CN104347087A - 磁记录介质及磁存储装置 - Google Patents

磁记录介质及磁存储装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104347087A
CN104347087A CN201410363017.3A CN201410363017A CN104347087A CN 104347087 A CN104347087 A CN 104347087A CN 201410363017 A CN201410363017 A CN 201410363017A CN 104347087 A CN104347087 A CN 104347087A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate layer
magnetic recording
alloy
recording media
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410363017.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104347087B (zh
Inventor
张磊
神边哲也
村上雄二
丹羽和也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lishennoco Co ltd
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Publication of CN104347087A publication Critical patent/CN104347087A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104347087B publication Critical patent/CN104347087B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
    • G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
    • G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
    • G11B5/737—Physical structure of underlayer, e.g. texture

Abstract

一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。

Description

磁记录介质及磁存储装置
技术领域
本发明涉及一种磁记录介质及磁存储装置。
背景技术
近些年，对于硬盘驱动器HDD的大容量化的需求日益增强。作为满足该需要的手段，提出了一种热辅助记录方式，其利用搭载有激光光源的磁头对磁记录介质进行加热并进行记录。在热辅助记录方式中，由于可通过对磁记录介质进行加热而大幅降低矫顽力，因此对于记录介质的磁性层可以使用晶体磁各向异性常数Ku高的材料。因此，能够仍维持热稳定性的同时使磁性粒径的细小化成为可能，并实现1Tbit/inch2级的面密度。
另外，作为下一代记录方式而被关注的其他的技术，还有一种微波辅助磁记录方式。微波辅助磁记录方式是对磁记录介质的磁性层照射微波而使磁化方向从易磁化轴倾斜，使磁性层的磁化局部地反转来记录磁信息的方式。
与热辅助磁记录方式相同，在微波辅助磁记录方式中，作为磁性层的材料，可以使用由具有L10型结晶结构的合金所构成的高Ku磁性材料。
作为高Ku磁性材料，提出了L10型FePt合金、L10型CoPt合金、L11型CoPt合金等规则合金等。另外，在磁性层中，为了将由上述规则合金构成的结晶粒隔断，作为晶界相材料添加有SiO2、TiO2等氧化物、或C、BN等。通过使其成为利用晶界相来分离磁性磁晶粒的粒状结构，从而能够降低磁粒子间的交换耦合，并能够实现高介质SN比。
近些年，有需求进一步的高记录密度化，为了提高记录密度，关于最佳的衬底层(基底层)的结构进行了研究。
作为进一步提高记录密度的方法，例如可举出设成垂直磁各向异性高的磁记录介质的方法。并且，作为设成垂直磁各向异性高的磁记录介质的方法，可举出使磁性层中的L10型规则合金取得良好的(001)取向的方法。对于磁性层的取向，由于可以通过衬底层来控制，因此通过使用适当的衬底层，能够使L10型规则合金取得良好的(001)取向。
在专利文献1中记载了通过在以(100)的结晶面平行于基板的方式而被控制的衬底层上形成L10型FePt合金而使该FePt合金取得(001)取向，其中该衬底层以MgO等为主成分。
另外，作为进一步提高记录密度的其他的方法，可举出缩小磁性层的粒径的方法，此时，需要一种具有即便使磁性层的磁性粒子的粒径微小化也可维持热稳定性的L10型晶体结构的合金。
例如，在专利文献2中记载了通过在由以Cr为主成分且含有Ti等的BCC结构的合金所构成的衬底层中添加B、Si、C，从而能够降低磁性层的磁耦合，并减小簇尺寸。
<现有技术文献>
<专利文献>
专利文献1：(日本)特开平11-353648号公报
专利文献2：国际公布第2011/021652号
发明内容
<本发明所要解决的技术问题>
然而，当使用上述专利文献1、2所公开的衬底层时，有时会在衬底层之间、衬底层与磁性层之间发生应力剥离，因此存在耐腐蚀性不足、可靠性低的问题。
鉴于上述现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种耐腐蚀性高的磁记录介质。
<用于解决技术问题的方案>
本发明提供一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
<发明的效果>
根据本发明，能够提供一种耐腐蚀性高的磁记录介质。
附图说明
图1是本发明的第2实施方式的磁存储装置的结构图。
图2是本发明的第2实施方式的磁头的结构图。
图3是实施例1中制作的热辅助磁记录介质的层结构的剖面示意图。
图4是实施例2中制作的热辅助磁记录介质的层结构的剖面示意图。
符号说明
101、212  磁记录介质
100  磁存储装置
301、401  基板
304、404  第三衬底层
305、405  第一衬底层
306、406  第二衬底层
307、407  磁性层
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明，本发明并不限定于以下实施方式，在不脱离本发明的范围的情况下，可对以下实施方式施加各种变形及置换。
<第1实施方式>
对本实施方式的磁记录介质的结构例子进行说明。
本实施方式的磁记录介质具有基板、形成在基板上的多个衬底层、以及以具有L10结构的合金为主成分的磁性层。
并且，多个衬底层至少包括第一衬底层、以及第二衬底层。
在此，第一衬底层可含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素。
第二衬底层可由含有MgO的层构成。
第一衬底层和第二衬底层连续积层。换言之，第一衬底层和第二衬底层可以接触地设置。
以下，对本实施方式的磁记录介质中所包括的各部件进行说明。
首先，作为基板并无特别的限定，例如优选使用具有非晶质、或微晶体结构的耐热玻璃基板。对于本实施方式的磁记录介质，由于有时会在磁性层形成时进行400℃以上的基板加热，因此作为基板当使用耐热玻璃基板时，优选使用玻璃转变温度为400℃以上的材质。
接着，对多个衬底层进行说明。
多个衬底层中至少包括第一衬底层和第二衬底层，第一衬底层和第二衬底层优选连续积层的多层结构。
对第一衬底层进行说明。
第一衬底层含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素。
此时，第一衬底层例如可由含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素的合金构成。具体来说，第一衬底层例如可由W-Ta-Ti、W-Ta-V、W-Nb-Ti、W-Nb-V、W-Ti-V、Mo-Ta-Ti、Mo-Ta-V、Mo-Nb-Ti、Mo-Nb-V、Mo-Ti-V等合金构成。另外，优选含有20原子％以上80原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，更优选含有30原子％以上70原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素。此时，第一衬底层的晶格常数例如可以设为从0.304nm(Mo-70原子％V时)到0.329nm(W-70原子％Ta时)的范围。
另外，优选第一衬底层还含有选自B、Si、C、B2O3、SiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO2、TiO、ZnO、La2O3、NiO、FeO、CoO的一种以上的物质。通过含有上述物质，能够改善第一衬底层的晶体粒子尺寸和分散度。因此，能够提高磁性层的例子分散度，与未添加该物质的情况相比，能够提高磁记录介质的矫顽力，并能够进一步提高介质SN比。
对第二衬底层进行说明。第二衬底层可由含有MgO的层构成，特别优选由MgO构成。第二衬底层优选在(100)取向的第一衬底层上外延生长。此时，第一衬底层的(100)面的<110>方向与MgO的(100)面的<100>方向平行。因此，如果设第一衬底层的晶格常数为a1、第二衬底层的晶格常数为a2，则第一衬底层与第二衬底层的晶格错配度被定义为(a2-√2a1)/(a2)。
作为第二衬底层，例如当在第一衬底层上外延生长MgO层时，优选在MgO的膜面内导入拉伸应力。由此，能够在用于磁性层的具有L10型结构的合金中导入拉伸应力并促进规则化。
如上所述作为第二衬底层当在上述第一衬底层之上外延生长MgO层时，由于晶格错配，优选MgO层包括2～10％的拉伸应力。此时，第二衬底层容易引起应力剥离，但由于在第一衬底层中添加了Ta、Nb、Ti、V等易氧化的元素，因此能够提高构成第二衬底层的MgO层与第一衬底层之间的界面的粘接强度。因此，由于能够抑制应力剥离的发生，因此能够提高磁记录介质的耐腐蚀性，并能够提高可靠性。
并且，如上所述，优选第一衬底层含有20原子％以上(大于等于20原子％)80原子％以下(小于等于80原子％)的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上(大于等于两种)的元素。但是，通过使选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素的含有量为30原子％以上，能够特别地提高构成第二衬底层的MgO层与第一衬底层的界面粘接强度。换言之，能够特别地提高耐腐蚀性。另外，如果选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素的含有量超过70原子％，则有时磁记录介质的矫顽力会降低。因此，优选第一衬底层含有30原子％以上70原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上(大于等于两种)的元素。
对于第二衬底层的膜厚并无特别限定，优选为0.5nm以上5nm以下。当第二衬底层的膜厚小于0.5nm时，由于有时MgO无法得到良好的NaCl型结构因此并不优选。另外，如果膜厚超过5nm，则Mg的膜面内的拉伸应力缓和，变得难以在磁性层中的具有L10结构的合金中导入足够的拉伸应力，因此并不优选。
另外，优选该多个衬底层还包括第三衬底层，该第三衬底层含有具有BCC结构的金属。并且，优选第一衬底层形成在第三衬底层上，更优选第三衬底层与第一衬底层连续地积层。
对第三衬底层进行说明。
优选第三衬底层含有具有BCC结构的金属。优选第三衬底层含有具有BCC结构的选自W(金属钨)、Mo(金属钼)的金属、或者具有BCC结构的选自以W为主成分的合金及以Mo为主成分的合金的合金。当使用以W为主成分的具有BCC结构的合金时，可用Mo来置换W的一部分。另外，当使用以Mo为主成分的具有BCC结构的合金时，可用W来置换Mo的一部分。
在此，作为以W为主成分的具有BCC结构的合金，例如可优选使用添加了Ta、Nb、Ta、V、Cr等元素的以W为主成分的合金。另外，作为以Mo为主成分的具有BCC结构的合金，例如可优选使用添加了Ta、Nb、Ta、V、Cr等元素的以Mo为主成分的合金。此时，对元素添加量并无特别限定，优选在不使BCC结构劣化的范围内进行添加。
需要说明的是，第三衬底层可以由多个层来构成。例如可以利用由W构成的层、和由以W为主成分的具有BCC结构的合金构成的层这两层来构成。另外，可以是由其他材料构成的层的组合，还可以由三层以上来构成。
对构成第三衬底层的材料的晶格常数并无特别限定，例如当设置取向控制衬底层时，优选以取向控制层与第三衬底层的晶格常数错配度为10％以下的方式来构成。特别更优选以取向控制层与第三衬底层的晶格常数错配度为6％以下的方式来构成。
还可以在第三衬底层中进一步添加选自B、Si、C、B2O3、SiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO2、TiO、ZnO、La2O3、NiO、FeO、CoO的一种以上的物质。如果添加上述元素或氧化物，则能够减小第三衬底层的晶体粒子尺寸，能够进一步改善分散度。当在第三衬底层中添加上述元素或氧化物时，对添加量并无特别限定，优选在不使第三衬底层本身的(100)取向性劣化的范围内进行添加。
再有，由于优选第一衬底层、第二衬底层具有(100)取向，因此对于第三衬底层也优选为(100)取向。并且，为了使第三衬底层为(100)取向，优选在第三衬底层之下形成取向控制衬底层。
作为取向控制衬底层并无特别限定，例如可由具有B2结构的NiAl、RuAl构成。另外，作为取向控制衬底层，也可以由Cr或以Cr为主成分的BCC结构的合金构成。
