CN104827771A - 导通构造、导通构造的制造方法、液滴排出头以及印刷装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供容易实现基板间的布线的高密度化的导通构造、能够高效地制造该导通构造的制造方法、具备上述导通构造且小型化容易的液滴排出头、以及具备该液滴排出头的印刷装置。本发明的导通构造的特征在于，具有：器件基板(10B)，其具备导电部(291)；IC(9)，其具备上表面(92)、相对于该上表面(92)倾斜的端面(94a)以及导电部(292)；密封板(10A)，其具备上表面(265)、相对于该上表面(265)倾斜的端面(272a)以及导电部(293)；以及电镀层(282)，其将导电部(291)与导电部(293)之间以及导电部(292)与导电部(293)之间分别电连接。

Description

导通构造、导通构造的制造方法、液滴排出头以及印刷装置
技术领域
本发明涉及导通构造、导通构造的制造方法、液滴排出头以及印刷装置。
背景技术
例如在对印刷用纸等记录介质实施印刷时，使用具备液滴排出头的印刷装置(例如参照专利文献1)。
专利文献1所记载的液滴排出头具备：流路形成基板，其形成有暂时存积墨水的压力产生室以及与之连通并将压力产生室内的墨水形成为液滴排出的排出口；以及贮存器形成基板，其设置于流路形成基板上并形成有对向压力产生室供给的墨水进行初步保持的贮存器的一部分。另外，与压力产生室邻接地配置有压电元件。该压电元件相对于对该压电元件的驱动进行控制的驱动器IC经由布线图案(导通构造)电连接。而且，通过驱动压电元件，能够从排出口将墨滴可靠地排出。
这里，压电元件设置在设置于流路形成基板的压电元件保持部之类的空间内。并且，沿设置于流路形成基板的倾斜面铺设将压电元件与驱动器IC连接的布线图案。将这种连接压电元件与驱动器IC之间的布线图案(导通构造)通过各种方法形成。例如，在专利文献1中，采用一边使铺设于倾斜面以及驱动器IC的搭载面的电气布线与驱动器IC的连接端子对位，一边将贮存器形成基板与驱动器IC粘合之后，通过无电镀法在贮存器形成基板侧的电气布线与驱动器IC侧的连接端子双方使电镀金属析出的方法。然后，通过在双方使电镀金属析出到相互结合为止，将贮存器形成基板的电气布线与驱动器IC的连接端子电连接。
另一方面，在专利文献2、3中，也公开有在布线基板上配置半导体元件后，通过无电镀法使电镀金属从布线基板的连接端子与半导体元件的连接端子双方生长，从而将布线基板与半导体元件电连接的方法。
专利文献1：日本特开2006－289943号公报
专利文献2：日本特开2005－311122号公报
专利文献3：日本特开2006－140247号公报
然而，在专利文献1所公开的方法中，铺设于贮存器形成基板中的驱动器IC的搭载面的电气布线、与驱动器IC的连接端子保持为相互相对的状态，之后用于无电镀法。因此，驱动器IC的安装方式限定于所谓的倒置方式。其结果是，在驱动器IC的安装中，需要准备倒置安装用的平坦面，即相当于上述的驱动器IC的安装面的面。因此，需要将搭载面确保为较宽，另外，布线图案的线路长变长，从而难以充分提高电气布线的配设密度。
另一方面，在专利文献2、3所公开的方法中，根据布线基板的连接端子与半导体元件的连接端子相互分离的状态，利用无电镀法中电镀金属各向同性生长的情况，在相互分离的连接端子彼此之间将电镀金属连结，由此实现电连接。
然而，由于如前述那样电镀金属各向同性生长，所以在以将相互分离的连接端子彼此之间连结的方式使电镀金属生长的同时，在由电镀金属形成的布线图案的宽度方向(与将欲连结的连接端子彼此连结的方向正交的方向)也大幅度扩张。因此，为了防止意外短路，需要使布线基板的相邻的连接端子彼此、或者半导体元件的相邻的连接端子彼此充分分离。其结果是，无法充分提高连接端子的配设密度，从而难以实现布线基板、半导体元件的小型化。
发明内容
本发明的目的在于提供容易实现基板间的布线的高密度化的导通构造、能够高效地制造该导通构造的导通构造的制造方法、具备上述导通构造且小型化容易的液滴排出头、以及具备该液滴排出头的印刷装置。
这种目的通过下述本发明而实现。
本发明的导通构造的特征在于，具有：
第一基板，其具备主表面、相对于该主表面不平行并且连续的端面以及设置于该端面的第一导电部；
第二基板，其具备主表面、相对于该主表面不平行并且连续的端面以及设置于该端面的第二导电部，该主表面与上述第一基板的上述主表面设置为相对；以及
电镀层，其将上述第一导电部与上述第二导电部之间电连接。
由此，由于利用各基板的端面形成导电层，并在该导电层析出金属而获得电镀层，所以在欲形成的布线的配设密度较高的情况下，也能够正确地形成布线。因此，能够获得容易实现基板间的布线的高密度化的导通构造。
本发明的导通构造优选为，在上述第一基板中，上述主表面与上述端面所成的角度为大于0°小于90°，
在上述第二基板中，上述主表面与上述端面所成的角度为大于0°小于90°。
由此，能够实现导通构造的小型化，并且能够相对于端面容易形成导电层。
在本发明的导通构造中，上述第二基板优选为以硅为主材料。
由此，在将第二基板形成为IC的情况下，性能优良。另外，在第一基板也以硅为主材料的情况下，第一基板与第二基板的热膨胀率接近，因此能够抑制在导通构造中产生弯曲等不良的情况。
在本发明的导通构造中，上述第二基板的上述端面优选为由硅的平面方向(1、1、1)的面构成。
由此，能够提高端面的平坦性，并且能够提高相对于主表面的倾斜角度的精度。其结果是，在端面形成导电层与电镀层来进行布线时，能够进一步提高布线的配设密度。
在本发明的导通构造中，优选为上述第一基板的上述端面与上述第二基板的上述端面彼此位于同一平面上。
由此，提高设置于第一基板的端面的第一导电部以及设置于第二基板的端面的第二导电部的可视性，从而能够提高检查作业的效率。即，在放大观察第一导电部以及第二导电部时，容易使放大镜的焦点相对于第一导电部以及第二导电部对齐，因此缩短辨识第一导电部以及第二导电部所需的时间，从而能够缩短检查作业所需的时间。
在本发明的导通构造中，优选为上述第一基板的上述端面与上述第二基板的上述端面以相互偏移的方式定位。
由此，在第一基板的主表面设置有导电层的情况下，增大该导电层与电镀层的接触面积。其结果是，能够进一步提高导电层与电镀层之间的电连接的可靠性。
在本发明的导通构造中，上述第一基板优选为还具备与上述第一导电部连接的电气电路。
由此，第一导电部与电气电路的连接电阻变小，因此能够进一步提高电气电路的动作稳定性。
