TWI510152B - 內藏電容模組 - Google Patents

Description

內藏電容模組

一種內藏電容模組，特別有關於一種利用固態電解電容結構來增加電容值的內藏電容模組。

隨著積體電路(Integrated Circuit,IC)製程技術不斷地提升，可攜式電子產品發展講求輕、薄、短、小、高速、低耗電率及多功能性，隨著訊號傳輸速度增加，IC承載基板必須要傳輸更高頻的訊號，同步切換所產生之相互干擾也日益嚴重。為了降低IC承載基板上電源傳輸系統(Power Delivery System)的雜訊，目前高速IC載板皆是使用多顆表面黏著(Surface Mounted Devices,SMD)型式電容來濾除雜訊。這種用途的電容一般稱之為去耦合電容(Decoupling Capacitor)或是旁路電容(Bypass Capacitor)，主要功能是將額定的電能儲存在電容器中，在電能不足時可以適時補給電能，以達到吸收突波(Glitch)、降低射頻(Radio Frequency,RF)雜訊及穩定電源的效果。

然而為了提供更低、更寬頻的阻抗路徑，則必須於IC載板上擺置數十至數百顆的SMD型式電容，藉由電容並聯的方法來達到降低低頻或高頻阻抗之目的。未來IC訊號速度不斷提升，在IC載板有限的面積下，擺放於IC載板表面的SMD型式電容所能降低的寄生電感值勢(Equivalent Series Inductance,ESL)必將遇到瓶頸。

然而，相較於焊接在印刷電路板或IC載板表面的SMD型式電容，在印刷電路板或IC載板中內藏電容的方式，使得電容更靠近IC元件的電源接腳，因此高頻時基板內藏電容的電源傳輸路徑所產生的寄生 電感值較SMD電容低。相較於擺置在印刷電路板表面的去耦合電容元件，基板內藏去耦合電容元件擺置位置更靠近積體電路，基板內藏電容技術是目前能將IC載板電源傳輸路徑所產生的寄生電感值降低的方法之一。

雖然，基板內藏去耦合電容技術具有低寄生電感的優點，但是受限於絕緣材料漏電流之規範，目前有機絕緣材料的介電常數(dielectric constant)仍很難高於100以上，導致在有限的基板厚度和面積內，必須增加內藏平板電容之層數才能使其電容值高於0.1uF以上，此舉不但會降低製程的良率，還會增加基板製作的成本。此外，基板內藏電容技術能提供的電容值亦無法達到目前IC載板數百uF電容值的需求。因此如何增加基板內藏電容的電容值及增加有效的去耦合頻寬，是目前基板內藏電容技術亟需突破的難題。

本揭露之一實施例之內藏電容模組，包括電極引出區及與電極引出區相鄰配置的至少一固態電解電容區。電極引出區包括第一基板、第二基板、配置於第一基板及第二基板之間的第一絕緣材料、形成於第一基板之至少一表面上的第一多孔層以及配置於第一多孔層上的第一氧化層。固態電解電容區包括從電極引出區延伸的第一基板、從電極引出區延伸的第二基板、從電極引出區延伸且在從電極引出區延伸之第一基板之至少一表面上形成的第一多孔層、從電極引出區延伸且配置於從電極引出區延伸之第一多孔層上的第一氧化層、配置於第一氧化層上的第一導電高分子層、配置於第一導電高分子層上的第一碳層以及配置於第一碳層上的第一導電黏著層。其中，第一導電黏著層與第二基板及第一碳層電性連接，第一絕緣材料與第一導電高分子層、第一碳層及第一導電黏著層的至少一側邊接觸。

本揭露之另一實施例之內藏電容模組，包括至少一電極引出區及與電極引出區相鄰配置的至少一固態電解電容區。電極引出區包括第一基板、第二基板、配置於第一基板及第二基板之間的第一絕緣材料、 形成於第一基板之表面上的第一多孔層及配置於第一多孔層上的第一氧化層。固態電解電容區包括從電極引出區延伸的第一基板、從電極引出區延伸的第二基板、從電極引出區延伸且在從電極引出區延伸之第一基板之至少一表面上形成的第一多孔層、從電極引出區延伸且配置於從電極引出區延伸之第一多孔層上的第一氧化層、配置於第一氧化層上的第一導電高分子層以及配置於第一導電高分子層上的第一導電黏著層。其中，第一導電黏著層與第二基板及第一導電高分子層電性連接，第一絕緣材料與第一導電高分子層及第一導電黏著層的至少一側邊接觸。

有關本發明的特徵與實作，茲配合圖式作實施例詳細說明如下。

200、201、300、301、400、401、402、500‧‧‧內藏電容模組

210、211、310、311、410、411、412、510‧‧‧電極引出區

213、223、562a、562b、562c、564a、564b、564c‧‧‧絕緣層

221、321、421、521‧‧‧第一基板

222、322、422、522‧‧‧第二基板

223、323、423、523‧‧‧第三基板

230、231、330、331、430、431、432、530‧‧‧固態電解電容區

232、234‧‧‧結合層

241、341、441、541‧‧‧第一絕緣材料

242、245、342、345、394、442、445、545‧‧‧第一接墊絕緣材料

244、344、444、544‧‧‧第二絕緣材料

246、346、446、546‧‧‧第二接墊絕緣材料

247、343、347、396、443、447、547‧‧‧導孔絕緣材料

251、351、451‧‧‧第一多孔層

252、352‧‧‧第二多孔層

253、353、452‧‧‧第一氧化層

254、354‧‧‧第二氧化層

261、264、265、281、361、365、461、464、465、481‧‧‧第一導孔

262、266、362、366、462、466‧‧‧第二導孔

263、267、363、367、463、467、567‧‧‧第一電極接墊

268、368、468、568‧‧‧第二電極接墊

271、371、471、474‧‧‧第一導電高分子層

272、472、475‧‧‧第一碳層

273、373、473、476‧‧‧第一導電黏著層

274、374‧‧‧第二導電高分子層

275‧‧‧第二碳層

276、376、477‧‧‧第二導電黏著層

282、385、482‧‧‧第三導孔

372、431‧‧‧第三導電高分子層

375、433‧‧‧第三導電黏著層

377‧‧‧第四導電高分子層

379‧‧‧第四導電黏著層

386‧‧‧第四導孔

387、570‧‧‧第三電極接墊

432‧‧‧第三碳層

501、502、503、504‧‧‧固態電解材料

548‧‧‧第三接墊絕緣材料

569‧‧‧盲孔

572a、572b‧‧‧訊號層

575‧‧‧電源層

582‧‧‧積體電路

584‧‧‧錫球

586‧‧‧接墊

600‧‧‧IC載板

第1A圖及第1B圖為本揭露之一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第2A圖及第2B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第3A圖及第3B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第4A圖及第4B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第5A圖及第5B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第6A圖及第6B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第7A圖及第7B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第8A圖及第8B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組 的剖面結構示意圖及上視圖。

第9A圖及第9B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第10A圖及第10B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第11A圖及第11B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第12A圖及第12B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第13圖繪示第3A圖所示之內藏電容模組之多層電路板應用的剖面結構示意圖。

第14A圖及第14B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第15A圖及第15B圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第16A圖、第16B圖及第16C圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖及上視圖。

第17圖為本揭露之另一實施例之內藏電容模組的剖面結構示意圖。

以下在實施方式中詳細敘述本揭露之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本揭露之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本揭露相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本揭露之觀點，但非以任何觀點限制本揭露之範疇。

特別說明的是以下實施例之圖中繪示之每一層厚度與尺寸以及各層之間的相對比例僅為示範例，本領域具有通常知識者可知其並非 實際之尺寸而可依實際需要進行調整。然而，本揭露可以眾多不同形式實施，而不應將其視為僅限於本文所提及之實施例。在該等圖式中，為清晰起見，可放大及/或簡化層及區之大小及相對大小。應瞭解，當稱一元件或層"在"另一元件或層"上"、"連接至"或"耦接至"另一元件或層時，該元件或層可直接在另一元件或層上或可能存在中間元件或層。此外，即便以下提及多種實施例，但在該等圖式中，相同元件係藉由相同之參考編號來表示。

有鑑於目前基板內藏電容技術無法大幅提昇電容量的問題，本揭露一種使用固態電解電容之內藏電容模組，藉以解決先前技術之問題。

本揭露提出大面積及高電容值內藏電容模組，此固態電容模組可內藏於印刷電路板中，還可與有機基板內藏平板電容並聯。此電容模組可提供數個nF~數百uF之電容值，以解決目前印刷電路板內藏平板電容器之電容值無法超過uF以上的問題。此基板內藏電容模組可應用在印刷電路板、晶片承載基板中，提供一個大電容值、寬頻且低阻抗值的去耦合電容或旁路(Bypass)電容，以達到穩定積體電路電源系統之目的。

根據本揭露所揭露之實施例之內藏電容模組，不但保留傳統固態電容大電容值之優點，還可在內埋於印刷電路板之後再進行鑽孔或電鍍而與其他電路電性連接。

根據本揭露之實施例，可在印刷電路板中提供電路超過100uF以上之電容值。此外，本揭露之實施例可並聯超薄有機介電材料之超薄平板電容，更可在印刷電路板中提供電路數個nF至數百uF之電容值範圍，具有可同時抑制低頻帶和高頻帶的電源雜訊之功效。各種實施例則詳述如下。

請參考「第1A圖」及「第1B圖」，其為本揭露之一實施例之內藏電容模組200的剖面結構示意圖及上視圖。

如「第1A圖」及「第1B圖」所示，內藏電容模組200包括至少一電極引出區210及至少一固態電解電容區230，而固態電解電容區 230與電極引出區210相鄰配置。如圖1A所示，固態電解電容區230形成於兩電極引出區210之間。電極引出區210包括第一基板221、第二基板222、配置於第一基板221及第二基板222之間的第一絕緣材料241、形成於第一基板221之兩表面上的第一多孔層251及第二多孔層252、配置於第一多孔層251上的第一氧化層253以及配置於第二多孔層252上的第二氧化層254。第一多孔層251具有多個第一孔隙(圖中未示)，使第一氧化層253形成於第一孔隙之表面上。第二多孔層252具有多個第二孔隙(圖中未示)，使第二氧化層254形成於第二孔隙之表面上。以下各實施例均相同。

固態電解電容區230包括從電極引出區210延伸的第一基板221、從電極引出區210延伸的第二基板222、從電極引出區210延伸且在從電極引出區210延伸之第一基板221之兩表面上形成的第一多孔層251及第二多孔層252、從電極引出區210延伸且配置於從電極引出區210延伸之第一多孔層251上的第一氧化層253、從電極引出區210延伸且配置於從電極引出區210延伸之第二多孔層252上的第二氧化層254、配置於第一氧化層253上的第一導電高分子層271、配置於第一導電高分子層271上的第一碳層272以及配置於第一碳層272上的第一導電黏著層273。第一導電黏著層273與第二基板222及第一碳層272電性連接。例如固態電解電容區230形成於兩電極引出區210之間，則第一絕緣材料241與第一導電高分子層271、第一碳層272及第一導電黏著層273的至少一側邊接觸。

在一實施例中，第一基板221的材料通常是鋁但並非限定是鋁，其它適當金屬亦可。第二基板222的材料可使用銅或銀等導電材料但並非限定銅或銀等導電材料。第一導電高分子層271的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但並非限定是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)。第一導電黏著層273的材料可使用銀或其他導電材料但並非限定銀或其他導電材料。第一氧化層253及第二氧化層254則為金屬氧化層。第一絕緣材料241的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但並非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其他絕緣材料。以下各實施例均相同。

在一實施例中，第一基板221作為內藏電容模組200的第一電極，而第二基板222作為內藏電容模組200的第二電極。第一電極與第二電極之極性互為相反。

在一實施例中，內藏電容模組200還包括第一導孔261及第二導孔262。第一導孔261形成於電極引出區210中，第一導孔261與第一基板221電性連接，而第一導孔261與第二基板222電性絕緣。第二導孔262形成於電極引出區210中，第二導孔262與第二基板222電性連接，而第二導孔262與第一基板221電性絕緣。第一導孔261與第二導孔262之側壁以充填導電材料或電鍍等製程方法使其具有導電性。以下各實施例均相同。

在一實施例中，內藏電容模組200還包括位於電極引出區210中的第一電極接墊263、第一接墊絕緣材料242及導孔絕緣材料243。其中，第一電極接墊263配置於第一絕緣材料241上，而第一接墊絕緣材料242配置於第一電極接墊263的周圍。導孔絕緣材料243配置在第二導孔262的周圍且穿過第一基板221。第一電極接墊263與第一導孔261及第一基板221電性連接，而第一電極接墊263與第二基板222電性絕緣。第一接墊絕緣材料242及導孔絕緣材料243可為空氣或其它絕緣材料。以下各實施例均相同。

請參考「第2A圖」及「第2B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組200的剖面結構示意圖及上視圖。

在本實施例中，大部分的元件具有與「第1A圖」及「第1B圖」之實施例的元件相同或相似的標號，而這些元件的操作也相同於「第1A圖」及「第1B圖」之實施例之元件的操作。而「第2A圖」及「第2B圖」與「第1A圖」及「第1B圖」之實施例的不同之處在於第一導孔。在「第1A圖」及「第1B圖」中，第一導孔261為一貫孔，此貫孔穿過第一基板221。在本實施例中，第一導孔264為一盲孔，此盲孔未穿過第一基板221。第一導孔264與第一基板221及第一電極接墊263電性連接，而第一 導孔264與第二基板222電性絕緣。

請參考「第3A圖」及「第3B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組201的剖面結構示意圖及上視圖。

內藏電容模組201包括電極引出區211與固態電解電容區231，而且固態電解電容區231與電極引出區211相鄰配置。如「第3A圖」及「第3B圖」所示，固態電解電容區231形成於兩電極引出區211之間。電極引出區211包括第一基板221、第二基板222、配置於第一基板221及第二基板222之間的第一絕緣材料241、分別形成於第一基板221之兩表面的第一多孔層251及第二多孔層252、配置於第一多孔層251上的第一氧化層253以及配置於第二多孔層252上的第二氧化層254。第一多孔層251具有多個第一孔隙(圖中未示)，使第一氧化層253形成於第一孔隙之表面上。第二多孔層252具有多個第二孔隙(圖中未示)，使第二氧化層254形成於第二孔隙之表面上。電極引出區211還包括有第三基板223以及配置於第一基板221及第三基板223之間的第二絕緣材料244。而固態電解電容區231還包括從電極引出區211延伸的第三基板223。

固態電解電容區231包括從電極引出區211延伸的第一基板221、從電極引出區211延伸的第二基板222、從電極引出區211延伸且分別在從電極引出區211延伸之第一基板221之兩表面上形成的第一多孔層251及第二多孔層252、從電極引出區211延伸且配置於從電極引出區211延伸之第一多孔層251上的第一氧化層253、從電極引出區210延伸且配置於從電極引出區210延伸之第二多孔層252上的第二氧化層254、配置於第一氧化層253上的第一導電高分子層271、配置於第一導電高分子層上271上的第一碳層272以及配置於第一碳層272上的第一導電黏著層273。第一導電黏著層273與第二基板222及第一碳層272電性連接。第一絕緣材料241與第一導電高分子層271、第一碳層272及第一導電黏著層273的至少一側邊接觸。固態電解電容區231則還包括有配置於第三基板223上的第二導電黏著層276、配置於第二導電黏著層276上的第二碳層275以及配置於第二碳 層275上的第二導電高分子層274。第二導電黏著層276與第三基板223及第二碳層275電性連接。而第二絕緣材料244與第二導電高分子層274、第二碳層275及第二導電黏著層276的至少一側邊接觸。

在一實施例中，第一基板221的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板222及第三基板223的材料可使用銅或銀等導電材料但並非限定銅或銀等導電材料。第一導電高分子層271及第二導電高分子層274的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但並非限定是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)。第一導電黏著層273及第二導電黏著層276的材料可使用銀或其他導電材料但並非限定銀或其他導電材料。第一氧化層253及第二氧化層254則為金屬氧化層。第一絕緣材料241及第二絕緣材料244的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但並非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其他絕緣材料。

在一實施例中，內藏電容模組201還包括有第一導孔265與第二導孔266。第一導孔265形成於電極引出區211中，第一導孔265與第一基板221電性連接，而第一導孔265與第二基板222及第三基板223電性絕緣。第二導孔266形成於電極引出區211中，第二導孔266與第二基板222及第三基板223電性連接，而第二導孔266與第一基板221電性絕緣。在本實施例中，第一基板221作為內藏電容模組201的第一電極，而第二基板222及第三基板223作為內藏電容模組201的第二電極。其中，第一電極與第二電極之極性互為相反。第一導孔265與第二導孔266之側壁以充填導電材料或電鍍等製程方法使其具有導電性。以下各實施例均相同。

在一實施例中，內藏電容模組201還包括有配置於第一絕緣材料241上的第一電極接墊267、配置於第一電極接墊267之周圍的第一接墊絕緣材料245、配置於第二絕緣材料244上的第二電極接墊268、配置於第二電極接墊268之周圍的第二接墊絕緣材料246、配置於第二導孔266周圍且穿過第一基板221的導孔絕緣材料247。其中，第一電極接墊267、第一接墊絕緣材料245、第二電極接墊268、第二接墊絕緣材料246及導孔絕緣材料247位於電極引出區211中。第一電極接墊267及第二電極接墊 268與第一導孔265電性連接，而第一電極接墊267及第二電極接墊268與第二基板222及第三基板223電性絕緣。第一接墊絕緣材料245、第二接墊絕緣材料246及導孔絕緣材料247可為空氣或其它絕緣材料。以下各實施例均相同。

請參考「第4A圖」及「第4B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組201的剖面結構示意圖及上視圖。

在本實施例中，大部分的元件與「第3A圖」及「第3B圖」之實施例之元件具有相同或相似的標號，而這些元件的組成或操作也與「第3A圖」及「第3B圖」之實施例之元件相同或相似。而「第4A圖」及「第4B圖」與「第3A圖」及「第3B圖」之實施例的不同之處在於第一導孔。在「第3A圖」及「第3B圖」中，第一導孔265為一貫孔，此貫孔穿過第一基板221。而在「第4A圖」及「第4B圖」中，第一導孔281為一盲孔，此盲孔未穿過第一基板221。在本實施例中，模組還包括有第一導孔281、第二導孔266與第三導孔282。其中，第一導孔281及第三導孔282為盲孔。第一導孔281與第一基板221及第一電極接墊267電性連接。第三導孔282與第一基板221及第二電極接墊268電性連接。第二導孔266與第二基板222及第三基板223電性連接，而第二導孔266與第一基板221電性絕緣。

在本實施例中，第一導孔281之中心軸線對準第三導孔282之中心軸線，如「第4A圖」及「第4B圖」所示。在另一實施例中，第一導孔281之中心軸線不對準第三導孔282之中心軸線。第一導孔281與第二導孔266、第三導孔282之側壁以充填導電材料或電鍍等製程方法使其具有導電性。以下各實施例均相同。

請參考「第5A圖」及「第5B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組400的剖面結構示意圖及上視圖。

如「第5A圖」及「第5B圖」所示，內藏電容模組400包括電極引出區410及固態電解電容區430，而固態電解電容區430與電極引出區410則相鄰配置。電極引出區410則包括第一基板421、第二基板422、 配置於第一基板421及第二基板422之間的第一絕緣材料441、形成於第一基板421之至少一表面上的第一多孔層451以及配置於第一多孔層451上的第一氧化層452。在本實施例中，第一多孔層451形成於第一基板421之至少三個表面上，如圖5A所示。

固態電解電容區430則包括從電極引出區410延伸的第一基板421、從電極引出區410延伸的第二基板422、從電極引出區410延伸且在從電極引出區410延伸之第一基板421之至少一表面上形成的第一多孔層451、從電極引出區410延伸且配置於從電極引出區410延伸之第一多孔層451上的第一氧化層452、配置於第一氧化層452上的第一導電高分子層471、配置於第一導電高分子層471上的第一碳層472以及配置於第一碳層472上的第一導電黏著層473。第一導電黏著層473與第二基板422電性連接。第一絕緣材料441與第一導電高分子層471、第一碳層472及第一導電黏著層473的至少一側邊接觸。

在一實施例中，第一基板421的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板422的材料可使用銅或銀等導電材料但並非限定銅或銀等導電材料。第一導電高分子層471的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但並非限定是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)。第一導電黏著層473的材料可使用銀或其他導電材料但並非限定銀或其他導電材料。第一氧化層452則為金屬氧化層。第一絕緣材料441的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但並非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其他絕緣材料。

在一實施例中，內藏電容模組400還包括第一導孔461與第二導孔462。第一導孔461形成於電極引出區410中，第一導孔461與第一基板421電性連接，而第一導孔461與第二基板422電性絕緣。第二導孔462形成於電極引出區410中，第二導孔462與第二基板422電性連接，而第二導孔462與第一基板421電性絕緣。在本實施例中，第一基板421作為內藏電容模組400的第一電極，第二基板422作為內藏電容模組400的第二電極。其中，第一電極與第二電極之極性互為相反。

在一實施例中，內藏電容模組400還包括配置於第一絕緣材料441上的第一電極接墊463、配置於第一電極接墊463之周圍的第一接墊絕緣材料442、配置於第二導孔462周圍且穿過第一基板421的導孔絕緣材料443。其中，第一電極接墊463、第一接墊絕緣材料442及導孔絕緣材料443皆位於電極引出區410中。第一電極接墊463與第一導孔461及第一基板421電性連接，而第一電極接墊463與第二基板422電性絕緣。

請參考「第6A圖」及「第6B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組400的剖面結構示意圖及上視圖。

在本實施例中，大部分的元件與「第5A圖」及「第5B圖」之實施例之元件具有相同或相似的標號，而這些元件的組成或操作也與「第5A圖」及「第5B圖」之實施例之元件相同或相似。而「第6A圖」及「第6B圖」與「第5A圖」及「第5B圖」之實施例的不同之處在於第一導孔。在「第5A圖」及「第5B圖」中，第一導孔461為一貫孔，此貫孔穿過第一基板421。而在本實施例中，第一導孔464為一盲孔，此盲孔未穿過第一基板421。第一導孔464與第一基板421及第一電極接墊463電性連接，而第一導孔464與第二基板422電性絕緣。

請參考「第7A圖」及「第7B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組400的剖面結構示意圖及上視圖。

在本實施例中，大部分的元件與「第5A圖」及「第5B圖」之實施例之元件具有相同或相似的標號，而這些元件的組成或操作也與「第5A圖」及「第5B圖」之實施例之元件相同或相似。在本實施例中，兩個固態電解電容區430與電極引出區410相鄰配置。第一多孔層451形成於第一基板421之所有表面上。位於內藏電容模組400之左側的固態電解電容區430與位於內藏電容模組400之右側的固態電解電容區430有相似或相同的結構。而內藏電容模組400還包括配置於第一氧化層452上的第三導電高分子層431、配置於第三導電高分子層431上的第三碳層432以及配置於第三碳層432上的第三導電黏著層433。其中，第三導電黏著層433與第二基板 422及第三碳層432電性連接。

請參考「第8A圖」及「第8B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組401的剖面結構示意圖及上視圖。

內藏電容模組401包括電極引出區411及固態電解電容區431，而固態電解電容區431與電極引出區411相鄰配置。電極引出區411包括第一基板421、第二基板422、配置於第一基板421及第二基板422之間的第一絕緣材料441、形成於第一基板421之至少一表面的第一多孔層451以及配置於第一多孔層451上的第一氧化層452。而內藏電容模組401還包括第三基板423及配置於第一基板421及第三基板423之間的第二絕緣材料444。其中，第三基板423及第二絕緣材料444位於電極引出區411及固態電解電容區431中。在本實施例中，第一多孔層451形成於第一基板421之至少三個表面上。

固態電解電容區431包括從電極引出區411延伸的第一基板421、從電極引出區411延伸的第二基板422、從電極引出區411延伸且在從電極引出區411延伸之第一基板421之至少一表面上形成的第一多孔層451、從電極引出區411延伸且配置於從電極引出區411延伸之第一多孔層451上的第一氧化層452、配置於第一氧化層452上的第一導電高分子層471、配置於第一導電高分子層471上的第一碳層472以及配置於第一碳層472上的第一導電黏著層473。第一導電黏著層473與第二基板422及第一碳層472電性連接。第一絕緣材料441與第一導電高分子層471、第一碳層472及第一導電黏著層473的至少一側邊接觸。

在一實施例中，第一基板421的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板422及第三基板423的材料可使用銅或銀等導電材料但並非限定銅或銀等導電材料。第一導電高分子層471的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但並非限定是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)。第一導電黏著層473的材料可使用銀或其他導電材料但並非限定銀或其他導電材料。第一氧化層452為金屬氧化層。第一絕緣材料441及第二絕緣材料444的材料通常是玻 璃纖維織布(prepreg)但並非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其他絕緣材料。

在一實施例中，內藏電容模組401還包括第一導孔465與第二導孔466。第一導孔465形成於電極引出區411中，第一導孔465與第一基板421電性連接，而第一導孔465與第二基板422及第三基板423電性絕緣。第二導孔466形成於電極引出區411中，第二導孔466與第二基板422及第三基板423電性連接，而第二導孔466與第一基板421電性絕緣。在本實施例中，第一基板421作為內藏電容模組401的第一電極，而第二基板422及第三基板423作為內藏電容模組401的第二電極。其中，第一電極與第二電極之極性互為相反。

在一實施例中，內藏電容模組401還包括配置於第一絕緣材料441上的第一電極接墊467、配置於第一電極接墊467之周圍的第一接墊絕緣材料445、配置於第二絕緣材料444上的第二電極接墊468、配置於第二電極接墊468之周圍的第二接墊絕緣材料446以及配置於第二導孔466周圍且穿過第一基板421之的導孔絕緣材料447。其中，第一電極接墊467、第一接墊絕緣材料445、第二電極接墊468、第二接墊絕緣材料446以及導孔絕緣材料447皆位於電極引出區411中。第一電極接墊467及第二電極接墊468與第一導孔465及第一基板421電性連接，而第一電極接墊467及第二電極接墊468與第二基板422及第三基板423電性絕緣。

請參考「第9A圖」及「第9B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組401的剖面結構示意圖及上視圖。

在本實施例中，大部分的元件與「第8A圖」及「第8B圖」之實施例之元件具有相同或相似的標號，而這些元件的組成或操作也與「第8A圖」及「第8B圖」之實施例之元件相同或相似。在本實施例中，電極引出區411被固態電解電容區431所圍繞，且固態電解電容區431與電極引出區411相鄰配置。並且，第一多孔層451形成於第一基板421之所有表面上。

請參考「第10A圖」及「第10B圖」，其為本揭露之另一實 施例之內藏電容模組402的剖面結構示意圖及上視圖。

如「第10A圖」及「第10B圖」所示，內藏電容模組402包括電極引出區412及固態電解電容區432，而固態電解電容區432與電極引出區412則相鄰配置。電極引出區412包括第一基板421、第二基板422、配置於第一基板421與第二基板422之間的第一絕緣材料441、形成於第一基板421之至少一表面的第一多孔層451以及配置於第一多孔層451上的第一氧化層452。而電極引出區412還包括第三基板423及配置於第一基板421及第三基板423之間的第二絕緣材料444。固態電解電容區432還包括從電極引出區412延伸的第三基板423。在本實施例中，第一多孔層451形成於第一基板421之至少三個表面上。

固態電解電容區432包括從電極引出區412延伸的第一基板421、從電極引出區412延伸的第二基板422、從電極引出區412延伸且在從電極引出區412延伸之第一基板421之至少一表面上形成的第一多孔層451、從電極引出區412延伸且配置於從電極引出區412延伸之第一多孔層451上的第一氧化層452、配置於第一氧化層452上的第一導電高分子層474以及配置於第一導電高分子層474上的第一碳層475。固態電解電容區432還包括第一導電黏著層476及第二導電黏著層477。其中，第一導電黏著層476配置於第一碳層475與第二基板422之間，而第二導電黏著層477配置於第一碳層475及第三基板423之間。第一絕緣材料411與第一導電高分子層474、第一碳層475及第一導電黏著層476的至少一側邊接觸。第二絕緣材料444與第一導電高分子層474、第一碳層475及第二導電黏著層477的至少一側邊接觸。

第一導電黏著層476與第二基板422及第一碳層475電性連接，而第二導電黏著層477與第三基板423及第一碳層475電性連接。

在一實施例中，第一基板421的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板422及第三基板423的材料可使用銅或銀等導電材料但並非限定銅或銀等導電材料。第一導電高分子層474的材料可以是聚二氧乙烯噻 吩(PEDOT)但並非限定是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)。第一導電黏著層476及第二導電黏著層477的材料可使用銀或其他導電材料但並非限定銀或其他導電材料。第一氧化層452為金屬氧化層。第一絕緣材料441及第二絕緣材料444的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但並非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其他絕緣材料。

在一實施例中，內藏電容模組402還包括第一導孔465與第二導孔466。第一導孔465形成於電極引出區412中，第一導孔465與第一基板421電性連接，而第一導孔465與第二基板422及第三基板423電性絕緣。第二導孔466形成於電極引出區412中，第二導孔466與第二基板422及第三基板423電性連接，而第二導孔466與第一基板421電性絕緣。在本實施例中，第一基板421作為內藏電容模組402的第一電極，而第二基板422及第三基板423作為內藏電容模組402的第二電極。其中，第一電極與第二電極之極性互為相反。

在一實施例中，內藏電容模組402還包括配置於第一絕緣材料441上的第一電極接墊467、配置於第一電極接墊467周圍的第一接墊絕緣材料445、配置於第二絕緣材料444上的第二電極接墊468、配置於第二電極接墊468周圍的第二接墊絕緣材料446以及配置於第二導孔466周圍且穿過第一基板421的導孔絕緣材料447。其中，第一電極接墊467、第一接墊絕緣材料445、第二電極接墊468、第二接墊絕緣材料446以及導孔絕緣材料447皆位於電極引出區412中。第一電極接墊467及第二電極接墊468與第一導孔465電性連接，而第一電極接墊467及第二電極接墊468與第二基板422及第三基板423電性絕緣。

請參考「第11A圖」及「第11B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組402的剖面結構示意圖及上視圖。

在本實施例中，大部分的元件與「第10A圖」及「第10B圖」之實施例之元件具有相同或相似的標號，而這些元件的組成或操作也與「第10A圖」及「第10B圖」之實施例之元件相同或相似。而「第11A 圖」及「第11B圖」與「第10A圖」及「第10B圖」之實施例的不同之處在於第一導孔。在「第10A圖」及「第10B圖」中，第一導孔465為一貫孔，此貫孔穿過第一基板421。而「第11A圖」及「第11B圖」中，第一導孔481為一盲孔，此盲孔未穿過第一基板421。在本實施例中，模組還包括第一導孔481、第二導孔466及第三導孔482。第一導孔481及第三導孔482為盲孔。第一導孔481與第一基板421及第一電極接墊467電性連接。第三導孔482與第一基板421及第二電極接墊468電性連接。第二導孔466與第二基板422及第三基板423電性連接，而第二導孔466與第一基板421電性絕緣。

請參考「第12A圖」及「第12B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組402的剖面結構示意圖及上視圖。

在本實施例中，大部分的元件與「第10A圖」及「第10B圖」之實施例之元件具有相同或相似的標號，而這些元件的組成或操作也與「第10A圖」及「第10B圖」之實施例之元件相同或相似。在本實施例中，電極引出區412被固態電解電容區432所圍繞，且固態電解電容區432與電極引出區412相鄰配置。並且，第一多孔層451形成於第一基板421之所有表面上。

「第13圖」繪示了「第3A圖」所示之內藏電容模組應用於多層電路板或IC載板600的剖面結構示意圖。內藏電容模組500包括至少一電極引出區510及至少一固態電解電容區530，而固態電解電容區530與電極引出區510則相鄰配置。在本實施例中，固態電解電容區530包括固態電解材料501、502、503及504。固態電解材料501、502、503及504的結構及堆疊方式與「第3A圖」所示的固態電解電容區231之結構及堆疊方式類似。而固態電解材料501及503的形成方法及組成類似於如「第3A圖」所示之第一導電高分子層271、第一碳層272及第一導電黏著層273的形成方法及組成。而固態電解材料502及504的形成方式及組成則類似於如「第3A圖」所示之第二導電高分子層274、第二碳層275及第二導電黏著層276 的形成方法及組成。在本實施例中，內藏電容模組500還包括配置於第一絕緣材料541上的第一電極接墊567、配置於第一電極接墊567周圍的第一接墊絕緣材料545、配置於第二絕緣材料544上的第二電極接墊568、配置於第二電極接墊568周圍的第二接墊絕緣材料546以及配置於第二導孔566周圍且穿過第一基板521的導孔絕緣材料547。其中，第一電極接墊567、第一接墊絕緣材料545、第二電極接墊568、第二接墊絕緣材料546以及導孔絕緣材料547皆位於電極引出區510。第一電極接墊567及第二電極接墊568與第一導孔565及第一基板521電性連接，而第一電極接墊567及第二電極接墊568與第二基板522及第三基板523電性絕緣。

在本實施例中，內藏電容模組500還包括至少一盲孔569、配置於第一絕緣材料541上的第三電極接墊570、配置於第三電極接墊570周圍的第三接墊絕緣材料548。前述盲孔569的連接關係則類似於如「第4A圖」所示之第一盲孔281的連接關係。盲孔569與第一電極接墊567和第三電極接墊570及第一基板521電性連接，而盲孔569與第二基板522及第三基板523電性絕緣。如「第13圖」所示，內藏電容模組500被內藏或內埋形成在IC載板600中，在內藏電容模組500之上下兩側均有絕緣層562a、562b、562c、564a、564b、564c。IC載板600中亦形成訊號層572a、572b、電源層575以及接地層576，分別形成於絕緣層562a、562b、562c、564a、564b、564c之中。於電路板製程時，在內藏電容模組500之第二基板522上形成絕緣層562a。接著，依序形成電源層575、絕緣層562b、訊號層572a及絕緣層562c。類似地，在內藏電容模組500之第三基板523上形成絕緣層564a。接著，依序形成接地層576、絕緣層564b、訊號層572b及絕緣層564c。雖然，此處以統稱方式命名絕緣層562a、562b、562c、564a、564b、564c，但本領域熟悉此項技術者可知絕緣層562a、562b、562c、564a、564b、564c、訊號層572a、572b、電源層575以及接地層576以一層一層地貼合或熱壓合的製程方式形成。積體電路(IC)582透過錫球584及焊墊586與IC載板600中的線路電性連接，亦即積體電路582有至少一錫球與IC載板600 之接地層576電性連接，其至少有另一錫球與IC載板600之電源層575形成電性連接。IC載板600中之訊號層572a、572b則用以傳遞訊號。至少一第一導孔565與IC載板600之第一基板521、第一電極接墊567、第二電極接墊568及電源層575電性連接。至少一第二導孔566與IC載板600之第二基板522、第三基板523及接地層576電性連接。透過此一架構，內藏電容模組500提供IC載板600之表面的積體電路582所需求的電容值。

請參考「第14A圖」及「第14B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組300的剖面結構示意圖及上視圖。

如「第14A圖」及「第14B圖」所示，內藏電容模組300包括多個電極引出區310及一固態電解電容區330，而固態電解電容區330與電極引出區310相鄰配置。如第14B圖所示，固態電解電容區330形成於兩電極引出區310之間。電極引出區310包括第一基板321、第二基板322、配置於第一基板321及第二基板322之間的第一絕緣材料341、分別形成於第一基板321之兩表面上的第一多孔層351及第二多孔層352、配置於第一多孔層351上的第一氧化層353以及配置於第二多孔層352上的第二氧化層354。

固態電解電容區330包括從電極引出區310延伸的第一基板321、從電極引出區310延伸的第二基板322、從電極引出區310延伸且分別形成於從電極引出區310之第一基板321之兩表面上的第一多孔層351及第二多孔層352、從電極引出區310延伸且配置於從電極引出區310延伸之第一多孔層351上的第一氧化層353、從電極引出區310延伸且配置於從電極引出區310延伸之第二多孔層352上的第二氧化層354、配置於第一氧化層353上的第一導電高分子層371以及配置於第一導電高分子層371上的第一導電黏著層373。第一導電黏著層373與第二基板322及第一導電高分子層371電性連接。由於固態電解電容區330形成於兩個電極引出區310之間，因此第一絕緣材料341與第一導電高分子層371及第一導電黏著層373的至少一側邊接觸。

在一實施例中，第一基板321的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板322的材料可使用銅或銀等導電材料但並非限定銅或銀等導電材料。第一導電高分子層371的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但並非限定是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)。第一導電黏著層373的材料可使用銀或其他導電材料但並非限定銀或其他導電材料。第一氧化層353及第二氧化層354為金屬氧化層。第一絕緣材料341的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但並非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其他絕緣材料。

在一實施例中，第一基板321作為內藏電容模組300的第一電極，第二基板322作為內藏電容模組300的第二電極。第一電極與第二電極之極性互為相反。

在一實施例中，內藏電容模組300還包括第一導孔361及第二導孔362。第一導孔361形成於電極引出區310中，第一導孔361與第一基板321電性連接，而第一導孔361與第二基板322電性絕緣。第二導孔362形成於電極引出區310中，第二導孔362與第二基板322電性連接，而第二導孔362與第一基板321電性絕緣。

在一實施例中，內藏電容模組300還包括配置於第一絕緣材料341上的第一電極接墊363、配置於第一電極接墊363周圍的第一接墊絕緣材料342以及配置於第二導孔362周圍且穿過第一基板321的導孔絕緣材料343。其中，第一電極接墊363、第一接墊絕緣材料342以及導孔絕緣材料343皆位於電極引出區310中。第一電極接墊363與第一導孔361及第一基板321電性連接，而第一電極接墊363與第二基板322電性絕緣。

請參考「第15A圖」及「第15B圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組301的剖面結構示意圖及上視圖。

內藏電容模組301包括多個電極引出區311及一固態電解電容區331，而固態電解電容區331與電極引出區311相鄰配置。如第15A圖所示，固態電解電容區331形成於兩電極引出區311之間。電極引出區311包括第一基板321、第二基板322、配置於第一基板321及第二基板322之 間的第一絕緣材料341、分別形成於第一基板321之兩個表面的第一多孔層351及第二多孔層352、配置於第一多孔層351上的第一氧化層353以及配置於第二多孔層352上的第二氧化層354。電極引出區311還包括第三基板323及配置於第一基板321及第三基板323之間的第二絕緣材料344。並且，固態電解電容區331還包括從電極引出區311延伸的第三基板323。

固態電解電容區331包括從電極引出區311延伸的第一基板321、從電極引出區311延伸的第二基板322、從電極引出區311延伸且在從電極引出區311延伸之第一基板321之至少一表面上形成的第一多孔層351、從電極引出區311延伸且配置於電極引出區311之第一多孔層351上的第一氧化層353、配置於第一氧化層353上的第一導電高分子層371以及配置於第一導電高分子層371上的第一導電黏著層373。第一導電黏著層373與第二基板322及第一導電高分子層371電性連接。第一絕緣材料341與第一導電高分子層371及第一導電黏著層373的至少一側邊接觸。固態電解電容區331還包括配置於第三基板上的第二導電黏著層376以及配置於第二導電黏著層376上的第二導電高分子層374。第二導電黏著層376與第三基板323及第二導電高分子層374電性連接。第二絕緣材料344與第二導電高分子層374及第二導電黏著層376的至少一側邊接觸。

在一實施例中，第一基板321的材料通常是鋁但不限定是鋁。第二基板322及第三基板323的材料可使用銅或銀等導電材料但並非限定銅或銀等導電材料。第一導電高分子層371及第二導電高分子層374的材料可以是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)但並非限定是聚二氧乙烯噻吩(PEDOT)。第一導電黏著層373及第二導電黏著層376的材料可使用銀或其他導電材料但並非限定銀或其他導電材料。第一氧化層353及第二氧化層354為金屬氧化層。第一絕緣材料341及第二絕緣材料344的材料通常是玻璃纖維織布(prepreg)但並非限定是玻璃纖維織布(prepreg)或其他絕緣材料。

在一實施例中，內藏電容模組301還包括第一導孔365及第二導孔366。第一導孔365與第二導孔366皆形成於電極引出區311中。第 一導孔365與第一基板321電性連接，而第一導孔365與第二基板322及第三基板323電性絕緣。第二導孔366與第二基板322及第三基板323電性連接，而第二導孔366與第一基板321電性絕緣。在本實施例中，第一基板321作為內藏電容模組301的第一電極，第二基板322及第三基板323作為內藏電容模組301的第二電極。第一電極與第二電極之極性互為相反。

在一實施例中，內藏電容模組301還包括配置於第一絕緣材料341上的第一電極接墊367、配置於第一電極接墊367周圍的第一接墊絕緣材料345、配置於第二絕緣材料344上的第二電極接墊368、配置於第二電極接墊368周圍的第二接墊絕緣材料346以及配置於第二導孔366周圍且穿過第一基板321的導孔絕緣材料347。其中，第一電極接墊367、第一接墊絕緣材料345、第二電極接墊368、第二接墊絕緣材料346以及導孔絕緣材料347皆位於電極引出區311中。第一電極接墊367及第二電極接墊368與第一導孔365及第一基板321電性連接，而第一電極接墊367及第二電極接墊368與第二基板322及第三基板323電性絕緣。

請參考「第16A圖」、「第16B圖」及「第16C圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組301的剖面結構示意圖及上視圖。

在本實施例中，大部分的元件與「第15A圖」及「第15B圖」之實施例之元件具有相同或相似的標號，而這些元件的組成或操作也與「第15A圖」及「第15B圖」之實施例之元件相同或相似。

在本實施例中，固態電解電容區331還包括配置於第一氧化層353上的第三導電高分子層372以及配置於第三導電高分子層372上的第三導電黏著層375。第三導電黏著層375與第二基板322及第三導電高分子層372電性連接。第一絕緣材料341與第三導電高分子層372及第三導電黏著層375的至少一側邊接觸。

在本實施例中，固態電解電容區331還包括配置於第二氧化層354上的第四導電高分子層377以及配置於第四導電高分子層377上的第四導電黏著層379。第四導電黏著層379與第三基板323及第四導電高分 子層377電性連接。第二絕緣材料344與第四導電高分子層377及第四導電黏著層379的至少一側邊接觸。

請參考「第16B圖」，其為「第16A圖」之實施例之內藏電容模組301的上視圖。在本實施例中，第一導電高分子層371、第一導電黏著層373、第二導電高分子層374及第二導電黏著層376配置於相同的水平位置上。類似地，第三導電高分子層372、第三導電黏著層375、第四導電高分子層377及第四導電黏著層379也配置於相同的水平位置上。

請參考「第16C圖」，其為「第16A圖」之實施例之內藏電容模組301的上視圖。在本實施例中，第一導電高分子層371、第一導電黏著層373、第二導電高分子層374及第二導電黏著層376則配置於不同的水平位置上。類似地，第三導電高分子層372、第三導電黏著層375、第四導電高分子層377及第四導電黏著層379也配置於不同的水平位置上。

請參考「第17圖」，其為本揭露之另一實施例之內藏電容模組301的剖面結構示意圖。

在本實施例中，大部分的元件與「第15A圖」及「第15B圖」之實施例之元件具有相同或相似的標號，而這些元件的組成或操作也與「第15A圖」及「第15B圖」之實施例之元件相同或相似。

在一實施例中，內藏電容模組301還包括第三導孔385及第四導孔386。第三導孔385及第四導孔形成於電極引出區311中。第三導孔385與第一基板321電性連接，而第三導孔385與第二基板322及第三基板323電性絕緣。其中，第三導孔385為一盲孔。第四導孔386與第二基板322及第三基板323電性連接，而第四導孔386與第一基板321電性絕緣。其中，第四導孔386為一貫孔。

在一實施例中，內藏電容模組301還包括配置於第一絕緣材料341上的第三電極接墊387、配置於第三電極接墊387周圍的第一接墊絕緣材料394以及配置於第四導孔386周圍且穿過第一基板321的導孔絕緣材料396。第三電極接墊387與第三導孔385及第一基板321電性連接，而 第三電極接墊387與第二基板322及第三基板323電性絕緣。第一導孔365、第三導孔385、第一電極接墊367、第二電極接墊368及第三電極接墊387與第一基板321電性連接。

綜合上述，本揭露所揭露之內藏電容模組，不但保留傳統固態電容之大電容值之優點，還可在內埋於印刷電路板之後再於電極引出區進行鑽孔或電鍍等印刷電路板製程與其他電路電性連接，而且配置在內藏電容模組之電極引出區中的導孔，不會造成內藏電容模組之電容值降低。

雖然本揭露以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習相像技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本揭露之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

200‧‧‧內藏電容模組

210‧‧‧電極引出區

221‧‧‧第一基板

222‧‧‧第二基板

230‧‧‧固態電解電容區

241‧‧‧第一絕緣材料

242‧‧‧第一接墊絕緣材料

251‧‧‧第一多孔層

252‧‧‧第二多孔層

253‧‧‧第一氧化層

254‧‧‧第二氧化層

261‧‧‧第一導孔

262‧‧‧第二導孔

263‧‧‧第一電極接墊

271‧‧‧第一導電高分子層

272‧‧‧第一碳層

273‧‧‧第一導電黏著層

Claims (37)

1. 一種內藏電容模組，包括：一電極引出區，具有一第一基板、一第二基板、配置於該第一基板與該第二基板之間的一第一絕緣材料、形成於該第一基板之至少一表面的一第一多孔層以及配置於該第一多孔層上的一第一氧化層；至少一固態電解電容區，與該電極引出區相鄰配置，該至少一固態電解電容區包括從該電極引出區延伸的該第一基板、從該電極引出區延伸的該第二基板、從該電極引出區延伸且在從該電極引出區延伸之該第一基板之至少一表面上形成的該第一多孔層、從該電極引出區延伸且配置於從該電極引出區延伸之該第一多孔層上的該第一氧化層、配置於該第一氧化層上的一第一導電高分子層、配置於該第一導電高分子層上的一第一碳層以及配置於該第一碳層上的一第一導電黏著層；一第一導孔，形成於該電極引出區，該第一導孔與該第一多孔層及該第一氧化層電性連接；以及一第二導孔，形成於該電極引出區，該第二導孔與該第一多孔層及該第一氧化層電性絕緣，其中該第一導電黏著層與該第二基板及該第一碳層電性連接，且該第一絕緣材料與該第一導電高分子層、該第一碳層及該第一導電黏著層的至少一側邊接觸。
2. 如請求項1所述之內藏電容模組，其中該第一氧化層為一金屬氧化層。
3. 如請求項1所述之內藏電容模組，其中該第一多孔層配置於該第一基板之部分或所有的表面上。
4. 如請求項1所述之內藏電容模組，其中該第一基板作為該內藏電容模組的一第一電極，該第二基板作為該內藏電容模組的一第二電極。
5. 如請求項1所述之內藏電容模組，其中該第一導孔與該第一基板電性連接，且該第一導孔與該第二基板電性絕緣，該第二導孔與該第二基板電性連接，且該第二導孔與該第一基板電性絕緣。
6. 如請求項5所述之內藏電容模組，更包括配置於該第一絕緣層上的一第一電極接墊、配置於該第一電極接墊之周圍的一第一接墊絕緣材料以及配置於該第二導孔周圍且穿過該第一基板之一導孔絕緣材料，其中該第一電極接墊與該第一導孔電性連接，且該第一電極接墊與該第二基板電性絕緣。
7. 如請求項5所述之內藏電容模組，其中該第一導孔為一貫孔。
8. 如請求項5所述之內藏電容模組，其中該第一導孔為一盲孔。
9. 如請求項1所述之內藏電容模組，更包括一第三基板，以及配置於該第一基板與該第二基板之間的一第二絕緣材料，其中該第三基板及該第二絕緣材料位於該電極引出區及該至少一固態電解電容區中。
10. 如請求項9所述之內藏電容模組，更包括：一第一導孔，形成於該電極引出區，該第一導孔電性連接該第一基板，且與該第二基板及該第三基板電性絕緣；以及一第二導孔，形成於該電極引出區，該第二導孔電性連接該第二基板及該第三基板，且與該第一基板電性絕緣。
11. 如請求項10所述之內藏電容模組，更包括配置於該第一絕緣層上的一第一電極接墊、配置於該第一電極接墊之周圍的一第一接墊絕緣材料、配置於該第二絕緣材料上的一第二電極接墊、配置於該第二電極接墊之周圍的一第二接墊絕緣材料以及配置於該第二導孔周圍且穿過該第一基板的一導孔絕緣材料，其中該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第一導孔電性連接，且該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第二基板及該第三基板電性絕緣。
12. 如請求項1所述之內藏電容模組，其中該電極引出區更包括一第三基板以及配置於該第一基板與該第三基板之間的一第二絕緣材料，且該至少一固態電解電容區更包括從該電極引出區延伸的該第三基板。
13. 如請求項12所述之內藏電容模組，其中該至少一固態電解電容區與該電極引出區相鄰配置，其中該至少一固態電解電容區更包括從該電極引 出區延伸且在從該電極引出區延伸之該第一基板的至少一表面上形成的一第二多孔層、從該電極引出區延伸且配置於從該電極引出區延伸之該第二多孔層上的一第二氧化層、配置於該第二氧化層上的一第二導電高分子層、配置於該第二導電高分子層上的一第二碳層以及配置於該第二碳層上的一第二導電黏著層，其中該第二導電黏著層與該第三基板及該第二碳層電性連接，且該第二絕緣材料與該第二導電高分子層、該第二碳層及該第二導電黏著層的至少一側邊接觸。
14. 如請求項13所述之內藏電容模組，其中該第二多孔層配置於該第一基板之部分或所有的表面上。
15. 如請求項12所述之內藏電容模組，更包括：一第一導孔，形成於該電極引出區，該第一導孔與該第一基板電性連接，且該第一導孔與該第二基板及該第三基板電性絕緣；以及一第二導孔，形成於該電極引出區，該第二導孔與該第二基板及該第三基板電性連接，且該第二導孔與該第一基板電性絕緣。
16. 如請求項15所述之內藏電容模組，其中該第一導孔為一貫孔。
17. 如請求項15所述之內藏電容模組，其中該第一導孔為一盲孔。
18. 如請求項15所述之內藏電容模組，更包括配置於該第一絕緣材料上的一第一電極接墊、配置於該第一電極接墊周圍的一第一接墊絕緣材料、配置於該第二絕緣材料上的一第二電極接墊、配置於該第二電極接墊周圍的一第二接墊絕緣材料以及配置於該第二導孔周圍且穿過該第一基板的一導孔絕緣材料，其中該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第一導孔電性連接，且該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第二基板及該第三基板電性絕緣。
19. 如請求項18所述之內藏電容模組，更包括一第三導孔，形成於該電極引出區，該第三導孔與該第一基板及該第二電極接墊電性連接，且該第三導孔與該第二基板及該第三基板電性絕緣。
20. 如請求項12所述之內藏電容模組，其中該至少一固態電解電容區更包 括配置於該第一碳層與該第二基板之間的一第一導電黏著層、配置於該第一碳層與該第三基板之間的一第二導電黏著層，其中該第一絕緣材料與該第一導電高分子層、該第一碳層及該第一導電黏著層之至少一側邊接觸，且該第二絕緣材料與該第一導電高分子層、該第一碳層及該第二導電黏著層之至少一側邊接觸。
21. 如請求項20所述之內藏電容模組，其中該第一導電黏著層與該第二基板及該第一碳層電性連接，該第二導電黏著層與該第三基板及該第一碳層電性連接。
22. 如請求項1所述之內藏電容模組，其中該至少一固態電解電容區與該電極引出區相鄰配置，且該電極引出區被該至少一固態電解電容區所環繞。
23. 一種內藏電容模組，包括：至少一電極引出區，包括一第一基板、一第二基板、配置於該第一基板及該第二基板之間的一第一絕緣材料、形成於該第一基板之表面上的一第一多孔層以及配置於該第一多孔層上的一第一氧化層；至少一固態電解電容區，與該至少一電極引出區相鄰配置，該至少一固態電解電容區包括從該至少一電極引出區延伸的該第一基板、從該至少一電極引出區延伸的該第二基板、從該至少一電極引出區延伸且在從該至少一電極引出區延伸之該第一基板之至少一表面上形成的該第一多孔層、從該至少一電極引出區延伸且配置於從該至少一電極引出區延伸之該第一多孔層上的該第一氧化層、配置於該第一氧化層上的該第一導電高分子層以及配置於該第一導電高分子層上的一第一導電黏著層；一第一導孔，形成於該至少一電極引出區，該第一導孔與該第一多孔層及該第一氧化層電性連接；以及一第二導孔，形成於該至少一電極引出區，該第二導孔與該第一多孔層及該第一氧化層電性絕緣，其中該第一導電黏著層與該第二基板及 該第一導電高分子層電性連接，該第一絕緣材料與該第一導電高分子層及該第一導電黏著層的至少一側邊接觸。
24. 如請求項23所述之內藏電容模組，其中該第一氧化層為一金屬氧化層。
25. 如請求項23所述之內藏電容模組，其中該第一基板作為該內藏電容模組的一第一電極，該第二基板作為該內藏電容模組的一第二電極。
26. 如請求項23所述之內藏電容模組，其中該第一導孔與該第一基板電性連接，且該第一導孔與該第二基板電性絕緣，該第二導孔與該第二基板電性連接，且該第一導孔與該第一基板電性絕緣。
27. 如請求項26所述之內藏電容模組，更包括配置於該第一絕緣材料上的一第一電極接墊、配置於該第一電極接墊周圍的一第一接墊絕緣材料以及配置於該第二導孔周圍且穿過該第一基板的一導孔絕緣材料，其中該第一電極接墊與該第一導孔電性連接，且該第一電極接墊與該第二基板電性絕緣。
28. 如請求項26所述之內藏電容模組，其中該第一導孔為一貫孔。
29. 如請求項26所述之內藏電容模組，其中該第一導孔為一盲孔。
30. 如請求項23所述之內藏電容模組，其中該至少一電極引出區更包括一第三基板以及配置於該第一基板與該第三基板之間的一第二絕緣材料，且該至少一固態電解電容區更包括從該至少一電極引出區延伸的該第三基板。
31. 如請求項30所述之內藏電容模組，其中該至少一固態電解電容區與該至少一電極引出區相鄰配置，其中該至少一固態電解電容區更包括從該至少一電極引出區延伸且在從該至少一電極引出區延伸之該第一基板之表面上形成的一第二多孔層、從該至少一電極引出區延伸且配置於從該至少一電極引出區延伸之該第二多孔層上的一第二氧化層、配置於該第二氧化層上的一第二導電高分子層以及配置於該第二導電高分子層上的一第二導電黏著層，其中該第二導電黏著層與該第三基板及該第二導電高分子層電性連接，且該第二絕緣材料與該第二導電高分子層及該 第二導電黏著層的至少一側邊接觸。
32. 如請求項31所述之內藏電容模組，更包括：至少一第一導孔，形成於該至少一電極引出區，該至少一第一導孔與該第一基板電性連接，且該至少一第一導孔與該第二基板及該第三基板電性絕緣；以及至少一第二導孔，形成於該至少一電極引出區，該至少一第二導孔與該第二基板及該第三基板電性連接，且該至少一第二導孔與該第一基板電性絕緣。
33. 如請求項32所述之內藏電容模組，更包括配置於該第一絕緣材料上的一第一電極接墊、配置於該第一電極接墊周圍的一第一接墊絕緣材料、配置於該第二絕緣材料上的一第二電極接墊、配置於該第二電極接墊周圍的一第二接墊絕緣材料以及配置於該第二導孔周圍且穿過該第一基板的一導孔絕緣材料，其中該第一電極接墊及該第二電極接墊與該至少一第一導孔電性連接，且該第一電極接墊及該第二電極接墊與該第二基板及該第三基板電性絕緣。
34. 如請求項32所述之內藏電容模組，其中該至少一導孔為一貫孔。
35. 如請求項32所述之內藏電容模組，其中該至少一導孔為一盲孔。
36. 如請求項23所述之內藏電容模組，更包括相鄰配置於該至少一電極引出區的一第一固態電解電容區以及配置於該至少一電極引出區之相對一側的一第二固態電解電容區，其中該第一固態電解電容區與該第二固態電解電容區互為分離。
37. 如請求項36所述之內藏電容模組，更包括一第三固態電解電容區及一第四固態電解電容區，其中該第一固態電解電容區、該第二固態電解電容區、該第三固態電解電容區及該第四固態電解電容區互為分離。