优选的杂原子为N、O、Si和S。优选的杂环烷基具有选自以下体系的基础骨架，例如吡咯烷基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、哌啶基、四氢吡喃基、四氢噻喃基、哌嗪基、吗啉基、氮杂硅杂环己烯基(azasilinyl)、氧杂硅杂环己烯基(oxasilinyl)。这些还可任选稠合形成多环环体系，例如与一个或两个6元芳族基团稠合。合适的稠合体系为例如吩噁硅基或吩吖硅基(phenazasilinyl)。基础骨架可在一个、多于一个或所有可取代位置上被取代，合适的取代基为下文在C6-C30芳基的定义中描述的那些。然而，杂环烷基优选未被取代或者被前文提到的一个取代基取代。
优选的吩噁硅基基团为式(I’)基团：
其中取代基Y‘、R1‘、R2’、R3’、R4’、R5’、R7’R8’和R9’独立地具有与式(I)吩噁硅衍生物中的取代基Y、R1、R2、R3、R4、R5、R7、R8和R9相同的含义。
符号～意指在以～标记的位置上存在键合部位。
合适的C1-C20烷氧基和C1-C20烷硫基相应地衍生自上述C1-C20烷基。此处实例包括OCH3、OC2H5、OC3H7、OC4H9和OC8H17以及SCH3、SC2H5、SC3H7、SC4H9和SC8H17。C3H7、C4H9和C8H17包括正异构体和支化异构体，例如异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基和2-乙基己基。特别优选的烷氧基或烷硫基为甲氧基、乙氧基、正辛氧基、2-乙基己氧基和SCH3。
在本申请上下文中，合适的卤素基团或卤素取代基为氟、氯、溴和碘，优选氟、氯和溴，更优选氟和氯，最优选氟。
在本申请上下文中，合适的拟卤素基团为CN、SCN、OCN、N3和SeCN，优选CN和SCN。非常特别优选CN。
在本发明中，C6-C30芳基指衍生自不包含任何环杂原子的单环、二环或三环芳族化合物的基团。当体系不是单环体系时，在“芳基”的情况下的第二个环也可以使饱和形式(全氢形式)或部分不饱和形式(例如二氢形式或四氢形式)，只要特定形式是已知且稳定的。换言之，在本发明中，术语“芳基”还包括例如其中两个或所有三个基团为芳族的二环或三环基团，以及其中仅一个环为芳族的二环或三环基团，以及其中两个环为芳族的三环基团。芳基的实例为：苯基、萘基、茚满基、1,2-二氢萘基、1,4-二氢萘基、茚基、蒽基、菲基或1,2,3,4-四氢萘基。特别优选C6-C10芳基，例如苯基或萘基，非常特别优选C6芳基，例如苯基。
C6-C30芳基可以未被取代或者被一个或多个其它基团取代。合适的其它基团选自C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基或者具有给体或受体作用的取代基，合适的具有给体或受体作用的取代基描述于下文中。C6-C30芳基优选未被取代或者被一个或多个C1-C20烷氧基、CN、CF3、F或氨基取代(NR10R11，其中合适的R10和R11基团如上所述)。最优选未被取代的苯基或者被吩噁硅基基团取代的苯基，其中优选的吩噁硅基基团为如前文所述式(I’)的吩噁硅基基团。
合适的C6-C30芳氧基、C6-C30烷硫基相应地衍生自上述C6-C30芳基。特别优选苯氧基和苯硫基。
具有5-30个环原子的杂芳基应当理解意指衍生自上述芳基的未取代或取代单环、二环或三环杂芳族化合物，其中芳基基础骨架中的至少一个碳原子被杂原子替代。优选的杂原子为N、O、Si和S。杂芳基更优选具有5-13个环原子。尤其优选，杂芳基的基础骨架选自诸如吡啶的体系和5元杂芳族化合物如噻吩、吡咯、咪唑、噻咯(silole)或呋喃。这些基础骨架可任选与1或2个6元芳族基团稠合。合适的稠合杂芳族化合物为咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。基础骨架可在一个、多于一个或所有可取代位置上被取代，合适的取代基与在C6-C30芳基的定义中已描述的那些相同。然而，杂芳基优选未被取代或者被吩噁硅基基团取代，其中优选的吩噁硅基基团为如前文所述式(I’)的吩噁硅基基团。合适的杂芳基为例如吡啶-2-基、吡啶-3-基、吡啶-4-基、噻吩-2-基、噻吩-3-基、吡咯-2-基、吡咯-3-基、呋喃-2-基、呋喃-3-基和咪唑-2-基，以及相应的苯并稠合基团，尤其是咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。其它优选的杂芳基在下文对式(I)化合物的具体基团的讨论中提到。
在本申请上下文中，具有给体或受体作用的基团应当理解意指以下基团：
C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR10R11R12、卤素基团、卤化C1-C20烷基、羰基(-CO(R10))、羰硫基(-C＝O(SR10))、羰氧基(-C＝O(OR10))、氧羰基(-OC＝O(R10))、硫羰基(-SC＝O(R10))、氨基(-NR10R11)、OH、拟卤素基团、酰氨基(-C＝O(NR10))、-NR10C＝O(R11)、膦酸酯(-P(O)(OR10)2)、磷酸酯(-OP(O)(OR10)2)、膦(-PR10R11)、氧化膦(-P(O)R10 2)、硫酸酯(-OS(O)2OR10)、亚砜(-S(O)R10)、磺酸酯(-S(O)2OR10)、磺酰基(-S(O)2R10)、磺酰胺(-S(O)2NR10R11)、NO2、硼酸酯(-OB(OR10)2)、亚氨基(-C＝NR10R11)、硼烷基、锡烷基、肼基、腙基、肟基、亚硝基、重氮基、乙烯基和硼酸基团、亚硫酰亚胺、铝烷、锗烷、boroximes和环硼氮烷。
优选的具有给体或受体作用的取代基选自：C1-C20烷氧基，优选C1-C6烷氧基，更优选乙氧基或甲氧基；C6-C30芳氧基，优选C6-C10芳氧基，更优选苯氧基；SiR10R11R12，其中R10、R11和R12优选各自独立地为取代或未取代烷基或者取代或未取代的苯基；更优选，R10、R11或R12基团中的至少一个为取代或未取代的苯基；最优选，R10、R11或R12基团中的至少一个为取代苯基，其中合适的取代基为上文描述的；卤素基团，优选F、Cl、Br，更优选F或Cl，最优选F，卤化C1-C20烷基，优选卤化C1-C6烷基，最优选氟化C1-C6烷基，例如CF3、CH2F、CHF2或C2F5；氨基，优选二甲基氨基、二乙基氨基或二苯基氨基；OH，拟卤素基团，CN、SCN或OCN，更优选CN，-C(O)OC1-C4烷基，优选–C(O)OMe，P(O)R2，优选P(O)Ph2或SO2R2，优选SO2Ph。
非常特别优选的具有给体或受体作用的取代基选自甲氧基、苯氧基、卤化C1-C4烷基，优选CF3、CH2F、CHF2、C2F5，卤素，优选F，CN，SiR10R11R12，二苯基氨基，-C(O)OC1-C4烷基，优选–C(O)OMe，P(O)Ph2，SO2Ph。
上述具有给体或受体作用的基团不意欲排除其它上述基团也可具有给体或受体作用的可能性。例如，上述杂芳基也是具有给体或受体作用的基团，C1-C20烷基基团为具有给体作用的基团。
上述具有给体或受体作用的基团中提到的R10、R11和R12基团各自具有上文已经提到以及下文提到的定义。
优选R10、R11、R12各自独立地为C6-C30芳基，更优选苯基，其甚至更优选为未被取代的。
式(I)吩噁硅衍生物中的基团Y为C2-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基或者具有给体或受体作用的取代基，所述具有给体或受体作用的取代基选自C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR10R11R12、卤素基团、卤化C1-C20烷基、羰基(-CO(R10))、羰硫基(-C＝O(SR10))、羰氧基(-C＝O(OR10))、氧羰基(-OC＝O(R10))、硫羰基(-SC＝O(R10))、氨基(-NR10R11)、OH、拟卤素基团、酰氨基(-C＝O(NR10))、-NR10C＝O(R11)、膦酸酯(-P(O)(OR10)2)、磷酸酯(-OP(O)(OR10)2)、膦(-PR10R11)、氧化膦(-P(O)R10 2)、硫酸酯(-OS(O)2OR10)、亚砜(-S(O)R10)、磺酸酯(-S(O)2OR10)、磺酰基(-S(O)2R10)、磺酰胺(-S(O)2NR10R11)、NO2、硼酸酯(-OB(OR10)2)、亚氨基(-C＝NR10R11)、硼烷基、锡烷基、肼基、腙基、肟基、亚硝基、重氮基、乙烯基、亚硫酰亚胺、铝烷、锗烷、boroximes和环硼氮烷；且
R10、R11和R12各自独立地为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、-O-Si(C1-C20烷基)3、-O-Si(C6-C30芳基)3、C1-C20烷氧基或C6-C30芳氧基；优选C6-C30芳基，更优选苯基；
或者两个相邻的R10和R11、R10和R12或R11和R12基团与它们键合的原子一起形成具有总计3-12个原子的环，其中环可以为饱和或者单-或多不饱和的并且除R10、R11或R12基团键合的原子外，可具有仅碳原子或者一个或多个选自N、O和P的其它杂原子，其中环可以为未取代或者单-或多取代的和/或可与其它3-12元环稠合。
优选Y为具有5-30个环原子的杂芳基，所述杂芳基选自吡咯基、呋喃基、噻吩基，吡咯基、呋喃基、噻吩基的苯并稠合环体系，例如苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、异中氮茚基、咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、吡唑基、咪唑基、噻唑基、唑基、三唑基和菲咯啉基；或者SiR10R11R12；且
R10、R11和R12各自独立地为C6-C30芳基，优选苯基。
最优选，Y选自未取代或取代的吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、异中氮茚基、咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和SiPh3。
甚至更优选，Y选自：
和SiPh3，
其中：
X为NR10、O或S，
R10为C1-C20烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、-O-Si(C1-C20烷基)3、-O-Si(C6-C30芳基)3、C1-C20烷氧基或C6-C30芳氧基；优选C6-C30芳基，更优选苯基，且
R13为H或式(I’)的吩噁硅基，优选H，
符号～意指在以～标记的位置上存在键合部位。
甚至更优选，Y选自：
和SiPh3，
其中：
R13为H或式(I’)的吩噁硅基，优选H，
符号～意指在以～标记的位置上存在键合部位。
式(I)吩噁硅中的R8和R9各自独立地为C1-C20烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基。
优选，R8和R9各自独立地为C6-C30芳基或具有5-30个环原子的杂芳基。
