CN104347673A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

有机发光显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104347673A
CN104347673A CN201410347304.5A CN201410347304A CN104347673A CN 104347673 A CN104347673 A CN 104347673A CN 201410347304 A CN201410347304 A CN 201410347304A CN 104347673 A CN104347673 A CN 104347673A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
winding displacement
unit
electrode
display unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410347304.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104347673B (zh
Inventor
金阳完
郭源奎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Priority to CN201811199239.0A priority Critical patent/CN109390381B/zh
Publication of CN104347673A publication Critical patent/CN104347673A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104347673B publication Critical patent/CN104347673B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8428Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种在制造过程期间防止由掩模导致的对排线的损坏的改善的有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括形成在衬底上的显示单元、形成在衬底上的显示单元的一个外侧的焊盘单元、在衬底上形成为多层结构以将显示单元耦合至焊盘单元的排线单元、覆盖显示单元的薄膜封装层、以及位于显示单元与薄膜封装层之间且包括多个支撑突起的突起单元,其中支撑突起不与多层排线单元的排线的最上层重叠。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年7月24日提交至韩国知识产权局的第10-2013-0087611号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的一个或多个实施方式涉及有机发光显示装置。
背景技术
通常,有机发光显示装置包括设置有由阳极电极和阴极电极之间的有机材料形成的发光层的多个显示单元。当电压分别施加于阳极电极和阴极电极上时,从阳极电极注入的空穴和从阴极电极注入的电子在发光层重组以形成激子。当激子从激发态下降至基态时,发射光并形成图像。
同样,因为当显示单元的发光层直接与水分接触时,发光属性迅速恶化,因此可用封装层覆盖发光层以防止恶化。对于该封装层,适于有机发光显示装置的柔性的薄膜封装层正在研究。
当形成这种薄膜封装层时,进行使用掩模的沉积处理。此处,形成在衬底上的排线可被掩模损坏,从而恶化设备特征。
发明内容
本发明的一个或多个实施方式的方面涉及有机发光显示装置,更具体地,涉及降低制造过程中由于掩模对排线的损坏可能性的改善的有机发光显示装置及其制造方法。
其他方面将在下面的描述中部分阐述并且将部分地通过描述而清楚,或者可通过实践本实施方式而得知。
根据本发明的一个或多个实施方式,有机发光显示装置包括:位于衬底上的显示单元;位于衬底上的显示单元的一个外侧的焊盘单元;排线单元,包括位于衬底上的多个排线层以将显示单元耦合至焊盘单元,多个排线层的每个包括多个排线;位于显示单元上的薄膜封装层;以及位于所述显示单元与所述薄膜封装层之间的突起单元,所述突起单元包括不与排线单元的最上部排线层的多个排线重叠的多个支撑突起。
在形成薄膜封装层时,突起单元配置成支撑掩模。
排线单元可包括:位于衬底上的第一排线层;位于第一排线层上的绝缘层;以及位于绝缘层上作为最上部排线层的第二排线层,并且突起单元的多个支撑突起可不与第二排线层的多个排线重叠。
显示单元可包括:包括电耦合的有源层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管,第一排线层可包括与栅电极相同的材料并与栅电极位于同一层,第二排线层可包括与源电极和漏电极相同的材料并与源电极和漏电极位于同一层。
显示单元还可包括:耦合至漏电极的像素电极;朝向像素电极的对电极;像素电极和对电极之间的发光层;漏电极和像素电极之间的平坦化层;以及分隔像素电极和对电极之间的发光层区域的像素定义层,支撑突起可包括与像素定义层相同的材料并与像素定义层位于同一层上。
突起单元还可包括位于排线单元上并支撑支撑突起的支撑基座。
支撑基座可包括与平坦化层相同的材料并与平坦化层位于同一层。
朝向支撑突起的支撑基座的顶表面可以是完全平坦的。
附加突起区域可形成在支撑突起和支撑基座之间。
薄膜封装层可包括至少一个无机层并且可在突起单元上形成无机层的焊盘单元侧边界。
薄膜封装层可包括至少一个无机层,并且可在更靠近显示单元处且在突起单元的顶表面之外形成无机层的焊盘单元侧边界。
薄膜封装层可包括交替层叠的至少一个有机层和至少一个无机层。
衬底可包括柔性衬底。
根据本发明的一个或多个实施方式,用于制造有机发光显示装置的方法包括:在衬底上形成显示单元;在衬底上的显示单元的一个外侧形成焊盘单元;在衬底上形成包括多个排线层的排线单元以将显示单元耦合至焊盘单元;在显示单元上形成包括支撑突起的突起单元,支撑突起不与排线单元的最上层的排线重叠;在突起单元上设置掩模;以及形成覆盖显示单元的薄膜封装层。
形成包括多个排线层的排线单元可包括:在衬底上形成第一排线层;在第一排线层上形成绝缘层;以及在绝缘层上形成作为最上层的第二排线层,形成突起单元可包括在除了第一排线层与第二排线层重叠的区域之外的区域中形成用于支撑掩模的支撑突起。
形成显示单元可包括:形成包括电耦合的有源层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管,并且在形成排线单元期间,第一排线层可由与栅电极相同的材料形成并且与栅电极位于同一层,第二排线层可由与源电极和漏电极相同的材料形成并与源电极和漏电极位于同一层。
形成显示单元还可包括:在薄膜晶体管上形成平坦化层;在平坦化层上形成耦合至漏电极的像素电极;形成分隔发光层区域的像素定义层;在像素电极上形成发光层;以及在发光层上形成对电极以朝向像素电极,并且在形成突起单元期间,支撑突起可由与像素定义层相同的材料形成。
形成突起单元还可包括在排线单元上形成支撑支撑突起的支撑基座。
支撑基座可由与平坦化层相同的材料形成并与平坦化层位于同一层上。
朝向支撑突起的支撑基座的顶表面可以是完全平坦的。
附加突起区域可设置在支撑突起和支撑基座之间。
薄膜封装层可包括至少一个无机层并且可在突起单元上形成无机层的焊盘单元侧边界。
薄膜封装层可包括至少一个无机层,并且可在更靠近显示单元处且在突起单元的顶表面之外形成焊盘单元侧边界。
薄膜封装层可包括交替层叠的有机层和无机层。
衬底可包括柔性衬底。
附图说明
结合以下附图,这些和/或其他方面将变得明显并且从实施方式的下述描述更易于理解:
图1是示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的平面视图;
图2是沿着图1的线II-II’获得的剖视图;
图3是沿着图1的线III-III’获得的剖视图;
图4A是图3的区域A的放大图;
图4B到图4D是示出了图4A所示的边界线的各个位置的示意图;
图5A到5F是按照顺序示出了制造图2和图3所示的有机发光显示装置的过程的剖视图;
图6是根据本发明的另一个实施方式示出了有机发光显示装置的剖视图;以及
图7是根据本发明的另一个实施方式示出了有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地描述实施方式,实施方式的示例在附图中示出,其中在全文中相似的参考数字指代相似的元件。就这点而言,本实施方式可具有不同的形式,并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此,通过参考附图,实施方式仅如下描述以解释本说明书的多个方面。当诸如“至少一个”的表述位于在一系列元件之前时,修饰元件的整个列表而并非修饰列表中的单个元件。此外,当描述本发明的实施方式时使用“可以”指的是“本发明的一个或多个实施方式。”
本发明的示例实施方式将参考附图在下面更详细地描述。
全文中相似的参考数字指代相似的元件。为了不会不必要地模糊本发明的重点,将不再重复已知功能或配置的详细说明。
在附图中,为了清楚起见,层或区域的厚度可被放大。同样,应当理解,当元件(如层、膜、区域或板)被称作“在”另一个元件“上”、“连接至另一个元件”或“耦合至”另一个元件时,其可直接在该另一个元件上、连接至或耦合至该另一个元件,或者可存在中间元件。
图1是示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的平面视图。图2是沿着图1的线II-II’获得的剖视图。图3是沿着图1的线III-III’获得的剖视图。
参考图1至图3,根据本发明的实施方式的有机发光显示装置包括衬底100、设置在衬底100上以显示图像的显示单元200以及显示单元200上的薄膜封装层300。薄膜封装层300覆盖显示单元200。因此,显示单元200可介于衬底100与薄膜封装层300之间。显示单元200可被安全地保护以避免水分渗透。使用的衬底100可以是如聚酰亚胺(PI)的柔性材料衬底。
用于将显示单元200耦合至电源的焊盘单元110设置在衬底100上显示单元200的一个外侧(例如,显示单元200外部的一侧),并且具有多个第一排线410的第一排线层400A和具有多个第二排线420的第二排线层400B形成为排线单元400以将焊盘单元110耦合至显示单元200。第一排线410和第二排线420形成在其间具有绝缘层232的不同层。另外,突起单元500形成在排线单元400上。因为突起单元500在用于形成薄膜封装层300的沉积过程中支撑掩模M,因此突起单元500可用于抑制或降低掩模M损坏排线单元400的可能性。
为了便于说明,与本发明的实施方式不同,比较示例为不具有突起单元500的结构。在这种情况下,如上所述,当掩模M被设置以形成薄膜封装层300时,因为设置在最上层上的第二排线420直接接触掩模M而没有任何防护层,因而可能发生诸如划痕的损坏。同样,设置在第一排线410和第二排线420之间的绝缘层232可能由于掩模的负荷而被破坏从而引起短路。
然而,在本发明的上述实施方式中,突起部分500支撑掩模M以防止排线单元400被损坏。即,因为竖立突起单元500而支撑掩模M从而第二排线420不直接接触掩模M,因此可防止(例如,避免)缺陷(如划痕)的潜在原因。突起单元500包括形成在排线单元400上的支撑基座510(例如,沿着显示单元200的侧边以比排线单元400窄的带状形式),以及形成在支撑基座510上以支撑掩模M的支撑突起520。另外,如图2所示,支撑突起520可形成在排线单元400上除了第一排线410与第二排线420重叠的区域之外的区域上。因此,由于掩模M的负荷而在第一排线410和第二排线420之间发生短路的可能性可被有效地降低。即,当设置掩模M时,负荷主要施加在直接支撑掩模M的支撑突起520所在的位置。因此,如果第一排线410和第二排线420在支撑突起520下方重叠,绝缘层232可能被破坏并且短路的可能性增加。然而,如在上述结构中,当支撑突起520形成在排线单元400上除了第一排线410与第二排线420重叠的区域之外的区域上时,即使绝缘层232的一部分由于负荷而被破坏,但因为第一排线410和第二排线420在绝缘层232被负荷破坏的区域不重叠,因此可防止或减少第一排线410和第二排线420之间的接触,可有效地拟制或减少故障(如短路)的发生。
