CN104205808A - 摄像装置以及摄像元件 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的第一方式，摄像装置具备：摄像元件，对通过了摄像光学系统的被摄体光束所成的被摄体像进行摄像；图像生成部，基于来自摄像元件的输出信号而生成图像信号；以及焦点检测部，基于来自摄像元件的输出信号，通过相位差检测方式对摄像光学系统的焦点调节状态进行检测，摄像元件具有：上层的像素群；接收通过了上层的各像素的被摄体光束的下层的像素群；以及配置成将被摄体光束引导至上层的像素群的微透镜群，上层的像素群中，分别具有相互不同的第一、第二及第三光谱灵敏度的第一、第二及第三像素排列成二维状，在微透镜群的各微透镜的背后，一个第一像素、一个第二像素、和两个第三像素配置成2行2列，这4个像素分别接收分别通过摄像光学系统的出瞳的4个光瞳区域的4个光束，下层的像素群中，分别具有与上层的像素群的第一、第二、和第三光谱灵敏度分别成补色关系的第四、第五、和第六光谱灵敏度的第四、第五及第六像素排列成二维状，将上层的第一、第二及第三像素的位置和下层的第四、第五及第六像素的位置规定为，该第四、第五及第六像素分别接收分别通过了第一、第二及第三像素的光束，图像生成部基于来自上层的像素群和下层的像素群中的一方的像素群的输出信号而生成图像信号，焦点检测部基于来自上层的像素群和下层的像素群中的另一方的像素群的输出信号而对焦点调节状态进行检测。

Description

摄像装置以及摄像元件
技术领域
本发明涉及摄像装置以及摄像元件。
背景技术
公知有基于来自配置在摄像元件的一部分的多个焦点检测专用的像素的输出信号而进行光瞳分割相位差方式的焦点检测的摄像装置(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国特开2007-282109号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在现有技术中，进行焦点检测局限于配置有焦点检测专用的像素的位置。然而，若增加焦点检测专用的像素，则在配置有焦点检测专用的像素的位置无法得到图像信号，因此画质降低。如此，在现有技术中，基于摄像元件的输出信号除了图像信号的生成也能够进行相位差方式的焦点检测，另一方面，产生了由于在摄像元件的一部分设置焦点检测专用的像素而引起的弊病。
用于解决课题的手段
根据本发明的第1方式，摄像装置具备：摄像元件，对通过了摄像光学系统的被摄体光束所成的被摄体像进行摄像；图像生成部，基于来自摄像元件的输出信号而生成图像信号；以及焦点检测部，基于来自摄像元件的输出信号，通过相位差检测方式对摄像光学系统的焦点调节状态进行检测，摄像元件具有：上层的像素群；接收通过了上层的各像素的被摄体光束的下层的像素群；以及配置成将被摄体光束引导至上层的像素群的微透镜群，上层的像素群中，分别具有相互不同的第一光谱灵敏度、第二光谱灵敏度及第三光谱灵敏度的第一像素、第二像素及第三像素排列成二维状，在微透镜群的各微透镜的背后，一个第一像素、一个第二像素及两个第三像素配置成2行2列，这4个像素分别接收分别通过摄像光学系统的出瞳的4个光瞳区域的4个光束，下层的像素群中，分别具有与上层的像素群的第一光谱灵敏度、第二光谱灵敏度及第三光谱灵敏度分别成补色关系的第四光谱灵敏度、第五光谱灵敏度及第六光谱灵敏度的第四像素、第五像素及第六像素排列成二维状，将上层的第一像素、第二像素及第三像素的位置与下层的第四像素、第五像素及第六像素的位置规定为，该第四像素、第五像素及第六像素分别接收分别通过了第一像素、第二像素及第三像素的光束，图像生成部基于来自上层的像素群和下层的像素群中的一方的像素群的输出信号而生成图像信号，焦点检测部基于来自上层的像素群和下层的像素群中的另一方的像素群的输出信号而对焦点调节状态进行检测。
根据本发明的第2方式，优选的是，在第1方式的摄像装置中，上层的像素群中，第一像素、第二像素及第三像素配置成分别具有大致相同的光谱灵敏度的像素彼此在2行2列相邻，该在2行2列相邻的4像素分别配置在不同的4个微透镜的背后，且配置成相对于微透镜的位置分别不同。
根据本发明的第3方式，优选的是，在第2方式的摄像装置中，上层的像素群中，第一像素输出与青色相关的输出信号，第二像素输出与黄色相关的输出信号，第三像素输出与品红色相关的输出信号，下层的像素群中，第四像素输出与青色的补色相关的输出信号，第五像素输出与黄色的补色相关的输出信号，第六像素输出与品红色的补色相关的输出信号。
根据本发明的第4方式，优选的是，在第3方式的摄像装置中，上层以及下层的像素群中，配置于一个微透镜的背后的2行2列的4像素的组排列成二维状而形成，组具有像素的配置分别不同的第一组～第四组，上层的像素群，在第一组中，在预定的排列方向上相邻地配置第一像素以及第三像素，并且在与预定的排列方向垂直的方向上与该第一像素以及该第三像素分别相邻地配置第三像素以及第二像素，在第二组中，在预定的排列方向上相邻地配置第三像素以及第一像素，并且在垂直方向上与该第三像素以及该第一像素分别相邻地配置第二像素以及第三像素，在第三组中，在预定的排列方向上相邻地配置第三像素以及第二像素，并且在垂直方向上与该第三像素以及该第二像素分别相邻地配置第一像素以及第三像素，在第四组中，在预定的排列方向上相邻地配置第二像素以及第三像素，并且在垂直方向上与该第二像素以及该第三像素分别相邻地配置第三像素以及第一像素，第一组以及第二组在预定的排列方向上相邻，且在预定的排列方向上交替地重复排列，第三组以及第四组在预定的排列方向上相邻，且在预定的排列方向上交替地重复排列，由第一组和第二组形成的第一列与由第三组和第四组形成的第二列在垂直方向上相邻，且在垂直方向上交替地重复排列。
根据本发明的第5方式，优选的是，在第2～4中的任一方式的摄像装置中，图像生成部对来自在2行2列相互相邻的4个第四像素的输出信号进行加法运算，对来自以2行2列的形式相邻的4个第五像素的输出信号进行加法运算，对来自在2行2列相互相邻的4个第六像素的输出信号进行加法运算，从而生成拜尔阵列的图像信号。
根据本发明的第6方式，优选的是，在第1～4中的任一方式的摄像装置中，图像生成部基于来自位于各微透镜的背后的第四像素、第五像素及第六像素的输出信号，取得各微透镜位置处的3个颜色信号。
根据本发明的第7方式，优选的是，在第1～4中的任一方式的摄像装置中，图像生成部在第四～第六的各像素位置，进行生成其他2个光谱成分的信号的颜色插补处理，从而取得3个颜色信号，并基于3个颜色信号生成亮度信号以及色差信号。
根据本发明的第8方式，优选的是，在第1～7中的任一方式的摄像装置中，焦点检测部基于来自上层或者下层的像素群中具有大致相同的光谱灵敏度且相对于微透镜的位置不同的一对像素的输出信号，对摄像光学系统的焦点调节状态进行检测。
根据本发明的第9方式，优选的是，在第4方式的摄像装置中，焦点检测部基于来自上层的像素群中第一组和第二组分别包含的第三像素、以及第三组和第四组分别包含的第三像素中至少一方的第三像素的输出信号，在预定的排列方向上对摄像光学系统的焦点调节状态进行检测。
根据本发明的第10方式，优选的是，在第4方式的摄像装置中，焦点检测部基于来自上层的像素群中第一组和第三组分别包含的第三像素、以及第二组和第四组分别包含的第三像素中的至少一方的第三像素的输出信号，在垂直方向上对摄像光学系统的焦点调节状态进行检测。
根据本发明的第11方式，优选的是，在第4方式的摄像装置中，焦点检测部基于来自上层的像素群中第一组和第四组分别包含的第三像素、以及第二组和第三组分别包含的第三像素中的至少一方的第三像素的输出信号，在相对于预定的排列方向倾斜的方向上对摄像光学系统的焦点调节状态进行检测。
根据本发明的第12方式，摄像元件具备：第一摄像部，具有排列成二维状的多个微透镜和设置于每个微透镜并吸收预定波长的光而使预定波长以外的光透过的多个光接收部；以及第二摄像部，接收透过了第一摄像部的光。
根据本发明的第13方式，优选的是，在第12方式的摄像元件中，第一摄像部中，设置于多个微透镜中的相邻的2个微透镜且吸收相同的预定波长的光的光接收部相邻地配置。
发明效果
根据本发明，能够不在摄像元件设置焦点检测专用的像素而基于来自摄像元件的输出信号进行图像信号的生成以及相位差方式的焦点检测。
附图说明
图1是对本发明的实施方式的数码相机系统的结构进行例示的图。
图2是对上部光电转换层中的像素的配置进行例示的俯视图。
图3是对下部光电转换层中的像素的配置进行例示的俯视图。
图4是对摄像元件的剖面进行例示的图。
图5是对摄像元件中的每1像素的电路结构进行例示的图。
图6是对可换镜头的出瞳进行例示的图。
图7是对求取散焦量的像素列进行说明的图。
图8是对通过出瞳的光束进行说明的图。
图9是对求取散焦量的像素列进行说明的图。
图10是对通过出瞳的光束进行说明的图。
图11是对求取散焦量的像素列进行说明的图。
图12是对通过出瞳的光束进行说明的图。
