JP4637114B2

JP4637114B2 - レチクル・レイアウト・データをシミュレートし、レチクル・レイアウト・データを検査し、レチクル・レイアウト・データの検査プロセスを生成する方法

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Publication number: JP4637114B2
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Inventors: ヘス，カール; シオン，ヤリン
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Description

本発明は、一般に、レチクル・レイアウト・データをシミュレートし、レチクル・レイアウト・データを検査し、レチクル・レイアウト・データの検査プロセスを生成するためのコンピュータで実施する方法に関するものである。いくつかの実施態様は、レチクル・レイアウト・データにおける第２の領域の印刷適性よりも、プロセス・パラメータの変化に影響されやすい印刷適性を備えた、レチクル・レイアウト・データにおける第１の領域を識別することを含む、コンピュータで実施される方法に関するものである。

下記の説明と例は、このセクションにそれらが含まれることにより、先行技術であると認められるわけではない。

集積回路（ＩＣ）の設計には、ある特定機能を実施するように構成され、結合された個別デバイスを含む基本設計を生成することが必要とされる。ＩＣがますます複雑化するにつれて、ＩＣの設計も複雑性を増している。例えば、ＩＣは、一般に、寸法を小さくし、回路密度を高くして、ＩＣの速度と他の特性を向上させるように設計される。

ＩＣ設計は、コンピュータによる電子回路の設計自動化（ＥＤＡ）、コンピュータ支援設計（ＣＡＤ）、他のＩＣ設計ソフトウェアのような、当該技術において既知の任意の方法またはシステムを利用して開発することが可能である。こうした方法とシステムを利用して、ＩＣ設計から回路パターン・データベースを生成することが可能である。各種ＩＣ層のレイアウトを表わすデータを利用して、複数のレチクルに関するレイアウトを決定することが可能である。レチクルまたは「マスク」は、リソグラフィ・プロセスにおいてウェーハ上のレジストにパターンを転写するために利用される。「レチクル」と「マスク」という用語は、本明細書において同義的に用いられる。

レチクルのレイアウトには、一般に、レチクル上にあるパターンのフィーチャを形成する複数の多角形が含まれる。一般に、これらの多角形は、それらのサイズとレチクルの配置によって決めることが可能である。各レチクルは、ＩＣのさまざまな層の１つを作製するために利用される。ＩＣの層には、例えば、半導体基板における接合パターン、ゲート誘電体パターン、ゲート電極パターン、層間絶縁膜における接点パターン、メタライゼーション層の相互接続パターンを含むことが可能である。

すなわち、レチクルは、リソグラフィ・プロセスのステップにおいてレジストのパターン形成に利用され、次に、パターン形成されたレジストを用いて、ウェーハ上にＩＣのフィーチャが形成される。従って、レチクル上に形成され、ウェーハに転写されるパターン形成されたフィーチャは、ＩＣ設計に含まれるフィーチャの特性を反映する。換言すれば、レチクル上に形成されるフィーチャは、上述のようなＩＣの個別コンポーネントに基づくことが可能であり、それらのコンポーネントの形成に利用される。従って、ＩＣ設計の複雑性は、レチクルの製造と検査に直接影響をおよぼすことになる。

従って、ＩＣ設計の複雑性が増すにつれて、レチクル製造の成功はより困難になる。例えば、ＩＣフィーチャの寸法、フィーチャ間の間隔が縮小するにつれて、レチクル上におけるフィーチャの寸法と間隔も縮小する。こうして、例えば、レチクル製造プロセスの制限によって、レチクル上にこれらのフィーチャを形成するのはいっそう困難になる。さらに、レチクル検査プロセスの制限によって、これらのフィーチャを検査するのはいっそう困難になる。当該技術において既知のように、寸法と間隔が縮小するにつれて、ウェーハ上にこれらのフィーチャをうまく再生する難しさが増すことになる。

半導体作製においてレチクルが果たす重要な役割のため、レチクルが、うまく（レチクルを利用して、ウェーハ上に所望の像を生じさせることができるように）製造されたことを保証するのは、半導体作製の成功にとって極めて重大である。概して、レチクル検査プロセスにおいて、レチクルの光学像は、通常、ベースライン像と比較される。ベースライン像は、回路パターン・データまたはレチクル自体の隣接ダイから生成される。いずれにせよ、光学像のフィーチャは、分析されて、ベースライン像の対応するフィーチャと比較される。次に、各フィーチャの相違が単一しきい値と比較される。光学像のフィーチャが、所定のしきい値を超えてベースライン像のフィーチャと異なる場合、欠陥と決めることができる。

従来のレチクル検査は、一部の用途については、十分なレベルの検出精度が得られるが、他の用途では、より高い感度またはより低いしきい値が必要になり（欠陥の確認のため）、さらに、別の用途では、より厳しくないか、より高いしきい値が必要とされる。従来の検査では、同じしきい値と分析アルゴリズムを用いて、ある特定タイプのレチクルの全てのフィーチャが分析されるので、フィーチャによっては、あまりに厳しすぎる検査を受けるものもあれば、一方、十分に厳しい検査を受けないものもある。

ＩＣの電気的に重要なフィーチャには、一般に、半導体トランジスタ・デバイスのゲートがある。すなわち、作製されたＩＣデバイスが適正に機能するためには、レチクル上のゲート幅によって、比較的狭い誤差の許容範囲内で、回路パターン上に対応するゲート幅が生じる必要がある。しきい値の設定が高すぎると、これらの重要なゲート領域が十分適切に検査されなくなる。逆に、ゲート領域間の相互接続の幅といった他のフィーチャは、ゲート領域幅ほどＩＣの機能に影響を及ぼすことはなく、従って、他のフィーチャほど厳しく検査する必要なない。しきい値の設定が低すぎると、これらの重要ではないフィーチャのうち、あまりにも多くが欠陥とみなされる可能性があるので、検査結果を解釈するのが困難になり、かつ、計算資源が過負荷になるか、あるいは、そのいずれかになる。

要するに、従来の検査システムは、従って、レチクルの領域をあまりにも厳しく検査することによって、他の領域を十分な厳しさで確実に検査しないことによって、貴重な資源を浪費していた。換言すれば、上述の検査システムでは、電気的に重要な領域内における欠陥を確実に検出することはできず、幾分大きい欠陥でも問題を生じることがない、電気的に重要ではない領域の非効率的な検査が行われる。従来の検査システムと技法では、レチクルの電気的に重要な領域と重要ではない領域とを識別することができない。換言すると、従来の設計ドキュメンテーション（例えば、電子レチクルまたは集積回路情報）では、レチクル・ライタ・システム、レチクル検査システム、最終的には、ウェーハ検査システムに、回路の許容差や結果生じるＩＣデバイスの寸法に関するＩＣ設計者の意図を十分に伝えることができない。

少なくとも３つの理由により、ＩＣ設計者の意図に基づいて異なる厳しさでレチクルを検査する、いくつかの検査方法が開発されている。こうした方法例については、あたかも完全に本明細書における記述であるかのように、参考までに援用されている、先行技術文献に例示されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。このようにして、レチクル上の欠陥の検出に用いるべき、適切な厳しさに関する決定は、レチクル・レイアウト・データにおけるフィーチャの電気的重要性に基づいて行うことが可能である。

こうした方法によって、レチクル検査の精度、有意味性、有用性、スループットが大幅に向上した。しかし、こうした方法では、レチクル検査の重要性をさらに増すために利用可能な、レチクル・レイアウト・データの他のいくつかの変数が考慮されていない。例えば、設計者の意図に基づく検査方法では、データに適した厳しさを決定する場合に、レチクル・レイアウト・データの印刷適性が考慮されない。すなわち、とりわけ寸法のような、レチクル・レイアウト・データの各種特性によって、レチクル・レイアウト・データを要望どおりに正確に印刷または再生するのがどれほど困難になるかが決まることになる。レチクル・レイアウト・データを正確に印刷する難しさを決める方法の１つは、レチクル・レイアウト・データのプロセス・ウィンドウによるものである（例えば、プロセス・ウィンドウの狭いレチクル・レイアウト・データは、プロセス・ウィンドウの広いレチクル・レイアウト・データよりも印刷が困難になる）。従って、印刷がより困難ではないレチクル・レイアウト・データの領域に比べて、印刷がより困難なレチクル・レイアウト・データの領域をより厳しく検査するのが望ましい。ＩＣの電気的に重要な領域の中には、やはり、印刷が困難なものがあるかもしれないが、現在用いられているレチクル検査方法では、レチクル検査方法の厳しさが、レチクル・レイアウト・データのさまざまな領域の印刷適性に基づいて調整されることはない。

米国特許第６，５２９，６２１号明細書米国特許第６，７４８，１０３号明細書

従って、本発明の目的は、レチクル・レイアウト・データを検査するためのプロセスを生成し、レチクル・レイアウト・データを検査し、かつ、レチクル・レイアウト・データのさまざまな領域の印刷適性を考慮しながら、レチクル・レイアウト・データをシミュレートするために利用可能な方法を開発することにある。

本発明の実施態様の１つは、レチクル・レイアウト・データの検査プロセスを生成するための、コンピュータで実施される方法に関するものである。この方法には、レチクル・レイアウト・データの第１の領域を識別するステップが含まれる。第１の領域の印刷適性は、レチクル・レイアウト・データの第２の領域の印刷適性に比べて、プロセス・パラメータの変化に影響されやすい。実施態様の１つでは、第１の領域は、レチクル・レイアウト・データにおける１つのフィーチャの面積にほぼ等しい面積を備えることが可能である。この方法には、第１の領域と第２の領域に対して、１つ以上の検査パラメータを割り当て、第１の領域が、プロセス中、第２の領域よりも高い感度で検査されるようにするステップも含まれる。

第１の領域と第２の領域の印刷適性は、レチクル上における第１の領域と第２の領域の印刷適性とすることが可能である。この実施態様の場合、プロセス・パラメータには、レチクル製造プロセス・パラメータが含まれる。代わりに、第１の領域と第２の領域の印刷適性は、ウェーハ上における第１の領域と第２の領域の印刷適性とすることも可能である。この実施態様の場合、プロセス・パラメータには、レチクル製造プロセス・パラメータと、ウェーハ製造プロセス・パラメータが含まれる。