更优选，R8和R9各自独立地为苯基，其最优选为未被取代的，二苯并呋喃基或咔唑基。
甚至更优选，R8和R9各自独立地为未取代的苯基，
其中R10为C1-C20烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、-O-Si(C1-C20烷基)3、-O-Si(C6-C30芳基)3、C1-C20烷氧基或C6-C30芳氧基；
优选C6-C30芳基，更优选苯基，且
R13为H或式(I’)的吩噁硅基，优选H，
符号～意指在以～标记的位置上存在键合部位。
在一个优选实施方案中，式(I)化合物中的R8和R9是相同的。
式(I)吩噁硅衍生物中的R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基或者具有给体或受体作用的取代基，所述具有给体或受体作用的取代基选自C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR10R11R12、卤素基团、卤化C1-C20烷基、羰基(-CO(R10))、羰硫基(-C＝O(SR10))、羰氧基(-C＝O(OR10))、氧羰基(-OC＝O(R10))、硫羰基(-SC＝O(R10))、氨基(-NR10R11)、OH、拟卤素基团、酰氨基(-C＝O(NR10))、-NR10C＝O(R11)、膦酸酯(-P(O)(OR10)2)、磷酸酯(-OP(O)(OR10)2)、膦(-PR10R11)、氧化膦(-P(O)R10 2)、硫酸酯(-OS(O)2OR10)、亚砜(-S(O)R10)、磺酸酯(-S(O)2OR10)、磺酰基(-S(O)2R10)、磺酰胺(-S(O)2NR10R11)、NO2、硼酸酯(-OB(OR10)2)、亚氨基(-C＝NR10R11)、硼烷基、锡烷基、肼基、腙基、肟基、亚硝基、重氮基、乙烯基、亚硫酰亚胺、铝烷、锗烷、boroximes和环硼氮烷；
或者两个相邻的R1、R2、R3、R4、R5、R6或R7基团每种情况下与它们键合的碳原子一起形成具有总计3-12个原子的环，其中环可以为饱和或者单-或多不饱和的并且除碳原子外可具有一个或多个选自N、O和P的杂原子，其中环可以为未取代或者单-或多取代的和/或可与其它3-12元环稠合。
优选，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、甲氧基、苯氧基、卤化C1-C4烷基，优选CF3、CH2F、CHF2、C2F5，卤素，优选F，CN、SiR10R11R12、二苯基氨基或-C(O)OC1-C4烷基，优选–C(O)OMe，P(O)Ph2、SO2Ph。
更优选，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、甲氧基、苯氧基、卤化C1-C4烷基，优选CF3、CH2F、CHF2、C2F5，卤素，优选F，CN、SiR10R11R12、P(O)Ph2或二苯基氨基。
在一个优选实施方案中，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自为氢或R1、R2、R5、R6和R7各自为氢且R3和R4各自独立地为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、甲氧基、苯氧基、卤化C1-C4烷基，优选CF3、CH2F、CHF2、C2F5，卤素，优选F，CN、SiR10R11R12、P(O)Ph2或二苯基氨基，优选甲基、苯基、咔唑基、二苯并呋喃基、甲氧基、苯氧基、CF3、CH2F、CHF2、C2F5、F、CN、SiR10R11R12、P(O)Ph2或二苯基氨基。R3和R4可以为相同或不同的。
在另一优选实施方案中，基团R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中的一个具有前文提到的含义，氢除外，优选C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、甲氧基、苯氧基、卤化C1-C4烷基，优选CF3、CH2F、CHF2、C2F5，卤素，优选F，CN、SiR10R11R12、P(O)Ph2或二苯基氨基，且所有其它基团R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7为氢。优选，不是氢的基团为R6。更优选，基团R6具有与Y相同的含义。Y的优选含义也是R6的优选含义。Y和R6可以为相同或不同的。
在另一优选实施方案中，R6以及R3和R4具有前文提到的含义，氢除外，优选，R3和R4为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、甲氧基、苯氧基、卤化C1-C4烷基，优选CF3、CH2F、CHF2、C2F5，卤素，优选F，CN、SiR10R11R12、P(O)Ph2或二苯基氨基，且所有其它基团R1、R2、R5和R7为氢。R3和R4可以为相同或不同的。更优选，基团R6具有与Y相同的含义。Y的优选含义也是R6的优选含义。Y和R6可以为相同或不同的。甚至更优选，R3和R4各自独立地为甲基、苯基、咔唑基、二苯并呋喃基、甲氧基、苯氧基、CF3、CH2F、CHF2、C2F5、F、CN、SiR10R11R12、P(O)Ph2或二苯基氨基。
在本发明的一个优选实施方案中，式(I)化合物选自式(Ia)、(Ib)、(Ic)和(Id)的化合物：
其中基团R3、R4、R6、R8、R9和Y具有前文提到的含义，优选基团R6具有与Y相同的含义。Y的优选含义也是R6的优选含义，其中，式(Ib)和(Id)中的Y和R6可以为相同或不同的。
在本发明甚至更优选的实施方案中，式(I)化合物选自式(Ib)和(Id)的化合物。
最优选的式(I)化合物的实例为：
其中：
R6选自氢，
和SiPh3，
其中：
X为NPh、O或S，
R3、R4相互独立地为甲基、苯基、咔唑基、二苯并呋喃基、甲氧基、苯氧基、CF3、CH2F、CHF2、C2F5、F、CN、SiR10R11R12、P(O)Ph2或二苯基氨基，且
R13为H或式(I’)的吩噁硅基，优选H。
符号～意指在以～标记的位置上存在键合部位。
优选，R6选自：
和SiPh3，
其中：
X为NPh或O，且
R13为H或式(I’)的吩噁硅基，优选H。
符号～意指在以～标记的位置上存在键合部位。
最优选的式(I)化合物为：
式(I)化合物可通过以下方法制备：
I)制备官能化吩噁硅结构单元(A)
R6不为H的情况：
在R6为H的情况下，R6位置上的Hal取代基必须被H替代。
其中R1、R2、R3、R4、R5、R7、R8和R9具有上述含义，且Hal为Br或Cl。
Ii)步骤i)制备卤化二苯醚
其中基团R1、R2、R3、R4、R5和R7具有上文提到的含义，且
Hal2为Br2或Cl2，
cat.为催化剂，优选Fe，且
solvent为溶剂，优选非质子溶剂，更优选CCl4。
在一个优选实施方案中，将二苯醚、催化剂和溶剂加热至通常50℃至100℃，优选60℃至90℃，通常加热1-100小时，优选6-50小时。然后加入在非质子溶剂，优选与前文提到的溶剂相同的溶剂中的Hal2，通常将温度保持在50℃至100℃，优选60℃至90℃通常10分钟至6小时，通常保持优选30分钟至1.5小时。然后将反应混合物如本领域技术人员已知的那样后处理。优选将所得产物通过再结晶提纯。
催化剂相对于二苯醚通常以催化量(摩尔比)使用。催化剂与二苯醚的摩尔比优选为0.01-0.1:1，更优选0.03-0.08:1。
Hal2通常以相对于二苯醚过量(摩尔比)使用。Hal2与二苯醚的摩尔比优选为1.5-10:1，更优选2.5-8:1。
Iii)步骤ii)制备官能化吩噁硅结构单元(A)
其中基团R1、R2、R3、R4、R5、R7、R8和R9具有上文提到的含义，且Hal为Br或Cl，
base为碱，优选n-BuLi，且
solvent为质子溶剂，优选Et2O。
在一个优选实施方案中，通常在-50℃至-5℃，优选-20℃至-7℃下将步骤i)的卤化二苯醚与碱，优选n-BuLi，在上述溶剂中混合。碱优选逐滴加入。其后，将混合物在室温下搅拌通常1-10小时，优选1.5-5小时。然后将混合物冷却至通常-100℃至-30℃，优选-80℃至-50℃，并加入，优选逐滴加入R8 2SiHal2和/或R9 2SiHal2，在一个实例中为二氯二苯基硅烷。通常在室温下将所得混合物搅拌通常1-30小时，优选5-25小时，并通常在进一步后处理以前将所得沉淀物过滤。然后将反应混合物如本领域技术人员已知的那样后处理。所得产物优选通过层析法进一步提纯。
R8 2SiHal2和/或R9 2SiHal2通常相对于卤化二苯醚等摩尔量(摩尔比)使用。R8 2SiHal2和/或R9 2SiHal2与卤化二苯醚的摩尔比优选为1.5:1，更优选1.3-1:1。如果使用R8 2SiHal2和R9 2SiHal2，则R8 2SiHal2和R9 2SiHal2以等摩尔量使用，且R8 2SiHal2和R9 2SiHal2的和为上文对卤化二苯醚提到的摩尔量。
Iiii)步骤iii)将R3和R4引入结构单元(A)中
如果式(I)化合物中的R3和/或R4不是氢且在步骤ii)结束时未存在于结构单元(A)中，则可如例如Advanced Synthesis&Catalysis 353(9)，1479-1484，2011以及AngewandteChemie，国际版，45(35)，5803-5807；2006中所述进行结构单元(A)中邻位(即R3和R4的位置)的官能化。
在典型的程序中，结构单元(A)中邻位的去质子化和活化通过用例如仲丁基锂在例如TMEDA(四亚甲基二胺)中去质子化和用氯化物(例如通过加入PPh2Cl或SiPh3Cl)或碘化物(例如通过加入烷基碘，例如甲基碘)活化而进行。
然后可将活化的邻位如本领域技术人员已知的那样取代，例如在P(O)Ph2官能化的情况下，用PPh2Cl官能化，随后用例如mCPBA(间-氯过苯甲酸)氧化。
也可在进行步骤II)中的偶联以后进行步骤Iiii)。
II)制备本发明吩噁硅
官能化吩噁硅结构单元(A)为制备本发明式(I)化合物的优选原料。基团Y和(任选)R6通过本领域技术人员已知的偶联方法引入结构单元(A)中。在实施例中，描述了三种不同配体类型的引入：
i)基团Y和R6经由杂环环体系中的杂原子键合(例如经由N键合的咔唑基；化合物(1))。这类基团优选通过Ullmann偶联或Buchwald偶联引入结构单元(A)中。合适的偶联反应的实例在合成实施例I.2中给出。
ii)基团Y和R6经由不在杂环环体系中的杂原子结合(例如经由Si键合的-SiPh3；化合物(2))。这类偶联反应是本领域技术人员已知的。合适的偶联反应的实例在合成实施例I.3中给出。
iii)基团Y和R6经由芳族碳原子键合(例如经由芳族C键合的二苯并呋喃基；化合物(3))。这类基团优选通过Suzuki偶联或Yamamoto偶联引入结构单元(A)中。合适偶联反应的实例在合成实施例I.4中给出。
通式(I)的吩噁硅衍生物适用于有机电子应用，尤其是OLED中。其它有机电子应用为前文提到的。
