TW201346437A - 光罩物品之測試方法 - Google Patents

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Abstract

一種光罩物品之測試方法包含下列步驟：電氣連接一光罩物品至一電感測器；使用一導體施加一偏壓至該光罩物品之複數個測試接點；使用該電感測器量測該些測試接點之至少一電流分佈；以及至少考量該電流分佈，決定該光罩物品之品質。

Description

光罩物品之測試方法
本揭露係關於一種光罩物品之測試方法，特別係關於一種藉由施加一偏壓於一待測光罩物品上，並量測其對應之電流分佈的光罩物品之測試方法。
半導體之微影製程係採用光罩定義圖案。在先前技術中，光罩設計者在製造光罩時，通常會依據半導體業或光電業中的積體電路(IC)/薄膜電晶體(TFT)/液晶顯示器(LCD)/彩色濾光片(CF)/印刷電路板(PCB)設計者或客戶的積體電路設計圖、液晶顯示器之薄膜電晶體設計圖、彩色濾光片設計圖或印刷電路板設計圖而開始進行。在完成光罩後，光罩設計者通常會提供缺陷分佈圖給設計者或客戶，以顯示光罩上所形成之光罩缺陷轉移至一對應晶圓或一光電基板上的相對位置。
光罩上之光罩缺陷係指不同於一期望的光罩設計圖案外之任何圖形，通常會出現在光罩的製程中。一般而言，光罩缺陷可藉由一高解析度顯微鏡或一檢測機器掃描光罩之表面，並擷取光罩影像予以檢測。之後，擷取之光罩影像經由檢測人員確認實體光罩上之光罩缺陷的型態，並決定光罩是否合乎規格，可以實際應用在微影製程中；此一確認步驟一般係由具有豐富經驗的檢測人員利用檢測軟體而實現。若未發現任何光罩缺陷，或所發現的光罩缺陷係 落在可被製造者或使用者接受之範圍，則此光罩即可通過檢測並被實際應用以曝光一晶圓或一光學基板。反之，若所發現的光罩缺陷係未落在可被製造者或使用者接受之範圍，則此光罩即未能通過檢測，必須進行清洗及/或修復以修正光罩缺陷；若所發現的光罩缺陷太嚴重而無法修正時，則必須重新製造光罩。
近年來，半導體積體電路快速發展隨著材料與設計的技術進步，積體電路產品的電路設計也越來越精細複雜。然而，技術進步同時也使得積體電路的製造加工日益複雜。例如，單一積體電路上可能必須包含數個不同的電路元件。當這些電路元件的大小降至次微米或深微米的階段，積體電路的元件密度和功能密度都受到製程因素的限制。當積體電路之製程日趨複雜之時，在光罩上或光罩基板上之非常細微的缺陷都會深深地影響積體電路產品之產率。例如，深紫外光微影(Extreme ultraviolet lithography，EUVL)所面臨之主要技術難題之一：如何提供一個沒有缺陷的光罩基板。然而，傳統的光罩缺陷檢查方法卻無法克服此一技術難題。因此，產業上需要提供一個測試系統及方法，克服深紫外光微影所面臨之主要技術難題。
本揭露提供一種光罩物品之測試方法，其藉由施加一偏壓於一待測光罩物品上並量測其對應之電流分佈。
本揭露之一實施例提供一種光罩物品之測試方法，包含下列步驟：電氣連接一光罩物品至一電感測器；使用一導體施加一偏壓至該光罩物品之複數個測試接點；使用該電感測器量測該些測試接點之至少一電流分佈；以及至少考量該電流分佈，決定該光罩物品之品質。
本揭露之另一實施例提供一種光罩物品之測試方法，包含下列步驟：施加一偏壓至一光罩物品；電氣連接一導體至一電感測器；使用該導體接觸測該光罩物品之複數個測試接點；使用該電感測器經由該導體量測該些測試接點之至少一電流分佈；以及至少考量該電流分佈，決定該光罩物品之品質。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
下列實施方式說明及其對應圖式係用以說明本發明之 實施例，不應限縮本案揭示之內容僅限於下列實施例。此外，本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應可瞭解，下文揭示之實施例可適當地予以組合而形成其它實施例。
本揭露係關於一種光罩物品之測試方法。下列記載詳細說明本發明之實施步驟及光罩物品結構以使本揭露得以被完整地理解。實現本揭露之技術並不限於具有特定知識之熟悉該項技術者。此外，習知之結構及步驟並未記載於下文，以免本案創作受到不必要之限制。本揭露之較佳實施例將於下文中描述，然而本揭露除了下文之外，亦可廣泛地實現於其它實施例中。本揭露之範圍不應限制於下文之記載，而應由申請專利範圍予以定義。
圖1係一流程圖，例示本揭露一實施例之光罩物品之測試方法。在本揭露之一實施例中，該測試方法包含：步驟101，電氣連接一光罩物品至一電感測器；步驟103，使用一導體施加一偏壓至該光罩物品之複數個測試接點；步驟105，使用該電感測器量測該些測試接點之至少一電流分佈；以及步驟107，至少考量該電流分佈，決定該光罩物品之品質。在本揭露之一實施例中，該導體係一導電探針，其接觸面積及施力可由下列公式計算：a3=3FR/4Y＊；1/Y＊=(1-v1 2)/Y1+(1-v1 2)/Y2；其中，a為接觸面積之半徑；F為施力；R為探針半徑；Y1為探針之楊氏模數(Young's modulus)；Y2為探針接觸層 之楊氏模數；v1為探針之泊松比(Poisson's ratio)；v2為探針接觸層之泊松比。