もう１つの実施態様では、第１の領域のプロセス・ウィンドウが第２の領域より狭いので、第１の領域の印刷適性は、プロセス・パラメータの変化により影響されやすい。もう１つの実施態様では、第１の領域のマスク・エラー増大率（ＭＥＥＦ）が第２の領域よりも高いので、第１の領域の印刷適性が、プロセス・パラメータの変化により影響されやすい。

実施態様によっては、この方法に、レチクル・レイアウト・データの再審査プロセスを生成するステップを含むことも可能である。再審査プロセスの生成には、第１の領域と第２の領域に対して、１つ以上の再審査パラメータを割り当て、第１の領域が、再審査プロセス中、第２の領域よりも高い感度で再審査されるようにするステップを含むことも可能である。上述の方法の実施態様のそれぞれには、本明細書に説明の他の任意のステップを含むことが可能である。

もう１つの実施態様は、レチクル・レイアウト・データを検査するための、コンピュータで実施される方法に関するものである。この方法には、レチクル・レイアウト・データにおける第１の領域を識別するステップが含まれる。レチクル・レイアウト・データにおける第１の領域の印刷適性は、第２の領域の印刷適性よりもプロセス・パラメータの変化に影響されやすい。実施態様の１つでは、第１の領域は、レチクル・レイアウト・データにおける１つのフィーチャの面積とほぼ等しい面積を備えることが可能である。この方法には、第２の領域よりも高い感度で第１の領域を検査するステップも含まれている。

実施態様の１つでは、第１の領域と第２の領域の印刷適性は、レチクル上の第１の領域と第２の領域の印刷適性である。この実施態様の場合、プロセス・パラメータには、レチクル製造プロセス・パラメータを含むことが可能である。異なる実施態様の１つでは、第１の領域と第２の領域の印刷適性は、ウェーハ上における第１の領域と第２の領域の印刷適性である。この実施態様の場合、プロセス・パラメータには、レチクル製造プロセス・パラメータと、ウェーハ製造プロセス・パラメータを含むことが可能である。

いくつかの実施態様では、第１の領域のプロセス・ウィンドウが第２の領域より狭いので、第１の領域の印刷適性は、プロセス・パラメータの変化により影響されやすい。もう１つの実施態様では、第１の領域のＭＥＥＦが第２の領域よりも高いので、第１の領域の印刷適性が、プロセス・パラメータの変化により影響されやすい。

実施態様の１つでは、第１の領域と第２の領域の検査には、レチクル・レイアウト・データの第１の領域と第２の領域によって生じることになる印刷欠陥の検出が含まれる。もう１つの実施態様では、第１の領域と第２の領域の検査は、レチクル・レイアウト・データによってレチクルを製造する前に、実施することができる。この実施態様の場合、この方法には、検査結果に基づいて、レチクル・レイアウト・データを変更するステップを含むことが可能である。もう１つの実施態様の場合、この方法には、レチクル・レイアウト・データの各領域の印刷適性が、プロセス・パラメータの変化にどれほど影響されやすいかを判定するステップを含むことが可能である。この実施態様の場合、第１の領域と第２の領域の検査には、各領域の印刷適性の影響されやすさに基づく感度で、レチクル・レイアウト・データの各領域を検査するステップを含む。上述の方法の実施態様のそれぞれには、本明細書に説明の他の任意のステップを含めてもよい。

もう１つの実施態様は、レチクル・レイアウト・データをシミュレートするための方法に関するものである。レチクル・レイアウト・データにおける第１の領域の印刷適性は、第２の領域の印刷適性よりもプロセス・パラメータの変化に影響されやすい。この方法には、レチクル・レイアウト・データの印刷方法のシミュレーションも含まれる。第１の領域と第２の領域のシミュレーションは、１つ以上の異なるシミュレーション・パラメータで実施され、第１の領域が、第２の領域より高い忠実度でシミュレートされるようになっている。

実施態様の１つでは、第１の領域と第２の領域の印刷適性は、レチクル上の第１の領域と第２の領域の印刷適性である。この実施態様の場合、プロセス・パラメータには、レチクル製造プロセス・パラメータが含まれる。他の実施態様では、第１の領域と第２の領域の印刷適性は、ウェーハ上における第１の領域と第２の領域の印刷適性である。この実施態様の場合、プロセス・パラメータには、レチクル製造プロセス・パラメータと、ウェーハ製造プロセス・パラメータが含まれる。

いくつかの実施態様では、レチクル・レイアウト・データの印刷方法のシミュレーションに、さまざまなプロセス・パラメータによるレチクル・レイアウト・データの印刷方法のシミュレーションを含む。こうした実施態様の場合、１つ以上の異なるシミュレーション・パラメータには、第２の領域の場合より抽出率の高い、第１の領域に関するさまざまなプロセス・パラメータのサンプリングを含む。もう１つの実施態様の場合、１つ以上の異なるシミュレーション・パラメータには、第２の領域よりも多数の、第１の領域のピクセルを含む。

この方法には、シミュレーションに基づいて、レチクル・レイアウト・データによって生じることになる印刷欠陥を検出するステップをも含む。さらに、この方法には、シミュレーションに基づいて、レチクル・レイアウト・データを変更するステップを含むことも可能である。さらに、この方法には、レチクル・レイアウト・データをそっくりそのままシミュレートするステップを含むことも可能である。上述の方法の実施態様のそれぞれには、本明細書に説明の他の任意のステップを含むことが可能である。

さらなる実施態様は、本明細書に説明のコンピュータで実施される方法のどれかを実施するため、コンピュータ・システムで実行可能なプログラム命令を含む搬送媒体に関するものである。さらなる実施態様は、本明細書に説明のコンピュータで実施される方法のどれかを実施するように構成されたシステムに関するものである。このシステムには、本明細書に説明のコンピュータで実施される方法の１つ以上を実施するためのプログラム命令を実行するように構成された、プロセッサを含む。実施態様の１つでは、このシステムは独立形システムである。もう１つの実施態様では、このシステムは、検査システムの一部とするか、または、検査システムに結合することが可能である。異なる実施態様の１つにおいて、このシステムは、欠陥再審査システムの一部とするか、または、欠陥再審査システムに結合させてもよい。さらにもう１つの実施態様では、このシステムは、製造データベースに結合することも可能である。このシステムは、ワイヤ、ケーブル、無線伝送経路、及び／または、ネットワークによって、検査システム、再審査システム、または、製造データベースに結合することが可能である。伝送媒体には、「有線」部分と「無線」部分を含むことが可能である。

本発明のさらなる利点については、望ましい実施態様に関する下記詳細説明のおかげで、また、添付の図面を参照することにより、当該技術者には明らかになるであろう。

本発明は、さまざまな修正及び代替形態を受け入れることができるが、その具体的な実施態様が、例証のため図面に示されており、本明細書において詳述するものとする。図面は、一定の比率ではない。しかし、云うまでもないが、図面及びその詳細な説明は、本発明を開示の特定の形態に制限することを意図したものではなく、逆に、付属の請求項によって定義される本発明の精神と範囲内に含まれる全ての修正形態、均等形態、代替形態を網羅することを意図したものである。

「レチクル」と「マスク」という用語は、本明細書において同義的に用いられている。レチクルには、一般に、その上に不透明層が形成された、ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスのような透明基板が含まれる。レチクルには、接着層のような、不透明材料の下に形成された追加材料を含むことが可能である。さらに、レチクルには、下部反射防止コーティング、レジスト（または「フォトレジスト」）、上部反射防止層のような、不透明材料の上に形成された追加材料を含むことも可能である。不透明領域は、透明基板にエッチングされた領域に置き換えることも可能である。

多種多様なレチクルが当該技術において既知であるが、本明細書において用いられるレチクルという用語は、あらゆるタイプのレチクルを包含することを意図したものである。例えば、レチクルという用語は、制限するわけではないが、明視野レチクル、暗視野レチクル、バイナリ・レチクル、位相シフト・マスク（ＰＳＭ）、交互ＰＳＭ、減衰またはハーフトーンＰＳＭ、ターナリ減衰ＰＳＭを含む、さまざまなタイプのレチクルを表わしている。明視野レチクルは、透明な視野または背景領域を備えており、暗視野レチクルは、不透明な視野または背景領域を備えている。バイナリ・レチクルは、透明または不透明なパターン形成領域を備えるレチクルである。バイナリ・レチクルは、位相シフト・マスク（ＰＳＭ）とは異なるものであり、その１つのタイプには、光の一部だけを透過する薄膜を含むことが可能であり、これらのレチクルは、一般に、ハーフトーンまたは埋め込み位相シフト・レチクルと呼ばれる場合もある。位相シフト材料が、レチクルの交互空きスペースに配置されると、そのレチクルは、交互ＰＳＭ、ＡＬＴＰＳＭ、または、レベンソンＰＳＭとさえ呼ばれる。任意のレイアウト・パターンに塗布される位相シフト材料の１つのタイプは、減衰またはハーフトーンＰＳＭと呼ばれ、これは、不透明材料を部分的に透過性の、または、「ハーフトーン」の薄膜に置き換えることによって作製可能である。ターナリ減衰ＰＳＭは、完全に不透明なフィーチャも含む、減衰ＰＳＭである。

本明細書に説明のレチクルには、浮遊微小粒子や他の形態の汚染物からレチクル表面を密封する光学的に透明な膜である薄膜を含む場合もあれば、含まない場合もある。レチクルという用語は、近接効果補正（ＯＰＣ）フィーチャを含むレチクルを表わすために用いることも可能である。ＯＰＣフィーチャは、光近接効果を低減させることによって、レチクルを利用して印刷される像の歪を減らすように設計されている。「光近接効果」という用語は、一般に、レチクル上における他のフィーチャの近接による印刷フィーチャの横方向寸法または形状の変動を表わしている。こうした効果は、光近接効果による歪を求めて、レチクル上におけるフィーチャを修正し、こうした歪を補正することによって低減させることが可能である。

ＯＰＣと位相シフト・マスク（ＰＳＭ）のような解像度向上技法（ＲＥＴ）は、露光源として用いられる光の波長より小さいデバイス・ウェーハ上にフィーチャを印刷するため、集積回路（ＩＣ）設計にますます適用されるようになっている。これらのＲＥＴは、部分解像度補助フィーチャ（ＳＲＡＦ：sub-resolution assit feature）やセリフを含めて、設計に余分なフィーチャを追加することが必要になり、その結果、フォトマスクまたはレチクル上における設計のレイアウトが極めて複雑になる。ＲＥＴフィーチャがレチクル上に正確に印刷され、ＳＲＡＦが、ウェーハ上に印刷されず、主フィーチャがウェーハ上に正確に印刷されるのを確かめるのは、ますます困難なタスクになっている。さらに、マスク・エラー増大率（ＭＥＥＦ）のような光学的影響によって、ウェーハ・レベルにおいて最終画像にさらなる歪を生じる可能性がある。ＭＥＥＦは、一般に、レジストに印刷されるフィーチャの限界寸法とレチクル上に形成される構造の限界寸法との比と定義することが可能である。

本明細書において用いられる限りにおいて、「ウェーハ」という用語は、一般に、半導体または非半導体材料から形成される基板を表わしている。こうした半導体または非半導体材料の例には、制限するわけではないが、単結晶シリコン、砒化ガリウム、リン化インジウムが含まれる。こうした基板は、一般に、半導体製造施設で見出される場合もあれば、処理される場合もあれば、あるいは、その両方の場合もある。

ウェーハには、基板上に形成された１つ以上の層を含むことがある。例えば、こうした層には、制限するわけではないが、レジスト、誘電体材料、導電材料を含むことが可能である。「レジスト」には、光学リソグラフィ技法、電子ビーム・リソグラフィ技法、または、Ｘ線リソグラフィ技法によってパターン形成可能な任意の材料を含んでもよい。誘電体材料の例には、制限するわけではないが、二酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、窒化チタンを含む。誘電体材料の追加例には、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＢｌａｃｋＤｉａｍｏｎｄ（商標）、カリフォルニア州サンノゼのＮｏｖｅｌｌｕｓＳｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＣＯＲＡＬ（商標）のような「低誘電率」の誘電体材料、「キセロゲル」のような「超低誘電率」の誘電体材料、五酸化タンタルのような「高誘電率」の誘電体材料が含まれる。さらに、導電材料の例には、制限するわけではないが、アルミニウム、ポリシリコン、銅が含まれる。

ウェーハ上に形成される１つ以上の層のパターン形成を行うことが可能である。例えば、ウェーハには、それぞれ、反復可能なパターンフィーチャを備えた複数のダイを含む。こうした材料層の形成と処理によって、最終的には、半導体デバイスを完成させる。従って、ウェーハには、完全な半導体デバイスの全ての層が形成されたわけではない基板、または、完全な半導体デバイスの全ての層が形成された基板が含まれる可能性がある。「半導体デバイス」という用語は、本明細書において、「ＩＣ」と同義的に用いられる。さらに、ウェーハ上には、マイクロマシン（ＭＥＭＳ）デバイス等のような他のデバイスを形成することも可能である。

次に図面を参照すると、図１には、本明細書に説明の実施形態に従って、その１つ以上のステップを実施することが可能な方法の一例が示されている。図１に示すステップは、本方法の実施にとって不可欠なものではないという点に留意されたい。図１に例示の方法については、１つ以上のステップを省略するか、または、追加することが可能であり、その方法は、やはり、本実施形態の範囲内で実施することができる。

図１に示す方法には、一般に、レチクル・レイアウト・データ１０を用いて実施可能なさまざまなステップが例示されている。レチクル・レイアウト・データ１０は、当該技術において既知の任意の方法で生成することが可能である。レチクル・レイアウト・データ１０は、ＩＣのような半導体デバイスを形成するために、ウェーハ上に印刷される構造を定義する。従って、レチクル・レイアウト・データは、ウェーハへの印刷に用いられることになる、レチクルに印刷される構造も定義する。

あたかも完全に本明細書における記述であるかのように、参照することによって組み込まれるＧｌａｓｓｅｒ他に対する米国特許第６，５２９，６２１号明細書、Ｇｌａｓｓｅｒ他に対する米国特許第６，７４８，１０３号明細書に記載のように、レチクル・レイアウト・データの異なる領域は、異なる電気的重要性を備えている。例えば、トランジスタ構造を含むレチクル・レイアウト・データの領域は、電気的に重要とみることが可能であり、一方、相互接続構造を含むレチクル・レイアウト・データの領域は、電気的に重要ではないとみることが可能である。

レチクル・レイアウト・データの異なる領域は、また、異なる印刷適性の特性も備えることになる。例えば、レチクル・レイアウト・データのいくつかの領域には、レチクル・レイアウト・データの他の領域におけるフィーチャに比べて、レチクルへの印刷がより困難なフィーチャが含まれる。図２には、こうした２つの領域の例が示されている。レチクル・レイアウト・データの領域１４におけるフィーチャ１２は、トランジスタ用のゲート構造である。トランジスタの速度は、主としてゲート幅によって決まるので、レチクルで印刷される最小寸法は、通常、ゲート構造の寸法である。従って、フィーチャ１２の寸法は、一般に、テスト構造とすることが可能な領域１８におけるフィーチャ１６、または、相互接続構造のような他のフィーチャといった、レチクルで印刷される他のフィーチャよりも小さくなる。

さらに、トランジスタやＩＣの特性を決定する上におけるゲート構造の重要性のため、レチクル上に印刷されるゲート構造には、ウェーハ上に印刷されるゲート構造の寸法と形状を改善するため、上述のように構成することが可能な、ＳＲＡＦ２０を含むことも可能である。ＳＲＡＦは、ウェーハ上にレチクル・レイアウト・データを印刷するために用いられる、リソグラフィ・システムの解像度未満の寸法を備えるように設計されるので、レチクル上に作製されることになる最小のフィーチャの１つである。従って、ゲート構造、とりわけ、ＳＲＡＦを含むゲート構造は、通常、レチクル・レイアウト・データにおいて最も印刷の困難な構造の１つでもある。ゲート構造は、電気的に重要であり、従って、上述の設計者の意図する方法によって重要であると判定されることになるが、もちろん、電気的に重要なフィーチャの全てが、印刷適性についても重要というわけではなく、その逆もまた同様である。

ＳＲＡＦやＳＲＡＦを含む構造を印刷するのが困難であるため、ＳＲＡＦによって、レチクル上の他の構造よりも多くの印刷欠陥がレチクル上に生じる可能性がある。本明細書において用いられる限りにおいて、「印刷欠陥」という用語は、過剰な面取り、不十分な寸法等のような、レチクル（または、別の状況ではウェーハ）上に印刷された構造の欠陥を表わしている。さらに、ＳＲＡＦ構造の満足のいく印刷が可能な、プロセス・ウィンドウ（またはプロセス・パラメータの範囲）は、ＳＲＡＦを含まない構造を含む、他の構造よりも狭くなる可能性がある。しかし、ＳＲＡＦ構造はウェーハ上に印刷されないが、プロセス・ウィンドウの改善に利用されるので、他の非ＳＲＡＦ構造よりも低い感度で、ＳＲＡＦ構造を検査するのが望ましい可能性がある。さらに、ＳＲＡＦは、検査と製造の両方とも困難であり、従って、検知されない場合を除くと、多くの迷惑な欠陥を生じることになる。

本明細書に説明の方法の実施形態には、レチクル・レイアウト・データにおける異なる印刷適性を備える異なる領域（例えば、第１の領域と第２の領域）を識別するステップが含まれる。例えば領域１４の印刷適性は、上述のように、領域１８の印刷適性よりも、プロセス・パラメータの変化に影響されやすい可能性が最も高くなる。換言すれば、領域１４は、領域１８よりも印刷が不完全になる可能性が高くなる。実施形態によっては、レチクル・レイアウト・データにおける領域の印刷適性が、レチクル上における領域の印刷適性である。こうした実施形態の場合、印刷適性の影響されやすさを決定するプロセス・パラメータには、レチクル製造パラメータが含まれる。他の実施形態は、レチクル・レイアウト・データにおける領域の印刷適性が、ウェーハ上における領域の印刷適性である。これらの実施形態では、印刷適性の影響されやすさを決定するために用いられるプロセス・パラメータには、ウェーハ製造プロセス・パラメータに加えて、レチクル製造プロセス・パラメータが含まれる（ウェーハ印刷適性が、レチクル印刷適性に左右されるので）。従って、電気的重要性に基づき、手動で実施される、レチクル・レイアウト・データにおける異なる領域を形成するための他の方法とは異なり、本明細書に説明の方法を利用すると、レチクル・レイアウト・データにおける重要な印刷適性または重要ではない印刷適性を備える異なる領域を自動的に形成または生成することが可能である。

云うまでもないが、本明細書において用いられる限りにおいて、「第１の」及び「第２の」という用語は、レチクル・レイアウト・データにおける領域のいかなる時間的、空間的、または、順次的特質を示唆することを意図したものではない。そうではなく、「第１の」及び「第２の」という用語は、ただ単に、本明細書に記載のように、印刷適性の影響されやすさが異なる、レチクル・レイアウト・データにおける異なる領域を表すためだけに用いられている。さらに、云うまでもなく、他の任意の適合する用語を用いて、本明細書において定義の、レチクル・レイアウト・データにおける異なる領域を表すことも可能である。

図３には、レチクル・レイアウト・データにおける異なる領域に関する印刷適性の影響されやすさの差の一例が示されている。図３に示すように、レチクル上に印刷される、図２に示す領域１４のような、第１の領域におけるレチクル・レイアウト・データの特性は、プロセス・パラメータの変化の関数として変動する。図３にプロットされた特性には、プロセス・パラメータに応じて測定可能に変化することが分っている、幅、高さ、面取り、または、他の任意の特性といった、問題となる任意の特性を含むことが可能である。こうした図にプロットされる特性によって、プロットの形状が変わる。例えば、図３に示されたプロットは、レチクルに印刷されるフィーチャの高さとすることが可能である。こうして、最も高いフィーチャの高さは、最低量の厚さ損失、収縮を低減するのに最適なプロセス・パラメータであることを表わし、フィーチャの収縮は、プロセス・パラメータが最適プロセス・パラメータから遠ざかるにつれて、増大する。図３に示すグラフは、最大値があり、最大値の両側が対称性を示すように描かれているが、もちろん、このグラフは、レチクル・レイアウト・データの印刷されるフィーチャの特性が、プロセス・パラメータの関数としてどのように変化するかによって決まる、任意の形状を備えることが可能である。

図３に示すグラフのｘ軸に沿ってプロットされるプロセス・パラメータは、照射線量、照射焦点等のような、レチクル・レイアウト・データの印刷フィーチャに変化を生じさせることが分っている、任意のプロセス・パラメータとすることが可能である。さらに、さまざまな特性及び／またはさまざまなプロセス・パラメータについて、レチクル・レイアウト・データに関する２つ以上のこうしたグラフを生成することが可能である。さらに、プロセス・パラメータの関数として、レチクルまたはウェーハ上に印刷される、レチクル・レイアウト・データにおけるフィーチャの特性が変化するのを例示するため、さまざまなグラフを生成することも可能である。明らかに、プロセス・パラメータは、評価されているのが、レチクルの印刷適性であるか、または、ウェーハの印刷適性であるかによって変化する可能性がある。

さらに、図３に示すように、レチクルに印刷される図２に示す領域１８のような第１の領域とは異なる、第２の領域におけるレチクル・レイアウト・データの特性も、プロセス・パラメータの変化の関数として変化する。図３に示す第２の領域の特性は、図３に示す第１の領域の特性と同じなので、グラフを利用して、１つの特性に関する２つの領域間の直接比較を行うことが可能である。図３に示すように、第１の領域と第２の領域の特性は、互いにオフセットしている。このオフセットは、領域が異なれば、特性も異なるように設計されていることによって生じる。しかし、第１の領域と第２の領域は、必ずしも互いにオフセットするとは限らず、第１の領域と第２の領域に関するグラフのいくつかの部分は、互いに重なり合う、及び／または、１つ以上の点で交差する可能性がある。

いずれにせよ、図３に示すグラフに例示のように、レチクル・レイアウト・データの異なる領域は、プロセス・パラメータの変化の関数として、異なる形で、異なる程度に変化する特性を有する。例えば、図３に示すように、両方のグラフとも、矢印２２によって示されるほぼ同じプロセス・パラメータにおいて最小の収縮を示す（レチクル・レイアウト・データの同じ特性に関して最適なプロセス・パラメータは異なる可能性があるが）。さらに、矢印２４によって示すように、プロセス・パラメータが最適なプロセス・パラメータから遠ざかるにつれて、第１の領域の特性は、第２の領域の特性に比べてはるかに急激な変化を示す。従って、第１の領域の印刷適性は、第２の領域の印刷適性よりもプロセス・パラメータの変化に影響されやすい。

結果として、場合によっては、第１の領域のプロセス・ウィンドウは、第２の領域のプロセス・ウィンドウよりも小さくなることもあれば、劇的に小さくなることさえある。例えば、矢印２６によって示すように、その特性に関する許容値を備えた、第２の領域における印刷フィーチャを生じることになるプロセス・パラメータの値を含む、第２の領域のプロセス・ウィンドウは、比較的大きい（例えば、評価されたプロセス・パラメータのほぼ全てを網羅する）。対照的に、矢印２８によって示される第１の領域のプロセス・ウィンドウは、第２の領域のプロセス・ウィンドウよりもかなり小さいが、この場合、プロセス・パラメータの変化の関数として、第１の領域における印刷フィーチャの特性が急激に変化することが直接影響したものである。換言すれば、第１の領域のプロセス・ウィンドウは第２の領域より狭いので、第１の領域の印刷適性のほうが、プロセス・パラメータの変化に影響されやすい。

従って、上述のように、レチクル・レイアウト・データにおけるある領域の印刷適性の影響されやすさは、レチクル・レイアウト・データ自体の特性（例えば、寸法）、及び／または、レチクル・レイアウト・データに関するプロセス・ウィンドウの推定値に基づくことが可能である。しかし、レチクル・レイアウト・データにおけるある領域の印刷適性の影響されやすさは、レチクル・レイアウト・データのＭＥＥＦに基づいて判定することも可能である。例えば、比較的ＭＥＥＦの高いレチクル・レイアウト・データの領域は、比較的ＭＥＥＦの低いレチクル・レイアウト・データの領域に比べて、１つ以上のプロセス・パラメータの変化に対してより影響されやすい。さらに、レチクル・レイアウト・データの領域の影響されやすさは、印刷適性の影響されやすさに関するこれらの指標（例えば、特性、プロセス・ウィンドウ、ＭＥＥＦ）の１つ、または、これらの指標の組み合わせを利用して判定することが可能である。さらに、レチクル・レイアウト・データにおける異なる領域の印刷適性の影響されやすさは、当該技術において既知の他の任意の方法によって判定することが可能である。

図２に示すように、領域１４、１８には、同様の印刷適性を備えたフィーチャがいくつか含まれている。この方法によれば、同様の印刷適性を備えたフィーチャを含むレチクル・レイアウト・データの領域として、個々の領域を定義することが可能である。従って、領域のサイズは、例えば、同様の印刷適性を備える近傍フィーチャの数、それらのフィーチャのサイズ、それらのフィーチャ間の間隔によって大幅に変わる可能性がある。

この方法は、レチクル・レイアウト・データにおいて定義される領域の面積を縮小するか、または、最小化するように構成することが可能である。このように、レチクル・レイアウト・データにおける領域は、「影響されやすさが微小」になるように定義することが可能である。例えば、この方法は、各フィーチャを独立した領域として指定するように構成することが可能である。こうした例の１つでは、レチクル・レイアウト・データにおける領域３０は、レチクル・レイアウト・データにおけるフィーチャ３２の面積とほぼ等しい面積を備えることが可能になる。もう１つの例では、領域をフィーチャの単なる一部として定義することが可能である。こうした例の場合、レチクル・レイアウト・データにおける領域の面積は、レチクル・レイアウト・データにおけるフィーチャの面積より小さくなる可能性がある。さらに、１つのフィーチャは、それぞれ、印刷適性の影響されやすさが異なるか、または、独自の、いくつかの異なる領域から構成することが可能である。

印刷適性の影響されやすさが異なる領域は、異なる処理を施すことが可能である。例えば、本明細書の実施形態で説明のように、印刷適性の影響されやすさが異なる領域は、異なるシミュレーション・パラメータによるシミュレーション、異なる検査パラメータによる検査、及び／または、異なる再審査パラメータによる再審査を施すことが可能である。

すなわち、この方法には、図１のステップ３４で示すように、レチクル・レイアウト・データがどのように印刷されるかをシミュレートするステップを含むことが可能である。レチクル・レイアウト・データがレチクル上にどのように印刷されるかを決定するためにこのシミュレーションを実施することができる。従って、レチクル製造プロセスを記述したモデルを用いて、レチクル・レイアウト・データがどのように印刷されるかをシミュレートすることが可能である。さらに、または、代わりに、レチクル・レイアウト・データがウェーハ上にどのように印刷されるかを決定するために、このシミュレーションを実施することもできる。従って、レチクル製造プロセスを記述したモデルとウェーハ製造プロセスを記述したモデル（レジスト・モデルを含む）を利用して、どのようにレチクル・レイアウト・データが印刷されるかをシミュレートすることが可能である。

実施形態の１つによれば、印刷適性の異なるレチクル・レイアウト・データの領域のシミュレーションは、異なるシミュレーション・パラメータによってシミュレートすることができる。印刷適性がより影響を受けやすい領域は、印刷適性が影響を受けにくい他の領域より忠実度の高いシミュレーションを可能にするシミュレーション・パラメータによってシミュレートされるのが望ましい。シミュレーションの忠実度は、いくつかのやり方で、レチクル・レイアウト・データの領域毎に調整することができる。例えば、忠実度は、シミュレーションに用いられるピクセル数を増すことによって高めることが可能である。忠実度は、ピクセル数を変化させて、低下させることも可能である。こうして、第２の領域よりも印刷適性が影響されやすい第１の領域のシミュレーションに関するシミュレーション・パラメータには、より多数のピクセルを含むことになる。さらに、シミュレーションは、領域内のフィーチャが、異なるプロセス・パラメータで、または、あるプロセス・パラメータ範囲でどのように印刷されるかを推定するため、さまざまなプロセス・パラメータ（例えば、レチクル製造パラメータ及び／またはウェーハ製造パラメータ）で実施される。従って、シミュレーションの忠実度を高めるためのもう１つの方法は、レチクル・レイアウト・データの印刷適性が影響されやすい領域に関するさまざまなプロセス・パラメータについて、印刷適性が影響を受けにくい他の領域の場合よりも抽出率の高いサンプリングを利用することである。シミュレーションの忠実度は、当該技術において既知の他の任意のやり方で変えることが可能である。

図４には、レチクル・レイアウト・データの異なる領域に関するシミュレーション・パラメータの割り当てと記憶に利用可能なデータベース構造の一例が示されている。さらに、図４には、レチクル・レイアウト・データのシミュレーションに関するパラメータを表わすために利用可能なデータ構造の内容が例示されている。データベース構造３６は、図示のように、レチクル・レイアウト・データの領域４０に割り当てられたシミュレーション・パラメータ３８を含んでいる。データベース構造３６には、２つの領域だけしか示されていないが、もちろん、こうしたデータベース構造には、レチクル・レイアウト・データにおける３つ以上の領域または全ての領域に関するシミュレーション・パラメータを含むことが可能である。

図４に示す第１の領域と第２の領域は、この例の場合、図２に示す第１の領域と第２の領域に対応する。従って、第１の領域は、第２の領域よりも印刷適性が影響されやすい。図４に示すように、領域のそれぞれに割り当てられるシミュレーション・パラメータは、異ならせることができるので、異なる領域を異なる忠実度でシミュレートすることが可能である。すなわち、第１の領域には、第１の領域を比較的高い忠実度でシミュレートできるようなシミュレーション・パラメータを割り当てることが可能である。シミュレーションの忠実度は、上述のように変えることが可能である。さらに、図４に示すように、異なる領域に割り当てられるシミュレーションの忠実度は、データベース構造のシミュレーション・パラメータ・カラムに示すことが可能であり、各異なる忠実度に対して用いられる実際のシミュレーション・パラメータ（例えば、ピクセル数）は、別のデータベース構造（不図示）において規定することが可能である。代わりに、データベース構造３６には、忠実度が高いシミュレーション、低いシミュレーション、あるいは、その他のシミュレーションを決める個々のパラメータを含むことが可能である。さらに、図４に示すように、第２の領域には、第２の領域を比較的低い忠実度でシミュレートできるようなシミュレーション・パラメータを割り当てることが可能である。異なる領域に実施されるシミュレーションにおけるその他の相違は、データベース構造３６に含むこともできるし、あるいは、異なる独立したデータベース構造（不図示）に含むことも可能である。

ステップ３４において、１つのレチクルに関するレチクル・レイアウト・データの全て（すなわち、レチクル・レイアウト・データ全体）がどのように印刷されるかをシミュレートするのが望ましい場合もある。明らかに、こうしたシミュレーションには、かなりの計算資源と時間が必要になり、こうしたシミュレーションの計算負荷が重い負担になる可能性がある。しかし、こうしたシミュレーションの指示に、上述のように印刷適性がクリティカルなフィーチャ領域を利用すると、はるかに効率よく計算を進めることが可能になる。すなわち、レチクル・レイアウト・データの全てを構成する各領域の印刷適性の影響されやすさは、上述のように判定することが可能であり、また、シミュレーションの忠実度は、上述のように、レチクル・レイアウト・データの領域毎に変更することが可能であり、従って、印刷適性が影響されやすい領域は、影響を受けにくい領域よりも高い忠実度でシミュレートされることになるので、シミュレーション結果の有用性または有意味性を低下させることなく、シミュレーションに必要な計算資源と時間が大幅に節減される。

ステップ３４のシミュレーションは、ステップ４４に示すレチクル・レイアウト・データの検査に利用することも可能である。レチクル・レイアウト・データの検査には、レチクル・レイアウト・データの異なる領域によって生じるであろう印刷欠陥の検出が含まれる。例えば、この方法には、シミュレーションに基づいて、レチクル・レイアウト・データによって生じることになる印刷欠陥を検出するステップを含むことが可能である。さらに、レチクル・レイアウト・データの検査には、レチクル・レイアウト・データにおけるどのフィーチャが、レチクル上に印刷欠陥を生じることになるかを判定するステップを含む。例えば、この検査には、レチクル・レイアウト・データのフィーチャのシミュレーション結果とＩＣ設計者またはＩＣメーカによって定められたフィーチャに関する規格との比較が必要になる。こうした例の１つにおいて、シミュレートされたフィーチャの寸法と、ＩＣ設計者がレチクルに印刷されるフィーチャについて指定した寸法範囲を比較することが可能である。

検査には、設計規則検査のようなレチクルの印刷欠陥を確かめるための任意の他の方法が必要になる可能性もある。もう１つの例の場合、シミュレートされたレチクル・レイアウト・データは、あたかも完全に本明細書における記述であるかのように、参照により組み込まれる、２００３年１０月６日に、Ｓｔｏｋｏｗｓｋｉ他によって提出された、共同所有の同時係属米国特許出願第１０／６７９，８５７号明細書に記載のような、エアリアル・センサから得られるデータを比較することが可能である。あるいはまた、シミュレートされたレチクル・レイアウト・データは、あたかも完全に本明細書における記述であるかのように、参照により組み込まれる、Ｙｅ他の米国特許第６，８０３，５５４号明細書、Ｙｅ他の米国特許第６，８０７，５０３号明細書、Ｙｅ他による米国特許出願公開第２００３／０２２６９５１号明細書に記載のタイプのエアリアル・イメージ・センサから得られるデータを比較することが可能である。

さらに、検査は、レチクル上の異なる領域について異なるように実施することができる。例えば、印刷適性が比較的影響を受けやすいレチクル上の領域の場合、レチクル・レイアウト・データにおける欠陥の識別に用いられるしきい値は、印刷適性が比較的影響を受けにくいレチクル上の領域よりも低い（または、目標値により近い）値に設定することが可能である。換言すれば、フィーチャの変動に関する許容度の低い、印刷適性が影響されやすい領域において、印刷欠陥を検出することが可能である。同様に、フィーチャの変動に関する許容度の高い、印刷適性が影響を受けにくい領域において、印刷欠陥を検出することも可能である。こうして、検査は、各領域の印刷適性の影響されやすさに基づいて、レチクルの各領域毎に１つ以上の検査パラメータを変えるやり方で実施することができる。すなわち、その印刷適性が、レチクル・レイアウト・データにおける他の領域よりもプロセス・パラメータの変化に影響されやすい領域は、他の領域より高い感度で検査することが可能である。結果として、このレチクル・レイアウト・データの検査によれば、ユーザにとって重要になるレチクル・レイアウト・データの欠陥を検出することが可能になる。

ステップ４２に示すように、この方法には、検査プロセスを生成するステップを含むことが可能である。検査プロセスは、レチクル・レイアウト・データに基づいて生成することが可能である。すなわち、検査プロセスは、レチクル・レイアウト・データにおける異なる領域の印刷適性に基づいて生成することが可能である。例えば、レチクル・レイアウト・データの検査プロセスを生成するためのコンピュータによって実施される方法には、上述のレチクル・レイアウト・データにおける異なる領域を識別するステップと、異なる領域に１つ以上の検査パラメータを割り当てるステップが含まれる。すなわち、検査パラメータは、異なる領域が異なる感度で検査されるように割り当てることが可能である。例えば、検査パラメータは、上述の第１の領域が、プロセス中、第２の領域よりも高い感度で検査されるように割り当てることが可能である。異なる領域には、上述のしきい値、または、当該技術において既知の変更可能な他の任意の検査パラメータといった、異なるパラメータを割り当てることが可能である。次に、ステップ４４では、ステップ４２において生成される検査プロセスを利用して、レチクル・レイアウト・データの検査を行うことが可能である。

検査プロセスの生成には、図５に示すようなデータベース構造の生成を含む。図５には、レチクル・レイアウト・データの異なる領域に関する検査パラメータの割り当てと記憶に用いることが可能な、データベース構造の一例が示されている。さらに、図５には、レチクル・レイアウト・データの検査に関するパラメータを表わすために利用可能な、データベース構造の内容が例示されている。データベース構造４６には、図示のように、レチクル・レイアウト・データの領域５０に割り当てられる検査パラメータ４８が含まれている。データベース構造４６には、２つの領域だけしか示されていないが、もちろん、こうしたデータベース構造には、レチクル・レイアウト・データにおける３つ以上または全ての領域に関するシミュレーション・パラメータを含むことが可能である。

図５に示す第１の領域と第２の領域は、この例の場合、図２に示す第１の領域と第２の領域に対応する。図５に示すように、領域のそれぞれに割り当てられる検査パラメータは、異ならせることができるので、異なる領域を異なる感度で検査することが可能である。すなわち、第１の領域には、第１の領域を比較的高い感度で検査できるような検査パラメータを割り当てることが可能である。検査の感度は、上述のように変えることが可能である。例えば、図５に示すように、異なるアルゴリズム（例えば、高感度アルゴリズムまたは低感度アルゴリズム）を用いて、感度を変えることが可能である。検査プロセスの感度は、他の方法（例えば、レチクル検査データにおける欠陥の検出に用いられるしきい値の変更）によって変えることも可能である。さらに、図５に示すように、特定の感度に用いられる検査パラメータ（例えば、特定のアルゴリズム等）は、検査パラメータ・カラムにおいて規定することが可能である。あるいはまた、検査パラメータは、データベース構造の検査パラメータ・カラムに示すことが可能であり、これらのパラメータは、異なるデータベース構造において示すことが可能である。さらに図５に示すように、第２の領域には、第２の領域を比較的低い感度で検査できるような検査パラメータを割り当てることが可能である。各領域毎に実施される検査におけるその他の相違は、データベース構造４６に含むこともできるし、あるいは、異なる独立したデータベース構造（不図示）に含むことも可能である。

レチクル・レイアウト・データの検査は、レチクル・レイアウト・データによるレチクルの製造前に実施するのが望ましい。このようにして、レチクルの製造前に、レチクル・レイアウトを修正することが可能であるが、時間もかかるし、コストも高くつく。例えば、図１に示すように、この方法には、ステップ５２に示す、レチクル・レイアウト・データの変更を含むことも可能である。レチクル・レイアウト・データの変更は、シミュレーション結果及び／または検査結果に基づくことが可能である。レチクル・レイアウト・データの変更を実施して、レチクル・レイアウト・データをレチクルに印刷した場合に、レチクル上に形成されることになる印刷欠陥数を減少させるのが望ましい。さらに、レチクル・レイアウト・データの変更には、レチクル・レイアウト・データにおける１つ以上のフィーチャを変更して、レチクル・レイアウト・データの印刷適性の影響されやすさを軽減するステップが必要になる可能性がある。例えば、レチクル・レイアウト・データにおけるフィーチャのＳＲＡＦに関する１つ以上の特性を変更して、許容可能範囲内で、及び／または、より広いプロセス・パラメータ範囲にわたって、レチクルにフィーチャを印刷できるようにすることが可能であり、それによって、フィーチャの印刷適性が高められる。レチクル・レイアウト・データの変更後、上述のように、変更されたレチクル・レイアウト・データのシミュレーション、変更されたレチクル・レイアウト・データに関する検査プロセスの生成、変更されたレチクル・レイアウト・データの検査を再度実施することができる。

この方法には、ステップ５４に示すように、レチクル・レイアウト・データの再審査を含むことも可能である。レチクル・レイアウト・データの再審査には、ステップ４４において実施される検査によって確認される印刷欠陥を生じるであろう、レチクル・レイアウト・データにおけるフィーチャまたは領域の再審査を含むことが可能である。レチクル・レイアウト・データの再審査には、ユーザが欠陥部分に関する判断を下すことができるように、レチクル・レイアウト・データの欠陥部分に関する各種情報をユーザに表示するステップが必要になる可能性がある。こうして、再審査には、手動再審査が必要になる可能性がある。ユーザに表示される情報には、シミュレーション結果、検査結果、実際のレチクル・レイアウト・データ、または、入手可能であって、レチクル・レイアウト・データの欠陥部分に関するユーザの理解を助けることになる、レチクル・レイアウト・データに関する任意の他の情報を含むことが可能である。ユーザは、欠陥部分を無視する（すなわち、欠陥部分が許容可能であることを示唆する）、欠陥部分を変更するように指示する（例えば、その部分を許容可能にする）、欠陥部分の追加シミュレーションを実施するように指示する等といった、欠陥部分に関する判断を下すことが可能である。

代替案として、この方法には、欠陥部分に関して同様の判断を下すことが可能な、レチクル・レイアウト・データの自動再審査またはレチクル・レイアウト・データの半自動再審査を含むこともできる。再審査結果を利用して、上述のように実施することが可能な、レチクル・レイアウト・データの変更を行うことも可能である。さらに、再審査結果を利用して、生成された検査プロセス、または、検査プロセスの生成方法を変更することもできる（例えば、より正確な、または、より高感度の検査プロセスが得られるように）。

本明細書に説明の方法には、実施形態によっては、レチクル・レイアウト・データの再審査プロセスを生成するステップ（不図示）を含むことも可能である。再審査プロセスの生成には、上述の第１の領域と第２の領域に対して１つ以上の再審査パラメータを割り当て、第１の領域が、再審査プロセス中、第２の領域より高い感度で再審査されるようにするステップを含む。再審査プロセスの生成には、図６に示すようなデータベース構造の生成を含むことも可能である。図６には、レチクル・レイアウト・データの異なる領域に関する再審査パラメータの割り当てと記憶に用いることが可能な、データベース構造の一例が示されている。さらに、図６には、レチクル・レイアウト・データの再審査パラメータを表わすために利用可能な、データベース構造の内容が例示されている。データベース構造５６には、図示のように、レチクル・レイアウト・データの領域６０に割り当てられる再審査パラメータ５８が含まれている。データベース構造５６には、２つの領域だけしか示されていないが、もちろん、こうしたデータベース構造には、レチクル・レイアウト・データにおける３つ以上または全ての領域に関する再審査パラメータを含むことが可能である。

図６に示す第１の領域と第２の領域は、この例の場合、図２に示す第１の領域と第２の領域に対応する。図６に示すように、領域のそれぞれに割り当てられる再審査パラメータは、異ならせることができるので、異なる領域を異なる倍率または他の再審査パラメータで再審査することが可能である。すなわち、この例の場合、第１の領域には、第１の領域を高い倍率で再審査できるような再審査パラメータを割り当てることが可能である。再審査の倍率は、例えば、光学再審査ツールの１つ以上のパラメータを変更することによって、変えることが可能である。倍率は、レチクル・レイアウト・データの領域の再審査に用いられる再審査ツールを変更することによって（例えば、光学再審査ツールから電子ビーム再審査ツールに）変えることも可能である。さらに、図６に示すように、再審査の感度または倍率は、データベース構造の再審査パラメータ・カラムに示すことが可能であり、特定の再審査に用いられることになる実際の再審査パラメータは、異なるデータベース構造（不図示）において規定することが可能である。代わりに、データベース構造５６に、高感度または低感度の再審査を決める個々のパラメータを含むことも可能である。さらに図６に示すように、第２の領域には、第２の領域を低い倍率で検査できるような再審査パラメータを割り当てるか、または、第２の領域を全く再審査しないような再審査パラメータを割り当てることが可能である。各領域毎に実施される再審査におけるその他の相違は、データベース構造５６に含むこともできるし、あるいは、異なる独立したデータベース構造（不図示）に含むことも可能である。

上述のように、従って、この方法には、レチクルに許容可能に印刷されるレチクル・レイアウト・データを生成するため、対話式に実施可能ないくつかのステップが必要になる可能性がある。同様に、上述のステップを実施して、レチクル・レイアウト・データがウェーハに印刷される方法を決定することも可能である。例えば、上述のシミュレーション・ステップは、シミュレーションに、レチクル製造モデルだけではなく、ウェーハ印刷モデルも（リソグラフィ・プロセス・モデルとレジスト・モデルのようないくつかのモデルを含むことが可能である）利用されるように変更することが可能である。上述の他のステップも同様に変更することが可能である。こうして、レチクル・レイアウト・データによってウェーハ上に生じる印刷欠陥を確認することができ、ウェーハに印刷される印刷欠陥の数を減少させるように、レチクル・レイアウト・データを変更することが可能になる。

レチクル・レイアウト・データ（変更されているか、いないかはともかく）が、許容可能に印刷される（レチクル及び／またはウェーハ上に）と判定されると、ステップ６２に示すように、レチクル・レイアウト・データによってレチクルを製造することが可能である。レチクルの製造プロセスは、ウェーハ・パターン形成プロセスと同様である。例えば、レチクル製造の目的は、一般に、ガラスのようなほぼ透明な基板上に比較的薄いクロム層のような不透明材料によるパターンを形成することにある。さらに、レチクル製造に利用可能な他の適合する不透明材料には、制限するわけではないが、クロム、酸化クロム、窒化クロム、モリブデン／シリコンが含まれる。クロム層に適した厚さは、約１０００Åとすることが可能であり、スパッタリングによってガラス基板に堆積させることが可能である。レチクル製造に利用可能な適合する他の透明材料には、寸法、露光装置の波長に関する透過特性が比較的安定した、ホウケイ酸ガラスまたは石英ガラス（ＳｉＯ₂、「水晶」）が含まれる。レチクル製造には、それ以外の材料を利用することも可能である。例えば、不透明材料の下にある薄膜は、接着層の働きをする。こうした接着層には、例えば、クロム、窒素、酸化物の混合物を含むことが可能である。さらに、不透明材料の上に形成される薄膜は、反射防止層の働きをすることが可能である。適合する反射防止層は、例えば、比較的薄い酸化クロム（ＣｒＯ₃）層から形成することが可能である。

レチクル製造には、パターン生成のような、いくつかの異なるステップを含む。あるいはまた、レチクルを、レーザまたは電子ビームによる直接描画露光によって作製することができる。レーザ露光は標準的な光レジストの利用を可能にし、電子ビームによる直接描画露光よりも速い。さらに、レーザ・システムのほうが、購入や動作コストが低くなる。直接描画レーザ光源は、音響光学変調器（ＡＯＭ）によってオン／オフされる。市販の直接描画レーザ・システムの一例には、カリフォルニア州ヘーワードのＥＴＥＣＳｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＡＬＴＡ３０００（登録商標）レーザ描画システムがある。複雑なレチクルの製造には、レーザ・システムより微細な線の解像度が得られるので、電子ビーム直接描画システムがよく用いられる。さらに、電子ビーム直接描画システムは、レーザ・システムより大きいダイ・サイズの描画も可能である。市販の電子ビーム直接描画システムの例には、ＥＴＥＣＳｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＭＥＢＥＳ４５００及び５０００システムが含まれる。レチクル製造には、レチクル上のレジストから下にある材料（例えば、不透明材料または透明材料）にパターンを転写するエッチングのようなステップを含むこともある。

レチクルの作製に用いられる実際のプロセス・パラメータに関係なく、レチクル作製結果は、ステップ６４に示すように、レチクルに印刷されたレチクル・レイアウト・データである。次に、レチクルを利用して、パターン形成されたウェーハを形成する前に、レチクルに対していくつかのステップを施すことが可能である。例えば、ステップ６６に示すように、この方法には、レチクル上に印刷されたレチクル・レイアウト・データの検査を含むことが可能である。ステップ４４で実施される検査とは異なり、この検査は、実際の作製されたレチクルに実施された測定結果を利用して実施することができる。例えば、ステップ６６において、レチクルの検査は、光学的に、あるいは、電子ビーム・ベースのツールによって実施することができる。

ステップ４４においてレチクル・レイアウト・データに対して実施される検査と同様、ステップ６６においてレチクル・レイアウト・データに対して実施される検査は、レチクル上の領域毎に変更される１つ以上の検査パラメータを備えることが可能である。例えば、上述のように判定することが可能な、レチクル上における異なる領域の印刷適性の影響されやすさに基づいて、レチクル検査の１つ以上のパラメータをレチクル全体にわたって変更することが可能である。ステップ６６において変更される１つ以上の検査パラメータには、レチクル上における欠陥の検出感度を変えることが可能な、任意の検査パラメータ（例えば、しきい値）を含むことが可能である。さらに、レチクル上で実施される検査には、レチクル上における印刷欠陥、レチクル上における非印刷欠陥（例えば、粒子汚染、スクラッチ等）の検出が必要とされる可能性がある。

この方法には、ステップ６８に示すように、レチクルに印刷されたレチクル・レイアウト・データの再審査が含まれる。印刷されたレチクル・レイアウト・データの再審査は、上述のように実施することができる（例えば、手動、自動、または、半自動で）。さらに、再審査プロセスの１つ以上のパラメータは、上述のように、レチクル・レイアウト・データの異なる領域の印刷適性の影響されやすさに基づいて変更することができる。しかし、上述の方法とは異なり、ステップ６８で実施される再審査は、レチクルに実際に印刷されたレチクル・レイアウト・データの再審査である。従って、印刷されたレチクル・レイアウト・データの再審査には、印刷されたレチクル・レイアウト・データに関する追加情報の収集を含む。例えば、レチクルに印刷されたレチクル・レイアウト・データは、レチクル再審査ツールを用いて検査する。レチクル再審査ツールは、高倍率の光学ツール及び／または電子ビーム・ツールとすることが可能である。レチクル再審査ツールは、一般に、ステップ６６においてレチクル上で検出された欠陥に関する追加情報またはより詳細な情報を生成するように構成することが可能である。

印刷されたレチクル・レイアウト・データの検査と再審査の結果を利用して、レチクルのさらなる処理を決定することが可能である。例えば、印刷欠陥が、比較的印刷適性が影響されやすいレチクル領域において検出された場合、これらの印刷欠陥は、修理すべきであると決定する。レチクルの欠陥修理処理は、例えば、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）集束ツールまたは当該技術において既知の任意の他の適合する修理ツールを用いて実施することができる。さらに、レチクル上の個々の欠陥は、１つずつ、または、まとめて修理する（例えば、複数欠陥を同時に修理する）ことも可能である。レチクルを洗浄すべきか否かを決定することも可能である。レチクル上において粒子状欠陥のような比較的多数の欠陥が見つかる場合には、洗浄を実施する。さらに、検査と再審査の結果に基づいて、レチクルを再加工する（例えば、より良い結果が得られることを期待して、再処理を行って、１つ以上のプロセス・ステップの結果を除去し、これらのプロセス・ステップを繰り返す）ことができるか否か、あるいは、レチクルを廃棄する（すなわち、処分する）か否かを決定する。

印刷されたレチクル・レイアウト・データが検査と再審査に合格すると、ステップ７０に示すように、レチクルによって、ウェーハを製造することが可能になる。一般に、ウェーハの製造には、レチクルを利用して、ウェーハにパターン形成する前に、１つ以上のステップを（または、多くのステップさえ）含むことが可能である。しかし、レチクルによるウェーハの製造には、一般に、ウェーハ上にレジストが形成され、ウェーハ上に印刷されるパターンが、レチクルを介して、レジストに光を投射し、その後、レジストに処理を施すことによって（通常、化学溶液にさらすことによって）レジストに転写される、リソグラフィ・プロセスが必要になる。レチクル上のパターンは、代わりに、非光学的方法によって（例えば、ｘ線リソグラフィの場合、ｘ線を利用して）レジストに転写することが可能である。

リソグラフィ・プロセスの１つ以上のパラメータ（光学的及び／または非光学的パラメータ）は、レチクル上における異なる領域の印刷適性の影響されやすさに従って変更することが可能である。例えば、上述のように判定された、レチクル・レイアウト・データの領域毎の影響されやすさに基づいて、ウェーハ上の領域毎に、リソグラフィ・プロセスの１つ以上のパラメータ（例えば、露光量及び／または線量）を変更することが可能である。リソグラフィ・プロセスの１つ以上のパラメータを変更することによって、ウェーハに対する印刷適性が影響されやすい領域の印刷精度が向上するのが理想的である。従って、この方法には、レチクル上における異なる領域の印刷適性の影響されやすさに基づいて、ウェーハ（不図示）の製造に利用されるリソグラフィ・プロセスを生成するステップを含むことが可能である。さらに、ウェーハに対して実施される他のパターン形成プロセス（例えば、エッチング）のパラメータも、異なる領域の印刷適性の影響されやすさに基づいて、領域毎に変更することが可能である。レチクル製造のパラメータも、同様のやり方で、領域毎に変更することが可能である。

ステップ７２に示すように、レチクルによるウェーハ製造の結果は、ウェーハ上に印刷されたレチクル・レイアウト・データということになる。ウェーハに対して追加ウェーハ製造プロセスを実施する前に、ウェーハに対していくつかのプロセスを実施する。例えば、ステップ７４に示すように、この方法には、ウェーハに印刷されたレチクル・レイアウト・データを検査するステップを含む。ウェーハに印刷されたレチクル・レイアウト・データは、当該技術において既知の任意の方法（光学、非光学、電子ビーム、散乱測定、偏光解析、反射率測定等）を用いて検査することが可能である。ウェーハ検査の１つ以上のパラメータは、ウェーハ上における異なる領域の影響されやすさに基づいて領域毎に変更することが可能である。ウェーハ上における異なる領域の影響されやすさは、上述のように、ウェーハ上における領域に対応する、レチクル・レイアウト・データの異なる領域の影響されやすさに基づいて判定することができる。変更されるウェーハ検査プロセスの１つ以上のパラメータには、ウェーハ検査の感度を変えることが可能な任意のパラメータ（例えば、しきい値）を含む。この方法には、ウェーハの異なる領域に異なる検査パラメータを割り当てる、ウェーハ検査プロセスの生成を含む。

ステップ７６に示すように、この方法には、ウェーハに印刷されたレチクル・レイアウト・データの再審査を含むことも可能である。ウェーハに印刷されたレチクル・レイアウト・データの再審査は、上述のように（例えば、手動、自動、または、半自動で）実施することができる。さらに、ウェーハ再審査プロセスの１つ以上のパラメータは、上述のレチクル・レイアウト・データの異なる領域の印刷適性の影響されやすさに基づいて変更することが可能である。しかし、上述の方法とは異なり、ステップ７６において実施される再審査は、ウェーハに実際に印刷されたレチクル・レイアウト・データの再審査である。従って、印刷されたレチクル・レイアウト・データの再審査には、ウェーハに印刷されたレチクル・レイアウト・データに関する追加情報の収集を含む。例えば、ウェーハに印刷されたレチクル・レイアウト・データは、ウェーハ再審査ツールを用いて検査する。ウェーハ再審査ツールは、高倍率の光学ツール、電子ビーム・ツール、または、当該技術において既知の任意の他の適合するツールである。ウェーハ再審査ツールは、一般に、ステップ７４において、ウェーハ上で検出された欠陥に関する追加情報またはより詳細な情報を生成するように構成される。

図１に示す方法には、本明細書に説明の他の任意のステップを含むことも可能である。さらに、図１に示す方法には、ウェーハ上におけるデバイスの製造を完了し、製造されたデバイスに対する電気的試験を実施するといった、当該技術において既知の他の任意のステップを含むことも可能である。

本明細書に説明のような方法を実施するプログラム命令は、搬送媒体を介して伝達するか、または、搬送媒体に記憶することが可能である。搬送媒体は、ワイヤ、ケーブル、または、無線伝送リンク、または、こうしたワイヤ、ケーブル、または、リンクに沿って進行する信号のような伝送媒体とすることが可能である。搬送媒体は、読み取り専用メモリ、ランダム・アクセス・メモリ、磁気または光ディスク、または、磁気テープのような記憶媒体とすることも可能である。

コンピュータ・システムは、パーソナル・コンピュータ・システム、メインフレーム・コンピュータ・システム、ワークステーション、ネットワーク機器、インターネット機器、携帯端末（「ＰＤＡ」）、テレビジョン・システム、または、他の装置を含む、さまざまな形態をとることが可能である。一般に、コンピュータ・システムという用語は、記憶媒体からの命令を実行する、１つ以上のプロセッサを備えた任意の装置を包含するように広義に定義することが可能である。

プログラム命令は、とりわけ、手順ベース技法、コンポーネント・ベース技法、及び／または、オブジェクト指向技法を含む、さまざまな方法の任意の１つで実施することができる。例えば、プログラム命令は、ＡｃｔｉｖｅＸコントロール、Ｃ＋＋オブジェクト、Ｊａｖａ（登録商標）Ｂｅａｎｓ、ＭｉｃｒｏｓｏｆｔＦｏｕｎｄａｔｉｏｎＣｌａｓｓ（「ＭＦＣ」）、または、他の所望のテクノロジまたは技法を用いて実施することができる。

図７には、本明細書に説明の方法の１つ以上のステップを実施するために利用可能なシステムの実施形態の１つが例示されている。このシステムには、コンピュータ・システムが含まれている。コンピュータ・システムには、プロセッサ７８が含まれている。プロセッサには、当該技術において既知の適合する任意のプロセッサを含む。例えば、プロセッサは、イメージ・コンピュータまたはパラレル・プロセッサとすることが可能である。このシステムには、２つ以上のプロセッサ（不図示）を含むことも可能である。このシステムには搬送媒体８０も含まれる。搬送媒体は、上述のように構成することが可能である。例えば、搬送媒体８０には、プロセッサ７８で実行されるプログラム命令８２も含まれている。プログラム命令は、上述の方法の実施形態の任意の１つを実施するために実行可能である。プログラム命令は、さらに、上述のように構成することが可能である。

実施形態によっては、システムには、レチクル検査及び／または計測ツール８４を含むこともある。レチクル検査及び／または計測ツール８４は、レチクル８６上の欠陥（不図示）を検出し、かつ、１つのレチクル８６に形成されたフィーチャ（不図示）の１つ以上の特性を計測するか、または、そのいずれかを行うように構成される。レチクル検査及び／または計測ツール８４は、プロセッサ７８に結合される。例えば、伝送媒体（不図示）によって、ツール８４の１つ以上のコンポーネントをプロセッサ７８に結合させることが可能である。伝送媒体には、「有線」部分及び「無線」部分を含むことが可能である。もう１つの例では、ツール８４の検出器８８は、出力９０を発生するように構成される。出力は、伝送媒体によって、検出器８８からプロセッサ７８に伝送される。さらに、ツール８４の検出器９２は、出力９４を発生するように構成され、その出力が、伝送媒体を介して、検出器９２からプロセッサ７８に伝送される。実施形態によっては、出力９０、９４を、検出器とプロセッサの間に結合された１つ以上の電子コンポーネントを介して伝送することも可能である。従って、出力９０、９４は、ツール８４からプロセッサに伝送される。出力９０、９４には、例えば、検査データ及び／または計測データが含まれる。出力９０及び／または９４を用いて、本明細書に説明のコンピュータで実施される方法の１つ以上を実施するため、プロセッサにおいてプログラム命令８２を実行可能である。

レチクル検査及び／または計測ツール８４には、検査及び／または計測中、レチクル８６を配置することが可能なステージ９６が含まれている。ステージには、当該技術において既知の任意の適合する機械的アセンブリまたはロボット・アセンブリを含むことが可能である。レチクル検査及び／または計測ツール８４には、光源９８も含まれている。光源９８には、当該技術において既知の任意の適合する光源を含むことが可能である。さらに、ツールには、レチクル８６の上面に対してほぼ垂直な角度で、光源９８からの光をレチクル８６に送るように構成されたビーム・スプリッタ１００を含む。ビーム・スプリッタには、当該技術において既知の任意の適合するビーム・スプリッタを含む。あるいはまた、光源は、レチクル８６の表面に対してある傾斜した照射角で光が送られるように構成させることも可能である。検出器８８は、レチクル８６の上面から反射され、ビーム・スプリッタ１００によって透過された光を検出するように構成されている。検出器８８は、出力９０を発生するようにも構成される。検出器９２は、レチクル８６によって透過された光を検出するように構成されている。検出器９２は出力９４を発生する。こうして、ツール８４を、反射及び／または透過光を利用して、レチクル上の欠陥を検出するように構成することが可能である。検出器には、当該技術において既知の任意の適合する検出器を含む。

図７には、レチクル検査及び／または計測ツールの一般的な構成の１つが示されているが、もちろん、このツールは、当該技術において既知の任意の適合する構成とすることが可能である。例えば、このツールには、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから市販されている８２５０、８２５０Ｒ、または、８４５０ツールの１つを含む。さらに、このツールは、光学イメージング・システム、偏光解析器ベース・システム、スキャッタメータ・ベース・システム、または、ＣＤＳＥＭのような電子ビーム・システムといった、さまざまな構成とすることが可能である。さらに、ツール８４は、ウェーハ検査ツール、レチクル再審査ツール、ウェーハ再審査ツール等のような異なるツールに置き換えることが可能である。プロセッサは、２つ以上のこうしたツールに結合することも可能である。

さらに、図７には、レチクル検査及び／または計測ツールに結合されたコンピュータ・システムのプロセッサが示されているが、もちろん、別の実施形態では、コンピュータ・システムを、独立形ツールとして構成することが可能である。例えば、コンピュータ・システムには、特に本明細書に説明の方法の１つ以上を実施するように設計された（オプションにより専用の）１つ以上のコンポーネントを含むことが可能である。コンピュータ・システムは、レチクル・レイアウト・データがレチクル及び／またはウェーハ上にいかにして印刷されるかをシミュレートするための方法といった、本明細書に説明の任意の他の方法を実施するように構成することも可能である。さらに、コンピュータ・システムは、製造データベースに結合して、製造データベースと情報の送受信を実施できるようにすることが可能である。

当該技術者には、本説明を勘案すれば、本発明のさまざまな態様のさらなる修正及び代替実施形態が明らかになるであろう。例えば、レチクル・レイアウト・データをシミュレートする方法、レチクル・レイアウト・データを検査する方法、レチクル・レイアウト・データを検査するためのプロセスを生成する方法が得られる。従って、この説明は、単なる例とみられるべきであり、当該技術者に本発明の一般的な実施方法を教示するためのものである。もちろん、本明細書で示され、説明されている本発明の形態は、現在のところ望ましい実施形態とみるべきである。要素や材料は、本発明に例示され、説明されているものと置き換えることが可能であり、部品やプロセスは、入替えることが可能であり、本発明のいくつかのフィーチャは、別個に利用することが可能であるが、この本発明に関する説明を受ければ、全て、当該技術者にとって明白であろう。付属の請求項に記載の本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、本明細書に説明の要素に変更を加えることが可能である。

本発明に説明の実施形態に従って、そのいくつかのステップを実施することが可能な方法の一例を示すフローチャートである。レチクル・レイアウト・データの異なる領域の一例を例示した平面図である。異なるレチクル・レイアウト・データが、異なる印刷適性の影響されやすさ及び異なるプロセス・ウィンドウをどのように具備しているかの一例を示すグラフである。レチクル・レイアウト・データの異なる領域に異なるシミュレーション・パラメータを割り当てるために利用可能なデータベース構造の一例を示す図である。レチクル・レイアウト・データの異なる領域に異なる検査パラメータを割り当てるために利用可能なデータベース構造の一例を示す図である。レチクル・レイアウト・データの異なる領域に異なる再審査パラメータを割り当てるために利用可能なデータベース構造の一例を示す図である。本明細書に説明のコンピュータで実施される方法の１つ以上を実施するために利用可能なシステムの、実施形態の１つの側面図を例示した概略図である。

符号の説明

７８プロセッサ、８０搬送媒体、８２プログラム命令、８４レチクル検査及び／または計測ツール、８６レチクル、８８検出器、９２検出器、９６ステージ、９８光源、１００ビーム・スプリッタ

Claims

レチクル・レイアウト・データを検査するためのプロセスを生成する、コンピュータで実施される方法であって、
プロセス・パラメータの変化に対する、前記レチクル・レイアウト・データにおける異なる領域の印刷適性の影響されやすさを判定するステップと、
その印刷適性が、前記レチクル・レイアウト・データにおける第２の領域の印刷適性に比べて前記プロセス・パラメータの変化により影響されやすい、前記レチクル・レイアウト・データにおける第１の領域を識別するステップと、
前記第１の領域と第２の領域に１つ以上の検査パラメータを割り当てて、前記プロセス中、前記第１の領域が、前記第２の領域よりも高い感度で検査されるようにするステップと、
前記１つ以上の検査パラメータに基づいて、前記レチクル・レイアウト・データを検査するためのプロセスを生成するステップと
を含む方法。
前記第１の領域と第２の領域の印刷適性がレチクル上における前記第１の領域と第２の領域の印刷適性であり、前記プロセス・パラメータにレチクル製造プロセス・パラメータが含まれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記第１の領域と第２の領域の印刷適性がウェーハ上における前記第１の領域と第２の領域の印刷適性であり、前記プロセス・パラメータが、レチクル製造プロセス・パラメータ及びウェーハ製造プロセス・パラメータが含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記第１の領域の面積が前記レチクル・レイアウト・データにおけるフィーチャの１つの面積とほぼ等しいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記第１の領域のプロセス・ウィンドウが前記第２の領域より狭く、前記第１の領域の印刷適性が前記プロセス・パラメータの変化に影響されやすいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記第１の領域のマスク・エラー増大率が前記第２の領域より高く、前記第１の領域の印刷適性が前記プロセス・パラメータの変化に影響されやすいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
さらに、前記レチクル・レイアウト・データに関する再審査プロセスを生成するステップが含まれ、前記再審査プロセスの生成に、前記第１の領域と第２の領域に１つ以上の再審査パラメータを割り当てて、前記再審査プロセス中、前記第１の領域が前記第２の領域より高い感度で再審査されるようにするステップが含まれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
レチクル・レイアウト・データを検査するためのコンピュータで実施される方法であって、
プロセス・パラメータの変化に対する、前記レチクル・レイアウト・データにおける異なる領域の印刷適性の影響されやすさを判定するステップと、
その印刷適性が、前記レチクル・レイアウト・データにおける第２の領域の印刷適性に比べて前記プロセス・パラメータの変化により影響されやすい、前記レチクル・レイアウト・データにおける第１の領域を識別するステップと、
前記第２の領域よりも高い感度で前記第１の領域を検査するステップと
を含む方法。
前記第１の領域と第２の領域の印刷適性が、レチクル上における前記第１の領域と第２の領域の印刷適性であり、前記プロセス・パラメータにレチクル製造プロセス・パラメータが含まれることを特徴とする請求項８に記載の方法。
前記第１の領域と第２の領域の印刷適性がウェーハ上における前記第１の領域と第２の領域の印刷適性であり、前記プロセス・パラメータに、レチクル製造プロセス・パラメータとウェーハ製造プロセス・パラメータが含まれることを特徴とする請求項８に記載の方法。
前記第１の領域の面積が前記レチクル・レイアウト・データにおけるフィーチャの１つの面積とほぼ等しいことを特徴とする請求項８に記載の方法。
前記第１の領域のプロセス・ウィンドウが、前記第２の領域より狭く、前記第１の領域の印刷適性が前記プロセス・パラメータの変化に影響されやすいことを特徴とする請求項８に記載の方法。
前記第１の領域のマスク・エラー増大率が前記第２の領域より高く、前記第１の領域の印刷適性が前記プロセス・パラメータの変化に影響されやすいことを特徴とする請求項８に記載の方法。
前記検査ステップに、前記レチクル・レイアウト・データの前記第１の領域と第２の領域によって生じることになる印刷欠陥を検出するステップが含まれることを特徴とする請求項８に記載の方法。
前記検査が、前記レチクル・レイアウト・データによるレチクルの製造前に実施され、前記方法に、さらに、前記検査結果に基づいて、前記レチクル・レイアウト・データを変更するステップが含まれることを特徴とする請求項８に記載の方法。
前記判定ステップに、前記レチクル・レイアウト・データの各領域の印刷適性が、前記プロセス・パラメータの変化にどれほど影響されやすいかを判定するステップが含まれ、前記検査ステップに、前記各領域の前記印刷適性の影響されやすさに基づく感度で、前記レチクル・レイアウト・データの前記各領域を検査するステップが含まれることを特徴とする請求項８に記載の方法。
レチクル・レイアウト・データをシミュレートするためのコンピュータで実施される方法であって、
プロセス・パラメータの変化に対する、前記レチクル・レイアウト・データにおける異なる領域の印刷適性の影響されやすさを判定するステップと、
その印刷適性が、前記レチクル・レイアウト・データにおける第２の領域の印刷適性に比べて前記プロセス・パラメータの変化により影響されやすい、前記レチクル・レイアウト・データにおける第１の領域を識別するステップと、
前記レチクル・レイアウト・データがどのように印刷されるかをシミュレートするステップと
を含み、前記第１の領域と第２の領域のシミュレーションが、１つ以上の異なるシミュレーション・パラメータで実施され、前記第１の領域が前記第２の領域より高い忠実度でシミュレートされることを特徴とする方法。
前記第１の領域と第２の領域の印刷適性がレチクル上における前記第１の領域と第２の領域の印刷適性であり、前記プロセス・パラメータにレチクル製造プロセス・パラメータが含まれることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
前記第１の領域と第２の領域の印刷適性がウェーハ上における前記第１の領域と第２の領域の印刷適性であり、前記プロセス・パラメータに、レチクル製造プロセス・パラメータ及びウェーハ製造プロセス・パラメータが含まれることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
前記シミュレートするステップに前記レチクル・レイアウト・データが異なるプロセス・パラメータで印刷される方法をシミュレートするステップが含まれ、前記１つ以上の異なるシミュレーション・パラメータに、前記第２の領域の場合より抽出率の高い、前記第１の領域に関する異なるプロセス・パラメータのサンプリングが含まれることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
前記１つ以上の異なるシミュレーション・パラメータに、前記第２の領域より多数の、前記第１の領域に関するピクセルが含まれることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
さらに、前記シミュレーションに基づいて、前記レチクル・レイアウト・データによって生じる印刷欠陥を検出するステップが含まれることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
さらに、前記シミュレーションに基づいて、前記レチクル・レイアウト・データを変更するステップが含まれることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
前記シミュレートするステップに、前記レチクル・レイアウト・データ全体をシミュレートするステップが含まれることを特徴とする請求項１７に記載の方法。