通式(I)的吩噁硅衍生物用于有机电子应用，尤其是OLED的任何层中。优选，通式(I)的吩噁硅衍生物用作OLED中的主体(基体)材料，优选在发光层中，或者作为电子/空穴/激子传输材料，或者作为有机电子应用，尤其是OLED的各层中的电子/空穴/激子阻挡材料或电子/空穴/激子注入材料，或者作为有机半导体层。
有机电子应用的合适结构是本领域技术人员已知的并描述于下文中。
有机晶体管通常包含由具有空穴传输能力和/或电子传输能力的有机层形成的半导体层；由导电层形成的栅极；和引入半导体层与导电层之间的绝缘层。源极和漏极安装在该配置上以因此产生晶体管元件。另外，本领域技术人员已知的其它层可存在于有机晶体管中。式(I)化合物可存在于有机晶体管的任何所需层中。
有机太阳能电池(光电转换元件)通常包含存在于平行排列的两个板型电极之间的有机层。有机层可配置在梳型电极上。对有机层的位置不存在特殊限制，且对电极材料不存在特殊限制。然而，当使用平行的板型电极时，至少一个电极优选由透明电极如ITO电极或氟掺杂的氧化锡电极形成。有机层由两个子层，即具有p型半导体特征或空穴传输能力的层和具有n型半导体特征或电子传输能力的层形成。另外，本领域技术人员已知的其它层可存在于有机太阳能电池中。式(I)化合物可存在于有机太阳能电池的任何所需层中。
优选，本发明涉及包含至少一种式(I)化合物的有机发光二极管。式(I)化合物可用于有机发光二极管中作为主体(基体)材料和/或空穴/激子阻挡材料和/或电子/激子阻挡材料和/或空穴注入材料和/或电子注入材料和/或空穴导体材料和/或电子导体材料，优选作为主体(基体)材料，优选用于发光层中，和/或作为电子/空穴/激子传输材料和/或作为电子/空穴/激子阻挡材料和/或电子/空穴/激子注入材料。
因此，本发明涉及本发明有机电子应用，其中至少一种式(I)化合物用作主体(基体)材料，优选用于发光层中，和/或作为电子/空穴/激子传输材料和/或作为电子/空穴/激子阻挡材料和/或电子/空穴/激子注入材料。
本发明进一步涉及有机电子应用中的主体(基体)材料和/或电子/空穴/激子传输材料和/或电子/空穴/激子阻挡材料和/或电子/空穴/激子注入材料，其包含至少一种本发明式(I)化合物。
通式(I)的化合物可单独或者以混合物，例如与其它主体(基体)材料、电子/空穴/激子传输材料、电子/空穴/激子阻挡材料或电子/空穴/激子注入材料一起使用。所用其它主体(基体)材料、电子/空穴/激子传输材料、电子/空穴/激子阻挡材料和电子/空穴/激子注入材料通常可以是本领域技术人员已知的材料，尤其是下文提到的主体(基体)材料、电子/空穴/激子传输材料、电子/空穴/激子阻挡材料和电子/空穴/激子注入材料。
式(I)化合物也可存在于有机电子应用，尤其是OLED的多于一个层中，例如同时用于发光层(作为主体(基体)材料)和空穴阻挡层中。
在另一实施方案中，本发明涉及本发明式(I)化合物在有机电子应用中的用途。合适的有机电子应用是前文提到的。优选的有机电子应用为OLED。
本发明进一步提供有机发光二极管，其包含阳极An和阴极Ka以及置于阳极An与阴极Ka之间的发光层E，和任选至少一个其它层，所述至少一个其它层选自至少一个空穴/激子阻挡层、至少一个电子/激子阻挡层、至少一个空穴注入层、至少一个空穴导体(传输)层、至少一个电子注入层和至少一个电子导体(传输)层，其中至少一种式(I)化合物存在于发光层E和/或至少一个所述其它层中。所述至少一种式(I)化合物优选作为主体存在于发光层中和/或存在于空穴/激子阻挡层中。所述至少一种式(I)化合物可进一步或者另外存在于电子/激子传输层、空穴/激子传输层、电子/激子阻挡层、空穴/激子注入层和/或电子/激子注入层中。
本申请进一步涉及包含至少一种式(I)化合物，优选作为主体的发光层。
本发明进一步涉及包含本发明发光层的OLED。
本发明进一步涉及包含至少一种式(I)化合物的电子/激子传输层或空穴/激子传输层。
本发明进一步涉及包含至少一种式(I)化合物的空穴/激子阻挡层或电子/激子阻挡层。
本发明进一步涉及包含至少一种式(I)化合物的空穴/激子注入层或电子/激子注入层。
本发明OLED的结构
本发明有机发光二极管(OLED)因此通常具有如下结构：
阳极(An)和阴极(Ka)以及置于阳极(An)与阴极(Ka)之间的发光层E。
在一个优选实施方案中，本发明OLED可例如由以下层形成：
1.阳极
2.空穴导体(传输)层
3.发光层
4.空穴/激子阻挡层
5.电子导体(传输)层
6.阴极
不同于上述结构的层顺序也是可能的，且是本领域技术人员已知的。例如OLED可不具有所有所述层；例如具有层(1)(阳极)、(3)(发光层)和(6)(阴极)的OLED也是可能的，则这种情况下，层(2)(空穴导体层)和(4)(空穴/激子阻挡层)和(5)(电子导体层)的功能由相邻层呈现。具有层(1)、(2)、(3)和(6)或者(1)、(3)、(4)、(5)和(6)的OLED也是合适的。另外，OLED可具有在阳极(1)与空穴导体层(2)之间的电子/激子阻挡层。
另外，多个上述功能(电子/激子阻挡体、空穴/激子阻挡体、空穴注入、空穴传导、电子注入、电子传导)可组合在一个层中并例如由该层中存在的单一材料呈现。例如，在一个实施方案中，空穴导体层中所用材料可以同时阻挡激子和/或电子。
此外，在上述那些中，OLED的各个层又可由两个或更多个层形成。例如，空穴导体层可由空穴由电极注入其中的层和将空穴从空穴注入层输送至发光层中的层形成。电子传导层同样可由多个层，例如通过电极将电子注入其中的层和接受来自电子注入层的电子并将它们输送至发光层中的层组成。所述这些层各自根据因素如能级、热阻和电荷载流子迁移率，以及所述层与有机层或金属电极的能量差来选择。本领域技术人员能够选择OLED的结构使得它最佳地匹配根据本发明用作发射体物质的有机化合物。
为得到特别有效的OLED，例如空穴导体层的HOMO(最高占据分子轨道)应与阳极的功函匹配，且电子导体层的LUMO(最低未占据分子轨道)应与阴极的功函匹配，条件是上述层存在于本发明OLED中。
阳极(1)为提供正电荷载流子的电极。它可例如由包含金属、各种金属的混合物、金属合金、金属氧化物或各种金属氧化物的混合物的材料形成。作为选择，阳极可为导电聚合物。合适的金属包括主族金属、过渡金属和镧系元素的金属和金属合金，尤其是元素周期表Ib、IVa、Va和VIa族的金属，和VIIIa族的过渡金属。当阳极透明时，通常使用元素周期表(旧IUPAC版本)IIb、IIIb和IVb族的混合金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)。阳极(1)同样可包含有机材料，例如聚苯胺，例如如Nature，第357卷，第477-479页(1992年6月11日)中所述。至少阳极或阴极应为至少部分透明的以便能发射所形成的光。用于阳极(1)的材料优选为ITO。
用于本发明OLED的层(2)的合适空穴导体材料例如公开于Kirk-OthmerEncyclopedia of Chemical Technology，第4版，第18卷，第837-860页，1996中。空穴传输分子和聚合物可用作空穴传输材料。常用的空穴传输分子选自三[N-(1-萘基)-N-(苯基氨基)]三苯胺(1-NaphDATA)、4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)、N,N‘-二苯基-N,N‘-双(3-甲基苯基)-[1,1‘-联苯]-4,4‘-二胺(TPD)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N,N‘-双(4-甲基苯基)-N,N‘-双(4-乙基苯基)-[1,1‘-(3,3‘-二甲基)联苯]-4,4‘-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N,N,N‘,N‘-2,5-苯二胺(PDA)、α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)、三苯胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基)](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反-双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N,N,N‘,N‘-四(4-甲基苯基)-(1,1‘-联苯)-4,4‘-二胺(TTB)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDTA)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、N,N'-双(萘-2-基)-N,N'-双(苯基)联苯胺(β-NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-螺二芴(spiro-TPD)、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-螺二芴(spiro-NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基芴(DMFL-TPD)、二[4-(N,N-二甲苯基氨基)苯基]环己烷、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二甲基芴、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,2-二甲基联苯胺、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)联苯胺、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,4',4”-三(N-(2-萘基)-N-苯基-氨基)三苯胺、吡嗪并[2,3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二腈(PPDN)、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)、2,7-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(MeO-spiro-TPD)、2,2'-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(2,2'-MeO-spiro-TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二甲苯基氨基)苯基]联苯胺(NTNPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二苯基氨基)苯基]联苯胺(NPNPB)、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基苯-1,4-二胺(β-NPP)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基芴(DPFL-TPD)、N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-9,9-二苯基芴(DPFL-NPB)、2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-9,9'-螺二芴(spiro-TAD)、9,9-双[4-(N,N-双(联苯-4-基)氨基)苯基]-9H-芴(BPAPF)、9,9-双[4-(N,N-双(萘-2-基)氨基)苯基]-9H-芴(NPAPF)、9,9-双[4-(N,N-双(萘-2-基)-N,N'-双苯基氨基)苯基]-9H-芴(NPBAPF)、2,2',7,7'-四[N-萘基(苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-2NPB)、N,N'-双(菲-9-基)-N,N'-双(苯基)联苯胺(PAPB)、2,7-双[N,N-双(9,9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴(spiro-5)、2,2'-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]-9,9-螺二芴(2,2'-spiro-DBP)、2,2'-双(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺二芴(spiro-BPA)、2,2',7,7'-四(N,N-二甲苯基)氨基螺二芴(spiro-TTB)、N,N,N',N'-四萘-2-基联苯胺(TNB)、卟啉化合物和酞菁化合物如酞菁铜和氧化钛酞菁。常用的空穴传输聚合物选自聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷和聚苯胺。还可通过将空穴传输分子掺杂在聚合物如聚苯乙烯和聚碳酸盐中而得到空穴传输聚合物。合适的空穴传输分子为上面已提到的分子。
另外，在一个实施方案中，可使用卡宾配合物作为空穴导体材料，其中至少一种空穴导体材料的带隙通常大于所用发射体材料的带隙。在本申请上下文中，“带隙”应当理解意指三重态能量。合适的卡宾配合物例如为WO 2005/019373 A2、WO 2006/056418 A2、WO2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981和WO 2008/000727中所述的卡宾配合物。合适卡宾配合物的一个实例为具有下式的Ir(dpbic)3：
其例如公开于WO2005/019373中。原则上，空穴导体层还可包含至少一种式(I)化合物作为空穴导体材料。
空穴传输(空穴传导)层中也可使用混合物，特别是导致空穴传输层的电p掺杂的混合物。p掺杂通过加入氧化材料实现。这些混合物可例如为上述空穴传输材料与MoO2、MoO3、WOx、ReO3、V2O5、7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、2,5-双(2-羟基乙氧基)-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、双(四-正丁基铵)四氰基二苯酚醌二甲烷、2,5-二甲基-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、11,11,12,12-四氰基萘-2,6-醌二甲烷、2-氟-7,7,8,8-四氰基醌-二甲烷、2,5-二氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、二氰基亚甲基-(1,3,4,5,7,8-六氟-6H-萘-2-亚基)丙二睛(F6-TNAP)、Mo(tfd)3(来自Kahn等人，J.Am.Chem.Soc.2009，131(35)，12530–12531)以及与如EP 09153776.1所提及的醌化合物的混合物。
发光层(3)包含至少一种发射体材料。这原则上可以为荧光或磷光发射体，合适的发射体材料为本领域技术人员已知的。至少一种发射体材料优选为磷光发射体。优选使用的磷光发射体化合物基于金属配合物，尤其是金属Ru、Rh、Ir、Pd和Pt的配合物，特别是Ir的配合物具有重要性。式(I)化合物可用作发光层中的主体(基体)。可使用式(I)化合物作为发光层中的单一主体，或者与一种或多种其它化合物组合。合适的其它化合物可以为下文提到的其它式(I)化合物和/或其它主体(基体)材料。
用于本发明OLED中的合适金属配合物描述于例如文件WO 02/60910 A1、US 2001/0015432 A1、US 2001/0019782 A1、US 2002/0055014 A1、US 2002/0024293 A1、US 2002/0048689 A1、EP 1 191 612 A2、EP 1 191 613 A2、EP 1 211 257 A2、US 2002/0094453A1、WO 02/02714 A2、WO 00/70655 A2、WO 01/41512 A1、WO 02/15645 A1、WO 2005/019373A2、WO 2005/113704 A2、WO 2006/115301 A1、WO 2006/067074 A1、WO 2006/056418、WO2006121811 A1、WO 2007095118 A2、WO 2007/115970、WO 2007/115981、WO 2008/000727、WO 2012/121936 A2和US 2011/0057559中。
US 2011/0057559中提到的合适发射体为例如：
其它合适的金属配合物为市售的金属配合物三(2-苯基吡啶)铱(III)、三(2-(4-甲苯基)吡啶合-N,C2’)铱(III)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)、双(2,2’-苯并噻吩基)(吡啶合-N,C3’)(乙酰丙酮)铱(III)、三(2-苯基喹啉)铱(III)、双(2-(4,6-二氟苯基)吡啶合-N,C2)吡啶甲酸铱(III)、双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、双(二苯并[f,h]喹喔啉)-(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-甲基二苯并[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)铱(III)和三(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙酰基-5-吡唑啉)铽(III)、双[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)异喹啉](乙酰丙酮)铱(III)、双(2-苯基苯并噻唑合)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-(9,9-二己基芴基)-1-吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)。
另外，以下市售材料是合适的：三(二苯甲酰丙酮)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)-单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)单(5-氨基菲咯啉)-铕(III)、三(二-2-萘甲酰甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(4-溴苯甲酰甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二(联苯)甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)单(4,7-二苯基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)单(4,7-二甲基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)单(4,7-二甲基菲咯啉二磺酸)铕(III)二钠盐、三[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰甲烷)]单(菲咯啉)铕(III)和三[二[4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰甲烷)]单(5-氨基菲咯啉)铕(III)、双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-三唑合)二苯基甲基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-三唑合)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)吡唑合)二甲基苯基膦锇(II)、三[4,4'-二-叔丁基(2,2')联吡啶]钌(III)、双(2-(9,9-二丁基芴基)-1-异喹啉)(乙酰丙酮)锇(II)。
合适的三重态发射体为例如卡宾配合物。在本发明一个实施方案中，式(I)化合物作为主体(基体)材料与卡宾配合物作为三重态发射体一起用于发光层中。合适的卡宾配合物为例如通式(II)的卡宾配合物：
其中符号各自如下定义：
M1为选自元素周期表(CAS版本)第IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、镧系元素和IIIA族的金属，可为特定金属原子的任何可能的氧化态；
carben为不带电的或者单阴离子的单齿、二齿或三齿的卡宾配体；卡宾配体也可以为双-或三卡宾配体；
L为单-或二阴离子配体，优选单阴离子配体，其可以为单齿或二齿的；
K为不带电的单齿或二齿配体；
q为卡宾配体的数目，其中n为至少1，且当q>1时，式I配合物中的卡宾配体可以为相同或不同的；
r为配体L的数目，其中m可以为0或≥1，且当r>1时，配体L可以为相同或不同的；
o为配体K的数目，其中o可以为0或≥1，且当o>1时，配体K可以为相同或不同的；
p为配合物的电荷：0、1、2、3或4；优选0、1或2，更优选0；
W为单阴离子抗衡离子；
其中q+r+o之和以及电荷p取决于所用金属原子的氧化态和配位数、配合物的电荷和卡宾、L和K配体的齿合度以及卡宾和L配体的电荷，条件是n为至少1。
因此，本发明进一步提供其中用于发光层中的发射体材料为至少一种通式(II)的卡宾配合物的有机发光二极管。
合适的式(II)卡宾配合物是本领域技术人员已知的，且描述于例如WO 2005/019373 A2、WO 2006/056418 A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981和WO2008/000727中。