另外,第一排线410可通过接触孔耦合至焊盘单元110。第二排线420可与焊盘单元110齐平设置。此处,第二排线420可延伸为焊盘单元110的一部分。另外,第二排线420可通过其他元件耦合至焊盘单元110。
如图3所示,第一排线410和第二排线420以及突起单元500可在形成显示单元200的薄膜晶体管TFT和像素220的过程期间形成。即,它们不是通过单独的附加过程形成的,而是在形成显示单元200时一起形成的。
参考图3,将对显示单元200的结构进行示意性说明。TFT可包括有源层211、栅电极212、源电极213以及漏电极214。栅极绝缘层231可设置在栅电极212和有源层211之间。另外,注入高密度杂质的源区和漏区可形成在有源层211的两个边缘上,并且可分别耦合至源电极213和漏电极214。因此,当适当的电压施加于栅电极212时,有源层211的源区和漏区之间的区域作为通道以允许电流从源电极213流向漏电极214。
像素220可包括耦合至TFT的漏电极214的像素电极221、作为阴极的对电极223以及设置在像素电极221和对电极223之间的发光层222。参考数字“233”表示平坦化层以及“234”表示分隔像素区域的像素定义层。
另外,排线单元400和突起单元500之间的位置关系可描述如下。排线单元400可包括:包括形成在衬底100上的多个第一排线410的第一排线层、形成在第一排线410上的绝缘层232以及包括形成在绝缘层232上的多个第二排线420的第二排线层。因此,第一排线410和第二排线420通过绝缘层232隔开。在图1的平面视图中第一排线410的一部分与第二排线420重叠。突起部分500的支撑基座510在排线单元400上方与第一排线410和第二排线420相交,并且支撑突起520不与作为最上层的第二排线420重叠。即,如上所述,第二排线420不与第一排线410重叠的区域代表形成有支撑突起520的区域,但不在第一排线410与第二排线420重叠的区域。即,当设置掩模M时,负荷主要施加在直接支撑掩模M的支撑突起520的位置。因为支撑突起520不形成在第一排线410与第二排线420重叠的区域,因此即使绝缘层232的一部分被负荷损坏,也可减少或防止第一排线410与第二排线420之间的接触。
在下文中,将描述制造具有该结构的有机发光显示装置的过程。
首先,如图5A所示,显示单元200的TFT的有源层211、栅极绝缘层231以及栅电极212按照顺序形成在衬底100上。此处,高密度杂质注入有源层211的两个边缘以形成源区和漏区,并且源电极213和漏电极214可分别耦合至源区和漏区。有源层211位于源区和漏区之间的中央部分形成为通道区域。另外,当形成栅电极212时,排线单元400的第一排线410由与栅电极212相同的材料形成并与栅电极212位于同一层上。
此后,如图5B所示,再形成绝缘层232,然后TFT的源电极213和漏电极214形成在绝缘层232上。此处,接触孔形成(限定)在栅极绝缘层231和绝缘层232中以分别将源电极213耦合至有源层211的源区和将漏电极214耦合至有源层211的漏区。另外,排线单元400的第二排线420由与源电极213和漏电极214相同的材料形成并与源电极213和漏电极214位于同一层上。
此后,如图5C所示,平坦化层233形成在显示单元200上,像素220的像素电极221形成在平坦化层233上。此处,当形成平坦化层时,突起单元500的支撑基座510由与平坦化层233相同的材料形成并与平坦化层233位于同一层上。
另外,如图5D所示,像素220的像素定义层234、发光层222以及对电极223按照顺序形成,并且在此处,当形成像素定义层234时,突起单元500的支撑突起520由与像素定义层234相同的材料形成并与像素定义层234在同一层上。此处,如上所述的支撑突起520可形成在排线单元400上除了第一排线410与第二排线420重叠的区域之外的区域上。
接下来,形成用于覆盖显示单元200的薄膜封装层300的无机层310。此处,如图5E所示,用于形成薄膜封装层300的掩模M固定(或放置)在支撑突起520上。如此,因为掩模M不直接接触排线410和420,因此在形成无机层310时,由于掩模M而引起的排线410和420的损坏可被防止或降低。同样,如上所述,因为支撑突起520形成在排线单元400上除了第一排线410与第二排线420重叠的区域之外的区域上,即使设置在支撑突起520下方的绝缘层232由于掩模M的负荷而损坏,由于第一排线410和第二排线420之间的接触而引起短路可被降低或拟制。此后,如图5F所示,有机层和无机层再次交替层叠在无机层310上以完成薄膜封装层300。薄膜封装层300的层叠结构的示例将在下面更详细地说明。
当形成薄膜封装层300时,因为掩模M设置在支撑突起520上,因此通过掩模M的开口沉积的薄膜封装层300在焊盘单元侧上的边界形成在突起单元500上。根据本发明的实施方式,如图4A所示,薄膜封装层300的焊盘单元侧边界L形成在突起单元500的中心位置。如图4B所示,边界L可替代地形成为更靠近显示单元200。相反地,如图4C所示,边界L可形成为更靠近焊盘单元110。如图4D所示,掩模M被设置以覆盖突起单元500的整个顶表面从而边界L可更靠近显示单元200形成在突起单元500的上表面外部。
如上所述,薄膜封装层300可由具有单层或多层结构的无机层310形成,并且可具有至少一个无机层310和至少一个有机层交替层叠的多层结构。无机层310可通过掩模M而具有边界L,有机层可通过用于有机层的不同掩模而具有与无机层310不同的边界。
例如,薄膜封装层300可形成为包括金属氧化物或金属氮化物的单层或多层结构。更具体地,无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的至少一个。薄膜封装层300暴露于外部的最上层可形成为无机层以防止或降低水分渗入显示单元200中。另外,薄膜封装层300可包括至少一个夹层结构,在该夹层结构中,至少一个有机层插入至少两个无机层之间。此外,薄膜封装层300可包括至少一个夹层结构,在该夹层结构中,至少一个无机层插入至少两个有机层之间。薄膜封装层300可包括按照顺序层叠在显示单元200上的第一无机层、第一有机层和第二无机层。另外,薄膜封装层300可包括按照顺序层叠在显示单元200上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。另外,薄膜封装层300可包括按照顺序层叠在显示单元200上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。包括LiF的卤化金属层可附加地包括在显示单元200和第一无机层之间。当通过溅射法或等离子体沉积法形成第一无机层时,卤化金属层可防止显示单元200被损坏。第一有机层可具有比第二无机层更窄的区域,并且第二有机层可具有比第三无机层更窄的区域。此外,第一有机层可被第二无机层完全覆盖。第二有机层可被第三无机层完全覆盖。
有机层可由适当的高分子材料形成,并且可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧基树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种。在一个实施方式中,有机层由聚丙烯酸酯形成。更详细地,有机层可包括聚合的单体组合物,其中聚合的单体组合物包括二丙烯酸酯系单体和丙烯酸酯系单体。单体组合物还可包括单丙烯酸酯系单体。此外,单体组合物还可包括合适的光引发剂(如TPO,但不限于此)。
因此,薄膜封装层300可提供为各种形式,并且此处使用的掩模M可固定在突起单元500上以安全地使用而不损坏排线410和420。
在下文中,将描述基本结构的可能变型的实施例。参考图6,支撑突起520可与第二排线420形成在同一层上。此处,支撑突起520形成在绝缘层232中除了第一排线410与第二排线420重叠的区域之外的区域上。
另外,如图7所示,现在描述其他实施例。如前述实施方式,突起单元500包括支撑基座510和支撑突起520。支撑基座510还可包括突起区域510a(例如,在第一排线和第二排线不重叠的区域中)。另外,支撑突起520可设置在支撑基座510的突起区域510a上。因此,支撑突起520与第一排线410和第二排线420之间的距离可进一步增加。如在上述实施方式中,即使支撑基座510的表面可以是平的,但支撑基座510的表面可改变为进一步包括突起区域510a(例如,在第一排线和第二排线不重叠的区域中)的形状。同样地,该结构可以多种方式变化。
根据如上所述的有机发光显示装置和其制造方法,由于掩模导致的对排线的损坏可有效地降低或防止。因此,产品缺陷率可显著降低。
尽管本发明已经参考附图所示的示例性实施方式进行了说明,应当理解,许多其他变型和实施方式可由本领域的技术人员设计出来。因此,本发明的保护范围应当由所附权利要求的精神和范围及其等同来确定。
应当理解,此处描述的示例性实施方式应被认为是描述意义而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的说明通常应被认为可用于其他实施方式中的其他相似特征和方面。
虽然本发明的一个或多个实施方式已经参考附图进行了描述,但本领域的技术人员应当理解,可在不脱离如下面的权利要求及其等同所定义的本发明的精神和范围的前提下,对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (25)

1.有机发光显示装置,包括:
显示单元,位于衬底上;
焊盘单元,位于所述衬底上的所述显示单元的一个外侧;
排线单元,包括位于所述衬底上的多个排线层以将所述显示单元耦合至所述焊盘单元,所述多个排线层的每个包括多个排线;
薄膜封装层,位于所述显示单元上;以及
突起单元,位于所述显示单元与所述薄膜封装层之间且包括多个支撑突起,所述支撑突起不与所述排线单元的最上部排线层的多个排线重叠。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述突起单元配置成在形成所述薄膜封装层时支撑掩模。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述排线单元包括:位于所述衬底上的第一排线层;位于所述第一排线层上的绝缘层;以及位于所述绝缘层上作为所述最上部排线层的第二排线层,
所述突起单元的所述多个支撑突起不与所述第二排线层的多个排线重叠。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置,其中:
所述显示单元包括:包括电耦合的有源层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管;
所述第一排线层包括与所述栅电极相同的材料并与所述栅电极位于同一层,所述第二排线层包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料并与所述源电极和所述漏电极位于同一层上。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置,其中:
所述显示单元还包括:
耦合至所述漏电极的像素电极;
朝向所述像素电极的对电极;
所述像素电极和所述对电极之间的发光层;
所述漏电极和所述像素电极之间的平坦化层;以及
像素定义层,分隔所述像素电极和所述对电极之间的发光层区域,
其中,所述支撑突起包括与所述像素定义层相同的材料并与所述像素定义层位于同一层。
6.如权利要求4所述的有机发光显示装置,其中:
所述突起单元还包括位于所述排线单元上并支撑所述支撑突起的支撑基座。
7.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其中:
所述支撑基座包括与所述平坦化层相同的材料并与所述平坦化层位于同一层。
8.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其中:
朝向所述支撑突起的所述支撑基座的顶表面是完全平坦的。
9.如权利要求6所述的有机发光显示装置,还包括:
所述支撑突起和所述支撑基座之间的附加突起区域。
10.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述薄膜封装层包括至少一个无机层并且在所述突起单元上形成所述无机层的焊盘单元侧边界。
11.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述薄膜封装层包括至少一个无机层,并且在更靠近所述显示单元处且在所述突起单元的顶表面之外形成所述无机层的焊盘单元侧边界。
12.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述薄膜封装层包括交替层叠的至少一个有机层和至少一个无机层。
13.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述衬底包括柔性衬底。
14.用于制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:
在衬底上形成显示单元;
在所述衬底上的所述显示单元的一个外侧形成焊盘单元;
在所述衬底上形成包括多个排线层的排线单元以将所述显示单元耦合至所述焊盘单元;
在所述显示单元上形成包括支撑突起的突起单元,所述支撑突起不与所述排线单元的最上层的排线重叠;
在所述突起单元上设置掩模;以及
形成覆盖所述显示单元的薄膜封装层。
15.如权利要求14所述的方法,其中,
形成包括多个排线层的排线单元包括:在所述衬底上形成第一排线层;在所述第一排线层上形成绝缘层;以及在所述绝缘层上形成第二排线层作为所述最上层,
形成所述突起单元包括在除了所述第一排线层与所述第二排线层重叠的区域之外的区域中形成用于支撑所述掩模的所述支撑突起。
16.权利要求15所述的方法,其中,形成所述显示单元包括:
形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括电耦合的有源层、栅电极、源电极和漏电极,
在形成所述排线单元过程中,所述第一排线层由与所述栅电极相同的材料形成并与所述栅电极位于同一层,所述第二排线层由与所述源电极和所述漏电极相同的材料形成并与所述源电极和所述漏电极位于同一层。
17.权利要求16所述的方法,其中,形成所述显示单元还包括:
在所述薄膜晶体管上形成平坦化层;
在所述平坦化层上形成耦合至所述漏电极的像素电极;
形成分隔发光层区域的像素定义层;
在所述像素电极上形成所述发光层;以及
在所述发光层上形成对电极以朝向所述像素电极,
在形成所述突起单元过程中,所述支撑突起由与所述像素定义层相同的材料形成。
18.如权利要求17所述的方法,其中:
形成所述突起单元还包括在所述排线单元上形成支撑所述支撑突起的支撑基座。
19.如权利要求18所述的方法,其中:
所述支撑基座由与所述平坦化层相同的材料形成并与所述平坦化层位于同一层上。
20.如权利要求18所述的方法,其中:
朝向所述支撑突起的所述支撑基座的顶表面是完全平坦的。
21.如权利要求18所述的方法,其中:
在所述支撑突起和所述支撑基座之间形成附加突起区域。
22.如权利要求14所述的方法,其中:
所述薄膜封装层包括至少一个无机层并且在所述突起单元上形成所述无机层的焊盘单元侧边界。
23.如权利要求14所述的方法,其中:
所述薄膜封装层包括至少一个无机层,并且在更靠近所述显示单元处以及在所述突起单元的顶表面之外形成焊盘单元侧边界。
24.如权利要求14所述的方法,其中:
所述薄膜封装层包括交替层叠的有机层和无机层。
25.如权利要求14所述的方法,其中:
所述衬底包括柔性衬底。
CN201410347304.5A 2013-07-24 2014-07-21 有机发光显示装置及其制造方法 Active CN104347673B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811199239.0A CN109390381B (zh) 2013-07-24 2014-07-21 有机发光显示装置及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130087611 2013-07-24
KR10-2013-0087611 2013-07-24

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811199239.0A Division CN109390381B (zh) 2013-07-24 2014-07-21 有机发光显示装置及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104347673A true CN104347673A (zh) 2015-02-11
CN104347673B CN104347673B (zh) 2018-11-09

Family

ID=51212701

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410347304.5A Active CN104347673B (zh) 2013-07-24 2014-07-21 有机发光显示装置及其制造方法
CN201811199239.0A Active CN109390381B (zh) 2013-07-24 2014-07-21 有机发光显示装置及其制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811199239.0A Active CN109390381B (zh) 2013-07-24 2014-07-21 有机发光显示装置及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US9614021B2 (zh)
EP (1) EP2830095B1 (zh)
KR (3) KR102210987B1 (zh)
CN (2) CN104347673B (zh)
TW (2) TWI689120B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107240596A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 三星显示有限公司 显示设备
CN109728041A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
WO2019100609A1 (zh) * 2017-11-27 2019-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 掩膜版及薄膜封装方法
CN112909205A (zh) * 2021-02-03 2021-06-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10347702B2 (en) * 2014-10-22 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device
KR102465384B1 (ko) 2015-07-23 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6726973B2 (ja) * 2016-02-01 2020-07-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2017152257A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102641816B1 (ko) * 2016-07-19 2024-02-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102402597B1 (ko) * 2017-10-20 2022-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102524346B1 (ko) * 2018-01-03 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
TWI642176B (zh) * 2018-01-15 2018-11-21 友達光電股份有限公司 陣列基板以及顯示面板
KR102551354B1 (ko) * 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102658427B1 (ko) 2018-09-11 2024-04-17 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021103504A1 (zh) 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2021102988A1 (zh) 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2021103010A1 (zh) 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
EP4068260A4 (en) 2019-11-29 2022-12-07 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
KR20210151304A (ko) 2020-06-04 2021-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113659097B (zh) * 2021-09-13 2024-02-02 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060123293A1 (en) * 2004-10-08 2006-06-08 Kim Yang W Organic light emitting display
CN1825616A (zh) * 2004-09-29 2006-08-30 株式会社半导体能源研究所 显示装置、电子设备及该显示装置的制造方法
US20080224600A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-18 Choong-Youl Im Organic light emitting display (OLED) device and method of fabricating the same
US20110163662A1 (en) * 2010-01-05 2011-07-07 Won-Kyu Lim Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN102479926A (zh) * 2010-11-19 2012-05-30 三星移动显示器株式会社 显示装置、有机发光二极管显示器以及密封衬底的制造方法
CN102487071A (zh) * 2010-12-02 2012-06-06 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN102969456A (zh) * 2011-08-30 2013-03-13 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US7098069B2 (en) * 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP2003253434A (ja) 2002-03-01 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法及び表示装置の製造方法
KR100551046B1 (ko) * 2003-08-28 2006-02-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 이엘 소자
KR20060104531A (ko) * 2005-03-30 2006-10-09 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치의 제조방법
JP5376705B2 (ja) * 2005-04-28 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示パネル
US7710739B2 (en) 2005-04-28 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR100695169B1 (ko) * 2006-01-11 2007-03-14 삼성전자주식회사 평판표시장치
KR20070050763A (ko) 2006-06-29 2007-05-16 주식회사 대우일렉트로닉스 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법
KR101287215B1 (ko) 2006-11-28 2013-07-16 엘지디스플레이 주식회사 Tft 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100815765B1 (ko) 2007-05-15 2008-03-20 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100897157B1 (ko) * 2008-02-28 2009-05-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5478916B2 (ja) * 2008-03-14 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 Soi基板の作製方法
KR101155907B1 (ko) * 2009-06-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101074806B1 (ko) * 2009-12-10 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101117726B1 (ko) * 2009-12-15 2012-03-07 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이용 기판, 이를 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101173961B1 (ko) 2010-03-24 2012-08-14 (주)한 송 대면적 amoled 다면취 패널 제작용 셀 분할마스크 및 이를 이용한 마스크프레임어셈블리
JP2011222146A (ja) 2010-04-05 2011-11-04 Canon Inc 有機el表示装置の製造方法
KR101745644B1 (ko) * 2010-05-28 2017-06-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI516851B (zh) * 2011-05-05 2016-01-11 友達光電股份有限公司 液晶顯示面板的引線結構以及具有此引線結構的液晶顯示面板
KR102040242B1 (ko) * 2011-05-12 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
US9122116B2 (en) * 2011-07-20 2015-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display panel including the same
KR20130025717A (ko) * 2011-09-02 2013-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101900364B1 (ko) * 2011-12-22 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1825616A (zh) * 2004-09-29 2006-08-30 株式会社半导体能源研究所 显示装置、电子设备及该显示装置的制造方法
US20060123293A1 (en) * 2004-10-08 2006-06-08 Kim Yang W Organic light emitting display
US20080224600A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-18 Choong-Youl Im Organic light emitting display (OLED) device and method of fabricating the same
US20110163662A1 (en) * 2010-01-05 2011-07-07 Won-Kyu Lim Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN102479926A (zh) * 2010-11-19 2012-05-30 三星移动显示器株式会社 显示装置、有机发光二极管显示器以及密封衬底的制造方法
CN102487071A (zh) * 2010-12-02 2012-06-06 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN102969456A (zh) * 2011-08-30 2013-03-13 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107240596A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 三星显示有限公司 显示设备
CN109728041A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN109728041B (zh) * 2017-10-31 2023-05-12 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
US11656709B2 (en) 2017-10-31 2023-05-23 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
WO2019100609A1 (zh) * 2017-11-27 2019-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 掩膜版及薄膜封装方法
US10873052B2 (en) 2017-11-27 2020-12-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Mask plate and thin-film encapsulation method
CN112909205A (zh) * 2021-02-03 2021-06-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109390381B (zh) 2023-08-29
US20150028303A1 (en) 2015-01-29
TW201904106A (zh) 2019-01-16
KR20210135436A (ko) 2021-11-15
EP2830095A2 (en) 2015-01-28
CN104347673B (zh) 2018-11-09
CN109390381A (zh) 2019-02-26
KR102322017B1 (ko) 2021-11-09
TWI638474B (zh) 2018-10-11
EP2830095B1 (en) 2023-05-03
KR20210013636A (ko) 2021-02-04
KR20150012203A (ko) 2015-02-03
US11296175B2 (en) 2022-04-05
US9614021B2 (en) 2017-04-04
EP2830095A3 (en) 2015-04-15
US20170207291A1 (en) 2017-07-20
US20190371877A1 (en) 2019-12-05
TW201508968A (zh) 2015-03-01
TWI689120B (zh) 2020-03-21
KR102210987B1 (ko) 2021-02-04
KR102367275B1 (ko) 2022-02-25
US10431644B2 (en) 2019-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104347673A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US10872932B2 (en) Organic electroluminescent display substrate, method for manufacturing the same and display device
KR102329159B1 (ko) 이중층 산화물 반도체 물질을 구비한 박막 트랜지스터 기판
US10964909B2 (en) Organic light emitting diode display device having a dam for controlling flow of encapsulant
KR101430173B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102082407B1 (ko) 플렉서블 기판, 플렉서블 표시 장치, 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
US9941338B2 (en) Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
KR102522533B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR20190107253A (ko) 표시장치 및 그의 제조방법
EP3291301A1 (en) Organic light-emitting display device having a partition wall
CN112366280B (zh) 触控显示面板及显示装置
KR102269099B1 (ko) 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102211066B1 (ko) 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102255591B1 (ko) 고 개구율 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판
KR20150042604A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100658341B1 (ko) 전계발광소자 및 그 제조방법
KR102723663B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20230217750A1 (en) Light emitting display device
US20230320142A1 (en) Display device and manufacturing method of display device
KR102408904B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102268516B1 (ko) 초고해상도 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant