CN100416574C - 模拟标线图案数据、检查标线图案数据以及产生用于检测标线图案数据工艺的方法 - Google Patents
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Abstract
这里提供多种计算机应用方法,一种产生用于检查标线图案数据的工艺的方法包括识别标线图案数据中的第一区域。标线图案数据中的第一区域的印刷性比第二区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化。该方法还包括将一个或多个检查参数赋予第一区域和第二区域,从而在加工过程中以比第二区域更高的敏感度检查第一区域。另一方法包括以比第二区域更高的敏感度检查第一区域。又一方法包括对如何印刷标线图案数据进行模拟。用一个或多个不同的模拟参数进行第一和第二区域的模拟,从而以比第二区域更高的保真度模拟第一区域。
Description
技术领域
本发明总地涉及一种模拟标线图案数据、检查标线图案数据以及产生用于检测标线图案数据工艺的方法。某些实施例涉及计算机实现的方法,包括识别具有就标线图案数据中的第二区域的印刷性而言对工艺改变更敏感的印刷性的标线图案数据中的第一区域。
背景技术
下面的说明和例子不应当因为它们被包括在这个章节中而被认为是现有技术。
设计集成电路(IC)包括产生包含配置和耦合以执行特定功能的单独器件的概要设计。由于IC变得日趋复杂,IC的设计的复杂性也在增加。例如,IC总体趋向于具有较小尺寸和较大电路密度以提高IC的速度和其它特性。
可使用业内已知的任何方法或系统开发IC设计,例如电子设计自动化(EDA)、计算机辅助设计(CAD)以及其它IC设计软件。可使用这些方法和系统以产生来自IC设计的电路图案数据库。电路图案数据库包括对各IC层表现出多种图案的数据。表示各IC层图案的数据被用来确定多个标线的图案。标线或“掩模”被用于平版印刷工艺以将图案转化成晶片上的抗蚀层。术语“标线”和“掩模”在本文中可互换地使用。
标线图案总体包括限定标线上图案特征的多个多边形。典型地,这些多边形总体由它们的尺寸和以及标线的位置而限定。每条标线被用来制造诸IC层的其中一层。IC层可包括例如半导体衬底中的结图案、栅极介质图案、栅极电极图案、内层介质中的触点图案以及金属层上的互连图案。
特别地,标线被用来在平版印刷工艺步骤中布图抗蚀层,然后经布图的抗蚀层被用来形成晶片上的IC特征。因此,形成在标线上并被转印到晶片上的经布图的特征反映出IC设计中所含的特征属性。换句话说,可基于或使用形成在标线上的特征以形成如上所述的IC的各个元件。因此IC设计的复杂性具有对制造和标线检查具有直接影响。
因此,随着IC设计复杂度的增加,成功的标线制造变得更为困难。例如,随着IC特征尺寸以及特征间距的减小,标线上的尺寸和特征间距同样减小。这样,由于例如标线制造工艺的局限性,将这些特征形成在标线上变得更困难。另外,由于标线检查步骤的局限性,对这些特征进行检查变得更加困难。此外,如业内公知的那样,随着尺寸和间距减小,在晶片上成功地复制这些特征的难度增加。
由于标线在半导体制造中扮演的重要角色,对成功的半导体制造而言,确保标线被令人满意地制造(从而将标线用来在晶片上产生所希望的图象)是关键的。总地来说,在标线检查工艺中,典型地将标线的光学图象与基线图象比较。基线图象可从电路图案数据中产生或从标线上的毗邻芯片中产生。对于任何一种方法,用基线图象的相应特征对光学图象特征进行分析和比较。随后将每个特征差异与单个阈值进行比较。如果光学图象特征相对于基线特征的变化超过预设的阈值,则定义一个缺陷。
尽管传统标线检查为某些应用提供足够的检测精度级,然而其它场合需要更高的敏感度或更低的阈值(以识别缺陷),而其它应用则需要不严格的、较高的阈值水平。由于传统检测用相同阈值和分析算法分析所给出类型标线的所有特征,因此可能会过于严格地检查一些特征而不够严格地检查其它特征。
IC的电气关键特征典型地包括半导体晶体管器件的栅极。即标线上的栅极宽度需要在相对小的误差裕量内在电路图案上产生相应栅极宽度以制造正确地实现功能的IC器件。如果将阈值设得太高,这些关键栅极区域无法受到充分地检查。相反,其它特征(例如栅极区域之间互连的宽度)不象栅极区域宽度那样程度地影响IC的功能并因此无需象其它特征那样严格地受到检查。如果将阈值设得太低则会将过多关键特征定义为缺陷,因此检查结果将难以解释和/或计算资源超负荷。
概括地说,如果过于严格地检查标线区域,传统检查系统会浪费宝贵资源,并且不可靠地对其它区域进行足够严格的检查。换句话说,上述检查系统无法可靠地检测电气关键区域中的缺陷并且会徒劳地检查电气非关键区域,在电气非关键区域中有些较大的缺陷也不会引起问题。传统检查系统和技术无法在标线的电气关键和非关键区域之间进行区别。从另一种途径说,传统设计档案(例如电子标线或集成电路信息)无法充分地传递IC设计者关于电路容限和为标线作者系统、标线检查系统以及最终的晶片检查系统产生IC器件尺寸的意图。
至少为了这些原因,已研究出一些检查方法,它们通过基于IC设计者意图改变严格度地检查标线。这些方法的例子在Glasser等人的6529621号美国专利以及Glasser等人的6748103美国专利中有阐述,这些文献如同全文阐述那样被援引于此以供参考。这样,基于标线图案数据中的特征的电气重要性而作出有关用来检测标线上缺陷的适当严格度的判定。
这些方法具有从本质上提高的标线检查的精确性、意义性、实用性以及产量。然而,这些方法不考虑用于进一步增加标线检查值的标线图案数据的多种其它变化。例如,基于设计者意图的检查方法在为数据确定适当严格度的同时不考虑标线图案数据的印刷性。尤其是标线图案数据的各种属性(例如尺寸等)将确定精确地印刷或根据需要复制标线图案数据的难度。精确地确定印刷标线图案数据的难度的一种方法是通过用于标线图案数据的工艺窗(例如具有窄工艺窗的标线图案数据比具有宽工艺窗的标线图案数据更难印刷)。这样,可能要求更严格地检查标线图案数据的区域并且比那些印刷难度较小的标线图案数据区域更难以实现印刷。尽管IC的某些电气关键区域也可能难以印刷,但当前使用的标线检查方法不基于标线图案数据不同区域的印刷性而调整标线检查方法的严格度。
因此,研究出一种用来产生检查标线图案数据的工艺的方法是有利的,从而在考虑标线图案数据各区域印刷性的同时,检查标线图案数据和/或模拟标线图案数据。
发明内容
本发明的一个实施例涉及一种产生用于检测标线图案数据的工艺的计算机实现方法。该方法包括在标线图案数据中识别第一区域,在标线图案数据中,第一区域的印刷性比第二区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化。在一个实施例中,第一区域的面积可具有近似等于标线图案数据中一个特征的面积。该方法还包括将一个或多个检查参数赋予第一区域和第二区域,从而在加工过程中以比第二区域更高的敏感度检查第一区域。