圖2及圖3例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩物品20。在本揭露之一實施例中，該光罩物品20包含一基板21及一導電層23(例如，矽化鉬層)。在本揭露之一實施例中，該基板21係一石英基板或一摻雜鈦之氧化矽玻璃基板。在本揭露之一實施例中，如圖2所示，實現該步驟101(電氣連接一光罩物品至一電感測器)可藉由形成至少一觸點23A於該導電層23上，並使用該電感測器31之一感測探針(未顯示於圖中)接觸該觸點23A。在本揭露之另一實施例中，如圖3所示，實現該步驟101(電氣連接一光罩物品至一電感測器)可藉由置放該光罩物品20於一載台10上(電氣連接於該電感測器31)，並於該光罩物品20與該載台10之間形成一電氣通路。在本揭露之一較佳實施例中，該光罩物品20與該載台10間之電氣通路包含該導電層23上之觸點23A、該載台10上之觸點10A及連接該觸點23A與該觸點10A之導線11。
參考圖2及圖3，在本揭露之一實施例中，實現該步驟103(使用一導體施加一偏壓至該光罩物品之複數個測試接點)可藉由電氣連接一導體33至一偏壓35(例如一電壓源)，並使用該導體33接觸該光罩物品20之複數個測試接點。在本揭露之一實施例中，該導體33係一導電探針，半徑約為50nm。
在本揭露之一實施例中，實現該步驟105(使用該電感 測器量測該些測試接點之至少一電流分佈)可藉由量測從該偏壓35經過該導體33及該光罩物品20而流至該電感測器31之電流。在本揭露之一較佳實施例中，實現該步驟103及該步驟105可藉由使用該導體33接觸該光罩物品20之一第一接點25A、使用該電感測器31量測流經該第一接點接點25A之一第一電流值、移動該導體33以接觸一第二接點25B、使用該電感測器31量測流經該第二接點接點25B之一第二電流值，依此類推對該該光罩物品20之導電層23進行掃瞄以擷取一電流分佈。
圖4A、圖5A、圖6A係分為三個光罩基板(下文說明分別標記為P-0.5、P-3及P-5)之形貌掃瞄影像，圖4B、圖5B、圖6B為對應之電流分佈影像。該些光罩基板具有一石英基板及一導電層(矽化鉬層)，其中形貌掃瞄影像之尺寸為3×3μm2，對應之測試接點數目為256×256。該些光罩基板經歷在不同功率(分別為0.5W、3W及5W)之清洗製程；在擷取該些光罩基板之電流分佈影像時，偏壓設為0.1V，並使用一導電型原子力顯微鏡之導體探針(半徑約為50nm)施加該偏壓於該些光罩基板之導電層上。圖7A係圖4B、圖5B、圖6B之電流分佈圖，圖7B係圖7A之低導電區之電流分佈圖，其中低導電區係指電流值小於平均電流之1/2的區域。
參考圖4A、圖5A、圖6A之形貌掃瞄影像，其對應粗糙度參數Rms值分別為0.118nm、0.140nm及0.136nm，Rpv則分別為0.792nm、1.460nm及1.40nm，表示該些光罩基板之 表面粗糙度相近。參考圖4B、圖5B、圖6B之電流分佈影像，其對應之電性特徵參數包含平均電流、標準差及相對標準差，如下表1所示。標準差之計算公式為Irms=(Σ(Ii-Iav)2/n)1/2；相對標準差之計算公式為Irms/Iav，電流相對標準差較小表示電流分佈較均勻。
圖8A、圖9A及圖10A係該些光罩基板之低導電區之電流分佈影像，圖8B、圖9B及圖10B係該些光罩基板之3-D影像。3個光罩基板(P-0.5、P-3及P-5)之低導電區的覆蓋比例分別為0.022%、0.121%及0.199%。低導電區之成因可能為該導電層(矽化鉬層)之缺陷區域，流經該缺陷區域之電流較少而導致量測之電流值較小。此外，3個光罩基板(P-0.5、P-1及P-5)之低導電區係呈隨機分佈於表面。再者，使用導電型原子力顯微鏡量測該導電層之低導電區(視為缺陷)的尺寸係介於12至95nm之間。在本揭露之一實施例中，實現該步驟107(至少考量該電流分佈，決定該光罩物品之品質)可藉由比較該些測試接點的電流值與該平均電流，並計算電流值小於一門檻值(例如，平均電流)之測試接點的數量。
圖11例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩物品40。在本揭露之一實施例中，該光罩物品40包含一基板41、一導電層43(例如，鉻層)及一介電層(例如，氧化鉻層)。在本揭露之一實施例中，實現該步驟101(電氣連接一光罩物品至一電感測器)可藉由形成至少一觸點43A於該光罩物品40之導電層43上，並使用該電感測器31之一感測探針(未顯示於圖中)接觸該觸點43A。在本揭露之一實施例中，該基板41係一石英基板或一摻雜鈦之氧化矽玻璃基板。在本揭露之另一實施例中，實現該光罩物品40與該電感測器31之電氣連接可採用圖3所示之技術方案。
圖12A、圖13A、圖14A係分為三個光罩基板(下文說明分別標記為M-0.5、M-1及M-2)之形貌掃瞄影像，圖12B、圖13B、圖14B為對應之電流分佈影像。該些光罩基板具有一石英基板、設置於該石英基板上之一導電層(鉻層)及設置於該導電層上之一介電層(氧化鉻層)，其中形貌掃瞄影像之尺寸為3×3μm2，對應之測試接點數目為256×256。該些光罩基板經歷在不同功率(分別為0.5W、1W及2W)之清洗製程；在擷取該些光罩基板之電流分佈影像時，偏壓設為0.1V，並使用一導電型原子力顯微鏡之導體探針(半徑約為50nm)施加該偏壓於該些光罩基板之介電層上。圖15A係圖12B、圖13B、圖14B之電流分佈圖，圖15B係圖15A之高導電區之電流分佈圖，其中高導電區係指電流值大於平均電流之2倍的區域。
參考圖12A、圖13A、圖14A之形貌掃瞄影像，其對應粗糙度參數Rms值分別為0.280nm、0.285nm及0.219nm，Rpv則分別為2.50nm、2.55nm及2.23nm，表示該些光罩基板之表面粗糙度相近。參考圖12B、圖13B、圖14B之電流分佈影像，其對應之電性特徵參數包含平均電流、標準差及相對標準差，如下表2所示。標準差之計算公式為Irms=(Σ(Ii-Iav)2/n)1/2；相對標準差之計算公式為Irms/Iav，電流相對標準差較小表示電流分佈較均勻。
圖16A、圖17A及圖18A係該些光罩基板之高導電區之電流分佈影像，圖16B、圖17B及圖18B係該些光罩基板之3-D影像。3個光罩基板(M-0.5、M-1及M-2)之高導電區的覆蓋比例分別為0.83%、2.57%及5.73%。氧化鉻層之導電率(室溫約為104 S/m)小於鉻層之導電率(室溫約為7.9×106 S/m)；因此，高導電區之成因可能為該氧化鉻層之缺陷區域，使得流經該缺陷區域之電流較高而導致量測之電流值較大。此外，3個光罩基板(M-0.5、M-1及M-2)之高導電區係呈隨機分佈於表面。再者，使用導電型原子力顯微鏡量測該介電 層之高導電區(視為缺陷)的尺寸係介於15至100nm之間。在本揭露之一實施例中，實現該步驟107(至少考量該電流分佈，決定該光罩物品之品質)可藉由比較該些測試接點的電流值與該平均電流，並計算電流值大於一門檻值(例如，平均電流)之測試接點的數量。
圖19及圖20例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩物品50，其具有多層結構。在本揭露之一實施例中，該光罩物品50係一光罩基板，其包含一基板51、具有至少一第一觸點53A之一第一層53及具有至少一第二觸點55A之第二層55。在本揭露之一實施例中，該基板51係一石英基板或一摻雜鈦之氧化矽玻璃基板。在本揭露之一較佳實施例中，該光罩物品50之測試方法包含下列步驟：如圖19所示，電氣連接該第一觸點53A至該電感測器31、使用該導體33經由複數個測試接點施加該偏壓35於該第一層53、使用該電感測器31量測該第一層53之一第一電流分佈；之後，如圖20所示，電氣連接該第二觸點55A至該電感測器31、使用該導體33經由該複數個測試接點施加該偏壓35於該第一層53、使用該電感測器31量測該第二層55之一第二電流分佈。在本揭露之另一實施例中，實現該光罩物品50與該電感測器31之電氣連接亦可採用圖3所示之技術方案。
在本揭露之一實施例中，該光罩物品50之測試方法決定該光罩物品50之品質至少考量該第一電流分佈及該第二電流分佈。例如，該第二電流分佈實質上代表該第一層53 及該第二層55兩者之電氣特性的總合，而該第一電流分佈則實質上僅代表該第一層53之電氣特性。因此，該第二電流分佈減去該第一電流分佈實質上即為該第二層55之電氣特性。
圖21及圖22例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩物品60，其具有多層結構。在本揭露之一實施例中，如圖21所示，該光罩物品60之測試方法包含下列步驟：於一基板61上形成一第一層63，具有至少一第一觸點63A、電氣連接該第一觸點63A至該電感測器31、使用該導體33經由複數個測試接點施加該偏壓35於該第一層63、使用該電感測器31量測該第一層63之一第一電流分佈；之後，如圖22所示，於該第一層63上形成一第二層65，具有至少一第二觸點65A、電氣連接該第二觸點65A至該電感測器31、使用該導體33經由該複數個測試接點施加該偏壓35於該第二層65、使用該電感測器31量測該第二層65之一第二電流分佈。在本揭露之一實施例中，該基板61係一石英基板或一摻雜鈦之氧化矽玻璃基板。在本揭露之一實施例中，該光罩物品60之測試方法決定該光罩物品60之品質至少考量該第一電流分佈及該第二電流分佈。在本揭露之另一實施例中，實現該光罩物品60與該電感測器31之電氣連接亦可採用圖3所示之技術方案。
圖23係一流程圖，例示本揭露另一實施例之光罩物品之測試方法。在本揭露之一實施例中，該測試方法包含下 列步驟：步驟201，施加一偏壓至一光罩物品；步驟203，電氣連接一導體至一電感測器；步驟205，使用該導體接觸測該光罩物品之複數個測試接點；步驟207，使用該電感測器經由該導體量測該些測試接點之至少一電流分佈；步驟209，至少考量該電流分佈，決定該光罩物品之品質。在本揭露之一實施例中，該導體係一導電探針，其接觸面積及施力可由下列公式計算：a3=3FR/4Y＊；1/Y＊=(1-v1 2)/Y1+(1-v1 2)/Y2；其中，a為接觸面積之半徑；F為施力；R為探針半徑；Y1為探針之楊氏模數；Y2為探針接觸層之楊氏模數；v1為探針之泊松比；v2為探針接觸層之泊松比。
圖24及圖25例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩物品20。在本揭露之一實施例中，該光罩物品20包含一基板(例如，石英基板)21及一導電層(例如，矽化鉬層)23。在本揭露之一實施例中，如圖24所示，實現該步驟201(施加一偏壓至一光罩物品)可藉由形成至少一觸點23A於該導電層23上，並使用一偏壓35(例如一電壓源)之電源探針(未顯示於圖中)接觸該觸點23A。
在本揭露之另一實施例中，實現該步驟201(施加一偏壓至一光罩物品)可藉由置放該光罩物品20於一載台10上(電氣連接於該偏壓35)，並於該光罩物品20與該載台10之間形成一電氣通路，如圖25所示。在本揭露之一較佳實施例 中，該光罩物品20與該載台10間之電氣通路包含該導電層23上之觸點23A、該載台10上之觸點10A及連接該觸點23A與該觸點10A之導線11。
在本揭露之一實施例中，實現該步驟207(使用該電感測器經由該導體量測該些測試接點之至少一電流分佈)可可藉由量測從該偏壓35經過該光罩物品20及該導體33而流至該電感測器31之電流，其中該導體33係一導電探針，半徑約為50nm。在本揭露之一較佳實施例中，實現該步驟205及該步驟207可藉由使用該導體33接觸該光罩物品20之一第一接點25A、使用該電感測器31量測流經該第一接點25A之一第一電流值、移動該導體33以接觸一第二接點25B、使用該電感測器31量測流經該第二接點接點25B之一第二電流值，依此類推對該該光罩物品20之導電層23進行掃瞄以擷取一電流分佈。
圖26例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩物品40。在本揭露之一實施例中，該光罩物品40係一光罩基板，其包含一基板(例如，石英基板)41、一導電層43(例如，鉻層)及一介電層(例如，氧化鉻層)45。在本揭露之一實施例中，實現該步驟201(施加一偏壓至一光罩物品)可藉由形成至少一觸點43A於該導電層43上，並使用一偏壓35(例如一電壓源)之電源探針(未顯示於圖中)接觸該觸點43A。在本揭露之另一實施例中，實現該步驟201(施加一偏壓至一光罩物品)可藉由置放該光罩物品40於一載台10上(電氣連接 於該偏壓35)，並於該光罩物品40與該載台10之間形成一電氣通路，如圖25所示。
圖27及圖28例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩物品50，其具有多層結構。在本揭露之一實施例中，該光罩物品50係一光罩基板，其包含一基板(例如，石英基板)51、具有至少一第一觸點53A之一第一層53及具有至少一第二觸點55A之第二層55。在本揭露之一較佳實施例中，該光罩物品50之測試方法包含下列步驟：如圖27所示，施加該偏壓35於該第一觸點53A、使用該導體33接觸該第一層53之複數個測試接點、使用該電感測器31量測該第一層53之一第一電流分佈；之後，如圖28所示，施加該偏壓35於該第二觸點55A、使用該導體33接觸該第一層53之複數個測試接點、使用該電感測器31量測該第二層55之一第二電流分佈。
在本揭露之一實施例中，該光罩物品50之測試方法決定該光罩物品50之品質至少考量該第一電流分佈及該第二電流分佈。在本揭露之另一實施例中，實現該步驟201(施加一偏壓至一光罩物品)可藉由置放該光罩物品50於一載台10上(電氣連接於該偏壓35)，並於該光罩物品50與該載台10之間形成一電氣通路，如圖25所示。圖29及圖30例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩物品60，其具有多層結構。在本揭露之一實施例中，如圖29所示，該光罩物品60之測試方法包含下列步驟：形成一第一層63，具有至少一第一觸點63A、施加該偏壓35於該第一觸點63A、使用該導 體33接觸該第一層63之複數個測試接點、使用該電感測器31量測該第一層63之一第一電流分佈；之後，如圖30所示，形成一第二層65，具有至少一第二觸點65A、施加該偏壓35於該第二觸點65A、使用該導體33接觸該第二層65之複數個測試接點、使用該電感測器31量測該第二層65之一第二電流分佈。
在本揭露之一實施例中，該光罩物品60之測試方法決定該光罩物品60之品質至少考量該第一電流分佈及該第二電流分佈。在本揭露之另一實施例中，實現該步驟201(施加一偏壓至一光罩物品)可藉由置放該光罩物品60於一載台10上(電氣連接於該偏壓35)，並於該光罩物品60與該載台10之間形成一電氣通路，如圖25所示。
圖31及圖32例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩基板70，其具有多層結構。在本揭露之一實施例中，該光罩基板70包含一基板71、一多層反射結構73、含矽之一頂蓋(保護)層75、一緩衝層(含鉻及/或氮化鉻)77、一吸收層(含氮化鈦)79。在本揭露之一實施例中，該光罩基板70之各層具有至少一觸點；亦即，該多層反射結構73具有至少一觸點73A、該頂蓋層75具有至少一觸點75A、該緩衝層77具有至少一觸點77A、該吸收層79具有至少一觸點79A。在本揭露之一較佳實施例中，該些觸點僅形成於該光罩基板70之部分膜層上，並非每一膜層均具有觸點。
在本揭露之一實施例中，該基板71係一石英基板或一 摻雜鈦之氧化矽玻璃基板。在本揭露之一實施例中，該多層反射結構73包含彼此交互堆疊之鉬層72A及矽層72B(例如，圖32所示之個/矽多層交互堆疊)，但本揭露之多層反射結構73並不限於上述結構；例如，釕/矽之多層交互堆疊反射結構、鉬/鈹之多層交互堆疊反射結構、鉬化合物/矽化合物之多層交互堆疊反射結構、矽/鉬/釕/鉬之多層交互堆疊反射結構、或矽/釕/鉬/釕之多層交互堆疊反射結構均可應用於本揭露之技術方案。
在本揭露之一實施例中，由於該光罩基板70之各膜層具有至少一觸點，因此在該光罩基板70之製程完成後，圖19-20或圖27-28所述之測試方法均可用以測試該光罩基板70之各膜層的品質。在本揭露之另一實施例中，若在該光罩基板70之各膜層的製造過程中形成至少一觸點於各膜層，則圖21-22或圖29-30所述之測試方法均可在各膜層的製造過程中，測試該光罩基板70之各膜層的品質。
圖33例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩基板80，其具有多層結構。在本揭露之一實施例中，該光罩基板80包含一基板81、一背層(例如，含鉻之導電層)82、一多層反射結構(例如，圖32所示之鉬/矽多層交互堆疊)83、含鉻或氮化鉻之一緩衝(保護)層85、一吸收層(含氮化鈦)87、一光阻層89。在本揭露之一實施例中，該光罩基板80之各層具有至少一觸點；亦即，該多層反射結構83具有至少一觸點83A、該緩衝層85具有至少一觸點85A、該吸收層87具有 至少一觸點87A、該光阻層89具有至少一觸點89A。在本揭露之一實施例中，該基板81係一石英基板或一摻雜鈦之氧化矽玻璃基板。在本揭露之一較佳實施例中，該些觸點僅形成於該光罩基板80之部分膜層上，並非每一膜層均具有觸點。
在本揭露之一實施例中，由於該光罩基板80之各膜層具有至少一觸點，因此在該光罩基板80之製程完成後，圖19-20或圖27-28所述之測試方法均可用以測試該光罩基板80之各膜層的品質。在本揭露之另一實施例中，若在該光罩基板80之各膜層的製造過程中形成至少一觸點於各膜層，則圖21-22或圖29-30所述之測試方法均可在各膜層的製造過程中，測試該光罩基板80之各膜層的品質。
圖34例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩基板90，其具有多層結構。在本揭露之一實施例中，該光罩基板90包含一基板81、一背層(例如，包含鉻之導電層)92、一多層反射結構(例如，圖32所示之鉬/矽多層交互堆疊)93、含釕之一頂蓋(保護)層95、一吸收層(含氮化鈦)97、一光阻層99。在本揭露之一實施例中，該光罩基板90之各層具有至少一觸點；亦即，該多層反射結構93具有至少一觸點93A、該頂蓋層95具有至少一觸點95A、該吸收層97具有至少一觸點97A、該光阻層99具有至少一觸點99A。在本揭露之一實施例中，該基板91係一石英基板或一摻雜鈦之氧化矽玻璃基板。在本揭露之一較佳實施例中，該些觸點僅形成於 該光罩基板90之部分膜層上，並非每一膜層均具有觸點。
在本揭露之一實施例中，由於該光罩基板90之各膜層具有至少一觸點，因此在該光罩基板90之製程完成後，圖19-20或圖27-28所述之測試方法均可用以測試該光罩基板90之各膜層的品質。在本揭露之另一實施例中，若在該光罩基板90之各膜層的製造過程中形成至少一觸點於各膜層，則圖21-22或圖29-30所述之測試方法均可在各膜層的製造過程中，測試該光罩基板90之各膜層的品質。
圖35例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩基板120，其具有多層結構。在本揭露之一實施例中，該光罩基板90包含一基板121、一背層(例如，含鉻之導電層)122、一多層反射結構(例如，圖32所示之鉬/矽多層交互堆疊)123、含釕矽之一頂蓋(保護)層125、一緩衝層(含氮化鉻)127、一吸收層(含氮化鈦)129、一光阻層131。在本揭露之一實施例中，該光罩基板120之各層具有至少一觸點；亦即，該多層反射結構123具有至少一觸點123A、該頂蓋層125具有至少一觸點125A、該緩衝層127具有至少一觸點127A、該吸收層129具有至少一觸點129A、該光阻層131具有至少一觸點131A。在本揭露之一實施例中，該基板121係一石英基板或一摻雜鈦之氧化矽玻璃基板。在本揭露之一較佳實施例中，該些觸點僅形成於該光罩基板120之部分膜層上，並非每一膜層均具有觸點。
在本揭露之一實施例中，由於該光罩基板120之各膜層 具有至少一觸點，因此在該光罩基板120之製程完成後，圖19-20或圖27-28所述之測試方法均可用以測試該光罩基板120之各膜層的品質。在本揭露之另一實施例中，若在該光罩基板120之各膜層的製造過程中形成至少一觸點於各膜層，則圖21-22或圖29-30所述之測試方法均可在各膜層的製造過程中，測試該光罩基板120之各膜層的品質。
圖36例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩基板140，其具有多層結構。在本揭露之一實施例中，該光罩基板90包含一基板141、一背層(例如，含鉻或氮化鉻之導電層)142、一多層反射結構(例如，圖32所示之鉬/矽多層交互堆疊)143、一頂蓋/緩衝層(保護層)145、一吸收層147、一抗反射層149、一光阻層151。在本揭露之一實施例中，該基板141係一石英基板或一摻雜鈦之氧化矽玻璃基板；該吸收層147之材料係選自氮化鉭、氮化矽鉭、、氮化矽、氧化矽、鉭、氮化鉻、鎢、釕及其組合構成之群；該抗反射層149之材料係選自氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氮氧化矽及其組合構成之群；該頂蓋/緩衝層(保護層)145之材料係選自碳、碳化物、釕、氮化矽及其混合物構成之群；此外，該頂蓋/緩衝(保護)層145之材料亦可選用鉻、鋁、鈦及其氮化物；釕、釕化合物(硼化釕、矽化釕等等)、氧化矽、氮化矽、氧化鋁及其混合物，其中釕、釕化合物(硼化釕、矽化釕等等)及氮化鉻與氧化矽較佳，而釕、釕化合物(硼化釕、矽化釕等等)最佳。
在本揭露之一實施例中，該光罩基板140之各層具有至少一觸點；亦即，該多層反射結構143具有至少一觸點143A、該頂蓋/緩衝層145具有至少一觸點145A、該吸收層147具有至少一觸點147A、該抗反射層149具有至少一觸點149A、該光阻層151具有至少一觸點151A。在本揭露之一較佳實施例中，該些觸點僅形成於該光罩基板140之部分膜層上，並非每一膜層均具有觸點。
在本揭露之一實施例中，由於該光罩基板140之各膜層具有至少一觸點，因此在該光罩基板140之製程完成後，圖19-20或圖27-28所述之測試方法均可用以測試該光罩基板140之各膜層的品質。在本揭露之另一實施例中，若在該光罩基板140之各膜層的製造過程中形成至少一觸點於各膜層，圖21-22或圖29-30所述之測試方法均可在各膜層的製造過程中，測試該光罩基板140之各膜層的品質。
本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上，然而本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，在不背離後附申請專利範圍所界定之本揭露精神和範圍內，本揭露之教示及揭示可作種種之替換及修飾。例如，上文揭示之許多製程可以不同之方法實施或以其它製程予以取代，或者採用上述二種方式之組合。
此外，本案之權利範圍並不侷限於上文揭示之特定實施例的製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，基於 本揭露教示及揭示製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟，無論現在已存在或日後開發者，其與本案實施例揭示者係以實質相同的方式執行實質相同的功能，而達到實質相同的結果，亦可使用於本揭露。因此，以下之申請專利範圍係用以涵蓋用以此類製程、機台、製造、物質之成份、裝置、方法或步驟。
10‧‧‧載台
10A‧‧‧觸點
11‧‧‧導線
20‧‧‧光罩物品
21‧‧‧基板
22‧‧‧導電層
23A‧‧‧觸點
25A‧‧‧第一接點
25B‧‧‧第二接點
31‧‧‧電感測器
33‧‧‧導體
35‧‧‧偏壓
40‧‧‧光罩物品
41‧‧‧基板
43‧‧‧導電層
43A‧‧‧觸點
45‧‧‧介電層
50‧‧‧光罩物品
51‧‧‧基板
53‧‧‧第一層
53A‧‧‧第一觸點
55‧‧‧第二層
55A‧‧‧第二觸點
60‧‧‧光罩物品
61‧‧‧基板
63‧‧‧第一層
63A‧‧‧第一觸點
65‧‧‧第二層
65A‧‧‧第二觸點
70‧‧‧光罩基板
71‧‧‧基板
72A‧‧‧矽層
72B‧‧‧鉬層
73‧‧‧多層反射結構
73A‧‧‧觸點
75‧‧‧頂蓋層
75A‧‧‧觸點
77‧‧‧緩衝層
77A‧‧‧觸點
79‧‧‧吸收層
79A‧‧‧觸點
80‧‧‧光罩基板
81‧‧‧基板
82‧‧‧背層
83‧‧‧多層反射結構
83A‧‧‧觸點
85‧‧‧緩衝層
85A‧‧‧觸點
87‧‧‧吸收層
87A‧‧‧觸點
89‧‧‧光阻層
89A‧‧‧觸點
90‧‧‧光罩基板
91‧‧‧基板
92‧‧‧背層
93‧‧‧多層反射結構
93A‧‧‧觸點
95‧‧‧頂蓋層
95A‧‧‧觸點
97‧‧‧吸收層
97A‧‧‧觸點
99‧‧‧光阻層
99A‧‧‧觸點
101‧‧‧步驟
103‧‧‧步驟
105‧‧‧步驟
107‧‧‧步驟
120‧‧‧光罩基板
121‧‧‧基板
122‧‧‧背層
123‧‧‧多層反射結構
123A‧‧‧觸點
125‧‧‧頂蓋層
125A‧‧‧觸點
127‧‧‧緩衝層
127A‧‧‧觸點
129‧‧‧吸收層
129A‧‧‧觸點
131‧‧‧光阻層
131A‧‧‧觸點
140‧‧‧光罩基板
141‧‧‧基板
142‧‧‧背層
143‧‧‧多層反射結構
143A‧‧‧觸點
145‧‧‧頂蓋/緩衝層
145A‧‧‧觸點
147‧‧‧吸收層
147A‧‧‧觸點
149‧‧‧抗反射層
149A‧‧‧觸點
141‧‧‧光阻層
141A‧‧‧觸點
201‧‧‧步驟
203‧‧‧步驟
205‧‧‧步驟
207‧‧‧步驟
209‧‧‧步驟
藉由參照前述說明及下列圖式，本揭露之技術特徵及優點得以獲得完全瞭解。
圖1係一流程圖，例示本揭露一實施例之光罩物品之測試方法；圖2及圖3例示本揭露之測試方法應用於測試一光罩物品；圖4A、圖5A、圖6A係分為三個光罩基板(分別標記為P-0.5、P-3及P-5)之形貌掃瞄影像，圖4B、圖5B、圖6B為對應之電流分佈影像；圖7A係圖4B、圖5B、圖6B之電流分佈圖，圖7B係圖7A之低導電區之電流分佈圖；圖8A、圖9A及圖10A係該些光罩基板之低導電區之電流分佈影像，圖8B、圖9B及圖10B係該些光罩基板之3-D影像；圖11例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩物品 ；圖12A、圖13A、圖14A係分為三個光罩基板(分別標記為M-0.5、M-1及M-2)之形貌掃瞄影像，圖12B、圖13B、圖14B為對應之電流分佈影像；圖15A係圖12B、圖13B、圖14B之電流分佈圖，圖15B係圖15A之高導電區之電流分佈圖；圖16A、圖17A及圖18A係該些光罩基板之高導電區之電流分佈影像，圖16B、圖17B及圖18B係該些光罩基板之3-D影像；圖19及圖20例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩物品；圖21及圖22例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩物品；圖23係一流程圖，例示本揭露另一實施例之光罩物品之測試方法；圖24及圖25例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩物品；圖26例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩物品；圖27及圖28例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩物品；圖29及圖30例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩物品； 圖31及圖32例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩基板；圖33例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩基板；圖34例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩基板；圖35例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩基板；以及圖36例示本揭露之測試方法應用於測試另一光罩基板。
10‧‧‧載台
20‧‧‧光罩物品
21‧‧‧基板
23‧‧‧導電層
23A‧‧‧觸點
25A‧‧‧第一接點
25B‧‧‧第二接點
31‧‧‧電感測器
33‧‧‧導體
35‧‧‧偏壓

Claims (28)

  1. 一種光罩物品之測試方法，包含下列步驟：電氣連接一光罩物品至一電感測器；使用一導體施加一偏壓至該光罩物品之複數個測試接點；使用該電感測器量測該些測試接點之至少一電流分佈；以及至少考量該電流分佈，決定該光罩物品之品質。
  2. 如請求項1所述之光罩物品之測試方法，其中該光罩物品包含一導電層，該電感測器係電氣連接於該導電層。
  3. 如請求項2所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質包含計算電流值小於一門檻值之測試接點的數量。
  4. 如請求項1所述之光罩物品之測試方法，其中該光罩物品包含一導電層及設置於該導電層上之一介電層，該電感測器係電氣連接於該導電層。
  5. 如請求項4所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質包含計算電流值大於一門檻值之測試接點的數量。
  6. 如請求項1所述之光罩物品之測試方法，其包含計算該些測試接點之一平均電流。
  7. 如請求項6所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質包含比較該些測試接點之電流值與該平均電流。
  8. 如請求項1所述之光罩物品之測試方法，其包含下列步驟：使用該導體接觸該光罩物品之一第一接點；使用該電感測器量測通過該光罩物品之一第一電流值；使用該導體接觸該光罩物品之一第二接點；以及使用該電感測器量測通過該光罩物品之一第二電流值。
  9. 如請求項1所述之光罩物品之測試方法，其中電氣連接一光罩物品至一電感測器包含下列步驟：形成至少一觸點於該光罩物品上；以及使用該電感測器之一感測探針接觸該觸點。
  10. 如請求項1所述之光罩物品之測試方法，其中電氣連接一光罩物品至一電感測器包含下列步驟：置於該光罩物品於一載台，其電氣連接該電感測器；以及形成一電氣連接於該電感測器與該光罩物品之間。
  11. 如請求項1所述之光罩物品之測試方法，其中該光罩物品包含一第一層及一第二層，該第一層包含至少一第一觸點，該第二層包含至少一第二觸點，該測試方法包含：電氣連接該第一觸點至該電感測器；使用該導體施加該偏壓於該第一層；使用該電感測器量測該第一層之一第一電流分佈； 電氣連接該第二觸點至該電感測器；使用該導體施加該偏壓於該第一層；以及使用該電感測器量測該第二層之一第二電流分佈。
  12. 如請求項11所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質至少考量該第一電流分佈及該第二電流分佈。
  13. 如請求項1所述之光罩物品之測試方法，包含下列步驟：形成一第一層，具有至少一第一觸點；電氣連接該第一觸點至該電感測器；使用該導體施加該偏壓於該第一層；使用該電感測器量測該第一層之一第一電流分佈；形成一第二層，具有至少一第二觸點；電氣連接該第二觸點至該電感測器；使用該導體施加該偏壓於該第一層；以及使用該電感測器量測該第二層之一第二電流分佈。
  14. 如請求項13所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質至少考量該第一電流分佈及該第二電流分佈。
  15. 一種光罩物品之測試方法，包含下列步驟：施加一偏壓至一光罩物品；電氣連接一導體至一電感測器；使用該導體接觸測該光罩物品之複數個測試接點；使用該電感測器經由該導體量測該些測試接點之至少一電流分佈；以及至少考量該電流分佈，決定該光罩物品之品質。
  16. 如請求項15所述之光罩物品之測試方法，其中該光罩物品包含一導電層，該偏壓係施加於該導電層。
  17. 如請求項16所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質包含計算電流值小於一門檻值之測試接點的數量。
  18. 如請求項15所述之光罩物品之測試方法，其中該光罩物品包含一導電層及設置於該導電層上之一介電層，該偏壓係施加於該導電層。
  19. 如請求項18所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質包含計算電流值大於一門檻值之測試接點的數量。
  20. 如請求項15所述之光罩物品之測試方法，其包含計算該些測試接點之一平均電流。
  21. 如請求項20所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質包含比較該些測試接點之電流值與該平均電流。
  22. 如請求項15所述之光罩物品之測試方法，其包含下列步驟：使用該導體接觸該光罩物品之一第一接點；使用該電感測器量測通過該光罩物品之一第一電流值；使用該導體接觸該光罩物品之一第二接點；以及使用該電感測器量測通過該光罩物品之一第二電流 值。
  23. 如請求項15所述之光罩物品之測試方法，其中施加一偏壓至一光罩物品包含下列步驟：形成至少一觸點於該光罩物品上；以及使用一電源探針接觸該觸點。
  24. 如請求項15所述之光罩物品之測試方法，其中施加一偏壓至一光罩物品係置於該光罩物品於一載台，其電氣連接一電源。
  25. 如請求項15所述之光罩物品之測試方法，其中該光罩物品包含一第一層及一第二層，該第一層包含至少一第一觸點，該第二層包含至少一第二觸點，該測試方法包含：施加該偏壓於該第一觸點；使用該導體接觸該第一層；使用該電感測器量測該第一層之一第一電流分佈；施加該偏壓於該第二觸點；使用該導體接觸該該第一層；以及使用該電感測器量測該第二層之一第二電流分佈。
  26. 如請求項25所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質至少考量該第一電流分佈及該第二電流分佈。
  27. 如請求項15所述之光罩物品之測試方法，包含下列步驟：形成一第一層，具有至少一第一觸點；施加該偏壓於該第一觸點；使用該導體接觸該第一層； 使用該電感測器量測該第一層之一第一電流分佈；形成一第二層，具有至少一第二觸點；施加該偏壓於該第二觸點；使用該導體接觸該第一層；以及使用該電感測器量測該第二層之一第二電流分佈。
  28. 如請求項27所述之光罩物品之測試方法，其中決定該光罩物品之品質至少考量該第一電流分佈及該第二電流分佈。
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