图13是对第一图像信号生成处理进行说明的图。
图14是对第二图像信号生成处理进行说明的图。
图15是对第三图像信号生成处理进行的说明图。
图16是对第三图像信号生成处理进行的说明图。
图17是对第三图像信号生成处理进行的说明图。
图18是对摄影处理的流程进行说明的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。图1是对本发明的一种实施方式的数码相机系统的结构进行例示的图。数码相机系统1由可换镜头2和相机主体3构成。可换镜头2经由安装部4而安装于相机主体3。
可换镜头2包含透镜控制部5、主透镜9、变焦透镜8、聚焦透镜7以及光圈6。透镜控制部5由微型计算机和存储器等构成，进行聚焦透镜7和光圈6的驱动控制、光圈6的开口状态的检测、变焦透镜8以及聚焦透镜7的位置检测、向后述的相机主体3侧的主体控制部14的透镜信息的发送、以及来自主体控制部14的相机信息的接收等。
相机主体3包括摄像元件12、摄像元件驱动控制部19、主体控制部14、液晶显示元件驱动电路15、液晶显示元件16、目镜17以及操作部件18等，安装有可装拆的存储卡20。摄像元件12配置于可换镜头2的预定成像面而对通过可换镜头2成像的被摄体像进行摄像。
主体控制部14由微型计算机和存储器等构成。主体控制部14进行整个数码相机系统的动作控制。主体控制部14和透镜控制部5构成为经由安装部4的电接点部13进行通信。
摄像元件驱动控制部19根据来自主体控制部14的指示而生成摄像元件12所必需的控制信号。液晶显示元件驱动电路15根据来自主体控制部14的指示而对构成液晶取景器(EVF：电取景器)的液晶显示元件16进行驱动。摄影者经由目镜17观察在液晶显示元件16上显示的像。存储卡20是对图像信号等进行存储记忆的存储介质。
通过可换镜头2在摄像元件12上成像的被摄体像被摄像元件12进行光电转换。摄像元件12利用来自摄像元件驱动控制部19的控制信号对光电转换信号的蓄积以及信号读取的时机(帧频)进行控制。从摄像元件12读取的图像信号由未图示的A/D转换部转换为数字数据，并被向主体控制部14发送。
主体控制部14基于来自摄像元件12的与预定的焦点检测区对应的图像信号来计算散焦量，将该散焦量向透镜控制部5发送。透镜控制部5基于从主体控制部14接收的散焦量来计算聚焦透镜驱动量，并基于该透镜驱动量利用未图示的电动机等对聚焦透镜7进行驱动而向对焦位置移动。
另外，主体控制部14在摄影指示后基于从摄像元件12输出的信号而生成记录用的图像数据。主体控制部14将所生成的图像数据存储于存储卡20并且向液晶显示元件驱动电路15发送，使液晶显示元件16进行重放显示。
另外，在相机主体3设置有包含快门按钮、焦点检测区的设定部件等的操作部件18。主体控制部14对来自这些操作部件18的操作信号进行检测，而进行与检测结果对应的动作(摄影处理、焦点检测区的设定等)的控制。
<摄像元件的说明>
本实施方式在摄像元件12具有特征，因此，以下以摄像元件12为中心进行说明。摄像元件12具有层叠结构，层叠有上部的光电转换层41(图4)和下部的光电转换层43(图4)。上部的光电转换层41由对后述的波长成分的光进行吸收(光电转换)的光电导体电膜构成，没有被上部的光电转换层41吸收(光电转换)的波长成分的光透过下部的光电转换层43，而在该光电转换层43进行光电转换。
(上部光电转换层)
图2(a)及图2(b)是对摄像元件12的上部光电转换层41中的像素的配置进行例示的俯视图。这里，作为代表提取10×10像素量进行图示。各像素布局为大致正方形，并被排列成二维状。作为像素，设置有对青色(Cy)成分的光进行光电转换的像素(Cy像素)、对品红色(Mg)成分的光进行光电转换的像素(Mg像素)、对黄色(Ye)成分的光进行光电转换的像素(Ye像素)这3种。
Cy像素由对青色成分的光进行吸收(光电转换)的光电转换部构成。Mg像素由对品红色成分的光进行吸收(光电转换)的光电转换部构成。Ye像素由对黄色成分的光进行吸收(光电转换)的光电转换部构成。
另外，在摄像元件12，形成有多个用于将来自可换镜头2的光束高效地向4个像素的组引导的微透镜40。图2中5×5＝25的圆与微透镜40对应。微透镜40例如由其中心和光轴大致一致的轴对称型的球面透镜或非球面透镜构成，使光入射侧为凸形状而排列成二维状。
在各微透镜40的背后，将一个Cy像素、两个Mg像素、一个Ye像素配置成2行2列。在本说明中，如图2(a)所示，将位于微透镜40的背后的4个像素的组按照其配置的不同而分类为4类(P1～P4)。
微透镜40的背后，第一组P1中，在左上配置Cy像素，在右上配置Mg像素，在左下配置Mg像素，在右下配置Ye像素。第二组P2中，在左上配置Mg像素，在右上配置Cy像素，在左下配置Ye像素，在右下配置Mg像素。第三组P3中，在左上配置Mg像素，在右上配置Ye像素，在左下配置Cy像素，在右下配置Mg像素。第四组P4中，在左上配置Ye像素，在右上配置Mg像素，在左下配置Mg像素，在右下配置Cy像素。
第一组P1以及第二组P2在水平方向(X方向)上相邻，且在水平方向上交替地重复排列。将由第一组P1以及第二组P2形成的列称作第一列L1。第三组P3以及第四组P4在水平方向上相邻，且在水平方向上交替地重复排列。将由第三组P3以及第四组P4形成的列称作第二列L2。
上述第一列L1以及第二列L2在铅垂方向(Y方向)上相邻，且在铅垂方向上交替地重复排列。由此，各第一组P1以及第三组P3在铅垂方向上相邻，各第二组P2以及第四组P4在铅垂方向上相邻。
利用这种配置，微透镜40和Cy像素、Mg像素、Ye像素的位置关系如下。
首先，Cy像素在纵横地相邻的4个微透镜40的背后中分别配置在左上、右上、左下、右下。Mg像素在纵横地相邻的4个微透镜40的背后分别配置在右上和左下、左上和右下、左上和右下、右上和左下。Ye像素在纵横地相邻的4个微透镜40的背后分别配置在右下、左下、右上、左上。如此，Cy像素、Mg像素、Ye像素分别在微透镜40的背后均等地配置成不向特定的位置偏移。
图2(b)是对与图2(a)同样的部位进行提取而得的图。在将图2(a)所示的4个像素的分组(P1～P4)沿纵横错开1像素量地进行观察的情况下，如图2(b)所示，Cy像素、Mg像素、Ye像素配置成分别相邻的2行2列的4像素成为同色的像素。
另外，同色的2行2列的4像素分别配置在不同的微透镜40的背后，相对于微透镜40的位置分别不同。换言之，分别配置于不同的4个微透镜40的背后的Cy像素、Mg像素、Ye像素配置成针对各自的每种颜色在2行2列相邻。
(下部光电转换层)
图3(a)及图3(b)是对摄像元件12的下部光电转换层43(图4)中的像素的配置进行例示的俯视图。对与图2所例示的像素位置对应的10×10像素量进行图示。各像素布局成大致正方形，并排列成二维状。作为像素，设置有对红色(R)成分的光进行光电转换的像素(R像素)、对绿色(G)成分的光进行光电转换的像素(G像素)、对蓝色(B)成分的光进行光电转换的像素(B像素)这3种。
R像素由对没有被上部的Cy像素所吸收(光电转换)的红色(Cy的补色)成分的光进行光电转换的光电转换部构成。G像素由对没有被上部的Mg像素所吸收(光电转换)的绿色(Mg的补色)成分的光进行光电转换的光电转换部构成。B像素由对没有被上部的Ye像素所吸收(光电转换)的蓝色(Ye的补色)成分的光进行光电转换的光电转换部构成。即，将上部光电转换层41的Cy像素、Mg像素、Ye像素作为滤色器而构成R、G、B的光接收部。
由此，在位于上述第一组P1的下层的组(称作Q1)中，在左上配置R像素，在右上配置G像素，在左下配置G像素，在右下配置B像素。在位于第二组P2的下层的组(称作Q2)中，在左上配置G像素，在右上配置R像素，在左下配置B像素，在右下配置G像素。在位于第三组P3的下层的组(称作Q3)中，在左上配置G像素，在右上配置B像素，在左下配置R像素，在右下配置G像素。在位于第四组P4的下层的组(称作Q4)中，在左上配置B像素，在右上配置G像素，在左下配置G像素，在右下配置R像素。
利用这种配置，上述微透镜40和R像素、G像素、B像素的位置关系如下。
首先，R像素在纵横地相邻的4个微透镜40的背后分别配置于左上、右上、左下、右下。G像素在纵横地相邻的4个微透镜40的背后分别配置于右上和左下，左上和右下、左上和右下、右上和左下。B像素在纵横地相邻的4个微透镜40的背后分别配置于右下、左下、右上、左上。如此，R像素、G像素、B像素分别在微透镜40的背后均等地配置成不向特定的位置偏移。
图3(b)是对与图3(a)同样的部位进行提取而得的图。在将图3(a)所示的4个像素的分组(Q1～Q4)沿纵横错开1像素量地进行观察的情况下，如图3(b)所示，R像素、G像素、B像素配置成分别相邻的2行2列的4像素成为同色的像素。
另外，同色的2行2列的4像素分别配置于不同的微透镜40的背后，相对于微透镜40的位置分别不同。换言之，分别配置于不同的4个微透镜40的背后的R像素、G像素、B像素配置成针对各自的每种颜色在2行2列相邻。