第一和第二区域的印刷性可以是标线上的第一和第二区域的印刷性。在该实施例中,工艺参数包括标线制造工艺参数。或者,第一和第二区域的印刷性是晶片上的第一和第二区域的印刷性。在该实施例中,工艺参数包括标线制造工艺参数以及晶片制造工艺参数。
在另一实施例中,第一区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化,其中第一区域具有比第二区域更窄的工艺窗。在其它实施例中,第一区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化,其中第一区域具有比第二区域更高的掩模误差改善因子(MEEF)。
在一些实施例中,该方法还包括为标线图案数据产生再检查工艺。产生再检查工艺包括将一个或多个再检查参数赋予第一区域和第二区域以在再检查加工期间用比第二区域更高的敏感度对第一区域进行再检查。上述方法的每个实施例可包括这里描述的任何其它步骤。
另一实施例涉及用于检查标线图案数据的计算机应用方法。该方法包括识别标线图案数据中的第一区域。在标线图案数据中,第一区域的印刷性比第二区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化。在一个实施例中,第一区域的面积近似等于标线图案数据中一个特征的面积。该方法还包括用比第二区域更高敏感度检查第一区域。
在一个实施例中,第一和第二区域的印刷性可以是标线上的第一和第二区域的印刷性。在该实施例中,工艺参数包括标线制造工艺参数。在另一实施例中,第一和第二区域的印刷性是晶片上的第一和第二区域的印刷性。在该实施例中,工艺参数包括标线制造工艺参数以及晶片制造工艺参数。
在某些实施例中,第一区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化,其中第一区域具有比第二区域更窄的工艺窗。在另一实施例中,第一区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化,其中第一区域具有比第二区域更高MEEF。
在一个实施例中,检查第一和第二区域包括检查将由标线图案数据的第一和第二区域产生的印刷缺陷。在另一实施例中,可在用标线图案数据制造标线前执行对第一和第二区域的检查。在该实施例中,该方法包括基于检查结果改变标线图案数据。在另一实施例中,该方法包括确定标线图案数据的每个区域的印刷性对于工艺参数变化的敏感度如何。在该实施例中,检查第一和第二区域包括用基于每个区域的印刷性的敏感度而检查标线图案数据的每个区域。上述方法的每个实施例可包括这里描述的任何其它步骤。
另一实施例涉及用于模拟标线图案数据的方法。该方法包括识别标线图案数据中的第一区域。在标线图案数据中,第一区域的印刷性比第二区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化。该方法还包括对如何印刷标线图案数据进行模拟。用一个或多个不同的模拟参数进行第一区域和第二区域的模拟,从而以比第二区域更高的保真度对第一区域进行模拟。
在一个实施例中,第一和第二区域的印刷性可以是标线上的第一和第二区域的印刷性。在该实施例中,工艺参数包括标线制造工艺参数。在其它实施例中,第一和第二区域的印刷性是晶片上的第一和第二区域的印刷性。在该实施例中,工艺参数包括标线制造工艺参数以及晶片制造工艺参数。
在某些实施例中,对如何印刷标线图案数据进行模拟包括对如何以不同工艺参数印刷标线图案数据进行模拟。在这些实施例中,一个或多个不同的模拟参数包括比第二区域更高的第一区域的不同工艺参数的采样。在另一实施例中,一个或多个不同的模拟参数包括比第二区域更大数量的第一区域的像素。
该方法还包括基于模拟检查将由标线图案数据产生的印刷缺陷。另外,该方法还包括基于模拟改变标线图案数据。此外,该方法包括对整个标线图案数据进行模拟。上述方法的每个实施例包括这里描述的任何其它步骤。
又一实施例涉及包括可执行于计算机上的程序指令的载体介质以执行本文中描述的任何一种计算机应用方法。其它实施例涉及被配置成执行本文所述的任何一种计算机应用方法的系统。该系统包括被配置成执行程序指令以执行本文所述的一个或多个计算机应用方法的处理器。在一个实施例中,该系统可以是独立系统。在另一实施例中,该系统是耦合于检查系统的一部分。在不同的实施例中,系统可以是耦合于缺陷再检查系统的一部分。在又一实施例中,系统可以耦合于制造(fab)数据库。该系统可通过诸如导线、电缆、无线传输路径和/或网络耦合于检查系统、再检查系统或制造数据库。传输介质可包括“有线”和“无线”部分。
附图说明
对本领域内技术人员而言,通过参阅下面对较佳实施例的详细说明并结合附图,本发明的其它优点将变得更为明显,其中:
图1是根据本文所述实施例执行若干步骤的方法的一个例子的流程图;
图2是示出标线图案数据的不同区域的一个例子的俯视图;
图3是示出如何使标线图案数据的不同区域具有不同的印刷性敏感度和不同工艺窗的一个例子的曲线图;
图4示出用于将不同模拟参数赋予标线图案数据不同区域的数据库结构的一个例子;
图5示出用于将不同检查参数赋予标线图案数据不同区域的数据库结构的一个例子;
图6示出用于将不同再检查参数赋予标线图案数据不同区域的数据库结构的一个例子;
图7是示出可用于执行本文所述的一个或多个计算机应用方法的系统的一个实施例的侧视图的示意图。
尽管本发明可以有各种修正和变化形式,但其特别实施例通过附图示出并在本文中进行详细说明。附图可以不成比例。然而应该理解,附图及其详细说明不旨在将本发明限制于所公开的特定形式,相反,本发明覆盖落在本发明精神和范围内的所有修正物、等效物和替换物,由所附权利要求定义。
具体实施方式
术语“标线”和“掩模”在本文中可互换地使用。标线一般包括透明的衬底,例如玻璃、硼硅酸盐玻璃以及其上形成有不透明材料的熔融硅。标线可包括形成在不透明材料下的附加材料,例如粘合层。另外,标线包括形成在不透明材料顶部的附加材料,例如底部抗反射涂层、抗蚀剂(或“光致抗蚀剂”)以及顶部抗反射层。可用蚀刻于透明衬底内的区域代替透明区域。
多种不同类型的标线是业内公知的,并且本文中使用的术语标线旨在包含所有类型的标线。例如,术语标线指不同类型的标线,包括但不局限于明域(clear-field)标线、暗域(dark-field)标线、二元标线、相移掩模(PSM)、交替PSM、衰减或半调PSM以及三元衰减PSM。明域标线具有透明的域或背景区域,而暗域标线具有不透明的域或背景区域。二元标线是具有透明或不透明的布图区域的标线。二元掩模不同于包括仅局部透光膜的相移掩模(PSM),其一种类型可包括部分透光(薄膜的)并且这些标线一般被称为半调或嵌入式相移标线。如果相移材料被置于标线的交替的明域空间上,该标线被称为交替PSM、ALT PSM或Levenson PSM。一种施加于任意布局图案的相移材料被称为衰减的半调PSM,这种衰减的半调PSM可通过用局部透光膜或“半调”膜代替不透明材料而制造产生。三元衰减PSM是还包含完全不透明特征的衰减的PSM。
本文所述的标线可以包括也可以不包括作为密封标线表面以使其不受到空气中悬浮的微粒以及其它种类污垢影响的光学透明薄膜。术语“标线”还被用来指包含光学接近校正(OPC)特征的标线。通过减少光学接近效果而将OPC特征设计成减少使用标线印刷的图象的失真度。术语“光学接近效果”大体指由于标线上其它特征的接近性而引起的印刷特征横向尺寸或形状的变化。可通过确定由于光学接近性效果引起的失真而确定这类效果并改变标线上的特征以补偿这类失真。
诸如OPC和相移掩模(PSM)的分辨率提高技术(RET)越来越多地被应用于集成电路(IC)设计以将特征印刷到比用作为曝光源的光的波长更小的器件晶片上。RET一般包括对包含子分辨率辅助特征(SRAF)以及衬线的设计而言额外特征的附加,其结果是光掩模或标线上的设计图案变得极端复杂。是否将RET特征正确地印刷到标线以及SRAF未被印刷于晶片但将主要特征正确地印刷于晶片上的这种的校验称为越来越难的任务。此外,诸如掩模误差改善因子(MEEF)的光学效果将造成晶片层最终图象的进一步失真。MEEF总地被定义成印刷于抗蚀层中的关键特征与形成于标线上的结构的关键尺寸之比。
本文中使用的术语“晶片”总地指由半导体或非半导体材料形成的衬底。这类半导体或非半导体材料的例子包括但不局限于,单晶硅、砷化镓以及磷化铟。这些衬底可公开地获得和/或用半导体制造设备处理。
晶片包括形成于衬底上的一个或多个层。例如,这些层包括但不局限于,抗蚀层、介电材料和导体材料。“抗蚀层”包括由光学平版印刷技术、电子束平版印刷技术或X射线平版印刷技术布图而成的材料。介电材料的例子可包括但不局限于,二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅以及氮化钛。介电材料的其它例子包括“低k”介电材料,例如从Applied Materials Inc.Santa Clara,Califonia售得的BLACK DIAMONDTM以及从Novellus Systems,Inc,San Jose,California售得的CORALTM以及诸如“干凝胶”的“超低k”介电材料以及诸如五氧化钽的“高k”介电材料。另外导电材料包括但不局限于铝、多晶硅和铜。
可对形成在晶片上的一个或多个层进行布图。例如,晶片包括多个芯片,每个芯片具有可再布图特征。对这类材料层的形成和处理最终导致成品的半导体器件。这样,晶片包括其上不形成成品半导体器件的所有层的衬底或其上形成成品半导体器件的所有层的衬底。术语“半导体器件”在本文中可与术语“IC”互换地使用。另外,诸如微机电(MEMS)器件之类的其它器件也能形成于晶片上。
现在参阅附图,图1示出根据本文所述实施例进行一个或多个步骤的方法的一个例子。要注意图1所示步骤不是实现该方法所必须的。可将一个或多个步骤省去或添加到图1所示方法中,并且可在实施例的范围内实现该方法。
图1所示的方法总地示出使用标线图案数据10所执行的各步骤。可以业内公知的任何方式形成标线图案数据10。标线图案数据确定将被印刷于晶片上以形成诸如IC的半导体器件的结构。因此标线图案数据还定义了被印刷到用于印刷晶片的标线上的结构。
标线图案数据的不同区域具有不同的电气关键性,如Glasser等人的6529621号美国专利以及6748103号美国专利所描述的那样,这些文献如同全文参数那样被援引于此作为参考。例如,可将包括晶体管结构的标线图案数据的区域视为电气关键的而将包括互连结构的标线图案数据区域视为非电气关键的。
标线图案数据的不同区域也具有不同的印刷特性。例如,标线图案数据某些区域包括比标线图案数据其它区域更加难以印刷于标线上的特征。图2示出这种区域的两个例子。标线图案数据的区域14中的特征12是晶体管的栅极结构。由于栅极宽度将很大程度地确定晶体管的速度,因此用标线印刷的最小尺寸一般是栅极结构的尺寸。因此,特征12典型地具有比印刷以标线的其它特征(例如区域18中的特征16)的标线上的较小尺寸,它可以是测试结构或诸如互连结构的其它结构。
此外,由于确定晶体管和IC特性的栅极结构的重要性,印刷于标线的栅极结构还包括SRAF20,它如上所述地进行配置以提高印刷于晶片上的栅极结构的尺寸和形状。由于SRAF的尺寸被设计成低于用来将标线图案数据印刷于晶片上的平版印刷系统的分辨率,SRAF处于将要制造在标线上的最小特征之间。因此,栅极结构(尤其是包含SRAF的栅极结构)一般也处于标线图案数据中要印刷的最困难结构当中。尽管栅极结构也是电气关键的并因此由上述设计者意图方法确定为关键的,但要理解不是所有的电气重要特征都具有印刷重要性,反之亦然。
由于印刷SRAF和包含SRAF的结构的困难性,SRAF会在标线上产生比标线上其它结构更多的印刷缺陷。本文中使用的“印刷缺陷”指标线(或另一背景中的晶片)上的印刷结构中的缺陷,例如过度圆角化、不满意尺寸等。另外,其中能令人满意地印刷SRAF结构的工艺窗(或工艺参数范围)可能比包括含有结构的非SRAF的其它结构更窄。然而,由于不被印刷在晶片上但能够改善工艺窗,因此可能希望用比其它非SRAF结构更低的敏感度检查SRAF结构。此外,SRAF对检查和制造两者而言是困难的并因此产生许多讨厌的缺陷,除非不被检测到(desensed)。
这里描述的方法的实施例包括识别标线图案数据中具有不同印刷性的不同区域(例如第一区域和第二区域)。例如,如上所述,区域14的印刷性很可能比区域18的印刷性更敏感于工艺参数的变化。换句话说,区域14可能比区域18具有更不完美的印刷性。在一些实施例中,标线图案数据中的区域的印刷性是标线上区域的印刷性。在这些实施例中,确定印刷性敏感度的工艺参数包括标线制造参数。在其它实施例中,标线图案数据中的区域的印刷性是晶片上区域的印刷性。在这些实施例中,用来确定印刷性敏感度的工艺参数包括标线制造工艺参数(由于晶片印刷性取决于标线印刷性)以及晶片制造工艺参数。因此,本文中所述的方法被用来在标线图案数据中自动定义或产生具有关键或不关键印刷性的不同区域,这与基于电气重要性在标线图案数据中定义不同区域的并手动执行的其它方法不同。
要理解本文中使用的术语“第一”和“第二”不旨在表示标线图案数据中区域的瞬时、空间或连续量。术语“第一”和“第二”仅用来表示本文所述的具有不同印刷灵敏度的标线图案数据中的不同区域。另外要理解可采用任何其它合适的术语来表示文本所述的标线图案数据中的不同区域。
标线图案数据中不同区域的印刷性敏感度的差异的一个例子如图3所示。如图3所示,第一区域(例如图2所示的区域14)中的标线图案数据的属性在印刷于标线时作为工艺参数改变的函数而变化。图3所示的属性可包括任何感兴趣的属性,诸如宽度、高度、圆角度或以随着可测量形式的工艺参数改变的任何其它属性。以这种形状图解的属性会改变曲线的形状。例如,图3所示的曲线可以是印刷在标线上的特征高度。这样,最高特征高度表示厚度损失的最小量以及用于减少收缩的最佳工艺参数,而随着工艺参数远离最佳工艺参数,特征中的收缩增加。尽管图3所示的曲线被表示为具有最大值并在最大值的两侧上表现出对称性,但要理解曲线可以是任何形状,这些形状是通过标线图案数据改变的印刷特征属性如何作为工艺参数的函数改变而确定的。
图3所示的曲线的沿x轴分布的工艺参数可以是任何已知的使标线图案数据的印刷特征(诸如曝光剂、曝光焦点等)改变的工艺参数。此外,可对不同特性和/或不同的工艺参数产生标线图案数据的一个以上这种曲线。此外,可产生不同的曲线以表示将被印刷在标线或晶片上的标线图案数据中的特征的属性作为工艺参数函数的变化。显然,工艺参数根据所评估的是标线印刷性还是晶片印刷性而改变。
如图3进一步所示,与例如图2所示印刷于标线上的区域18的第一区域不同的第二区域中的标线图案数据的属性作为工艺参数变化的函数而变化。图3所示第二区域的属性与图3所示第一区域的属性相同,因此可使用曲线就一个属性在两个区域之间进行直接比较。如图3所示,第一和第二区域的属性彼此偏离。这种偏离是由涉及不同区域设计的不同属性造成的。然而,第一和第二区域不一定要彼此偏离,或者第一和第二区域的曲线的某些部分可彼此重叠和/或有一个以上的交点。
在任何情况下,图3所示曲线表示标线图案数据上不同区域可具有作为工艺参数改变函数而以不同方式和不同程度改变的属性。例如如图3所示,两条曲线均在由箭头22表示的同一工艺参数附近表现出最小收缩(尽管标线图案数据的不同区域的相同属性的最佳工艺参数可以不同)。另外,如箭头24所示,随着工艺参数远离最佳工艺参数,第一区域的属性比第二区域的属性更剧烈地变化。因此,第一区域的印刷性比第二区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化。
结果在某些情况下,第一区域的工艺窗将更小并且甚至比第二区域的工艺窗小得多。例如,如箭头26所示,包括在具有可接收属性值的第二区域中产生印刷特征的工艺参数的值的第二区域的工艺窗相对较大(例如包括几乎所评估的所有工艺参数)。相反,如箭头28所示的第一区域的工艺窗基本上小于第二区域的工艺窗,在该例中这是第一区域中的印刷特征的属性作为工艺参数变化函数的急剧变化的直接结果。换句话说,第一区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化,其中第一区域具有比第二区域更窄的工艺窗口。
因此,如上所述,标线图案数据中的区域的印刷性的敏感度可以基于标线图案数据自身(例如尺寸)属性和/或标线图案数据工艺窗的估计。然而,标线图案数据印刷性的敏感度也可基于标线图案数据的MEEF而确定。例如,具有相对高MEEF的标线图案数据的区域可具有就具有相对低MEEF的标线图案数据而言对一个或多个工艺参数更高敏感度的印刷性。另外,可使用这些印刷灵敏性指标(例如属性、处理窗、MEEF)中的一个或这些指标的结合而确定标线图案数据区域的敏感度。此外可用任何其它业内已知方式确定标线图案数据中不同区域的印刷性的敏感度。
如图2所示,区域14、18包括多个具有相同印刷性的特征。该方法可将各区域界定为标线图案数据中具有相同印刷性的区域。因此,区域尺寸的变化很大程度地取决于例如具有相同印刷性的相邻特征的数量、那些特征的尺寸以及那些特征之间的距离。
然而,可配置该方法以减少或最小化界定于标线图案数据中的区域的面积。这样,可用“微敏感度”界定标线图案数据中的区域。例如,可将该方法配置成将各特征指定为单独区域。在一个这样的例子中,标线图案数据中的区域30的面积近似等于标线图案数据中特征32的面积。在另一例子中,可将区域界定为特征的一部分。在该例中,标线图案数据的区域的面积小于标线图案数据中特征的面积。另外,一个特征可由多个不同区域组成,每个区域具有不同的或独立的印刷性敏感度。
可对具有不同印刷性敏感度的区域进行不同的处理。例如,如本实施例所描述地那样,具有不同印刷性的区域可用不同模拟参数进行模拟,用不同检查参数进行检查和/或用不同再检查参数进行再检查。
特别地,该方法包括对如何印刷标线图案数据进行模拟,如图1步骤34所示。可执行该模拟以确定如何在标线上印刷标线图案数据。因此,可使用描述标线制造工艺的模型以对如何印刷标线图案数据进行模拟。另外,或作为代替,可执行模拟以确定如何将标线图案数据印刷在晶片上。因此,描述标线制造工艺和描述晶片制造工艺(包括抗蚀层模型)的模型被用来对如何印刷标线图案数据进行模拟。
根据一个实施例,可用不同模拟参数对具有不同印刷性的标线图案数据的区域的模拟进行模拟。较佳地,可用比印刷性敏感度较低的其它区域具有更高保真度模拟的模拟参数对具有更敏感印刷性的区域进行模拟。可用多种方法在标线图案数据中逐区域地调整模拟的保真度。例如,可通过增加用于模拟的像素数量而增加保真度。可通过改变像素数量而降低保真度。这样,就第二区域而言具有更敏感印刷性的第一区域的模拟参数包括更大的像素数量。另外,可在各种工艺参数(例如标线制造工艺和/或晶片制造参数)下进行模拟以确定如何用不同工艺参数或如何横跨一系列工艺参数范围而对区域中的特征进行印刷。因此,增加模拟保真度的另一方法将是使用对标线图案数据的区域的不同工艺参数的更高采样,前述标线图案数据具有比印刷性敏感度较低的其它区域更敏感的印刷性。可以业内公知任何其它方法改变模拟保真度。
图4示出一种数据库结构的一个例子,该数据库为标线图案数据不同区域赋值和存储模拟参数。另外,图4示出用来表示用于标线图案数据模拟的参数的数据库的内容。图示的数据库36包括赋值于标线图案数据中区域40的模拟参数38。尽管在图36所示数据库结构中仅有两个区域,但要理解该数据库可包括标线图案数据两个以上区域或所有区域的模拟参数。
图4所示第一和第二区域在该例中对应于图2所示第一和第二区域。同样,第一区域具有比第二区域更敏感的印刷性。如图4所示,赋予各区域的模拟参数可以是不同的,由此可用不同保真度对不同区域进行模拟。尤其可将模拟参数赋予第一区域从而以相对高的保真度对第一区域进行模拟。可如上所述地改变模拟的保真度。另外,如图4所示,对不同区域赋予的模拟保真度表示在数据库结构的模拟参数列中,而用于不同保真度的实际模拟参数(例如像素数量等)被定义于另一数据结构中(未图示)。或者,定义高、低或其它保真度模拟的各个参数被包含在数据库结构36中。如图4所示,可将模拟参数赋予第二区域从而以相对低保真度对第二区域进行模拟。对不同区域进行的模拟中的其它差异也可被包含入数据库结构36或包含入不同的、单独的数据库结构中(未图示)。
可能要求在步骤34中对如何印刷一个标线(即标线图案数据整体)的所有标线图案数据进行模拟。显然,这些模拟要求大量的计算资源和时间,并且对这些模拟的计算负载可能是繁重的。然而,使用如上所述的关键印刷性特征区域以直接进行模拟会使计算更高效率地进行。尤其可如上所述地确定构成标线图案数据的每个区域的印刷性的敏感度,并如上所述在标线图案数据中逐区域地改变模拟的保真度,由于使用比不敏感区域更高的保真度对具有敏感印刷性的那些区域进行模拟,因此大量减少了用于模拟的计算资源和时间,并且不减少模拟结果的有用性和目的性。
步骤34的模拟结果被用于步骤44所示的标线图案数据的检查。标线图案数据的检查包括检测由标线图案数据不同区域产生的印刷缺陷。例如,该方法包括基于模拟而检测由标线图案数据产生的印刷缺陷。另外,标线图案数据的检查可包括确定标线图案数据中的哪些特征会在标线上产生印刷缺陷。例如,检查涉及将标线图案数据特征的模拟与由IC设计者或IC制造商设置的特征规格进行比较。在一个例子中,将模拟特征的尺寸与由IC设计者印刷在标线上的特征规定的尺寸范围进行比较。
检查可包括用于确定标线上的印刷缺陷的任何其它方法,例如设计规则检查。在另一例子中,可将模拟标线数据与来自空气(aerial)传感器的数据进行比较,该空气传感器在由Stokowski等人共同拥有的、提交于2003年10月6日的序列号为10/679857号美国专利申请中有描述,该文献就象全文阐述那样被援引于此作为参考。或者,可将模拟标线数据与另一种空气图象传感器进行比较,这种空气图象传感器在Ye等人的6803554号美国专利、Ye等人的6807503号美国专利以及Ye等人的2003/0226951号美国专利申请公开中有描述,这些文献就象全文阐述那样被援引于此作为参考。
另外,可对标线上不同区域进行不同的检查。例如,对于具有相对敏感印刷性的标线上的区域,用于识别标线图案数据中缺陷的阈值被设置成相对于具有相对不敏感印刷性的标线区域上的区域而言较低的值(或接近于目标值)。换句话说,可用特征变化的较低容限检测具有敏感印刷性的区域中的印刷缺陷。同样,可用特征变化的较高容限检测具有不敏感印刷性的区域中的印刷缺陷。这样能够以根据各区域的印刷性敏感度而逐区域地改变一个或多个检查阐述的方式进行检查。尤其可用比其它区域更高的敏感度检查比标线图案数据中其它区域对工艺参数变化更敏感的印刷性的区域。结果,标线图案数据的检查能够检测到对用户而言更重要的标线图案数据中的缺陷。
如步骤42所示,该方法包括产生检查工艺。检查工艺是基于标线图案数据而产生的。尤其可基于标线图案数据中不同区域印刷性而产生检查工艺。例如,产生用于检查标线图案数据的工艺的计算机应用方法包括识别如上所述标线图案数据中的不同区域以及将一个或多个检查参数赋予不同区域。特别地,对检查参数赋值从而以不同的敏感度对不同区域进行检查。例如,可对检查参数赋值从而以比第二区域更高的敏感度在加工过程中对上述第一区域进行检查。为不同区域赋予不同参数,例如上述阈值或以业内公知变化的其它检查参数。可随后将步骤42中产生的检查工艺用于步骤44以检查标线图案数据。
产生检查工艺包括产生如图5所示的数据库结构。图5示出能对标线图案数据不同区域赋予和存储检查参数的数据库结构的一个例子。另外,图5示出用来表示用于标线图案数据检查的参数的数据结构内容。图示的数据结构46包括赋予标线图案数据中区域50的检查参数48。尽管数据结构46中仅示出两个区域,但要理解该数据库结构可包括标线图案数据中两个以上区域或所有区域的模拟参数。
图5所示第一和第二区域在该例中与图2所示第一和第二区域对应。如图所示,被赋予每个区域的检查参数是不同的,因此能以不同的敏感度对不同区域进行检查。尤其将检查参数赋予第一区域,从而用相对高的敏感度检查第一区域。可如上所述地改变检查的敏感度。例如可使用图5所示的不同算法(例如高敏感度算法或低敏感度算法)而改变敏感度。可以其它方式(例如改变用于检测标线图案数据中缺陷的阈值)改变检查工艺的敏感度。另外如图5所示,用于特定敏感度的检查参数(例如特定算法等)被定义在检查参数列中。或者在数据库结构的检查参数列中指示检查敏感度,并且在不同数据库结构中指示这些参数。正如如图5所示那样,检查参数被赋予第二区域,从而以低敏感度检查第二区域。也可将对每个区域进行的检查中的其它差异包含入数据库46或包含入不同的、单独的数据库结构中(未图示)。
标线图案数据的检查较佳地在用标线图案数据制造标线之前进行。以此方法在制造标线前对标线图案中的缺陷进行纠正,这费时而且代价很高。例如图1所示,该方法还包括步骤52中所示的改变标线图案数据。可基于模拟和/或检查结果改变标线图案数据。则较佳地执行标线图案数据的改变以减少如果将改变标线图案数据印刷于标线上而形成在标线上的印刷缺陷的数量。另外,改变标线图案数据包括改变标线图案数据中一个或多个特征的一个或多个属性以减少标线图案数据印刷性的敏感度。例如可改变标线图案数据中SRAF的一个或多个属性以在可接受限值内和/或横跨工艺参数更宽的范围将特征印刷在标线上,由此增加特征的印刷性。在改变标线图案数据后,可如上所述地再次进行改变后的标线图案数据的模拟、对于改变后的检查工艺的产生以及改变后的标线图案数据的检查。
该方法还包括再检查标线图案数据,如步骤54所示那样。再检查标线图案数据包括再检查在由步骤44中执行的检查确定为将产生印刷缺陷的标线图案数据中的特征或区域。标线图案数据的再检查包括将关于标线图案数据缺陷部分的信息显示给用户以使用户对缺陷部分作出判定。这样,再检查包括手动再检查。显示给用户的信息包括模拟结果、检查结果、实际标线图案数据或任何其它关于可获得和有助于用户了解标线图案数据缺陷部分的标线图案数据的信息。用户可对进行关于例如忽略缺陷部分(即指示缺陷部分是可接受的)、指示缺陷部分应当改变(例如使该部分可接受)、指示应当进行对缺陷部分附加的模拟等的判决。
或者,该方法包括自动再检查标线图案数据或半自动地检查标线图案数据,在半自动地检查标线图案数据中可对关于缺陷部分作出相似的判定。再检查结果还被用来改变标线图案数据,其执行如上所述。另外,再检查结果被用来改变所产生的检查工艺或方法,其中检查工艺被生成(例如产生更精确或更敏感的检查工艺)。
在某些实施例中,这里所述的方法还包括产生对标线图案数据的再检查工艺(未图示)。如上所述,产生再检查工艺包括将一个或多个再检查参数赋予第一和第二区域,由此可用比第二区域更高的敏感度在再检查工艺中对第一区域进行再检查。产生再检查工艺包括产生如图6所示的数据库结构。图6示出为标线图案数据的不同区域赋予或存储再检查参数的数据结构的一个例子。另外,图6示出用来表示标线图案数据再检查参数的数据结构的内容。图示的数据结构56包括赋予标线图案数据中的区域60的再检查参数58。尽管在数据库结构56中仅示出两个区域,但要理解该数据库结构可包括标线图案数据中两个以上或所有区域的再检查参数。
图6所示第一和第二区域在该例中与图2所示第一和第二区域对应。如图6所示,赋予每个区域的再检查参数是不同的,由此可用不同的放大率或其它再检查参数对不同区域进行再检查。特别地,在该例中将再检查参数赋予第一区域从而使第一区域以高放大率被再检查。可例如通过改变光学检查器件的一个或多个参数而改变观察的放大率。可通过改变用来观察标线图案数据中的区域的再检查器件(例如从光学再检查工具到电子束再检查工具)而改变放大率。另外如图6所示,可在数据库结构的再检查参数列中指示再检查的敏感度或放大率,而可将用于特定再检查的实际再检查参数定义于另一数据库结构中(未图示)。或者,可将定义高或低敏感度再检查的各参数包含在数据库结构56中。如图6所示,可将再检查参数赋予第二区域,从而以低放大率检查第二区域或根本不对第二区域进行再检查。对每个区域进行的再检查中的其它差异也被包含入数据库结构56或被包含在不同的、单独的数据库结构中(未图示)。
因此,如上所述,该方法包括多个步骤,这些步骤可以迭代方式进行以产生以可接受方式印刷于标线上的标线图案数据。可以相同方式执行上述步骤以确定如何将标线图案数据印刷在晶片上。例如可改变上述模拟步骤以使模拟不仅使用标线制造模型还使用晶片印刷模型(存在多个模型,例如平版印刷工艺模型和抗蚀剂模型)。可以相同方式对上述其它步骤进行改变。这样可确定由标线图案数据产生在晶片上的印刷缺陷,并且可改变标线图案数据以减少印刷在晶片上的印刷缺陷数量。
在已判定标线图案数据(改变后的或未改变的)将以可接受方式印刷(在标线和/或晶片上),可用标线图案数据制造标线,如步骤62所示那样。用于制造标线的工艺与晶片布图工艺相似。例如,标线制造的目的总地来说是形成不透明材料的图案,诸如在基本呈透明状的衬底(例如玻璃)上的相对薄的铬层。另外,其它适用于标线制造的不透明材料包括,但不局限于铬、氧化铬、氮化铬以及钼/硅。铬层的合适厚度接近1000并通过溅射沉积在玻璃衬底上。用于标线制造的其它合适的透明材料包括硼硅酸盐玻璃或熔融硅(SiO2,“石英”),它具有相对稳定的尺寸和对曝光系统波长的透射特性。其它材料也能用于标线制造。例如,在不透明材料下的膜可用作粘合层。这种粘合层包括例如铬、氮和氧的混合物。另外,形成在不透明材料顶部的膜可作为抗反射层。合适的抗放射层可由例如氧化铬(Cr2O3)的相对薄层构成。
标线制造包括多个不同步骤,诸如产生布图。或者,可使用激光曝光或电子束直接写曝光而形成标线。激光曝光允许使用标准光学抗蚀剂并且比电子束直接写曝光更快。另外,激光系统能更便宜地购得并操作。直接写激光源通过声-光调制器(AOM)被导通和截止。商用直接写激光系统的一个例子是ALTA3000R激光写入器,他可从California、Hayward、ETECSystems Inc购得。由于能够产生比激光系统更精细的线分辨率,直接写电子束系统经常被用来制造复杂的标线。另外,直接写电子束系统还写入比激光系统更大的芯片尺寸。商用直接写电子束系统的例子包括从ETECSystem Inc购得的MEBES4500和5000系统。标线制造还包括其它步骤,例如蚀刻以将图案从标线上的抗蚀剂转移到底层材料上(例如不透明材料或透明材料)。
不管用于制造标线的实际工艺参数如何,标线制造的结果是印刷在标线上的标线图案数据,如步骤64所示。然后在使用标线前执行多个步骤以形成布图晶片。例如,如步骤66所示,该方法包括对印刷在标线上的标线图案数据进行检查。与步骤44中执行的检查不同,该检查是使用在实际制造完毕的标线上进行的测量而实现的。例如,可在步骤66中从光学上或用基于电子束的工具检查标线。
与步骤44中执行的标线图案数据上的检查相同,步骤66中进行的标线检查具有一个或多个检查参数,这些参数在标线上逐区域地改变。例如,基于上面确定的标线上不同区域的印刷性敏感度,用于标线检查的一个或多个参数可横跨标线地改变。在步骤66中改变的一个或多个检查参数可包括任何检查参数,这些检查参数能改变在标线上检查到缺陷的敏感度(例如阈值)。另外,在标线上进行的检查涉及检测标线上的印刷缺陷和标线上的非印刷缺陷(例如微粒污染、刮伤等)。
该方法还包括再检查印刷在标线上的标线图案数据,如步骤68所示那样。可如上所述地进行印刷后的标线图案数据的再检查(例如手动、自动或半自动地)。另外,可根据上述标线图案数据的不同区域的印刷性敏感度改变再检查工艺的一个或多个参数。然而,与上述方法不同,步骤68中进行的再检查是对实际印刷在标线上的标线图案数据的再检查。因此,印刷后的标线图案数据的再检查包括收集关于印刷后的标线图案数据的附加信息。例如,可使用标线再检查器件检查标线上印刷后的标线图案数据。标线再检查器件可以是高放大率光学器件和/或电子束器件。标线再检查工具一般被配置成产生关于步骤66中在标线上检测到的缺陷的附加信息或更详细的信息。
印刷后的标线图案数据的检查和再检查结果被用来确定标线的其它工艺。例如,如果在具有相对敏感的印刷性的标线区域中检测到印刷缺陷,则判断这些印刷缺陷是可修复的。可使用例如聚焦离子束(FIB)修复器件或业内公知的任何其它合适的修复器件进行标线缺陷修复工艺。另外,可一次修复标线上的各个缺陷(例如多个缺陷同时修复)。还应判断是否应清洗标线,如果在标线上发现相对大量的缺陷(例如微粒缺陷),则进行清洗。另外,基于检查和再检查的结果,可判断标线能再被使用(例如重新加工以去除一个或多个加工工序的结果并用期望的较佳结果重复这些加工步骤)还是应当舍弃该标线(即丢弃)。
如果印刷后的标线图案数据经过检查和再检查,则如步骤70所示,用标线制造晶片。制造晶片总地来说包括将标线用来对晶片布图前的一个或多个(或更多)步骤。然而,用标线制造晶片总地来说包括其中将抗蚀层形成在晶片上的平版印刷工艺,而形成在晶片上的图案通过使光透过标线并投影在抗蚀层上并加工抗蚀层而被转移至抗蚀层(通常是通过对化学溶剂的曝光)。标线上的图案或者以非光学方式被转移到抗蚀层上(例如用x射线平版印刷的x射线)。
可根据标线上不同区域的印刷性敏感度而改变平版印刷工艺的一个或多个参数(光学和/或非光学参数)。例如,基于如上所述那样确定的标线图案数据逐区域的敏感度而在晶片上逐区域地改变平版印刷工艺(例如曝光和/或反射性剂量(dose))。理想地,可改变平版印刷工艺的一个或多个参数以增加将具有敏感的印刷性的区域印刷在晶片上的精确度。因此,该方法包括基于标线上不同区域的印刷性敏感度而产生用于制造晶片(未图示)的平版印刷工艺。另外,在晶片上进行的其它布图工艺(例如蚀刻)的参数也基于不同区域的印刷性的敏感度而逐区域地改变。标线制造参数可以相同方式逐区域地变化。