为优选的发射体材料的其它合适卡宾配合物描述于未先公开的申请EP 10 187176.2和US 61/391712以及已公开的申请WO 2011/073149和WO 12/121936 A1中，尤其是化合物5、8、9、10、21、22、24、25、26、28、29、30以及下式的化合物：
EP 10 187 176.2和US 61/391712以及已公开的申请WO 2011/073149中提到的卡宾配合物为以下通式的卡宾配合物：
其中M’、n’、Y’、A2’、A3’、A4’、A5’、R1’、R2’、R3’、R4’、R5’、R6’、R7’、R8’、R9’、R10’、K’、L’、m’和o’如下定义：
M‘为Ir或Pt，
n‘为选自1、2或3的整数，
Y’为NR1’、O、S或C(R10’)2，
A2‘、A3’、A4‘、A5‘相互独立地为N或C，其中2个A‘为N原子，且在环中两个N原子之间存在至少一个C原子，
R1‘为具有1-20个碳原子且任选被至少一个杂原子间隔且任选带有至少一个官能团的线性或支化烷基、具有3-20个碳原子的环烷基、具有6-30个碳原子的取代或未取代芳基、具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代杂芳基，
R2‘、R3‘、R4‘、R5‘：如果A2‘、A3‘、A4‘和/或A5‘为N，则为自由电子对，或者如果A2‘、A3‘、A4 ‘和/或A5‘为C，则相互独立地为氢、具有1-20个碳原子且任选被至少一个杂原子间隔且任选带有至少一个官能团的线性或支化烷基、具有3-20个碳原子的环烷基、具有6-30个碳原子的取代或未取代芳基、具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代杂芳基、具有给体或受体作用的基团，
或者
R3‘和R4‘与A3‘和A4‘一起形成具有总计5-18个碳原子和/或杂原子且任选被至少一个其它杂原子间隔且任选被取代的不饱和环，
R6‘、R7‘、R8‘、R9‘相互独立地为氢、具有1-20个碳原子且任选被至少一个杂原子间隔且任选带有至少一个官能团的线性或支化烷基、具有3-20个碳原子的环烷基、具有3-20个碳原子的环杂烷基、具有6个双30个碳原子的取代或未取代芳基、具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代杂芳基、具有给体或受体作用的基团，
或者
R6‘和R7‘、R7‘和R8‘或R8‘和R9‘与R6’、R7’、R8’和R9’连接的C原子一起形成具有总计5-18个碳原子和/或杂原子且任选被至少一个其它杂原子间隔且任选被取代的不饱和环，
和/或
如果A5‘为C，则R5‘和R6‘一起形成包含总计1-30个碳原子和/或杂原子且任选与取代或未取代5-8元含碳原子和/或杂原子的环稠合的桥，所述桥为饱和或不饱和、线性或支化的，任选包含杂原子、芳族单元、杂芳族单元和/或官能团，
R10‘为具有1-20个碳原子且任选被至少一个杂原子间隔且任选带有至少一个官能团的线性或支化烷基、具有3-20个碳原子的环烷基、具有6-30个碳原子的取代或未取代芳基、具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代杂芳基，
K‘为不带电的单齿或二齿配体，
L‘为单-或二阴离子配体，优选单阴离子配体，其可以为单齿或二齿的，
m‘为0、1或2，且当m为2时，配体K‘可以为相同或不同的，
o‘为0、1或2，且当o为2时，配体L‘可以为相同或不同的。
上述卡宾配合物的一个实例为式(III)的卡宾配合物：
发光层可包含除发射体材料外的其它组分。例如，荧光染料可存在于发光层中以改变发射体材料的发射颜色。另外，在一个优选实施方案中，可使用主体(基体)材料。该基体材料可以为聚合物，例如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷。然而，基体材料也可以为小分子，例如4,4’-N,N’-二咔唑联苯(CDP＝CBP)或叔芳族胺，例如TCTA。
在一个优选实施方案中，主体(基体)材料为至少一种卡宾配合物。合适的卡宾配合物为上述的。尤其合适的卡宾配合物为前面已描述过的Ir(dpbic)3。
在本发明另一优选实施方案中，至少一种式(I)化合物用作主体(基体)材料。该至少一种式(I)化合物可与至少一种其它主体(基体)材料一起，优选与至少一种卡宾配合物一起，例如与Ir(dpbic)3一起使用。
在另一优选实施方案中，发光层包含式(III)化合物作为发射体材料以及式(I)化合物作为主体材料。发光层还可包含Ir(dpbic)3作为其它主体材料。
在一个优选实施方案中，发光层由2-60重量％，优选5-55重量％，更优选10-50重量％至少一种上述发射体材料，优选至少一种磷光发射体，更优选至少一种卡宾发射体，例如至少一种如WO 2011/073149所述卡宾发射体，和40-98重量％，优选45-95重量％，更优选50-90重量％的如下材料形成：至少一种上述基体材料，例如卡宾配合物，其中Ir(dpbic)3为合适卡宾配合物的一个实例，或在另一实施方案中，至少一种式(I)化合物或者至少一种式(I)化合物与至少一种卡宾配合物的组合，其中Ir(dpbic)3为合适卡宾配合物的一个实例，其中发射体材料和主体(基体)材料的总和合计达100重量％。如果使用多于一种主体(基体)材料，例如至少一种式(I)化合物和至少一种卡宾配合物的组合，其中Ir(dpbic)3为合适卡宾配合物的一个实例，则主体材料的质量比在其中第一主体材料为式(I)化合物且第二主体材料为上述主体材料，优选卡宾配合物，例如Ir(dpbic)3的情况下，通常为1.5-25:1，优选2-20:1。
在另一实施方案中，式(I)化合物用作电子/空穴/激子传输材料和/或电子/空穴/激子阻挡材料，优选与卡宾配合物作为三重态发射体一起。式(I)化合物还可如上所述用作主体(基体)材料(任选与其它主体材料一起，其中优选的其它主体材料和重量比为前文提到的)或者用作主体(基体)材料(任选与其它主体材料一起，其中优选的其它主体材料和重量比为前文提到的)和用作空穴/激子阻挡材料与卡宾配合物一起作为三重态发射体。另外，至少一种式(I)化合物可存在于OLED的电子/空穴/激子传输层、电子/空穴/激子阻挡层和/或电子/空穴/激子注入层中，优选与卡宾配合物作为三重态发射体一起。
与式(I)化合物一起用作OLED中的主体(基体)材料和/或电子/空穴/激子传输材料和/或电子/空穴/激子阻挡材料和/或电子/空穴/激子注入材料的合适金属配合物因此例如还有如WO 2005/019373 A2、WO 2006/056418 A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981和WO 2008/000727以及未先公开的申请EP 10 187 176.2和US 61/391712和已公开的申请WO 2011/073149中所述的卡宾配合物。此处明确参考引用的WO申请的公开内容，且这些公开内容应当理解并入本申请的内容中。
如果空穴/激子阻挡层(4)不包含任何式(I)化合物，则OLED具有—如果存在空穴阻挡层的话—常用于OLED中的空穴阻挡材料，例如2,6-双(N-咔唑基)吡啶(mCPy)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(浴铜灵、(BCP))、双(2-甲基-8-喹啉合)-4-(苯基苯酚合)铝(III)(BAIq)、吩噻嗪S,S-二氧化物衍生物和1,3,5-三(N-苯基-2-苄基咪唑基)苯(TPBI)，TPBI也适用作电子传导材料。其它合适的空穴阻挡体和/或电子导体材料为2,2',2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑、8-羟基喹啉合锂、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑、1,3-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]苯、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑、6,6'-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-二唑-2-基]-2,2'-联吡啶、2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽、2,7-双[2-(2,2'-联吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]-9,9-二甲基芴、1,3-双[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑-5-基]苯、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]菲咯啉。在另一实施方案中，可使用WO2006/100298中所述的包含经由包含羰基的基团连接的芳环或杂芳环的化合物，例如PCT公开WO 2009/003919和WO 2009/000872中所述的选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基苯并呋喃、二甲硅烷基苯并噻吩、二甲硅烷基苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基苯并噻吩S,S-二氧化物的二甲硅烷基化合物，和WO2008/034758中所述的二甲硅烷基化合物作为空穴/激子阻挡层(4)或者作为发光层(3)中的基体材料。
在一个优选实施方案中，本发明涉及包含层(1)阳极、(2)空穴导体层、(3)发光层、(4)空穴/激子阻挡层、(5)电子导体层和(6)阴极以及任选其它层的本发明OLED，其中电子/空穴/激子传输层和/或电子/空穴/激子阻挡层和/或发光层包含至少一种式(I)化合物。另外，在另一优选实施方案中，OLED包含通常置于阳极(1)与空穴导体层(2)之间的空穴/激子注入层(1a)。用于空穴注入层的合适材料是本领域技术人员已知的。
用于本发明OLED的层(5)的合适电子导体材料包括:金属螯合oxinoid化合物，例如2,2’,2”-(1,3,5-亚苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，基于菲咯啉的化合物如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA＝BCP)或4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA)，和唑化合物，例如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)和3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)，8-羟基喹啉锂(Liq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)、双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝(BAlq)、1,3-双[2-(2,2’-联吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]苯(Bpy-OXD)、6,6’-双[5-(联苯-4-基)-1,3,4-二唑-2-基]-2,2’-联吡啶(BP-OXD-Bpy)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,7-双[2-(2,2’-联吡啶-6-基)-1,3,4-二唑-5-基]-9,9-二甲基芴(Bby-FOXD)、1,3-双[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑-5-基]苯(OXD-7)、三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷(3TPYMB)、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲咯啉(2-NPIP)、2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽(PADN)、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(HNBphen)。
用于层的其它合适电子导体材料在WO 2012/121936 A2中提到，尤其是第57、58和59页的表中，即浴铜灵化合物(例如BCP、BPhen)；金属8-羟基喹啉(例如BAlq、Alq3、Zrq4)；5元环贫电子杂环，例如三唑、二唑、咪唑和苯并咪唑；三亚苯基化合物；氟化芳族化合物；吩噻嗪-S-氧化物；吩噻嗪-S,S-二氧化物；蒽-苯并咪唑化合物、氮杂三亚苯基衍生物；蒽-苯并噻唑化合物；金属羟基苯并喹啉；噻咯化合物；芳基硼烷化合物；富勒烯(例如C60)和三嗪配合物。
层(5)可用于促进电子传输以及作为缓冲层或屏障层以防止激子在OLED的层界面上猝灭。层(5)优选改进电子的迁移率并降低激子的猝灭。在一个优选实施方案中，BCP用作电子导体材料。原则上，电子导体层可包含至少一种式(I)化合物作为电子导体材料。
同样可在电子传输(电子传导)层中使用至少两种材料的混合物，在这种情况下，至少一种材料为电子传导的。优选，在这种混合电子传输层中，使用至少一种菲咯啉化合物。更优选在混合电子传输层中，除至少一种菲咯啉化合物外，还使用碱金属羟基喹啉配合物如Liq。此外，也可使用导致电子传输层的电n掺杂的混合物。n掺杂通过加入还原材料实现。这些混合物可例如为上述电子传输材料与如下材料的混合物：碱金属/碱土金属或碱金属/碱土金属盐如Li、Cs、Ca、Sr、Cs2CO3，碱金属配合物如8-羟基喹啉锂(Liq)，以及Y、Ce、Sm、Gd、Tb、Er、Tm、Yb、Li3N、Rb2CO3、邻苯二甲酸二钾、来自EP 1786050的W(hpp)4，或EP1 837926 B1中所述的化合物。
因此，本发明还涉及本发明OLED，其包含含有至少两种不同材料的电子传输层，其中至少一种材料应为电子传导的。
在一个优选实施方案中，本发明涉及本发明OLED，其中电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物。
在另一优选实施方案中，本发明涉及本发明OLED，其中电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和至少一种碱金属羟基喹啉配合物。
在另一优选实施方案中，本发明涉及本发明OLED，其中电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和8-羟基喹啉锂(Liq)。
在上述作为空穴导体材料和电子导体材料的材料中，一些可发挥几个功能。例如，当它们具有低HOMO时，一些电子传导材料同时为空穴阻挡材料。这些可用于例如空穴/激子阻挡层(4)中。然而，作为空穴/激子阻挡体的功能还由层(5)采用，从而可省去层(4)。
电荷传输层也可以为电掺杂的以改进所用材料的传输性能，首先使层厚度更均匀(避免针孔/短路)，其次使器件的工作电压最小化。p掺杂通过加入氧化材料实现。这些材料可以为例如上述空穴传输材料与如下材料的混合物：MoO2、MoO3、WOx、ReO3、V2O5、7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、2,5-双(2-羟基乙氧基)-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、双(四-正丁基铵)四氰基二苯醌二甲烷、2,5-二甲基-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、11,11,12,12-四氰基萘-2,6-醌二甲烷、2-氟-7,7,8,8-四氰基醌-二甲烷、2,5-二氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、二氰基亚甲基-(1,3,4,5,7,8-六氟-6H-萘-2-亚基)丙二睛(F6-TNAP)、Mo(tfd)3(来自Kahn等人，J.Am.Chem.Soc.2009，131(35)，12530–12531)以及与如US 2011 0253988所提及的醌化合物。
电子导体材料可例如用碱金属掺杂，例如具有锂的Alq3。另外，电子导体可用盐掺杂，例如Cs2CO3。电子掺杂是本领域技术人员已知的且公开于例如W.Gao，A.Kahn，J.Appl.Phys.，第94卷，No.1，2003年7月1日(p掺杂有机层)；A.G.Werner，F.Li，K.Harada，M.Pfeiffer，T.Fritz，K.Leo.Appl.Phys.Lett.，第82卷，No.25，2003年6月23日，和Pfeiffer等人，Organic Electronics 2003，4，89-103中。例如，除卡宾络合物如Ir(dpbic)3外，空穴导体层可用MoO3或WO3掺杂。
阴极(6)为用于引入电子或负电荷载流子的电极。用于阴极的合适材料选自元素周期表(旧IUPAC版本)Ia族的碱金属如Li、Cs，IIa族的碱土金属如钙、钡或镁，IIb族金属，包括镧系元素和锕系元素，例如钐。另外，也可使用金属如铝或铟以及所有所述金属的组合。另外，含锂有机金属化合物或LiF可应用于有机层与阴极之间以降低工作电压。
本发明OLED还可包含本领域技术人员已知的其它层。例如在层(2)与发光层(3)之间可应用促进正电荷的传输和/或使层的带隙相互匹配的层。作为选择，该其它层可用作保护层。以类似方式，其它层可以存在于发光层(3)与层(4)之间以促进负电荷的传输和/或使层之间的带隙相互匹配。作为选择，该层可用作保护层。
在优选实施方案中，除层(1)-(6)外，本发明OLED还包含以下提到的其它层中的至少一个：
-在阳极(1)与空穴传输层(2)之间的空穴注入层；
-在空穴传输层(2)与发光层(3)之间的电子阻挡层；
-在电子传输层(5)与阴极(6)之间的电子注入层。
用于空穴注入层的材料可选自酞菁铜、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺(2T-NATA)、4,4',4”-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(NATA)、氧化钛酞菁、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、吡嗪并[2,3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二腈(PPDN)、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)、2,7-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(MeO-Spiro-TPD)、2,2'-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴(2,2'-MeO-Spiro-TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二甲苯基氨基)苯基]联苯胺(NTNPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二苯基氨基)苯基]联苯胺(NPNPB)、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基苯-1,4-二胺(α-NPP)、PEDOT-PSS聚合物。原则上，空穴注入层可包含至少一种式(I)、(II)或(III)的化合物作为空穴注入材料。
用于空穴注入层的其它合适材料在WO 2012/121936 A2中，尤其是第100页提到，即WO 2012/121936 A2第100页提到的UGH2、化合物C、TAPC、3TPYMB、TPBi、TCTA、UGH3、化合物D、化合物E、化合物F、化合物G和化合物A。
用于电子注入层的材料可以为例如LiF、CsF、KF或Cs2CO3。原则上，电子注入层可包含至少一种式(I)化合物作为电子注入材料。
本领域技术人员知道(例如基于电化学研究)如何选择合适的材料。用于各层的合适材料是本领域技术人员已知的且公开于例如WO 00/70655中。
另外，可将本发明OLED中所用一些层进行表面处理，以提高电荷载流子传输效率。所述各层的材料的选择优选由得到具有高效率和寿命的OLED决定。
本发明OLED可通过本领域技术人员已知的方法生产。一般而言，本发明OLED通过在合适的基底上依次气相沉积各层而生产。合适的基底例如为玻璃、无机半导体或聚合物膜。对于气相沉积，可使用常规技术，例如热蒸发、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)和其它技术。在可选方法中，OLED的有机层可使用本领域技术人员已知的涂覆技术由在合适溶剂中的溶液或分散体施用。
一般而言，不同的层具有以下厚度：阳极(1)50-500nm，优选100-200nm；空穴传导层(2)5-100nm，优选20-80nm，发光层(3)1-100nm，优选10-80nm，空穴/激子阻挡层(4)2-100nm，优选5-50nm，电子传导层(5)5-100nm，优选20-80nm，阴极(6)20-1000nm，优选30-500nm。除其它因素外，本发明OLED中空穴和电子的重组区相对于阴极的相对位置和因此OLED的发射光谱可受各层的相对厚度影响。这意味着应优选选择电子传输层的厚度使得重组区的位置与二极管的光学共振器性能，并因此与发射体的发射波长匹配。OLED中各层的层厚度的比例取决于所用材料。所用任何其它层的层厚度是本领域技术人员已知的。电子传导层和/或空穴传导层具有比在将它们电掺杂时所述的层厚度更大的厚度。
