CN104282441A - 内藏电容模块 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种内藏电容模块，包括电极引出区以及与电极引出区相邻配置的至少一固态电解电容区。电极引出区包括第一基板、第二基板、配置于第一基板及第二基板之间的第一绝缘材料、形成于第一基板的至少一表面上的第一多孔层以及配置于第一多孔层上的第一氧化层。固态电解电容区包括所有从电极引出区延伸的第一基板、第二基板、第一多孔层以及第一氧化层、配置于第一氧化层上的第一导电高分子层、配置于第一导电高分子层上的第一碳层以及配置于第一碳层上的第一导电粘着层。
Description
技术领域
本发明涉及一种内藏电容模块，特别是涉及一种利用固态电解电容结构来增加电容值的内藏电容模块。
背景技术
随着集成电路（Integrated Circuit，IC）制造工程技术不断地提高，可携式电子产品发展讲求轻、薄、短、小、高速、低耗电率及多功能性，随着信号传输速度增加，IC承载基板必须要传输更高频的信号，同步切换所产生的相互干扰也日益严重。为了降低IC承载基板上电源传输系统（Power DeliverySystem）的噪声，目前高速IC载板皆是使用多颗表面粘着（Surface MountedDevices，SMD）型式电容来滤除噪声。这种用途的电容一般称之为去耦合电容（Decoupling Capacitor）或是旁路电容（Bypass Capacitor），主要功能是将额定的电能储存在电容器中，在电能不足时可以适时补给电能，以达到吸收突波（Glitch）、降低射频（Radio Frequency，RF）噪声及稳定电源的效果。
然而为了提供更低、更宽带的阻抗路径，则必须于IC载板上摆置数十至数百颗的SMD型式电容，借由电容并联的方法来达到降低低频或高频阻抗的目的。未来IC信号速度不断提高，在IC载板有限的面积下，摆放于IC载板表面的SMD型式电容所能降低的寄生电感值（Equivalent Series Inductance，ESL）势必将遇到瓶颈。
然而，相较于焊接在印刷电路板或IC载板表面的SMD型式电容，在印刷电路板或IC载板中内藏电容的方式，使得电容更靠近IC元件的电源接脚，因此高频时基板内藏电容的电源传输路径所产生的寄生电感值较SMD电容低。相较于摆置在印刷电路板表面的去耦合电容元件，基板内藏去耦合电容元件摆置位置更靠近集成电路，基板内藏电容技术是目前能将IC载板电源传输路径所产生的寄生电感值降低的方法之一。
虽然，基板内藏去耦合电容技术具有低寄生电感的优点，但是受限于绝缘材料漏电流的规范，目前有机绝缘材料的介电常数（dielectric constant）仍很难高于100以上，导致在有限的基板厚度和面积内，必须增加内藏平板电容的层数才能使其电容值高于0.1uF以上，此举不但会降低制造工程的良率，还会增加基板制作的成本。此外，基板内藏电容技术能提供的电容值也无法达到目前IC载板数百uF电容值的需求。因此如何增加基板内藏电容的电容值及增加有效的去耦合频宽，是目前基板内藏电容技术亟需突破的难题。
发明内容
本发明的一实施例的内藏电容模块，包括电极引出区及与电极引出区相邻配置的至少一固态电解电容区。电极引出区包括第一基板、第二基板、配置于第一基板及第二基板之间的第一绝缘材料、形成于第一基板的至少一表面上的第一多孔层以及配置于第一多孔层上的第一氧化层。固态电解电容区包括从电极引出区延伸的第一基板、从电极引出区延伸的第二基板、从电极引出区延伸且在从电极引出区延伸的第一基板的至少一表面上形成的第一多孔层、从电极引出区延伸且配置于从电极引出区延伸的第一多孔层上的第一氧化层、配置于第一氧化层上的第一导电高分子层、配置于第一导电高分子层上的第一碳层以及配置于第一碳层上的第一导电粘着层。其中，第一导电粘着层与第二基板及第一碳层电性连接，第一绝缘材料与第一导电高分子层、第一碳层及第一导电粘着层的至少一侧边接触。
本发明的另一实施例的内藏电容模块，包括至少一电极引出区及与电极引出区相邻配置的至少一固态电解电容区。电极引出区包括第一基板、第二基板、配置于第一基板及第二基板之间的第一绝缘材料、形成于第一基板的表面上的第一多孔层及配置于第一多孔层上的第一氧化层。固态电解电容区包括从电极引出区延伸的第一基板、从电极引出区延伸的第二基板、从电极引出区延伸且在从电极引出区延伸的第一基板的至少一表面上形成的第一多孔层、从电极引出区延伸且配置于从电极引出区延伸的第一多孔层上的第一氧化层、配置于第一氧化层上的第一导电高分子层以及配置于第一导电高分子层上的第一导电粘着层。其中，第一导电粘着层与第二基板及第一导电高分子层电性连接，第一绝缘材料与第一导电高分子层及第一导电粘着层的至少一侧边接触。
有关本发明的特征与实施，现配合附图作实施例详细说明如下。
附图说明
图1A及图1B为本发明的一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图2A及图2B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图3A及图3B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图4A及图4B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图5A及图5B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图6A及图6B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图7A及图7B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图8A及图8B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图9A及图9B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图10A及图10B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图11A及图11B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图12A及图12B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图13示出图3A所示的内藏电容模块的多层电路板应用的剖面结构示意图；
图14A及图14B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图15A及图15B为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图16A、图16B及图16C为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图及上视图；
图17为本发明的另一实施例的内藏电容模块的剖面结构示意图。
附图标记
200、201、300、301、400、401、402、500：内藏电容模块
210、211、310、311、410、411、412、510：电极引出区
213、223、562a、562b、562c、564a、564b、564c：绝缘层
221、321、421、521：第一基板222、322、422、522：第二基板
223、323、423、523：第三基板
230、231、330、331、430、431、432、530：固态电解电容区
232、234：结合层 241、341、441、541：第一绝缘材料
242、245、342、345、394、442、445、545：第一接垫绝缘材料
244、344、444、544：第二绝缘材料
246、346、446、546：第二接垫绝缘材料
247、343、347、396、443、447、547：导孔绝缘材料
251、351、451：第一多孔层 252、352：第二多孔层
253、353、452：第一氧化层 254、354：第二氧化层
261、264、265、281、361、365、461、464、465、481：第一导孔
262、266、362、366、462、466：第二导孔
263、267、363、367、463、467、567：第一电极接垫
268、368、468、568：第二电极接垫
271、371、471、474：第一导电高分子层
272、472、475：第一碳层
273、373、473、476：第一导电粘着层
274、374：第二导电高分子层 275：第二碳层
276、376、477：第二导电粘着层 282、385、482：第三导孔
372、431：第三导电高分子层 375、433：第三导电粘着层
377：第四导电高分子层 379：第四导电粘着层
386：第四导孔 387、570：第三电极接垫
432：第三碳层 501、502、503、504：固态电解材料
548：第三接垫绝缘材料 569：盲孔
572a、572b：信号层 575：电源层
582：集成电路 584：锡球
586：接垫 600：IC载板
具体实施方式
以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何熟悉相关技术的人员了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭示的内容、权利要求书及附图，任何熟悉相关技术的人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。
特别说明的是以下实施例的图中示出的每一层厚度与尺寸以及各层之间的相对比例仅为示范例，本领域具有通常知识的人员可知其并非实际的尺寸而可依实际需要进行调整。然而，本发明可以众多不同形式实施，而不应将其视为仅限于本文所提及的实施例。在该些附图中，为清晰起见，可放大及/或简化层及区的大小及相对大小。应了解，当称一元件或层“在”另一元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，该元件或层可直接在另一元件或层上或可能存在中间元件或层。此外，即便以下提及多种实施例，但在该些附图中，相同元件借由相同的附图标记来表示。
有鉴于目前基板内藏电容技术无法大幅提高电容量的问题，本发明提出一种使用固态电解电容的内藏电容模块，借以解决现有技术的问题。
本发明提出大面积及高电容值内藏电容模块，此固态电容模块可内藏于印刷电路板中，还可与有机基板内藏平板电容并联。此电容模块可提供数nF～数百uF的电容值，以解决目前印刷电路板内藏平板电容器的电容值无法超过uF以上的问题。此基板内藏电容模块可应用在印刷电路板、芯片承载基板中，提供一个大电容值、宽带且低阻抗值的去耦合电容或旁路（Bypass）电容，以达到稳定集成电路电源系统的目的。
根据本发明所揭示的实施例的内藏电容模块，不但保留传统固态电容大电容值的优点，还可在内埋于印刷电路板之后再进行钻孔或电镀而与其它电路电性连接。
根据本发明的实施例，可在印刷电路板中提供电路超过100uF以上的电容值。此外，本发明的实施例可并联超薄有机介电材料的超薄平板电容，更可在印刷电路板中提供电路数nF至数百uF的电容值范围，具有可同时抑制低频带和高频带的电源噪声的效果。各种实施例则详述如下。
请参考图1A及图1B，其为本发明的一实施例的内藏电容模块200的剖面结构示意图及上视图。
如图1A及图1B所示，内藏电容模块200包括至少一电极引出区210及至少一固态电解电容区230，而固态电解电容区230与电极引出区210相邻配置。如图1A所示，固态电解电容区230形成于两电极引出区210之间。电极引出区210包括第一基板221、第二基板222、配置于第一基板221及第二基板222之间的第一绝缘材料241、形成于第一基板221的两表面上的第一多孔层251及第二多孔层252、配置于第一多孔层251上的第一氧化层253以及配置于第二多孔层252上的第二氧化层254。第一多孔层251具有多个第一孔隙（图中未示），使第一氧化层253形成于第一孔隙的表面上。第二多孔层252具有多个第二孔隙（图中未示），使第二氧化层254形成于第二孔隙的表面上。以下各实施例均相同。
固态电解电容区230包括从电极引出区210延伸的第一基板221、从电极引出区210延伸的第二基板222、从电极引出区210延伸且在从电极引出区210延伸的第一基板221的两表面上形成的第一多孔层251及第二多孔层252、从电极引出区210延伸且配置于从电极引出区210延伸的第一多孔层251上的第一氧化层253、从电极引出区210延伸且配置于从电极引出区210延伸的第二多孔层252上的第二氧化层254、配置于第一氧化层253上的第一导电高分子层271、配置于第一导电高分子层271上的第一碳层272以及配置于第一碳层272上的第一导电粘着层273。第一导电粘着层273与第二基板222及第一碳层272电性连接。例如固态电解电容区230形成于两电极引出区210之间，则第一绝缘材料241与第一导电高分子层271、第一碳层272及第一导电粘着层273的至少一侧边接触。
在一实施例中，第一基板221的材料通常是铝但并非限定是铝，其它适当金属也可。第二基板222的材料可使用铜或银等导电材料但并非限定铜或银等导电材料。第一导电高分子层271的材料可以是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）但并非限定是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）。第一导电粘着层273的材料可使用银或其它导电材料但并非限定银或其它导电材料。第一氧化层253及第二氧化层254则为金属氧化层。第一绝缘材料241的材料通常是玻璃纤维织布（prepreg）但并非限定是玻璃纤维织布（prepreg）或其它绝缘材料。以下各实施例均相同。
在一实施例中，第一基板221作为内藏电容模块200的第一电极，而第二基板222作为内藏电容模块200的第二电极。第一电极与第二电极的极性互为相反。
在一实施例中，内藏电容模块200还包括第一导孔261及第二导孔262。第一导孔261形成于电极引出区210中，第一导孔261与第一基板221电性连接，而第一导孔261与第二基板222电性绝缘。第二导孔262形成于电极引出区210中，第二导孔262与第二基板222电性连接，而第二导孔262与第一基板221电性绝缘。第一导孔261与第二导孔262的侧壁以充填导电材料或电镀等制造工程方法使其具有导电性。以下各实施例均相同。
在一实施例中，内藏电容模块200还包括位于电极引出区210中的第一电极接垫263、第一接垫绝缘材料242及导孔绝缘材料243。其中，第一电极接垫263配置于第一绝缘材料241上，而第一接垫绝缘材料242配置于第一电极接垫263的周围。导孔绝缘材料243配置在第二导孔262的周围且穿过第一基板221。第一电极接垫263与第一导孔261及第一基板221电性连接，而第一电极接垫263与第二基板222电性绝缘。第一接垫绝缘材料242及导孔绝缘材料243可为空气或其它绝缘材料。以下各实施例均相同。
请参考图2A及图2B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块200的剖面结构示意图及上视图。
在本实施例中，大部分的元件具有与图1A及图1B的实施例的元件相同或相似的标号，而这些元件的操作也相同于图1A及图1B的实施例的元件的操作。而图2A及图2B与图1A及图1B的实施例的不同之处在于第一导孔。在图1A及图1B中，第一导孔261为一贯孔，此贯孔穿过第一基板221。在本实施例中，第一导孔264为一盲孔，此盲孔未穿过第一基板221。第一导孔264与第一基板221及第一电极接垫263电性连接，而第一导孔264与第二基板222电性绝缘。
请参考图3A及图3B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块201的剖面结构示意图及上视图。
内藏电容模块201包括电极引出区211与固态电解电容区231，而且固态电解电容区231与电极引出区211相邻配置。如图3A及图3B所示，固态电解电容区231形成于两电极引出区211之间。电极引出区211包括第一基板221、第二基板222、配置于第一基板221及第二基板222之间的第一绝缘材料241、分别形成于第一基板221的两表面的第一多孔层251及第二多孔层252、配置于第一多孔层251上的第一氧化层253以及配置于第二多孔层252上的第二氧化层254。第一多孔层251具有多个第一孔隙（图中未示），使第一氧化层253形成于第一孔隙的表面上。第二多孔层252具有多个第二孔隙（图中未示），使第二氧化层254形成于第二孔隙的表面上。电极引出区211还包括有第三基板223以及配置于第一基板221及第三基板223之间的第二绝缘材料244。而固态电解电容区231还包括从电极引出区211延伸的第三基板223。
固态电解电容区231包括从电极引出区211延伸的第一基板221、从电极引出区211延伸的第二基板222、从电极引出区211延伸且分别在从电极引出区211延伸的第一基板221的两表面上形成的第一多孔层251及第二多孔层252、从电极引出区211延伸且配置于从电极引出区211延伸的第一多孔层251上的第一氧化层253、从电极引出区210延伸且配置于从电极引出区210延伸的第二多孔层252上的第二氧化层254、配置于第一氧化层253上的第一导电高分子层271、配置于第一导电高分子层上271上的第一碳层272以及配置于第一碳层272上的第一导电粘着层273。第一导电粘着层273与第二基板222及第一碳层272电性连接。第一绝缘材料241与第一导电高分子层271、第一碳层272及第一导电粘着层273的至少一侧边接触。固态电解电容区231则还包括有配置于第三基板223上的第二导电粘着层276、配置于第二导电粘着层276上的第二碳层275以及配置于第二碳层275上的第二导电高分子层274。第二导电粘着层276与第三基板223及第二碳层275电性连接。而第二绝缘材料244与第二导电高分子层274、第二碳层275及第二导电粘着层276的至少一侧边接触。
在一实施例中，第一基板221的材料通常是铝但不限定是铝。第二基板222及第三基板223的材料可使用铜或银等导电材料但并非限定铜或银等导电材料。第一导电高分子层271及第二导电高分子层274的材料可以是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）但并非限定是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）。第一导电粘着层273及第二导电粘着层276的材料可使用银或其它导电材料但并非限定银或其它导电材料。第一氧化层253及第二氧化层254则为金属氧化层。第一绝缘材料241及第二绝缘材料244的材料通常是玻璃纤维织布（prepreg）但并非限定是玻璃纤维织布（prepreg）或其它绝缘材料。
在一实施例中，内藏电容模块201还包括有第一导孔265与第二导孔266。第一导孔265形成于电极引出区211中，第一导孔265与第一基板221电性连接，而第一导孔265与第二基板222及第三基板223电性绝缘。第二导孔266形成于电极引出区211中，第二导孔266与第二基板222及第三基板223电性连接，而第二导孔266与第一基板221电性绝缘。在本实施例中，第一基板221作为内藏电容模块201的第一电极，而第二基板222及第三基板223作为内藏电容模块201的第二电极。其中，第一电极与第二电极的极性互为相反。第一导孔265与第二导孔266的侧壁以充填导电材料或电镀等制造工程方法使其具有导电性。以下各实施例均相同。
在一实施例中，内藏电容模块201还包括有配置于第一绝缘材料241上的第一电极接垫267、配置于第一电极接垫267的周围的第一接垫绝缘材料245、配置于第二绝缘材料244上的第二电极接垫268、配置于第二电极接垫268的周围的第二接垫绝缘材料246、配置于第二导孔266周围且穿过第一基板221的导孔绝缘材料247。其中，第一电极接垫267、第一接垫绝缘材料245、第二电极接垫268、第二接垫绝缘材料246及导孔绝缘材料247位于电极引出区211中。第一电极接垫267及第二电极接垫268与第一导孔265电性连接，而第一电极接垫267及第二电极接垫268与第二基板222及第三基板223电性绝缘。第一接垫绝缘材料245、第二接垫绝缘材料246及导孔绝缘材料247可为空气或其它绝缘材料。以下各实施例均相同。
请参考图4A及图4B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块201的剖面结构示意图及上视图。
在本实施例中，大部分的元件与图3A及图3B的实施例的元件具有相同或相似的标号，而这些元件的组成或操作也与图3A及图3B的实施例的元件相同或相似。而图4A及图4B与图3A及图3B的实施例的不同之处在于第一导孔。在图3A及图3B中，第一导孔265为一贯孔，此贯孔穿过第一基板221。而在图4A及图4B中，第一导孔281为一盲孔，此盲孔未穿过第一基板221。在本实施例中，模块还包括有第一导孔281、第二导孔266与第三导孔282。其中，第一导孔281及第三导孔282为盲孔。第一导孔281与第一基板221及第一电极接垫267电性连接。第三导孔282与第一基板221及第二电极接垫268电性连接。第二导孔266与第二基板222及第三基板223电性连接，而第二导孔266与第一基板221电性绝缘。
在本实施例中，第一导孔281的中心轴线对准第三导孔282的中心轴线，如图4A及图4B所示。在另一实施例中，第一导孔281的中心轴线不对准第三导孔282的中心轴线。第一导孔281与第二导孔266、第三导孔282的侧壁以充填导电材料或电镀等制造工程方法使其具有导电性。以下各实施例均相同。
请参考图5A及图5B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块400的剖面结构示意图及上视图。
如图5A及图5B所示，内藏电容模块400包括电极引出区410及固态电解电容区430，而固态电解电容区430与电极引出区410则相邻配置。电极引出区410则包括第一基板421、第二基板422、配置于第一基板421及第二基板422之间的第一绝缘材料441、形成于第一基板421的至少一表面上的第一多孔层451以及配置于第一多孔层451上的第一氧化层452。在本实施例中，第一多孔层451形成于第一基板421的至少三个表面上，如图5A所示。
固态电解电容区430则包括从电极引出区410延伸的第一基板421、从电极引出区410延伸的第二基板422、从电极引出区410延伸且在从电极引出区410延伸的第一基板421的至少一表面上形成的第一多孔层451、从电极引出区410延伸且配置于从电极引出区410延伸的第一多孔层451上的第一氧化层452、配置于第一氧化层452上的第一导电高分子层471、配置于第一导电高分子层471上的第一碳层472以及配置于第一碳层472上的第一导电粘着层473。第一导电粘着层473与第二基板422电性连接。第一绝缘材料441与第一导电高分子层471、第一碳层472及第一导电粘着层473的至少一侧边接触。
在一实施例中，第一基板421的材料通常是铝但不限定是铝。第二基板422的材料可使用铜或银等导电材料但并非限定铜或银等导电材料。第一导电高分子层471的材料可以是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）但并非限定是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）。第一导电粘着层473的材料可使用银或其它导电材料但并非限定银或其它导电材料。第一氧化层452则为金属氧化层。第一绝缘材料441的材料通常是玻璃纤维织布（prepreg）但并非限定是玻璃纤维织布（prepreg）或其它绝缘材料。
在一实施例中，内藏电容模块400还包括第一导孔461与第二导孔462。第一导孔461形成于电极引出区410中，第一导孔461与第一基板421电性连接，而第一导孔461与第二基板422电性绝缘。第二导孔462形成于电极引出区410中，第二导孔462与第二基板422电性连接，而第二导孔462与第一基板421电性绝缘。在本实施例中，第一基板421作为内藏电容模块400的第一电极，第二基板422作为内藏电容模块400的第二电极。其中，第一电极与第二电极的极性互为相反。
在一实施例中，内藏电容模块400还包括配置于第一绝缘材料441上的第一电极接垫463、配置于第一电极接垫463的周围的第一接垫绝缘材料442、配置于第二导孔462周围且穿过第一基板421的导孔绝缘材料443。其中，第一电极接垫463、第一接垫绝缘材料442及导孔绝缘材料443皆位于电极引出区410中。第一电极接垫463与第一导孔461及第一基板421电性连接，而第一电极接垫463与第二基板422电性绝缘。
请参考图6A及图6B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块400的剖面结构示意图及上视图。
在本实施例中，大部分的元件与图5A及图5B的实施例的元件具有相同或相似的标号，而这些元件的组成或操作也与图5A及图5B的实施例的元件相同或相似。而图6A及图6B与图5A及图5B的实施例的不同之处在于第一导孔。在图5A及图5B中，第一导孔461为一贯孔，此贯孔穿过第一基板421。而在本实施例中，第一导孔464为一盲孔，此盲孔未穿过第一基板421。第一导孔464与第一基板421及第一电极接垫463电性连接，而第一导孔464与第二基板422电性绝缘。
请参考图7A及图7B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块400的剖面结构示意图及上视图。
在本实施例中，大部分的元件与图5A及图5B的实施例的元件具有相同或相似的标号，而这些元件的组成或操作也与图5A及图5B的实施例的元件相同或相似。在本实施例中，两个固态电解电容区430与电极引出区410相邻配置。第一多孔层451形成于第一基板421的所有表面上。位于内藏电容模块400的左侧的固态电解电容区430与位于内藏电容模块400的右侧的固态电解电容区430有相似或相同的结构。而内藏电容模块400还包括配置于第一氧化层452上的第三导电高分子层431、配置于第三导电高分子层431上的第三碳层432以及配置于第三碳层432上的第三导电粘着层433。其中，第三导电粘着层433与第二基板422及第三碳层432电性连接。
请参考图8A及图8B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块401的剖面结构示意图及上视图。
内藏电容模块401包括电极引出区411及固态电解电容区431，而固态电解电容区431与电极引出区411相邻配置。电极引出区411包括第一基板421、第二基板422、配置于第一基板421及第二基板422之间的第一绝缘材料441、形成于第一基板421的至少一表面的第一多孔层451以及配置于第一多孔层451上的第一氧化层452。而内藏电容模块401还包括第三基板423及配置于第一基板421及第三基板423之间的第二绝缘材料444。其中，第三基板423及第二绝缘材料444位于电极引出区411及固态电解电容区431中。在本实施例中，第一多孔层451形成于第一基板421的至少三个表面上。
固态电解电容区431包括从电极引出区411延伸的第一基板421、从电极引出区411延伸的第二基板422、从电极引出区411延伸且在从电极引出区411延伸的第一基板421的至少一表面上形成的第一多孔层451、从电极引出区411延伸且配置于从电极引出区411延伸的第一多孔层451上的第一氧化层452、配置于第一氧化层452上的第一导电高分子层471、配置于第一导电高分子层471上的第一碳层472以及配置于第一碳层472上的第一导电粘着层473。第一导电粘着层473与第二基板422及第一碳层472电性连接。第一绝缘材料441与第一导电高分子层471、第一碳层472及第一导电粘着层473的至少一侧边接触。
在一实施例中，第一基板421的材料通常是铝但不限定是铝。第二基板422及第三基板423的材料可使用铜或银等导电材料但并非限定铜或银等导电材料。第一导电高分子层471的材料可以是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）但并非限定是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）。第一导电粘着层473的材料可使用银或其它导电材料但并非限定银或其它导电材料。第一氧化层452为金属氧化层。第一绝缘材料441及第二绝缘材料444的材料通常是玻璃纤维织布（prepreg）但并非限定是玻璃纤维织布（prepreg）或其它绝缘材料。
在一实施例中，内藏电容模块401还包括第一导孔465与第二导孔466。第一导孔465形成于电极引出区411中，第一导孔465与第一基板421电性连接，而第一导孔465与第二基板422及第三基板423电性绝缘。第二导孔466形成于电极引出区411中，第二导孔466与第二基板422及第三基板423电性连接，而第二导孔466与第一基板421电性绝缘。在本实施例中，第一基板421作为内藏电容模块401的第一电极，而第二基板422及第三基板423作为内藏电容模块401的第二电极。其中，第一电极与第二电极的极性互为相反。
在一实施例中，内藏电容模块401还包括配置于第一绝缘材料441上的第一电极接垫467、配置于第一电极接垫467的周围的第一接垫绝缘材料445、配置于第二绝缘材料444上的第二电极接垫468、配置于第二电极接垫468的周围的第二接垫绝缘材料446以及配置于第二导孔466周围且穿过第一基板421的的导孔绝缘材料447。其中，第一电极接垫467、第一接垫绝缘材料445、第二电极接垫468、第二接垫绝缘材料446以及导孔绝缘材料447皆位于电极引出区411中。第一电极接垫467及第二电极接垫468与第一导孔465及第一基板421电性连接，而第一电极接垫467及第二电极接垫468与第二基板422及第三基板423电性绝缘。
请参考图9A及图9B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块401的剖面结构示意图及上视图。
在本实施例中，大部分的元件与图8A及图8B的实施例的元件具有相同或相似的标号，而这些元件的组成或操作也与图8A及图8B的实施例的元件相同或相似。在本实施例中，电极引出区411被固态电解电容区431所围绕，且固态电解电容区431与电极引出区411相邻配置。并且，第一多孔层451形成于第一基板421的所有表面上。
请参考图10A及图10B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块402的剖面结构示意图及上视图。
如图10A及图10B所示，内藏电容模块402包括电极引出区412及固态电解电容区432，而固态电解电容区432与电极引出区412则相邻配置。电极引出区412包括第一基板421、第二基板422、配置于第一基板421与第二基板422之间的第一绝缘材料441、形成于第一基板421的至少一表面的第一多孔层451以及配置于第一多孔层451上的第一氧化层452。而电极引出区412还包括第三基板423及配置于第一基板421及第三基板423之间的第二绝缘材料444。固态电解电容区432还包括从电极引出区412延伸的第三基板423。在本实施例中，第一多孔层451形成于第一基板421的至少三个表面上。
固态电解电容区432包括从电极引出区412延伸的第一基板421、从电极引出区412延伸的第二基板422、从电极引出区412延伸且在从电极引出区412延伸的第一基板421的至少一表面上形成的第一多孔层451、从电极引出区412延伸且配置于从电极引出区412延伸的第一多孔层451上的第一氧化层452、配置于第一氧化层452上的第一导电高分子层474以及配置于第一导电高分子层474上的第一碳层475。固态电解电容区432还包括第一导电粘着层476及第二导电粘着层477。其中，第一导电粘着层476配置于第一碳层475与第二基板422之间，而第二导电粘着层477配置于第一碳层475及第三基板423之间。第一绝缘材料411与第一导电高分子层474、第一碳层475及第一导电粘着层476的至少一侧边接触。第二绝缘材料444与第一导电高分子层474、第一碳层475及第二导电粘着层477的至少一侧边接触。
第一导电粘着层476与第二基板422及第一碳层475电性连接，而第二导电粘着层477与第三基板423及第一碳层475电性连接。
在一实施例中，第一基板421的材料通常是铝但不限定是铝。第二基板422及第三基板423的材料可使用铜或银等导电材料但并非限定铜或银等导电材料。第一导电高分子层474的材料可以是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）但并非限定是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）。第一导电粘着层476及第二导电粘着层477的材料可使用银或其它导电材料但并非限定银或其它导电材料。第一氧化层452为金属氧化层。第一绝缘材料441及第二绝缘材料444的材料通常是玻璃纤维织布（prepreg）但并非限定是玻璃纤维织布（prepreg）或其它绝缘材料。
在一实施例中，内藏电容模块402还包括第一导孔465与第二导孔466。第一导孔465形成于电极引出区412中，第一导孔465与第一基板421电性连接，而第一导孔465与第二基板422及第三基板423电性绝缘。第二导孔466形成于电极引出区412中，第二导孔466与第二基板422及第三基板423电性连接，而第二导孔466与第一基板421电性绝缘。在本实施例中，第一基板421作为内藏电容模块402的第一电极，而第二基板422及第三基板423作为内藏电容模块402的第二电极。其中，第一电极与第二电极的极性互为相反。
在一实施例中，内藏电容模块402还包括配置于第一绝缘材料441上的第一电极接垫467、配置于第一电极接垫467周围的第一接垫绝缘材料445、配置于第二绝缘材料444上的第二电极接垫468、配置于第二电极接垫468周围的第二接垫绝缘材料446以及配置于第二导孔466周围且穿过第一基板421的导孔绝缘材料447。其中，第一电极接垫467、第一接垫绝缘材料445、第二电极接垫468、第二接垫绝缘材料446以及导孔绝缘材料447皆位于电极引出区412中。第一电极接垫467及第二电极接垫468与第一导孔465电性连接，而第一电极接垫467及第二电极接垫468与第二基板422及第三基板423电性绝缘。
请参考图11A及图11B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块402的剖面结构示意图及上视图。
在本实施例中，大部分的元件与图10A及图10B的实施例的元件具有相同或相似的标号，而这些元件的组成或操作也与图10A及图10B的实施例的元件相同或相似。而图11A及图11B与图10A及图10B的实施例的不同之处在于第一导孔。在图10A及图10B中，第一导孔465为一贯孔，此贯孔穿过第一基板421。而图11A及图11B中，第一导孔481为一盲孔，此盲孔未穿过第一基板421。在本实施例中，模块还包括第一导孔481、第二导孔466及第三导孔482。第一导孔481及第三导孔482为盲孔。第一导孔481与第一基板421及第一电极接垫467电性连接。第三导孔482与第一基板421及第二电极接垫468电性连接。第二导孔466与第二基板422及第三基板423电性连接，而第二导孔466与第一基板421电性绝缘。
请参考图12A及图12B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块402的剖面结构示意图及上视图。
在本实施例中，大部分的元件与图10A及图10B的实施例的元件具有相同或相似的标号，而这些元件的组成或操作也与图10A及图10B的实施例的元件相同或相似。在本实施例中，电极引出区412被固态电解电容区432所围绕，且固态电解电容区432与电极引出区412相邻配置。并且，第一多孔层451形成于第一基板421的所有表面上。
图13示出了图3A所示的内藏电容模块应用于多层电路板或IC载板600的剖面结构示意图。内藏电容模块500包括至少一电极引出区510及至少一固态电解电容区530，而固态电解电容区530与电极引出区510则相邻配置。在本实施例中，固态电解电容区530包括固态电解材料501、502、503及504。固态电解材料501、502、503及504的结构及堆栈方式与图3A所示的固态电解电容区231的结构及堆栈方式类似。而固态电解材料501及503的形成方法及组成类似于如图3A所示的第一导电高分子层271、第一碳层272及第一导电粘着层273的形成方法及组成。而固态电解材料502及504的形成方式及组成则类似于如图3A所示的第二导电高分子层274、第二碳层275及第二导电粘着层276的形成方法及组成。在本实施例中，内藏电容模块500还包括配置于第一绝缘材料541上的第一电极接垫567、配置于第一电极接垫567周围的第一接垫绝缘材料545、配置于第二绝缘材料544上的第二电极接垫568、配置于第二电极接垫568周围的第二接垫绝缘材料546以及配置于第二导孔566周围且穿过第一基板521的导孔绝缘材料547。其中，第一电极接垫567、第一接垫绝缘材料545、第二电极接垫568、第二接垫绝缘材料546以及导孔绝缘材料547皆位于电极引出区510。第一电极接垫567及第二电极接垫568与第一导孔565及第一基板521电性连接，而第一电极接垫567及第二电极接垫568与第二基板522及第三基板523电性绝缘。
在本实施例中，内藏电容模块500还包括至少一盲孔569、配置于第一绝缘材料541上的第三电极接垫570、配置于第三电极接垫570周围的第三接垫绝缘材料548。前述盲孔569的连接关系则类似于如图4A所示的第一盲孔281的连接关系。盲孔569与第一电极接垫567和第三电极接垫570及第一基板521电性连接，而盲孔569与第二基板522及第三基板523电性绝缘。如图13所示，内藏电容模块500被内藏或内埋形成在IC载板600中，在内藏电容模块500的上下两侧均有绝缘层562a、562b、562c、564a、564b、564c。IC载板600中也形成信号层572a、572b、电源层575以及接地层576，分别形成于绝缘层562a、562b、562c、564a、564b、564c之中。于电路板制造工程时，在内藏电容模块500的第二基板522上形成绝缘层562a。接着，依序形成电源层575、绝缘层562b、信号层572a及绝缘层562c。类似地，在内藏电容模块500的第三基板523上形成绝缘层564a。接着，依序形成接地层576、绝缘层564b、信号层572b及绝缘层564c。虽然，此处以统称方式命名绝缘层562a、562b、562c、564a、564b、564c，但本领域熟悉此项技术的人员可知绝缘层562a、562b、562c、564a、564b、564c、信号层572a、572b、电源层575以及接地层576以一层一层地贴合或热压合的制造工程方式形成。集成电路（IC）582通过锡球584及焊垫586与IC载板600中的线路电性连接，也即集成电路582有至少一锡球与IC载板600的接地层576电性连接，其至少有另一锡球与IC载板600的电源层575形成电性连接。IC载板600中的信号层572a、572b则用以传递信号。至少一第一导孔565与IC载板600的第一基板521、第一电极接垫567、第二电极接垫568及电源层575电性连接。至少一第二导孔566与IC载板600的第二基板522、第三基板523及接地层576电性连接。通过此一架构，内藏电容模块500提供IC载板600的表面的集成电路582所需求的电容值。
请参考图14A及图14B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块300的剖面结构示意图及上视图。
如图14A及图14B所示，内藏电容模块300包括多个电极引出区310及一固态电解电容区330，而固态电解电容区330与电极引出区310相邻配置。如图14B所示，固态电解电容区330形成于两电极引出区310之间。电极引出区310包括第一基板321、第二基板322、配置于第一基板321及第二基板322之间的第一绝缘材料341、分别形成于第一基板321的两表面上的第一多孔层351及第二多孔层352、配置于第一多孔层351上的第一氧化层353以及配置于第二多孔层352上的第二氧化层354。
固态电解电容区330包括从电极引出区310延伸的第一基板321、从电极引出区310延伸的第二基板322、从电极引出区310延伸且分别形成于从电极引出区310的第一基板321的两表面上的第一多孔层351及第二多孔层352、从电极引出区310延伸且配置于从电极引出区310延伸的第一多孔层351上的第一氧化层353、从电极引出区310延伸且配置于从电极引出区310延伸的第二多孔层352上的第二氧化层354、配置于第一氧化层353上的第一导电高分子层371以及配置于第一导电高分子层371上的第一导电粘着层373。第一导电粘着层373与第二基板322及第一导电高分子层371电性连接。由于固态电解电容区330形成于两个电极引出区310之间，因此第一绝缘材料341与第一导电高分子层371及第一导电粘着层373的至少一侧边接触。
在一实施例中，第一基板321的材料通常是铝但不限定是铝。第二基板322的材料可使用铜或银等导电材料但并非限定铜或银等导电材料。第一导电高分子层371的材料可以是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）但并非限定是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）。第一导电粘着层373的材料可使用银或其它导电材料但并非限定银或其它导电材料。第一氧化层353及第二氧化层354为金属氧化层。第一绝缘材料341的材料通常是玻璃纤维织布（prepreg）但并非限定是玻璃纤维织布（prepreg）或其它绝缘材料。
在一实施例中，第一基板321作为内藏电容模块300的第一电极，第二基板322作为内藏电容模块300的第二电极。第一电极与第二电极的极性互为相反。
在一实施例中，内藏电容模块300还包括第一导孔361及第二导孔362。第一导孔361形成于电极引出区310中，第一导孔361与第一基板321电性连接，而第一导孔361与第二基板322电性绝缘。第二导孔362形成于电极引出区310中，第二导孔362与第二基板322电性连接，而第二导孔362与第一基板321电性绝缘。
在一实施例中，内藏电容模块300还包括配置于第一绝缘材料341上的第一电极接垫363、配置于第一电极接垫363周围的第一接垫绝缘材料342以及配置于第二导孔362周围且穿过第一基板321的导孔绝缘材料343。其中，第一电极接垫363、第一接垫绝缘材料342以及导孔绝缘材料343皆位于电极引出区310中。第一电极接垫363与第一导孔361及第一基板321电性连接，而第一电极接垫363与第二基板322电性绝缘。
请参考图15A及图15B，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块301的剖面结构示意图及上视图。
内藏电容模块301包括多个电极引出区311及一固态电解电容区331，而固态电解电容区331与电极引出区311相邻配置。如图15A所示，固态电解电容区331形成于两电极引出区311之间。电极引出区311包括第一基板321、第二基板322、配置于第一基板321及第二基板322之间的第一绝缘材料341、分别形成于第一基板321的两个表面的第一多孔层351及第二多孔层352、配置于第一多孔层351上的第一氧化层353以及配置于第二多孔层352上的第二氧化层354。电极引出区311还包括第三基板323及配置于第一基板321及第三基板323之间的第二绝缘材料344。并且，固态电解电容区331还包括从电极引出区311延伸的第三基板323。
固态电解电容区331包括从电极引出区311延伸的第一基板321、从电极引出区311延伸的第二基板322、从电极引出区311延伸且在从电极引出区311延伸的第一基板321的至少一表面上形成的第一多孔层351、从电极引出区311延伸且配置于电极引出区311的第一多孔层351上的第一氧化层353、配置于第一氧化层353上的第一导电高分子层371以及配置于第一导电高分子层371上的第一导电粘着层373。第一导电粘着层373与第二基板322及第一导电高分子层371电性连接。第一绝缘材料341与第一导电高分子层371及第一导电粘着层373的至少一侧边接触。固态电解电容区331还包括配置于第三基板上的第二导电粘着层376以及配置于第二导电粘着层376上的第二导电高分子层374。第二导电粘着层376与第三基板323及第二导电高分子层374电性连接。第二绝缘材料344与第二导电高分子层374及第二导电粘着层376的至少一侧边接触。
在一实施例中，第一基板321的材料通常是铝但不限定是铝。第二基板322及第三基板323的材料可使用铜或银等导电材料但并非限定铜或银等导电材料。第一导电高分子层371及第二导电高分子层374的材料可以是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）但并非限定是聚二氧乙烯噻吩（PEDOT）。第一导电粘着层373及第二导电粘着层376的材料可使用银或其它导电材料但并非限定银或其它导电材料。第一氧化层353及第二氧化层354为金属氧化层。第一绝缘材料341及第二绝缘材料344的材料通常是玻璃纤维织布（prepreg）但并非限定是玻璃纤维织布（prepreg）或其它绝缘材料。
在一实施例中，内藏电容模块301还包括第一导孔365及第二导孔366。第一导孔365与第二导孔366皆形成于电极引出区311中。第一导孔365与第一基板321电性连接，而第一导孔365与第二基板322及第三基板323电性绝缘。第二导孔366与第二基板322及第三基板323电性连接，而第二导孔366与第一基板321电性绝缘。在本实施例中，第一基板321作为内藏电容模块301的第一电极，第二基板322及第三基板323作为内藏电容模块301的第二电极。第一电极与第二电极的极性互为相反。
在一实施例中，内藏电容模块301还包括配置于第一绝缘材料341上的第一电极接垫367、配置于第一电极接垫367周围的第一接垫绝缘材料345、配置于第二绝缘材料344上的第二电极接垫368、配置于第二电极接垫368周围的第二接垫绝缘材料346以及配置于第二导孔366周围且穿过第一基板321的导孔绝缘材料347。其中，第一电极接垫367、第一接垫绝缘材料345、第二电极接垫368、第二接垫绝缘材料346以及导孔绝缘材料347皆位于电极引出区311中。第一电极接垫367及第二电极接垫368与第一导孔365及第一基板321电性连接，而第一电极接垫367及第二电极接垫368与第二基板322及第三基板323电性绝缘。
请参考图16A、图16B及图16C，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块301的剖面结构示意图及上视图。
在本实施例中，大部分的元件与图15A及图15B的实施例的元件具有相同或相似的标号，而这些元件的组成或操作也与图15A及图15B的实施例的元件相同或相似。
在本实施例中，固态电解电容区331还包括配置于第一氧化层353上的第三导电高分子层372以及配置于第三导电高分子层372上的第三导电粘着层375。第三导电粘着层375与第二基板322及第三导电高分子层372电性连接。第一绝缘材料341与第三导电高分子层372及第三导电粘着层375的至少一侧边接触。
在本实施例中，固态电解电容区331还包括配置于第二氧化层354上的第四导电高分子层377以及配置于第四导电高分子层377上的第四导电粘着层379。第四导电粘着层379与第三基板323及第四导电高分子层377电性连接。第二绝缘材料344与第四导电高分子层377及第四导电粘着层379的至少一侧边接触。
请参考图16B，其为图16A的实施例的内藏电容模块301的上视图。在本实施例中，第一导电高分子层371、第一导电粘着层373、第二导电高分子层374及第二导电粘着层376配置于相同的水平位置上。类似地，第三导电高分子层372、第三导电粘着层375、第四导电高分子层377及第四导电粘着层379也配置于相同的水平位置上。
请参考图16C，其为图16A的实施例的内藏电容模块301的上视图。在本实施例中，第一导电高分子层371、第一导电粘着层373、第二导电高分子层374及第二导电粘着层376则配置于不同的水平位置上。类似地，第三导电高分子层372、第三导电粘着层375、第四导电高分子层377及第四导电粘着层379也配置于不同的水平位置上。
请参考图17，其为本发明的另一实施例的内藏电容模块301的剖面结构示意图。
在本实施例中，大部分的元件与图15A及图15B的实施例的元件具有相同或相似的标号，而这些元件的组成或操作也与图15A及图15B的实施例的元件相同或相似。
在一实施例中，内藏电容模块301还包括第三导孔385及第四导孔386。第三导孔385及第四导孔形成于电极引出区311中。第三导孔385与第一基板321电性连接，而第三导孔385与第二基板322及第三基板323电性绝缘。其中，第三导孔385为一盲孔。第四导孔386与第二基板322及第三基板323电性连接，而第四导孔386与第一基板321电性绝缘。其中，第四导孔386为一贯孔。
在一实施例中，内藏电容模块301还包括配置于第一绝缘材料341上的第三电极接垫387、配置于第三电极接垫387周围的第一接垫绝缘材料394以及配置于第四导孔386周围且穿过第一基板321的导孔绝缘材料396。第三电极接垫387与第三导孔385及第一基板321电性连接，而第三电极接垫387与第二基板322及第三基板323电性绝缘。第一导孔365、第三导孔385、第一电极接垫367、第二电极接垫368及第三电极接垫387与第一基板321电性连接。
综合上述，本发明所揭示的内藏电容模块，不但保留传统固态电容的大电容值的优点，还可在内埋于印刷电路板之后再于电极引出区进行钻孔或电镀等印刷电路板制造工程与其它电路电性连接，而且配置在内藏电容模块的电极引出区中的导孔，不会造成内藏电容模块的电容值降低。
Claims (37)
1.一种内藏电容模块，其特征在于，包括：
一电极引出区，具有一第一基板、一第二基板、配置于该第一基板与该第二基板之间的一第一绝缘材料、形成于该第一基板的至少一表面的一第一多孔层以及配置于该第一多孔层上的一第一氧化层；以及
至少一固态电解电容区，与该电极引出区相邻配置，该至少一固态电解电容区包括从该电极引出区延伸的该第一基板、从该电极引出区延伸的该第二基板、从该电极引出区延伸且在从该电极引出区延伸的该第一基板的至少一表面上形成的该第一多孔层、从该电极引出区延伸且配置于从该电极引出区延伸的该第一多孔层上的该第一氧化层、配置于该第一氧化层上的一第一导电高分子层、配置于该第一导电高分子层上的一第一碳层以及配置于该第一碳层上的一第一导电粘着层，其中该第一导电粘着层与该第二基板及该第一碳层电性连接，且该第一绝缘材料与该第一导电高分子层、该第一碳层及该第一导电粘着层的至少一侧边接触。
2.根据权利要求1所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一氧化层为一金属氧化层。
3.根据权利要求1所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一多孔层配置于该第一基板的部分或所有的表面上。
4.根据权利要求1所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一基板作为该内藏电容模块的一第一电极，该第二基板作为该内藏电容模块的一第二电极。
5.根据权利要求1所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括：
一第一导孔，形成于该电极引出区，该第一导孔与该第一基板电性连接，且该第一导孔与该第二基板电性绝缘；以及
一第二导孔，形成于该电极引出区，该第二导孔与该第二基板电性连接，且该第二导孔与该第一基板电性绝缘。
6.根据权利要求5所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括配置于该第一绝缘层上的一第一电极接垫、配置于该第一电极接垫的周围的一第一接垫绝缘材料以及配置于该第二导孔周围且穿过该第一基板的一导孔绝缘材料，其中该第一电极接垫与该第一导孔电性连接，且该第一电极接垫与该第二基板电性绝缘。
7.根据权利要求5所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一导孔为一贯孔。
8.根据权利要求5所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一导孔为一盲孔。
9.根据权利要求1所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括一第三基板，以及配置于该第一基板与该第二基板之间的一第二绝缘材料，其中该第三基板及该第二绝缘材料位于该电极引出区及该至少一固态电解电容区中。
10.根据权利要求9所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括：
一第一导孔，形成于该电极引出区，该第一导孔电性连接该第一基板，且该第一导孔与该第二基板及该第三基板电性绝缘；以及
一第二导孔，形成于该电极引出区，该第二导孔电性连接该第二基板及该第三基板，且该第二导孔与该第一基板电性绝缘。
11.根据权利要求10所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括配置于该第一绝缘层上的一第一电极接垫、配置于该第一电极接垫的周围的一第一接垫绝缘材料、配置于该第二绝缘材料上的一第二电极接垫、配置于该第二电极接垫的周围的一第二接垫绝缘材料以及配置于该第二导孔周围且穿过该第一基板的一导孔绝缘材料，其中该第一电极接垫及该第二电极接垫与该第一导孔电性连接，且该第一电极接垫及该第二电极接垫与该第二基板及该第三基板电性绝缘。
12.根据权利要求1所述的内藏电容模块，其特征在于，该电极引出区还包括一第三基板以及配置于该第一基板与该第三基板之间的一第二绝缘材料，且该至少一固态电解电容区还包括从该电极引出区延伸的该第三基板。
13.根据权利要求12所述的内藏电容模块，其特征在于，该至少一固态电解电容区与该电极引出区相邻配置，其中该至少一固态电解电容区还包括从该电极引出区延伸且在从该电极引出区延伸的该第一基板的至少一表面上形成的一第二多孔层、从该电极引出区延伸且配置于从该电极引出区延伸的该第二多孔层上的一第二氧化层、配置于该第二氧化层上的一第二导电高分子层、配置于该第二导电高分子层上的一第二碳层以及配置于该第二碳层上的一第二导电粘着层，其中该第二导电粘着层与该第三基板及该第二碳层电性连接，且该第二绝缘材料与该第二导电高分子层、该第二碳层及该第二导电粘着层的至少一侧边接触。
14.根据权利要求13所述的内藏电容模块，其特征在于，该第二多孔层配置于该第一基板的部分或所有的表面上。
15.根据权利要求12所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括：
一第一导孔，形成于该电极引出区，该第一导孔与该第一基板电性连接，且该第一导孔与该第二基板及该第三基板电性绝缘；以及
一第二导孔，形成于该电极引出区，该第二导孔与该第二基板及该第三基板电性连接，且该第二导孔与该第一基板电性绝缘。
16.根据权利要求15所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一导孔为一贯孔。
17.根据权利要求15所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一导孔为一盲孔。
18.根据权利要求15所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括配置于该第一绝缘材料上的一第一电极接垫、配置于该第一电极接垫周围的一第一接垫绝缘材料、配置于该第二绝缘材料上的一第二电极接垫、配置于该第二电极接垫周围的一第二接垫绝缘材料以及配置于该第二导孔周围且穿过该第一基板的一导孔绝缘材料，其中该第一电极接垫及该第二电极接垫与该第一导孔电性连接，且该第一电极接垫及该第二电极接垫与该第二基板及该第三基板电性绝缘。
19.根据权利要求18所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括一第三导孔，形成于该电极引出区，该第三导孔与该第一基板及该第二电极接垫电性连接，且该第三导孔与该第二基板及该第三基板电性绝缘。
20.根据权利要求12所述的内藏电容模块，其特征在于，该至少一固态电解电容区还包括配置于该第一碳层与该第二基板之间的一第一导电粘着层、配置于该第一碳层与该第三基板之间的一第二导电粘着层，其中该第一绝缘材料与该第一导接垫高分子层、该第一碳层及该第一导电粘着层的至少一侧边接触，且该第二绝缘材料与该第一导电高分子层、该第一碳层及该第二导电粘着层的至少一侧边接触。
21.根据权利要求20所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一导电粘着层与该第二基板及该第一碳层电性连接，该第二导电粘着层与该第三基板及该第一碳层电性连接。
22.根据权利要求1所述的内藏电容模块，其特征在于，该至少一固态电解电容区与该电极引出区相邻配置，且该电极引出区被该至少一固态电解电容区所环绕。
23.一种内藏电容模块，其特征在于，包括：
至少一电极引出区，包括一第一基板、一第二基板、配置于该第一基板及该第二基板之间的一第一绝缘材料、形成于该第一基板的表面上的一第一多孔层以及配置于该第一多孔层上的一第一氧化层；以及
至少一固态电解电容区，与该至少一电极引出区相邻配置，该至少一固态电解电容区包括从该至少一电极引出区延伸的该第一基板、从该至少一电极引出区延伸的该第二基板、从该至少一电极引出区延伸且在从该至少一电极引出区延伸的该第一基板的至少一表面上形成的该第一多孔层、从该至少一电极引出区延伸且配置于从该至少一电极引出区延伸的该第一多孔层上的该第一氧化层、配置于该第一氧化层上的该第一导电高分子层以及配置于该第一导电高分子层上的一第一导电粘着层，其中该第一导电粘着层与该第二基板及该第一导电高分子层电性连接，该第一绝缘材料与该第一导电高分子层及该第一导电粘着层的至少一侧边接触。
24.根据权利要求23所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一氧化层为一金属氧化层。
25.根据权利要求23所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一基板作为该内藏电容模块的一第一电极，该第二基板作为该内藏电容模块的一第二电极。
26.根据权利要求23所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括：
一第一导孔，形成于该至少一电极引出区，该第一导孔与该第一基板电性连接，且该第一导孔与该第二基板电性绝缘；以及
一第二导孔，形成于该至少一电极引出区，该第二导孔与该第二基板电性连接，且该第二导孔与该第一基板电性绝缘。
27.根据权利要求26所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括配置于该第一绝缘材料上的一第一电极接垫、配置于该第一电极接垫周围的一第一接垫绝缘材料以及配置于该第二导孔周围且穿过该第一基板的一导孔绝缘材料，其中该第一电极接垫与该第一导孔电性连接，且该第一电极接垫与该第二基板电性绝缘。
28.根据权利要求26所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一导孔为一贯孔。
29.根据权利要求26所述的内藏电容模块，其特征在于，该第一导孔为一盲孔。
30.根据权利要求23所述的内藏电容模块，其特征在于，该至少一电极引出区还包括一第三基板以及配置于该第一基板与该第三基板之间的一第二绝缘材料，且该至少一固态电解电容区还包括从该至少一电极引出区延伸的该第三基板。
31.根据权利要求30所述的内藏电容模块，其特征在于，该至少一固态电解电容区与该至少一电极引出区相邻配置，其中该至少一固态电解电容区还包括从该至少一电极引出区延伸且在从该至少一电极引出区延伸的该第一基板的表面上形成的一第二多孔层、从该至少一电极引出区延伸且配置于从该至少一电极引出区延伸的该第二多孔层上的一第二氧化层、配置于该第二氧化层上的一第二导电高分子层以及配置于该第二导电高分子层上的一第二导电粘着层，其中该第二导电粘着层与该第三基板及该第二导电高分子层电性连接，且该第二绝缘材料与该第二导电高分子层及该第二导电粘着层的至少一侧边接触。
32.根据权利要求31所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括：
至少一第一导孔，形成于该至少一电极引出区，该至少一第一导孔与该第一基板电性连接，且该至少一第一导孔与该第二基板及该第三基板电性绝缘；以及
至少一第二导孔，形成于该至少一电极引出区，该至少一第二导孔与该第二基板及该第三基板电性连接，且该至少一第二导孔与该第一基板电性绝缘。
33.根据权利要求32所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括配置于该第一绝缘材料上的一第一电极接垫、配置于该第一电极接垫周围的一第一接垫绝缘材料、配置于该第二绝缘材料上的一第二电极接垫、配置于该第二电极接垫周围的一第二接垫绝缘材料以及配置于该第二导孔周围且穿过该第一基板的一导孔绝缘材料，其中该第一电极接垫及该第二电极接垫与该至少一第一导孔电性连接，且该第一电极接垫及该第二电极接垫与该第二基板及该第三基板电性绝缘。
34.根据权利要求32所述的内藏电容模块，其特征在于，该至少一导孔为一贯孔。
35.根据权利要求32所述的内藏电容模块，其特征在于，该至少一导孔为一盲孔。
36.根据权利要求23所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括相邻配置于该至少一电极引出区的一第一固态电解电容区以及配置于该至少一电极引出区的相对一侧的一第二固态电解电容区，其中该第一固态电解电容区与该第二固态电解电容区互为分离。
37.根据权利要求36所述的内藏电容模块，其特征在于，还包括一第三固态电解电容区及一第四固态电解电容区，其中该第一固态电解电容区、该第二固态电解电容区、该第三固态电解电容区及该第四固态电解电容区互为分离。
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