如步骤72所示,用标线制造晶片的结果是印刷在晶片上的标线图案数据。可在对晶片进行其它晶片制造工艺前对晶片进行多个工艺。例如步骤74所示那样,该方法包括对印刷在晶片上的标线图案数据进行检查。可使用业内公知的任何方法(光学、非光学、电子束、散射仪、椭圆光度法、反射计)对印刷在晶片上的标线图案数据进行检查。可根据晶片上不同区域的敏感度而在晶片上逐区域地改变晶片检查的一个或多个参数。可如上所述地基于与晶片上区域对应的标线图案数据的不同区域的敏感度而确定晶片上不同区域的敏感度。晶片检查工艺的改变的一个或多个参数包括能改变晶片检查敏感度的任何参数(例如阈值)。该方法还包括产生晶片检查工艺,其中将不同的检查参数赋予不同的晶片区域。
如步骤76所示,该方法还包括对印刷在晶片上的标线图案数据进行再检查。可如上所述地(例如手动、自动或半自动地)进行对印刷在晶片上的标线图案数据的再检查。另外,可如上所述地根据标线图案数据的不同区域的印刷性敏感度而改变晶片再检查工艺的一个或多个参数。然而,与上述方法不同,在步骤76中进行的再检查是对实际印刷在晶片上的标线图案数据的再检查。因此,印刷后的标线图案数据的再检查包括收集关于印刷于晶片上的标线图案数据的附加信息。例如,印刷后的标线图案数据的再检查包括收集关于印刷于晶片上的标线图案数据的附加信息。例如,可使用晶片再检查工具检查在晶片上印刷完成的标线图案数据。晶片再检查工具可以是高放大率的光学工具、电子束器件或任何业内公知的其它适合工具。晶片再检查工具总地来说被配置成产生关于在步骤74中在晶片上检测到的缺陷的附加信息或更详细信息。
图1所示的方法还包括本文中描述的任何其它步骤。另外,图1所示的方法还包括业内公知的任何其它步骤,例如在晶片上完成器件的制造并在制成的器件上进行电气测试。
实现本文中所描述的方法的程序指令被发送于或存储于载体介质上。载体介质可以是导线、电缆或无线传输链路的传输介质或沿诸如导线、电缆或链路传送的信号。载体介质还可以是存储介质,例如只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘或磁带。
计算机系统可采取各种形式,包括个人计算机系统、大型计算机系统、工作站、网络设备、互联网设备、个人数字助理(PDA)、电视系统或其它设备。总地来说,术语“计算机系统”被广泛地定义成围绕具有一个或多个处理器的任何设备,它执行来自存储介质的指令。
可以任何方式实现程序指令,例如基于进程的技术、基于组件的技术和/或面向对向的技术等。例如,可根据需要使用ActiveX控制、C++对向、JavaBeans、Microsoft Foundation Classes(MFC)或其它技术或方法实现程序指令。
图7示出用来执行本文所述方法的一个或多个步骤的系统的一个实施例。该系统包括计算机系统。计算机系统包括处理器78。处理器包括业内公知的任何适当处理器。例如,处理器可以是映象计算机或并行处理器。系统还包括一个以上的处理器(未图示)。系统还包括载体介质80。载体介质被如上所述地配置。例如,载体介质80包括可执行与处理器78上的程序指令82。程序指令是可执行的以实现上述方法的各实施例。程序指令也如上所述地被配置。
在某些实施例中,系统还包括标线检查和/或度量工具84。标线检查和/或度量工具84被配置成检测标线86上的缺陷(未图示)和/或测量形成于标线86上的特征(未图示)的一个或多个属性。标线检查和/或度量工具84耦合于处理器78。例如,工具84的一个或多个组件通过传输介质(未图示)耦合于处理器78。传输介质包括“有线”和“无线”部分。在另一例子中,工具84的检测器88被配置成产生输出90。输出沿传输介质而从检测器88传送至处理器78。另外,工具84的检测器92被配置成产生输出94,输出94沿传输介质从检测器92传送到处理器78。在某些实施例中,可通过耦合在检测器和处理器之间的一个或多个电子部件而传输输出90、94。因此,输出90、94从工具84被传输到处理器。输出90、94可包括例如检测数据和/或度量数据。程序指令82可在处理器上执行以使用输出90和/或94实现本文中所述的一个或多个计算机实现的方法。
标线检查和/或度量器件84包括平台96,在检查和/或测量期间将标线86置于平台96上。该平台包括业内公知的任何合适的机构或机械手组件。标线检查和/或度量工具84还包括光源98。光源98包括任何业内公知的合适光源。另外,该工具包括分束器100,分束器100被配置成将来自光源98的光沿近似垂直于标线86的上表面的角度进行导向。分束器包括业内公知的任何合适的分束器。或者,可配置光源以使光沿倾斜于标线86表面的照明角被导向。检测器88被配置成检测从标线86上表面反射并由分束器100透射的光。检测器88还被配置成产生输出90。检测器92被配置成检测由标线86透射的光。检测器92还产生输出94。这样,可配置器件84以使用反射的和/或透射的光而检测标线上的缺陷。检测器可包括业内公知的任何合适的检测器。
尽管标线检测和/或度量器件的总体配置如图7所示,但要理解该器件包括任何业内公知的合适配置。例如,该平台包括可从KLA-Tebcor商业购得的8250、8250-R或8450工具中的一种。另外该工具可具有各种结构,例如光学成像系统、基于椭圆光度的系统、基于散射仪的系统或诸如CD SEM的电子束系统。此外,工具84可由诸如晶片检查工具、标线再检查工具、晶片再检查工具等的不同工具代替。处理器还耦合于一个以上的这种工具。
另外,尽管计算机系统的处理器如图所示那样耦合于标线检查和/或度量工具,但要理解在另一实施例中可将该计算机系统配置成单独器件。例如,该计算机系统包括专门设计(和有选择地专用)的一个或多个组件以执行本文中所述的一个或多个方法。计算机系统还被配置成执行本文中所述的任何其它方法,例如模拟如何将标线图案数据印刷在标线和/或晶片上。另外,计算机系统可耦合于制造(fab)数据库,从而计算机系统可将信息发送到/接收自制造数据库。
本领域内技术人员通过对说明书的阅读能够很方便地理解本发明各方面的进一步修正和其它实施例。例如,提供了用于模拟标线图案数据、检查标线图案数据以及产生用于检查标线图案数据工艺的方法。因此本说明书被解释为示例性的并且旨在教会本领域内技术人员实现本发明的一般方式。要理解所图示的和本文中描述的本发明的形式作为目前的较佳实施例。构成和材料可由本文中描述的其它构成和材料替代,部件和工艺顺序可逆,另外可独立地采用本发明的某些特征,这些在本领域内技术人员阅读本发明说明书后就会变得很明显。可在不脱离由下面权利要求所述的本发明精神和范围的前提下对本文中所述构成作出改变。
Claims (24)
1. 一种产生用于检查标线图案数据的工艺的计算机实现的方法,包括:
确定标线图案数据中不同区域对工艺参数改变的印刷性的敏感度;
识别在标线图案数据中的第一区域,其中,标线图案数据中的第一区域的印刷性比第二区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化;以及
将一个或多个检查参数赋予第一区域和第二区域,从而在加工过程中以比第二区域更高的敏感度检查第一区域;
基于一个或多个检查参数而产生用于检查标线图案数据的工艺。
2. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,第一和第二区域的印刷性是标线上的第一和第二区域的印刷性,其中工艺参数包括标线制造工艺参数。
3. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,第一和第二区域的印刷性是晶片上的第一和第二区域的印刷性,其中工艺参数包括标线制造工艺参数以及晶片制造工艺参数。
4. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,第一区域的面积近似等于标线图案数据中一个特征的面积。
5. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,第一区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化,因为第一区域具有比第二区域更窄的工艺窗。
6. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,第一区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化,因为第一区域具有比第二区域更高的掩模误差改善因子。
7. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括为标线图案数据产生再检查工艺,其中产生再检查工艺包括将一个或多个再检查参数赋予第一区域和第二区域以在再检查加工期间用比第二区域更高的敏感度对第一区域进行再检查。
8. 一种用于检查标线图案数据的计算机实现的方法,包括:
确定标线图案数据中不同区域对工艺参数改变的印刷性的敏感度;
识别标线图案数据中的第一区域,其中标线图案数据中的第一区域的印刷性比第二区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化;以及
用比第二区域更高的敏感度检查第一区域。
9. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,第一和第二区域的印刷性是标线上的第一和第二区域的印刷性,其中工艺参数包括标线制造工艺参数。
10. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,第一和第二区域的印刷性是晶片上的第一和第二区域的印刷性,其中工艺参数包括标线制造工艺参数以及晶片制造工艺参数。
11. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,第一区域的面积近似等于标线图案数据中一个特征的面积。
12. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,第一区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化,因为第一区域具有比第二区域更窄的工艺窗。
13. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,第一区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化,因为第一区域具有比第二区域更高的掩模误差改善因子。
14. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述检查包括检测将由标线图案数据的第一和第二区域产生的印刷缺陷。
15. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,在用标线图案数据制造标线前执行所述检查,所述方法还包括基于所述检查的结果而改变标线图案数据。
16. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述确定包括确定标线图案数据的每个区域的印刷性对于工艺参数变化的敏感度如何,其中所述检查包括用基于每个区域的印刷性的敏感度而检查标线图案数据的所述每个区域。
17. 一种用于模拟标线图案数据的计算机实现的方法,包括:
确定标线图案数据中不同区域对工艺参数改变的印刷性的敏感度;
识别标线图案数据中的第一区域;其中标线图案数据中的第一区域的印刷性比第二区域的印刷性更敏感于工艺参数的变化;以及
对如何印刷标线图案数据进行模拟,其中用一个或多个不同的模拟参数进行第一区域和第二区域的模拟,从而以比第二区域更高的保真度对第一区域进行模拟。
18. 如权利要求17所述的方法,其特征在于,第一和第二区域的印刷性是标线上的第一和第二区域的印刷性,其中工艺参数包括标线制造工艺参数。
19. 如权利要求17所述的方法,其特征在于,第一和第二区域的印刷性是晶片上的第一和第二区域的印刷性,其中工艺参数包括标线制造工艺参数以及晶片制造工艺参数。
20. 如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述模拟包括对如何以不同工艺参数印刷标线图案数据进行模拟,其中一个或多个不同的模拟参数包括比第二区域更高的对于第一区域的不同工艺参数的采样。
21. 如权利要求17所述的方法,其特征在于,一个或多个不同的模拟参数包括比第二区域更大数量的第一区域的像素。
22. 如权利要求17所述的方法,其特征在于,还包括基于所述模拟而检测将由标线图案数据产生的印刷缺陷。
23. 如权利要求17所述的方法,其特征在于,还包括基于所述模拟而改变标线图案数据。
24. 如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述模拟包括对整个标线图案数据进行模拟。
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN1890670A (zh) | 2007-01-03 |
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