式(I)化合物在OLED的至少一个层中，优选在发光层中(优选作为主体(基体)材料)和/或在电子/空穴/激子传输层中和/或在电子/空穴/激子阻挡层中和/或在电子/空穴/激子注入层中的使用使得可得到具有高效率且具有低使用和工作电压且具有长寿命的OLED。根据本发明使用的式(I)化合物传导空穴和电子，即它们为双极的。这可建立良好的电荷载流子平衡，其可实现较好的效率和寿命。OLED的效率还可通过使OLED的其它层最佳化而改进。例如，可使用高效率阴极如Ca或Ba，任选与LiF、CsF、KF或Cs2CO3的中间层组合。导致工作电压降低或量子效率提高的成型基底和新型空穴传输材料也可用于本发明OLED中。此外，其它层可存在于OLED中以调整不同层的能级并促进电致发光。
OLED可进一步包含至少一个第二发光层。OLED的总发射可包括所述至少两个发光层的发射并且还可包括白光。
OLED可用于其中电致发光有用的所有设备中。合适的器件优选选自固定和移动视觉显示装置和照明装置。固定视觉显示装置为例如计算机、电视机中的视觉显示装置，打印机、厨房电器和广告牌、照明和信息板中的视觉显示装置。移动视觉显示装置为例如智能手机、无线电话、便携式电脑、数码相机、MP3播放器、车辆中的视觉显示装置，以及公共汽车和火车上的目的地显示器。可使用本发明OLED的其它器件为例如键盘；服装；家具；壁纸。
另外，式(I)化合物可用于具有倒置结构的OLED中。根据本发明使用的式(I)化合物优选再次作为空穴/激子阻挡材料用于这些倒置OLED中。倒置OLED的结构和其中常用的材料是本领域技术人员已知的。
另外，本发明涉及包含至少一个本发明有机发光二极管或至少一个本发明发光层的器件，所述器件选自固定视觉显示装置，例如计算机、电视机中的视觉显示装置，打印机、厨房电器和广告牌、照明、信息板中的视觉显示装置，和移动视觉显示装置，例如智能手机、无线电话、便携式电脑、数码相机、MP3播放器、车辆中的视觉显示装置，以及公共汽车和火车上的目的地显示器；照明装置；键盘；服装；家具；壁纸。
在另一实施方案中，式(I)化合物可用于白色OLED中，优选作为发光层中的基体材料或者作为阻挡材料。
以下实施例提供对本发明的另外举例说明。
实施例
I合成实施例
I.1结构单元2,8-二溴-10,10-二苯基-吩硅烷(PXBr)的制备
i)2,2’,4,4’-四溴二苯醚的制备
将二苯醚(5.0g，29.5毫摩尔)、铁粉(0.1g，1.79毫摩尔)和四氯化碳(50ml)的混合物加热至70℃24小时。向混合物中加入在四氯化碳(50ml)中的溴(19.3g，120.9毫摩尔)，同时保持温度在75℃下1小时。然后向反应混合物中加入氯仿(40ml)，然后过滤并用水洗涤。将有机层分离，并蒸发至干燥。通过从正己烷中再结晶而将所得固体提纯以提供无色固体(10.6g，74.3％)。
1H-NMR(400MHz,CDCl3)：δ7.79(d,J＝2.28Hz,2H)，7.38(dd,J＝2.3Hz,2H)，6.71(d,J＝8.7Hz,2H)，7.39-7.24(m,30H)ppm。
EIMS(m/z)＝486[M+]。
ii)2,8-二溴-10,10-二苯基-吩硅烷(PXBr)的制备
向圆底烧瓶中加入2,2’,4,4’-四溴二苯醚(3.0g，6.176毫摩尔)。在通氮气1小时以后，加入无水乙醚(30ml)。将所得混合物在冰浴(干冰/丙酮)中冷却至-10℃，然后逐滴加入正丁基锂(1.6M，8.0ml)。在室温下搅拌2小时以后，将混合物冷却至-70℃，并逐滴加入二氯二苯基硅烷(1.6g，6.36毫摩尔)。将所得混合物在室温下搅拌19小时并将沉淀物过滤。将有机层用水洗涤，将混合物分离并经无水MgSO4干燥。然后将混合物过滤并蒸发至干燥，然后通过在硅胶(洗脱液：己烷/甲苯＝4/1)上层析而提纯以提供PXBr(2.1g，69.0％)。
1H-NMR(400MHz,CD2Cl2)：δ7.61-7.53(m,8H)，7.49-7.38(m,6H)，7.18(d,J＝8.7Hz,2H)ppm。
EIMS(m/z)＝508[M+]。
I.2化合物(1)的合成
向圆底烧瓶中加入PXBr(合成实施例I.1)(2.00g，3.93毫摩尔)、咔唑(1.38g，8.25毫摩尔)和叔丁醇钠(1.13g,11.8毫摩尔)。加入无水二甲苯(80ml)并使氮气鼓泡通过混合物1小时。然后加入Pd(OAc)2(17.6mg，79.6微摩尔)、三-叔丁基膦(73.8·l，0.314毫摩尔)并将所得混合物在N2流下在回流温度下强力搅拌5小时。将所得混合物冷却至室温。将沉淀物过滤，并用水洗涤。将有机层分离并经无水MgSO4干燥，过滤并蒸发。将所得混合物通过硅胶垫(洗脱液：甲苯)过滤。将滤液蒸发至干燥，倒入己烷中以提供白色固体(2.07g:77.4g)。
1H-NMR：(400MHz,CD2Cl2)：δ8.14(d,J＝8.0Hz,4H)，7.80(d,J＝2.8Hz,2H)，7.75(q,J＝8.8Hz,2H)，7.67-7.60(m,6H)，7.47-7.37(m,14H)，7.30-7.26(m,4H)ppm。
EIMS(m/z)＝681[M+]
C48H32N2OSi的分析、计算值：C，84.67；H，4.74；N，4.11％。实测值：C，84.77；H，4.55；N，4.11％
I.3化合物(2)的合成
向圆底烧瓶中加入PXBr(合成实施例I.1)(3.00g，5.90毫摩尔)。在通入氮气1.5小时以后，加入无水四氢呋喃(60ml)。将所得混合物冷却至-70℃，然后逐滴加入正丁基锂(1.6M，11.1ml)。在-70℃下搅拌1小时以后，逐滴加入三苯基氯硅烷(5.21g，17.7毫摩尔)的醚溶液(20ml)。将所得混合物在室温下搅拌。将反应混合物蒸发，溶于甲苯(80ml)中并用水洗涤。将有机层分离并经无水MgSO4干燥，过滤并蒸发至干燥。通过从甲苯中再结晶而将所得溶液提纯以得到白色固体(2.88g，56.3％)。
1H-NMR(400MHz,THF-d4)：δ7.96(s,2H)，7.62(d,J＝8.2Hz,2H)，7.51(d,J＝8.2Hz,12H)，7.39-7.24(m,30H)ppm，
EIMS(m/z)＝868[M+]，
C60H46OSi3的分析、计算值：C，83.09；H，5.35％。实测值：C，83.04；H，5.28％。
I.4化合物(3)的合成
向圆底烧瓶中加入PXBr(合成实施例I.1)(2.00g，3.93毫摩尔)和二苯并呋喃-4-硼酸(2.43g，8.25毫摩尔)。向混合物中加入甲苯(40.0ml)、乙醇(20.0ml)和含水Na2CO3(2.6M，11.8ml)并使氮气鼓泡通过混合物1小时。然后加入Pd(PPh)4(0.23g，0.20毫摩尔)并将混合物在N2流下在回流温度下强力搅拌12小时。将所得混合物冷却至室温。将沉淀物过滤，并溶于回流甲苯(200ml)中，通过硅胶垫过滤。将清澈的滤液蒸发至干燥。通过从甲苯中再结晶而将所得白色固体进一步提纯(1.45g，54％)。
1H-NMR(400MHz,CD2Cl2)：δ8.12(d,J＝2.0Hz,2H)，8.01(d,J＝7.6Hz,2H)，7.86-7.81(m,4H)，7.71-7.56(m,10H)，7.49-7.34(m,12H)ppm。
EIMS(m/z)＝683[M+]
C48H32N2OSi的分析、计算值：C，84.43；H，4.43％。实测值：C，84.37；H，4.21％。
I.5化合物(4)、(5)和(6)的合成
化合物(4)、(5)和(6)类似于化合物(1)、(2)和(3)制备，其中应用精确的化学计量。
I.6化合物(V7)的合成
化合物(V7)公开于JP2006083167中(CZNTPH)。
II二极管实施例
II.1生产包含化合物(1)作为主体材料和空穴阻挡材料的OLED(OLED(1))
将用作阳极的ITO基底首先用用于LCD生产的商业洗涤剂(20NS和中和剂)清洗，然后在超声浴中在丙酮/异丙醇混合物中清洗。为消除可能的有机残余物，将基底在臭氧烘箱中暴露于连续臭氧流下另外25分钟。该处理也改进了ITO的空穴注入性能。接着，将来自Plexcore的AJ20-1000空穴注入层由溶液(～40nm)旋涂于其上。
其后，将下文所述有机材料通过在约10-8毫巴下以约0.5-5nm/min的速率气相沉积而应用于清洁基底上。应用于基底上的空穴导体和激子阻挡体为厚度为35nm且掺杂有MoO3(～50重量％)的Ir(dpbic)3(V1)(DPBIC)以改进导电率。
公开于例如WO2005/019373中
随后，通过气相沉积以5nm的厚度应用Ir(dpbic)3(V1)。
随后通过气相沉积以40nm的厚度应用发射体(E1)(30重量％)、Ir(dpbic)3(V1)(主体H1)(15重量％)和化合物(1)(合成实施例I.2)(主体H2)(55重量％)的混合物，其中前一种化合物充当发射体材料，后两种充当基体材料。E1、H1和H2的重量比在下文给出。
公开于WO 2011/073149中
随后通过气相沉积以5nm的厚度应用化合物(1)作为激子和空穴阻挡体。
接着，作为电子传输体，通过气相沉积，以25nm的厚度应用50重量％(V2)和50重量％Liq的混合物，应用0.7nm厚KF层以及最后100nm厚Al电极。在惰性氮气气氛中将所有组件结合在玻璃盖上。
公开于WO 2006/128800 A1中
II.2生产包含化合物(2)作为主体材料和空穴阻挡材料的OLED(OLED(2))
如同实施例II.1，不同的是所用主体材料和空穴阻挡材料为根据合成实施例I.3的化合物(2)，而不是化合物(1)。
II.3生产包含化合物(3)作为主体材料和空穴阻挡材料的OLED(OLED(3))
如同实施例II.1，不同的是所用主体材料和空穴阻挡材料为根据合成实施例I.4的化合物(3)，而不是化合物(1)。
II.4生产包含对比化合物(V7)作为主体材料和空穴阻挡材料的OLED(OLED(V7))
如同实施例II.1，不同的是所用主体材料和空穴阻挡材料为根据合成实施例I.5的化合物(V7)，而不是化合物(1)。
结果
为表征实施例II.1、II.2和II.3的OLED以及对比例II.4的OLED，在不同的电流和电压下记录电致发光光谱。另外，与发射的光输出组合测量电流-电压特性。光输出可通过用光度计校准而转化成光度参数。数据显示于表1中。
II.5生产包含化合物(4)、(5)和(6)作为主体材料和空穴阻挡材料的OLED(OLED(4)、(5)和(6))
如同实施例II.1，不同的是所用主体材料和空穴阻挡材料为分别根据合成实施例I.5的化合物(4)、(5)或(6)，而不是化合物(1)。
得到的OLED(4)、(5)和(6)发射蓝光。
表1
1)CIE(International Commission on Illumination)色坐标：x-坐标
2)(CIE(International Commission on Illumination)色坐标：y-坐标
3)标准化值：相对于对比OLED II.4(主体和空穴阻挡材料：(V7))的值标准化–对比OLED II.4(主体和空穴阻挡材料：(V7))的值设置为1.000
4)EQE：外量子效率
5)LD：寿命
结论：
本发明OLED(1)-(3)的性能与对比OLED(V7)的性能相比明显更好。本发明OLED与对比OLED之间的唯一区别是用作发光层中的主体以及用作激子和空穴阻挡体的材料，根据本发明，其为吩噁硅化合物，根据对比例，其为吩吖硅(phenazasiline)化合物。与吩吖硅相比，本发明吩噁硅的优点尤其在以下OLED性能方面是明显的：
