CN108305645A - 磁记录介质和磁存储装置 - Google Patents
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Abstract
一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
Description
技术领域
本发明涉及磁记录介质及磁存储装置。
背景技术
近年，对硬盘装置大容量化的要求日益提高。
然而，使用现有记录方式难以提高硬盘装置的记录密度。
热辅助磁记录方式作为下一代记录方式已经被进行了广泛的研究，并且也是备受瞩目的技术之一。热辅助磁记录方式是一种通过从磁头向磁记录介质照射近场光(near-field light)，对磁记录介质的表面进行局部加热，以使磁记录介质的矫顽力(coerciveforce)降低，进而进行写入(write)操作的记录方式。
在热辅助磁记录方式中，作为构成磁性层的材料，使用了诸如具有L10型结晶结构(晶体结构)的FePt(Ku～7×107erg/cm3)、具有L10型结晶结构的CoPt(Ku～5×107erg/cm3)那样的高Ku的材料。
如果作为构成磁性层的材料使用高Ku的材料，则KuV/kT变大。这里，Ku是磁性颗粒的磁各向异性常数，V是磁性颗粒的体积，k是Boltzmann(玻尔兹曼)常数，T是温度。为此，可不使热起伏(thermal fluctuation)恶化地减小磁性颗粒的体积。此时，通过对磁性颗粒进行微细化，在热辅助磁记录方式中可减小迁移(过渡)宽度，所以可降低噪音，并可改善信噪比(SNR)。
另外，为了获得垂直磁各向异性较高的热辅助磁记录介质，需要使作为构成磁性层的材料而使用的具有L10型结晶结构的合金进行(001)配向(orientation)。这里，由于磁性层的(001)配向性是由底层控制的，所以需要适当选择构成底层的材料。
作为构成热辅助磁记录介质的底层的材料，现有技术中熟知的有MgO、CrN、TiN等。
例如，专利文献1公开了一种先制作以MgO为主成分的底层，再制作由FePt合金构成的L10型有序合金(ordered alloy)层的信息记录介质的制造方法。
此外，专利文献2中记载了一种磁记录介质，具有：结晶质底层，其作为底层，并以W为主成分，且含有B、Si、C或氧化物；及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分。
另外，专利文献3中公开了一种使用薄膜的技术，该薄膜包括：作为热辅助磁记录介质的温度控制层的、贯穿膜厚并进行延伸的低热传导率材料区域；及作为对低热传导率材料区域进行分离的高热传导率材料区域的连续的基质(matrix)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1](日本)特开平11－353648号公报
[专利文献2](日本)特开2014－220029号公报
[专利文献3](日本)特开2006－196151号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
在热辅助磁记录介质中，为了获得良好的磁记录特性，如前所述，需要使用特定的底层，并使构成磁性层的、具有L10型结晶结构的合金进行(001)配向。
然而，在现有技术中，由于磁性层的(001)配向性并不充分，所以需要一种可提高热辅助磁记录介质的磁性层的(001)配向性的底层。
此外，还需要热辅助磁记录介质的底层具有作为温度控制层的功能。即，向热辅助磁记录介质照射近场光以对热辅助磁记录介质的表面进行局部加热时，需要抑制加热部位(heating spot)的扩大，以使平面方向的磁化迁移区域变窄，进而降低噪音，即，提高信噪比(SNR)。
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种信噪比(SNR)较高的磁记录介质。
[用于解决课题的手段]
(1)一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层，其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，所述第1底层是以W为主成分的结晶质层，所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物，且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
(2)如上述(1)记载的磁记录介质，其中，所述氧化物是W的氧化物。
(3)如上述(1)或者(2)记载的磁记录介质，其中，所述第2底层为非粒状结构。
(4)如上述(1)～(3)的任一项记载的磁记录介质，其中，在所述底层和所述磁性层之间还包括障碍层，所述障碍层含有由MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、及TiC所组成的组中选择的一种以上的物质，并具有NaCl型结构。
(5)如上述(1)～(4)的任一项记载的磁记录介质，其中，在所述基板和所述底层之间还包括配向控制层，所述配向控制层是具有BCC结构的Cr层或以Cr为主成分的合金层、或者具有B2结构的合金层。