本发明的导通构造的制造方法是制造如下导通构造的方法，其中，该导通构造具有：第一基板，其具备主表面、相对于该主表面不平行并且连续的端面以及设置于该端面的第一导电部；第二基板，其具备主表面、相对于该主表面不平行并且连续的端面以及设置于该端面的第二导电部，该主表面与上述第一基板的上述主表面设置为相对；以及电镀层，其将上述第一导电部与上述第二导电部之间电连接，
上述导通构造的制造方法的特征在于，具有：
以使上述第一导电部的位置与上述第二导电部的位置对齐的状态将上述第一基板与上述第二基板粘合的工序；以及
通过电镀法从上述第一导电部以及上述第二导电部分别析出上述电镀层的工序。
由此，能够高效地制造容易实现基板间的布线的高密度化的导通构造。
在本发明的导通构造的制造方法中，优选为上述第一基板的上述端面以及上述第二基板的上述端面是分别通过各向异性蚀刻法形成的面。
由此，容易如设计那样造出作为被加工物的母材的主表面与应加工的面(端面)的角度。因此，能够容易进行目的形状的加工，从而能够使端面的倾斜角度接近设计。
在本发明的导通构造的制造方法中，优选为上述第一导电部以及上述第二导电部是在分别通过溅射法而成膜金属膜后，通过光刻法对上述金属膜刻画图案而形成的。
溅射法在比较低温下也能够成膜紧贴性高的金属膜，因此将伴随成膜而产生的各基板的热影响抑制在最小限度，从而有助于实现高精度的导通构造。另外，由于膜厚的控制比较容易，所以能够获得膜厚的均匀性高的金属膜，最终提高布线的刻画图案精度，从而能够有助于布线的高密度化。
在本发明的导通构造的制造方法中，上述电镀法优选为无电镀法。
由此，能够对于各导电部选择性地析出金属，从而能够容易地形成电镀层。
本发明的液滴排出头的特征在于具备本发明的导通构造。
由此，能够获得小型且可靠性高的液滴排出头。
本发明的印刷装置的特征在于具备本发明的液滴排出头。
由此，能够获得小型且可靠性高的印刷装置。
附图说明
图1是表示应用了本发明的导通构造的第一实施方式的液滴排出头(本发明的液滴排出头的第一实施方式)的剖视图。
图2是从箭头A方向观察图1所示的液滴排出头的图(俯视图)。
图3是由图2中的点划线围起的区域[B]的放大详细图。
图4是由图1中的点划线围起的区域[C]的放大详细图。
图5(a)～图5(c)是用于对本发明的导通构造的制造方法的第一实施方式进行说明的剖视图。
图6(d)～图6(f)是用于对本发明的导通构造的制造方法的第一实施方式进行说明的剖视图。
图7(g)、图7(h)是用于对本发明的导通构造的制造方法的第一实施方式进行说明的剖视图。
图8是表示本发明的印刷装置的实施方式的立体图。
图9是表示应用了本发明的导通构造的第二实施方式的液滴排出头(本发明的液滴排出头的第二实施方式)的局部放大剖视图。
图10是表示应用了本发明的导通构造的第三实施方式的半导体装置的局部放大剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图所示的优选的实施方式对本发明的导通构造、导通构造的制造方法、液滴排出头以及印刷装置详细地进行说明。
＜第一实施方式＞
[液滴排出头以及导通构造]
图1是表示应用了本发明的导通构造的第一实施方式的液滴排出头(本发明的液滴排出头的第一实施方式)的剖视图，图2是从箭头A方向观察图1所示的液滴排出头的图(俯视图)，图3是图2中的点划线所围起的区域[B]的放大详细图，图4是图1中的点划线所围起的区域[C]的放大详细图，图5～7是用于分别对本发明的导通构造的制造方法的第一实施方式进行说明的剖视图，图8是表示本发明的印刷装置的实施方式的立体图。此外，以下为了便于说明，将图1、图4～7的上侧称为“上”或者“上方”，将下侧称为“下”或者“下方”。
图1～4所示的液滴排出头1具备由板状体构成的底基板2、和在底基板2上配置的IC(Integrated Circuit：集成电路)9。该液滴排出头1如后述那样搭载于印刷装置(液滴排出装置)100，例如将墨水300作成液滴排出至印刷用纸等记录介质200上，从而能够在该记录介质200实施印刷(参照图8)。
如图2所示，底基板2俯视下呈长方形。该底基板2由具有密封板10A、器件基板10B以及喷嘴基板(喷嘴板)21并从下侧开始以喷嘴基板21、器件基板10B、密封板10A的顺序层叠的层叠体构成。另外，密封板10A与器件基板10B经由粘合剂层(粘合剂)11粘合。而且，器件基板10B的上表面与密封板10A的下表面相对地配置，并通过在彼此之间插入粘合剂层11而粘合。
另一方面，IC9与密封板10A经由粘合剂层(粘合剂)14粘合。而且，密封板10A的上表面与IC9的下表面相对地配置，并通过在彼此之间插入粘合剂层14而粘合。
此外，本实施方式以及后述的第二实施方式的器件基板10B、密封板10A以及IC9均呈沿图4的左右方向扩张的板状。因此，在针对本实施方式以及第二实施方式的说明中，将器件基板10B、密封板10A以及IC9分别具有的两个主表面中的位于图4的上方的主表面称为“上表面”，将位于下方的主表面称为“下表面”。
作为上述粘合剂层11、14的厚度，不特别限定，例如优选为0.1μm以上5μm以下，更加优选为0.5μm以上2μm以下。另外，器件基板10B与喷嘴基板21也经由粘合剂层(未图示)粘合。
密封板10A由层叠体构成，具有贮存器形成基板(保护基板)24和柔性基板26，并构成为将它们按照该按顺序从下侧开始层叠而成的构造。另外，器件基板10B也分别由层叠体构成，具有流路形成基板22、振动板23以及多个压电元件25，并构成为将它们按照该按顺序从下侧开始层叠而成的构造。而且，在各层叠体中，构成该层叠体的各层例如经由未图示的粘合剂层、热熔敷膜等粘合。
通过这样由层叠体构成底基板2，能够与用途、功能对应地分别使用构成该层叠体的各层。由此，能够得到薄型的液滴排出头1，有助于印刷装置100的小型化。
如图1所示，喷嘴基板21具有多个排出口(喷嘴开口)211，排出口(喷嘴开口)211形成为贯通该喷嘴基板21，即在底基板2(板状体)的下表面212开口。上述排出口211配置为矩阵状。在本实施方式中，排出口211在底基板2的长度方向(长边方向)配置有一个以上，在宽度方向(短边方向)配置有2列。
此外，优选在各排出口211设置有具有防水性的涂层。由此，从各排出口211排出的液滴容易分别朝向垂直下方落下，能够可靠地着陆于记录介质200上的应着陆的位置。
另外，喷嘴基板21的构成材料不特别限定，但例如优选使用硅材料或者不锈钢。由于这种材料的耐药品性优良，所以即便长时间暴露于墨水300，也能够可靠地防止喷嘴基板21变质、劣化。另外，由于上述材料的加工性优良，所以能够获得尺寸精度高的喷嘴基板21。因此，能够获得可靠性高的液滴排出头1。
