CN104103290A - 磁记录介质和磁存储装置 - Google Patents

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    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
    • G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
    • G11B5/737—Physical structure of underlayer, e.g. texture

Abstract

一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。

Description

磁记录介质和磁存储装置
技术领域
本发明涉及一种磁记录介质和磁存储装置。
背景技术
近年，硬盘驱动器ＨＤＤ的大容量化的需求日益提高。作为满足这种需求的手段，提出了一种采用安装了激光光源的磁头对磁记录介质进行加热以进行记录的热辅助磁记录方式。
采用热辅助磁记录方式，藉由对磁记录介质进行加热，可大幅降低保磁力，所以，可在磁记录介质的磁性层使用磁晶异方性常数Ｋｕ较高的材料。为此，可在对热稳定性进行维持的同时进行磁粒粒径的微细化，并可实现1Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ2级别的面密度。作为高Ｋｕ磁性材料，提出了Ｌ10型ＦｅＰｔ合金、Ｌ10型ＣｏＰｔ合金、Ｌ11型ＣｏＰｔ合金等的有序合金等。
另外，在磁性层中，为了对由上述有序合金组成的结晶粒进行隔离（isolate），添加了作为粒界相材料（grain boundary phasematerial）的ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等的氧化物或Ｃ、ＢＮ等。藉由具有在粒界相所分离的磁性结晶粒的粒状结构，可降低磁性粒子间的交换结合，并可实现较高的介质ＳＮ比。
非专利文献1中记载了，通过在ＦｅＰｔ添加38％的ＳｉＯ2，可将磁粒粒径降低至5ｎｍ。再有，在该文献还记载了，通过将ＳｉＯ2的添加量再增加至50％，可将粒径降低至2.9ｎｍ。
另外，为了获得具有较高垂直磁气异方性的热辅助磁记录介质，优选为，使磁性层中的Ｌ1O型有序合金中具有良好的（001）密排方向(orientation)。由于磁性层的密排方向可由底层进行控制，所以，需要使用适当的底层。
关于底层，例如，专利文献1中示出了，通过使用ＭｇＯ底层，Ｌ1O型ＦｅＰｔ磁性层可具有良好的（001）密排方向。
另外，专利文献2中记载了，通过在Ｃｒ-Ｔｉ-Ｂ合金等的具有ＢＣＣ结构的结晶粒径控制层之上形成作为“结晶密排方向性控制兼低热传导中间层”的ＭｇＯ层，Ｌ1O型ＦｅＰｔ磁性层可具有更好的（001）密排方向。
专利文献3的实施例2.3中记载了，作为底层可使用Ｗ-5ａｔ％Ｍｏ／Ｃｒ的例子。
另外，作为次世代的记录方式而被注目的其它技术，还具有微波辅助磁记录方式。微波辅助磁记录方式是一种通过向磁记录介质的磁性层照射微波，使磁化方向从磁化容易轴倾斜，并使磁性层的磁化局部反转（翻转），以对磁性信息进行记录的方式。
在微波辅助磁记录方式中也与热辅助磁记录方式同样地，作为磁性层的材料，可使用由具有Ｌ1O型结晶结构的合金所组成的高Ｋｕ材料。为此，可在对热稳定性进行维持的同时进行磁粒粒径的微细化。
同时，在使用上述热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式的磁记录介质的磁存储装置中，为了实现较高的介质ＳＮ比，还需要在磁记录介质中进行磁性结晶粒的微细化的同时，也要充分地降低磁性结晶粒间的交换结合。作为实现该目的的方法，如上所述，可向磁性层中添加ＳｉＯ2或Ｃ等的粒界相材料。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]特开平11-353648号公报
[专利文献2]特开2009-158054号公报
[专利文献3]特开2012-48792号公报
[非专利文献]
[非专利文献1]Ｊ.Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.104，023904（2008）
发明内容
[发明要解决的课题]
然而，在使用为磁存储装置的情况下，如果为了获得足够高的介质ＳＮ比而添加了多量的粒界相材料，则存在着，磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金的结晶粒（以下，也称「磁性层结晶粒」）、例如、ＦｅＰｔ合金结晶粒的有序度恶化，Ｋｕ降低的问题。
本发明是鉴于上述现有技术所存在的问题而提出的，其目的在于提供一种磁记录介质，可在不使磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质ＳＮ比。
[用于解决课题的手段]
根据本发明的一方面，提供一种磁记录介质，包含：
基板；
在所述基板上形成的多个底层；及
在所述多个底层上形成的磁性层，
其中，
所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；
所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；
所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；
所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及
在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
根据本发明的另一方面，还提供一种磁记录介质，包含：
基板；
在所述基板上形成的多个底层；及
在所述多个底层上形成的磁性层，
其中，
所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；
所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；
所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；
所述结晶质底层还包含1ｖｏｌ％以上、50ｖｏｌ％以下的氧化物；及
在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
[发明的效果]
根据本发明，能够提供一种磁记录介质，可在不使磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质ＳＮ比。
附图概述
[图1]本发明的一个实施例的磁记录装置的图。
[图2]本发明的一个实施例的磁头的结构图。
[图3]实验例1所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。
[图4]实验例2所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。
[图5]实验例5所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。
[符号说明]
100、212  磁记录介质
101  磁记录介质驱动部
102  磁头
103  磁头驱动部
104  记录和再生信号处理系统
301、401、501  基板（玻璃基板）
304、404、506  底层
305、405、507  阻挡层
306、406、508 磁性层
本发明的实施方式
本申请主张基于2013年4月12日申请的日本国专利申请第2013-084285号（以下简称“第1基础申请”）和2013年6月13日申请的日本国专利申请第2013-124791号（以下简称“第2基础申请”）的优先权，并将这两个申请的全部内容引用于此。
以下，对本发明的实施方式进行说明。然而，本发明并不限定于下述的实施方式，只要不脱离本发明的范围，可对下述实施方式进行各种各样的变形或置换。
这里需要说明的是，下述的第1、第2实施方式与上述第1基础申请相对应，下述的第3、第4实施方式与上述第2基础申请相对应。[第1实施方式]
在本实施方式中，对本发明的磁记录介质的结构例进行说明。
本实施方式的磁记录介质具有：基板；该基板上所形成的多个底层；及以具有Ｌ10结构的合金为主成分的磁性层。另外，多个底层中的至少1层为含有Ｗ的底层。
另外，含有Ｗ的底层包含Ｗ，并且包含从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＢＮ、ＷＮ、Ｃｒ2Ｎ、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＶＮ中所选择的1种以上的物质。
另外，在含有Ｗ的底层与所述磁性层之间，还形成有具有ＮａＣｌ型结构的阻挡层。
首先，如上所述，本实施方式的磁记录介质具有基板、基板上所形成的多个底层、及磁性层。
这里，对基板并无特别的限定，可以使用能作为磁记录介质的各种各样的基板。
另外，该基板上形成了多个底层，多个底层中的至少1层为含有Ｗ（钨）的底层。
含有Ｗ的底层包含从上述的Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、ＳｉＯ2等的氧化物、及ＢＮ等的氮化物中所选择的1种以上的物质。
含有Ｌ10结构的ＦｅＰｔ合金等的结晶粒的磁性层形成在底层上，然而，在底层的结晶粒径较大的情况下，可为在1个结晶粒上成长具有多个Ｌ10结构的合金结晶粒。为此，现有技术中存在着，磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金的各结晶粒的粒径不均，粒径分布（即，粒径不均）较大的问题。对此，在本实施方式的磁记录介质中，通过设置含有Ｗ的底层，可对底层的粒径进行微细化。通过对底层的粒径进行微细化，可促进在1个底层结晶粒上成长1个磁性层结晶粒的“Ｏｎｅｔｏｏｎｅ成长”。据此，可达到使磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金的结晶粒的粒径均匀化的目的。即，可降低磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的粒径分布（即，使粒径均匀化）。另外，同时，在使用为磁存储装置的情况下，还可提高介质ＳＮ比。在本实施方式的磁记录介质中，通过设置上述底层，不仅可降低保磁力的分布（不均），还可促进磁性层结晶粒间的分离，进而降低交换结合。另外，也可降低翻转磁场分布（ＳＦＤ：ＳｗｉｔｃｈｉｎｇＦｉｅｌｄＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）。
在含有Ｗ的底层包含从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的物质的情况下，含有量（添加量）优选为1ｍｏｌ％以上、25ｍｏｌ％以下。其原因在于，如果超过25ｍｏｌ％，则存在着向底层的（100）面的密排方向性降低的情况，不是较好。另外，如果从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的物质的含有量小于1ｍｏｌ％，则存在着不能充分发挥添加效果的情况，所以，含有量优选在上述范围内。
在含有Ｗ的底层包含从Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＢＮ、ＷＮ、Ｃｒ2Ｎ、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＶＮ中所选择的1种以上的物质的情况下，含有量优选为1ｍｏｌ％以上、40ｍｏｌ％以下。
其原因在于，如果上述氧化物或氮化物的含有量超过40ｍｏｌ％，则存在着向底层的（100）面的密排方向性降低的情况，并非较好。另外，在上述氧化物或氮化物的含有量小于1ｍｏｌ％的情况下，存在着不能充分发挥添加效果的情况，所以，含有量优选为在上述范围内。
这里，作为含有Ｗ的底层中的Ｗ的含有量，对其并无特别的限定，然而，优选为以Ｗ为主成分的方式进行添加，具体而言，在除了Ｂ、Ｓｉ、Ｃ元素、上述氧化物、或氮化物之外的Ｗ化合物中，将含有量最多的元素设为Ｗ。特别地，在除了Ｂ、Ｓｉ、Ｃ元素、上述氧化物、或氮化物的Ｗ化合物中，Ｗ的含有量优选为30ａｔ％以上，最好为90ａｔ％以上。这里需要说明的是，并不需要以单体的形态来包含Ｗ，可为以添加了其它元素的形态来包含Ｗ，或者如前所述，以化合物的形态来包含Ｗ。
另外，为了使磁记录介质的性能稳定，多个底层间的晶格错配优选为10％以下。为了对晶格错配进行调整，含有Ｗ的底层还可包含从Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ中所选择的1种以上的元素。在包含从Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ中所选择的1种以上的元素的情况下，对含有量并无特别限定，可采用能对上述晶格错配进行控制的方式来对其添加量进行选择。
为了使上述含有Ｗ的底层的密排方向更确实地为（100）密排方向，含有Ｗ的底层的下面优选为形成密排方向控制底层。作为密排方向控制底层的材料，对其并无特别的限定，例如，可使用从Ｃｒ（Ｃｒ金属）、以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金、及具有Ｂ2结构的合金中所选择的1种以上的金属。另外，在此情况下，含有Ｗ的底层优选为，形成在由从Ｃｒ、以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金、及具有Ｂ2结构的合金中所选择的1种以上的金属所组成的密排方向控制底层之上。
作为以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金，可列举出ＣｒＭｎ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＲｕ等。另外，作为密排方向控制层，如果在Ｃｒ或以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金中再添加Ｂ、Ｓｉ、Ｃ等，则可以改善底层的结晶粒子的大小、分布度等。但是，在进行添加的情况下，最好不要使密排方向控制层本身的（100）密排方向性恶化。
另外，作为具有Ｂ2结构的合金，例如，可列举出ＲｕＡｌ、ＮｉＡｌ等。
接下来对磁性层进行说明。
作为磁性层的材料，对其并无特别限定，然而，因为具有较高的磁晶异方性常数Ｋｕ，可优选使用以具有Ｌ10结构的合金为主成分的材料。作为这样的具有Ｌ10结构的合金，例如，可列举出ＦｅＰｔ合金、ＣｏＰｔ合金等。
如上所述，在形成磁性层时，为了促进磁性层的有序化，优选为进行加热处理，然而，为了降低此时的加热温度（有序化温度），可在具有Ｌ10结构的合金中添加Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等。通过添加这些成分，可将磁性层形成时的加热温度（基板温度）降低至400～500℃左右。
另外，在磁性层中，具有Ｌ10结构的合金的结晶粒优选为磁气隔离。为此，磁性层优选为包含从ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3、Ｃ、Ｂ、ＢＮ中所选择的1种以上的物质。据此，可对结晶粒间的交换结合进行更确实地切断，并可提高介质ＳＮ比。
另外，为了促进具有Ｌ10结构的磁性层的有序化，在制造本实施方式的磁记录介质时，在形成磁性层时，优选为进行600℃左右的加热。此时，为了对底层与磁性层之间的界面扩散进行抑制，在含有Ｗ的底层与磁性层之间优选为形成具有ＮａＣｌ型结构的阻挡层。
此时，对具有ＮａＣｌ型结构的阻挡层的材料并无特别限定，然而，优选为，包含从ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ中所选择的1种以上的化合物。
以上对本实施方式的磁记录介质的结构例进行了说明，然而，就本实施方式的磁记录介质而言，还可以设置任意的各种各样的部件，例如，可为具有以下的部件的结构。
例如，在磁性层上最好形成ＤＬＣ保护膜。
对ＤＬＣ保护膜的制造方法并无特别的限定。例如，可采用：对由碳化氢所组成的原料气体由高频等离子体进行分解以形成膜的ＲＦ-ＣＶＤ法、由灯丝所放出的电子对原料气体进行离子化以形成膜的ＩＢＤ法、不使用原料气体而使用固体ＣTarget以形成膜的ＦＣＶＡ法等。
对ＤＬＣ保护膜的膜厚并无特别的限定，例如，优选为1ｎｍ以上、6ｎｍ以下。其原因在于，如果低于1ｎｍ，则存在着磁头的浮上特性恶化的情况，并非较好。另外，如果高于6ｎｍ，则磁隙（magnetic spacing）变大，存在着介质ＳＮ比下降的情况，也并非较好。
在ＤＬＣ保护膜上，还可涂敷由全氟聚醚（PFPE）系氟树脂所组成润滑剂。
另外，为了迅速地对磁性层进行冷却，优选为形成散热层。散热层可使用Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等的热传导率的高的金属、或以Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等的热传导率的高的金属为主成分的合金。例如，在热辅助磁记录方式中，磁记录介质的磁性层在被激光加热后，优选为被迅速冷却，这样，可对加热点的扩大进行抑制。为此，通过设置散热层，可降低磁化迁移区域的宽度，降低介质噪音，为较好的。对散热层的设置位置并无特别的限定，例如，优选为，在密排方向控制层的下面、或、在密排方向控制层与阻挡层之间来进行形成。
另外，为了改善写入特性，也可形成软磁性底层。作为软磁性底层的材料，对其并无特别的限定，然而，例如可使用ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＴａＳｉ、ＣｏＦｅＴａＺｒ等的非晶质合金、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ等的微结晶合金、ＮｉＦｅ等的多结晶合金等。软磁性底层可为由上述合金所组成的单层膜，也可为通过对适当膜厚的Ｒｕ层进行夹持而进行了反强磁性结合的积层膜。
另外，除了上述的层以外，根据需要，还可任意地设置种晶（seed）层、黏接层等。
以上所说明的本实施方式的磁记录介质可优选作为热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式的磁记录介质来使用。
根据以上所述的本实施方式的磁记录介质，通过在预定的底层上形成磁性层，可在不使磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质ＳＮ比。[第2实施方式]
在本实施方式中，对本发明的磁存储装置的结构例进行说明。这里需要说明的是，在本实施方式中，尽管对基于热辅助磁记录方式的磁存储装置的结构例进行了说明，然而，并不限定于该方式，也可将第1实施方式中所说明的磁记录介质使用于基于微波辅助磁记录方式的磁存储装置。
本实施方式的磁存储装置可为具有第1实施方式中所说明的磁记录介质的磁存储装置。
在磁存储装置中，例如，可为还具有用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部、及在前端部具有近场光发生元件的磁头的结构。另外，可具有：用于对磁记录介质进行加热的激光发生部；将激光发生部所发生的激光导引至近接场光发生元件的导波路；用于使磁头移动的磁头驱动部；及记录和再生（recording/reproduction）信号处理系统。
磁存储装置的具体结构例示于图1中。
例如，本实施方式的磁存储装置可为图1所示的结构。具体而言，可为由磁记录介质100、用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部101、磁头102、用于使磁头移动的磁头驱动部103、及记录和再生信号处理系统104等构成的结构。
另外，作为磁头102，例如，可使用图2所示的记录用磁头。该磁头具有记录头208和再生头211。记录头208具有：主磁极201；辅助磁极202；用于产生磁场的线圈203；作为激光发生部的激光二极管（ＬＤ）204；及用于将ＬＤ所发出的激光205引导至近接场光发生元件206的导波路207。再生头211具有由保护部（shield）209所夹持的再生元件210。
另外，作为磁记录介质100，如上所述，使用了第1实施方式中所说明的磁记录介质。为此，通过在预定的底层上形成磁性层，可在不使磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质ＳＮ比。另外，还可获得OW（覆盖）特性（Over-Write特性）良好的磁记录装置。
[实施例]
以下通过列举具体的实施例进行说明，然而，本发明并不限定于这些实施例。
[实验例1]
（实施例1-1～1-13、比较例1-1～1-2）
在本实验例中，制作了实施例1-1～1-13、比较例1-1、1-2的试料，并对其进行了评价。
图3表示本实验例中所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。以下对其制造步骤进行说明。
在本实验例中，在2.5英寸的玻璃基板301上，作为种晶层302，形成了膜厚为25ｎｍ的Ｎｉ-35ａｔ％Ｔａ层，并进行了300℃的基板加热。
作为密排方向控制底层303，形成了膜厚为20ｎｍ的Ｒｕ-50ａｔ％Ａｌ。
接下来，形成了含有Ｗ的底层304，其膜厚为15ｎｍ。
另外，作为阻挡层305，形成了膜厚为2ｎｍ的ＭｇＯ层。
之后，进行580℃的基板加热，形成了8ｎｍ的（Ｆｅ-46ａｔ％Ｐｔ）-15ｍｏｌ％的ＳｉＯ2磁性层306，再形成了膜厚为3ｎｍ的ＤＬＣ保护膜307。
含有Ｗ的底层304如表1所示，在各实施例中形成了组成成分不同的层。在实施例1-1中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｂ层，在实施例1-2中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｓｉ层，在实施例1-3中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｃ层，在实施例1-4中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｂ2Ｏ3层，在实施例1-5中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的ＳｉＯ2层，在实施例1-6中形成了Ｗ-10ｍｏｌ％的ＣｅＯ2层，在实施例1-7中形成了Ｗ-16ｍｏｌ％的ＴｉＯ层，在实施例1-8中形成了Ｗ-10ｍｏｌ％的ＺｒＯ2层，在实施例1-9中形成了Ｗ-10ｍｏｌ％的Ａｌ2Ｏ3层，在实施例1-10中形成了Ｗ-5ｍｏｌ％的Ｙ2Ｏ3层，在实施例1-11中形成了（Ｗ-20ａｔ％Ｔａ)-5ｍｏｌ％的Ｔａ2Ｏ5层，在实施例1-12中形成了（Ｗ-20ａｔ％Ｃｒ)-8ｍｏｌ％的Ｃｒ2Ｏ3层，在实施例1-13中形成了（Ｗ-20ａｔ％Ｔｉ）-17ｍｏｌ％的ＴｉＮ层。
另外，在比较例1-1、1-2中，制作了分别形成了不添加Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、氧化物、及氮化物的Ｗ层及Ｗ-20ａｔ％的Ｔａ层的介质。
通过对本实验例中所制作的试料（介质）进行Ｘ线衍射测定，从密排方向控制底层303的Ｒｕ-50ａｔ％的Ａｌ观察到了（100）面的衍射峰值和较弱的（200）面的衍射峰值。
从含有Ｗ的底层304仅观察到了（200）面的衍射峰值。
从磁性层306观察到了Ｌ10-ＦｅＰｔ的（001）面的衍射峰值、以及、Ｌ10-ＦｅＰｔ的（002）面的衍射峰值和ＦＣＣ-ＦｅＰｔ的（200）面的衍射峰值的混合峰值。
阻挡层305薄为2ｎｍ，所以，没有看到明显的衍射峰值，然而，由于磁性层306为上述的密排方向，所以，也为（100）密排方向。
另外，由于从种晶层302没有看到明显的衍射峰值，所以，可知该种晶层是非晶质（非结晶）结构。
表1示出了，相对于Ｌ10-ＦｅＰｔ的（002）面的衍射峰值和ＦＣＣ-ＦｅＰｔ的（200）面的衍射峰值的混合峰值强度(Ｉ002＋Ｉ200)的、Ｌ10-ＦｅＰｔ的（001）面的衍射峰值强度Ｉ001的比率、即、Ｉ001／（Ｉ002＋Ｉ200）。另外，还示出了保磁力Ｈｃ和标准化（正规化）了的保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ。
这里，Ｈｃ是根据通过使用ＳＵＱＩＤ（超传导量子干涉元件）施加7Ｔ的磁场而在室温下所测定的磁化曲线所求得的。另外，ΔＨｃ／Ｈｃ是采用「ＩＥＥＥＴｒａｎｓ.Ｍａｇｎ.，ｖｏｌ.27，ｐｐ4975-4977，1991」中所述的方法所测定的。具体而言，在通过施加7Ｔ的最大磁场而在室温下所测定的major loop及minor loop中，对磁化值为饱和值的50％时的磁场进行测定，然后，根据两者的差，并在假定Ｈｃ分布为高斯分布的前提下，算出了ΔＨｃ／Ｈｃ。ΔＨｃ／Ｈｃ是相当于反转（翻转）磁场分布的参数，该值越低，表示在使用为磁存储装置的情况下所获得的介质ＳＮ比越高，是较好的。
[表1]
由表1的结果可知，在本实验例中的实施例1-1～1-13的试料中，都示出了Ｈｃ为38ｋＯｅ以上，可确认到，与比较例1-1、1-2的试料（介质）相比，高出了6ｋＯｅ以上。
另外，关于ΔＨｃ／Ｈｃ，实施例1-1～1-13的试料都示出了为0.3以下，可确认到，低于比较例1-1、1-2的介质。
另外，本实施例1-1～1-13的试料和比较例1-1、1-2的试料的Ｉ001／（Ｉ002＋Ｉ200）都示出了2.1以上的高值，所以可知，磁性层中的Ｌ10-ＦｅＰｔ合金的有序度为良好。
根据以上的结果可确认到，通过在含有Ｗ的底层中添加从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＢＮ、ＷＮ、Ｃｒ2Ｎ、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＶＮ中所选择的1种以上的物质，可对磁性层中的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的有序度进行维持。另外，可确认到，可大幅改善磁性层的Ｌ10-ＦｅＰｔ合金的分布度，并可降低反转磁场分布。
[实验例2]
（实施例2-1～2-11、比较例2-1）
图4示出了本实验例所制作的磁记录介质的截面模式图。
在2.5英寸的玻璃基板401上，作为种晶层402，形成了膜厚为25ｎｍ的Ｃｒ-50ａｔ％Ｔｉ层，并进行了300℃的基板加热。
作为密排方向控制底层403，形成了膜厚为20ｎｍ的Ｃｒ-5ａｔ％Ｍｎ。
作为含有Ｗ的底层404，形成了膜厚为20ｎｍ的Ｗ-8ｍｏｌ％ＳｉＯ2层。
另外，作为阻挡层405，形成了膜厚为2ｎｍ的层。阻挡层405在各实施例中形成了组成成分不同的层。具体而言，如表2所示，在实施例2-1中形成了ＭｇＯ层，在实施例2-2中形成了ＴｉＯ层，在实施例2-3中中形成了ＮｉＯ层，在实施例2-4中形成了ＴｉＮ层，在实施例2-5中形成了ＴａＮ层，在实施例2-6中形成了ＨｆＮ层，在实施例2-7中形成了ＮｂＮ层，在实施例2-8中形成了ＺｒＣ层，在实施例2-9中形成了ＨｆＣ层，在实施例2-10中形成了ＮｂＣ，在实施例2-11中形成了ＴａＣ层。另外，作为比较例2-1，还制作了没有设置阻挡层的试料。
之后，进行600℃的基板加热，作为磁性层406，形成了膜厚为10ｎｍ的（Ｆｅ-45ａｔ％Ｐｔ）-12ｍｏｌ％ＳｉＯ2-6ｍｏｌ％的ＢＮ层。另外，作为ＤＬＣ保护膜407，形成了膜厚为3ｎｍ的层。
[表2]
阻挡层 Hc(kOe) ΔHc/Hc
实施例2-1 MgO 41.0 0.30
实施例2-2 TiO 38.9 0.28
实施例2-3 NiO 38.3 0.28
实施例2-4 TiN 40.9 0.25
实施例2-5 TaN 39.6 0.27
实施例2-6 HfN 39.0 0.26
实施例2-7 NbN 39.8 0.26
实施例2-8 ZrC 38.6 0.29
实施例2-9 HfC 38.1 0.29
实施例2-10 NbC 39.7 0.30
实施例2-11 TaC 42.3 0.27
比较例2-1 - 19.0 0.38
与实验例1的情况同样地，保磁力Ｈｃ和保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ的测定结果示于表2中。
由表2的结果可知，在本实验例中的实施例2-1～2-11的试料中，都示出了Ｈｃ为38ｋＯｅ以上的高Ｈｃ以及0.3以下的低ΔＨｃ／Ｈｃ。
另外，可确认到，在实施例的试料中，特别是在作为阻挡层405而形成了ＭｇＯ层、ＴｉＮ层、ＴａＣ层的实施例2-1、实施例2-4、实施例2-11的试料中，Ｈｃ为40ｋＯｅ以上的特别高的Ｈｃ。
另一方面，在没有形成阻挡层405的比较例2-1的试料中，可确认到，Ｈｃ为20ｋＯｅ以下，ΔＨｃ／Ｈｃ高为0.38。其原因在于，为了促进具有Ｌ10结构的磁性层的有序化，在形成磁性层时，将基板加热至了600℃，此时，在底层与磁性层之间，产生了界面扩散，磁性层不能充分地发挥其应发挥的性能。
从以上的结果可确认到，为了形成以具有良好有序度的Ｌ1O型结构的合金为主成分的磁性层而进行基板加热时，为了对底层与磁性层之间的界面扩散进行抑制，在底层与磁性层之间，最好设置具有ＮａＣｌ型结构的阻挡层。
[实验例3]
（实施例3-1～3-8、比较例3-1）
如表3所示，制作了磁记录介质，其中，作为含有Ｗ的底层404，形成了添加了1～40ｍｏｌ％的ＳｉＯ2的（Ｗ-20ａｔ％Ｔａ）-ＳｉＯ2层，其余都与实施例2-1相同。
另外，在比较例3-1中，制作了试料（介质），其中，作为含有Ｗ的底层404，形成了没有添加ＳｉＯ2的Ｗ-20ａｔ％Ｔａ层。
这里需要说明的是，在实施例和比较例中，就含有Ｗ的底层的组成之外的层结构、成膜处理而言，与实验例2相同。
表3示出了在实施例3-1～3-8及比较例3-1中所得到的试料的保磁力Ｈｃ及保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ的测定结果。
[表3]
含有W的底层的组成 Hc(kOe) ΔHc/Hc
实施例3-1 (W-20at%Ta)-1mol%SiO2 37.8 0.31
实施例3-2 (W-20at%Ta)-4mol%SiO2 40.4 0.25
实施例3-3 (W-20at%Ta)-8mol%SiO2 40.7 0.23
实施例3-4 (W-20at%Ta)-12mol%SiO2 41.9 0.25
实施例3-5 (W-20at%Ta)-16mol%SiO2 39.7 0.26
实施例3-6 (W-20at%Ta)-20mol%SiO2 40.8 0.26
实施例3-7 (W-20at%Ta)-30mol%SiO2 39.1 0.27
实施例3-8 (W-20at%Ta)-40mol%SiO2 36.5 0.32
比较例3-1 W-20at%Ta 30.9 0.37
由表3的结果可知，在实施例3-1～3-8中，都确认到了，Ｈｃ为36ｋＯｅ以上，ΔＨｃ／Ｈｃ为0.32以下，与没有添加ＳｉＯ2的比较例3-1的试料相比，性能都得到了提高。从该结果可知，在含有Ｗ的底层中，在向Ｗ中添加上述的ＳｉＯ2的情况下，其添加量优选为，1ｍｏｌ％以上、40ｍｏｌ％以下。
另外，尤其可确认到，在含有Ｗ的底层中，ＳｉＯ2的添加量为4～30ｍｏｌ％的试料（实施例3-2～3-7）的Ｈｃ可高达39ｋＯｅ以上；另外，关于这些试料，其ΔＨｃ／Ｈｃ低至0.28以下。
其中，在添加了8ｍｏｌ％的ＳｉＯ2的试料的实施例3-2中，ΔＨｃ／Ｈｃ为0.23，示出了特别低的值。
在ＳｉＯ2的添加量为1ｍｏｌ％的实施例3-1的试料和ＳｉＯ2的添加量为40ｍｏｌ％的实施例3-8的试料中，如上所述，与比较例3-1的试料相比，可确认到其添加效果。但是，在Ｈｃ为38ｋＯｅ以下、ΔＨｃ／Ｈｃ为0.30以上的情况下，则可确认到，与其它实施例的试料相比，性能有一些不好。其原因在于，在ＳｉＯ2的添加量为1ｍｏｌ％的情况下，底层的粒径的微细化不充分，在磁性层的Ｌ10-ＦｅＰｔ合金粒子间的隔离方面，没有获得充分的效果；另外，在将ＳｉＯ2过多地添加至40ｍｏｌ％的情况下，向含有Ｗ的底层的（100）面的密排方向性降低了。
从以上的结果可知，在向含有Ｗ的底层添加ＳｉＯ2的情况下，其添加量优选为1ｍｏｌ％以上、40ｍｏｌ％以下，最好为大于1ｍｏｌ％、小于40ｍｏｌ％。
另外，在本实验例中尽管以ＳｉＯ2为例进行了研讨，但是，对ＳｉＯ2以外的上述氧化物、氮化物（Ｂ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＢＮ、ＷＮ、Ｃｒ2Ｎ、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＶＮ）也同样适用，所以，在添加这些化合物的情况下，也优选为采用同样的添加量。
[实验例4]
（实施例4-1～4-6、比较例4-1）
如表4所示，制作了磁记录介质，其中，作为含有Ｗ的底层404，形成了添加了1～25ｍｏｌ％的Ｂ的Ｗ-Ｂ层，其余都与实施例2-1的磁记录介质相同。
另外，作为比较例4-1，制作了试料（介质），其中，作为含有Ｗ的底层404，形成了没有添加Ｂ的Ｗ层。
这里需要说明的是，在实施例和比较例中，就含有Ｗ的底层的组成之外的层结构、成膜处理而言，其与实验例2相同。
表4示出了在实施例4-1～4-6及比较例4-1中所获得的试料的保磁力Ｈｃ及保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ的测定结果。
[表4]
根据表4的结果可知，在实施例4-1～4-8中，都确认到了，Ｈｃ为大约36ｋＯｅ，ΔＨｃ／Ｈｃ为0.35以下，与没有添加Ｂ的比较例4-1的试料相比，性能都得到了提高。从该结果可知，对于含有Ｗ的底层，在向Ｗ添加Ｂ的情况下，其添加量优选为1ｍｏｌ％以上、25ｍｏｌ％以下。
尤其是在含有Ｗ的底层中，确认到了，Ｂ的添加量为5～20ｍｏｌ％的试料（实施例4-2～4-5）的Ｈｃ高达38ｋＯｅ以上；另外，这些试料的ΔＨｃ／Ｈｃ低至0.28以下。
其中，在添加了10ｍｏｌ％的Ｂ的试料的实施例4-3中，示出了ΔＨｃ／Ｈｃ为0.23的特别低的值。
在Ｂ的添加量为1ｍｏｌ％的实施例4-1的试料和Ｂ的添加量为25ｍｏｌ％的实施例4-6的试料中，如上所述，与比较例4-1的试料相比，确认到了其添加效果。但是，在ΔＨｃ／Ｈｃ为0.30以上的情况下，则确认到了与其他实施例的试料相比，性能有些不好。其原因在于，在Ｂ的添加量为1ｍｏｌ％的情况下，底层的粒径的微细化不充分，在磁性层的Ｌ10-ＦｅＰｔ合金粒子间的隔离方面，没有获得充分的效果；另外，在将Ｂ过多地添加了25ｍｏｌ％的情况下，向含有Ｗ的底层的（100）面的密排方向性降低了。
根据以上的结果可知，在向含有Ｗ的底层添加Ｂ的情况下，其添加量优选为1ｍｏｌ％以上、25ｍｏｌ％以下，最好为大于1ｍｏｌ％、小于25ｍｏｌ％。
这里需要说明的是，这里尽管以Ｂ为例进行了研讨，但是，对于Ｂ以外的上述元素（Ｓｉ、Ｃ）也同样适用，所以，在添加从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的元素的情况下，最好也采用同样的添加量。
[实验例5]
（实施例5-1～5-8、比较例5-1～5-2）
图5示出了本实验例所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。
在2.5英寸的玻璃基板501上，作为接着层502，形成了膜厚为10ｎｍ的Ｃｒ-50ａｔ％Ｔｉ层，另外，作为散热层503，形成了膜厚为50ｎｍ的Ｃｕ-0.5ａｔ％Ｚｒ层。另外，作为种晶层504，形成了膜厚为10ｎｍ的Ｃｒ-50ａｔ％Ｔｉ层，并进行了300℃的基板加热。
之后，作为密排方向控制底层505，形成了膜厚为10ｎｍ的Ｃｒ-10ａｔ％Ｒｕ。
作为含有Ｗ的底层506，形成了膜厚为15ｎｍ的层，作为阻挡层507，形成了膜厚为2ｎｍ的ＭｇＯ层。
之后，进行600℃的基板加热，作为磁性层508，形成了膜厚为8ｎｍ的（Ｆｅ-46ａｔ％Ｐｔ）-30ｍｏｌ％的Ｃ层。另外，作为ＤＬＣ保护膜509，形成了膜厚为3ｎｍ的层。
含有Ｗ的底层506在各实施例中形成了组成成分不同的层。具体而言，如表5所示，在实施例5-1中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｂ层，在实施例5-2中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｓｉ层，在实施例5-3中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｂ2Ｏ3层，在实施例5-4中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的ＳｉＯ2层，在实施例5-5中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的ＺｒＯ2层，在实施例5-6中形成了（Ｗ-10ａｔ％Ｔａ）-5ｍｏｌ％的Ｔａ2Ｏ5层，在实施例5-7中形成了（Ｗ-20ａｔ％Ｃｒ）-8ｍｏｌ％的Ｃｒ2Ｏ3层，在实施例5-8中形成了（Ｗ-20ａｔ％Ｔｉ）-10ｍｏｌ％的ＴｉＮ层。另外，在比较例5-1中，作为含有Ｗ的底层，形成了仅为Ｗ的、没有添加Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、氧化物、及氮化物的层，在比较例5-2中，则形成了Ｗ-20ａｔ％的Ｔａ层。
另外，在所获得的实施例和比较例的磁记录介质的表面上，涂敷了全氟聚醚（PFPE）系润滑剂，并编入了图1所示的磁存储装置中。
该磁存储装置如上所述，由磁记录介质100、用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部101、磁头102、用于使磁头移动的磁头驱动部103、及记录和再生信号处理系统104构成。
另外，作为磁头102，使用了图2所示的记录用磁头对ＯＷ特性进行了评价。本实验例中所使用的磁头具有记录头208和再生头211。记录头208具有主磁极201、补助磁极202、使磁场产生的线圈203、激光二极管（ＬＤ）204、及用于将ＬＤ所发出的激光205导引至近接场光发生元件206的导波路207。再生头211具有由保护部209所夹持的再生元件210。
由近接场光发生元件所发出的近接场光对磁记录介质212进行加热，使介质的保磁力降低至头（head）磁场以下并可进行记录。
表5示出了使用上述头(head)对线记录密度为1500ｋＦＣＩ的All One Pattern（同一模式）信号进行记录而测定的介质ＳＮ比和ＯＷ（Over-Write：覆盖）特性（表5中记载为「ＯＷ」）。这里，激光二极管中所投入的功率被调整为，使定义为track profile（磁道高低）的半值幅的磁道幅（宽）ＭＷＷ为60ｎｍ。
[表5]
本实施例5-1～5-8都示出了15ｄＢ以上的高介质ＳＮ比和30ｄＢ以上的高覆盖特性。尤其是在含有Ｗ的底层中使用了Ｗ-8ｍｏｌ％Ｂ的实施例5-1及使用了Ｗ-8ｍｏｌ％ＳｉＯ2的实施例5-4中，为16ｄＢ以上，示出了特别高的介质ＳＮ比。另外，在含有Ｗ的底层中使用了Ｗ-8ｍｏｌ％ＺｒＯ2的实施例5-5中，示出了3
6.0ｄＢ的高覆盖特性。
然而，在作为含有Ｗ的底层而形成了Ｗ层的比较例5-1和形成了Ｗ-20ａｔ％Ｔａ层的比较例5-2中，介质ＳＮ比和覆盖特性与实施例相比都显著下降了。
由以上可知，通过使用上述磁记录介质（其中，作为含有Ｗ的底层，形成了含有Ｗ，并且，含有从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、上述的ＳｉＯ2等的氧化物、及ＢＮ等的氮化物中所选择的1种以上的物质的层），可获得介质ＳＮ比较高，并且，覆盖特性良好的磁存储装置。
[第3实施方式]
在本实施方式中，对本发明的磁记录介质的结构例进行说明。
本实施方式的磁记录介质具有：基板；该基板上所形成的多个底层；及以具有Ｌ10结构的合金为主成分的磁性层。另外，多个底层中的至少1层为含有Ｗ的结晶质底层（结晶底层）。
另外，含有Ｗ的结晶质底层以Ｗ为主成分，还含有从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的元素（含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下）、或者、氧化物（含有量为1ｖｏｌ％以上、50ｖｏｌ％以下）。
另外，在含有Ｗ的结晶质底层与所述磁性层之间，还形成了阻挡层，其由具有ＮａＣｌ型结构的材料所构成。
首先，如上所述，本实施方式的磁记录介质具有基板、基板上所形成的多个底层、及磁性层。
这里，对基板并无特别的限定，可以使用能作为磁记录介质的各种各样的基板。
另外，该基板上形成了多个底层，多个底层中的至少1层为含有Ｗ（钨）的结晶质底层。
含有Ｗ的结晶质底层以Ｗ为主成分。另外还含有从上述的Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的元素或氧化物。这里，对所述氧化物并无特别的限定，优选为从Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、CｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＦｅＯ、ＣｏＯ中所选择的1种以上。
在含有Ｗ的结晶质底层中含有从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的元素的情况下，从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的元素的含有量（添加量）优选为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下。其原因在于，如果超过了20ｍｏｌ％，则存在着向底层的（100）面的密排方向性降低的情况，并非较好。另外，如果从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的元素的含有量小于1ｍｏｌ％，则存在着不能充分发挥添加效果的情况，所以，含有量优选为在上述范围内。特别地，从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的元素的含有量（添加量）最好为5ｍｏｌ％以上、15ｍｏｌ％以下。
另外，在含有Ｗ的结晶质底层中含有氧化物的情况下，氧化物的含有量优选为1ｖｏｌ％以上、50ｖｏｌ％以下，最好为10ｖｏｌ％以上、50ｖｏｌ％以下。
其原因在于，如果上述氧化物或氧化物的含有量超过50ｖｏｌ％，则存在着向底层的（100）面的密排方向性降低的情况，并非较好。另外，在上述氧化物的含有量小于1ｖｏｌ％的情况下，存在着不能充分发挥添加效果的情况，所以，含有量优选为在上述范围内。
在含有Ｗ的结晶质底层中含有氧化物的情况下，氧化物的体积含有量（ｖｏｌ％）可根据含有Ｗ的结晶质底层内所含的物质的各自的摩尔浓度（ｍｏｌ％）、密度ρ（ｇ／ｃｃ）、分子量Ｍ（ｇ／ｍｏｌ）来进行计算。物质的密度、分子量例如可通过使用“CRC Handbook ofChemistry and Physics”中所记载的数据来求得。在向Ｗ（钨）添加氧化物Ａ的情况下，氧化物Ａ的体积含有量（ｖｏｌ％）的计算式如以下的式1所示。式中，Ｗ的摩尔浓度、密度、分子量分别表示为ＣＷ、ρＷ、ＭＷ。另外，氧化物Ａ的摩尔浓度、密度、分子量分别表示为ＣＡ、ρＡ、ＭＡ。
（氧化物Ａ的体积含有量）＝ρw·ＣＡ·ＭＡ／（ＣＷＭＷρＡ＋ＣＡＭＡρＷ）···式（1）
以向Ｗ（钨）添加10ｍｏｌ％的Ｃｒ2Ｏ3的情况为例，根据上述式（1）计算Ｃｒ2Ｏ3的ｖｏｌ％时，可求得其为25.4ｖｏｌ％。对采用ＥＤＳ（能量分布型X线分析）所确认到的含有10ｍｏｌ％的Ｃｒ2Ｏ3的、含有Ｗ的结晶质底层进行平面ＴＥＭ观察可确认到，其含有大约24ｖｏｌ％的Ｃｒ2Ｏ3，大致与理论计算值相同。
含有Ｌ10结构的ＦｅＰｔ合金等的结晶粒的磁性层形成在底层上，然而，在底层的结晶粒径较大的情况下，1个结晶粒之上可成长多个具有Ｌ10结构的合金的结晶粒。为此，在现有技术中存在着，磁性层所含的具有Ｌ10结构的合金的各自的结晶粒的粒径不均匀，粒径分布（粒径差）较大的问题。相对于此，在本实施方式的磁记录介质中，通过设置含有Ｗ的结晶质底层，可对底层的粒径进行微细化。通过对底层的粒径进行微细化，可促进在1个底层结晶粒之上成长1个磁性层结晶粒的“ＯｎｅｔｏＯｎｅ成长”。据此，可实现磁性层所含的具有Ｌ10结构的合金的结晶粒的粒径的均匀化。即，可减低磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的粒径分布。另外，同时，在使用为磁存储装置的情况下，还可提高介质ＳＮ比。在本实施方式的磁记录介质中，通过设置上述底层，还可以降低保磁力分布（保磁力差），促进磁性层结晶粒间的分离，降低交换结合。另外，还可以降低反转磁场分布（ＳＦＤ：ＳｗｉｔｃｈｉｎｇＦｉｅｌｄＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）。
这里，作为含有Ｗ的结晶质底层中的Ｗ的含有量，对其并无特别的限定，然而，优选为以Ｗ为主成分的方式进行添加，具体而言，在除了Ｂ、Ｓｉ、Ｃ元素、或氧化物之外的Ｗ化合物中、或者、在Ｗ中添加了其它元素的物质中，优选为将含有量最多的元素设为Ｗ。特别地，在除了Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、或氧化物之外的Ｗ化合物中，Ｗ的含有量优选为30ａｔ％以上，最好为90ａｔ％以上。这里需要说明的是，不需要以单体的形态来包含Ｗ，如前所述，可采用添加了其它元素的形态来包含Ｗ，或者采用化合物的形态来包含Ｗ。
另外，为了使磁记录介质的性能稳定，多个底层之间的晶格错配优选为10％以下。为了对晶格错配进行调整，含有Ｗ的结晶质底层中还可包含从Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ中所选择的1种以上的元素。在含有从Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ中所选择的1种以上的元素的情况下，对其含有量并无特别的限定，可对其添加量进行选择，以能够对上述晶格错配进行控制。
为了使上述含有Ｗ的结晶质底层的密排方向更确实地为（100）密排方向，优选为，在含有Ｗ的结晶质底层的下面形成密排方向控制底层。作为密排方向控制底层的材料，对其并无特别的限定，然而，例如可使用从Ｃｒ（Ｃｒ金属）、以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金、及具有Ｂ2结构的合金中所选择的1种以上的金属。另外，在此情况下，含有Ｗ的结晶质底层优选为形成在由从Ｃｒ、以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金、及具有Ｂ2结构的合金中所选择的1种以上的金属所组成的密排方向控制底层之上。
作为以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金，可列举出ＣｒＭｎ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＲｕ等。另外，作为密排方向控制底层，如果在Ｃｒ或以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金中还添加Ｂ、Ｓｉ、Ｃ等，则可以进一步改善含有Ｗ的结晶质底层的结晶粒子的大小、分布度等。但是，在进行添加的情况下，最好在不使密排方向控制底层本身的（100）密排方向性恶化的范围内进行添加。
另外，作为具有Ｂ2结构的合金，例如，可列举出ＲｕＡｌ、ＮｉＡｌ等。
接下来对磁性层进行说明。
作为磁性层的材料，对其并无特别限定，然而，因为具有较高的磁晶异方性常数Ｋｕ，可优选使用以具有Ｌ10结构的合金为主成分的材料。作为这样的具有Ｌ10结构的合金，例如，可列举出ＦｅＰｔ合金、ＣｏＰｔ合金等。
如上所述，在形成磁性层时，为了促进磁性层的有序化，优选为进行加热处理，然而，为了降低此时的加热温度（有序化温度），可在具有Ｌ10结构的合金中添加Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等。通过添加这些成分，可将磁性层形成时的加热温度（基板温度）降低至400～500℃左右。
另外，在磁性层中，具有Ｌ10结构的合金的结晶粒优选为磁气隔离。为此，磁性层优选为包含从ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3、Ｃ、Ｂ、ＢＮ中所选择的1种以上的物质。据此，可对结晶粒间的交换结合进行更确实地切断，并可提高介质ＳＮ比。
另外，为了促进具有Ｌ10结构的磁性层的有序化，在制造本实施方式的磁记录介质时，在形成磁性层时，优选为进行600℃左右的加热。此时，为了对底层与磁性层之间的界面扩散进行抑制，在含有Ｗ的结晶质底层与磁性层之间优选为形成具有ＮａＣｌ型结构的阻挡层。
此时，对具有ＮａＣｌ型结构的材料并无特别限定，然而，优选为，包含从ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ中所选择的1种以上的化合物。
以上对本实施方式的磁记录介质的结构例进行了说明，然而，就本实施方式的磁记录介质而言，还可以设置任意的各种各样的部件，例如，可为具有以下的部件的结构。
例如，在磁性层上最好形成ＤＬＣ保护膜。
对ＤＬＣ保护膜的制造方法并无特别的限定。例如，可采用：对由碳化氢所组成的原料气体由高频等离子体进行分解以形成膜的ＲＦ-ＣＶＤ法、由灯丝所放出的电子对原料气体进行离子化以形成膜的ＩＢＤ法、不使用原料气体而使用固体ＣTarget以形成膜的ＦＣＶＡ法等。
对ＤＬＣ保护膜的膜厚并无特别的限定，例如，优选为1ｎｍ以上、6ｎｍ以下。其原因在于，如果低于1ｎｍ，则存在着磁头的浮上特性恶化的情况，并非较好。另外，如果高于6ｎｍ，则磁隙（magnetic spacing）变大，存在着介质ＳＮ比下降的情况，也并非较好。
在ＤＬＣ保护膜上，还可涂敷由全氟聚醚（PFPE）系氟树脂所组成润滑剂。
另外，为了迅速地对磁性层进行冷却，优选为形成散热层。散热层可使用Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等的热传导率的高的金属、或以Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等的热传导率的高的金属为主成分的合金。例如，在热辅助磁记录方式中，磁记录介质的磁性层在被激光加热后，优选为被迅速冷却，这样，可对加热点的扩大进行抑制。为此，通过设置散热层，可降低磁化迁移区域的宽度，降低介质噪音，为较好的。对散热层的设置位置并无特别的限定，例如，优选为，在密排方向控制层的下面、或、在密排方向控制层与阻挡层之间来进行形成。
另外，为了改善写入特性，也可形成软磁性底层。作为软磁性底层的材料，对其并无特别的限定，然而，例如可使用ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＴａＳｉ、ＣｏＦｅＴａＺｒ等的非晶质合金、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ等的微结晶合金、ＮｉＦｅ等的多结晶合金等。软磁性底层可为由上述合金所组成的单层膜，也可为通过对适当膜厚的Ｒｕ层进行夹持而进行了反强磁性结合的积层膜。
另外，除了上述的层以外，根据需要，还可任意地设置种晶（seed）层、黏接层等。
以上所说明的本实施方式的磁记录介质可优选作为热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式的磁记录介质来使用。
根据以上所述的本实施方式的磁记录介质，通过在预定的底层上形成磁性层，可在不使磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质ＳＮ比。[第4实施方式]
在本实施方式中，对本发明的磁存储装置的结构例进行说明。这里需要说明的是，在本实施方式中，尽管对基于热辅助磁记录方式的磁存储装置的结构例进行了说明，然而，并不限定于该方式，也可将第1实施方式中所说明的磁记录介质使用于基于微波辅助磁记录方式的磁存储装置。
本实施方式的磁存储装置可为具有第1实施方式中所说明的磁记录介质的磁存储装置。
在磁存储装置中，例如，可为还具有用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部、及在前端部具有近场光发生元件的磁头的结构。另外，可具有：用于对磁记录介质进行加热的激光发生部；将激光发生部所发生的激光导引至近接场光发生元件的导波路；用于使磁头移动的磁头驱动部；及记录和再生（recording/reproduction）信号处理系统。
磁存储装置的具体结构例示于图1中。
例如，本实施方式的磁存储装置可为图1所示的结构。具体而言，可为由磁记录介质100、用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部101、磁头102、用于使磁头移动的磁头驱动部103、及记录和再生信号处理系统104等构成的结构。
另外，作为磁头102，例如，可使用图2所示的记录用磁头。该磁头具有记录头208和再生头211。记录头208具有：主磁极201；辅助磁极202；用于产生磁场的线圈203；作为激光发生部的激光二极管（ＬＤ）204；及用于将ＬＤ所发出的激光205引导至近接场光发生元件206的导波路207。再生头211具有由保护部（shield）209所夹持的再生元件210。
另外，作为磁记录介质100，如上所述，使用了第1实施方式中所说明的磁记录介质。为此，通过在预定的底层上形成磁性层，可在不使磁性层中所含的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质ＳＮ比。另外，还可获得OW（覆盖）特性（Over-Write特性）良好的磁记录装置。
[实施例]
以下通过列举具体的实施例进行说明，然而，本发明并不限定于这些实施例。
[实验例1]
（实施例1-1～1-13、比较例1-1～1-2）
在本实验例中，制作了实施例1-1～1-13、比较例1-1、1-2的试料，并对其进行了评价。
图3表示本实验例中所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。以下对其制造步骤进行说明。
在本实验例中，在2.5英寸的玻璃基板301上，作为种晶层302，形成了膜厚为25ｎｍ的Ｎｉ-35ａｔ％Ｔａ层，并进行了300℃的基板加热。
作为密排方向控制底层303，形成了膜厚为20ｎｍ的Ｒｕ-50ａｔ％的Ａｌ。
接下来，形成了含有Ｗ的结晶质底层304，其膜厚为15ｎｍ。
另外，作为阻挡层305，形成了膜厚为2ｎｍ的ＭｇＯ层。
之后，进行580℃的基板加热，形成了8ｎｍ的（Ｆｅ-46ａｔ％Ｐｔ）-15ｍｏｌ％的ＳｉＯ2磁性层306，再形成了膜厚为3ｎｍ的ＤＬＣ保护膜307。
含有Ｗ的结晶质底层304如表6所示，各实施例中形成了组成成分不同的层。在实施例1-1中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｂ层，在实施例1-2中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｓｉ层，在实施例1-3中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｃ层，在实施例1-4中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｂ2Ｏ3层，在实施例1-5中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的ＳｉＯ2层，在实施例1-6中形成了Ｗ-10ｍｏｌ％的ＣｅＯ2层，在实施例1-7中形成了Ｗ-16ｍｏｌ％的ＴｉＯ层，在实施例1-8中形成了Ｗ-10ｍｏｌ％的ＺｒＯ2层，在实施例1-9中形成了Ｗ-10ｍｏｌ％的Ａｌ2Ｏ3层，在实施例1-10中形成了Ｗ-5ｍｏｌ％的Ｙ2Ｏ3层，在实施例1-11中形成了Ｗ-18ｍｏｌ％的ＮｉＯ层，在实施例1-12中形成了（Ｗ-20ａｔ％Ｔａ)-5ｍｏｌ％的Ｔａ2Ｏ5层，在实施例1-13中形成了（Ｗ-20ａｔ％Ｃｒ)-8ｍｏｌ％的Ｃｒ2Ｏ3层。
另外，在比较例1-1、1-2中，分别制作了形成了不添加Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、或氧化物的Ｗ层、Ｗ-20ａｔ％的Ｔａ层的介质。
通过对本实验例所制作的试料（介质）进行Ｘ线衍射测定，从密排方向控制底层303的Ｒｕ-50ａｔ％的Ａｌ观察到了（100）面的衍射峰值和较弱的（200）面的衍射峰值。
从含有Ｗ的结晶质底层304仅观察到了（200）面的衍射峰值。
从磁性层306观察到了Ｌ10-ＦｅＰｔ的（001）面的衍射峰值、以及、Ｌ10-ＦｅＰｔ的（002）面的衍射峰值和ＦＣＣ-ＦｅＰｔ的（200）面的衍射峰值的混合峰值。
阻挡层305薄为2ｎｍ，所以，没有看到明显的衍射峰值，然而，磁性层306采用了上述的密排方向，所以，也采用了（100）密排方向。
另外，从种晶层302没有看到明显的衍射峰值，所以可知，该种晶层为非晶质结构。
表6示出了相对于Ｌ10-ＦｅＰｔ的（002）面的衍射峰值和ＦＣＣ-ＦｅＰｔ的（200）面的衍射峰值的混合峰值强度(Ｉ002＋Ｉ200)的、Ｌ10-ＦｅＰｔ的（001）面的衍射峰值强度Ｉ001的比率、即、Ｉ001／（Ｉ002＋Ｉ200）。另外，还示出了保磁力Ｈｃ和正规化了的保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ。
这里，Ｈｃ是根据通过使用ＳＵＱＩＤ（超传导量子干涉元件）施加7Ｔ的磁场而在室温下所测定的磁化曲线所求得的。另外，ΔＨｃ／Ｈｃ是采用「ＩＥＥＥＴｒａｎｓ.Ｍａｇｎ.，ｖｏｌ.27，ｐｐ4975-4977，1991」中所述的方法所测定的。具体而言，在通过施加7Ｔ的最大磁场而在室温下所测定的major loop及minor loop中，对磁化值为饱和值的50％时的磁场进行测定，然后，根据两者的差，并在假定Ｈｃ分布为高斯分布的前提下，算出了ΔＨｃ／Ｈｃ。ΔＨｃ／Ｈｃ是相当于反转（翻转）磁场分布的参数，该值越低，表示在使用为磁存储装置的情况下所获得的介质ＳＮ比越高，是较好的。
[表6]
由表6的结果可知，在本实验例中的实施例1-1～1-13的试料中，都示出了Ｈｃ为38ｋＯｅ以上，可确认到，与比较例1-1、1-2的试料（介质）相比，高出了6ｋＯｅ以上。
另外，关于ΔＨｃ／Ｈｃ，实施例1-1～1-13的试料都示出了为0.3以下，可确认到，低于比较例1-1、1-2的介质。
另外，本实施例1-1～1-13的试料和比较例1-1、1-2的试料的Ｉ001／（Ｉ002＋Ｉ200）都示出了2.1以上的高值，所以可知，磁性层中的Ｌ10-ＦｅＰｔ合金的有序度为良好。
由以上的结果可确认到，通过向含有Ｗ的结晶质底层添加Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、或氧化物，可对磁性层中的具有Ｌ10结构的合金结晶粒的有序度进行维持。另外，可大幅改善磁性层的Ｌ10-ＦｅＰｔ合金的分布度，还可降低反转磁场分布。
[实验例2]
（实施例2-1～2-11、比较例2-1）
图4示出了本实验例所制作的磁记录介质的截面模式图。
在2.5英寸的玻璃基板401上，作为种晶层402，形成了膜厚为25ｎｍ的Ｃｒ-50ａｔ％Ｔｉ层，并进行了300℃的基板加热。
作为密排方向控制底层403，形成了膜厚为20ｎｍ的Ｃｒ-5ａｔ％Ｍｎ。
作为含有Ｗ的结晶质底层404，形成了膜厚为20ｎｍ的Ｗ-8ｍｏｌ％ＳｉＯ2层。
另外，作为阻挡层405，形成了膜厚为2ｎｍ的层。阻挡层405在各实施例中形成了组成成分不同的层。具体而言，如表7所示，在实施例2-1中形成了ＭｇＯ层，在实施例2-2中形成了ＴｉＯ层，在实施例2-3中形成了ＮｉＯ层，在实施例2-4中形成了ＴｉＮ层，在实施例2-5中形成了ＴｉＣ层，在实施例2-6中形成了ＴａＮ层，在实施例2-7中形成了ＨｆＮ层，在实施例2-8中形成了ＮｂＮ层，在实施例2-9中形成了ＺｒＣ层，在实施例2-10中形成了ＨｆＣ层，在实施例2-11中形成了ＮｂＣ，在实施例2-12中形成了ＴａＣ层。另外，作为比较例2-1，制作了没有设置阻挡层的试料。
之后，进行600℃的基板加热，作为磁性层406，形成了膜厚为10ｎｍ的（Ｆｅ-45ａｔ％Ｐｔ）-12ｍｏｌ％的ＳｉＯ2-6ｍｏｌ％的ＢＮ层。另外，作为ＤＬＣ保护膜407，形成了膜厚为3ｎｍ的层。
[表7]
阻挡层 Hc(kOe) ΔHc/Hc
实施例2-1 MgO 41.1 0.27
实施例2-2 TiO 38.5 0.27
实施例2-3 NiO 39.6 0.27
实施例2-4 TiN 41.4 0.28
实施例2-5 TiC 39.7 0.27
实施例2-6 TaN 38.9 0.27
实施例2-7 HfN 38.7 0.25
实施例2-8 HbN 38.4 0.29
实施例2-9 ZrC 38.3 0.27
实施例2-10 HfC 38.2 0.28
实施例2-11 NbC 383 026
实施例2-12 TaC 40.3 0.26
比较例2-1 - 19.0 0.38
与实验例1的情况同样地，保磁力Ｈｃ和保磁力分布ΔＨｃ／Ｈｃ的测定结果示于表7中。
由表7的结果可知，在本实验例中的实施例2-1～2-12的试料中，都示出了Ｈｃ为38ｋＯｅ以上的高Ｈｃ以及0.3以下的低ΔＨｃ／Ｈｃ。
另外，可确认到，在实施例的试料中，特别是在作为阻挡层405而形成了ＭｇＯ层、ＴｉＮ层、ＴａＣ层的实施例2-1、实施例2-4、实施例2-12的试料中，Ｈｃ为40ｋＯｅ以上的特别高的Ｈｃ。
另一方面，在没有形成阻挡层405的比较例2-1的试料中，可确认到，Ｈｃ低为20ｋＯｅ以下，ΔＨｃ／Ｈｃ高为0.38。其原因在于，为了促进具有Ｌ10结构的磁性层的有序化，在形成磁性层时，将基板加热至了600℃，此时，在底层与磁性层之间，产生了界面扩散，磁性层不能充分地发挥其应发挥的性能。
从以上的结果可确认到，为了形成以具有良好有序度的Ｌ1O型结构的合金为主成分的磁性层而进行基板加热时，为了对底层与磁性层之间的界面扩散进行抑制，在底层与磁性层之间，最好设置具有ＮａＣｌ型结构的阻挡层。
[实验例3]
（实施例3-1～3-6、比较例3-1）
如表8所示，制作了磁记录介质，其中，作为含有Ｗ的结晶质底层404，形成了添加了0.5～26.5ｍｏｌ％的ＳｉＯ2的（Ｗ-20ａｔ％Ｔａ）-ＳｉＯ2层，其余都与实施例2-12相同。
另外，在比较例3-1中，制作了试料（介质），其中，作为含有Ｗ的结晶性底层404，形成了没有添加ＳｉＯ2的Ｗ-20ａｔ％Ｔａ层。
这里需要说明的是，在实施例和比较例中，就含有Ｗ的底层的组成之外的层结构、成膜处理而言，与实验例2相同。
表8示出了在实施例3-1～3-6及比较例3-1中所得到的试料的保磁力Ｈｃ的测定结果。
[表8]
由表8的结果可知，在实施例3-1～3-6中，都确认到了，Ｈｃ为36ｋＯｅ以上，与没有添加ＳｉＯ2的比较例3-1的试料相比，性能都得到了提高。从该结果可知，在含有Ｗ的结晶质底层中，在向Ｗ中添加上述ＳｉＯ2的情况下，其添加量优选为，0.5ｍｏｌ％以上、26.5ｍｏｌ％以下。
另外，尤其可确认到，在含有Ｗ的结晶质底层中，ＳｉＯ2的添加量为5～20ｍｏｌ％的试料（实施例3-2～3-6）的Ｈｃ可高达39ｋＯｅ以上。
另外，在ＳｉＯ2的添加量为0.5ｍｏｌ％的实施例3-1的试料和ＳｉＯ2的添加量为26.5ｍｏｌ％的实施例3-6的试料中，如上所述，与比较例3-1的试料相比，可确认到其添加效果。但是，可确认到，Ｈｃ为35ｋＯｅ左右，与其它实施例的试料相比，性能有一些不好。其原因在于，在ＳｉＯ2的添加量为0.5ｍｏｌ％的情况下，含有Ｗ的结晶质底层的粒径的微细化不充分，在磁性层的Ｌ10-ＦｅＰｔ合金粒子间的隔离方面，没有获得充分的效果；另外，在将ＳｉＯ2过多地添加至26.5ｍｏｌ％的情况下，向含有Ｗ的结晶质底层的（100）面的密排方向性降低了。
从以上的结果可知，在向含有Ｗ的结晶质底层添加ＳｉＯ2的情况下，其添加量优选为0.5ｍｏｌ％以上、26.5ｍｏｌ％以下，最好为大于0.5ｍｏｌ％、小于26.5ｍｏｌ％。另外，在表8所示的添加氧化物vol%的情况下，ＳｉＯ2的添加量优选为1vｏｌ％以上、50vｏｌ％以下，最好为大于1vｏｌ％、小于50vｏｌ％。
另外，在本实验例中尽管以ＳｉＯ2为例进行了研讨，但是，对ＳｉＯ2以外的氧化物也同样适用，所以，在添加这些化合物的情况下，也优选为采用同样的添加量、即、1vｏｌ％以上、50vｏｌ％以下。
[实验例4]
（实施例4-1～4-5、比较例4-1）
如表9所示，制作了磁记录介质，其中，作为含有Ｗ的结晶质底层404，形成了添加了1～20ｍｏｌ％的Ｂ的Ｗ-Ｂ层，其余都与实施例2-1的磁记录介质相同。
另外，作为比较例4-1，制作了试料（介质），其中，形成了没有添加Ｂ的Ｗ层，作为含有Ｗ的结晶质底层404。
这里需要说明的是，在实施例和比较例中，就含有Ｗ的结晶质底层的组成以外的层结构、成膜处理而言，与实验例2同样。
表9示出了在实施例4-1～4-6及比较例4-1中所获得的试料的保磁力Ｈｃ的测定结果。
[表9]
含有W的结晶质底层Hc(kOe)
实施例4-1 W-1mol%B36.7
实施例4-2 W-5mol%B41.5
实施例4-3 W-10mol%B40.7
实施例4-4 W-15mol%B39.8
实施例4-5 W-20mol%B35.8
比较例4-1 W32.0
根据表9的结果可知，在实施例4-1～4-5中，都确认到了，Ｈｃ为大约35ｋＯｅ以上，与没有添加Ｂ的比较例4-1的试料相比，性能都得到了提高。从该结果可知，对于含有Ｗ的结晶质底层，在向Ｗ添加Ｂ的情况下，其添加量优选为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下。
尤其是在含有Ｗ的结晶质底层中，确认到了，Ｂ的添加量为5～15ｍｏｌ％的试料（实施例4-2～4-4）的Ｈｃ高达39ｋＯｅ以上。
在Ｂ的添加量为1ｍｏｌ％的实施例4-1的试料和Ｂ的添加量为20ｍｏｌ％的实施例4-5的试料中，如上所述，与比较例4-1的试料相比，确认到了其添加效果。但是，还确认到了与其他实施例的试料相比，性能有些不好。其原因在于，在Ｂ的添加量为1ｍｏｌ％的情况下，含有Ｗ的结晶质底层的粒径的微细化不充分，在磁性层的Ｌ10-ＦｅＰｔ合金粒子间的隔离方面，没有获得充分的效果；另外，在将Ｂ过多地添加了20ｍｏｌ％的情况下，向含有Ｗ的结晶质底层的（100）面的密排方向性降低了。
根据以上的结果可知，在向含有Ｗ的结晶质底层添加Ｂ的情况下，其添加量优选为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下，最好为大于1ｍｏｌ％、小于20ｍｏｌ％。
这里需要说明的是，这里尽管以Ｂ为例进行了研讨，但是，对于Ｂ以外的上述元素（Ｓｉ、Ｃ）也同样适用，所以，在添加从Ｂ、Ｓｉ、Ｃ中所选择的1种以上的元素的情况下，也采用同样的添加量、即、优选为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下，最好为大于1ｍｏｌ％、小于20ｍｏｌ％。
[实验例5]
（实施例5-1～5-11、比较例5-1～5-2）
图5示出了本实验例所制作的磁记录介质的层结构的截面模式图。
在2.5英寸的玻璃基板501上，作为接着层502，形成了膜厚为10ｎｍ的Ｃｒ-50ａｔ％的Ｔｉ层，另外，作为散热层503，形成了膜厚为50ｎｍ的Ｃｕ-0.5ａｔ％的Ｚｒ层。另外，作为种晶层504，形成了膜厚为10ｎｍ的Ｃｒ-50ａｔ％的Ｔｉ层，并进行了300℃的基板加热。
之后，作为密排方向控制底层505，形成了膜厚为10ｎｍ的Ｃｒ-10ａｔ％的Ｒｕ。
作为含有Ｗ的结晶质底层506，形成了膜厚为15ｎｍ的层，作为阻挡层507，形成了膜厚为2ｎｍ的ＭｇＯ层。
之后，进行600℃的基板加热，作为磁性层508，形成了膜厚为8ｎｍ的（Ｆｅ-46ａｔ％Ｐｔ）-30ｍｏｌ％的Ｃ层。另外，作为ＤＬＣ保护膜509，形成了膜厚为3ｎｍ的层。
含有Ｗ的结晶质底层506在各实施例中形成了组成成分不同的层。具体而言，如表10所示，在实施例5-1中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｂ层，在实施例5-2中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的Ｓｉ层，在实施例5-3中形成了（Ｗ-15ａｔ％Ｔｉ）-11ｍｏｌ％的ＴｉＯ2层，在实施例5-4中形成了Ｗ-8ｍｏｌ％的ＳｉＯ2层，在实施例5-5中形成了（Ｗ-10ａｔ％Ｔａ）-10ｍｏｌ％的ＺｒＯ2层，在实施例5-6中形成了Ｗ-4ｍｏｌ％的Ｎｂ2Ｏ5层，在实施例5-7中形成了Ｗ-4.5ｍｏｌ％的Ｌａ2Ｏ3层，在实施例5-8中形成了Ｗ-17ｍｏｌ％的ＣｏＯ层，在实施例5-9中形成了Ｗ-16ｍｏｌ％的ＦｅＯ层，在实施例5-10中形成了（Ｗ-15ａｔ％Ｃｒ）-16ｍｏｌ％的ＭｎＯ层，在实施例5-11中形成了Ｗ-14ｍｏｌ％的ＺｎＯ层。另外，在比较例5-1中，作为含有Ｗ的结晶质底层，形成了仅为Ｗ的、没有添加Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、或氧化物的层，在比较例5-2中，则形成了Ｗ-20ａｔ％的Ｔａ层。
另外，在所获得的实施例和比较例的磁记录介质的表面上，涂敷了全氟聚醚（PFPE）系润滑剂，并编入了图1所示的磁存储装置中。
该磁存储装置如上所述，由磁记录介质100、用于使磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部101、磁头102、用于使磁头移动的磁头驱动部103、及记录和再生信号处理系统104构成。
另外，作为磁头102，使用了图2所示的记录用磁头对ＯＷ特性进行了评价。本实验例中所使用的磁头具有记录头208和再生头211。记录头208具有主磁极201、补助磁极202、使磁场产生的线圈203、激光二极管（ＬＤ）204、及用于将ＬＤ所发出的激光205导引至近接场光发生元件206的导波路207。再生头211具有由保护部209所夹持的再生元件210。
由近接场光发生元件所发出的近接场光对磁记录介质212进行加热，使介质的保磁力降低至头（head）磁场以下并可进行记录。
表10示出了使用上述头(head)对线记录密度为1500ｋＦＣＩ的All One Pattern（同一模式）信号进行记录而测定的介质ＳＮ比和ＯＷ（Over-Write：覆盖）特性（表10中记载为「ＯＷ」）。这里，激光二极管中所投入的功率被调整为，使定义为track profile（磁道高低）的半值幅的磁道幅（宽）ＭＷＷ为60ｎｍ。
[表10]
本实施例5-1～5-11都示出了15ｄＢ以上的高介质ＳＮ比和30ｄＢ以上的高覆盖特性。尤其是在含有Ｗ的结晶质底层中使用了Ｗ-8ｍｏｌ％Ｂ的实施例5-2、使用了Ｗ-8ｍｏｌ％ＳｉＯ2的实施例5-4中、及使用了Ｗ-17ｍｏｌ％ＣoＯ的实施例5-8中，为16ｄＢ以上，示出了特别高的介质ＳＮ比。
然而，在作为含有Ｗ的结晶质底层而形成了Ｗ层的比较例5-1和形成了Ｗ-20ａｔ％Ｔａ层的比较例5-2中，介质ＳＮ比和覆盖特性与实施例相比都显著下降了。
由以上可知，通过使用上述磁记录介质（其中，形成了含有Ｗ并且含有Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、或氧化物的层），可获得介质ＳＮ比较高，并且，覆盖特性良好的磁存储装置。
以上对本发明的较佳实施方式进行了说明，但是，本发明并不限定于该实施方式，在不脱离权利要求中记载的本发明的技术思想的情况下，可以对其进行各种各样的变形和变更。

Claims (11)

1.一种磁记录介质，包含：
基板；
在所述基板上形成的多个底层；及
在所述多个底层上形成的磁性层，
其中，
所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；
所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；
所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；
所述结晶质底层还包含1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下的从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，及
在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
2.如权利要求1所述的磁记录介质，还包含：
密排方向控制底层，包含从Ｃｒ、以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金、及具有Ｂ2结构的合金中所选择的1种以上的金属，
其中，
所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。
3.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：
所述包含具有ＮａＣｌ结构的材料包含从ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、及ＮｂＣ中所选择的1种以上的化合物。
4.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：
所述磁性层包含从ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3、Ｃ、Ｂ、及ＢＮ中所选择的1种以上的物质；及
所述磁性层的主成分是ＣｏＰｔ合金或具有Ｌ10结构的ＦｅＰｔ合金。
5.一种磁存储装置，包含：
权利要求1至4的任1项所述的磁记录介质。
6.一种磁记录介质，包含：
基板；
在所述基板上形成的多个底层；及
在所述多个底层上形成的磁性层，
其中，
所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；
所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；
所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；
所述结晶质底层还包含1ｖｏｌ％以上、50ｖｏｌ％以下的氧化物；及
在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
7.如权利要求6所述的磁记录介质，其中：
所述氧化物包含从Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＦｅＯ、及ＣｏＯ中所选择的1种以上。
8.如权利要求6所述的磁记录介质，还包含：
密排方向控制底层，包含从Ｃｒ、以Ｃｒ为主成分的ＢＣＣ结构的合金、及具有Ｂ2结构的合金中所选择的1种以上的金属，
其中，
所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。
9.如权利要求6所述的磁记录介质，其中：
所述包含具有ＮａＣｌ结构的材料包含从ＭｇＯ、ＴｉＯ、ＮｉＯ、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＴａＮ、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、及ＮｂＣ中所选择的1种以上的化合物。
10.如权利要求6所述的磁记录介质，其中：
所述磁性层包含从ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3、Ｃ、Ｂ、及ＢＮ中所选择的1种以上的物质；及
所述磁性层的主成分是ＣｏＰｔ合金或具有Ｌ10结构的ＦｅＰｔ合金。
11.一种磁存储装置，包含：
权利要求6至10的任1项所述的磁记录介质。
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US (2) US9934810B2 (zh)
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107836022A (zh) * 2016-01-12 2018-03-23 富士电机株式会社 磁记录介质及其制造方法
CN108242244A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 昭和电工株式会社 磁记录介质及磁存储装置
CN108305645A (zh) * 2017-01-13 2018-07-20 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁存储装置
CN108399925A (zh) * 2017-02-07 2018-08-14 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁存储装置
CN113053422A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 昭和电工株式会社 磁记录介质以及磁存储装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2992466A1 (fr) 2012-06-22 2013-12-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation de contact pour led et structure resultante
JP6145332B2 (ja) * 2013-06-20 2017-06-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
JP6317896B2 (ja) * 2013-07-26 2018-04-25 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記憶装置
JP6145350B2 (ja) * 2013-07-31 2017-06-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
US9461242B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Micron Technology, Inc. Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems
US9608197B2 (en) 2013-09-18 2017-03-28 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices
JP2015088197A (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記憶装置
US10454024B2 (en) 2014-02-28 2019-10-22 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, and memory devices
US9281466B2 (en) 2014-04-09 2016-03-08 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication
MY163246A (en) * 2014-08-12 2017-08-30 Fuji Electric Co Ltd Magnetic recording medium
US9349945B2 (en) 2014-10-16 2016-05-24 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication
US9768377B2 (en) 2014-12-02 2017-09-19 Micron Technology, Inc. Magnetic cell structures, and methods of fabrication
US10439131B2 (en) 2015-01-15 2019-10-08 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor devices including tunnel barrier materials
KR102451098B1 (ko) 2015-09-23 2022-10-05 삼성전자주식회사 자기 메모리 장치 및 이의 제조 방법
MY181803A (en) * 2016-01-12 2021-01-07 Fuji Electric Co Ltd Magnetic recording medium
WO2017221573A1 (ja) * 2016-06-23 2017-12-28 富士電機株式会社 磁気記録媒体
JP6887814B2 (ja) 2017-01-24 2021-06-16 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記憶装置
JP6832189B2 (ja) 2017-02-21 2021-02-24 昭和電工株式会社 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
US10373637B2 (en) * 2017-03-02 2019-08-06 Seagate Technology Llc Granularity in overlying magnetic and non-magnetic layers
JP7011477B2 (ja) * 2017-03-07 2022-01-26 昭和電工株式会社 アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置
US10109309B1 (en) * 2017-09-01 2018-10-23 Western Digital Technologies, Inc. Heat-assisted magnetic recording (HAMR) medium with heat-sink layer having anisotropic thermal conductivity

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1892828A (zh) * 2005-07-01 2007-01-10 张庆瑞 可调整式磁记录媒体及其制作方法
CN1906665A (zh) * 2004-08-16 2007-01-31 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁记录再现设备
CN101071577A (zh) * 2006-03-15 2007-11-14 希捷科技有限公司 无软磁下层的垂直磁记录介质及其制造方法
US20090239100A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Magnetic recording medium and method of manufacturing same
JP2012048792A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Showa Denko Kk 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置
CN102473420A (zh) * 2009-08-20 2012-05-23 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5993956A (en) * 1997-04-22 1999-11-30 Carnegie Mellon University Manganese containing layer for magnetic recording media
JP3010156B2 (ja) 1998-06-10 2000-02-14 秋田県 規則合金薄膜からなる情報記録媒体の製造方法
JP2004326889A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Hitachi Global Storage Technologies Inc 磁気記録媒体
JP4435558B2 (ja) * 2003-12-24 2010-03-17 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 磁気記録媒体
US7550211B2 (en) * 2004-08-16 2009-06-23 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device
SG120182A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-28 Agency Science Tech & Res A recording medium
JP5227634B2 (ja) * 2008-03-28 2013-07-03 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録媒体の製造方法
JP5128930B2 (ja) 2007-12-27 2013-01-23 エイチジーエスティーネザーランドビーブイ 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
JP5570270B2 (ja) * 2010-03-29 2014-08-13 昭和電工株式会社 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置
JP2011248968A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd 垂直磁気ディスク
US20120251842A1 (en) * 2011-03-31 2012-10-04 Wd Media, Inc. Low roughness heatsink design for heat assisted magnetic recording media

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1906665A (zh) * 2004-08-16 2007-01-31 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁记录再现设备
CN1892828A (zh) * 2005-07-01 2007-01-10 张庆瑞 可调整式磁记录媒体及其制作方法
CN101071577A (zh) * 2006-03-15 2007-11-14 希捷科技有限公司 无软磁下层的垂直磁记录介质及其制造方法
US20090239100A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Magnetic recording medium and method of manufacturing same
CN102473420A (zh) * 2009-08-20 2012-05-23 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置
JP2012048792A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Showa Denko Kk 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107836022A (zh) * 2016-01-12 2018-03-23 富士电机株式会社 磁记录介质及其制造方法
US10170145B2 (en) 2016-01-12 2019-01-01 Fuji Electric Co., Ltd. Magnetic recording medium and method for producing the same
CN107836022B (zh) * 2016-01-12 2019-05-17 富士电机株式会社 磁记录介质及其制造方法
CN108242244A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 昭和电工株式会社 磁记录介质及磁存储装置
CN108305645A (zh) * 2017-01-13 2018-07-20 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁存储装置
CN108399925A (zh) * 2017-02-07 2018-08-14 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁存储装置
CN113053422A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 昭和电工株式会社 磁记录介质以及磁存储装置
CN113053422B (zh) * 2019-12-27 2022-03-04 昭和电工株式会社 磁记录介质以及磁存储装置

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US20180182423A1 (en) 2018-06-28
JP2014220029A (ja) 2014-11-20
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US9934810B2 (en) 2018-04-03

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