(6)一种磁记录装置，包括上述(1)～(5)的任一项记载的磁记录介质。
[发明效果]
根据本发明，可提供一种信噪比(SNR)较高的磁记录介质。
附图说明
[图1]本实施方式的磁记录介质的一例的示意图。
[图2]本实施方式的磁存储装置的一例的示意图。
[图3]图2的磁头的一例的示意图。
[符号说明]
1 基板
2 底层
3 磁性层
4 第1底层
5 第2底层
6 障碍层
7 配向控制层
8 碳保护层
9 润滑层
100 磁记录介质
101 磁记录介质驱动部
102 磁头
103 磁头驱动部
104 信号记录再生处理系统
201 主磁极
202 辅助磁极
203 线圈
204 激光二极管
205 激光
206 近场光生成元件
207 波导路
208 记录磁头
209 护罩(shield)
210 再生元件
211 再生磁头
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的方式进行说明。需要说明的是，本发明并不限于下述实施方式，只要不脱离本发明的范围，还可对下述实施方式进行各种各样的变形和置换。
(磁记录介质)
图1示出了本实施方式的磁记录介质的一例。
磁记录介质100依次包括基板1、底层2及磁性层3，该磁性层3的具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向。底层2从基板1侧开始依次包括第1底层4和第2底层5。第1底层4是以W为主成分的结晶质层。第2底层5是含有以W为主成分的材料和氧化物，且氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。氧化物是从Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
通过采用这样的结构，可提高磁记录介质100的SNR。
以下，对磁记录介质100的SNR可被提高的理由进行说明。
首先，底层2所含的W是体心立方晶格(BCC)结构，(100)配向性较高，所以可提高构成磁性层3的具有L10型结晶结构的合金的(001)配向性。此外，第2底层5所含的氧化物可不影响W的结晶性和(100)配向性地提高第2底层5和磁性层3之间的晶格匹配性。另外，在对磁记录介质100的表面进行局部加热以使磁性层3的矫顽力降低进而进行写入操作时，底层2通过控制加热部位的扩大，还可使平面方向的磁化迁移区域变窄。
接着，对磁记录介质100进行更详细的说明。
在磁记录介质100中，底层2为两层结构，从基板1侧开始依次设置了第1底层4和第2底层5。如前所述，第2底层5是含有以W为主成分的材料的结晶质层，其(100)配向性较高，所以可与其上所形成的具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层3进行晶格匹配。另外，通过在第2底层5之下作为第1底层4设置以W为主成分的结晶质层，还可进一步提高第2底层5的结晶性和(100)配向性。
在热辅助方式的磁记录介质中，为了使平面方向的磁化迁移区域变窄，并降低磁记录介质的噪音，需要抑制加热部位的扩大。为此，在底层例如象专利文献3介绍的那样、由具有与基板表面垂直的柱状高热传导率材料(例如，金属)区域和对其进行分离的低热传导率材料(例如，氧化物)区域的所谓的粒状结构来进行构成的情况下，柱状区域的界面处会产生热滞留，所以可抑制加热部位的横向扩大。
然而，第2底层5也可不象粒状结构那样为由较厚的低热传导率材料区域对较大的柱状高热传导率材料区域进行了分离的结构，而优选为介由较薄的氧化物粒界(晶界)使柱状结晶颗粒之间进行了部分连接的非粒状结构。
这样的非粒状结构中，在包括相同体积的氧化物的情况下，与先前的粒状结构相比，氧化物晶界的间隔(pitch)变细，其变细量为上述产生热滞留的氧化物层变薄的量，该结构是一种单位长度的柱状结晶颗粒和氧化物的晶界部增加了的结构，所以抑制加热部位的扩大的效果可被提高。在采用这样的结构的情况下，柱状结晶颗粒的比表面积变大，所以成膜时氧化物的部分还原的影响比一般的粒状结构显著，但由于构成第2底层5所含的氧化物的金属元素可完全固溶于以W为主成分的材料的结晶颗粒，所以可防止结晶颗粒的结晶性的降低。
在本说明书和权利要求书记载的范围内，以W为主成分的结晶质层是指，W的含量为50at％以上的结晶质层。此时，以W为主成分的结晶质层的W的含量优选为80at％以上，较佳为100at％。
作为以W为主成分的结晶质层，对其并无特别限定，然而可列举出W层、WMo层、WCu层、WNi层、WFe层、WRe层、WC层等。
此外，在本说明书和权利要求书记载的范围内，以W为主成分的材料是指，W的含量为50at％以上的材料。此时，以W为主成分的材料的W的含量优选为70at％以上，较佳为90at％以上。
作为第2底层5所含的以W为主成分的材料，对其并无特别限定，然而可列举出W、WMo、WCu、WNi、WFe、WRe、WC等。
第2底层5是含有含量位于2mol％～30mol％的范围内的氧化物的结晶质层。
氧化物是从Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
作为氧化物对其并无特别限定，然而可列举出CrO、Cr2O3、CrO3、MoO2、MoO3、Nb2O5、Ta2O5、V2O3、VO2、WO2、WO3、WO6等。其中，以W的氧化物为最佳。其原因在于，就藉由W的氧化物的部分还原所生成的W而言，其尤其可容易地完全固溶于构成第2底层5的以W为主成分的材料的结晶颗粒。
需要说明的是，氧化物并不限定于此，还可为这些氧化物的还原物、混合物、复合氧化物等。
本实施方式中，第2底层5的氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内，优选位于10mol％～25mol％的范围内。如果第2底层5的氧化物的含量超过30mol％，则第2底层5的(100)配向性会降低，此外，如果小于2mol％，则不能发挥提高磁性层3的(001)配向性的效果。
本实施方式中，磁性层3所含的具有L10型结晶结构的合金的磁各向异性常数Ku较高。
作为具有L10型结晶结构的合金，例如可列举出FePt合金、CoPt合金等。
当形成磁性层3时，为了促进具有L10型结晶结构的合金的有序化，优选进行加热处理。此情况下，为了降低加热温度(有序化温度)，可向具有L10型结晶结构的合金中添加Ag、Au、Cu、Ni等。
此外，就磁性层3所含的具有L10型结晶结构的合金的结晶颗粒而言，优选为磁性独立。为此，磁性层3优选还含有从由SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、B2O3、C、B及BN所组成的组中选择的一种以上的物质。据此，可更确实地对结晶颗粒之间的交换结合(耦合)进行分断，并可进一步提高磁记录介质100的SNR。
本实施方式中，第2底层5优选为非粒状结构(non-granular structure)。如前所述，第2底层5是具有抑制加热部位的横向扩大的功能的层。为了获得这样的功能，并不是如所谓的粒状结构那样采用较厚的氧化物层对较大的柱状金属结晶颗粒进行了分离的结构，而优选为介由较薄的氧化物晶界对柱状结晶颗粒之间进行了部分连接的结构。
作为采用溅射法对非粒状结构的第2底层5进行成膜的方法，可列举出：在溅射气体内导入氧气以进行反应性溅射的方法、减少靶材所含的氧化物的量以减小氧化物粒径的方法、使用可容易被还原的氧化物的方法等。
本实施方式中，在底层2和磁性层3之间设置了障碍(barrier)层6。
障碍层6包括从由MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、及TiC所组成的组中选择的一种以上的物质，并具有NaCl型结构。
本实施方式中，作为磁性层3使用了具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层，然而，为了促进具有L10型结晶结构的合金的有序化，当形成磁性层3时，存在对基板1进行加热的情况。设置障碍层6的目的在于对此时的底层2和磁性层3之间的界面扩散进行抑制。
障碍层6的厚度较佳位于0.5nm～10nm的范围内。通过使障碍层6的厚度为0.5nm以上，可容易对基板1加热时的底层2和磁性层3之间的界面扩散进行抑制。此外，通过使障碍层6的厚度为10nm以下，可容易进行从磁性层3至第2底层5的热传导。
本实施方式中，在基板1和底层2之间作为配向制御层7设置了具有BCC结构的、Cr层或以Cr为主成分的合金层、或者具有B2结构的合金层。配向制御层7是用于使其上所设置的底层2的配向更确实地为(100)配向而设置的层。为此，配向制御层7也优选为进行了(100)配向。
在本说明书和权利要求书记载的范围内，以Cr为主成分的合金是指，Cr的含量为50at％以上的合金。此时，以Cr为主成分的合金的Cr的含量优选为70at％以上，较佳为90at％以上。
作为以Cr为主成分的合金对其并无特别限定，然而可列举出CrMn合金、CrMo合金、CrW合金、CrV合金、CrTi合金、CrRu合金等。
此外，如果在以Cr为主成分的合金中添加B、Si、C等元素，则可进一步改善底层2的结晶颗粒大小(size)、分散度等。然而，在添加这些元素的情况下，优选在不会导致配向制御层7的结晶性恶化的范围内进行添加。
此外，作为具有B2结构的合金，例如可列举出RuAl合金、NiAl合金等。
磁性层3之上设置由碳保护层8和全氟聚醚(PFPE)系氟树脂所构成的润滑层9。
作为碳保护层8和润滑层9，可采用现有的碳保护层和润滑层。
需要说明的是，根据需要也可省略障碍层6、配向制御层7、碳保护层8、及润滑层9。
此外，为了快速冷却磁性层3，还可在磁记录介质100上设置散热(heat sink)层。
散热层可使用Ag、Cu、Al、Au等热传导率较高的金属、以Ag、Cu、Al、Au等热传导率较高的金属为主成分的合金等。
散热层例如可设置在配向制御层7之下、或配向制御层7和障碍层6之间。
此外，为了改善写入特性，在磁记录介质100上也可设置软磁性层。
作为构成软磁性层的材料对其并无特别限定，然而可使用CoTaZr合金、CoFeTaB合金、CoFeTaSi合金、CoFeTaZr合金等非晶质合金、FeTaC合金、FeTaN合金等微结晶合金、NiFe合金等多结晶合金等。
软磁性层可为单层膜，也可为夹着适当膜厚的Ru层以进行了反强磁耦合的积层(层叠)膜。
此外，除了上述各层之外，根据需要还可在磁记录介质100上设置种子(seed)层、黏接层等。
(磁记录装置)
接着，对本实施方式的磁记录装置的构成例进行说明。
本实施方式的磁记录装置包括本实施方式的磁记录介质。
磁记录装置例如可为具有使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部、及在前端具备近场光生成单元的磁头的结构。此外，磁记录装置还可具有对磁记录介质进行加热的激光生成部、将由激光生成部所生成的激光引导至近场光生成单元的波导路、使磁头移动的磁头驱动部、及信号记录再生处理系统。
图2示出了本实施方式的磁记录装置的一例。
图2所示的磁记录装置包括磁记录介质100、使磁记录介质100旋转的磁记录介质驱动部101、磁头102、使磁头移动的磁头驱动部103、及信号记录再生处理系统104。
图3示出了磁头102的一例。
磁头102具有记录头208和再生头211。
记录头208具有主磁极201、辅助磁极202、生成磁场的线圈203、作为激光生成部的激光二极管(LD)204、及将由LD所生成的激光205引导至近场光生成单元206的波导路207。
再生头211具有由护罩209所夹持的再生单元210。
图2所示的磁记录装置使用了磁记录介质100，所以能够提供一种可提高SNR的高记录密度的磁记录装置。
[实施例]
以下，基于具体实施例进行说明，然而，本发明并不限定于这些实施例。
(实施例1)
制作了磁记录介质100(参照图1)。以下，对磁记录介质100的制造步骤进行说明。
在外径为2.5英寸的玻璃制基板1上，作为种子层形成膜厚为25nm的Cr－50at％Ti(Cr的含量为50at％且Ti的含量为50at％的合金)膜后，在300℃下对基板1进行了加热。然后，作为配向制御层7形成膜厚为20nm的Cr－5at％Mn(Cr的含量为95at％且Mn的含量为5at％的合金)膜。接着，作为第1底层4形成膜厚为20nm的W层，并在第1底层4之上作为第2底层5形成膜厚为20nm的非粒状结构的W－3.2WO3(W的含量为96.8mol％且WO3的含量为3.2mol％的合金)膜。接下来，作为障碍层6形成膜厚为2nm的MgO膜。之后，在580℃下对基板1进行加热，并形成膜厚为10nm的(Fe－45at％Pt)－12mol％SiO2－6mol％BN(Fe的含量为55at％且Pt的含量为45at％的合金的含量为82mol％、SiO2的含量为12mol％、且BN的含量为6mol％的合金)膜作为磁性层3。接着，形成膜厚为3nm的碳保护层8后，在碳保护层8的表面上再形成由全氟聚醚系氟树脂构成的润滑层9，由此制作了磁记录介质100。
(实施例2～4)
除了将第2底层5的组成成分分别改变为W－6.9WO3、W－16.5WO3、及W－25WO3之外，与实施例1同样地制作了磁记录介质。
(实施例5～9)
除了将第2底层5的组成成分分别改变为W－16.5Cr2O3、W－16.5MoO2、W－16.5Nb2O5、W－16.5Ta2O5、及W－16.5V2O3之外，与实施例1同样地制作了磁记录介质。
(实施例10)
除了将第1底层4的组成成分改变为W－10Mo(W的含量为90at％且Mo的含量为10at％的合金)之外，与实施例3同样地制作了磁记录介质。
(实施例11、12)
除了将第2底层5的组成成分分别改变为W－10Mo－16.5WO3(W的含量为73.5mol％、Mo的含量为10mol％、且WO3的含量为16.5mol％的合金)、W－8WO2－8WO3(W的含量为84mol％、WO2的含量为8mol％、且WO3的含量为8mol％的合金)之外，与实施例1同样地制作了磁记录介质。
(比较例1)
除了没有形成第2底层5之外，与实施例1同样地制作了磁记录介质。
(比较例2)
除了没有形成第1底层4之外，与实施例1同样地制作了磁记录介质。
(比较例3、4)
除了将第2底层5的组成成分分别改变为W－1.6WO3和W－30.7WO3之外，与实施例1同样地制作了磁记录介质。
(比较例5)
除了将第2底层5的组成成分改变为W－8SiO2(W的含量为92mol％且SiO2的含量为8mol％的合金)之外，与实施例1同样地制作了磁记录介质。
(比较例6)
除了没有形成第1底层4之外，与比较例5同样地制作了磁记录介质。
(比较例7～9)
除了将第2底层5的组成成分分别改变为W－15TiO、W－15B2O3、及W－15Al2O3之外，与实施例1同样地制作了磁记录介质。
接着，对W(100)峰值的半值幅(half width)、FePt(001)峰值的半值幅、CTTG、及SNR进行了评价。
(W(100)峰值的半值幅)
使用X线衍射装置(Philips公司制)，对形成至底层2的磁记录介质的中间样本(sample)的X线衍射光谱进行了测定，由此求出了W(100)峰值的半值幅。
(FePt(001)峰值的半值幅)
使用X线衍射装置(Philips公司制)，对形成至磁性层3的磁记录介质的中间样本的X线衍射光谱进行了测定，由此求出了FePt(001)峰值的半值幅。
(CTTG)
使用读写分析器(read-write analyzer)RWA1632和自旋支架(spin stand)S1701MP(均为GUZIK公司制)，对磁记录介质的CTTG(Cross－TrackThermalGradient)进行了测定。这里，CTTG是与磁道(track)方向垂直的方向的热梯度[K/nm]，其值越大，热梯度越陡峭，即表示，记录比特(bit)间的记录温度差较大，写入渗出(writingexudation)较少。
需要说明的是，就比较例2、6的磁记录介质而言，由于所记录的信号强度较弱，无法确定写入的线宽，所以并没有测定到CTTG。
(SNR)
使用磁头102(参照图3)，将线记录密度为1500kFCI的同一模式(all onepattern)的信号记录于磁记录介质，并对SNR进行了测定。这里，施加至激光二极管的电力(power)被进行了调整，以使被定义为磁道轮廓(track profile)的半值幅的磁道宽度MWW为60nm。
表1示出了W(100)峰值的半值幅、FePt(001)峰值的半值幅、CTTG、及SNR的评价结果。
由表1可知，与比较例1～3、6～9的磁记录介质相比，实施例1～12的磁记录介质的CTTG较高，SNR也较高。此外，就实施例1～4、10～12的磁记录介质而言，由于具有包含W的氧化物的第2底层5，所以CTTG和SNR都特别高。
另一方面，氧化物的晶界越多，热量越难以扩散，所以，如比较例4、5的磁记录介质那样，氧化物的量和/或种类也会导致CTTG变高。但是，SNR除了CTTG之外还会受到底层2和磁性层3的配向性等因素的影响。为此，就比较例4、5的磁记录介质而言，由于底层和磁性层的配向性发生了紊乱(不一致)，所以SNR较低。
[表1]
基于上述，提供一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层，其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，所述第1底层是以W为主成分的结晶质层，所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物，且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
所述氧化物是W的氧化物。
所述第2底层是非粒状结构。
在所述底层和所述磁性层之间还包括障碍层，所述障碍层包括从由MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、及TiC所组成的组中选择的一种以上的物质，且具有NaCl型结构。
在所述基板和所述底层之间还包括配向制御层，所述配向制御层是具有BCC结构的、Cr层或以Cr为主成分的合金层、或者是具有B2结构的合金层。
还提供一种磁记录装置，包括上述的磁记录介质。
以上对本发明的实施方式进行了说明，但上述内容并不是对本发明的内容进行限定的内容。
Claims (6)
1.一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层，其中，
所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，
所述第1底层是以W为主成分的结晶质层，
所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物，且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，
所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，
所述氧化物是W的氧化物。
3.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，
所述第2底层是非粒状结构。
4.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，
在所述第2底层和所述磁性层之间还包括障碍层，
所述障碍层包括从由MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、及TiC所组成的组中选择的一种以上的物质，且具有NaCl型结构。
5.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，
在所述基板和所述第1底层之间还包括配向制御层，
所述配向制御层是具有BCC结构的、Cr层或以Cr为主成分的合金层、或者是具有B2结构的合金层。
6.一种磁记录装置，包括如权利要求1至5中的任一项所述的磁记录介质。
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
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Effective date of registration: 20230710 Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Showa electrical materials Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha |