CN104520970B - 掩模物品的测试方法 - Google Patents
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Abstract
一种掩模物品的测试方法包含下列步骤：电气连接一掩模物品至一电传感器；使用一导体施加一偏压至该掩模物品的多个测试接点；使用该电传感器测量该些测试接点的至少一电流分布；以及至少考量该电流分布，决定该掩模物品的品质。
Description
技术领域
本公开涉及一种掩模物品的测试方法，特别涉及一种通过施加一偏压于一待测掩模物品上，并测量其对应的电流分布的掩模物品的测试方法。
背景技术
半导体的光刻工艺是采用掩模定义图案。在现有技术中，掩模设计者在制造掩模时，通常会依据半导体业或光电业中的集成电路(IC)/薄膜晶体管(TFT)/液晶显示器(LCD)/彩色滤光片(CF)/印刷电路板(PCB)设计者或客户的集成电路设计图、液晶显示器的薄膜晶体管设计图、彩色滤光片设计图或印刷电路板设计图而开始进行。在完成掩模后，掩模设计者通常会提供缺陷分布图给设计者或客户，以显示掩模上所形成的掩模缺陷转移至一对应晶元或一光电基板上的相对位置。
掩模上的掩模缺陷是指不同于一期望的掩模设计图案外的任何图形，通常会出现在掩模的工艺中。一般而言，掩模缺陷可通过一高解析度显微镜或一检测机器扫描掩模的表面，并提取掩模图像予以检测。之后，提取的掩模图像经由检测人员确认实体掩模上的掩模缺陷的形态，并决定掩模是否合乎规格，可以实际应用在光刻工艺中；此一确认步骤一般是由具有丰富经验的检测人员利用检测软件而实现。若未发现任何掩模缺陷，或所发现的掩模缺陷是落在可被制造者或使用者接受的范围，则此掩模即可通过检测并被实际应用以曝光一晶元或一光学基板。反之，若所发现的掩模缺陷是未落在可被制造者或使用者接受的范围，则此掩模即未能通过检测，必须进行清洗及/或修复以修正掩模缺陷；若所发现的掩模缺陷太严重而无法修正时，则必须重新制造掩模。
近年来，半导体集成电路快速发展随着材料与设计的技术进步，集成电路产品的电路设计也越来越精细复杂。然而，技术进步同时也使得集成电路的制造加工日益复杂。例如，单一集成电路上可能必须包含数 个不同的电路元件。当这些电路元件的大小降至次微米或深微米的阶段，集成电路的元件密度和功能密度都受到工艺因素的限制。当集成电路的工艺日趋复杂之时，在掩模上或掩模基板上的非常细微的缺陷都会深深地影响集成电路产品的产率。例如，深紫外光光刻(Extreme ultraviolet lithography，EUVL)所面临的主要技术难题之一：如何提供一个没有缺陷的掩模基板。然而，传统的掩模缺陷检查方法却无法克服此一技术难题。因此，产业上需要提供一个测试系统及方法，克服深紫外光光刻所面临的主要技术难题。
发明内容
本公开提供一种掩模物品的测试方法，其通过施加一偏压于一待测掩模物品上并测量其对应的电流分布。
本公开的一实施例提供一种掩模物品的测试方法，包含下列步骤：电气连接一掩模物品至一电传感器；使用一导体施加一偏压至该掩模物品的多个测试接点；使用该电传感器测量该些测试接点的至少一电流分布；以及至少考量该电流分布，决定该掩模物品的品质。
本公开的另一实施例提供一种掩模物品的测试方法，包含下列步骤：施加一偏压至一掩模物品；电气连接一导体至一电传感器；使用该导体接触测该掩模物品的多个测试接点；使用该电传感器经由该导体测量该些测试接点的至少一电流分布；以及至少考量该电流分布，决定该掩模物品的品质。
上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，以使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
附图说明
通过参照前述说明及下列附图，本公开的技术特征及优点得以获得 完全了解。
图1是一流程图，例示本公开一实施例的掩模物品的测试方法；
图2及图3例示本公开的测试方法应用于测试一掩模物品；
图4A、图5A、图6A是分为三个掩模基板(分别标记为P-0.5、P-3及P-5)的形貌扫描图像，图4B、图5B、图6B为对应的电流分布图像；
图7A是图4B、图5B、图6B的电流分布图，图7B是图7A的低导电区的电流分布图；
图8A、图9A及图10A是该些掩模基板的低导电区的电流分布图像，图8B、图9B及图10B是该些掩模基板的3-D图像；
图11例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模物品；
图12A、图13A、图14A是分为三个掩模基板(分别标记为M-0.5、M-1及M-2)的形貌扫描图像，图12B、图13B、图14B为对应的电流分布图像；
图15A是图12B、图13B、图14B的电流分布图，图15B是图15A的高导电区的电流分布图；
图16A、图17A及图18A是该些掩模基板的高导电区的电流分布图像，图16B、图17B及图18B是该些掩模基板的3-D图像；
图19及图20例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模物品；
图21及图22例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模物品；
图23是一流程图，例示本公开另一实施例的掩模物品的测试方法；
图24及图25例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模物品；
图26例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模物品；
图27及图28例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模物品；
图29及图30例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模物品；
图31及图32例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模基板；
图33例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模基板；
图34例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模基板；
图35例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模基板；以及
图36例示本公开的测试方法应用于测试另一掩模基板。
具体实施方式
下列实施方式说明及其对应附图是用以说明本发明的实施例，不应限缩本案公开的内容仅限于下列实施例。此外，本公开所属技术领域中技术人员应可了解，下文公开的实施例可适当地予以组合而形成其它实施例。
本公开涉及一种掩模物品的测试方法。下列记载详细说明本发明的实施步骤及掩模物品结构以使本公开得以被完整地理解。实现本公开的技术并不限于本领域技术人员。此外，现有的结构及步骤并未记载于下文，以免本案创作受到不必要的限制。本公开的较佳实施例将于下文中描述，然而本公开除了下文之外，亦可广泛地实现于其它实施例中。本公开的范围不应限制于下文的记载，而应由权利要求予以定义。
图1是一流程图，例示本公开一实施例的掩模物品的测试方法。在本公开的一实施例中，该测试方法包含：步骤101，电气连接一掩模物品至一电传感器；步骤103，使用一导体施加一偏压至该掩模物品的多个测试接点；步骤105，使用该电传感器测量该些测试接点的至少一电流分布；以及步骤107，至少考量该电流分布，决定该掩模物品的品质。
图2及图3例示本公开的测试方法应用于测试一掩模物品20。在本公开的一实施例中，该掩模物品20包含一基板21及一导电层23(例如，硅化钼层)。在本公开的一实施例中，该基板21是一石英基板或一掺杂钛的氧化硅玻璃基板。在本公开的一实施例中，如图2所示，实现该步骤101(电气连接一掩模物品至一电传感器)可通过形成至少一触点23A于该导电层23上，并使用该电传感器31的一感测探针(未显示于图中)接触该触点23A。在本公开的另一实施例中，如图3所示，实现该步骤101(电气连接一掩模物品至一电传感器)可通过置放该掩模物品20于一载台10上(电气连接于该电传感器31)，并于该掩模物品20与该载台10之间形成一电气通路。在本公开的一较佳实施例中，该掩模物品20与该载台10间的电气通路包含该导电层23上的触点23A、该载台10上的触点10A及连接该触点23A与该触点10A的导线11。
参考图2及图3，在本公开的一实施例中，实现该步骤103(使用一导体施加一偏压至该掩模物品的多个测试接点)可通过电气连接一导 体33至一偏压35(例如一电压源)，并使用该导体33接触该掩模物品20的多个测试接点。在本公开的一实施例中，该导体33是一导电探针。
在本公开的一实施例中，实现该步骤105(使用该电传感器测量该些测试接点的至少一电流分布)可通过测量从该偏压35经过该导体33及该掩模物品20而流至该电传感器31的电流。在本公开的一较佳实施例中，实现该步骤103及该步骤105可通过使用该导体33接触该掩模物品20的一第一接点25A、使用该电传感器31测量流经该第一接点接点25A的一第一电流值、移动该导体33以接触一第二接点25B、使用该电传感器31测量流经该第二接点接点25B的一第二电流值，依此类推对该该掩模物品20的导电层23进行扫描以提取一电流分布。
图4A、图5A、图6A是分为三个掩模基板(下文说明分别标记为P-0.5、P-3及P-5)的形貌扫描图像，图4B、图5B、图6B为对应的电流分布图像。该些掩模基板具有一石英基板及一导电层(硅化钼层)，其中形貌扫描图像的尺寸为3×3μm2，对应的测试接点数目为256×256。该些掩模基板经历在不同功率(分别为0.5W、3W及5W)的清洗工艺；在提取该些掩模基板的电流分布图像时，偏压设为0.1V，并使用一导电型原子力显微镜的导体探针(半径约为50nm)施加该偏压于该些掩模基板的导电层上。图7A是图4B、图5B、图6B的电流分布图，图7B是图7A的低导电区的电流分布图，其中低导电区是指电流值小于平均电流的1/2的区域。
参考图4A、图5A、图6A的形貌扫描图像，其对应粗糙度参数Rms值分别为0.118nm、0.140nm及0.136nm，Rpv则分别为0.792nm、1.460nm及1.40nm，表示该些掩模基板的表面粗糙度相近。参考图4B、图5B、图6B的电流分布图像，其对应的电性特征参数包含平均电流、标准差及相对标准差，如下表1所示。标准差的计算公式为Irms＝(Σ(Ii-Iav) 2/n)1/2；相对标准差的计算公式为Irms/Iav，电流相对标准差较小表示电流分布较均匀。
表1
图8A、图9A及图10A是该些掩模基板的低导电区的电流分布图像，图8B、图9B及图10B是该些掩模基板的3-D图像。3个掩模基板(P-0.5、P-3及P-5)的低导电区的覆盖比例分别为0.022％、0.121％及0.199％。低导电区的成因可能为该导电层(硅化钼层)的缺陷区域，流经该缺陷区域的电流较少而导致测量的电流值较小。此外，3个掩模基板(P-0.5、P-1及P-5)的低导电区是呈随机分布于表面。再者，使用导电型原子力显微镜测量该导电层的低导电区(视为缺陷)的尺寸是介于12至95nm之间。在本公开的一实施例中，实现该步骤107(至少考量该电流分布，决定该掩模物品的品质)可通过比较该些测试接点的电流值与该平均电流，并计算电流值小于一门槛值(例如，平均电流)的测试接点的数量。
图11例示本公开的测试方法应用于测试一掩模物品40。在本公开的一实施例中，该掩模物品40包含一基板41、一导电层43(例如，铬层)及一介电层(例如，氧化铬层)。在本公开的一实施例中，实现该步骤101(电气连接一掩模物品至一电传感器)可通过形成至少一触点43A于该掩模物品40的导电层43上，并使用该电传感器31的一感测探针(未显示于图中)接触该触点43A。在本公开的一实施例中，该基板41是一石英基板或一掺杂钛的氧化硅玻璃基板。在本公开的另一实施例中，实现该掩模物品40与该电传感器31的电气连接可采用图3所示的技术方案。
图12A、图13A、图14A是分为三个掩模基板(下文说明分别标记为M-0.5、M-1及M-2)的形貌扫描图像，图12B、图13B、图14B为对应的电流分布图像。该些掩模基板具有一石英基板、设置于该石英基板上的一导电层(铬层)及设置于该导电层上的一介电层(氧化铬层)，其中形貌扫描图像的尺寸为3×3μm2，对应的测试接点数目为256×256。该些掩模基板经历在不同功率(分别为0.5W、1W及2W)的清洗工艺；在提取该些掩模基板的电流分布图像时，偏压设为0.1V，并使用一导电型原子力显微镜的导体探针(半径约为50nm)施加该偏压于该些掩模 基板的介电层上。图15A是图12B、图13B、图14B的电流分布图，图15B是图15A的高导电区的电流分布图，其中高导电区是指电流值大于平均电流的2倍的区域。
参考图12A、图13A、图14A的形貌扫描图像，其对应粗糙度参数Rms值分别为0.280nm、0.285nm及0.219nm，Rpv则分别为2.50nm、2.55nm及2.23nm，表示该些掩模基板的表面粗糙度相近。参考图12B、图13B、图14B的电流分布图像，其对应的电性特征参数包含平均电流、标准差及相对标准差，如下表2所示。标准差的计算公式为Irms＝(Σ(Ii-Iav)2/n)1/2；相对标准差的计算公式为Irms/Iav，电流相对标准差较小表示电流分布较均匀。
表2
图16A、图17A及图18A是该些掩模基板的高导电区的电流分布图像，图16B、图17B及图18B是该些掩模基板的3-D图像。3个掩模基板(M-0.5、M-1及M-2)的高导电区的覆盖比例分别为0.83％、2.57％及5.73％。氧化铬层的导电率(室温约为104S/m)小于铬层的导电率(室温约为7.9×106S/m)；因此，高导电区的成因可能为该氧化铬层的缺陷区域，使得流经该缺陷区域的电流较高而导致测量的电流值较大。此外，3个掩模基板(M-0.5、M-1及M-2)的高导电区是呈随机分布于表面。再者，使用导电型原子力显微镜测量该介电层的高导电区(视为缺陷)的尺寸是介于15至100nm之间。在本公开的一实施例中，实现该步骤107(至少考量该电流分布，决定该掩模物品的品质)可通过比较该些测试接点的电流值与该平均电流，并计算电流值大于一门槛值(例如，平均电流)的测试接点的数量。
图19及图20例示本公开的测试方法应用于测试一掩模物品50，其具有多层结构。在本公开的一实施例中，该掩模物品50是一掩模基板， 其包含一基板51、具有至少一第一触点53A的一第一层53及具有至少一第二触点55A的第二层55。在本公开的一实施例中，该基板51是一石英基板或一掺杂钛的氧化硅玻璃基板。在本公开的一较佳实施例中，该掩模物品50的测试方法包含下列步骤：如图19所示，电气连接该第一触点53A至该电传感器31、使用该导体33经由多个测试接点施加该偏压35于该第一层53、使用该电传感器31测量该第一层53的一第一电流分布；之后，如图20所示，电气连接该第二触点55A至该电传感器31、使用该导体33经由该多个测试接点施加该偏压35于该第一层53、使用该电传感器31测量该第二层55的一第二电流分布。在本公开的另一实施例中，实现该掩模物品50与该电传感器31的电气连接亦可采用图3所示的技术方案。
在本公开的一实施例中，该掩模物品50的测试方法决定该掩模物品50的品质至少考量该第一电流分布及该第二电流分布。例如，该第二电流分布实质上代表该第一层53及该第二层55两者的电气特性的总和，而该第一电流分布则实质上仅代表该第一层53的电气特性。因此，该第二电流分布减去该第一电流分布实质上即为该第二层55的电气特性。
图21及图22例示本公开的测试方法应用于测试一掩模物品60，其具有多层结构。在本公开的一实施例中，如图21所示，该掩模物品60的测试方法包含下列步骤：于一基板61上形成一第一层63，具有至少一第一触点63A、电气连接该第一触点63A至该电传感器31、使用该导体33经由多个测试接点施加该偏压35于该第一层63、使用该电传感器31测量该第一层63的一第一电流分布；之后，如图22所示，于该第一层63上形成一第二层65，具有至少一第二触点65A、电气连接该第二触点65A至该电传感器31、使用该导体33经由该多个测试接点施加该偏压35于该第二层65、使用该电传感器31测量该第二层65的一第二电流分布。在本公开的一实施例中，该基板61是一石英基板或一掺杂钛的氧化硅玻璃基板。在本公开的一实施例中，该掩模物品60的测试方法决定该掩模物品60的品质至少考量该第一电流分布及该第二电流分布。在本公开的另一实施例中，实现该掩模物品60与该电传感 器31的电气连接亦可采用图3所示的技术方案。
图23是一流程图，例示本公开另一实施例的掩模物品的测试方法。在本公开的一实施例中，该测试方法包含下列步骤：步骤201，施加一偏压至一掩模物品；步骤203，电气连接一导体至一电传感器；步骤205，使用该导体接触测该掩模物品的多个测试接点；步骤207，使用该电传感器经由该导体测量该些测试接点的至少一电流分布；步骤209，至少考量该电流分布，决定该掩模物品的品质。
图24及图25例示本公开的测试方法应用于测试一掩模物品20。在本公开的一实施例中，该掩模物品20包含一基板(例如，石英基板)21及一导电层(例如，硅化钼层)23。在本公开的一实施例中，如图24所示，实现该步骤201(施加一偏压至一掩模物品)可通过形成至少一触点23A于该导电层23上，并使用一偏压35(例如一电压源)的电源探针(未显示于图中)接触该触点23A。
在本公开的另一实施例中，实现该步骤201(施加一偏压至一掩模物品)可通过置放该掩模物品20于一载台10上(电气连接于该偏压35)，并于该掩模物品20与该载台10之间形成一电气通路，如图25所示。在本公开的一较佳实施例中，该掩模物品20与该载台10间的电气通路包含该导电层23上的触点23A、该载台10上的触点10A及连接该触点23A与该触点10A的导线11。
在本公开的一实施例中，实现该步骤207(使用该电传感器经由该导体测量该些测试接点的至少一电流分布)可通过测量从该偏压35经过该掩模物品20及该导体33而流至该电传感器31的电流，其中该导体33是一导电探针。在本公开的一较佳实施例中，实现该步骤205及该步骤207可通过使用该导体33接触该掩模物品20的一第一接点25A、使用该电传感器31测量流经该第一接点25A的一第一电流值、移动该导体33以接触一第二接点25B、使用该电传感器31测量流经该第二接点接点25B的一第二电流值，依此类推对该该掩模物品20的导电层23进行扫描以提取一电流分布。
图26例示本公开的测试方法应用于测试一掩模物品40。在本公开的一实施例中，该掩模物品40是一掩模基板，其包含一基板(例如， 石英基板)41、一导电层43(例如，铬层)及一介电层(例如，氧化铬层)45。在本公开的一实施例中，实现该步骤201(施加一偏压至一掩模物品)可通过形成至少一触点43A于该导电层43上，并使用一偏压35(例如一电压源)的电源探针(未显示于图中)接触该触点43A。在本公开的另一实施例中，实现该步骤201(施加一偏压至一掩模物品)可通过置放该掩模物品40于一载台10上(电气连接于该偏压35)，并于该掩模物品40与该载台10之间形成一电气通路，如图25所示。
图27及图28例示本公开的测试方法应用于测试一掩模物品50，其具有多层结构。在本公开的一实施例中，该掩模物品50是一掩模基板，其包含一基板(例如，石英基板)51、具有至少一第一触点53A的一第一层53及具有至少一第二触点55A的第二层55。在本公开的一较佳实施例中，该掩模物品50的测试方法包含下列步骤：如图27所示，施加该偏压35于该第一触点53A、使用该导体33接触该第一层53的多个测试接点、使用该电传感器31测量该第一层53的一第一电流分布；之后，如图28所示，施加该偏压35于该第二触点55A、使用该导体33接触该第一层53的多个测试接点、使用该电传感器31测量该第二层55的一第二电流分布。
在本公开的一实施例中，该掩模物品50的测试方法决定该掩模物品50的品质至少考量该第一电流分布及该第二电流分布。在本公开的另一实施例中，实现该步骤201(施加一偏压至一掩模物品)可通过置放该掩模物品50于一载台10上(电气连接于该偏压35)，并于该掩模物品50与该载台10之间形成一电气通路，如图25所示。
图29及图30例示本公开的测试方法应用于测试一掩模物品60，其具有多层结构。在本公开的一实施例中，如图29所示，该掩模物品60的测试方法包含下列步骤：形成一第一层63，具有至少一第一触点63A、施加该偏压35于该第一触点63A、使用该导体33接触该第一层63的多个测试接点、使用该电传感器31测量该第一层63的一第一电流分布；之后，如图30所示，形成一第二层65，具有至少一第二触点65A、施加该偏压35于该第二触点65A、使用该导体33接触该第二层65的多个测试接点、使用该电传感器31测量该第二层65的一第二电流分布。
在本公开的一实施例中，该掩模物品60的测试方法决定该掩模物品60的品质至少考量该第一电流分布及该第二电流分布。在本公开的另一实施例中，实现该步骤201(施加一偏压至一掩模物品)可通过置放该掩模物品60于一载台10上(电气连接于该偏压35)，并于该掩模物品60与该载台10之间形成一电气通路，如图25所示。
图31及图32例示本公开的测试方法应用于测试一掩模基板70，其具有多层结构。在本公开的一实施例中，该掩模基板70包含一基板71、一多层反射结构73、含硅的一顶盖(保护)层75、一缓冲层(含铬及/或氮化铬)77、一吸收层(含氮化钛)79。在本公开的一实施例中，该掩模基板70的各层具有至少一触点；亦即，该多层反射结构73具有至少一触点73A、该顶盖层75具有至少一触点75A、该缓冲层77具有至少一触点77A、该吸收层79具有至少一触点79A。在本公开的一较佳实施例中，该些触点仅形成于该掩模基板70的部分膜层上，并非每一膜层均具有触点。
在本公开的一实施例中，该基板71是一石英基板或一掺杂钛的氧化硅玻璃基板。在本公开的一实施例中，该多层反射结构73包含彼此交互堆叠的钼层72A及硅层72B(例如，图32所示的钼/硅多层交互堆叠)，但本公开的多层反射结构73并不限于上述结构；例如，钌/硅的多层交互堆叠反射结构、钼/铍的多层交互堆叠反射结构、钼化合物/硅化合物的多层交互堆叠反射结构、硅/钼/钌/钼的多层交互堆叠反射结构、或硅/钌/钼/钌的多层交互堆叠反射结构均可应用于本公开的技术方案。
在本公开的一实施例中，由于该掩模基板70的各膜层具有至少一触点，因此在该掩模基板70的工艺完成后，图19-20或图27-28所述的测试方法均可用以测试该掩模基板70的各膜层的品质。在本公开的另一实施例中，若在该掩模基板70的各膜层的制造过程中形成至少一触点于各膜层，则图21-22或图29-30所述的测试方法均可在各膜层的制造过程中，测试该掩模基板70的各膜层的品质。
图33例示本公开的测试方法应用于测试一掩模基板80，其具有多层结构。在本公开的一实施例中，该掩模基板80包含一基板81、一背层(例如，含铬的导电层)82、一多层反射结构(例如，图32所示的 钼/硅多层交互堆叠)83、含铬或氮化铬的一缓冲(保护)层85、一吸收层(含氮化钛)87、一光致抗蚀剂层89。在本公开的一实施例中，该掩模基板80的各层具有至少一触点；亦即，该多层反射结构83具有至少一触点83A、该缓冲层85具有至少一触点85A、该吸收层87具有至少一触点87A、该光致抗蚀剂层89具有至少一触点89A。在本公开的一实施例中，该基板81是一石英基板或一掺杂钛的氧化硅玻璃基板。在本公开的一较佳实施例中，该些触点仅形成于该掩模基板80的部分膜层上，并非每一膜层均具有触点。
在本公开的一实施例中，由于该掩模基板80的各膜层具有至少一触点，因此在该掩模基板80的工艺完成后，图19-20或图27-28所述的测试方法均可用以测试该掩模基板80的各膜层的品质。在本公开的另一实施例中，若在该掩模基板80的各膜层的制造过程中形成至少一触点于各膜层，则图21-22或图29-30所述的测试方法均可在各膜层的制造过程中，测试该掩模基板80的各膜层的品质。
图34例示本公开的测试方法应用于测试一掩模基板90，其具有多层结构。在本公开的一实施例中，该掩模基板90包含一基板91、一背层(例如，包含铬的导电层)92、一多层反射结构(例如，图32所示的钼/硅多层交互堆叠)93、含钌的一顶盖(保护)层95、一吸收层(含氮化钛)97、一光致抗蚀剂层99。在本公开的一实施例中，该掩模基板90的各层具有至少一触点；亦即，该多层反射结构93具有至少一触点93A、该顶盖层95具有至少一触点95A、该吸收层97具有至少一触点97A、该光致抗蚀剂层99具有至少一触点99A。在本公开的一实施例中，该基板91是一石英基板或一掺杂钛的氧化硅玻璃基板。在本公开的一较佳实施例中，该些触点仅形成于该掩模基板90的部分膜层上，并非每一膜层均具有触点。
在本公开的一实施例中，由于该掩模基板90的各膜层具有至少一触点，因此在该掩模基板90的工艺完成后，图19-20或图27-28所述的测试方法均可用以测试该掩模基板90的各膜层的品质。在本公开的另一实施例中，若在该掩模基板90的各膜层的制造过程中形成至少一触点于各膜层，则图21-22或图29-30所述的测试方法均可在各膜层的制 造过程中，测试该掩模基板90的各膜层的品质。
图35例示本公开的测试方法应用于测试一掩模基板120，其具有多层结构。在本公开的一实施例中，该掩模基板120包含一基板121、一背层(例如，含铬的导电层)122、一多层反射结构(例如，图32所示的钼/硅多层交互堆叠)123、含钌硅的一顶盖(保护)层125、一缓冲层(含氮化铬)127、一吸收层(含氮化钛)129、一光致抗蚀剂层131。在本公开的一实施例中，该掩模基板120的各层具有至少一触点；亦即，该多层反射结构123具有至少一触点123A、该顶盖层125具有至少一触点125A、该缓冲层127具有至少一触点127A、该吸收层129具有至少一触点129A、该光致抗蚀剂层131具有至少一触点131A。在本公开的一实施例中，该基板121是一石英基板或一掺杂钛的氧化硅玻璃基板。在本公开的一较佳实施例中，该些触点仅形成于该掩模基板120的部分膜层上，并非每一膜层均具有触点。
在本公开的一实施例中，由于该掩模基板120的各膜层具有至少一触点，因此在该掩模基板120的工艺完成后，图19-20或图27-28所述的测试方法均可用以测试该掩模基板120的各膜层的品质。在本公开的另一实施例中，若在该掩模基板120的各膜层的制造过程中形成至少一触点于各膜层，则图21-22或图29-30所述的测试方法均可在各膜层的制造过程中，测试该掩模基板120的各膜层的品质。
图36例示本公开的测试方法应用于测试一掩模基板140，其具有多层结构。在本公开的一实施例中，该掩模基板140包含一基板141、一背层(例如，含铬或氮化铬的导电层)142、一多层反射结构(例如，图32所示的钼/硅多层交互堆叠)143、一顶盖/缓冲层(保护层)145、一吸收层147、一抗反射层149、一光致抗蚀剂层151。在本公开的一实施例中，该基板141是一石英基板或一掺杂钛的氧化硅玻璃基板；该吸收层147的材料是选自氮化钽、氮化硅钽、、氮化硅、氧化硅、钽、氮化铬、钨、钌及其组合构成的群；该抗反射层149的材料是选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮氧化硅及其组合构成的群；该顶盖/缓冲层(保护层)145的材料是选自碳、碳化物、钌、氮化硅及其混合物构成的群；此外，该顶盖/缓冲(保护)层145的材料亦可选用铬、铝、钛及其氮化物；钌、 钌化合物(硼化钌、硅化钌等等)、氧化硅、氮化硅、氧化铝及其混合物，其中钌、钌化合物(硼化钌、硅化钌等等)及氮化铬与氧化硅较佳，而钌、钌化合物(硼化钌、硅化钌等等)最佳。
在本公开的一实施例中，该掩模基板140的各层具有至少一触点；亦即，该多层反射结构143具有至少一触点143A、该顶盖/缓冲层145具有至少一触点145A、该吸收层147具有至少一触点147A、该抗反射层149具有至少一触点149A、该光致抗蚀剂层151具有至少一触点151A。在本公开的一较佳实施例中，该些触点仅形成于该掩模基板140的部分膜层上，并非每一膜层均具有触点。
在本公开的一实施例中，由于该掩模基板140的各膜层具有至少一触点，因此在该掩模基板140的工艺完成后，图19-20或图27-28所述的测试方法均可用以测试该掩模基板140的各膜层的品质。在本公开的另一实施例中，若在该掩模基板140的各膜层的制造过程中形成至少一触点于各膜层，图21-22或图29-30所述的测试方法均可在各膜层的制造过程中，测试该掩模基板140的各膜层的品质。
本公开的技术内容及技术特点已公开如上，然而本公开所属技术领域中技术人员应了解，在不背离权利要求所界定的本公开精神和范围内，本公开的教示及公开可作种种的替换及修饰。例如，上文公开的许多工艺可以不同的方法实施或以其它工艺予以取代，或者采用上述二种方式的组合。
此外，本案的权利范围并不局限于上文公开的特定实施例的工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤。本公开所属技术领域中技术人员应了解，基于本公开教示及公开工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤，无论现在已存在或日后开发者，其与本案实施例公开者是以实质相同的方式执行实质相同的功能，而达到实质相同的结果，亦可使用于本公开。因此，权利要求是用以涵盖用以此类工艺、机台、制造、物质的成份、装置、方法或步骤。
Claims (28)
1.一种掩模物品的测试方法，包含下列步骤：
电气连接一掩模物品至一电传感器；
使用一导体施加一偏压至该掩模物品的多个测试接点；
使用该电传感器测量该些测试接点的至少一电流分布；以及
至少考量该电流分布，决定该掩模物品的品质。
2.如权利要求1所述的掩模物品的测试方法，其中该掩模物品包含一导电层，该电传感器是电气连接于该导电层。
3.如权利要求2所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质包含计算电流值小于一门槛值的测试接点的数量。
4.如权利要求1所述的掩模物品的测试方法，其中该掩模物品包含一导电层及设置于该导电层上的一介电层，该电传感器是电气连接于该导电层。
5.如权利要求4所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质包含计算电流值大于一门槛值的测试接点的数量。
6.如权利要求1所述的掩模物品的测试方法，其包含计算该些测试接点的一平均电流。
7.如权利要求6所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质包含比较该些测试接点的电流值与该平均电流。
8.如权利要求1所述的掩模物品的测试方法，其包含下列步骤：
使用该导体接触该掩模物品的一第一接点；
使用该电传感器测量通过该掩模物品的一第一电流值；
使用该导体接触该掩模物品的一第二接点；以及
使用该电传感器测量通过该掩模物品的一第二电流值。
9.如权利要求1所述的掩模物品的测试方法，其中电气连接一掩模物品至一电传感器包含下列步骤：
形成至少一触点于该掩模物品上；以及
使用该电传感器的一感测探针接触该触点。
10.如权利要求1所述的掩模物品的测试方法，其中电气连接一掩模物品至一电传感器包含下列步骤：
置于该掩模物品于一载台，其电气连接该电传感器；以及
形成一电气连接于该电传感器与该掩模物品之间。
11.如权利要求1所述的掩模物品的测试方法，其中该掩模物品包含一第一层及一第二层，该第一层包含至少一第一触点，该第二层包含至少一第二触点，该测试方法包含：
电气连接该第一触点至该电传感器；
使用该导体施加该偏压于该第一层；
使用该电传感器测量该第一层的一第一电流分布；
电气连接该第二触点至该电传感器；
使用该导体施加该偏压于该第一层；以及
使用该电传感器测量该第二层的一第二电流分布。
12.如权利要求11所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质至少考量该第一电流分布及该第二电流分布。
13.如权利要求1所述的掩模物品的测试方法，包含下列步骤：
形成一第一层，具有至少一第一触点；
电气连接该第一触点至该电传感器；
使用该导体施加该偏压于该第一层；
使用该电传感器测量该第一层的一第一电流分布；
形成一第二层，具有至少一第二触点；
电气连接该第二触点至该电传感器；
使用该导体施加该偏压于该第一层；以及
使用该电传感器测量该第二层的一第二电流分布。
14.如权利要求13所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质至少考量该第一电流分布及该第二电流分布。
15.一种掩模物品的测试方法，包含下列步骤：
施加一偏压至一掩模物品；
电气连接一导体至一电传感器；
使用该导体接触测该掩模物品的多个测试接点；
使用该电传感器经由该导体测量该些测试接点的至少一电流分布；以及
至少考量该电流分布，决定该掩模物品的品质。
16.如权利要求15所述的掩模物品的测试方法，其中该掩模物品包含一导电层，该偏压是施加于该导电层。
17.如权利要求16所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质包含计算电流值小于一门槛值的测试接点的数量。
18.如权利要求15所述的掩模物品的测试方法，其中该掩模物品包含一导电层及设置于该导电层上的一介电层，该偏压是施加于该导电层。
19.如权利要求18所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质包含计算电流值大于一门槛值的测试接点的数量。
20.如权利要求15所述的掩模物品的测试方法，其包含计算该些测试接点的一平均电流。
21.如权利要求20所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质包含比较该些测试接点的电流值与该平均电流。
22.如权利要求15所述的掩模物品的测试方法，其包含下列步骤：
使用该导体接触该掩模物品的一第一接点；
使用该电传感器测量通过该掩模物品的一第一电流值；
使用该导体接触该掩模物品的一第二接点；以及
使用该电传感器测量通过该掩模物品的一第二电流值。
23.如权利要求15所述的掩模物品的测试方法，其中施加一偏压至一掩模物品包含下列步骤：
形成至少一触点于该掩模物品上；以及
使用一电源探针接触该触点。
24.如权利要求15所述的掩模物品的测试方法，其中施加一偏压至一掩模物品是置于该掩模物品于一载台，其电气连接一电源。
25.如权利要求15所述的掩模物品的测试方法，其中该掩模物品包含一第一层及一第二层，该第一层包含至少一第一触点，该第二层包含至少一第二触点，该测试方法包含：
施加该偏压于该第一触点；
使用该导体接触该第一层；
使用该电传感器测量该第一层的一第一电流分布；
施加该偏压于该第二触点；
使用该导体接触该该第一层；以及
使用该电传感器测量该第二层的一第二电流分布。
26.如权利要求25所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质至少考量该第一电流分布及该第二电流分布。
27.如权利要求15所述的掩模物品的测试方法，包含下列步骤：
形成一第一层，具有至少一第一触点；
施加该偏压于该第一触点；
使用该导体接触该第一层；
使用该电传感器测量该第一层的一第一电流分布；
形成一第二层，具有至少一第二触点；
施加该偏压于该第二触点；
使用该导体接触该第一层；以及
使用该电传感器测量该第二层的一第二电流分布。
28.如权利要求27所述的掩模物品的测试方法，其中决定该掩模物品的品质至少考量该第一电流分布及该第二电流分布。
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