在流路形成基板22形成有供墨水300朝向各排出口211通过的流路(cavity)221。该流路221例如通过蚀刻形成。如图1所示，各流路221能够分别分为压力产生室222、中继室(连通部)223以及使压力产生室222与中继室223连通的连通路(供给路)224。
压力产生室222分别对应于各排出口211设置，并且经由该排出口211与外部连通。
中继室223设置于比压力产生室222靠上游侧。
另外，连通路224设置于压力产生室222与中继室223之间。
此外，作为流路形成基板22的构成材料，并不特别限定，例如能够使用与喷嘴基板21的构成材料相同的材料。
振动板23通过后述的压电元件25的驱动而能够在其厚度方向振动。另外，振动板23的一部分与压力产生室222面对。而且，能够通过振动板23振动，使压力产生室222内的压力变化，由此从压力产生室222经由排出口211将墨水300作为液滴排出。
这种振动板23通过从流路形成基板22侧按顺序层叠弹性膜231与下电极膜232而成。弹性膜231例如由1μm以上2μm以下左右的厚度的氧化硅膜构成。下电极膜232例如由0.2μm左右的厚度的金属膜构成。该下电极膜232还作为配置于流路形成基板22与贮存器形成基板24之间的多个压电元件25的共用电极发挥功能。
在贮存器形成基板24，暂时存积墨水300的贮存器241以与流路形成基板22的各流路221分别连通的方式形成。如图1所示，各贮存器241能够分别分为第一室(贮存器部)242、第二室(导入路)243以及使第一室242与第二室243连通的连通路244。
第一室242位于流路形成基板22的流路221的中继室223的上方。此外，对于振动板23而言，第一室242与中继室223之间的部分贯通，由此，第一室242与中继室223连通。
第二室243设置于比第一室242靠上游侧。
另外，连通路244设置于第一室242与第二室243之间。
此外，在液滴排出头1中，中继室223也能够构成贮存器241的一部分。
另外，在贮存器形成基板24形成有分别收纳各压电元件25的压电元件收纳室245。压电元件收纳室245独立于贮存器241而形成。
作为贮存器形成基板24的构成材料，并不特别限定，例如能够使用硅、玻璃等。
各压电元件25是分别从下电极膜232侧按顺序层叠压电体膜(压电元件)251和上电极膜252而成的。而且，在上电极膜252与下电极膜232之间外加电压时，通过压电效果使压电体膜251变形。通过该变形，振动板23在上下方向振动。如前述那样，通过振动板23的振动，从而使压力产生室222内的压力变化，进而能够从该压力产生室222经由排出口211将墨水300作为液滴排出。这样，各压电元件25构成为分别经由振动板23从排出口211排出墨水300(液滴)。
柔性基板26通过从贮存器形成基板24侧按顺序层叠密封膜261与固定板262而成。密封膜261由具有挠性的材料(例如厚度6μm左右的聚苯硫醚膜)构成。该密封膜261的一部分与贮存器241相邻。另外，固定板262由金属材料等的比较硬质的材料(例如厚度30μm左右的不锈钢)构成。在该固定板262中的与贮存器241侧相邻的部分形成有该部分缺损的缺损部263。
另外，在柔性基板26形成有一并贯通密封膜261与固定板262的导入口264。导入口264是与各贮存器241分别连通，并将墨水300导入该贮存器241的部分。
而且，在由以上那样的层叠体构成的底基板2，如图1所示那样形成有在密封板10A(柔性基板26)的上表面265的中央部开口的凹部27。该凹部27例如通过蚀刻使密封板10A缺损直至在其厚度方向贯通而形成。
另外，如图1、图2所示，凹部27呈沿底基板2的长度方向的槽状。而且，该凹部27由底部271、从底部271立起设置并在凹部27(槽)的宽度方向(交叉的方向)对置的第一侧壁部(侧壁部)272a、272b以及从底部271立起设置并在凹部27的长度方向对置的第二侧壁部273a、273b构成。
凹部27的底部271形成为平坦的部分。
另外，第一侧壁部272a与第一侧壁部272b分别相对于底部271(以及密封板10A的上表面265)倾斜。此外，虽然该倾斜角度并不特别限定，但例如在由硅构成贮存器形成基板24的情况下，根据其平面方向适当地设定，并容易形成为54.7度、35.7度之类的角度。另外，第一侧壁部272a与第一侧壁部272b构成为彼此的分离距离朝向上表面265侧渐增。
第二侧壁部273a与第二侧壁部273b也分别与第一侧壁部272a、272b同样地相对于底部271倾斜。另外，第二侧壁部273a与第二侧壁部273b彼此的分离距离朝向上表面265侧渐增。
这样，通过第一侧壁部272a、第一侧壁部272b、第二侧壁部273a以及第二侧壁部273b分别倾斜，从而在例如通过蚀刻形成凹部27时，能够容易并且可靠地实现该形成。
换言之，底部271是相当于器件基板10B的上表面的部位。另外，第一侧壁部272a、第一侧壁部272b、第二侧壁部273a以及第二侧壁部273b分别由密封板10A的端面构成。该端面相对于密封板10A的上表面以及下表面连续，并且相对于上表面以及下表面如前述那样倾斜。
IC9如图1所示那样具有在半导体基板上形成的未图示的电子电路(electric circuit)和与该电子电路电连接的多个端子93。
在本实施方式中，如图1～3所示，以隔着凹部27的方式配置有两个IC9。
这种IC9例如以硅、锗、化合物半导体材料等各种半导体材料为主材料而构成，其中优选使用以硅为主材料的IC9。以硅为主材料的IC9性能优良，并且与贮存器形成基板24热膨胀率接近，因此能够抑制弯曲等的产生。
如上述所述，IC9的下表面91经由粘合剂层14与密封板10A的上表面265粘合。另外，IC9的上表面92与下表面91大致平行。
另一方面，IC9的端面94a如图4所示那样位于与前述的密封板10A的第一侧壁部272a彼此同一平面上。另外，在凹部27的宽度方向与端面94a对置的位置，存在与上述IC9不同的IC9的端面94b。该端面94b也如图1所示那样与前述的密封板10A的第一侧壁部272b彼此位于同一平面上。
上述端面94a、94b只要如图4所示那样满足相对于IC9的下表面91不平行的关系即可。即，端面94a、94b与下表面91所成的角度分别超过0°即可。
另外，端面94a、94b与下表面91所成的角度也可以分别为90°(直角)。其中，在考虑液滴排出头1的小型化等的情况下，端面94a、94b与下表面91所成的角度优选为分别不足90°，即端面94a、94b相对于下表面91倾斜，更优选为30°以上75°以下左右。由此，能够实现导通构造以及液滴排出头1的小型化，并且能够针对端面94a、94b容易形成布线图案28。
另外，在为以硅为主材料的IC9的情况下，优选为由硅的平面方向(1、1、1)的面构成端面94a、94b。通过使用这种面作为端面94a、94b，能够提高端面94a、94b的平坦性，并且能够提高端面94a、94b的倾斜角度的精度。由此，在如后述那样在端面94a、94b形成布线图案28时，能够进一步提高配设密度。
另外，在该情况下，贮存器形成基板24也优选为由硅的平面方向(1、1、1)的面构成第一侧壁部272a、272b。由此，端面94a与第一侧壁部272a相互平行，并且端面94b与第一侧壁部272b也相互平行。因此，容易使端面94a与第一侧壁部272a彼此位于同一平面上，同样容易使端面94b与第一侧壁部272b彼此也位于同一平面上。
此外，构成端面94a、94b的硅的平面方向不限定于上述结构，例如也可以形成为平面方向(1、0、0)的面等。
端子93是IC9的输入输出用端子，设置为在IC9的上表面92的一部分露出。此外，在考虑后述的布线图案的布线长的情况下，端子93优选位于端面94a、94b的附近。作为端子93的构成材料，并不特别限定，例如能够使用金、铜等电阻比较小的金属材料。
如图1、3、4所示，在凹部27设置有布线图案28。该布线图案28由呈线状的多根布线280构成。上述布线280分别在第一侧壁部272a侧与第一侧壁部272b侧分散地配置。此外，在图2中，省略了布线图案28的图示。
另外，位于第一侧壁部272a侧的多根布线280、与位于第一侧壁部272b侧的多根布线280在凹部27(底基板2)的宽度方向相互分离。
并且，如图3所示，在第一侧壁部272a侧相邻的布线280在凹部27的长度方向相互分离，即，沿凹部27的长度方向隔开间隔配置。此外，上述布线280的间隔朝向凹部27的底部271侧渐增。通过形成这种间隙，从而防止在第一侧壁部272a侧相邻的布线280短路(short)。
与之相同，在第一侧壁部272b侧相邻的布线280也沿凹部27的长度方向隔开间隔配置。而且，上述布线280的间隔也朝向凹部27的底部271侧渐增。
以下，对各布线280的结构进一步进行详述，但在以下的说明中，代表性地对图4所示的布线280进行说明。此外，对于其他布线280也能够应用与以下相同的说明。
图4所示的布线280是经由IC9的端面94a以及第一侧壁部272a将从IC9的上表面92至凹部27的底部271之间电连接的1根连续的导电路。通过具备这种布线280的导通构造，从而将IC9与压电元件25电连接，进而能够使液滴排出头1工作。这里，本实施方式的布线280形成为层叠构造，在图4中具备位于端面94a侧、第一侧壁部272a侧或者压电体膜251侧的导电部281、和在导电部281中的与端面94a、第一侧壁部272a以及压电体膜251侧相反的一侧以重叠的方式设置的电镀层282。通过这样使布线280形成为双层构造，能够使布线图案28的电阻降低，从而能够实现液滴排出头1的耗电量的减少、压电元件25的工作的高速化等。另外，由于布线280难以断线，所以能够提高液滴排出头1的可靠性。
布线280中的图4所示的导电部281被分为3个部分。具体而言，被分为设置于凹部27的底部271(器件基板10B的上表面)的导电部291、设置为从IC9的上表面92到端面94a的导电部292、以及设置于密封板10A的端面(凹部27的第一侧壁部272a)的导电部293。此外，导电部291与导电部293之间以及导电部292与导电部293之间可以彼此相互接触，但在本实施方式中如图4所示那样彼此相互分离。另外，本实施方式的导电部291是压电元件25的上电极膜252的一部分。
此外，如前述那样，IC9的端面94a与密封板10A的端面(凹部27的第一侧壁部272a)彼此位于同一平面上。由此，能够提高设置于上述端面的导电部281的可视性，从而能够提高检查作业的效率。即，在放大观察导电部281时，容易使放大镜的焦点对到导电部281的各部分，因此能够缩短辨识导电部281所需的时间，从而能够缩短检查作业所需的时间。
此外，IC9的端面94a与密封板10A的端面彼此位于同一平面上是指两个面所成的角度不足5°且两个面的阶梯差不足100μm的状态。
另一方面，图4所示的电镀层282设置为与导电部281重叠。由此，加强导电部281，并且将相互分离的导电部291与导电部293之间以及导电部292与导电部293之间分别电连接。其结果是，能够获得可靠性高并且导电性优良的布线280。
这种电镀层282通过各种电镀法形成。在电镀法中，能够通过在基底部析出金属成分而形成膜。因此，通过将导电部281预先成型为线状，从而电镀层282也自动生长为线状。换言之，能够维持作为基底的导电部281的形状并且形成电镀层282。其结果是，布线280具有即便在高密度地形成的情况下(以狭间距形成细线图案的情况下)也能够容易实现正确的制造的结构。
此外，布线280如前述那样具有双层构造，并且双层中的1层为电镀层282，因此容易进行膜厚的调整。因此，能够容易兼顾布线280的高密度化与低电阻化，从而能够兼顾液滴排出头1的耗电量的减少与压电元件25的工作的高速化。
换言之，通过使布线280形成为双层构造，容易实现布线280的细线化。通过使布线280形成为双层构造，从而即便为相同的线宽也容易抑制电阻的上升，因此更容易实现布线280的细线化。因此，从上述观点出发，也能够实现布线280的高密度化。
另外，在本实施方式的液滴排出头1中，以IC9的端子93位于与安装面相反的一侧的状态即所谓的正置(face up)状态安装IC9。因此，与以所谓的倒置(face down)状态安装的情况相比，即便是将IC9安装于底基板2的状态，也能够直接辨识端子93与布线280的连接部。其结果是，还具有能够容易进行端子93与布线280的连接状态的检查作业的优点。
并且，由于利用如前述那样倾斜的面来铺设本实施方式的布线280，所以能够容易从图1的A方向进行辨识。因此，还具有布线280的检查作业变得容易，并且能够通过后述的成膜法容易形成导电部281且也容易实现导电部281的膜厚的均匀化的优点。
另一方面，本实施方式的密封板10A具备在贮存器形成基板24的上表面设置的导电层246。该导电层246根据需要设置，也可以省略，但也可以具有例如通过刻画图案形成的电气布线。即，在密封板10A也可以形成有任意的电子电路。在该情况下，通过使导电层246的一部分形成为前述的导电部293，从而导电层246与布线280电连接，因此还能够将形成于密封板10A的电子电路与IC9、压电元件25电连接。换言之，能够经由布线280将IC9、密封板10A的电子电路以及压电元件25三维地连接。
此外，导电层246与布线280之间可以在全部各布线280连接，也可以将任意的布线280选择性地连接。即，布线图案28也可以除了包含将压电元件25与IC9电连接的布线280之外，还包含将导电层246与压电元件25连接的布线280、将IC9与导电层246连接的布线280等。
另外，导电部281、导电层246分别为具有导电性的材料，例举有Ni、Pd、Au、Al、Ti、Ti－W、Cu的单体或者化合物等。
并且，导电部281、导电层246分别可以为单层构造，也可以为层叠了多层的层叠构造。在为后者的情况下，优选由Ni－Cr系合金构成基底侧的层(远离电镀层282一侧的层)，由Au构成电镀层282侧的层。由此，能够兼顾导电部281的紧贴性与导电性。
另一方面，电镀层282由具有导电性并且能够通过电镀法析出的材料构成。作为上述材料，例举有Ni、Cu、Au、Pd、Co、Sn、Ag等。另外，电镀层282也可以包含电镀法中能够共析的物质。作为上述物质，例举有P、B、Bi等。
构成为经由以上那样的布线图案28实现IC9与压电元件25的导通的本实施方式的导通构造，在能够实现布线图案28的高密度化并且能够容易制造的方面有用。此外，由于上述导通构造构成为利用倾斜面铺设布线图案28，所以具有能够应用光刻法等精密加工技术的优点。因此，本实施方式的导通构造在以沿层叠的基板的厚度方向将基板彼此连结的方式铺设布线图案28的情况下，特别是在能够兼顾高密度化与制造容易性方面利用价值高。
此外，根据需要，也可以向IC9与器件基板10B之间插入多块密封板10A。另外，也可以插入以密封板10A为基准的其它部件。在这种情况下，也能够获得上述效果。
另外，搭载于一个液滴排出头1的IC9的个数并不特别限定，可以多于也可以少于本实施方式。
另一方面，在各IC9中的与铺设有布线图案28的端面94a相反的一侧的端面94a'，铺设有由具备导电部281'与电镀层282'的布线280'构成的布线图案28'。这种布线280'(布线图案28')的结构也与上述布线280(布线图案28)相同。因此，布线280'也发挥布线280所带来的上述那样的效果。即，布线280'将IC9的端子93与导电层246电连接。通过实现该布线280'的高密度化以及高可靠性化，能够实现液滴排出头1的进一步小型化与高可靠性化。
此外，虽然在各图中以铺设于IC9的端面的布线280与布线280'经由导电层246电连接的方式进行了图示，但是这仅仅是为了便于图示，也可以形成为电绝缘。
[导通构造的制造方法]
接下来，对包含本发明的导通构造的制造方法的实施方式的液滴排出头(图1所示的液滴排出头1)的制造方法进行说明。此外，在图5～7中，仅图示了液滴排出头1中的一部分，省略了其他部分的图示。
液滴排出头1的制造方法具有：准备具备导电部291的器件基板10B、具备导电部292的IC9以及具备导电部293的密封板10A，并以使导电部291的位置与导电部293的位置对齐的状态将器件基板10B与密封板10A粘合，并且以使导电部292的位置与导电部293的位置对齐的状态将密封板10A与IC9粘合的工序；和通过电镀法从导电部291、导电部292以及导电部293分别析出电镀层282的工序。以下，对各工序依次进行说明。
[1]首先，准备图5(a)所示的贮存器形成基板24。该贮存器形成基板24例如通过对未加工的母材实施各向异性蚀刻等加工而形成。根据各向异性蚀刻法，容易如设计那样实现母材的主表面与加工面的角度。因此，能够容易进行目的形状的加工。特别是在形成凹部27的第一侧壁部272a时，能够使其倾斜角度接近设计，从而能够显著提高贮存器形成基板24的尺寸精度。
在实施各向异性蚀刻的情况下，首先，使母材热氧化，例如将厚度700nm左右的SiO2膜形成于母材的外表面。接下来，将保护层涂覆于母材的两面实施刻画图案。接下来，将母材浸渍于氟酸中，除去SiO2膜的一部分使母材的外表面露出。接下来，在剥离保护层后，将母材浸渍于浓度35％左右的KOH溶液中，从而在该母材形成凹部27和压电元件收纳室245等。由此，能够获得贮存器形成基板24。接下来，在利用氟酸蚀刻SiO2膜后，使贮存器形成基板24再次热氧化，从而将该贮存器形成基板24的外表面绝缘化。
接下来，如图5(b)所示，在贮存器形成基板24的上表面形成导电层246。之后，根据需要对导电层246刻画图案。由此，能够在导电层246中形成电子电路。此外，导电层246的形成方法以及刻画图案方法与后述的导电部292、292'的形成方法以及刻画图案方法相同。
另外，在形成导电层246时，以还向贮存器形成基板24的端面侧，即凹部27的第一侧壁部272a侧延长的方式形成。由此，能够获得前述的导电部293。
如以上那样能够获得密封板10A。
接着，准备图5(c)所示的器件基板10B。该器件基板10B如前述那样具备流路形成基板22、振动板23以及多个压电元件25等。然后，经由粘合剂层11将密封板10A与器件基板10B粘合。此外，在将密封板10A与器件基板10B粘合后形成流路形成基板22。
构成粘合剂层11的粘合剂的组成并不特别限定，也可以为任意组成，但优选使用以热固化性树脂为主成分的组成。这种粘合剂比较而言耐热性、耐药品性较高，因此能够形成在电镀处理中难以劣化的粘合剂层11。具体而言，举出有环氧系粘合剂、聚氨酯系粘合剂、橡胶系粘合剂、烯烃系粘合剂等。
另外，在器件基板10B的下表面粘合喷嘴基板21。另外，虽在图5(c)未进行图示，但还形成柔性基板26等。如以上那样能够获得图5(c)所示的底基板2。
此外，若在器件基板10B的上表面粘合密封板10A，则在器件基板10B所具备的导电部291与密封板10A所具备的导电部293之间，产生相当于粘合剂层11的膜厚的长度的间隙294。该间隙294的长度(图5的上下方向上的长度)根据粘合剂层11的膜厚、导电部293的图案而不同，但是优选设定为0.1μm以上5μm以下，更优选设定为0.5μm以上2μm以下。只要为这种长度的间隙294，便能够利用后述的电镀层282充分填埋该间隙294，从而能够获得可靠性高的布线280。
接下来，如图6(d)所示，准备IC9。该IC9呈基板状，并具备设置于上表面92的端子93。另外，端面94a如前述那样形成为倾斜面。
接着，如图6(e)所示，形成导电部292以及导电部292'。上述导电部292、292'例如在对IC9整体成膜金属膜后，通过实施刻画图案而形成。以下，详细地进行说明。
金属膜例如通过真空蒸镀法、溅射法、CVD法之类的各种成膜法、电镀法等而成膜。其中，优选使用溅射法。溅射法在比较低温下也能够成膜紧贴性高的金属膜，因此将伴随成膜而产生的底基板2的热影响抑制在最小限度，从而有助于实现高精度的液滴排出头1。另外，由于膜厚的控制比较容易，所以能够获得膜厚的均匀性高的金属膜，最终提高导电部292、292'(导电部281)的刻画图案精度，从而能够有助于布线280的高密度化。此外，该金属膜用于形成导电部292、292'，因此如前述那样可以为单层也可以为多层。
接下来，在所获得的金属膜上形成保护层。然后，通过光刻(曝光、显影)法来进行保护层的刻画图案。
接着，对金属膜实施蚀刻处理。在为湿式蚀刻的情况下，作为蚀刻液，优选使用碘系的蚀刻液、硝酸系的蚀刻液、盐酸系的蚀刻液以及过氧化氢系的蚀刻液。
接下来，剥离保护层。由此，对金属膜实施刻画图案，从而能够获得图6(e)所示的导电部292、292'。然后，能够获得具备相互分离的导电部291、导电部292以及导电部293的导电部281。
接下来，如图6(f)所示，在底基板2的上表面粘合形成有导电部292、292'的IC9。对于该粘合使用粘合剂层14，但此时以凹部27的第一侧壁部272a与IC9的端面94a位于同一平面上的方式调整IC9的配置。同样，以凹部27的第一侧壁部272b与IC9的端面94b位于同一平面上的方式调整IC9的位置。
构成粘合剂层14的粘合剂的组成也不特别限定，而与构成前述的粘合剂层11的粘合剂的组成相同。
此外，若在底基板2的上表面粘合IC9，则在底基板2所具备的导电部293与设置于IC9的导电部292之间，产生相当于粘合剂层14的膜厚的长度的间隙295。该间隙295的长度(图6的上下方向上的长度)根据粘合剂层14的膜厚、导电部292以及导电部293的图案而不同，但是优选设定为0.1μm以上5μm以下，更优选设定为0.5μm以上2μm以下。只要为这种长度的间隙295，便能够利用后述的电镀层282充分填埋该间隙295，从而能够获得可靠性高的布线280。
另外，从在后述的工序中形成电镀层282的观点出发，优选图5中粘合剂层11的端部中的凹部27侧的端部与贮存器形成基板24的下端部一致、或者相比贮存器形成基板24的下端部向与凹部27侧相反的一侧略微缩进。由此，在使电镀层282析出时，能够抑制由于与粘合剂层11的干扰引起电镀层282中断的情况，从而能够进一步提高布线280的可靠性。
另外，与此相同，优选图6中粘合剂层14的端部中的凹部27侧的端部与IC9的下端部一致、或者相比IC9的下端部向与凹部27侧相反的一侧略微缩进。由此，在使电镀层282析出时，能够抑制由于与粘合剂层14的干扰引起电镀层282中断的情况，从而提高导电部281的可靠性，使金属膜在IC9与密封板10A之间难以中断，进而能够进一步提高布线280的可靠性。
此外，在粘合剂层11、14缩进时，其缩进量不特别限定，但优选设定为0.1μm以上5μm以下，更优选设定为0.5μm以上2μm以下。通过将粘合剂层11、14的缩进量设定于上述范围内，从而一定程度确保前述的间隙294、295的宽度(图5、图6的左右方向上的长度)。其结果是，通过在后述的工序中使电镀层282进入上述的间隙294、295，能够提高电镀层282的紧贴性，从而能够进一步提高液滴排出头1的可靠性。
[2]接下来，通过电镀法如图7(g)所示那样对于导电部281析出电镀金属M。同样，对于导电部292'以及导电层246析出电镀金属M。由此，形成图7(h)所示的布线280、280'(布线图案28、28')。
电镀法可以使用电解电镀法，但优选使用无电镀法。根据无电镀法，能够如图7(g)中箭头所示那样对于导电部281等选择性地析出电镀金属M，从而能够容易地形成电镀层282、282'。另外，无需电极的安装之类的作业，另外，即便具有凹部27只要浸入电镀液便也能够进行电镀，因此特别优选应用于液滴排出头1那样的形态。
这里，在电镀法中，从导电部281各向同性地析出、生长电镀金属M。因此，伴随着在相互分离的导电部291、导电部292以及导电部293中电镀金属M缓缓生长，前述的间隙294、295缓缓变窄。然后，最终，利用电镀金属M填埋间隙294、295，由此能够将导电部291与导电部293之间以及导电部292与导电部293之间彼此电连接。
此外，在为电镀法的情况下，由于从导电部281各向同性地析出电镀金属M，所以电镀层282不仅在导电部281的厚度方向生长，在宽度方向也生长。此时，在相邻的导电部281彼此的分离距离较小的情况下，存在产生短路的担忧。与此相对，在本实施方式中，如前述那样，对金属膜刻画图案形成导电部281，之后，填埋间隙294、295并以实现电连接为主要目的形成电镀层282。因此，电镀层282的厚度只要为利用电镀层282填埋间隙294、295的程度的厚度便足够，而无需增厚至必要以上。因此，即便在相邻的导电部281彼此的分离距离较小的情况下，也能够形成电镀层282，其结果是，能够兼顾布线280的高密度化与低电阻化。
另外，在本实施方式中，分别对于IC9预先形成导电部292、对于密封板10A预先形成导电部293、以及对于器件基板10B预先形成导电部291，并在将IC9、密封板10A以及器件基板10B粘合后，形成电镀层282。因此，通过适当地设定导电部291、导电部292以及导电部293的刻画图案的形状，从而容易预先充分缩短导电部291与导电部293的分离距离以及导电部292与导电部293的分离距离，因此，容易将间隙294、295的长度设定为前述那样的非常短的长度。
此外，在本实施方式中，由于在通过金属膜的刻画图案形成导电部281后，对其析出电镀层282，所以能够使所获得的布线280的精细度大致接近导电部281的精细度。因此，例如通过光刻法形成导电部281，由此能够获得精细度高的导电部281，最终能够获得精细度高的布线280。从上述观点出发，也能够实现布线280的高密度化，进而能够实现液滴排出头1的小型化。
如以上那样获得的液滴排出头1具有通过布线280的高密度化容易实现小型化并且通过布线280的低电阻化容易实现工作性能的提高(例如高速化等)、可靠性的提高的优点。
此外，本实施方式为从一块母材形成一块贮存器形成基板24的例子，但本发明并不局限于此，也可以从一块母材形成多块贮存器形成基板24，最终经由单片化作业制造一个液滴排出头1。
[印刷装置]
接下来，对具备液滴排出头1的印刷装置100进行说明。
图8所示的印刷装置100是通过喷墨方式印刷于记录介质200的印刷装置。该印刷装置100具备装置主体50、搭载有液滴排出头1的记录头单元20A以及20B、供给墨水300的墨水盒30A以及30B、搬运记录头单元20A以及20B的滑架40、使滑架40移动的移动机构70、以及将滑架40以能够移动的方式支承(引导)的滑架轴60。
墨水盒30A以能够装卸的方式安装于记录头单元20A，在其安装状态下能够将墨水300(黑墨水组成物)供给至记录头单元20A。
墨水盒30B也以能够装卸的方式安装于记录头单元20B，在其安装状态下能够将墨水300(彩色墨水组成物)供给至记录头单元20B。
移动机构70具有驱动马达701、以及与驱动马达701连结的正时皮带702。而且，驱动马达701的驱动力(旋转力)经由正时皮带702传递至滑架40，由此能够使滑架40根据记录头单元20A以及20B沿滑架轴60方向移动。
另外，在装置主体50且在滑架轴60的下侧沿其轴向设置有压印平板80。通过未图示的供纸辊等，供给的记录介质200被搬运至压印平板80上。而且，在压印平板80上对记录介质200排出墨水300实施印刷。
根据本发明，能够实现液滴排出头1的小型化与可靠性的提高，因此对于上述印刷装置100也能够实现小型化以及可靠性的提高。
＜第二实施方式＞
图9是表示应用了本发明的导通构造的第二实施方式的液滴排出头(本发明的液滴排出头的第二实施方式)的局部放大剖视图。此外，在以下的说明中，为了便于说明，将图9的上侧称为“上”或者“上方”，将下侧称为“下”或者“下方”。
以下，对第二实施方式进行说明，但在以下的说明中，以与前述的实施方式的不同点为中心进行说明，对于相同的事项省略其说明。
第二实施方式的液滴排出头1除了IC9的端面94a与凹部27的第一侧壁部272a以相互偏移的方式进行定位以外，与第一实施方式的液滴排出头1相同。此外，在图9中，对于与前述的第一实施方式相同的结构，标注相同附图标记。
图9所示的IC9以其端面94a相比凹部27的第一侧壁部272a的延长线向图9的左侧(与凹部27侧相反的一侧)偏移的方式配置。这样配置的结果是，在端面94a与第一侧壁部272a之间形成有阶梯差。在图9中，密封板10A的上表面265在端面94a与第一侧壁部272a之间露出，其形成为阶梯差。
因此，电镀层282还在该阶梯差析出，通过设置阶梯差增大电镀层282与导电层246的接触面积。由此，能够进一步减小电镀层282与导电层246的连接电阻，从而能够进一步提高电镀层282与导电层246之间的电连接的可靠性。特别是在对导电层246刻画图案形成电子电路的情况下，从电子电路的动作稳定性等观点出发是有用的。
端面94a与第一侧壁部272a的偏移量根据液滴排出头1的大小适当地设定，不特别限定，但作为一个例子，优选为50μm以上2000μm左右，更优选为100μm以上1000μm以下左右。通过将偏移量设定于上述范围内，能够抑制导通构造的大型化，并且能够充分减小上述电镀层282与导电层246的连接电阻。
此外，根据这种第二实施方式，也能够获得与前述的第一实施方式相同的作用、效果。
＜第三实施方式＞
图10是表示应用了本发明的导通构造的第三实施方式的半导体装置的局部放大剖视图。此外，在以下的说明中，为了便于说明，将图10的上侧称为“上”或者“上方”，将下侧称为“下”或者“下方”。
以下，对第三实施方式进行说明，但在以下的说明中，以与前述的实施方式的不同点为中心进行说明，对于相同的事项省略其说明。此外，在图10中，对于与前述的第一、第二实施方式相同的结构标注相同附图标记。
具备第三实施方式的导通构造的半导体装置1000具备半导体用的封装体基板95、搭载于其上的第一半导体晶片9A以及进一步层叠于其上的第二半导体晶片9B。这种半导体装置1000通过将设置于封装体基板95的下表面的未图示的端子与电气电路连接，作为层叠型半导体元件工作。此外，本实施方式的封装体基板95、第一半导体晶片9A以及第二半导体晶片9B均呈沿图10的左右方向扩张的板状。因此，在本实施方式的说明中，将封装体基板95、第一半导体晶片9A以及第二半导体晶片9B分别具有的两个主表面中的位于图10的上方的主表面称为“上表面”，将位于下方的主表面称为“下表面”。
封装体基板95具备绝缘性基板951和设置于其上表面的导电层952。作为绝缘性基板951、导电层952的各构成材料，能够使用与公知的封装体基板相同的材料。
在封装体基板95的上表面经由粘合剂层14A粘合有第一半导体晶片9A。该第一半导体晶片9A具有与第一实施方式的IC9相同的结构。
第一半导体晶片9A的下表面91A以及上表面92A相互大致平行，下表面91A相对于封装体基板95的上表面以大致平行的方式粘合。
另一方面，第一半导体晶片9A的端面941、941是分别相对于下表面91A以及上表面92A双方倾斜并且连续的面。上述端面941、941具有与第一实施方式的IC9的端面94a相同的结构。
而且，第一半导体晶片9A具备以在其上表面92A露出的方式设置的端子93。通过将该端子93与封装体基板95连接，能够使第一半导体晶片9A工作。
在第一半导体晶片9A的上表面经由粘合剂层14B粘合有第二半导体晶片9B。该第二半导体晶片9B也具有与第一实施方式的IC9相同的结构。
第二半导体晶片9B的结构除了下表面91B以及上表面92B的大小分别比第一半导体晶片9A小以外，与第一半导体晶片9A的结构相同。
另一方面，第二半导体晶片9B的端面942、942是分别相对于下表面91B以及上表面92B双方倾斜并且连续的面。上述端面942、942也具有与第一实施方式的IC9的端面94a相同的结构。
而且，第二半导体晶片9B具备以在其上表面92B露出的方式设置的端子93。通过将该端子93与封装体基板95连接，能够使第二半导体晶片9B工作。
这里，第一半导体晶片9A以及第二半导体晶片9B与第二实施方式同样以端面941与端面942相互偏移的方式配置。而且，半导体装置1000具有与第二实施方式的导通构造相同的导电部281以及电镀层282。具体而言，图10所示的导电部281具备设置为从第二半导体晶片9B的上表面92B到端面942的导电部292、设置为从第一半导体晶片9A的上表面92A到端面941的导电部293以及设置于封装体基板95的上表面的导电部291。
具备这种导电部281以及电镀层282的布线280与上述各实施方式同样能够兼顾高密度化与低电阻化。因此，对于具有具备上述布线280(布线图案28)的导通构造的半导体装置1000而言，小型化容易并且可靠性高。
此外，在这种第三实施方式中，也能够获得与前述的第一、第二实施方式相同的作用、效果。
另外，半导体晶片的层叠数不限定于双层，也可以为3层以上。
而且，通过将这种半导体装置1000搭载于电子器件，能够获得小型并且可靠性高的电子器件。
作为上述电子器件，例举有个人计算机(便携式个人计算机)、移动电话机、数码相机、膝上型个人计算机、电视、摄像机、磁带录像机、车辆导航装置、寻呼机、电子记事本(还包含通信功能)、电子词典、计算器、电子游戏器件、文字处理器、工作站、可视电话、安全电视监视器、电子望远镜、POS终端、医疗器件(例如电子体温计、血压计、血糖仪、心电图测量装置、超声波诊断器件、电子内窥镜)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表类(例如车辆、飞机、船舶的仪表类)、飞行模拟器等。
以上，结合图示的实施方式对本发明的导通构造、导通构造的制造方法、液滴排出头以及印刷装置进行了说明，但本发明不限定于此，构成导通构造、液滴排出头以及印刷装置的各部分能够更换为能够发挥相同的功能的任意结构。另外，也可以附加任意的构成物。
另外，在上述第一、第二实施方式中，作为第一基板的例子举出有密封板，作为第二基板的例子举出有IC，作为第三基板的例子举出有器件基板。另外，在上述第三实施方式中，作为第一基板以及第二基板的例子分别举出有半导体晶片，作为第三基板的例子举出有封装体基板。其中，在本发明中，不限定于上述情况，第一～第三基板只要以分别具有任意功能的方式发挥功能即可。同样，在上述各实施方式中分别形成为，导电部293相当于“第一导电部”，导电部292相当于“第二导电部”，但在本发明中，不限定于上述情况。
另外，本发明的导通构造、导通构造的制造方法、液滴排出头以及印刷装置也可以组合上述各实施方式中的任意两种以上的结构(特征)。
另外，在上述实施方式中，液滴排出头(印刷装置)构成为将墨水作为液滴排出至印刷用纸等记录介质实施印刷。在本发明中，并不局限于此，例如，还能够将液晶显示器件形成用材料作为液滴排出来制造液晶显示器件(液晶显示装置)、将有机EL形成用材料作为液滴排出来制造有机EL显示器件(有机EL装置)、将布线图案形成用材料作为液滴排出来形成电气电路的布线图案从而制造电路基板。
附图标记的说明：
1…液滴排出头；2…底基板；9A…第一半导体晶片；9B…第二半导体晶片；10A…密封板；10B…器件基板；11…粘合剂层；14…粘合剂层；14A…粘合剂层；14B…粘合剂层；20A…记录头单元；20B…记录头单元；21…喷嘴基板；22…流路形成基板；23…振动板；24…贮存器形成基板；25…压电元件；26…柔性基板；27…凹部；28…布线图案；28'…布线图案；30A…墨水盒；30B…墨水盒；40…滑架；50…装置主体；60…滑架轴；70…移动机构；80…压印平板；91…下表面；91A…下表面；91B…下表面；92…上表面；92A…上表面；92B…上表面；93…端子；94a…端面；94a'…端面；94b…端面；95…封装体基板；100…印刷装置；200…记录介质；211…排出口；221…流路；222…压力产生室；223…中继室；224…连通路；231…弹性膜；232…下电极膜；241…贮存器；242…第一室；243…第二室；244…连通路；245…压电元件收纳室；246…导电层；246a…延长部；251…压电体膜；252…上电极膜；261…密封膜；262…固定板；263…缺损部；264…导入口；265…上表面；270…凹部；271…底部；272a…第一侧壁部；272b…第一侧壁部；273a…第二侧壁部；273b…第二侧壁部；280…布线；280'…布线；281…导电部；281'…导电部；282…电镀层；282'…电镀层；291…导电部；292…导电部；293…导电部；294…间隙；295…间隙；300…墨水；701…驱动马达；702…正时皮带；941…端面；942…端面；951…绝缘性基板；952…导电层；1000…半导体装置。

Claims (13)

1.一种导通构造，其特征在于，具有：
第一基板，其具备主表面、相对于该主表面不平行并且连续的端面以及设置于该端面的第一导电部；
第二基板，其具备主表面、相对于该主表面不平行并且连续的端面以及设置于该端面的第二导电部，该主表面与所述第一基板的所述主表面设置为相对；以及
电镀层，其将所述第一导电部与所述第二导电部之间电连接。
2.根据权利要求1所述的导通构造，其特征在于，
在所述第一基板中，所述主表面与所述端面所成的角度为大于0°小于90°，
在所述第二基板中，所述主表面与所述端面所成的角度为大于0°小于90°。
3.根据权利要求1或2所述的导通构造，其特征在于，
所述第二基板以硅为主材料。
4.根据权利要求3所述的导通构造，其特征在于，
所述第二基板的所述端面由硅的平面方向(1、1、1)的面构成。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的导通构造，其特征在于，
所述第一基板的所述端面与所述第二基板的所述端面彼此位于同一平面上。
6.根据权利要求1～4中的任一项所述的导通构造，其特征在于，
所述第一基板的所述端面与所述第二基板的所述端面以相互偏移的方式进行定位。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的导通构造，其特征在于，
所述第一基板还具备与所述第一导电部连接的电气电路。
8.一种导通构造的制造方法，其是制造如下导通构造的方法，其中，该导通构造具有：第一基板，其具备主表面、相对于该主表面不平行并且连续的端面以及设置于该端面的第一导电部；第二基板，其具备主表面、相对于该主表面不平行并且连续的端面以及设置于该端面的第二导电部，该主表面与所述第一基板的所述主表面设置为相对；以及电镀层，其将所述第一导电部与所述第二导电部之间电连接，
所述导通构造的制造方法的特征在于，具有：
以使所述第一导电部的位置与所述第二导电部的位置对齐的状态将所述第一基板与所述第二基板粘合的工序；以及
通过电镀法从所述第一导电部以及所述第二导电部分别析出所述电镀层的工序。
9.根据权利要求8所述的导通构造的制造方法，其特征在于，
所述第一基板的所述端面以及所述第二基板的所述端面是分别通过各向异性蚀刻法形成的面。
10.根据权利要求8或9所述的导通构造的制造方法，其特征在于，
所述第一导电部以及所述第二导电部是在分别通过溅射法而成膜金属膜后，通过光刻法对所述金属膜刻画图案而形成的。
11.根据权利要求8～10中的任一项所述的导通构造的制造方法，其特征在于，
所述电镀法为无电镀法。
12.一种液滴排出头，其特征在于，
具备权利要求1～7中的任一项所述的导通构造。
13.一种印刷装置，其特征在于，
具备权利要求12所述的液滴排出头。
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