CN104099026A - 稳定的可浓缩的硅晶片抛光组合物及相关方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种用于抛光硅晶片的稳定的可浓缩的硅晶片抛光组合物，其含有：水；磨料；如通式（I）所示的阳离子；如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物；任选的pH调节剂；其中所述抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率。还提供制备和使用该稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的方法。
Description
技术领域
本发明一般涉及化学机械抛光领域。具体地，本发明涉及一种稳定的、可浓缩的化学机械抛光组合物以及对硅晶片进行化学机械抛光的方法。
背景技术
用于半导体工业的硅晶片，通常需要非常高度的表面光洁度（surfaceperfection），才可被用于器件制造。该硅晶片的表面通过用抛光浆料化学机械抛光晶片表面来制备。抛光浆料通常由含有亚微米级磨粒浓度的组合物组成。用抛光浆料浸浴或淋洗硅晶片，同时联合使用按压在硅晶片表面上并旋转的抛光垫，从而将抛光浆料中的磨粒在负荷下按压在硅晶片的表面上。抛光垫的横向移动导致抛光浆料中的磨粒移动跨过硅晶片表面，从而使硅晶片表面的材料磨损或体积去除。理想情况下，这样的工艺选择性去除凸出的表面形态，从而当该工艺完成后，得到直至最细小的细节都完美的平坦表面。
通常在工业中应用的该硅抛光工艺包括两个或多个步骤。在第一抛光步骤（即粗抛光步骤）中，去除了晶片锯切和成形操作中留下的明显缺陷。第一抛光步骤后，该晶片表面呈现出平滑和镜面的表面，但仍然含有大量小缺陷。通过随后的最终抛光步骤去除这些小缺陷，该步骤从表面上去除了少量材料，但抛光去除了表面缺陷。本发明涉及对于第一抛光步骤至最终抛光步骤特别有用的技术方案。
抛光后硅晶片表面残留的任何表面缺陷的数量和允许尺寸在持续降低。硅晶片的一些最关键的材料特性是：表面金属含量、前表面微粗糙度和每单元面积的总颗粒数。
一种用于最终抛光硅晶片的抛光组合物在Loncki等的美国专利第5,860,848号中公开。Loncki等公开了一种抛光组合物，其包含：水、在所述组合物中0.02-0.5重量％的亚微米级二氧化硅颗粒、浓度为100-1,000ppm的盐、浓度足以实现pH为8-11的组合物的胺化合物、和浓度为20-500ppm的聚电解质分散剂，其中所述组合物中钠和钾的总含量低于约1ppm，铁、镍、和铜的含量分别低于约0.1ppm，所有ppm是所述组合物重量的百万分之份数。
然而，仍然需要用于最终抛光硅晶片的新的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物。具体的，需要新的用于原硅晶片（stock silicon wafer）抛光（即第一步骤）至硅晶片最终抛光步骤的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，该化学机械抛光组合物具有>300纳米/分钟的硅去除速率。
发明内容
本发明提供一种用于抛光硅晶片的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其包含：水;磨料;如通式（I）所示的阳离子：
其中R1、R2、R3、R4独立地选自下组：氢和C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；以及如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物
其中，R5选自下组：氢、C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；以及任选地，pH调节剂；其中所述抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率。
本发明提供一种用于抛光硅晶片的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其包含：水;磨料;如通式（I）所示的阳离子：
其中R1、R2、R3、R4独立地选自下组：氢和C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；以及如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物
其中，R5选自下组：氢、C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；以及任选地，pH调节剂；其中所述抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率；且所述抛光组合物含有<1ppm的聚合物。
本发明提供一种用于抛光硅晶片的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其包含：水；胶体二氧化硅磨料;如通式（I）所示的阳离子：
其中R1、R2、R3、R4各自是氢；以及如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物
其中R5是氢；以及任选地，pH调节剂；其中所述抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率。
本发明提供一种用于抛光硅晶片的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其包含：水；胶体二氧化硅磨料;如通式（I）所示的阳离子：
其中R1、R2、R3、R4各自是氢；以及如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物
其中R5是氢；以及任选地，pH调节剂；其中所述抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率；且所述抛光组合物含有<1ppm的聚合物。
本发明提供了一种制备本发明稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的方法，该方法包括：提供水；提供磨料；提供如通式（I）所示的阳离子源：
其中R1、R2、R3、R4独立地选自下组：氢和C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；以及提供如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物源
其中，R5选自下组：氢、C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；任选地，提供pH调节剂；并且将所述水、所述如通式（I）所示的阳离子源、所述如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物源和所述任选的pH调节剂混合；其中所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的pH值为8-12。
本发明提供一种抛光硅晶片的方法，该方法包括：提供硅晶片；提供本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物；提供化学机械抛光垫；提供抛光设备；在抛光设备中装载所述硅晶片和化学机械抛光垫；通过一个≥0.5kPa的向下作用力（down force），在所述化学机械抛光垫和硅晶片之间的界面处形成动态接触；在化学机械抛光垫与硅晶片之间的界面处或界面附近，将所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物分散在化学机械抛光垫上；其中所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的pH为8-11。
本发明提供一种抛光硅晶片的方法，该方法包括：提供硅晶片；提供本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物；提供化学机械抛光垫；提供抛光设备；在抛光设备中装载所述硅晶片和化学机械抛光垫；通过一个向下作用力，在所述化学机械抛光垫和硅晶片之间的界面处形成动态接触；在化学机械抛光垫与硅晶片之间的界面处或界面附近，将所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物分散在化学机械抛光垫上；其中所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的pH为8-11；所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率，其中台板转速为63转每分钟，支架转速为57转每分钟,稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的流速为200毫升/分钟，在200毫米的抛光设备上施加27.58kPa（4psi）的向下作用力，所述化学机械抛光垫包括聚氨酯浸渍的无纺聚酯毡垫。
详细描述
本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物可用于抛光硅晶片，具体是在其表面上有天然氧化物（native oxide）的硅晶片。本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物优选含有磨料和硅去除速率提升、协同效应、（i）如通式（I）所示的阳离子与（ii）如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物的组合。
优选地，当将本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物浓缩至使用浓度设计点（即实际用于硅晶片抛光的化学机械抛光组合物的浓度）的8倍时，该化学机械抛光组合物是稳定的（通过下述实施例S2中的方法测得）。
优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物中使用的磨料选自下组：无机氧化物、无机氢氧化物、无机氢氧化氧化物(inorganic hydroxideoxide)、金属硼化物、金属碳化物、金属氮化物、聚合物颗粒、以及包含至少一种上述物质的混合物。合适的无机氧化物包括：例如二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、二氧化铈(CeO2)、氧化锰(MnO2)、氧化钛(TiO2)，或者包含至少一种上述氧化物的组合。如果需要，也可使用这些无机氧化物的改良形式，例如有机聚合物涂覆的无机氧化物颗粒和无机物涂覆的颗粒。合适的金属碳化物、硼化物和氮化物包括，例如：碳化硅、氮化硅、碳氮化硅(SiCN)、碳化硼、碳化钨、碳化锆、硼化铝、碳化钽、碳化钛、或包含上述金属碳化物、硼化物和氮化物中的至少一种的组合。优选地，所述磨料是胶体二氧化硅磨料。较佳的是，所述胶体二氧化硅磨料包括以下的至少一种：热解二氧化硅,沉淀二氧化硅和附聚二氧化硅。
在本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物中使用的磨料的平均粒度优选≤100nm（更优选为1-100nm）。更优选地，在本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物中使用的磨料是胶体二氧化硅磨料，该胶体二氧化硅磨料的平均粒度≤100nm（优选为1-100nm；更优选为10-40nm；更优选为10-30nm；最优选为20-30nm）。
本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物优选含有0.001-0.5重量％（更优选0.075-0.1重量％；更优选0.01-0.075重量%；最优选0.04-0.06重量％）的磨料。更优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物优选含有0.001-0.5重量％（更优选0.075-0.1重量％；更优选0.01-0.075重量%；最优选0.04-0.06重量％）的胶体二氧化硅磨料。最优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物优选含有0.001-0.5重量％（更优选0.075-0.1重量％；更优选0.01-0.075重量%；最优选0.04-0.06重量％）的胶体二氧化硅磨料，其中所述胶体二氧化硅磨料的平均粒度为1-50nm（更优选20-30nm）。
