CN104811171A - 零电流的上电复位电路 - Google Patents

零电流的上电复位电路 Download PDF

Info

Publication number
CN104811171A
CN104811171A CN201410038090.3A CN201410038090A CN104811171A CN 104811171 A CN104811171 A CN 104811171A CN 201410038090 A CN201410038090 A CN 201410038090A CN 104811171 A CN104811171 A CN 104811171A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
pmos
schmidt trigger
supply voltage
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410038090.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104811171B (zh
Inventor
麦日锋
刘明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jingwei Qili Beijing Technology Co ltd
Original Assignee
Capital Microelectronics Beijing Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Capital Microelectronics Beijing Technology Co Ltd filed Critical Capital Microelectronics Beijing Technology Co Ltd
Priority to CN201410038090.3A priority Critical patent/CN104811171B/zh
Priority to PCT/CN2014/073712 priority patent/WO2015109649A1/zh
Priority to US14/389,407 priority patent/US9484910B2/en
Publication of CN104811171A publication Critical patent/CN104811171A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104811171B publication Critical patent/CN104811171B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/24—Resetting means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching
    • H03K17/284—Modifications for introducing a time delay before switching in field effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/037—Bistable circuits
    • H03K3/0377—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种上电复位电路。该上电复位电路包括RC电路、施密特触发器、反相器和第一PMOS管；当电源电压通电时，电源电压通过RC电路对电容充电；当电容的电压达到第一阈值时，施密特触发器翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位；上电复位电路包括放电电路，用于检测电源电压的短促下降，并且在检测到该短促下降时输出第一信号到施密特触发器的输入端，该第一信号允许施密特触发器再次翻转而输出第二电平，从而经反相放大器关断第一PMOS管；当电源电压再次斜线上升时，施密特触发器翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位。本发明实施例的上电复位电路能够有效克服电源小故障带来的系统状态紊乱的问题。

Description

零电流的上电复位电路
技术领域
本发明涉及上电复位电路，尤其涉及一种零功率的上电复位电路。
背景技术
上电复位电路（Power-on-RST ciRCuit，简称POR）是用于保证在半导体器件开始供电的初始阶段给系统提供一种全局复位信号，确保整个器件从一个确定的状态启动的电路。
图1是一种常规的上电复位电路的示意图。如图1所示，当电源最初施加到电路时，电源电压VDD从零电压斜线上升，由此通过电阻R对电容C充电。电容C充电时，节点Va的电压跟随VDD电压。当Va增加到一定阈值时，施密特触发器10反转，～RST信号为高电平，该高电平的～RST信号为这个系统提供全局复位信号，确保整个系统从一个确定的状态启动。同时，高电平的～RST信号通过反相放大器12使PMOS管14接通，从而将电容C短接到VDD上。在电源电压稳定的情况下，整个复位电路无静态电流消耗，不产生功率消耗。
然而，电源电压有可能不稳定，会出现小故障或者短促下降，持续时间可能为数百微秒，也可能多达毫秒量级。通常，上电复位电路中的RC比较大，Va下降幅度很小，不足以下降达到使施密特触发器10再次翻转的第二阈值。因此，在电源小故障的情况下，～RST很可能仍然保持在高电平。在某些类型的电子设备中，例如便携设备中，可能会经常开关设备，因此，VDD会短促下降。然而采用图1所示的上电复位电路，在电源小故障或者电源电压短促下降的情况下无法将电子设备正常复位，各部件的功能可能出现混乱的情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够克服上述缺点的电路。
本发明实施例提供一种上电复位电路。该上电复位电路包括RC电路；施密特触发器，施密特触发器具有第一阈值和第二阈值；反相器；以及，第一PMOS管；当电源电压通电时，电源电压通过RC电路对电容充电；当电容的电压达到第一阈值时，施密特触发器翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位；所述上电复位电路包括放电电路，用于检测电源电压的短促下降，并且在检测到该短促下降时输出第一信号到施密特触发器的输入端，该第一信号允许施密特触发器再次翻转而输出第二电平，从而经反相放大器关断第一PMOS管；当电源电压再次斜线上升时，施密特触发器翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位。
优选地，放电电路包括检测电路，用于检测电源电压的短促下降；并且在检测到所述短促下降时，将第二PMOS管导通，使其输出所述第一信号。
优选地，放电电路包括漏极和源极分别相连接的第三PMOS管和第一NMOS管以及控制电路，控制电路控制第三PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极，使得电源电压出现短促下降时接通所述第三PMOS管和第一NMOS管，从而将第二PMOS管漏极的第一信号传递到施密特触发器的输入端。
优选地，控制电路包括保持电路，用于在电源电压短促下降时保持电压稳定；第四PMOS，其栅极接到电源电压，漏极接收保持电路的输出电压，源极；反相器，反相器的输入端接在第四PMOS的源极；第五PMOS管，其栅极和源极共同连接到电源电压，漏极接到反相器的输出端。
优选地，保持电路是RC电路。
本发明实施例的上电复位电路能够有效克服电源小故障带来的系统状态紊乱的问题。
附图说明
图1是一种常规的上电复位电路的示意图；
图2是根据本发明一个实施例的上电复位电路；
图3是放电电路的示意图；
图4是PMOS管和NMOS管的栅极控制电路的示意图；
图5是图3电路的各信号波形示意图；
图6是图4电路的各信号波形示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细、清楚、完整的说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
图2是根据本发明一个实施例的上电复位电路。如图2所示，上电复位电路包括一个常规的上电复位电路；上电复位电路还包括一个放电电路210。
常规的上电复位电路包括RC电路202，施密特触发器204，反相器206，PMOS管208。RC电路202由电阻R和电容C组成。施密特触发器204分别具有两个反转阈值，第一阈值和第二阈值。当电源电压VDD通电时，VDD开始通过RC电路202对电容C充电；随着VDD的增加，电容C两端的电压逐步增加。当节点a的电压Va达到第一阈值时，施密特触发器204翻转，输出高电平，由此对电路所在系统的各电路/部件/模块复位。高电平的～RST信号通过反相放大器206使PMOS管208接通，从而将电容C短接到VDD上。在电源电压稳定的情况下，整个复位电路无静态电流消耗，不产生功率消耗。上电复位时间和RC值有关。如果电阻的阻值为100kΩ，C的容值为10pF,则可在1μs左右完成复位。
如果VDD出现数百微秒或甚至数毫秒的电源小故障（glitch））或者短促下降，由于RC通常很大，因此Va下降幅度不大，不足以达到使施密特触发器204再次翻转的第二阈值。～RST仍然保持在高电平。
放电电路210用于检测VDD电压的短促下降，并且在检测到该短促下降时输出低电平到节点a，从而使Va短时跟随VDD做短促下降。当Va的短促下降达到可以促使施密特触发器204再次翻转的第二阈值时，施密特触发器204的输出信号～RST变低电平，该低电平经反相放大器206关断PMOS管208。
当VDD再次从短促下降后的低电压斜线上升时，如前文所述，施密特触发器204的输出信号～RST将再次置高电平，系统的各模块将再次复位。
图3是放电电路210的示意图。如图3所示，放电电路包括VDD检测电路302。该VDD检测电路302可以由电容304和电阻306构成。在一个例子中，电阻306可以由CMOS管构成，其具有较高阻值，例如10MΩ。在一个例子中，电容304是真的电容，可以选择大容量的电容，例如电容的容量为数个pF。当VDD稳定时，电容304两端的电压等于VDD，节点b的电压Vb为零。当VDD电压有短促下降时，由于电容304和电阻306的较大RC常数，使得节点b的电压Vb基本跟随VDD的变化。
放电电路还包括PMOS管308。该PMOS管308可以选择阻抗低的管子，例如W/L大的MOS管。当VDD电压的短促下降，例如电压下降值达到Vth，pMOS并且节点b的电压Vb下降也大致为Vth时，由于PMOS管308的源极电压基本维持不变，PMOS管308的栅电压和PMOS管308的源极电压之差Vgs大于PMOS管308的阈值电压，PMOS管308导通，其源极通过地放电，从而拉低PMOS管源极电压。
放电电路还可以包括一对MOS管，PMOS管310和NMOS管312，各自的漏（或源）极连接在一起，并且和PMOS管308的源极相连；各自的漏（或源）极连接在一起，用于提供节点a的电压信号。
PMOS管310和NMOS管312通常关断，以免影响上电复位电路在正常情况下的工作。如果控制PMOS管310的栅极PG和NMOS管312的栅极，使得VDD电压出现短促下降时接通PMOS管和NMOS管，从而将NMOS管漏极的低电平传递到a节点。图5是图3电路的各信号波形示意图。
根据需要，可以选择电阻306和电容304的数值或者调整PMOS308的W/L值，以调整放电电路对VDD电压短促下降的反应速度。
另外，放电电路可以设置延迟电路，以便仅在电源电压短促下降的持续时间足够长的情况下，才实现对系统的再次复位。
图4是PMOS管310和NMOS管312的栅极控制电路的示意图。如图4所示，该控制电路包括保持电路402，用于在VDD电压短促下降时产生稳定的电压。在一个例子中，它由电阻404和电容406组成。电阻404可以由CMOS管构成。电容406的容量可大于例如20pF。节点c的电压在VDD电压短促下降时稳定在一定水平。
控制电路包括PMOS408，其栅极接到VDD，源极接到c节点，漏极在NG节点通过电阻410接地。电阻410可以由单个NMOS管构成，也可以由串联的NMOS管构成。当VDD短促下降，PMOS管408被接通，使得Vc被传递到NG节点。
控制电路包括反相器414，反相器的输入端接在NG点并且通过电容412接地，输出端为PG节点。电容412起滤波的作用。
控制电路包括PMOS管416，其栅极和源极共同连接到VDD，漏极接到PG节点。
当VDD电压短促下降时，保持电路402将Vc保持在较高电平，而NMOS管408被接通，使得高电平传递到Ng节点。NMOS管416在VDD短促下降时也被关断，因此反相器的输出端PG被维持在低电平。由此，PMOS管310和NMOS管312被导通。
当VDD回复稳定电压时，PMOS管408被关断，电容412通过电阻410放电，使得NG变低。与此同时，NMOS管416被接通，PG被拉高。各信号波形参见图6。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种上电复位电路，包括RC电路（202）；施密特触发器（204），施密特触发器具有第一阈值和第二阈值；反相器（206）；以及，第一PMOS管（208）；当电源电压通电时，电源电压通过RC电路（202）对电容（C）充电；当电容的电压（Va）达到第一阈值时，施密特触发器（204）翻转，输出第一电平的复位信号，由此对电路所在系统复位，同时第一电平的复位信号通过反相放大器使第一PMOS管接通，从而将电容短接到电源电压上；所述上电复位电路包括放电电路（210），用于检测电源电压的短促下降，并且在检测到该短促下降时输出第一信号到施密特触发器的输入端，该第一信号允许施密特触发器（204）再次翻转而输出第二电平，从而经反相放大器（206）关断第一PMOS管（208）；当电源电压再次斜线上升时，施密特触发器（204）翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位。
2.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于放电电路包括检测电路（302），用于检测电源电压的短促下降；并且在检测到所述短促下降时，将第二PMOS管（308）导通，使其输出所述第一信号。
3.如权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于放电电路包括漏极和源极分别相连接的第三PMOS管（310）和第一NMOS管（312）以及控制电路，控制电路控制第三PMOS管（310）的栅极和第一NMOS管（312）的栅极，使得电源电压出现短促下降时接通所述第三PMOS管和第一NMOS管，从而将第二PMOS管漏极的第一信号传递到施密特触发器（204）的输入端。
4.如权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于控制电路包括保持电路（402），用于在电源电压短促下降时保持电压稳定；第四PMOS（408），其栅极接到电源电压（VDD），漏极接收保持电路的输出电压，源极；反相器414，反相器的输入端接在第四PMOS的源极；第五PMOS管（416），其栅极和源极共同连接到电源电压（VDD），漏极接到反相器的输出端。
5.如权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于保持电路是RC电路。
CN201410038090.3A 2014-01-26 2014-01-26 零电流的上电复位电路 Active CN104811171B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410038090.3A CN104811171B (zh) 2014-01-26 2014-01-26 零电流的上电复位电路
PCT/CN2014/073712 WO2015109649A1 (zh) 2014-01-26 2014-03-19 零电流的上电复位电路
US14/389,407 US9484910B2 (en) 2014-01-26 2014-03-19 Zero-current POR circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410038090.3A CN104811171B (zh) 2014-01-26 2014-01-26 零电流的上电复位电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104811171A true CN104811171A (zh) 2015-07-29
CN104811171B CN104811171B (zh) 2018-01-09

Family

ID=53680714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410038090.3A Active CN104811171B (zh) 2014-01-26 2014-01-26 零电流的上电复位电路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9484910B2 (zh)
CN (1) CN104811171B (zh)
WO (1) WO2015109649A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104778933A (zh) * 2015-04-15 2015-07-15 昆山龙腾光电有限公司 电源管理电路
CN106411300A (zh) * 2016-09-26 2017-02-15 上海华力微电子有限公司 一种上电复位电路
CN106505980A (zh) * 2015-09-07 2017-03-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电压探测电路以及上电复位电路
CN107342757A (zh) * 2017-07-12 2017-11-10 上海华力微电子有限公司 一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路
CN108023580A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 拉碧斯半导体株式会社 半导体装置以及上电复位信号的生成方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10156595B2 (en) * 2016-12-09 2018-12-18 Microsemi Soc Corp. Power supply glitch detector
CN110233614A (zh) * 2019-05-22 2019-09-13 长沙景美集成电路设计有限公司 一种防esd干扰的上电复位电路
KR20200140972A (ko) 2019-06-07 2020-12-17 삼성전자주식회사 전압 감시 장치 및 그것을 포함하는 전자 장치
CN110350898B (zh) * 2019-07-16 2023-06-16 常州欣盛半导体技术股份有限公司 一种载带芯片用开机关机重置电路及其工作方法
CN110739942B (zh) * 2019-09-05 2023-10-20 广州粒子微电子有限公司 一种上电复位电路
US11855641B2 (en) 2020-07-07 2023-12-26 Infineon Technologies LLC Integrated resistor network and method for fabricating the same
CN114302305B (zh) * 2021-12-28 2024-01-19 荣成歌尔微电子有限公司 电源重置电路、asic芯片及麦克风
CN116346103B (zh) * 2023-05-23 2023-07-25 成都市易冲半导体有限公司 检测电源信号的复位电路及电路复位系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080106308A1 (en) * 2006-10-19 2008-05-08 Avid Electronics Corp. Power-on reset circuit
US20110074470A1 (en) * 2009-09-29 2011-03-31 Texas Instruments Incorporated Low current power-on reset circuit and method
JP4723757B2 (ja) * 2001-06-08 2011-07-13 株式会社平和 遊技機
CN102983846A (zh) * 2012-12-07 2013-03-20 广州慧智微电子有限公司 一种小尺寸低静态电流的上电复位电路
CN103455118A (zh) * 2012-05-03 2013-12-18 德克萨斯仪器股份有限公司 复位电路中快速供电斜坡的检测

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4716322A (en) * 1986-03-25 1987-12-29 Texas Instruments Incorporated Power-up control circuit including a comparator, Schmitt trigger, and latch
US8963590B2 (en) * 2007-06-13 2015-02-24 Honeywell International Inc. Power cycling power on reset circuit for fuse initialization circuitry
CN102456153B (zh) * 2010-11-02 2013-10-23 上海华虹Nec电子有限公司 Rfid系统的电子标签的上电复位电路
US9369124B2 (en) * 2011-04-07 2016-06-14 Nxp B.V. Power-on-reset circuit with low power consumption
CN102403988B (zh) * 2011-12-22 2013-03-27 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种上电复位电路
US8692593B1 (en) * 2012-09-14 2014-04-08 Nxp B.V. Zero or ultra-low DC current consumption power-on and brown-out detector

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4723757B2 (ja) * 2001-06-08 2011-07-13 株式会社平和 遊技機
US20080106308A1 (en) * 2006-10-19 2008-05-08 Avid Electronics Corp. Power-on reset circuit
US20110074470A1 (en) * 2009-09-29 2011-03-31 Texas Instruments Incorporated Low current power-on reset circuit and method
CN103455118A (zh) * 2012-05-03 2013-12-18 德克萨斯仪器股份有限公司 复位电路中快速供电斜坡的检测
CN102983846A (zh) * 2012-12-07 2013-03-20 广州慧智微电子有限公司 一种小尺寸低静态电流的上电复位电路

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104778933A (zh) * 2015-04-15 2015-07-15 昆山龙腾光电有限公司 电源管理电路
CN106505980A (zh) * 2015-09-07 2017-03-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电压探测电路以及上电复位电路
CN106505980B (zh) * 2015-09-07 2019-04-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电压探测电路以及上电复位电路
CN106411300A (zh) * 2016-09-26 2017-02-15 上海华力微电子有限公司 一种上电复位电路
CN106411300B (zh) * 2016-09-26 2019-05-31 上海华力微电子有限公司 一种上电复位电路
CN108023580A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 拉碧斯半导体株式会社 半导体装置以及上电复位信号的生成方法
CN108023580B (zh) * 2016-10-28 2023-12-22 拉碧斯半导体株式会社 半导体装置以及上电复位信号的生成方法
CN107342757A (zh) * 2017-07-12 2017-11-10 上海华力微电子有限公司 一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路
CN107342757B (zh) * 2017-07-12 2020-12-04 上海华力微电子有限公司 一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN104811171B (zh) 2018-01-09
US20160261264A1 (en) 2016-09-08
WO2015109649A1 (zh) 2015-07-30
US9484910B2 (en) 2016-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104811171A (zh) 零电流的上电复位电路
US9490647B2 (en) Capacitance discharge limiter
US11404867B2 (en) Overvoltage protection apparatus and method
US8723552B2 (en) Configuration and method for improving noise immunity of a floating gate driver circuit
CN104600963B (zh) 一种开关电源输出电压双模检测电路
CN101540503A (zh) 静电放电保护电路及其方法
CN103997334A (zh) 电平转换电路
CN109995331B (zh) 一种有软启动保护的稳压电路
CN109474261A (zh) 高压切换电路、对应设备和方法
CN204992556U (zh) 一种可快速关断的电压电流浪涌抑制电路
CN103199690A (zh) 应用于反激式电源的x电容放电控制装置
CN104300946A (zh) 一种低压设备的快速掉电模块
CN106505980B (zh) 电压探测电路以及上电复位电路
CN101363878B (zh) 电源电压降低检测电路
TW200536261A (en) Overvoltage protection apparatus
CN202997538U (zh) 一种电源上电冲击电流抑制电路
CN108768150A (zh) 一种快速放电电路及装置
CN109785874A (zh) 电源重置电路
CN103873036A (zh) 上电复位电路
US8872555B2 (en) Power-on reset circuit
JP5750326B2 (ja) 電子機器の保護回路
US8450987B2 (en) Switching apparatus and control signal generator thereof
US20150036249A1 (en) Protection circuit for power supply unit
CN104022744A (zh) 运算放大器
CN110794942A (zh) 一种复位芯片电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PP01 Preservation of patent right

Effective date of registration: 20180601

Granted publication date: 20180109

PP01 Preservation of patent right
PD01 Discharge of preservation of patent

Date of cancellation: 20210601

Granted publication date: 20180109

PD01 Discharge of preservation of patent
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240819

Address after: 601, Floor 6, Building 5, Yard 8, Kegu 1st Street, Beijing Economic and Technological Development Zone, Daxing District, Beijing, 100176 (Yizhuang Cluster, High-end Industrial Zone, Beijing Pilot Free Trade Zone)

Patentee after: Jingwei Qili (Beijing) Technology Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 20th Floor, Building B, Tiangong Building, No. 30 Yuan Road, Haidian District, Beijing 100083

Patentee before: CAPITAL MICROELECTRONICS Co.,Ltd.

Country or region before: China

TR01 Transfer of patent right