i)电压：包含本发明吩噁硅的本发明OLED比包含吩吖硅的OLED在明显更低的电压下工作；
ii)外量子效率(EQE)：包含本发明吩噁硅的本发明OLED比包含吩吖硅的OLED显示出明显更高的EQE；
iii)寿命(LD)：包含本发明吩噁硅的本发明OLED比包含吩吖硅的OLED显示出明显更长的寿命；这尤其从OLED II.2(主体和空穴阻挡材料：(2))与OLED II.4(主体和空穴阻挡材料(V7))的直接对比中清楚看出，其中吩噁硅(根据本发明；(2))和吩吖硅(对比例；(V7))的取代基是相同的。

Claims (22)

1.一种式(I)的吩噁硅衍生物：
其中：
R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基或者具有给体或受体作用的取代基，所述具有给体或受体作用的取代基选自C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR10R11R12、卤素基团、卤化C1-C20烷基、羰基(-CO(R10))、羰硫基(-C＝O(SR10))、羰氧基(-C＝O(OR10))、氧羰基(-OC＝O(R10))、硫羰基(-SC＝O(R10))、氨基(-NR10R11)、OH、拟卤素基团、酰氨基(-C＝O(NR10))、-NR10C＝O(R11)、膦酸酯(-P(O)(OR10)2)、磷酸酯(-OP(O)(OR10)2)、膦(-PR10R11)、氧化膦(-P(O)R10 2)、硫酸酯(-OS(O)2OR10)、亚砜(-S(O)R10)、磺酸酯(-S(O)2OR10)、磺酰基(-S(O)2R10)、磺酰胺(-S(O)2NR10R11)、NO2、硼酸酯(-OB(OR10)2)、亚氨基(-C＝NR10R11)、硼烷基、锡烷基、肼基、腙基、肟基、亚硝基、重氮基、乙烯基、亚硫酰亚胺、铝烷、锗烷、环氧硼烷和环硼氮烷；
或者两个相邻的R1、R2、R3、R4、R5、R6或R7基团每种情况下与它们键合的碳原子一起形成具有总计3-12个原子的环，其中环为饱和或者单-或多不饱和的并且除碳原子外具有或不具有一个或多个选自N、O和P的杂原子，其中环为未取代或者单-或多取代的和/或与其它3-12元环稠合；
R8和R9各自独立地为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基或具有5-30个环原子的杂芳基；
R10、R11、R12各自独立地为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、-O-Si(C1-C20烷基)3、-O-Si(C6-C30芳基)3、C1-C20烷氧基或C6-C30芳氧基；
或者两个相邻的R10和R11、R10和R12或R11和R12基团与它们键合的原子一起形成具有总计3-12个原子的环，其中环为饱和或者单-或多不饱和的并且除R10、R11或R12基团键合的原子外，具有仅碳原子或者一个或多个选自N、O和P的其它杂原子，其中环为未取代或者单-或多取代的和/或与其它3-12元环稠合；
Y为C2-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基或者具有给体或受体作用的取代基，所述具有给体或受体作用的取代基选自C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR10R11R12、卤素基团、卤化C1-C20烷基、羰基(-CO(R10))、羰硫基(-C＝O(SR10))、羰氧基(-C＝O(OR10))、氧羰基(-OC＝O(R10))、硫羰基(-SC＝O(R10))、氨基(-NR10R11)、OH、拟卤素基团、酰氨基(-C＝O(NR10))、-NR10C＝O(R11)、膦酸酯(-P(O)(OR10)2)、磷酸酯(-OP(O)(OR10)2)、膦(-PR10R11)、氧化膦(-P(O)R10 2)、硫酸酯(-OS(O)2OR10)、亚砜(-S(O)R10)、磺酸酯(-S(O)2OR10)、磺酰基(-S(O)2R10)、磺酰胺(-S(O)2NR10R11)、NO2、硼酸酯(-OB(OR10)2)、亚氨基(-C＝NR10R11)、硼烷基、锡烷基、肼基、腙基、肟基、亚硝基、重氮基、乙烯基、亚硫酰亚胺、铝烷、锗烷、环氧硼烷和环硼氮烷；或者SiR10R11R12。
2.根据权利要求1的吩噁硅衍生物，其中
Y为具有5-30个环原子的杂芳基，所述杂芳基选自吡咯基、呋喃基、噻吩基，吡咯基、呋喃基、噻吩基的苯并稠合环体系、吡啶基、嘧啶基、吡唑基、咪唑基、噻唑基、唑基、三唑基和菲咯啉基；或者SiR10R11R12。
3.根据权利要求1的吩噁硅衍生物，其中：
Y为具有5-30个环原子的杂芳基，所述杂芳基选自吡咯基、呋喃基、噻吩基，吡咯基、呋喃基、噻吩基的苯并稠合环体系、吡啶基、嘧啶基、吡唑基、咪唑基、噻唑基、唑基、三唑基和菲咯啉基；或者SiR10R11R12；且
R10、R11和R12各自独立地为C6-C30芳基。
4.根据权利要求3的吩噁硅衍生物，其中Y选自吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、异中氮茚基、咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和SiPh3。
5.根据权利要求1-4中任一项的吩噁硅衍生物，其中Y选自：
和SiPh3，
其中：
X为NR10、O或S，
R10为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、-O-Si(C1-C20烷基)3、-O-Si(C6-C30芳基)3、C1-C20烷氧基或C6-C30芳氧基；且
R13为H或式(I’)的吩噁硅基：
其中取代基Y‘、R1‘、R2’、R3’、R4’、R5’、R7’、R8’和R9’独立地具有与式(I)吩噁硅衍生物中的取代基Y、R1、R2、R3、R4、R5、R7、R8和R9相同的含义，
且符号～意指在以～标记的位置上存在键合部位。
6.根据权利要求1-4中任一项的吩噁硅衍生物，其中R8和R9各自独立地为C6-C30芳基或具有5-30个环原子的杂芳基。
7.根据权利要求1-4中任一项的吩噁硅衍生物，其中R8和R9为相同的。
8.根据权利要求1-4中任一项的吩噁硅衍生物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自为氢或R1、R2、R5、R6和R7各自为氢且R3和R4各自独立地为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、甲氧基、苯氧基、卤化C1-C4烷基、卤素、CN、SiR10R11R12、P(O)Ph2或二苯基氨基。
9.根据权利要求1-4中任一项的吩噁硅衍生物，其中：
R1、R2、R3、R4、R5和R7为氢，且
R6为具有5-30个环原子的杂芳基，所述杂芳基选自吡咯基、呋喃基、噻吩基，吡咯基、呋喃基、噻吩基的苯并稠合环体系、吡啶基、嘧啶基、吡唑基、咪唑基、噻唑基、唑基、三唑基和菲咯啉基；或者SiR10R11R12；且
R10、R11和R12各自独立地为C6-C30芳基。
10.根据权利要求6的吩噁硅衍生物，其中式(I)的吩噁硅衍生物选自式(Ia)、(Ib)、(Ic)和(Id)的化合物：
其中：
Y和R6各自独立地为具有5-30个环原子的杂芳基，所述杂芳基选自吡咯基、呋喃基、噻吩基，吡咯基、呋喃基、噻吩基的苯并稠合环体系、吡啶基、嘧啶基、吡唑基、咪唑基、噻唑基、唑基、三唑基和菲咯啉基；或者SiR10R11R12；
R3和R4各自独立地为C1-C20烷基、C3-C20环烷基、具有3-20个环原子的杂环烷基、C6-C30芳基、具有5-30个环原子的杂芳基、甲氧基、苯氧基、卤化C1-C4烷基、或卤素，且
R10、R11和R12各自独立地为C6-C30芳基；且
R8和R9各自独立地为C6-C30芳基或具有5-30个环原子的杂芳基。
11.根据权利要求2或3的吩噁硅衍生物，其中所述吡咯基、呋喃基、噻吩基的苯并稠合环体系选自苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、异中氮茚基、咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
12.根据权利要求9的吩噁硅衍生物，其中所述吡咯基、呋喃基、噻吩基的苯并稠合环体系选自苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、异中氮茚基、咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
13.根据权利要求10的吩噁硅衍生物，其中所述吡咯基、呋喃基、噻吩基的苯并稠合环体系选自苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、异中氮茚基、咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
14.一种有机电子器件，其包含至少一种根据权利要求1-13中任一项所述的式(I)的吩噁硅衍生物。
15.根据权利要求14的有机电子器件，其中有机电子器件为有机发光二极管。
16.根据权利要求15的有机电子器件，其中有机发光二极管包含阳极An和阴极Ka以及在阳极An与阴极Ka之间的发光层E，以及任选至少一个其它层，该至少一个其它层选自至少一个空穴/激子阻挡层、至少一个电子/激子阻挡层、至少一个空穴注入层、至少一个空穴导体层、至少一个电子注入层和至少一个电子导体层，其中式(I)的吩噁硅衍生物存在于发光层E和/或所述其它层中的至少一个中。
17.根据权利要求14-16中任一项的有机电子器件，其中式(I)的吩噁硅衍生物用作主体材料、电子/激子传输材料、空穴/激子传输材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴/激子注入材料和/或电子/激子注入材料。
18.一种发光层、电子/激子传输层、空穴/激子传输层、空穴/激子阻挡层、电子/激子阻挡层、空穴/激子注入层和/或电子/激子注入层，其包含至少一种根据权利要求1-13任一项的式(I)的吩噁硅衍生物。
19.一种器件，其选自由下述组成的组：固定视觉显示装置、移动视觉显示装置、照明装置、键盘、服装、家具和壁纸器件，其包含至少一个如权利要求15中所定义的有机发光二极管。
20.根据权利要求19的器件，其中所述固定视觉显示装置选自以下设备的视觉显示装置：计算机、电视机，打印机、厨房电器和广告牌、照明、和信息板。
21.根据权利要求19的器件，其中所述移动视觉显示装置选自智能手机、无线电话、便携式电脑、数码相机、MP3播放器、车辆中的视觉显示装置，以及公共汽车和火车上的目的地显示器。
22.根据权利要求1-13任一项的式(I)的吩噁硅衍生物在有机电子应用中的用途。
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