CN104201108B - SiGe源/漏区的制造方法 - Google Patents
SiGe源/漏区的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104201108B CN104201108B CN201410428604.6A CN201410428604A CN104201108B CN 104201108 B CN104201108 B CN 104201108B CN 201410428604 A CN201410428604 A CN 201410428604A CN 104201108 B CN104201108 B CN 104201108B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sige
- layer
- drain region
- body layer
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 16
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 19
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 10
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N [[(2r,3s,4r,5r)-5-(6-aminopurin-9-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methoxy-hydroxyphosphoryl] [(2r,3s,4r,5r)-5-(4-carbamoyl-1,3-thiazol-2-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methyl hydrogen phosphate Chemical compound NC(=O)C1=CSC([C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](COP(O)(=O)OP(O)(=O)OC[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@@H](O3)N3C4=NC=NC(N)=C4N=C3)O)O2)O)=N1 INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
Abstract
本发明公开了一种SiGe源/漏区的制造方法,采用多次缓冲层、主体层交替SiGe外延生长的方法,形成具有缓冲层和主体层交替层叠的多层结构,有效降低了高Ge浓度SiGe主体层厚度,分摊至每一层主体层中,避免了其厚度超过临界厚度造成的应力驰豫;并且通过进一步提高每一层SiGe主体层的Ge含量,使SiGe源漏对沟道的应力增加;本发明的多次外延使SiGe工艺窗口变大,增强了工艺稳定性,从而提升器件性能;本发明能有效提高应力但有不增加工艺难度,工艺稳定可控,成本低廉。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造工艺技术领域,尤其涉及一种SiGe源/漏区的制造方法。
背景技术
随着半导体集成电路的发展,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)尺寸的减小,不断地改进了集成电路的速度、性能、密度和功能单位成本。进入90nm工艺时代后,随着集成电路器件尺寸的大幅度减少,源/漏极(elevatedsource/drain)的结深越来越浅,需要采用选择性外延技术(selective epi SiGe,缩写SEG)以增厚源/漏极来作为后续硅化(silicide)反应的牺牲层(sacrificial layer),从而降低串联电阻。
而对于65/45nm技术工艺,一种提升PMOS晶体管性能的方法是:刻蚀PMOS源/漏极形成源/漏区凹槽(即源/漏区U or Sigma shape,“U”或“Σ”形状),然后在源/漏区(S/D)凹槽内部外延SiGe层来引入对沟道的压应力(compressive stress),这种应力使得半导体晶体晶格发生畸变(拉伸或压缩),生成沟道区域内的单轴应力(uniaxial stress),进而影响能带排列和半导体的电荷输送性能,通过控制在最终器件中的应力的大小和分布,提高空穴(hole)的迁移率(mobility),从而改善器件的性能。
嵌入式锗硅源漏技术(embedded SiGe,缩写eSiGe)是一种用来提高PMOS性能的应变硅技术。它是通过在沟道中产生单轴压应力来增加PMOS的空穴迁移率,从而提高晶体管的电流驱动能力,是45nm及以下技术代高性能工艺中的核心技术。其原理是通过在Si上刻蚀出凹槽作为源/漏区,在凹槽中选择性地外延生长SiGe层,利用SiGe晶格常数与Si不匹配,使沿沟道方向的Si受到压缩产生压应力,从而提高了沟道Si中的空穴迁移率。
目前主要采用选择性外延SiGe(selective epi SiGe,SEG)的方法在PMOS的源/漏区域(PSD)直接外延SiGe薄膜。图1和图2显示了该现有技术的制造方法,其包括:提供形成有栅极205的N型衬底201,所述栅极205具有牺牲层204保护,在栅极205和浅沟道隔离STI202之间的衬底201上刻蚀出将要形成源漏的凹槽203;用SEG方法外延SiGe薄膜206,形成具有SiGe的PMOS源/漏区。其中,用SEG方法外延SiGe薄膜包括,先外延低Ge浓度SiGe缓冲层207(Seed layer),然后外延一层高Ge浓度的SiGe主体层208(Bulk layer),最后外延一层Si盖帽层209(Si cap),如图3所示,最终形成具有SiGe的PMOS源/漏区。
然而,随着技术节点逐渐变小,希望空穴迁移率进一步提升即对沟道的压应力继续增加。一种方法是将SiGe薄膜中的Ge含量提高,使SiGe薄膜对沟道产生的压应力增加。但是,Ge含量的提高会使SiGe的临界厚度越来越薄,使SiGe外延工艺的工艺窗口越来越小;而且,较厚的SiGe主体层中的缺陷会急剧增加,导致应力驰豫,沟道受到的压应力降低,空穴迁移率减小,器件性能变差。另一种方法是采用Sigma形的源漏凹槽(Σ型),缩短沟道长度,使SiGe对沟道应力的影响增强。但是此方法加大了凹槽的刻蚀和SiGe外延工艺的难度,工艺稳定性降低,器件良率下降。
因此,亟需提供一种在不增加工艺难度的前提下,能有效提高对沟道应力的SiGe源漏的制备方法。
发明内容
本发明的目的在于弥补上述现有技术的不足,提供一种SiGe源/漏区的制造方法,可以在不增加工艺难度的前提下,能有效提高对沟道应力。
为实现上述目的,本发明提供一种SiGe源/漏区的制造方法,其包括以下步骤:
步骤S01,提供形成有栅极的N型晶片硅衬底,并在该硅衬底上刻蚀出将要形成源/漏区的凹槽;
步骤S02,在该凹槽中外延生长SiGe缓冲层;
步骤S03,在该缓冲层上外延生长SiGe主体层,该主体层中的含Ge浓度高于缓冲层;
步骤S04,重复至少一次步骤S02至步骤S03,形成具有缓冲层和主体层交替层叠的多层结构;
步骤S05,在步骤S04形成的多层结构上外延生长Si盖帽层,形成具有SiGe的PMOS源/漏区。
进一步地,步骤S04形成的多层结构包括间隔的多层缓冲层和多层主体层,该多层主体层中最上层主体层的厚度不小于其下方的其他主体层和/或含Ge浓度不低于其下方的其他主体层。
进一步地,该多层主体层中最上层主体层的厚度大于其下方的其他主体层,并且其含Ge浓度大于其下方的其他主体层。
进一步地,该多层缓冲层中最下层缓冲层的厚度不小于其上方的其他缓冲层,并且其含Ge浓度不大于其上方的其他缓冲层。
进一步地,该多层缓冲层中最下层缓冲层的厚度不小于
进一步地,该缓冲层中的含Ge浓度为10-25%,该主体层中的含Ge浓度为25-60%。
进一步地,该缓冲层的厚度为SiGe源/漏区高度的1/10-1/4,该主体层的厚度为SiGe源/漏区高度的1/8-1/3,并且所有主体层的厚度总和不小于所有缓冲层的厚度总和。
进一步地,步骤S04中重复次数为1-4次。
进一步地,该缓冲层中的掺杂B浓度为0-1×1019cm-3,该主体层中的掺杂B浓度为1×1019-5×1021cm-3。
进一步地,步骤S02和步骤S03中外延生长的工艺温度为400-750℃。
本发明提供的SiGe源/漏区的制造方法,采用多次缓冲层、主体层交替SiGe外延生长的方法,形成具有缓冲层和主体层交替层叠的多层结构,有效降低了高Ge浓度SiGe主体层厚度,分摊至每一层主体层中,避免了其厚度超过临界厚度造成的应力驰豫;并且通过进一步提高每一层SiGe主体层的Ge含量,使SiGe源漏对沟道的应力增加;本发明的多次外延使SiGe工艺窗口变大,增强了工艺稳定性,从而提升器件性能;本发明能有效提高应力但有不增加工艺难度,工艺稳定可控,成本低廉。
附图说明
为能更清楚理解本发明的目的、特点和优点,以下将结合附图对本发明的较佳实施例进行详细描述,其中:
图1至图3是现有技术中SiGe源/漏区制造方法的示意图;
图4是本发明第一实施例SiGe源/漏区的制造方法的流程示意图;
图5a至图5h是本发明第二实施例SiGe源/漏区的制造方法各步骤的器件剖视图;
图6是现有方法制得SiGe源/漏区的应力仿真示意图;
图7是本发明第二实施例制得SiGe源/漏区的应力仿真示意图;
图8是现有方法制得SiGe源/漏区的横向应力Sxx分布图;
图9是本发明第二实施例制得SiGe源/漏区的横向应力Sxx分布图;
图10是现有方法和本发明第二实施例制得SiGe源/漏区的沟道应力对比图。
具体实施方式
第一实施例
请参阅图4,本实施例SiGe源/漏区的制造方法包括以下步骤:
步骤S01,提供形成有栅极的N型晶片硅衬底,并在该硅衬底上刻蚀出将要形成源/漏区的凹槽;
步骤S02,在该凹槽中外延生长SiGe缓冲层;
步骤S03,在该缓冲层上外延生长SiGe主体层,该主体层中的含Ge浓度高于缓冲层;
步骤S04,重复一次步骤S02至步骤S03,即在步骤S03生长的主体层之上再生长一层缓冲层和主体层,形成具有缓冲层和主体层交替层叠的多层结构;
步骤S05,在步骤S04形成的多层结构上外延生长Si盖帽层,形成具有SiGe的PMOS源/漏区。
本实施例采用多次缓冲层、主体层交替SiGe外延生长的方法,形成具有缓冲层和主体层交替层叠的多层结构,有效降低了每层高Ge浓度SiGe主体层厚度,分摊至每一层主体层中,避免了其厚度超过临界厚度(即保持材料热稳定性的最大厚度。当SiGe薄膜小于临界厚度,外延层应力保持,晶体质量完好;当SiGe薄膜厚度超出临界厚度,由于应力过大,会在SiGe外延层中形成大量的位错dislocation,应力被释放,恶化SiGe单晶的质量)造成的应力驰豫;并且通过进一步提高每一层SiGe主体层的Ge含量,使SiGe源漏对沟道的应力增加;本发明的多次外延使SiGe工艺窗口变大,增强了工艺稳定性,从而提升器件性能;本发明能有效提高应力但有不增加工艺难度,工艺稳定可控,成本低廉。