作为以Cr为主成分的BCC结构的合金，例如可举出CrMn、CrMo、CrW、CrV、CrTi、CrRu等。
取向控制衬底层优选形成在非晶质晶种层上。非晶质晶种层优选例如由非晶质的材料构成，更优选例如由Cr-50原子％Ti、Ni-40原子％Ta、Ti-50原子％Al合金等构成。
通过在非晶质晶种层上以例如150～200℃以上的高温来形成取向控制衬底层，从而能够使该取向控制衬底层为良好的(100)取向。
综上所述，能够在多个衬底层上形成以具有L10结构的合金为主成分的磁性层。由此，能够使磁性层中所包含的具有L10结构的合金取得良好的(001)取向。并且同时，能够利用来自作为第二衬底层的含有MgO的层的拉伸应力来提高具有L10结构的合金的规则度。
在此，所谓的作为主成分来含有，例如意味着在磁性层中所包含的成分之中，所包含的具有L10结构的合金的含有量的物质量比最多。
对磁性层中作为主成分所含有的具有L10结构的合金并无特别限定，可优选使用具有L10结构的FePt合金或具有L10结构的CoPt合金。
此外，优选磁性层中的具有L10结构的合金的晶体粒磁性隔离(孤立)。因此，作为磁性层的晶界相，优选含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、C、B、B2O3、BN的至少一种物质。由此，具有L10结构的合金的晶体粒间的交换耦合被隔断，能够进一步降低介质噪声。
并且，为了促进磁性层中的具有L10结构的合金的规则化，优选磁性层形成时的基板温度为600℃以上。另外，为了减低规则化温度，可以在具有L10结构的合金中添加Ag、Au、Cu、Ni等。此时，能够将磁性层形成时的基板温度降低至400～500℃左右。
另外，可以在本实施方式的磁记录介质中形成任意的层。
例如，优选在磁性层上形成DLC保护膜。对DLC保护膜的形成方法并无特别限定，例如可通过用高频等离子将由烃构成的原料气体分解而形成膜的RF-CVD法、用从灯丝发射的电子将原料气体离子化而形成膜的IBD法、不使用原料气体而使用固体C靶来形成膜的FCVA法等来形成。DLC膜厚优选1nm以上6nm以下。当膜厚小于1nm时，由于磁头的浮动特性恶化因此不优选。另外，如果膜厚超过6nm则有时磁间隔变大、介质SN比恶化，不优选。
也可以在DLC保护膜上进一步涂布由全氟聚醚类的氟树脂构成的润滑剂。
对于热辅助记录方式用的磁记录介质，优选对磁性层进行激光加热、快速冷却，抑制加热点的扩大。通过这样来构成，由于能够降低磁性过渡区域的宽度、并降低介质噪音，因此优选。为了进行磁性层的快速冷却，优选在磁记录介质中形成散热层。对于散热层，可使用Ag、Cu、Al、Au等热传导率高的金属、或以其为主成分的合金。
另外，为了改善写入特性，还可以形成软磁性衬底层。对于软磁性衬底层，可使用CoTaZr、CoFeTaB、CoFeTaSi、CoFeTaZr等非晶质合金、FeTaC、FeTaN等微晶体合金、NiFe等多晶体合金。软磁性衬底层可以是由上述合金构成的单层膜，也可以是夹持适当膜厚的Ru层的反强磁性耦合的积层膜。
以上对本实施方式的磁记录介质进行了说明，在本实施方式的磁记录介质中，由于使用了预定的衬底层，因此能够成为耐腐蚀性优异的磁记录介质。另外，能够成为同时在矫顽力和介质SN比上也具有优异特性的磁记录介质。
<第2实施方式>
在本实施方式中，对本发明的磁存储装置的结构例子进行说明。需要说明的是，在本实施方式中，对于根据热辅助磁记录方式的磁存储装置的结构例子进行说明，但并不限定于该实施方式，在第1实施方式中所说明的磁记录介质也可以为根据微波辅助磁记录方式的磁存储装置。
本实施方式的磁存储装置可以为具有在第1实施方式中所说明的磁记录介质的磁存储装置。
在磁存储装置中，例如还可以具有用于使磁记录介质转动的磁记录介质驱动部、以及在顶端部具有近场光产生元件的磁头。另外，可以具有用于加热磁记录介质的激光产生部、将从激光产生部所发射的激光引导至近场光产生元件的导波路、用于移动磁头的磁头驱动部、以及记录再生信号处理系统。
磁存储装置的具体结构例子如图1所示。
例如本实施方式的磁存储装置100可以为如图1所示的结构。具体来说，可以由磁记录介质101、用于使磁记录介质101转动的磁记录介质驱动部102、磁头103、用于使磁头103移动的磁头驱动部104、记录再生信号处理系统105等构成。
并且，作为磁头103，例如可使用图2所示的磁头。该磁头具有记录头208、再生头211。记录头208具有主磁极201、辅助磁极202、用于产生磁场的线圈203、作为激光产生部的激光二极管(LD)204、用于将从LD所产生的激光205传导至近场光产生元件206的导波路207。再生头211具有由护罩209所夹持的再生元件210。
并且，作为磁记录介质101，如上所述由于使用了在第1实施方式中所说明的磁记录介质，因此能够成为耐蚀性优异、可靠性高的磁存储装置。
<实施例>
以下，举出具体的实施例来进行说明，本发明并不限定于该实施例。
(实施例1)
图3表示出在本实施例中制作的热辅助磁记录介质的层结构的一个例子。
在2.5英寸的玻璃基板301上，形成30nm的Ni-40原子％Ta晶种层302，在300℃下对基板进行加热后，作为取向控制层303，形成10nm的Ru-50原子％Al。
接着，形成膜厚为10nm的由W-10原子％Cr构成的第三衬底层304。接着，形成膜厚为15nm的由表1所示的各个材料所构成的第一衬底层305、和膜厚为2nm的由MgO构成的第二衬底层306。
之后，在600℃下进行基板加热，形成膜厚为8nm的由(Fe-46原子％Pt)-15摩尔％SiO2构成的磁性层307、膜厚为3nm的DLC保护膜308，涂布全氟聚醚类的润滑剂。
对于本实施例中所制作的磁记录介质，第一衬底层如上所述由表1所示的各种材料构成，在实施例1-1～实施例1-18中，选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的材料的总含有量为50原子％。另外，在实施例1-13～实施例1-19中，在第一衬底层的材料中，还含有选自B、Si、C、B2O3、SiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO2、TiO、ZnO、La2O3、NiO、FeO、CoO的一种以上的物质。另外，作为比较例1-1，制作了未形成第一衬底层、在第三衬底层之上直接形成第二衬底层306的磁记录介质。
关于所制作的磁记录介质，进行了矫顽力Hc、规格化矫顽力分散ΔHc/Hc、以及耐腐蚀性(Δ-OSA counter)的评价。
矫顽力Hc是利用SUQID(超导量子干扰元件)，根据施加7T的磁场在室温下进行测定的磁化曲线来求出。另外，规格化矫顽力ΔHc/Hc利用“IEEE Trans.Magn.,vol.27,pp4975-4977,1991”中记载的方法来测定。具体而言，在施加7T的最大磁场并在室温下测定的大磁滞回线(major loop)及小磁滞回线(minor loop)中，对磁化的值为饱和值的50％时的磁场进行测定，根据两者之差，假定Hc分布为高斯分布来计算出规格化矫顽力ΔHc/Hc。规格化矫顽力ΔHc/Hc为相当于反转磁场分散的参数，该值越低则表示得到越高的介质SN比，越优选。
对耐蚀性的评价方法进行说明。首先，使用Candela公司制造的OSA-6300，对所制造的磁记录介质表面全体的颗粒数进行测量。接着，将磁记录介质在稳定为温度90℃、湿度90％的高温炉中放置48小时。之后，将磁记录介质从高温炉中取出，再次用上述Candela公司制造的OSA-6300来测量颗粒数。接着，设高温炉处理后的磁记录介质表面的颗粒数的增加数为“Δ-OSA counter”，该值越低则磁记录介质具有越高的耐腐蚀性。为了使其为具有可靠性高的磁记录介质，“Δ-OSA counter”为100以下即可，优选为15以下，更优选为10以下。
表1表示出对于实施例1-1～实施例1-19、比较例1-1的磁记录介质进行矫顽力Hc、规格化矫顽力分散ΔHc/Hc、以及耐腐蚀性(Δ-OSA counter)进行评价的结果。
[表1]
及匯劃久蚊 Hc(kOe) ΔHc/Hc Δ-OSAcounter
糞仏箭1-1 W-20at％Ta-30at％Ti 35.6 0.27 9
糞仏箭1-2 W-25at％Ta-25at％V 35 0.27 14
糞仏箭1-3 W-25at％Nb-25at％Ti 35.6 0.27 11
糞仏箭1-4 W-20at％Nb-30at％V 35 0.27 11
糞仏箭1-5 W-30at％Ti-20at％V 37.3 0.27 11
糞仏箭1-6 Mo-25at％Ta-25at％V 38.3 0.29 8
糞仏箭1-7 Mo-15at％Ta-35at％Ti 37 0.26 12
糞仏箭1-8 Mo-28at％Nb-22at％V 38.3 0.29 14
糞仏箭1-9 Mo-20at％Nb-30at％Ti 37 0.26 15
糞仏箭1-10 Mo-20at％Ti-30at％V 36.3 0.26 11
糞仏箭1-11 W-20at％Ta-20at％Ti-10at％V 37 0.26 12
糞仏箭1-12 Mo-5at％W-20at％Ti-30at％V 36.3 0.26 11
糞仏箭1-13 (W-30at％Ta-20at％V)-4mol％B 41.8 0.23 12
糞仏箭1-14 (W-20at％Ta-30at％Ti)-5mol％SiO2 40.9 0.24 10
糞仏箭1-15 (W-22at％Nb-28at％Ti)-6mol％Al2O3 41.6 0.24 15
糞仏箭1-16 (W-20at％Nb-30at％V)-13mol％NiO 41.2 0.23 13
糞仏箭1-17 (W-30at％Ti-20at％V)-3mol％Y2O3 40.5 0.24 13
糞仏箭1-18 (Mo-30at％Ta-20at％Ti)-5at％Si 41.4 0.23 11
糞仏箭1-19 (W-15at％Ta-25at％Ti)-5mol％Ta2O5 41.2 0.24 11
曳熟箭1-1 - 30.4 0.32 940
根据表1的结果，与未形成第一衬底层的比较例1-1的磁记录介质进行比较，可确认实施例1-1～实施例1-19的磁记录介质均显现出较高的矫顽力Hc、较低的规格化矫顽力分散ΔHc/Hc。
特别是，对于含有选自B、Si、C、及SiO2等上述氧化物的一种物质的实施例1-13～1-19的磁记录介质，矫顽力特别增高至40kOe以上。并且规格化矫顽力分散也降低至0.25以下。
根据以上结果可知，通过设置含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素、并且含有选自W、Mo的一种以上的元素的第一衬底层，从而显现出较高的矫顽力Hc、较低的规格化矫顽力分散ΔHc/Hc。并且，可知由于显现出较低的规格化矫顽力分散ΔHc/Hc，因此当作为磁存储装置时可得到较高的介质SN比。
并且可知，通过在第一衬底层中进一步添加选自B、Si、C及SiO2等上述氧化物的一种物质，从而能够改善衬底层的晶体粒子尺寸和分散度，还能够改善在其上所形成的磁性层的粒子分散度。
可确认作为形成了第二衬底层的实施例1-1～实施例1-19的磁记录介质的颗粒数的增加数的“Δ-OSA counter”均降低至15以下，并可确认具有耐腐蚀性。相对于此，未形成第一衬底层的比较例1-1的磁记录介质，作为其高温炉处理后表面的颗粒数的增加数的“Δ-OSA counter”为940，可确认与实施例的磁记录介质相比其耐腐蚀性显著恶化。
根据上述结果可知，通过在作为第二衬底层的MgO层之下形成第一衬底层，从而能够显著地改善磁记录介质的耐腐蚀性。
(实施例2)
图4表示出本实施例中制作的热辅助磁记录介质的层结构的一个例子
本实施例的磁记录介质在2.5英寸的玻璃基板401上，形成由30nm的Cr-50原子％Ti构成的晶种层402。
之后，在300℃下对基板进行加热后，形成由膜厚为10nm的Cr-5原子％Mn构成的取向控制层403。接着，形成膜厚为15nm的由W-4原子％SiO2构成的第三衬底层404。接着，形成膜厚为15nm的由表2所示的材料所构成的第一衬底层405、和膜厚为2nm的由MgO构成的第二衬底层406。
接着，在600℃下进行基板加热，形成膜厚为8nm的由(Fe-48原子％Pt)-30原子％SiO2构成的磁性层407、膜厚为3nm的DLC保护膜408，涂布全氟聚醚类的润滑剂。
实施例2-1～实施例2-5的磁记录介质的第一衬底层分别由表2所示的材料构成。此时，以第一衬底层中所包含的、选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素的含有总量为20原子％～80原子％的方式来选择组成，制作磁记录介质。
另外，作为比较例制作未形成第一衬底层的比较例2-1的试料。
与实施例1的情况相同，对于所制作的实施例2-1～2-7、比较例2-1的磁记录介质，进行了矫顽力Hc及耐腐蚀性Δ-OSA counter的评价。结果如表2所示。
由此可确认，选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素的总含有量为20原子％～80原子％的实施例2-1～实施例2-7的磁记录介质的Δ-OSA counter为100以下，并且具有足够的耐腐蚀性。但是，可确认，对于选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素的总含有量为20原子％的实施例2-1，其Δ-OSA counter为80、与实施例2-2～实施例2-7相比较高。因此，为了成为具有更高耐腐蚀性的磁记录介质，优选第一衬底层的Ta、Nb、Ti、V的含有总量为30原子％以上。
相对于此，可知，未形成第一衬底层的比较例2-1的磁记录介质的Δ-OSA counter为非常高的950，耐腐蚀性较差。
另外，可知，选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素的总含有量为20原子％～70原子％的实施例2-1～实施例2-6的磁记录介质的矫顽力为特别高的35kOe以上。
另一方面，选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素的总含有量为80原子％的实施例2-7的磁记录介质的矫顽力为31.0kOe，与实施例2-1～实施例2-6的磁记录介质相比较低。考虑这是因为当Ta、Nb、Ti、V的总含有量多于70原子％时，第一衬底层本身的(100)取向性与实施例2-2～实施例2-6相比恶化。因此，为了维持第一衬底层自身的取向性、并充分提高矫顽力，优选Ta、Nb、Ti、V的总含有量为70原子％以下。
需要说明的是，第一衬底层含有选自W、Mo的一种以上的元素，但在本实施例中，仅对仅包含W的第一衬底层的例子进行了说明。然而，由于考虑到Mo也与W具有同样的功能，因此当第一衬底层包含Mo时，也优选Ta、Nb、Ti、V为与上述同样的添加量。
[表2]
及匯劃久蚊 Ta、Nb、Ti、V議悳根嗤楚 Δ-OSAcounter Hc(kOe)
糞仏箭2-1 W-10at％Ta-10at％Ti 20at％ 80 35.2
糞仏箭2-2 W-15atTi-15at％V 30at％ 14 36.2
糞仏箭2-3 W-20at％Ta-20at％Ti 40at％ 11 37.1
糞仏箭2-4 W-25at％Ti-25at％V 50at％ 10 37.8
糞仏箭2-5 W-30at％Ta-30at％Ti 60at％ 9 36.8
糞仏箭2-6 W-35at％Nb-35at％V 70at％ 14 36.8
糞仏箭2-7 W-40at％Ta-40at％V 80at％ 14 31.0
曳熟箭2-1 - - 950 30.9
(实施例3)
除了作为第一衬底层使用表3所示的合金一点外，制作了具有与实施例2的磁记录介质同样的层结构的磁记录介质。
如表3所示，在实施例3-1～实施例3-6中，作为第一衬底层，使用含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，晶格常数为0.307nm～0.327nm的合金。另外，在比较例3-1～比较例3-6中，作为第一衬底层使用表3所示的合金。
与实施例1的情况同样，对所制作的磁记录介质进行了耐腐蚀性评价。
另外，对构成第一衬底层的合金的晶格常数、以及构成第一衬底层的合金的相对于MgO的晶格错配度也进行了评价。根据X射线衍射的测定结果计算出晶格常数。晶格常数的测定是在另制作了晶格常数测定用的试验体之后再进行评价。
作为试验体的制作步骤，首先在2.5英寸的玻璃基板401上，形成膜厚为10nm的Cr-50原子％Ti非晶质层。
之后，在300℃下进行基板加热后，形成膜厚为50nm、由与表3所示的第一衬底层相同的合金构成的层。在非晶质层上，通过形成由与上述第一衬底层相同的合金(具有BCC结构的合金)构成的层，从而形成(110)取向的层。对于所制作的试验体的试料进行X射线衍射测定，根据与第一衬底层相同的合金(具有BCC结构的合金)的X射线衍射的(110)面的峰值位置，来计算构成第一衬底层的合金的晶格常数。
接着，根据构成第一衬底层的合金的晶格常数、和预先计算出的MgO的晶格常数，来计算出构成第一衬底层的合金相对于MgO的晶格错配度。如果设构成第一衬底层的合金的晶格常数为a1、MgO的晶格常数为a2，则晶格错配度由式子(a2-√2a1)/(a2)计算出。
表3表示出评价结果。
[表3]
及匯劃久蚊 唱鯉械方(nm) 嚥MgO議唱鯉危塘業 Δ-OSAcounter
糞仏箭3-1 Mo-55at％V-10at％Ti 0.307 3.10％ 12
糞仏箭3-2 W-15at％Nb-35at％V 0.313 5.10％ 11
糞仏箭3-3 W-20at％Ta-20at％V 0.317 6.50％ 10
糞仏箭3-4 W-20at％Nb-20at％Ti 0.321 7.80％ 12
糞仏箭3-5 W-25at％Ta-25at％Ti 0.324 8.80％ 9
糞仏箭3-6 W-35at％Ta-35at％Ti 0.327 9.80％ 12
曳熟箭3-1 W-40at％Cr 0.307 3.10％ 180
曳熟箭3-2 W-40at％V 0.31 4.10％ 326
曳熟箭3-3 Mo-35at％Nb 0.318 6.80％ 284
曳熟箭3-4 W-40at％Ti 0.321 7.80％ 250
曳熟箭3-5 Ta-30at％V 0.324 8.80％ 224
曳熟箭3-6 W-60at％Ta 0.327 9.80％ 130
根据表3所示的结果，可确认，各个实施例3-1～实施例3-6的磁记录介质的耐腐蚀性(Δ-OSA counter)均低至15以下，具有足够的耐腐蚀性。
相对于此，可知，比较例3-1～比较例3-6的磁记录介质的耐腐蚀性(Δ-OSA counter)均高于100，耐腐蚀性与实施例的磁记录介质相比显著地低。
另外，如表3所示，对于相对于第二衬底层的与MgO的晶格错配度，在所有实施例及比较例中为3.1％～9.8％。换言之，在实施例和比较例的磁记录介质中，在构成第二衬底层的MgO中包含相同程度的拉伸应力。然而，如上所述，实施例与比较例的磁记录介质显现出耐腐蚀性有很大的不同。可确认，比起晶格错配度，构成第一衬底层的合金的组成对耐腐蚀性带来较大的影响。
由以上结果可知，通过使用适当的组成的合金来作为构成第一衬底层的合金，能够提高耐腐蚀性。
(实施例4)
制作实施例4-1～实施例4-10的磁记录介质。
实施例4-1～实施例4-10的磁记录介质是除了以下几点以外具有与实施例2相同的层结构的磁记录介质。
使用膜厚为10nm、由Cr-5原子Mn-5原子％B构成的取向控制层403。
使用膜后为15nm、由表4所示的组成的合金构成的第三衬底层404。
在实施例4-1～实施例4-8中，使用含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素、其总含有量为50原子％、并且含有选自B、Si、C、B2O3、SiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO2、TiO、ZnO、La2O3、NiO、FeO、CoO的一种以上的物质的由表4所示的合金构成的第一衬底层405。
在实施例4-9、实施例4-10中，使用在第一衬底层405中未添加选自B、Si、C及SiO2等上述氧化物的一种物质的、由表4所示的合金构成的第一衬底层405。
将作制作的磁记录介质组装到图1所示的磁存储装置中。磁存储装置100由磁记录介质101、用于使磁记录介质转动的驱动部102、磁头103、用于移动磁头的磁头驱动部104、以及记录再生信号处理系统105构成。
接着，使用图2所示的热辅助记录方式的磁头对介质SN比及重写特性OW进行评价。
本实施例中所使用的磁头具有记录头208、再生头211。记录头208具有主磁极201、辅助磁极202、用于产生磁场的线圈203、作为激光产生部的激光二极管(LD)204、用于将从LD所产生的激光205传导至近场光产生元件206的导波路207。再生头211具有由护罩209所夹持的再生元件210。
图2所示的热辅助记录方式的磁头能够通过从近场光产生元件206产生的近场光来对磁记录介质212进行加热，并使磁记录介质的矫顽力降低至头磁场以下进行记录。
使用具有上述结构的磁头对线记录密度1500kFCI的全1(all one pattern)信号进行记录，对介质SN比及重写特性OW进行评价。此时，以投入到激光二极管204中的电力变成定义为轨道(track profile)的半值宽度的轨道宽度MWW为60nm的方式来进行调节并进行评价。
表4表示出评价结果。
[表4]
及眉劃久蚊 及匯劃久蚊 初嵎SN曳(dB) OW(dB)
糞仏箭4-1 (W-10at％Ta)-6mol％SiO2 (W-25at％Ta-25at％V)-8mol％Si 16.1 36.6
糞仏箭4-2 (W-10at％Ta)-3mol％Ta2O5 (W-25at％Ta-25at％Ti)-4mol％SiO2 16.2 36.4
糞仏箭4-3 (W-10at％Ta)-5mol％Cr2O3 (Mo-25at％Nb-25at％Ti)-5at％B 16.2 36.5
糞仏箭4-4 (W-10at％Ta)-13mol％CoO (W-25at％V-25at％Ti)-3mol％Y2O3 16.2 37.8
糞仏箭4-5 (W-10at％Ta)-6mol％Al2O3 (Mo-25at％Nb-25at％V)-10mol％NiO 16.2 37.3
糞仏箭4-6 (W-10at％Ta)-4mol％Y2O3 (Mo-25at％Ti-25at％V)-8mol％TiO 16.1 35.7
糞仏箭4-7 W-10at％Ta (W-25at％Nb-25at％Ti)-4mol％Cr2O3 15.3 34.4
糞仏箭4-8 W-10at％Ta (Mo-25at％Ta-25at％Ti)-5mol％Al2O3 15.6 35
糞仏箭4-9 W-10at％Ta W-25at％Ta-25at％Ti 13.7 26.8
糞仏箭4-10 W-10at％Ta Mo-25at％Ti-25at％V 13 27.3
根据表4，实施例4-1～实施例4-10的磁记录介质均显现出13dB以上的高介质SN比、和26.8dB以上的高OW特性。
其中，关于在第一衬底层中添加了选自B、Si、C及SiO2等上述氧化物的一种物质的、实施例4-1～实施例4-8的磁记录介质，均显现出15dB以上的高介质SN比、和33dB以上的更高的重写特性OW。
特别是，在第三衬底层中也添加了选自B、Si、C及SiO2等上述氧化物的一种物质的、实施例4-1～实施例4-6的磁记录介质，均显现出16dB以上的高介质SN比、和35dB以上的特别高的重写特性OW。
由此可确认，通过在第一衬底层、第三衬底层中添加选自B、Si、C及SiO2等上述氧化物的一种物质，从而能够进一步提高介质SN比、重写特性OW。考虑这是因为通过改善衬底层的晶体粒子尺寸、分散度，从而也能够改善磁性层的粒子分散。

Claims (12)

1.一种磁记录介质，其特征在于，具有：
基板；
多个衬底层，其形成在所述基板上；以及
磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，
所述多个衬底层至少包括
第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及
第二衬底层，其含有MgO，
所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，
所述多个衬底层还包括第三衬底层，所述第三衬底层含有具有BCC结构的金属，
所述第一衬底层形成在所述第三衬底层上。
3.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中，所述第三衬底层含有具有BCC结构的选自W、Mo的金属、或者具有BCC结构的选自以W为主成分的合金及以Mo为主成分的合金的合金。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁记录介质，其中，所述第一衬底层含有30原子％以上70原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁记录介质，其中，所述第一衬底层还含有选自B、Si、C、B2O3、SiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO2、TiO、ZnO、La2O3、NiO、FeO、CoO的一种以上的物质。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的磁记录介质，其中，
所述磁性层以具有L10结构的FePt合金或具有L10结构的CoPt合金为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、C、B、B2O3、BN的至少一种物质。
7.一种磁存储装置，其特征在于，包括：
磁记录介质；以及
磁头，其将信息写入所述磁记录介质、并从所述磁记录介质读取信息，
所述磁记录介质具有
基板，
多个衬底层，其形成在所述基板上，以及
磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，
所述多个衬底层至少包括
第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及
第二衬底层，其含有MgO，
所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
8.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中，
所述多个衬底层还包括第三衬底层，所述第三衬底层含有具有BCC结构的金属，
所述第一衬底层形成在所述第三衬底层上。
9.根据权利要求8所述的磁存储装置，其中，所述第三衬底层含有具有BCC结构的选自W、Mo的金属、或者具有BCC结构的选自以W为主成分的合金及以Mo为主成分的合金的合金。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的磁存储装置，其中，所述第一衬底层含有30原子％以上70原子％以下的选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的磁存储装置，其中，所述第一衬底层还含有选自B、Si、C、B2O3、SiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO2、TiO、ZnO、La2O3、NiO、FeO、CoO的一种以上的物质。
12.根据权利要求7至11中任一项所述的磁存储装置，其中，
所述磁性层以具有L10结构的FePt合金或具有L10结构的CoPt合金为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、C、B、B2O3、BN的至少一种物质。
CN201410363017.3A 2013-07-31 2014-07-28 磁记录介质及磁存储装置 Active CN104347087B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013159099A JP6145350B2 (ja) 2013-07-31 2013-07-31 磁気記録媒体、磁気記憶装置
JP2013-159099 2013-07-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104347087A true CN104347087A (zh) 2015-02-11
CN104347087B CN104347087B (zh) 2018-03-27

Family

ID=52427439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410363017.3A Active CN104347087B (zh) 2013-07-31 2014-07-28 磁记录介质及磁存储装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9384772B2 (zh)
JP (1) JP6145350B2 (zh)
CN (1) CN104347087B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108305645A (zh) * 2017-01-13 2018-07-20 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁存储装置
CN108346437A (zh) * 2017-01-24 2018-07-31 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁存储装置
CN110648693A (zh) * 2018-06-27 2020-01-03 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6145332B2 (ja) * 2013-06-20 2017-06-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
JP2015088197A (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記憶装置
JP6481509B2 (ja) * 2015-05-25 2019-03-13 Ａｇｃ株式会社 磁気記録媒体基板用ガラス、磁気記録媒体基板、および磁気記録媒体
JP6416041B2 (ja) * 2015-05-29 2018-10-31 昭和電工株式会社 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
KR102451098B1 (ko) 2015-09-23 2022-10-05 삼성전자주식회사 자기 메모리 장치 및 이의 제조 방법
JP6914663B2 (ja) 2017-02-07 2021-08-04 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記憶装置
JP6832189B2 (ja) * 2017-02-21 2021-02-24 昭和電工株式会社 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP7122175B2 (ja) * 2018-06-25 2022-08-19 昭和電工株式会社 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置
JP7244721B2 (ja) * 2019-04-09 2023-03-23 株式会社レゾナック 磁気記録媒体および磁気記憶装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4833020A (en) * 1987-01-29 1989-05-23 Hitachi, Ltd. Magnetic recording medium
CN101120403A (zh) * 2005-02-25 2008-02-06 昭和电工株式会社 磁记录介质、其制造方法以及磁记录和再现装置
CN102163433A (zh) * 2010-02-23 2011-08-24 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置
CN102473420A (zh) * 2009-08-20 2012-05-23 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置
CN102646421A (zh) * 2011-02-15 2012-08-22 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置
US20120214021A1 (en) * 2011-02-23 2012-08-23 Hitachi, Ltd. Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3010156B2 (ja) 1998-06-10 2000-02-14 秋田県 規則合金薄膜からなる情報記録媒体の製造方法
JP2002541671A (ja) * 1999-03-30 2002-12-03 ドイッチェ テレコム アーゲー 制御キャビネット
JP3866102B2 (ja) * 2000-12-28 2007-01-10 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、および磁気記録再生装置
JP2006302480A (ja) * 2005-02-25 2006-11-02 Showa Denko Kk 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置
JP5227634B2 (ja) * 2008-03-28 2013-07-03 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録媒体の製造方法
JP5561766B2 (ja) * 2010-02-04 2014-07-30 昭和電工株式会社 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置
JP5961490B2 (ja) * 2012-08-29 2016-08-02 昭和電工株式会社 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP6199618B2 (ja) * 2013-04-12 2017-09-20 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
JP6145332B2 (ja) * 2013-06-20 2017-06-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
US10276192B2 (en) * 2013-07-11 2019-04-30 Western Digital Technologies, Inc. Perpendicular magnetic recording medium
JP6317896B2 (ja) * 2013-07-26 2018-04-25 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記憶装置
US9177585B1 (en) * 2013-10-23 2015-11-03 WD Media, LLC Magnetic media capable of improving magnetic properties and thermal management for heat-assisted magnetic recording
JP2015088197A (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記憶装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4833020A (en) * 1987-01-29 1989-05-23 Hitachi, Ltd. Magnetic recording medium
CN101120403A (zh) * 2005-02-25 2008-02-06 昭和电工株式会社 磁记录介质、其制造方法以及磁记录和再现装置
CN102473420A (zh) * 2009-08-20 2012-05-23 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置
CN102163433A (zh) * 2010-02-23 2011-08-24 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置
CN102646421A (zh) * 2011-02-15 2012-08-22 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置
US20120214021A1 (en) * 2011-02-23 2012-08-23 Hitachi, Ltd. Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108305645A (zh) * 2017-01-13 2018-07-20 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁存储装置
CN108346437A (zh) * 2017-01-24 2018-07-31 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁存储装置
CN110648693A (zh) * 2018-06-27 2020-01-03 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置
CN110648693B (zh) * 2018-06-27 2021-01-15 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6145350B2 (ja) 2017-06-07
US9384772B2 (en) 2016-07-05
US20150036242A1 (en) 2015-02-05
CN104347087B (zh) 2018-03-27
JP2015032326A (ja) 2015-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104347087B (zh) 磁记录介质及磁存储装置
CN102725793B (zh) 热辅助磁记录介质和磁记录再生装置
JP5015901B2 (ja) 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
CN104303230B (zh) 磁记录介质和磁记录再生装置
US8559131B2 (en) Perpendicular magnetic recording media and magnetic disc apparatus
CN102208192B (zh) 热辅助磁记录介质和磁存储装置
JP5961490B2 (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP5923324B2 (ja) 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
CN102646421B (zh) 热辅助磁记录介质和磁存储装置
JP6145332B2 (ja) 磁気記録媒体、磁気記憶装置
JP5938224B2 (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
CN104575530A (zh) 磁记录介质及磁存储装置
JP5506604B2 (ja) 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置
CN108573715B (zh) 辅助磁记录介质和磁存储装置
CN104303232A (zh) 热辅助磁记录介质和磁记录再生装置
JP5923152B2 (ja) 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP2013149328A (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP2012022759A (ja) 垂直磁気記録媒体および磁気記録再生装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230621

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Showa electrical materials Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha

TR01 Transfer of patent right