由上述同色2行2列的4个R像素构成的组50r、4个G像素构成的组50g、4个B像素构成的组50b在将4像素作为1组来观察的情况下形成拜尔阵列。
图4是对摄像元件12的剖面进行例示的图。在图4中，摄像元件12隔着配线层42而叠层在硅基板上形成的下部光电转换层43和使用有机膜的上部光电转换层41。在上部光电转换层41的上方形成有微透镜40。
上部光电转换层41在电极间夹着光电导体电膜而构成上述Cy像素、Mg像素、Ye像素。例如，在上侧电极a和下侧电极k-Cy之间夹着光电导体电膜P1-Cy而构成第一组P1中的Cy像素。另外，例如，在上侧电极a和下侧电极k-Mg之间夹着光电导体电膜P2-Mg而构成第二组P2中的Mg像素。
下部光电转换层43由硅基板上的R像素、G像素、B像素构成，在各像素对入射的光进行光电转换。在图4中，第一组Q1中的R像素接收透了过上部光电转换层41的第一组P1中的Cy像素的补色光(R)。另外，第二组Q2中的G像素接收透过了上部光电转换层41的第二组P2中的Mg像素的补色光(G)。
图5是对摄像元件12中的每1像素的电路结构进行例示的图。在图5中，向基准电源端子t32a以及t32b供给基准电源Vref。另外，向电源端子t31a以及t31b供给电源Vcc。此外，从端子t33向PC(光电导体)20供给电源Vpc。
上部光电转换层41的信号检测部的结构如下。PC20构成该上部光电转换层41的1像素量的光电转换部。在PC20中，对入射光进行光电转换而蓄积电荷。源极跟随放大器MOS晶体管Tr6将基于上述蓄积电荷的电压信号放大。传送开关MOS晶体管Tr5构成用于选择读取对象像素的开关。向端子t11供给将传送开关MOS晶体管Tr5接通/断开的控制脉冲信号后，经由传送开关MOS晶体管Tr5从端子t11读取放大后的信号。复位用MOS晶体管Tr7根据供给到端子t13的复位脉冲信号而排出无用电荷(即复位为预定电位)。
下部光电转换层43的信号检测部的结构如下。光电二极管PD构成下部光电转换层43的1像素量的光电转换部。光电二极管PD对透过了PC20的光进行光电转换而生成电荷。光电二极管PD和浮置扩散(FD)部经由传送MOS晶体管Tr4而连接。向端子t24供给将传送MOS晶体管Tr4接通/断开的控制脉冲信号后，经由传送MOS晶体管Tr4向浮置扩散部传送电荷。
源极跟随放大器MOS晶体管Tr2对基于上述蓄积电荷的电压信号进行放大。传送开关MOS晶体管Tr1构成用于选择读取对象像素的开关。向端子t22供给将传送开关MOS晶体管Tr1接通/断开的控制脉冲信号后，经由传送开关MOS晶体管Tr1从端子t21读取放大后的信号。复位用MOS晶体管Tr3根据供给到端子t23的复位脉冲信号而将浮置扩散部的无用电荷排出(即复位为预定电位)。
<焦点检测处理>
接下来，使用图6～图12对从上述结构的摄像元件12取得焦点检测用的信号的例进行说明。本实施方式中，基于来自上部光电转换层41的输出信号如下所示地进行散焦量运算。图6是对将光圈6开放的状态的可换镜头2的出瞳80进行例示的图。通过了出瞳80的4个区域81～84的光束分别入射到位于图2的微透镜40的左上、右上、左下以及右下的像素。可以考虑入射到在各微透镜40中位于左上、右上、左下以及右下的像素的光束和上述第一区域81、第二区域82、第三区域83以及第四区域84的对应关系为，以可换镜头2的光轴Ax为对称轴并将上下左右翻转后的关系。
首先，如图7所例示的那样，对基于摄像元件12中Mg像素在水平方向(X轴方向)上排列而成的像素列90来求取散焦量的情况进行说明。像素列90由包含在第二组P2且位于微透镜40的左上的Mg像素(Mg-a)、和包含在第一组P1且位于微透镜40的右上的Mg像素(Mg-b)构成。如图8所例示的那样，向构成像素列90的像素入射经由出瞳80上的第一区域81的光束A和经由第二区域82的光束B。光束A入射到位于微透镜40的左上的Mg像素(Mg-a)。光束B入射到位于微透镜40的右上的Mg像素(Mg-b)。
由于对焦时是在摄像元件12形成清晰像的状态，因此如上所述地在不同的光瞳位置被光瞳分割后的光束所成的一对像在摄像元件12上一致。即，在像素列90中，从接收光束A的Mg像素(Mg-a)得到的信号波形(信号列a1、a2、a3、a4…)和从接收光束B的Mg像素(Mg-b)得到的信号波形(信号列b1、b2、b3、b4…)的形状重合。
另一方面，由于非对焦时是在摄像元件12的近前形成清晰像的状态、或在摄像元件12的后侧形成清晰像的状态，因此上述被光瞳分割后的光束所成的一对像在摄像元件12上不一致。该情况下的基于光束A的信号波形(信号列a1、a2、a3、a4…)以及基于光束B的信号波形(信号列b1、b2、b3、b4…)与相对于对焦状态的偏离(散焦量)对应而相互的位置关系(偏离方向以及偏离量)不同。
主体控制部14根据基于光束A的信号波形(信号列a1、a2、a3、a4…)以及基于光束B的信号波形(信号列b1、b2、b3、b4…)的位置关系来计算可换镜头2的焦点位置的调节状态(散焦量)，将计算结果作为相机信息而向透镜控制部5发送。若透镜控制部5基于相机信息而使聚焦透镜7向光轴方向进退移动，则调节焦点以使得在摄像元件12上形成清晰像。
接下来，图9所例示的那样，对基于摄像元件12中Mg像素在铅垂方向(Y轴方向)上排列而成的像素列120来求取散焦量的情况进行说明。像素列120由包含于第二组P2且位于微透镜40的左上的Mg像素(Mg-a)、和包含于第四组P4且位于微透镜40的左下的Mg像素(Mg-c)构成。如图10所例示的那样，向构成像素列120的像素入射经由出瞳80上的第一区域81的光束A和经由第三区域83的光束C。光束A入射到位于微透镜40的左上的Mg像素(Mg-a)。光束C入射到位于微透镜40的左下的Mg像素(Mg-c)。
对焦时是在摄像元件12形成清晰像的状态，因此如上所述地在像素列120中，从接收光束A的Mg像素(Mg-a)得到的信号波形(信号列a1、a2、a3、a4…)和从接收光束C的Mg像素(Mg-c)得到的信号波形(信号列c1、c2、c3、c4…)的形状重合。
另一方面，非对焦时的情况下的基于光束A的信号波形(信号列a1、a2、a3、a4…)以及基于光束C的信号波形(信号列c1、c2、c3、c4…)与相对于对焦状态的偏离(散焦量)对应而相互的位置关系(偏离方向以及偏离量)不同。
主体控制部14根据基于光束A的信号波形(信号列a1、a2、a3、a4…)以及基于光束C的信号波形(信号列c1、c2、c3、c4…)的位置关系来计算可换镜头2的焦点位置的调节状态(散焦量)，将计算结果作为相机信息而向透镜控制部5发送。若透镜控制部5基于相机信息而使聚焦透镜7向光轴方向进退移动，则调节焦点以使得在摄像元件12上形成清晰像。
此外，如图11所例示的那样，对基于摄像元件12中Mg像素在倾斜方向上排列而成的像素列150来求取散焦量的情况进行说明。像素列150由包含于第二组P2且位于微透镜40的左上的Mg像素(Mg-a)和位于右下的Mg像素(Mg-d)、以及包含于第三组P3且位于微透镜40的左上的Mg像素(Mg-a)和位于右下的Mg像素(Mg-d)构成。如图12所例示的那样，向构成像素列150的像素入射经由出瞳80上的第一区域81的光束A和经由第四区域84的光束D。光束A入射到位于微透镜40的左上的Mg像素(Mg-a)。光束D入射到位于微透镜40的右下的Mg像素(Mg-d)。
对焦时是在摄像元件12形成清晰像的状态，因此如上所述地在像素列150中，从接收光束A的Mg像素(Mg-a)得到的信号波形(信号列a1、a2、a3、a4…)和从接收光束D的Mg像素(Mg-d)得到的信号波形(信号列d1、d2、d3、d4…)的形状重合。
另一方面，非对焦时的情况下的基于光束A的信号波形(信号列a1、a2、a3、a4…)以及基于光束D的信号波形(信号列d1、d2、d3、d4…)与相对于对焦状态的偏离(散焦量)对应而相互的位置关系(偏离方向以及偏离量)不同。
主体控制部14根据基于光束A的信号波形(信号列a1、a2、a3、a4…)以及基于光束D的信号波形(信号列d1、d2、d3、d4…)的位置关系来计算可换镜头2的焦点位置的调节状态(散焦量)，将计算结果作为相机信息而向透镜控制部5发送。若透镜控制部5基于相机信息而使聚焦透镜7向光轴方向进退移动，则调节焦点以使得在摄像元件12上形成清晰像。
<图像信号生成处理>
接下来，使用图13～图17对从上述摄像元件12取得图像信号的例子进行说明。在本实施方式中，作为基于来自下部光电转换层43的输出信号而生成彩色的图像信号的图像信号生成处理，使用以下三方法的中的任一种。主体控制部14进行通过预先初始设定而被指示的方法的图像信号生成处理。
(第一图像信号生成处理)
图13是对第一图像信号生成处理进行说明的图。进行第一图像信号生成处理的主体控制部14如图13(a)所示的那样，将经由同一微透镜40接收光束的4像素作为一个组200来进行处理。在各组200分别包含2个G像素、1个B像素和R像素。
主体控制部14在各组200中将来自R像素的输出信号作为该组200的R图像信号，将来自B像素的输出信号作为该组200的B图像信号，将来自2个G像素的输出信号的平均值作为该组200的G图像信号。由此，主体控制部14能够如图13(b)所示的那样得到作为像素元件12的下部光电转换层43所包含的像素数的1/4像素数的彩色图像信号(RGB)。主体控制部14使用如此得到的彩色图像信号而生成记录用图像的文件。
如此，在第一图像信号生成处理中，能够不进行对颜色信号进行插补的颜色插补处理而取得彩色的图像信号。
(第二图像信号生成处理)
图14是对第二图像信号生成处理进行说明的图。进行第二图像信号生成处理的主体控制部14如图14(a)所示的那样将相邻的同色的2行2列的4像素作为一个组210来进行处理。
主体控制部14将对来自各组210中所包含的4像素的输出信号进行加法运算而得的信号作为该组210的图像信号。具体来说，主体控制部14在R像素的组210的情况下，将对来自4个R像素的输出信号进行加法运算而得的信号作为该组210的R图像信号。主体控制部14在G像素的组210的情况下，将对来自4个G像素的输出信号进行加法运算而得的信号作为该组210的G图像信号。主体控制部14在B像素的组210的情况下，将对来自4个B像素的输出信号进行加法运算而得的信号作为该组210的B图像信号。由此，主体控制部14能够如图14(b)所示的那样得到作为在摄像元件12的下部光电转换层43所包含的像素数的1/4像素数的拜尔阵列的图像信号。
然而，有时因向微透镜40入射的光束的入射角不同，存在配置于微透镜40的背后的4个像素的光接收量变得不均等的情况。例如，在某入射角θ1时，位于微透镜40的左上的像素的光接收量变得较大而位于微透镜40的右下的像素的光接收量变得较小，在另一个入射角θ2时，位于微透镜40的左上的像素的光接收量变得较小而位于微透镜40的右下的像素的光接收量变得较大。
在第二图像信号生成处理中，将对来自配置于微透镜40的不同的位置(左上、右上、左下、右下)的4像素(即各组210中所包含的4像素)的输出信号进行加法运算而得的信号作为图像信号，因此能够不依赖于向微透镜40入射的光的入射角而生成适当的图像信号。
主体控制部14还在拜尔阵列的图像信号中，使用来自相邻的组210的信号利用插补处理而生成不足的颜色成分。例如，在G像素的组210的情况下，由于不存在R图像信号以及B图像信号，因此使用周边的组210的信号而进行颜色插补处理。这种拜尔阵列中的颜色插补处理是公知的，因此省略详细的说明。主体控制部14使用由该颜色插补处理而得到的彩色图像信号(RGB)生成记录用图像的文件。
(第三图像信号生成处理)
进行第三图像信号生成处理的主体控制部14，首先在各像素中进行对不足的颜色成分进行插补的颜色插补处理。
图15是说明对G图像信号进行插补的处理的图。主体控制部14在各R像素以及B像素的位置使用来自位于该像素的附近的4个G像素的输出信号通过插补处理而生成G图像信号。例如，在图15(a)的由粗框所表示的R像素的位置对G图像信号进行插补情况下，使用来自位于该R像素的附近的4个G像素(G1～G4)的输出信号。主体控制部14将(αG1+βG2+γG3+δG4)/4作为该R像素的G图像信号。另外，α～δ是与距该R像素的距离对应的系数，距插补对象像素的距离越近越增大系数。该情况下，G像素G1和G2比G像素G3和G4更接近于该R像素，因此设为α＝β>γ＝δ。
如此，主体控制部14在R像素以及B像素的位置进行对G图像信号进行插补的处理，从而能够如图15(b)所示的那样在各像素30的位置得到G图像信号。
图16是说明对R图像信号进行插补的处理的图。主体控制部14如图16(a)所示的那样，将相邻的同色的2行2列的4像素作为一个组220来进行处理。主体控制部14在R像素的组220中将对来自4个R像素的输出信号进行加法运算而得的信号作为该组220的R图像信号。主体控制部14使用周边的R像素的组220的R图像信号对G像素的组220以及B像素的组220中的R图像信号进行插补。另外，各组220如图16(b)所示的那样形成了拜尔阵列，因此主体控制部14能够使用公知的拜尔阵列中的颜色插补处理来进行该插补处理。
主体控制部14将在G像素的组220中所插补的R图像信号除以4而得的信号(R/4)作为构成G像素的组220的4个G像素中的R图像信号。同样，主体控制部14将在B像素的组220中所插补的R图像信号除以4而得的信号(R/4)作为构成B像素的组220的4个B像素中的R图像信号。如此，主体控制部14通过在G像素和B像素的位置进行对R图像信号进行插补的处理，而能够如图16(c)所示的那样在各像素30的位置得到R图像信号。
另外，对B图像信号进行插补的处理与对R图像信号进行插补的处理相同，因此省略说明。主体控制部14通过在R像素以及G像素的位置进行对B图像信号进行插补的处理，能够在各像素30的位置得到B图像信号。
主体控制部14通过进行如上所述的颜色插补处理，而如图17(a)所示的那样在各像素30的位置得到RGB的图像信号。并且，主体控制部14使用各像素的位置处的RGB的图像信号而得到各像素30的位置处的亮度信号Y。例如，主体控制部14将0.299 R+0.587 G+0.114 B设为亮度信号Y。
另外，主体控制部14在各像素30的位置将从R图像信号减去亮度信号Y而得的信号(R-Y)作为色差信号Cr。主体控制部14在各像素30的位置将从B图像信号减去亮度信号Y而得的信号(B-Y)作为色差信号Cb。
该结果为，主体控制部14如图17(b)所示的那样，能够在各像素30的位置得到亮度信号Y以及色差信号Cr、Cb。主体控制部14使用如此得到的彩色图像信号(YCrCb)生成与第一图像信号生成处理以及第二图像信号生成处理相比高分辨率的记录用图像的文件。
<摄影处理>
图18是对主体控制部14所执行的摄影处理的流程进行说明的流程图。主体控制部14在对构成操作部件18的未图示的总开关进行接通操作的情况下，起动执行图18所例示的处理的程序。
在图18的步骤S11中，主体控制部14使摄像元件12以预定的帧频开始光电转换。主体控制部14在液晶显示元件16逐次重放显示基于来自下部光电转换层43的图像信号的取景图像，并且判定是否进行了摄影指示。取景图像是在摄影指示前取得的监视器用的图像。若对构成操作部件18的释放按钮进行按下操作，则主体控制部14对步骤S11进行肯定判定并前进至步骤S12。在没有对释放按钮进行按下操作的情况下，主体控制部14对步骤S11进行否定判定并前进至步骤S18。
步骤S18中，主体控制部14判定是否已到时间。在已经计时了预定时间(例如5秒)的情况下，主体控制部14对步骤S18进行肯定判定并结束图15的处理。在计时时间不足预定时间的情况下，主体控制部14对步骤S18进行否定判定并返回到步骤S11。
步骤S12中，主体控制部14进行AE(Automatic Exposure，自动曝光)处理以及AF(Automatic Focus，自动对焦)处理。在AE处理中，基于上述取景图像用的图像信号的电平而进行曝光运算，决定光圈值AV和快门速度TV以得到适当曝光。AF处理基于来自上部光电转换层41中所设定的焦点检测区中所包含的像素列的输出信号列，进行上述的焦点检测处理进而进行聚焦调节。主体控制部14在进行以上的AE、AF处理后前进至步骤S13。
步骤S13中，主体控制部14进行摄影处理并前进至步骤S14。具体来说，基于上述AV对光圈6进行控制，以基于上述TV的蓄积时间而使摄像元件12进行记录用的光电转换。步骤S14中，主体控制部14使用来自下部光电转换层43的输出信号进行上述的图像信号生成处理，针对所得到的图像信号进行预定的图像处理(灰度转换处理、轮廓强调处理、白平衡调整处理等)。主体控制部14在进行图像处理后前进至步骤S15。
步骤S15中，主体控制部14使液晶显示元件16显示摄影图像并前进至步骤S16。在步骤S16中，主体控制部14生成记录用的图像文件并前进至步骤S17。在步骤S17中，主体控制部14将图像文件记录到存储卡20并结束图18的处理。
根据以上说明的实施方式，能够得到以下的作用效果。
(1)数码相机系统1具备：摄像元件12，对通过了可换镜头2的被摄体光束所成的被摄体像进行摄像；主体控制部14，基于来自摄像元件12的输出信号而生成图像信号；以及主体控制部14，基于来自摄像元件12的输出信号而通过相位差检测方式对可换镜头2的焦点调节状态进行检测，摄像元件12具有：上部光电转换层41的像素群；接收通过了上部光电转换层41的各像素的被摄体光束的下部光电转换层43的像素群；以及配置成将被摄体光束引导至上部光电转换层41的像素群的微透镜群，上部光电转换层41的像素群中，分别具有相互不同的第一、第二及第三光谱灵敏度的Cy像素、Ye像素及Mg像素排列成二维状，在微透镜群的各微透镜40的背后，一个Cy像素、一个Ye像素及两个Mg像素配置成2行2列，这4个像素分别接收分别通过可换镜头2的出瞳的4个光瞳区域81～84的4个光束A～D，下部光电转换层43的像素群中，分别具有与上部光电转换层41的像素群的第一、第二及第三光谱灵敏度分别成补色关系的第四、第五及第六光谱灵敏度的R像素、B像素以及G像素排列成二维状，将上部光电转换层41的Cy像素、Ye像素及Mg像素的位置与下部光电转换层43的R像素、B像素及G像素的位置规定为，该R像素、B像素和G像素分别接收分别通过了Cy像素、Ye像素和Mg像素的光束，主体控制部14基于来自上部光电转换层41的像素群以及下部光电转换层43的像素群中的一方的像素群的输出信号而生成图像信号，主体控制部14基于来自上部光电转换层41的像素群以及下部光电转换层43的像素群中的另一方的像素群的输出信号而对焦点调节状态进行检测，因此能够在摄像元件12不设置焦点检测专用的像素而基于摄像元件12的输出信号而进行图像信号的生成以及相位差方式的焦点检测。
(2)在上述(1)的数码相机系统1中，上部光电转换层41的像素群中，Cy像素、Ye像素以及Mg像素配置成分别具有大致相同的光谱灵敏度的像素(即同色的像素)彼此在2行2列相邻，在该2行2列相邻的4像素分别配置在不同的4个微透镜40的背后，且配置成相对于微透镜40的位置分别不同，因此，能够不依赖于向微透镜40入射的光的入射角而对入射光束适当地进行光电转换。
(3)在上述(2)的数码相机系统1中，上部光电转换层41的像素群中，第一像素输出与Cy相关的输出信号，第二像素输出与Ye相关的输出信号，第三像素输出与Mg相关的输出信号，下部光电转换层43的像素群中，第四像素输出与Cy的补色相关的输出信号，第五像素输出与Ye的补色相关的输出信号，第六像素输出与Mg的补色相关的输出信号，因此能够从摄像元件12的输出信号取得红绿蓝的彩色图像信号。
(4)在上述(3)的数码相机系统1中，上部光电转换层41以及下部光电转换层43的像素群中，配置于一个微透镜40的背后的2行2列的4像素的组排列成二维状而形成，该组具有像素的配置分别不同的第一～第四组P1～P4，上部光电转换层41的像素群，在第一组P1中，在水平方向上相邻地配置Cy像素以及Mg像素，并且在铅垂方向与该Cy像素以及该Mg像素分别相邻地配置Mg像素以及Ye像素，在第二组P2中，在水平方向上相邻地配置Mg像素以及Cy像素，并且在铅垂方向与该Mg像素以及该Cy像素分别相邻地配置Ye像素以及Mg像素，在第三组P3中，在水平方向上相邻地配置Mg像素以及Ye像素，并且在铅垂方向与该Mg像素以及该Ye像素分别相邻地配置Cy像素以及Mg像素，在第四组P4中，在水平方向上相邻地配置Ye像素以及Mg像素，并且在铅垂方向与该Ye像素以及该Mg像素分别相邻地配置Mg像素以及Cy像素，第一组P1以及第二组P2在水平方向上相邻，且在水平方向上交替地重复排列，第三组P3以及第四组P4在水平方向上相邻，且在水平方向上交替地重复排列，由第一组P1和第二组P2形成的第一列L1与由第三组和第四组形成的第二列L2在铅垂方向上相邻，且以在铅垂方向上交替地重复排列，因此能够基于摄像元件12的输出信号而进行相位差方式的焦点检测，并且能够进行上述第一～第三图像信号处理中的任一个。
(5)在上述(2)～(4)的数码相机系统1中，主体控制部14对来自在2行2列相互相邻的4个R像素的输出信号进行加法运算，对来自以2行2列的形式相邻的4个B像素的输出信号进行加法运算，对来自在2行2列相互相邻的4个G像素的输出信号进行加法运算，从而生成拜尔阵列的图像信号(即进行上述第二图像信号生成处理)，因此能够不依赖于向微透镜40入射的光的入射角而生成适当的图像信号。此外，在颜色插补处理中，能够使用进行拜尔阵列中的颜色插补处理的现有的图像处理引擎。
(6)在上述(1)～(4)的数码相机系统1中，主体控制部14基于来自位于各微透镜的背后的R像素、B像素以及G像素的输出信号，取得各微透镜40位置处的3个颜色信号(即进行上述第一图像信号生成处理)，因此能够不进行颜色插补处理地取得彩色的图像信号。
(7)在上述(1)～(4)的数码相机系统1中，主体控制部14在R像素、B像素及G像素的各像素位置，进行生成其他2个光谱成分的信号的颜色插补处理，从而取得3个颜色信号，并基于3个颜色信号生成亮度信号以及色差信号(即进行上述第三图像信号生成处理)，因此能够取得高分辨率的图像信号。
(8)在上述(1)～(7)的数码相机系统1中，主体控制部14基于来自上部光电转换层41的像素群中具有大致相同的光谱灵敏度且相对于微透镜40的位置不同的一对像素的输出信号，对可换镜头2的焦点调节状态进行检测，因此能够基于来自摄像元件12的输出信号，适当地通过相位差方式对焦点调节状态进行检测。
(9)在上述(4)的数码相机系统1中，主体控制部14基于来自上部光电转换层41的像素群中第一组P1和第二组P2分别所包含的Mg像素的输出信号，在水平方向上对可换镜头2的焦点调节状态进行检测，因此能够适当地通过相位差方式对焦点调节状态进行检测。
(10)在上述(4)的数码相机系统1中，主体控制部14基于来自上部光电转换层41的像素群中第二组P2和第四组P4分别包含的Mg像素的输出信号，在铅垂方向上对摄影光学系统的焦点调节状态进行检测，因此能够适当地通过相位差方式对焦点调节状态进行检测。
(11)在上述(4)的数码相机系统1中，主体控制部14基于来自上部光电转换层41的像素群中第二组P2和第三组P3分别包含的Mg像素的输出信号，在相对于水平方向倾斜的的方向上对可换镜头2的焦点调节状态进行检测，因此，能够适当地通过相位差方式对焦点调节状态进行检测。
(变形例1)
在上述实施方式中，使用来自上部光电转换层41的Mg像素的输出信号进行焦点检测处理，但是也可以使用来自Cy像素、Ye像素的输出信号进行焦点检测处理。
变形例1的主体控制部14构成为使用来自上部光电转换层41的输出信号来求取评价值。该评价值是例如针对Mg像素、Cy像素、Ye像素的每一个的输出信号的累计值。在Mg像素中的该累计值较低的情况下，有可能利用来自Mg像素的输出信号不能够适当地计算散焦量。因此，变形例1的主体控制部14在Mg像素中的该累计值是预定阈值以下的情况下，使用Cy像素以及Ye像素中该累计值中的比较大的一方来进行上述焦点检测处理。由此，即使在对Mg成分较少的被摄体进行摄影的情况下，也能够适当地进行焦点检测处理。
(变形例2)
上述的实施方式中，使用第一～第三图像信号生成处理中通过预先初始设定而被指示的处理来生成记录用的图像信号，但是不限于此。
例如，变形例2的主体控制部14在显示取景图像的情况下，选择不进行颜色插补处理就能够生成图像信号的第一图像信号生成处理，并使用所选择的第一图像信号生成处理生成图像信号。另一方面，对于记录用的图像，选择能够生成高分辨率的图像信号的第三图像信号生成处理，并使用所选择的第三图像信号生成处理生成图像信号。如此，变形例2的主体控制部14在生成图像信号时，通过选择第一、第二和第三图像信号生成处理中的某一个，例如能够在希望实时地显示图像的情况下选择无需进行颜色插补处理的第一图像信号生成处理、在希望以高画质记录图像的情况下选择第三图像信号处理等选择适合于所生成的图像的用途的图像信号生成处理。
另外，主体控制部14也可以对于动态图像利用第一或者第二图像信号生成处理生成图像信号，对于静止画面像利用第三图像信号生成处理生成图像信号。
另外，主体控制部14例如也可以使用第一以及第二图像信号生成处理这两方来生成图像信号。该情况下的主体控制部14使背面显示装置(未图示)显示例如通过第一图像信号生成处理生成的图像、以及通过第二图像信号生成处理生成的图像双方。主体控制部14将所显示的2个图像中用户通过操作部件18而选择的图像记录于存储卡20。
(变形例3)
在上述实施方式中，基于来自上部光电转换层41中由第一组P1所包含的Mg像素(Mg-b)和第二组P2所包含的Mg像素(Mg-a)构成的像素列90的输出信号列，求取水平方向上的散焦量，但是不限于此。也可以基于由第三组P3所包含的Mg像素(Mg-d)和第四组P4所包含的Mg像素(Mg-c)构成的像素列来求取水平方向上的散焦量，也可以基于该像素列和像素列90双方来求取水平方向上的散焦量。
另外，在上述实施方式中，基于来自由第二组P2所包含的Mg像素(Mg-a)和第四组P4所包含的Mg像素(Mg-c)构成的像素列120的输出信号列，求取铅垂方向上的散焦量，但是不限于此。也可以基于由第一组P1所包含的Mg像素(Mg-b)和第三组P3所包含的Mg像素(Mg-d)构成的像素列来求取铅垂方向上的散焦量，也可以基于该像素列和像素列120双方来求取铅垂方向上的散焦量。
另外，在上述实施方式中，基于来自由第二组P2所包含的Mg像素(Mg-a)和(Mg-d)、以及第三组P3所包含的Mg像素(Mg-a)和(Mg-d)构成的像素列150的输出信号列，来求取倾斜方向上的散焦量，但是也可以不限于此。也可以基于由第一组P1所包含的Mg像素(Mg-b)和(Mg-c)、以及第四组P4所包含的Mg像素(Mg-b)和(Mg-c)构成的像素列来求取倾斜方向上的散焦量，也可以基于该像素列和像素列150双方来求取倾斜方向上的散焦量。
(变形例4)
在上述实施方式中，在上部光电转换层41中设置Mg像素、Cy像素以及Ye像素，在下部光电转换层43中设置G像素、R像素以及B像素。但是，也可以作为对此的替代，而在上部光电转换层中设置G像素、R像素以及B像素，在下部光电转换层中设置Mg像素、Cy像素以及Ye像素。
(变形例5)
在上述实施方式中，将本发明应用于在相机主体3安装可换镜头2的结构的数码相机系统1，但是也可以不限于此。例如，也能够将本发明应用于镜头一体型的数码相机。
以上的说明只是一例，并非对上述实施方式的结构进行任何的限定。另外，在上述实施方式中适当组合各变形例的结构也无妨。
上面对各种实施方式以及变形例进行了说明，但是本发明不限于这些内容。在本发明的技术思想的范围内考虑的其他方式也包含于本发明的范围内。
将以下的优先权基础申请的公开内容作为引用文援引至此。
日本国专利申请2012年第081165号(2012年3月30日申请)

Claims (13)

1.一种摄像装置，其特征在于，
具备：摄像元件，对通过了摄像光学系统的被摄体光束所成的被摄体像进行摄像；
图像生成部，基于来自所述摄像元件的输出信号而生成图像信号；以及
焦点检测部，基于来自所述摄像元件的输出信号，通过相位差检测方式对所述摄像光学系统的焦点调节状态进行检测，
所述摄像元件具有：上层的像素群；接收通过了所述上层的各像素的所述被摄体光束的下层的像素群；以及配置成将所述被摄体光束引导至所述上层的像素群的微透镜群，
所述上层的像素群中，分别具有相互不同的第一光谱灵敏度、第二光谱灵敏度及第三光谱灵敏度的第一像素、第二像素及第三像素排列成二维状，在所述微透镜群的各微透镜的背后，一个所述第一像素、一个所述第二像素及两个所述第三像素配置成2行2列，这4个像素分别接收分别通过所述摄像光学系统的出瞳的4个光瞳区域的4个光束，
所述下层的像素群中，分别具有与所述上层的像素群的所述第一光谱灵敏度、第二光谱灵敏度及第三光谱灵敏度分别成补色关系的第四光谱灵敏度、第五光谱灵敏度及第六光谱灵敏度的第四像素、第五像素及第六像素排列成二维状，
将所述上层的第一像素、第二像素及第三像素的位置与所述下层的第四像素、第五像素及第六像素的位置规定为，该第四像素、第五像素及第六像素分别接收分别通过了所述第一像素、第二像素及第三像素的光束，
所述图像生成部基于来自所述上层的像素群和所述下层的像素群中的一方的像素群的输出信号而生成所述图像信号，
所述焦点检测部基于来自所述上层的像素群和所述下层的像素群中的另一方的像素群的输出信号而对所述焦点调节状态进行检测。
2.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
所述上层的像素群中，所述第一像素、第二像素及第三像素配置成分别具有大致相同的光谱灵敏度的像素彼此在2行2列相邻，该在2行2列相邻的4像素分别配置在不同的4个所述微透镜的背后，且配置成相对于所述微透镜的位置分别不同。
3.根据权利要求2所述的摄像装置，其特征在于，
所述上层的像素群中，所述第一像素输出与青色相关的输出信号，所述第二像素输出与黄色相关的输出信号，所述第三像素输出与品红色相关的输出信号，
所述下层的像素群中，所述第四像素输出与所述青色的补色相关的输出信号，所述第五像素输出与所述黄色的补色相关的输出信号，所述第六像素输出与所述品红色的补色相关的输出信号。
4.根据权利要求3所述的摄像装置，其特征在于，
所述上层以及所述下层的像素群中，配置于一个所述微透镜的背后的2行2列的4像素的组排列成二维状而形成，所述组具有像素的配置分别不同的第一组～第四组，
所述上层的像素群，
在所述第一组中，在预定的排列方向上相邻地配置所述第一像素以及所述第三像素，并且在与所述预定的排列方向垂直的方向上与该第一像素以及该第三像素分别相邻地配置所述第三像素以及所述第二像素，
在所述第二组中，在所述预定的排列方向上相邻地配置所述第三像素以及所述第一像素，并且在所述垂直方向上与该第三像素以及该第一像素分别相邻地配置所述第二像素以及所述第三像素，
在所述第三组中，在所述预定的排列方向上相邻地配置所述第三像素以及所述第二像素，并且在所述垂直方向上与该第三像素以及该第二像素分别相邻地配置所述第一像素以及所述第三像素，
在所述第四组中，在所述预定的排列方向上相邻地配置所述第二像素以及所述第三像素，并且在所述垂直方向上与该第二像素以及该第三像素分别相邻地配置所述第三像素以及所述第一像素，
所述第一组以及第二组在所述预定的排列方向上相邻，且在所述预定的排列方向上交替地重复排列，所述第三组以及第四组在所述预定的排列方向上相邻，且在所述预定的排列方向上交替地重复排列，由所述第一组和第二组形成的第一列与由所述第三组和第四组形成的第二列在所述垂直方向上相邻，且在所述垂直方向上交替地重复排列。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的摄像装置，其特征在于，
所述图像生成部对来自在2行2列相互相邻的4个所述第四像素的输出信号进行加法运算，对来自以2行2列的形式相邻的4个所述第五像素的输出信号进行加法运算，对来自在2行2列相互相邻的4个所述第六像素的输出信号进行加法运算，从而生成拜尔阵列的图像信号。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的摄像装置，其特征在于，
所述图像生成部基于来自位于各微透镜的背后的所述第四像素、第五像素及第六像素的输出信号，取得各微透镜位置处的3个颜色信号。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的摄像装置，其特征在于，
所述图像生成部在所述第四～第六的各像素位置，进行生成其他2个光谱成分的信号的颜色插补处理，从而取得3个颜色信号，并基于所述3个颜色信号生成亮度信号以及色差信号。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的摄像装置，其特征在于，
所述焦点检测部基于来自所述上层或者下层的像素群中具有大致相同的光谱灵敏度且相对于所述微透镜的位置不同的一对像素的输出信号，对所述摄像光学系统的焦点调节状态进行检测。
9.根据权利要求4所述的摄像装置，其特征在于，
所述焦点检测部基于来自所述上层的像素群中所述第一组和所述第二组分别包含的所述第三像素、以及所述第三组和所述第四组分别包含的所述第三像素中至少一方的第三像素的输出信号，在所述预定的排列方向上对所述摄像光学系统的焦点调节状态进行检测。
10.根据权利要求4所述的摄像装置，其特征在于，
所述焦点检测部基于来自所述上层的像素群中所述第一组和所述第三组分别包含的所述第三像素、以及所述第二组和所述第四组分别包含的所述第三像素中的至少一方的第三像素的输出信号，在所述垂直方向上对所述摄像光学系统的焦点调节状态进行检测。
11.根据权利要求4所述的摄像装置，其特征在于，
所述焦点检测部基于来自所述上层的像素群中所述第一组和所述第四组分别包含的所述第三像素、以及所述第二组和所述第三组分别包含的所述第三像素中的至少一方的第三像素的输出信号，在相对于所述预定的排列方向倾斜的方向上对所述摄像光学系统的焦点调节状态进行检测。
12.一种摄像元件，其特征在于，具备：
第一摄像部，具有排列成二维状的多个微透镜和设置于每个所述微透镜并吸收预定波长的光而使所述预定波长以外的光透过的多个光接收部；以及
第二摄像部，接收透过了所述第一摄像部的光。
13.根据权利要求12所述的摄像元件，其特征在于，
所述第一摄像部中，设置于所述多个微透镜中的相邻的2个所述微透镜且吸收相同的所述预定波长的光的光接收部相邻地配置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109246400A (zh) * 2012-03-30 2019-01-18 株式会社尼康 拍摄元件及拍摄装置
CN109788891A (zh) * 2016-10-21 2019-05-21 奥林巴斯株式会社 内窥镜镜体、内窥镜处理器和内窥镜用适配器
US10692904B2 (en) 2015-03-13 2020-06-23 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state image sensing device, drive method, and electronic apparatus
CN111464733A (zh) * 2020-05-22 2020-07-28 Oppo广东移动通信有限公司 控制方法、摄像头组件和移动终端
CN112740090A (zh) * 2018-07-20 2021-04-30 株式会社尼康 焦点检测装置、拍摄装置以及可更换镜头

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9826183B2 (en) * 2012-03-30 2017-11-21 Nikon Corporation Image-capturing device and image sensor
CN104838646B (zh) * 2012-12-07 2016-11-23 富士胶片株式会社 图像处理装置、图像处理方法、程序及记录介质
TWI620445B (zh) * 2013-03-25 2018-04-01 Sony Corp 攝像元件及電子機器
JP6368993B2 (ja) * 2013-07-24 2018-08-08 株式会社ニコン 撮像装置
JP6397281B2 (ja) * 2013-10-23 2018-09-26 キヤノン株式会社 撮像装置、その制御方法およびプログラム
JP6458343B2 (ja) * 2014-02-27 2019-01-30 株式会社ニコン 撮像装置
JP6408372B2 (ja) * 2014-03-31 2018-10-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及びその駆動制御方法、並びに、電子機器
JP2016058559A (ja) 2014-09-10 2016-04-21 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器
US9967501B2 (en) 2014-10-08 2018-05-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device
JP6541503B2 (ja) * 2015-08-11 2019-07-10 キヤノン株式会社 撮像装置、画像処理装置、画像処理方法およびプログラム
CN108780798A (zh) * 2016-01-08 2018-11-09 株式会社尼康 摄像元件及摄像装置
JP6782431B2 (ja) * 2016-01-22 2020-11-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置
CN112788225B (zh) 2016-01-29 2023-01-20 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
US10714520B1 (en) * 2017-08-04 2020-07-14 Facebook Technologies, Llc Manufacturing an on-chip microlens array
US11120082B2 (en) 2018-04-18 2021-09-14 Oracle International Corporation Efficient, in-memory, relational representation for heterogeneous graphs
JP6766095B2 (ja) * 2018-06-08 2020-10-07 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、移動体、および積層用の半導体基板
CN109905681B (zh) * 2019-02-01 2021-07-16 华为技术有限公司 图像传感器、从其获取图像数据的方法及摄像设备
CN115280766B (zh) * 2020-03-06 2024-05-03 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、成像装置、电子设备、图像处理系统及信号处理方法
JP7474129B2 (ja) 2020-06-22 2024-04-24 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置、及び焦点検出方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6958862B1 (en) * 2003-04-21 2005-10-25 Foveon, Inc. Use of a lenslet array with a vertically stacked pixel array
CN1816915A (zh) * 2003-05-08 2006-08-09 微米技术有限公司 用于图像传感器或显示单元的多微透镜系统
JP2007317951A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Nikon Corp 光検出素子および撮像装置
US20110317048A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Aptina Imaging Corporation Image sensor with dual layer photodiode structure

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59108457A (ja) * 1982-12-14 1984-06-22 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像素子
BR9906708A (pt) 1998-08-19 2002-02-13 Thetrustees Of Princeton Unive Dispositivo optoeletrÈnico fotossensìvel orgânico
JP2001021792A (ja) 1999-07-09 2001-01-26 Olympus Optical Co Ltd 焦点検出システム
JP4264248B2 (ja) 2002-11-19 2009-05-13 富士フイルム株式会社 カラー固体撮像装置
US7742088B2 (en) 2002-11-19 2010-06-22 Fujifilm Corporation Image sensor and digital camera
JP2004200902A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Nikon Corp 画像処理装置、電子カメラ、及び画像処理プログラム
JP4500706B2 (ja) 2005-02-23 2010-07-14 富士フイルム株式会社 光電変換膜積層型固体撮像素子
KR100665177B1 (ko) * 2005-05-25 2007-01-09 삼성전기주식회사 반도체 감광 디바이스용 이미지 센서 및 이를 이용한이미지 처리 장치
JP2007011070A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Olympus Imaging Corp デジタル一眼レフカメラ
JP2007067075A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> カラー撮像素子
US7419844B2 (en) 2006-03-17 2008-09-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Real-time CMOS imager having stacked photodiodes fabricated on SOI wafer
US7711261B2 (en) 2006-04-11 2010-05-04 Nikon Corporation Imaging device, camera and image processing method
JP4935162B2 (ja) 2006-04-11 2012-05-23 株式会社ニコン 撮像装置、カメラおよび画像処理方法
JP2007324405A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Fujifilm Corp 固体撮像素子
JP4867552B2 (ja) 2006-09-28 2012-02-01 株式会社ニコン 撮像装置
JP4321579B2 (ja) 2006-11-28 2009-08-26 ソニー株式会社 撮像装置
US7676146B2 (en) 2007-03-09 2010-03-09 Eastman Kodak Company Camera using multiple lenses and image sensors to provide improved focusing capability
US7859588B2 (en) 2007-03-09 2010-12-28 Eastman Kodak Company Method and apparatus for operating a dual lens camera to augment an image
JP2008258474A (ja) 2007-04-06 2008-10-23 Sony Corp 固体撮像装置および撮像装置
JP5040458B2 (ja) * 2007-06-16 2012-10-03 株式会社ニコン 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
CN101345248B (zh) 2007-07-09 2010-07-14 博立码杰通讯(深圳)有限公司 多光谱感光器件及其制作方法
EP2181349B1 (en) 2007-08-06 2019-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus
JP5171178B2 (ja) 2007-09-13 2013-03-27 富士フイルム株式会社 イメージセンサ及びその製造方法
JP2009099867A (ja) 2007-10-18 2009-05-07 Fujifilm Corp 光電変換素子及び撮像素子
JP5032954B2 (ja) 2007-11-27 2012-09-26 日本放送協会 カラー撮像装置
US8106426B2 (en) 2008-02-04 2012-01-31 Sharp Laboratories Of America, Inc. Full color CMOS imager filter
JP5298638B2 (ja) 2008-02-14 2013-09-25 株式会社ニコン 画像処理装置、撮像装置、補正係数算出方法及び画像処理プログラム
WO2009104417A1 (ja) 2008-02-22 2009-08-27 パナソニック株式会社 撮像装置
JP5058128B2 (ja) * 2008-10-31 2012-10-24 シャープ株式会社 撮像装置及び携帯機器
TWI422020B (zh) * 2008-12-08 2014-01-01 Sony Corp 固態成像裝置
JP5359465B2 (ja) * 2009-03-31 2013-12-04 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置
JP5246424B2 (ja) 2009-05-11 2013-07-24 ソニー株式会社 撮像装置
JP5428509B2 (ja) * 2009-05-11 2014-02-26 ソニー株式会社 ２次元固体撮像装置、及び、２次元固体撮像装置における偏光光データ処理方法
JP5671789B2 (ja) 2009-08-10 2015-02-18 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置
JP5537905B2 (ja) * 2009-11-10 2014-07-02 富士フイルム株式会社 撮像素子及び撮像装置
KR101709941B1 (ko) 2009-12-02 2017-02-27 삼성전자주식회사 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치, 및 이미지 센서 제조 방법
KR101643610B1 (ko) 2010-01-18 2016-07-29 삼성전자주식회사 디지털 촬영장치 및 방법
KR101688523B1 (ko) 2010-02-24 2016-12-21 삼성전자주식회사 적층형 이미지 센서
JP5552858B2 (ja) 2010-03-26 2014-07-16 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器
JP5521854B2 (ja) 2010-07-26 2014-06-18 コニカミノルタ株式会社 撮像装置及び画像入力装置
JP5676988B2 (ja) 2010-09-14 2015-02-25 キヤノン株式会社 焦点調節装置
US8742309B2 (en) * 2011-01-28 2014-06-03 Aptina Imaging Corporation Imagers with depth sensing capabilities
JP2012195921A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
US20130113967A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-09 Honeywell International Inc. Doing Business As (D.B.A.) Honeywell Scanning & Mobility Apparatus comprising image sensor array having global shutter shared by a plurality of pixels
JP5556823B2 (ja) 2012-01-13 2014-07-23 株式会社ニコン 固体撮像装置および電子カメラ
US8569700B2 (en) 2012-03-06 2013-10-29 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor for two-dimensional and three-dimensional image capture
US9826183B2 (en) * 2012-03-30 2017-11-21 Nikon Corporation Image-capturing device and image sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6958862B1 (en) * 2003-04-21 2005-10-25 Foveon, Inc. Use of a lenslet array with a vertically stacked pixel array
CN1816915A (zh) * 2003-05-08 2006-08-09 微米技术有限公司 用于图像传感器或显示单元的多微透镜系统
JP2007317951A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Nikon Corp 光検出素子および撮像装置
US20110317048A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Aptina Imaging Corporation Image sensor with dual layer photodiode structure

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109246400A (zh) * 2012-03-30 2019-01-18 株式会社尼康 拍摄元件及拍摄装置
CN109246400B (zh) * 2012-03-30 2021-02-19 株式会社尼康 拍摄元件及拍摄装置
US10692904B2 (en) 2015-03-13 2020-06-23 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state image sensing device, drive method, and electronic apparatus
CN109788891A (zh) * 2016-10-21 2019-05-21 奥林巴斯株式会社 内窥镜镜体、内窥镜处理器和内窥镜用适配器
CN112740090A (zh) * 2018-07-20 2021-04-30 株式会社尼康 焦点检测装置、拍摄装置以及可更换镜头
CN112740090B (zh) * 2018-07-20 2022-08-12 株式会社尼康 焦点检测装置、拍摄装置以及可更换镜头
CN111464733A (zh) * 2020-05-22 2020-07-28 Oppo广东移动通信有限公司 控制方法、摄像头组件和移动终端
CN111464733B (zh) * 2020-05-22 2021-10-01 Oppo广东移动通信有限公司 控制方法、摄像头组件和移动终端

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