第二实施例
请参阅图5a至图5h,本实施例SiGe源/漏区的制造方法包括以下步骤:
步骤S01,如图5a所示,提供形成有栅极304的N型晶片硅衬底301,该栅极304具有牺牲层保护,并在栅极304和浅沟道隔离STI 302之间的硅衬底301上刻蚀出将要形成源/漏区的凹槽303;其中,凹槽303的深度为
步骤S02,如图5b所示,采用低温外延方法,在凹槽303中沉积第一缓冲层(SiGe薄膜)305;其中,第一缓冲层含Ge浓度为20%,厚度为
步骤S03,如图5c所示,采用低温外延方法,在第一缓冲层305上沉积第一主体层(SiGe薄膜)306;其中,第一主体层含Ge浓度为50%,厚度为B掺杂浓度5e19cm-3;
步骤S04,如图5d所示,采用低温外延方法,在第一主体层306上沉积第二缓冲层307;其中,第二缓冲层含Ge浓度为20%,厚度为
步骤S05,如图5e所示,采用低温外延方法,在第二缓冲层307上沉积第二主体层308;其中,第二主体层含Ge浓度为50%,厚度为B掺杂浓度5e19cm-3;
步骤S06,如图5f所示,采用低温外延方法,在第二主体层308上沉积第三缓冲层309;其中,第三缓冲层含Ge浓度为20%,厚度为
步骤S07,如图5g所示,采用低温外延方法,在第三缓冲层309上沉积第三主体层310;其中,第三主体层含Ge浓度为50%,厚度为B掺杂浓度5e19cm-3;
步骤S08,在步骤S07形成的多层结构上,采用低温外延方法沉积Si盖帽层(薄膜)311,形成具有SiGe的PMOS源/漏区,其中,Si盖帽层厚度为B掺杂浓度5e20cm-3。
在本实施例中,步骤S07后形成了包括间隔的多层缓冲层和多层主体层的多层结构,该多层主体层中最上层主体层,即第三主体层310的厚度较佳地为不小于其下方的第二主体层和第一主体层,其含Ge浓度较佳地不低于其下方的第二主体层和第一主体层,这是因为第三主体层最靠近沟道,对沟道的应力贡献最大,最大厚度和/或最高Ge浓度的主体层可以最大程度增加对沟道的应力;更佳地,该第三主体层的厚度大于其下方的其他主体层,并且其含Ge浓度大于其下方的其他主体层。另一方面,可以进一步提高主体层的含Ge量,来增加对沟道的应力,但其厚度必须控制在临界厚度之下。根据实际需要,每层主体层的厚度和Ge含量可以进行调节。
在本实施例中,该多层缓冲层中最下层缓冲层,即第一缓冲层305的厚度较佳地为不小于其上方的第二缓冲层和第三缓冲层,其含Ge浓度较佳地不大于其上方的第二缓冲层和第三缓冲层,以防止B(硼)的扩散进入沟道影响器件开关特性;更佳地,该第一缓冲层的厚度不小于根据实际需要,每层缓冲层的厚度和Ge含量可以进行调节。
其中,每层缓冲层中的含Ge浓度较佳地为10-25%,每层主体层中的含Ge浓度较佳地为25-60%。每层缓冲层的厚度较佳地为SiGe源/漏区高度的1/10-1/4,每层主体层的厚度较佳地为SiGe源/漏区高度的1/8-1/3,可根据实际需要进行调节,并且所有主体层的厚度总和不小于所有缓冲层的厚度总和,以增加主体层对沟道应力的贡献。
本实施例中,缓冲层和主体层外延生长的重复次数为两次,具体应用中的重复次数可以根据Ge浓度和B掺杂浓度以及源漏深度等因素合理选择。交替重复次数太少,不能有效提高薄膜质量;次数太多,生成效率太低,因此较佳地次数为1-4次。
本实施例中,缓冲层不掺杂B,主体层的B掺杂浓度为5e19cm-3。SiGe薄膜中的B掺杂浓度的增加能有效降低源漏的寄生电阻,但是B掺杂浓度过大时,容易造成SiGe三维生长造成薄膜缺陷,引发应力驰豫,因此,缓冲层中的掺杂B浓度较佳地为0-1×1019cm-3,主体层中的掺杂B浓度较佳地为1×1019-5×1021cm-3。
本实施例中,低温外延生长的工艺温度较佳地为400-750℃,其中,缓冲层的外延温度为690℃,主体层的外延温度为620℃,盖帽层的外延温度为620℃。
请继续参阅图6至图10,图6是现有方法制得SiGe源/漏区的应力仿真示意图,图7是本发明第二实施例制得SiGe源/漏区的应力仿真示意图,图8是现有方法制得SiGe源/漏区的横向应力Sxx(Stress-XX)分布图,图9是本发明第二实施例制得SiGe源/漏区的横向应力Sxx分布图,图10是现有方法和本发明第二实施例制得SiGe源/漏区的沟道应力对比图。其中,图6至图10是由Synopsys公司的TCAD仿真软件Sentaurus得到。
如图6所示,现有方法制得SiGe源漏区包括20%Ge的SiGe缓冲层(seed)、40%Ge的SiGe主体层(bulk,B掺杂浓度5e19cm-3)以及Si盖帽层(cap,B掺杂浓度5e20cm-3),从图中可见,现有方法制得的较厚主体层对沟道的应力较小;而如图7所示,本实施例制得的多层结构对沟道的应力明显增大。在实际工艺过程中,发现外延较厚的主体层产生缺陷的概率急剧增加,缺陷如位错dislocation等会导致应力驰豫,沟道受到的压应力降低,空穴迁移率减小,器件性能变差;本实施例的主体层由于厚度低于临界厚度,因此缺陷产生概率大大降低,并且可以通过提升主体层的Ge含量,使沟道的应力进一步增大,从而提高器件性能。
如图8和图9所示,采用本实施例多次缓冲层、主体层SiGe外延结构的PMOS在源漏区域压应力相较于现有方法明显增大。
如图10所示,采用本实施例的方法,PMOS沟道应力从-1.04×109Pa提升到-1.25×109Pa(压应力为负数,绝对值越大,压应力越大),可见本发明能有效提升沟道应力。
第三实施例
本实施例SiGe源/漏区的制造方法包括以下步骤:
步骤S01,提供形成有栅极的N型晶片硅衬底,该栅极具有牺牲层保护,并在栅极和浅沟道隔离STI之间的硅衬底上刻蚀出将要形成源/漏区的凹槽;其中,凹槽的深度为
步骤S02,采用低温外延方法,在凹槽中沉积第一缓冲层;其中,第一缓冲层含Ge浓度为15%,厚度为外延温度为720℃;
步骤S03,采用低温外延方法,在第一缓冲层上沉积第一主体层;其中,第一主体层含Ge浓度为35%,厚度为B掺杂浓度1e19cm-3,外延温度为640℃;
步骤S04,采用低温外延方法,在第一主体层上沉积第二缓冲层;其中,第二缓冲层含Ge浓度为20%,厚度为B掺杂浓度0.5e19cm-3,外延温度为690℃;
步骤S05,采用低温外延方法,在第二缓冲层上沉积第二主体层;其中,第二主体层含Ge浓度为45%,厚度为B掺杂浓度5e19cm-3,外延温度为600℃;
步骤S06,采用低温外延方法,在第二主体层上沉积第三缓冲层;其中,第三缓冲层含Ge浓度为25%,厚度为B掺杂浓度0.5e19cm-3,外延温度为670℃;
步骤S07,采用低温外延方法,在第三缓冲层上沉积第三主体层;其中,第三主体层含Ge浓度为50%,厚度为B掺杂浓度5e19cm-3,外延温度为550℃;
步骤S08,采用低温外延方法,在第三主体层上沉积第四缓冲层;其中,第四缓冲层含Ge浓度为30%,厚度为B掺杂浓度0.8e19cm-3,外延温度为650℃;
步骤S09,采用低温外延方法,在第四缓冲层上沉积第四主体层;其中,第四主体层含Ge浓度为55%,厚度为B掺杂浓度3e20cm-3,外延温度为500℃;
步骤S010,在步骤S09形成的多层结构上,采用低温外延方法沉积Si盖帽层,形成具有SiGe的PMOS源/漏区,其中,Si盖帽层厚度为B掺杂浓度1e21cm-3。
本实施例中,多层主体层中的最上层主体层,即第四主体层具有最大厚度和最高Ge含量,可以最大程度增加对沟道的应力;多层缓冲层中的最下层缓冲层,即第一缓冲层具有最大厚度和最低Ge含量,以防止B的扩散进入沟道影响器件开关特性。
Claims (9)
1.一种SiGe源/漏区的制造方法,其特征在于,其包括以下步骤:
步骤S01,提供形成有栅极的N型晶片硅衬底,并在该硅衬底上刻蚀出将要形成源/漏区的凹槽;
步骤S02,在该凹槽中外延生长SiGe缓冲层;
步骤S03,在该缓冲层上外延生长SiGe主体层,该主体层中的含Ge浓度高于缓冲层;
步骤S04,重复至少一次步骤S02至步骤S03,形成具有缓冲层和主体层交替层叠的多层结构,该多层结构中最上层主体层含Ge浓度不低于其下方的其他主体层;
步骤S05,在步骤S04形成的多层结构上外延生长Si盖帽层,形成具有SiGe的PMOS源/漏区。
2.根据权利要求1所述的SiGe源/漏区的制造方法,其特征在于:步骤S04形成的多层结构包括间隔的多层缓冲层和多层主体层,该多层主体层中最上层主体层的厚度不小于其下方的其他主体层。
3.根据权利要求2所述的SiGe源/漏区的制造方法,其特征在于:该多层缓冲层中最下层缓冲层的厚度不小于其上方的其他缓冲层,并且其含Ge浓度不大于其上方的其他缓冲层。
4.根据权利要求3所述的SiGe源/漏区的制造方法,其特征在于:该多层缓冲层中最下层缓冲层的厚度不小于
5.根据权利要求3所述的SiGe源/漏区的制造方法,其特征在于:该缓冲层中的含Ge浓度为10-25%,该主体层中的含Ge浓度为25-60%。
6.根据权利要求3所述的SiGe源/漏区的制造方法,其特征在于:该缓冲层的厚度为SiGe源/漏区高度的1/10-1/4,该主体层的厚度为SiGe源/漏区高度的1/8-1/3,并且所有主体层的厚度总和不小于所有缓冲层的厚度总和。
7.根据权利要求1至6任一项所述的SiGe源/漏区的制造方法,其特征在于:步骤S04中重复次数为1-4次。
8.根据权利要求7所述的SiGe源/漏区的制造方法,其特征在于:该缓冲层中的掺杂B浓度为0-1×1019cm-3,该主体层中的掺杂B浓度为1×1019-5×1021cm-3。
9.根据权利要求7所述的SiGe源/漏区的制造方法,其特征在于:步骤S02和步骤S03中外延生长的工艺温度为400-750℃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410428604.6A CN104201108B (zh) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | SiGe源/漏区的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410428604.6A CN104201108B (zh) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | SiGe源/漏区的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104201108A CN104201108A (zh) | 2014-12-10 |
CN104201108B true CN104201108B (zh) | 2017-11-07 |
Family
ID=52086381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410428604.6A Active CN104201108B (zh) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | SiGe源/漏区的制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104201108B (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
US11972944B2 (en) | 2022-10-21 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
Families Citing this family (198)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
CN104538448A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-22 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 具有SiGe源漏区的PMOS结构及其制造方法 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
CN105244263A (zh) * | 2015-10-21 | 2016-01-13 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种提高SiGe源/漏区质量的制造方法 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
FR3061803B1 (fr) * | 2017-01-11 | 2019-08-16 | Soitec | Substrat pour capteur d'image de type face avant et procede de fabrication d'un tel substrat |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
CN113540237A (zh) * | 2020-04-14 | 2021-10-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1875461A (zh) * | 2003-10-10 | 2006-12-06 | 应用材料股份有限公司 | 选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 |
CN101425534A (zh) * | 2007-10-31 | 2009-05-06 | 周星工程股份有限公司 | 晶体管及其制造方法 |
CN101572269A (zh) * | 2008-04-30 | 2009-11-04 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 源/漏碳注入和RTA退火,预SiGe淀积 |
CN101743621A (zh) * | 2007-07-18 | 2010-06-16 | 飞思卡尔半导体公司 | 具有不同掺杂的有应变的电流电极区域的晶体管 |
CN102709183A (zh) * | 2011-03-28 | 2012-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于制造半导体器件的方法 |
CN103107070A (zh) * | 2011-11-14 | 2013-05-15 | 联华电子股份有限公司 | 半导体装置及制作外延层的方法 |
CN103426768A (zh) * | 2012-05-25 | 2013-12-04 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件制造方法 |
CN103928336A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种pmos晶体管及其制备方法 |
-
2014
- 2014-08-27 CN CN201410428604.6A patent/CN104201108B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1875461A (zh) * | 2003-10-10 | 2006-12-06 | 应用材料股份有限公司 | 选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 |
CN101743621A (zh) * | 2007-07-18 | 2010-06-16 | 飞思卡尔半导体公司 | 具有不同掺杂的有应变的电流电极区域的晶体管 |
CN101425534A (zh) * | 2007-10-31 | 2009-05-06 | 周星工程股份有限公司 | 晶体管及其制造方法 |
CN101572269A (zh) * | 2008-04-30 | 2009-11-04 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 源/漏碳注入和RTA退火,预SiGe淀积 |
CN102709183A (zh) * | 2011-03-28 | 2012-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于制造半导体器件的方法 |
CN103107070A (zh) * | 2011-11-14 | 2013-05-15 | 联华电子股份有限公司 | 半导体装置及制作外延层的方法 |
CN103426768A (zh) * | 2012-05-25 | 2013-12-04 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件制造方法 |
CN103928336A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种pmos晶体管及其制备方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
US11972944B2 (en) | 2022-10-21 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11970766B2 (en) | 2023-01-17 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104201108A (zh) | 2014-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104201108B (zh) | SiGe源/漏区的制造方法 | |
JP5300509B2 (ja) | 画定された不純物勾配を有するひずみ材料層を使用する半導体構造を製作するための方法 | |
US9514995B1 (en) | Implant-free punch through doping layer formation for bulk FinFET structures | |
KR101053133B1 (ko) | 탄성 에지 이완을 갖는 변형 실리콘 | |
US8673722B2 (en) | Strained channel field effect transistor and the method for fabricating the same | |
CN103871893A (zh) | 具有超陡逆行阱的体鳍片fet及其制造方法 | |
CN105684132A (zh) | 缓和应力的无定形SiO2中间层 | |
EP2743965A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor devices | |
CN107634092B (zh) | 一种锗硅源漏极及其制备方法 | |
CN105551931A (zh) | 在应变松弛缓冲层上方形成应变外延半导体材料的方法 | |
US9263345B2 (en) | SOI transistors with improved source/drain structures with enhanced strain | |
US20150162435A1 (en) | Asymmetric channel growth of a cladding layer over fins of a field effect transistor (finfet) device | |
US9406797B2 (en) | Semiconductor integrated circuit with dislocations | |
KR102135017B1 (ko) | 희생 비에피택셜 게이트 스트레서 | |
CN104538448A (zh) | 具有SiGe源漏区的PMOS结构及其制造方法 | |
US9305781B1 (en) | Structure and method to form localized strain relaxed SiGe buffer layer | |
CN104392960B (zh) | 改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法 | |
CN103996619B (zh) | 利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法 | |
US10340385B2 (en) | Method to improve FinFET device performance | |
CN104409410A (zh) | 改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法 | |
US11205699B2 (en) | Epitaxial semiconductor material regions for transistor devices and methods of forming same | |
US20230178420A1 (en) | Nanosheet transistor devices and related fabrication methods | |
US20210233999A1 (en) | Novel epitaxial semiconductor material regions for transistor devices and methods of forming same | |
CN112201691A (zh) | 锗硅源漏结构及其制造方法 | |
EP3093881B1 (en) | Method for manufacturing a cmos device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |