JP5689908B2 - フォトマスク物品の試験方法 - Google Patents
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Description
a3=3FR/4Y*;
1/Y*=(1-v1 2)/Y1+(1-v1 2)/ Y2;
式中、aは接触面積の半径であり、Fは押圧力であり、Rはプローブの半径であり、Y1はプローブのヤング率(Young’s modulus)であり、Y2はプローブの接触層のヤング率であり、v1はプローブのポアソン比(Poisson’s ratio)、v2はプローブの接触層のポアソン比である。
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10A、23A、43A 、73A、75A、77A、79A、83A、85A、87A、89A、93A、95A、97A、99A、123A、125A、127A、129A、131A、141A、143A、145A、147A、149A、151A コンタクト
11 リード線
20、40、50、60 フォトマスク物品
21、41、51、61、71、81、91、121、141 基板
23、43 導電層
25A、53A、63A 第1のコンタクト
25B、55A、65A 第2のコンタクト
31 センサ
33 導体
35 バイアス電圧
45 誘電層
53、63 第1の層
55、65 第2の層
70、80、90、120、140 フォトマスク基板
72A ケイ素層
72B モリブデン層
73、83、93、123、143 多層反射構造
75、95、125 トップカバー層
77、85、127 バッファ層
79、87、97、129、147 吸収層
82、92、122、142 バック層
89、99、131、151 フォトレジスト層
101、103、105、107、201、203、205、207、209 ステップ
145 トップカバー/バッファ層
149 反射防止層
Claims (28)
- フォトマスク物品をセンサに電気的に接続するステップと、
前記フォトマスク物品の複数の試験コンタクトに導体を用いてバイアス電圧を印加するステップと、
前記複数の試験コンタクトの各々につき、前記バイアス電圧に応答して流れる電流値を前記センサを用いて測定し、前記フォトマスク物品上の該電流値の電流分布を取得するステップと、
前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定するステップと、
を含む、フォトマスク物品の試験方法。 - 前記フォトマスク物品は導電層を備えており、前記センサは前記導電層に電気的に接続される、請求項1に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、電流値が閾値未満の試験コンタクトの数を計算することを含む、請求項2に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品は導電層と前記導電層上に配設されている誘電層とを備えており、前記センサは前記誘電層に電気的に接続される、請求項1に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、電流値が閾値を超える試験コンタクトの数を計算することを含む、請求項4に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記複数の試験コンタクトの平均電流を計算することを含む、請求項1に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記複数の試験コンタクトの電流値と前記平均電流とを比較することを含む、請求項6に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品の前記複数の試験コンタクトの第1の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記フォトマスク物品を流れる第1の電流値を、前記センサを用いて測定するステップと、
前記フォトマスク物品の前記複数の試験コンタクトの第2の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記フォトマスク物品を流れる第2の電流値を、前記センサを用いて測定するステップと、
を含む、請求項1に記載のフォトマスク物品の試験方法。 - フォトマスク物品をセンサに電気的に接続するステップが、
前記フォトマスク物品上に少なくとも一つのコンタクトを形成するステップと、
前記センサのセンサプローブを前記コンタクトに接触させるステップと、
を含む、請求項1に記載のフォトマスク物品の試験方法。 - フォトマスク物品をセンサに電気的に接続するステップが、
前記フォトマスク物品を載置台に載置して、前記センサに電気的に接続するステップと、
前記センサと前記フォトマスク物品との間を電気的に接続するステップと、
を含む、請求項1に記載のフォトマスク物品の試験方法。 - 前記フォトマスク物品が、少なくとも一つの第1のコンタクトを有する第1の層と、少なくとも一つの第2のコンタクトを有する第2の層とを備えており、
前記試験方法は、
前記第1のコンタクトを前記センサに電気的に接続するステップと、
前記第1の層に前記導体を用いて前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第1の層の第1の電流分布を前記センサで測定するステップと、
前記第2のコンタクトを前記センサに電気的に接続するステップと、
前記第1の層に前記導体を用いて前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第2の層の第2の電流分布を前記センサで測定するステップと、
を含む、請求項1に記載のフォトマスク物品の試験方法。 - 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記第1の電流分布および前記第2の電流分布を少なくとも考慮する、請求項11に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 少なくとも一つの第1のコンタクトを有する第1の層を形成するステップと、
前記第1のコンタクトを前記センサに電気的に接続するステップと、
前記第1の層に前記導体を用いて前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第1の層の第1の電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、
少なくとも一つの第2のコンタクトを有する第2の層を形成するステップと、
前記第2のコンタクトを前記センサに電気的に接続するステップと、
前記第1の層に前記導体を用いて前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第2の層の第2の電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、
を含む、請求項1に記載のフォトマスク物品の試験方法。 - 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記第1の電流分布および前記第2の電流分布を少なくとも考慮する、請求項13に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- フォトマスク物品にバイアス電圧を印加するステップと、
導体をセンサに電気的に接続するステップと、
前記フォトマスク物品の複数の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記複数の試験コンタクトの各々につき、前記導体を介して前記バイアス電圧に応答して流れる電流値を前記センサを用いて測定し、前記フォトマスク物品上の該電流値の電流分布を取得するステップと、
前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定するステップと、
を含む、フォトマスク物品の試験方法。 - 前記フォトマスク物品は導電層を備えており、前記バイアス電圧が前記導電層に印加される、請求項15に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、電流値が閾値未満の試験コンタクトの数を計算することを含む、請求項16に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品は導電層と前記導電層上に配設されている誘電層とを備えており、前記バイアス電圧は前記導電層に印加される、請求項15に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、電流値が閾値を超える試験コンタクトの数を計算することを含む、請求項18に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記複数の試験コンタクトの平均電流を計算することを含む、請求項15に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記複数の試験コンタクトの電流値と前記平均電流とを比較することを含む、請求項20に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品の前記複数の試験コンタクトの第1の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記フォトマスク物品を流れる第1の電流値を、前記センサを用いて測定するステップと、
前記フォトマスク物品の前記複数の試験コンタクトの第2の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記フォトマスク物品を流れる第2の電流値を、前記センサを用いて測定するステップと、
を含む、請求項15に記載のフォトマスク物品の試験方法。 - フォトマスク物品にバイアス電圧を印加するステップが、
前記フォトマスク物品上に少なくとも一つのコンタクトを形成するステップと、
前記バイアス電圧の電源プローブを前記コンタクトに接触させるステップと、
を含む、請求項15に記載のフォトマスク物品の試験方法。 - フォトマスク物品にバイアス電圧を印加するステップが、前記フォトマスク物品を載置台に載置して、電源に電気的に接続するステップを含む、請求項15に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 前記フォトマスク物品が、少なくとも一つの第1のコンタクトを有する第1の層と、少なくとも一つの第2のコンタクトを有する第2の層とを備えており、
前記試験方法は、
前記第1のコンタクトを、前記バイアス電圧の電源プローブまたは前記センサに電気的に接続して、前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第1の層に前記導体を接触させるステップと、
前記第1の層の第1の電流分布を前記センサで測定するステップと、
前記第2のコンタクトを、前記バイアス電圧の電源プローブまたは前記センサに電気的に接続して、前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第1の層に前記導体を接触させるステップと、
前記第2の層の第2の電流分布を前記センサで測定するステップと、
を含む、請求項15に記載のフォトマスク物品の試験方法。 - 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記第1の電流分布および前記第2の電流分布を少なくとも考慮する、請求項25に記載のフォトマスク物品の試験方法。
- 少なくとも一つの第1のコンタクトを有する第1の層を形成するステップと、
前記第1のコンタクトを、前記バイアス電圧の電源プローブまたは前記センサに電気的に接続して、前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第1の層に前記導体を接触させるステップと、
前記第1の層の第1の電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、
少なくとも一つの第2のコンタクトを有する第2の層を形成するステップと、
前記第2のコンタクトを、前記バイアス電圧の電源プローブまたは前記センサに電気的に接続して、前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第1の層に前記導体を接触させるステップと、
前記第2の層の第2の電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、
を含む、請求項15に記載のフォトマスク物品の試験方法。 - 前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記第1の電流分布および前記第2の電流分布を少なくとも考慮する、請求項27に記載のフォトマスク物品の試験方法。
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---|---|---|---|---|
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JP6556029B2 (ja) * | 2015-11-18 | 2019-08-07 | Hoya株式会社 | レジスト層付きマスクブランク、レジスト層付きマスクブランクの製造方法、及び、転写用マスクの製造方法 |
CN109115836A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-01-01 | 杭州后博科技有限公司 | 一种箱包损伤检测系统及方法 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3373353A (en) * | 1965-09-30 | 1968-03-12 | Navy Usa | Electron beam scanning system for quality control of materials |
US3639831A (en) * | 1968-11-12 | 1972-02-01 | Autometrics Co | Method and apparatus for producing a directable current-conducting gas jet for use in a method for inspecting and measuring nonconductive film coatings on conductive substrates |
JPS56165371A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
US4827212A (en) * | 1988-01-20 | 1989-05-02 | Semitest, Inc. | Noninvasive method and apparatus for characterization of semiconductors |
JPH07117530B2 (ja) * | 1988-05-16 | 1995-12-18 | ニッカ電測株式会社 | ピンホール検出方法および装置 |
DE3932572A1 (de) * | 1989-09-29 | 1991-05-08 | Schinhaerl Kurt Dipl Ing Fh | Verfahren zur charakterisierung einer isolationsschicht und anordnung zum durchfuehren des verfahrens |
JPH04352156A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Nec Corp | カラーキー |
US5225785A (en) * | 1991-09-24 | 1993-07-06 | Modern Controls, Inc. | Apparatus for sensing the thickness of a moving sheet of film |
JP3274924B2 (ja) * | 1993-12-15 | 2002-04-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置のスクリーニング方法 |
US6339217B1 (en) * | 1995-07-28 | 2002-01-15 | General Nanotechnology Llc | Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements |
JPH10506457A (ja) * | 1994-07-28 | 1998-06-23 | ジェネラル ナノテクノロジー エルエルシー | 走査型プローブ顕微鏡装置 |
DE69620263T2 (de) * | 1996-08-08 | 2002-11-21 | Dansk System Elektronik As Hor | Verfahren und vorrichtung zum testen des isolationsgrades der isolation eines elektrischen leiters |
JP3251245B2 (ja) * | 1998-06-10 | 2002-01-28 | 松下電器産業株式会社 | 半導体基板の評価方法及び半導体装置の製造工程の管理方法 |
US6184691B1 (en) * | 1999-02-04 | 2001-02-06 | General Electric Company | Apparatus and method for testing coating of an electrical conductor |
JP2001135839A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換モジュールの製造方法及び薄膜光電変換モジュールの欠陥修復装置 |
JP2001189361A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 絶縁膜評価方法、絶縁膜評価装置及び絶縁膜評価システム |
US6729922B2 (en) * | 2000-06-05 | 2004-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device for inspecting element substrates and method of inspection using this device |
JP2002072445A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス |
US6673637B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen |
US6919957B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-07-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
JP4256060B2 (ja) * | 2000-10-04 | 2009-04-22 | セイコーインスツル株式会社 | 絶縁膜の評価方法および装置 |
JP3551308B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2004-08-04 | 静岡大学長 | 電流の計測方法および表面の測定装置 |
JP4802420B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2011-10-26 | 東洋製罐株式会社 | 多層フィルムの欠陥検出装置 |
US6707055B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-03-16 | Polaroid Corporation | Method and apparatus for detecting pinhole defects in a dielectric layer |
US6784446B1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-08-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reticle defect printability verification by resist latent image comparison |
DE60321525D1 (de) * | 2002-10-28 | 2008-07-24 | Asml Netherlands Bv | Verfahren, Inspektionssystem, Rechnerprogramm und Referenzsubstrat zum Erkennen von Maskenfehlern |
JP4361405B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2009-11-11 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | Afmに電気化学的手法を適用したマスク黒欠陥修正 |
JP2005265736A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Toshiba Corp | マスク欠陥検査装置 |
US20050289488A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | I-Ju Chou | System and method for mask defect detection |
WO2006014850A2 (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Toppan Photomasks, Inc. | Systems and methods for forming integrated circuit components having precise characteristics |
EP1794794A1 (en) * | 2004-09-23 | 2007-06-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Analogue measurement of alignment between layers of a semiconductor device |
JP4800007B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法およびプローブカード |
JP2007155368A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 導電性コーティング皮膜の欠陥検出方法及びそれに使用する検査装置 |
JP2009103693A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-05-14 | Sii Nanotechnology Inc | フォトマスク上の異物の元素分析方法及び材質推定方法 |
US8041106B2 (en) | 2008-12-05 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects on a reticle |
NL2003678A (en) | 2008-12-17 | 2010-06-21 | Asml Holding Nv | Euv mask inspection system. |
US8294485B2 (en) * | 2009-02-12 | 2012-10-23 | International Business Machines Corporation | Detecting asymmetrical transistor leakage defects |
CN101989038B (zh) * | 2009-07-30 | 2013-05-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 掩膜板检测装置及检测方法 |
US8289031B1 (en) * | 2011-05-16 | 2012-10-16 | Rao Dantam K | Apparatus for measuring insulation characteristics of coated steel sheet |
US8502544B1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-08-06 | Taiwan Mask Corporation | Method for testing mask articles |
-
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