本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物中包含的水，优选是进行过去离子化和蒸馏中的至少一个步骤的，以限制附带的杂质。
优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物含有0.0005-10摩尔/升（更优选0.005-1摩尔/升；更优选0.01-0.5摩尔/升；最优选0.04-0.06摩尔/升）的如通式（I）所示的阳离子
其中R1、R2、R3、R4独立地选自下组：氢和C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基（优选为氢、C1-10烷基、C6芳基和C7烷基芳基；更优选为氢、甲基和苯基）。最优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物含有0.0005-10重量％（更优选0.005-1重量％；更优选0.01-0.5重量％；最优选0.04-0.06重量％）的如通式（I）所示的阳离子，其中如通式（I）所示的阳离子是如通式（Ia）所示的阳离子
优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物含有0.0005-10摩尔/升（更优选0.005-1摩尔/升；更优选0.01-0.5摩尔/升；最优选0.04-0.06摩尔/升）的如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物
其中R5选自下组：氢、C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基（优选为氢、C1-10烷基、C6芳基和C7烷基芳基；更优选为氢、甲基和苯基）。最优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物含有0.0005-10摩尔/升（更优选0.005-1摩尔/升；更优选0.01-0.5摩尔/升；最优选0.04-0.06摩尔/升）的哌嗪。
本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物在pH为8-12的范围内有效。优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的pH为8-12（更优选9-11，更优选9.5-11.5；最优选为10）。为了得到所需的pH，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物可任选地含有pH调节剂。优选地，所述pH调节剂是无机pH调节剂。优选的无机pH调节剂包括无机酸和无机碱。优选的无机酸pH调节剂选自磷酸、硝酸、硫酸和盐酸（最优选为硝酸）。优选的无机碱pH调节剂选自氢氧化铵和氢氧化钾（最优选为氢氧化钾）。
本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物优选还包含选自碳酸根离子和磷酸根离子的离子。更优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物含有0.00025-5摩尔/升（更优选0.0025-0.5摩尔/升；更优选0.005-0.25摩尔/升；最优选0.02-0.03摩尔/升）的选自碳酸根离子和磷酸根离子的离子。更优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物含有0.00025-5摩尔/升（更优选0.0025-0.5摩尔/升；更优选0.005-0.25摩尔/升；最优选0.02-0.03摩尔/升）的磷酸根离子。最优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物含有0.00025-5摩尔/升（更优选0.0025-0.5摩尔/升；更优选0.005-0.25摩尔/升；最优选0.02-0.03摩尔/升）的碳酸根离子。
本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物优选还包含卤离子（优选为氯离子）。更优选地，本发明的化学机械抛光组合物含有0.0001-4重量％（更优选0.001-0.5重量％；更优选0.003-0.2重量％；最优选0.01-0.03重量％）的卤离子（优选为氯离子）。
本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物优选含有<1ppm（更优选<0.1ppm；更优选<0.01ppm）的聚合物。最优选地，本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物不含聚合物（如水溶性聚合物，如基于纤维素的聚合物；和聚电解质，如羟乙基纤维素、聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚丙二醇、聚环氧乙烷、聚丙烯酸）。
制备本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的方法优选包括:提供水（优选地，水是进行过去离子化和蒸馏中至少一个步骤的；更优选地，水是去离子化的和蒸馏的）；提供磨料（优选是胶体二氧化硅磨料；更优选是具有10-50纳米平均粒径的胶体二氧化硅磨料；最优选为具有20-30纳米平均粒径的胶体二氧化硅磨料）；提供如通式（I）所示的阳离子源
其中R1、R2、R3、R4独立地选自下组：氢和C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基（优选为氢、C1-10烷基、C6芳基和C7烷基芳基；更优选为氢、甲基和苯基；最优选为氢（即其中阳离子为））；以及提供如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物源
其中R5选自下组：氢、C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基（优选为氢、C1-10烷基、C6芳基和C7烷基芳基；更优选为氢、甲基和苯基；最优选为氢）；任选地，提供pH调节剂；并且，将所述水、所述如通式（I）所示的阳离子源、所述如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物源和所述任选的pH调节剂混合；其中所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的pH值为8-12（优选9-11；更优选9.5-10.5；最优选为10）。优选地，在本发明制备稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的方法中，所述如通式（I）所示的阳离子源选自碳酸胍（即(H2NC(=NH)NH2)2.H2CO3）和磷酸胍（即(H2NC(=NH)NH2)2.H3PO4）。优选地，在本发明制备稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的方法中，所述如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物源是哌嗪二盐酸盐一水合物（piperazine dihydrochloride hydrate）。
本发明抛光硅晶片的方法优选包括：提供硅晶片；提供本发明的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物；提供化学机械抛光垫；提供抛光设备；在抛光设备中装载硅晶片和化学机械抛光垫；通过一个≥0.5kPa（优选0.5-100kPa；更优选0.7-50kPa；更优选6-35kPa；最优选20-30kPa）的向下作用力，在所述化学机械抛光垫和硅晶片之间的界面处形成动态接触；在化学机械抛光垫与硅晶片之间的界面处或界面附近，将所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物分散在化学机械抛光垫上；其中所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的pH为8-12（优选为9-11；更优选为9.5-10.5；最优选为10）。优选地，本发明的方法中使用的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率（更优选至少400纳米/分钟；最优选至少500纳米/分钟），其中台板转速为63转每分钟，支架转速为57转每分钟,稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的流速为200毫升/分钟，在200毫米的抛光设备上施加27.58kPa（4psi）的标称向下作用力，其中所用的化学机械抛光垫包括聚氨酯浸渍的无纺聚酯毡垫。
现在将在以下实施例中详细描述本发明的一些实施方式。
具体实施方式
比较例C1-C16和实施例1-3
化学机械抛光组合物的制备
通过以表1所示的量混和组分来制备化学机械抛光组合物并按需要用HNO3或KOH将组合物的pH值调节到表1所示的最终pH值。
表1
ζ由AZ电子材料公司（AZ Electronic Materials）生产的KlebosolTM1598-B25浆液，购自陶氏化学品公司（The Dow Chemical Company）。
￥碳酸胍（购自西格玛-奥德里奇公司（Sigma-Aldrich））
λ哌嗪盐酸盐一水合物（购自西格玛-奥德里奇公司（Sigma-Aldrich））
比较例PC1-PC9
化学机械抛光试验
使用根据比较例C1-C9制备的化学机械抛光组合物进行硅去除速率抛光测试。具体来说，化学机械抛光组合物C1-C9各自的硅去除速率列于表1。采用在0.5重量％的氢氟酸溶液中预蚀刻了90秒的8英寸Si(100)晶片，StrasbaughModel6EC抛光机和Suba1200TM聚氨酯浸渍的无纺聚酯毡垫（购自罗门哈斯电子材料CMP有限公司（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.））进行这些硅去除速率试验，试验时使用27.58kPa(4psi)的向下作用力，化学机械抛光组合物的流速为200毫升/分钟，台板转速63rpm，支架转速57rpm。通过测量单个Si(100)晶片抛光后的重量损失来确定硅去除速率。硅去除速率实验的结果列于表2。
表2
比较例PC10-PC15和实施例P1-P3
化学机械抛光试验
使用根据比较例C10-C15以及实施例1-3制备的化学机械抛光组合物进行硅去除速率抛光测试。具体来说，化学机械抛光组合物C10-C15以及1-3各自的硅去除速率列于表1。采用8英寸Si(100)晶片（表面具有天然氧化物），Strasbaugh Model6EC抛光机和Suba1200TM聚氨酯浸渍的无纺聚酯毡垫（购自罗门哈斯电子材料CMP有限公司（Rohm and Haas Electronic Materials CMPInc.））进行这些硅去除速率试验，试验时使用27.58kPa(4psi)的向下作用力，化学机械抛光组合物的流速为200毫升/分钟，台板转速63rpm，支架转速57rpm。通过测量单个Si(100)晶片抛光后的重量损失来确定硅去除速率。硅去除速率实验的结果列于表3。
表3
比较实施例SC16和实施例S2
稳定性试验
相对于比较实施例C16和实施例2的基本化学机械抛光组合物，制备具有1X、2X、4X、8X、12X、20X浓缩系数的浓缩的化学机械抛光组合物。随后，这些浓缩的化学机械抛光组合物各自在21℃和大气压的空气下在独立密封的玻璃容器中储存2周。2周后，观察容器中的物质。在稳定的浓缩的化学机械抛光组合物中，没有在玻璃容器底部观察到磨粒沉淀。这些观察的结果列于表4。
表4
| 浓度系数 | 基于实施例C16的制剂 | 基于实施例2的制剂 |
| 1X | 稳定 | 稳定 |
| 2X | 磨粒沉淀 | 稳定 |
| 4X | 磨粒沉淀 | 稳定 |
| 8X | 磨粒沉淀 | 稳定 |
| 12X | 磨粒沉淀 | 磨粒沉淀 |
| 20X | 磨粒沉淀 | 磨粒沉淀 |
Claims (10)
1.一种用于抛光硅晶片的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其含有：
水；
磨料；
如通式（I）所示的阳离子：
其中R1、R2、R3、R4独立地选自下组：氢和C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；以及
如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物
其中R5选自下组：氢、C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；以及
任选地，pH调节剂;
其中所述抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率。
2.如权利要求1所述的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述硅晶片表面上具有天然氧化物；该稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物含有0.001-0.5重量％的磨料；所述磨料是平均粒径为20-30纳米的胶体二氧化硅磨料。
3.如权利要求2所述的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物含有<1ppm的聚合物。
4.如权利要求3所述的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其特征在于，其还含有：
碳酸根离子或磷酸根离子。
5.如权利要求4所述的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其特征在于，其还含有：
卤离子。
6.如权利要求1所述的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物，其特征在于，所述磨料保持分散，且将该稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物在21℃和大气压条件下保存至少2周后不会沉降。
7.一种制备如权利要求1所述的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的方法，所述方法包括:
提供水;
提供磨料;
提供如通式（I）所示的阳离子源：
其中R1、R2、R3、R4独立地选自下组：氢和C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；以及
提供如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物源
其中R5选自下组：氢、C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基；
任选地，提供pH调节剂；以及，
将所述水、所述如通式（I）所示的阳离子源、所述如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物源和所述任选的pH调节剂混合；
其中所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的pH值为8-12。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述如通式（I）所示的阳离子源选自碳酸胍和磷酸胍；所述如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物源是哌嗪二盐酸盐一水合物。
9.一种抛光硅晶片的方法，该方法包括：
提供硅晶片；
提供如权利要求1所述的稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物；
提供化学机械抛光垫;
提供抛光设备；
在抛光设备中装载硅晶片和化学机械抛光垫；
以≥0.5kPa的向下作用力在化学机械抛光垫和硅晶片之间的界面处形成动态接触;以及
在所述化学机械抛光垫和硅晶片之间的界面处或界面附近，将所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物分散在所述化学机械抛光垫上;
其中所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的pH值为8-11。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于，在以下操作条件下，所述稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物达到的硅去除速率至少为300纳米/分钟：台板转速63转/分钟,支架转速57转/分钟,稳定的可浓缩的化学机械抛光组合物的流速为200毫升/分钟，在200毫米的抛光设备上施加27.58kPa（4psi）的向下作用力，所述化学机械抛光垫包括聚氨酯浸渍的无纺聚酯毡垫。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105911533A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-08-31 | 北京航空航天大学 | 一种基于平面扫描结构的三维成像降采样快速扫描方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8795548B1 (en) * | 2013-04-11 | 2014-08-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Silicon wafer polishing composition and related methods |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1220634A (en) * | 1984-10-15 | 1987-04-21 | Charles C. Payne | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
| US5860848A (en) * | 1995-06-01 | 1999-01-19 | Rodel, Inc. | Polishing silicon wafers with improved polishing slurries |
| TW200811278A (en) * | 2006-07-05 | 2008-03-01 | Dupont Airproducts Nanomaterials Ltd Liability Company | Polishing composition for silicon wafer, and polishing method of silicon wafer |
| CN101208781A (zh) * | 2005-06-28 | 2008-06-25 | 旭硝子株式会社 | 研磨剂及半导体集成电路装置的制造方法 |
| CN101637884A (zh) * | 2008-07-30 | 2010-02-03 | 长兴开发科技股份有限公司 | 硅贯通电极晶圆的研磨方法与其所使用的研磨组成物 |
| CN101870852A (zh) * | 2010-06-13 | 2010-10-27 | 北京国瑞升科技有限公司 | 一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法 |
| CN102399496A (zh) * | 2010-09-14 | 2012-04-04 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 用于晶片粗抛光的研磨组合物 |
| CN102816530A (zh) * | 2011-06-08 | 2012-12-12 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8017524B2 (en) * | 2008-05-23 | 2011-09-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Stable, high rate silicon slurry |
| JP5309692B2 (ja) | 2008-05-28 | 2013-10-09 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハの研磨方法 |
| JP2011142284A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-07-21 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 |
| WO2011093223A1 (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-04 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 半導体ウェーハの再生方法及び研磨用組成物 |
| JP2012021151A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-02-02 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅配線半導体用洗浄剤 |
| JP5939578B2 (ja) | 2011-02-03 | 2016-06-22 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| JP2014125628A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用研磨液 |
-
2013
- 2013-04-11 US US13/860,830 patent/US8801959B1/en active Active
-
2014
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1220634A (en) * | 1984-10-15 | 1987-04-21 | Charles C. Payne | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
| US5860848A (en) * | 1995-06-01 | 1999-01-19 | Rodel, Inc. | Polishing silicon wafers with improved polishing slurries |
| CN101208781A (zh) * | 2005-06-28 | 2008-06-25 | 旭硝子株式会社 | 研磨剂及半导体集成电路装置的制造方法 |
| TW200811278A (en) * | 2006-07-05 | 2008-03-01 | Dupont Airproducts Nanomaterials Ltd Liability Company | Polishing composition for silicon wafer, and polishing method of silicon wafer |
| CN101637884A (zh) * | 2008-07-30 | 2010-02-03 | 长兴开发科技股份有限公司 | 硅贯通电极晶圆的研磨方法与其所使用的研磨组成物 |
| CN101870852A (zh) * | 2010-06-13 | 2010-10-27 | 北京国瑞升科技有限公司 | 一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法 |
| CN102399496A (zh) * | 2010-09-14 | 2012-04-04 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 用于晶片粗抛光的研磨组合物 |
| CN102816530A (zh) * | 2011-06-08 | 2012-12-12 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 梅燕等: "用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究", 《润滑与密封》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105911533A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-08-31 | 北京航空航天大学 | 一种基于平面扫描结构的三维成像降采样快速扫描方法 |
| CN105911533B (zh) * | 2016-06-24 | 2018-04-03 | 北京航空航天大学 | 一种基于平面扫描结构的三维成像降采样快速扫描方法 |
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