FR3004373A1 - Composition de polissage de pastille de silicium stable et concentrable et procedes apparentes - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 172
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 105
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 68
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 68
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 235000010603 pastilles Nutrition 0.000 title 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 96
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 150000004885 piperazines Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 13
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- -1 halide ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N carbamimidoylazanium;carbonate Chemical compound NC(N)=N.NC(N)=N.OC(O)=O STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- CEDDGDWODCGBFQ-UHFFFAOYSA-N carbamimidoylazanium;hydron;phosphate Chemical compound NC(N)=N.OP(O)(O)=O CEDDGDWODCGBFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZQVBNUIFDLXAFI-UHFFFAOYSA-N piperazine;hydrate;dihydrochloride Chemical compound O.[Cl-].[Cl-].C1C[NH2+]CC[NH2+]1 ZQVBNUIFDLXAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 35
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 2
- 229910001853 inorganic hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003174 cellulose-based polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229960000789 guanidine hydrochloride Drugs 0.000 description 1
- PJJJBBJSCAKJQF-UHFFFAOYSA-N guanidinium chloride Chemical compound [Cl-].NC(N)=[NH2+] PJJJBBJSCAKJQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKBJNABNNJYRTK-UHFFFAOYSA-N piperazine;hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl.C1CNCCN1 VKBJNABNNJYRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 210000002966 serum Anatomy 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011885 synergistic combination Substances 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Il est fourni une composition de polissage stable et concentrable pour le polissage de pastilles de silicium, contenant : de l'eau ; un abrasif ; un cation selon la formule (I) ; de la pipérazine ou un dérivé de pipérazine selon la formule (II) ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; dans laquelle la composition de polissage présente une vitesse de retrait du silicium d'au moins 300 nm/min. Il est également fourni des procédés de fabrication et d'utilisation de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable.
Description
Composition de polissage de pastille de silicium stable et concentrable et procédés apparentés La présente invention concerne en général le domaine du polissage mécano-chimique. La présente invention concerne en particulier une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable et un procédé pour un polissage mécano-chimique de pastilles (également connues sous la dénomination anglo-saxonne « wafers ») de silicium. Les pastilles de silicium à utiliser dans l'industrie des semi- conducteurs exigent typiquement un degré très élevé de perfection en surface avant qu'elles soient utilisées dans la fabrication de dispositifs. Les surfaces de pastilles de silicium sont produites par polissage mécano-chimique des surfaces de pastilles avec une suspension de polissage. Les suspensions de polissage sont classiquement constituées d'une composition qui comprend une concentration de particules abrasives de dimensions inférieures au micron. La pastille de silicium est immergée dans un bain ou rincée dans la suspension de polissage en combinaison avec un feutre de polissage, qui est comprimé contre la surface de la pastille de silicium et mis en rotation, de sorte que les particules abrasives dans la suspension de polissage sont comprimées contre la surface de la pastille de silicium sous une charge. Le déplacement latéral du feutre de polissage occasionne le fait que les particules abrasives dans la suspension de polissage se déplacent à travers la surface de la pastille de silicium, résultant en une usure, ou en un retrait volumétrique du matériau de la surface de la pastille de silicium. Ce procédé résulte idéalement en le retrait sélectif des caractéristiques de surface en saillie de sorte que, lorsque le procédé est achevé, une surface parfaitement plane est produite jusqu'au niveau de détail le plus fin. Les procédés de polissage de silicium qui sont classiquement mis en pratique dans l'industrie sont constitués de deux ou plusieurs étapes. Dans la première étape de polissage, (c'est-à-dire l'étape de polissage grossier) de gros défauts restant après les opérations de coupe et de façonnage de la pastille sont éliminés. La surface de la pastille apparaît lisse et spéculaire après la première étape de polissage mais contient encore de nombreux défauts minuscules. Ces défauts minuscules sont éliminés par une étape de polissage final subséquente qui élimine une faible quantité de matière de la surface mais agit pour éliminer par polissage les défauts de surface. La présente invention concerne des solutions qui sont particulièrement utiles pour la première étape de polissage jusqu'à la dernière étape de polissage.
Le nombre et la dimension tolérée des imperfections en surface sur la surface de la pastille de silicium subsistant après le polissage diminuent continuellement. Certaines des spécifications de matière les plus critiques pour les pastilles de silicium sont : la teneur en métaux de la surface, la microrugosité de la surface de devant et le nombre total de particules par surface unitaire. Une composition de polissage pour un polissage final de pastilles de silicium est décrite dans le brevet US 5 860 848 au nom de Loncki et al. Loncki et al. décrivent une composition de polissage comprenant : de l'eau, des particules de silice de dimensions inférieures au micron à de 0,02 à 0,5 pourcent en masse dans ladite composition, un sel à une concentration de 100 à 1 000 ppm, un composé d'amine à une concentration suffisante pour réaliser un pH de composition de 8 à 11, et un agent de dispersion de polyélectrolyte à une concentration de 20 à 500 ppm, dans laquelle ladite composition présente une teneur totale en sodium et en potassium inférieure à environ 1 ppm, et une teneur en fer, nickel, et cuivre à chaque fois inférieure à environ 0,1 ppm, tous les ppm étant des parties par million en masse de ladite composition. Il subsiste néanmoins un besoin pour de nouvelles compositions de polissage mécano-chimique stables et concentrables pour le polissage final de pastilles de silicium. Il existe en particulier un besoin pour de nouvelles compositions de polissage mécano-chimique stables et concentrables pour un polissage de pastilles de silicium de série (c'est-à-dire, première étape) jusqu'au polissage final des pastilles de silicium, lesquelles présentent une vitesse de retrait du silicium .?_ 300 nm/min.
La présente invention fournit une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable pour polir une pastille de silicium, comprenant : de l'eau ; un abrasif ; un cation selon la formule (I) : NH2+ R1 N N / R4 I R2 R3 (I) dans laquelle R', R2, R3, R4 sont indépendamment choisis dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène et d'un groupe alkyle en Ci-io, 5 d'un groupe aryle en C1_10, d'un groupe arylalkyle en CH0 et d'un groupe alkylaryle en C1-10; et, de la pipérazine ou un dérivé de pipérazine selon la formule (II) HN NR5 10 dans laquelle R5 est choisi dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène, d'un groupe alkyle en C140, d'un groupe aryle en CHo, d'un groupe arylalkyle en C1_10 et d'un groupe alkylaryle en C140 ; et, 15 éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; dans laquelle la composition de polissage présente une vitesse de retrait du silicium d'au moins 300 nm/min. La présente invention fournit une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable caractérisée en ce que la pastille 20 de silicium présente un oxyde natif sur sa surface ; la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable contient de 0,001 à 0,5 % en masse d'abrasif ; et, l'abrasif est un abrasif de silice colloïdale présentant une taille moyenne de particules de 20 à 30 nm. La présente invention fournit une composition de polissage 25 mécano-chimique stable et concentrable pour le polissage d'une pastille de silicium, comprenant : de l'eau ; un abrasif ; un cation selon la formule (I) : NH2+ R1 R4 (I) N/ N I I R2 R3 dans laquelle R1, R2, R3, R4 sont indépendamment choisis dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène et d'un groupe alkyle en C1-10, d'un groupe aryle en C1_10, d'un groupe arylalkyle en C1_10 et d'un groupe alkylaryle en C1-10; et, de la pipérazine ou un dérivé de pipérazine selon la formule (II) HN NR5 (II) dans laquelle R5 est choisi dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène, d'un groupe alkyle en C1_10, d'un groupe aryle en C1_10, d'un groupe arylalkyle en C1_10 et d'un groupe alkylaryle en C1_10 ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; dans laquelle la composition de polissage présente une vitesse de retrait du silicium d'au moins 300 nm/min ; et, dans laquelle la composition de polissage contient < 1 ppm de polymères. La présente invention fournit une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable caractérisée en ce que de l'abrasif reste dispersé et ne se dépose pas après un stockage de la 20 composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable sur une durée d'au moins deux semaines à 21°C et à pression atmosphérique. La présente invention fournit une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable pour polir une pastille de silicium, comprenant : de l'eau ; un abrasif de silice colloïdale ; un cation selon la 25 formule (I) : R2 R3 (I) dans laquelle R1, R2, R3, R4 sont chacun un atome d'hydrogène ; et, de la pipérazine ou un dérivé de pipérazine selon la formule (II) (II) dans laquelle R5 est un atome d'hydrogène ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; dans laquelle la composition de polissage présente une vitesse de retrait du silicium d'au moins 300 nm/min.
La présente invention fournit une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable pour polir une pastille de silicium, comprenant : de l'eau ; un abrasif de silice colloïdale ; un cation selon la formule (I) : NH2+ R1 NN /R4 R2 R3 (I) dans laquelle Ri-, R2, R3, R4 sont chacun un atome d'hydrogène ; et, de la pipérazine ou un dérivé de pipérazine selon la formule (II) HN NR5 HN NR520 dans laquelle R5 est un atome d'hydrogène ; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; dans laquelle la composition de polissage présente une vitesse de retrait du silicium d'au moins 300 nm/min ; et, dans laquelle la composition de polissage contient < 1 ppm de polymères. La présente invention fournit un procédé de fabrication de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention, comprenant : la fourniture d'une eau ; la fourniture d'un abrasif ; la fourniture d'une source de cations selon la formule (I) NH2+ R1 N N /R4 I R2 R3 (I) dans laquelle RI-, R2, R3, R4 sont indépendamment choisis dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène et d'un groupe alkyle en C1_10, d'un groupe aryle en C1_10, d'un groupe arylalkyle en Ci...10 et d'un groupe alkylaryle en C1_10; et, la fourniture d'une source de pipérazine ou d'un dérivé de pipérazine selon la formule (II) ,,,, NR5 (II) dans laquelle R5 est choisi dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène, d'un groupe alkyle en C1_10, d'un groupe aryle en C140, d'un groupe arylalkyle en C1_10 et d'un groupe alkylaryle en C1-10 ; éventuellement, la fourniture d'un agent d'ajustement du pH ; et, la combinaison de l'eau, de la source de cations selon la formule (I), de la source de pipérazine ou de dérivé de pipérazine selon la formule (II) et de l'agent d'ajustement du pH éventuel ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable présente un pH de 8 à 12. La présente invention fournit un procédé caractérisé en ce que la source de cations selon la formule (I) est choisie dans le groupe constitué de carbonate de guanidine et de phosphate de guanidine ; et, la source de pipérazine ou de dérivé de pipérazine selon la formule (II) est un hydrate de dihydrochlorure de pipérazine. La présente invention fournit un procédé de polissage d'une pastille de silicium, comprenant : la fourniture d'une pastille de silicium ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon la présente invention ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; la fourniture d'une machine de polissage ; l'installation de la pastille de silicium et du feutre de polissage mécano-chimique dans la machine de polissage ; la création d'un contact dynamique à une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et la pastille de silicium avec une force descendante k 0,5 kPa ; et la distribution de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et la pastille de silicium ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable présente un pH de 8 à 11. La présente invention fournit un procédé de polissage d'une pastille de silicium, comprenant : la fourniture d'une pastille de silicium ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon la présente invention ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; la fourniture d'une machine de polissage ; l'installation de la pastille de silicium et du feutre de polissage mécano-chimique dans la machine de polissage ; la création d'un contact dynamique à une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et la pastille de silicium avec une force descendante ; et, la distribution de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et la pastille de silicium ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable présente un pH de 8 à 11 ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable présente une vitesse de retrait du silicium d'au moins 300 nm/min avec une vitesse de plateau de 63 tours par minute, une vitesse de support de 57 tours par minute, un débit de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de 200 ml/min, et une force descendante de 27,58 kPa (4 psi) sur une machine de polissage de 200 mm où le feutre de polissage mécano-chimique comprend un feutre de polyester, non-tissé, imprégné de polyuréthane. DESCRIPTION DETAILLEE La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention est utile pour polir des pastilles de silicium, particulièrement des pastilles de silicium présentant un oxyde natif sur leurs surfaces. La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient de préférence un abrasif et une combinaison en synergie, promouvant la vitesse de retrait du silicium, de (i) un cation selon la formule (I) ; et, (ii) de pipérazine ou d'un dérivé de pipérazine selon la formule (II). La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention est de préférence stable (comme déterminé par le procédé utilisé dans l'exemple S2 ci-dessous) lorsqu'elle est concentrée jusqu'à huit fois sa concentration mise au point pour l'utilisation (c'est-à-dire la concentration de la composition de polissage mécano-chimique utilisée pour un polissage de pastille de silicium actuelle). L'abrasif utilisé dans la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention est de préférence choisi dans le groupe constitué d'oxydes inorganiques, d'hydroxydes inorganiques, d'oxydes hydroxydes inorganiques, de borures de métaux, de carbures de métaux, de nitrures de métaux, de particules polymères et de mélanges comprenant au moins un des précédents. Les oxydes inorganiques appropriés comprennent par exemple la silice (S102), l'alumine (A1203), l'oxyde de zirconium (ZrO2), l'oxyde de sérium (Ce02), l'oxyde de manganèse (Mn02), l'oxyde de titane (TiO2) ou des combinaisons comprenant au moins un des oxydes précédents. Des formes modifiées de ces oxydes inorganiques, telles que des particules d'oxydes inorganiques revêtues d'un polymère organique et des particules revêtues inorganiques peuvent également être utilisées, si souhaité. Des carbures, des borures et des nitrures de métaux appropriés comprennent par exemple le carbure de silicium, le nitrure de silicium, le carbonitrure de silicium (SiCN), le carbure de bore, le carbure de tungstène, le carbure de zirconium, le borure d'aluminium, le carbure de tantale, le carbure de titane, ou des combinaisons comprenant au moins un des carbures, borures et nitrures de métaux précédents. L'abrasif est de préférence est un abrasif de silice colloïdal. L'abrasif de silice colloïdal contient de préférence au moins une parmi de la silice pyrolytique, de la silice précipitée et de la silice agglomérée. L'abrasif utilisé dans la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention présente une taille moyenne de particules 5 100 nm (encore mieux de 1 à 100 nm).
L'abrasif utilisé dans la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention est encore mieux un abrasif de silice colloïdal présentant une taille moyenne de particules 5_ 100 nm (de préférence de 1 à 100 nm ; encore mieux de 10 à 40 nm ; bien mieux encore de 10 à 30 nm ; bien mieux encore de 20 à 30 nm).
La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient de préférence de 0,001 à 0,5 % en masse (encore mieux de 0,075 à 0,1 % en masse ; bien mieux encore de 0,01 à 0,075 % en masse ; encore mieux de préférence de 0,04 à 0,06 % en masse) d'un abrasif. La composition de polissage mécano- chimique stable et concentrable de la présente invention contient de préférence encore mieux de 0,001 à 0,5 % en masse (encore mieux de 0,075 à 0,1 % en masse ; bien mieux encore de 0,01 à 0,075 % en masse ; de préférence encore mieux de 0,04 à 0,06 % en masse) d'un abrasif de silice colloïdal. La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient de préférence encore mieux de 0,001 à 0,5 % en masse (encore mieux de 0,075 à 0,1 % en masse ; bien mieux encore de 0,01 à 0,075 % en masse ; de préférence encore mieux de 0,04 à 0,06 % en masse) d'un abrasif de silice colloïdal, dans laquelle l'abrasif de silice colloïdal présente une taille moyenne de particules de 1 à 50 nm (encore mieux de 20 à 30 nm).
L'eau contenue dans la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention, est de préférence au moins une parmi une eau désionisée et une eau distillée pour limiter les impuretés incidentes.
La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient de préférence de 0,0005 à 10 mol/I (encore mieux de 0,005 à 1 mol/1 ; bien mieux encore de 0,01 à 0,5 mol/I ; de préférence encore mieux de 0,04 à 0,06 mol/I) d'un cation selon la formule (I) R4 R2 R3 dans laquelle R1, R2, R3, R4 sont indépendamment choisis dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène et d'un groupe alkyle en C1_10, d'un groupe aryle en Ci_io, d'un groupe arylalkyle en C1_10 et d'un groupe alkylaryle en C1_10 (de préférence un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1_10, un groupe aryle en C6 et un groupe alkylaryle en C7 ; encore mieux un atome d'hydrogène, un groupe méthyle et un groupe phényle). La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient encore mieux de 0,0005 à 10 % en masse (encore mieux de 0,005 à 1 % en masse ; bien mieux encore de 0,01 à 0,5 % en masse ; de préférence encore mieux de 0,04 à 0,06 % en masse) d'un cation selon la formule (I), dans laquelle le cation selon la formule (I) est conforme à la formule (Ia) H2N NH2 (Ia). La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient de préférence de 0,0005 à 10 mol/I (encore mieux de 0,005 à 1 mol/I ; bien mieux encore de 0,01 à (I) 0,5 mol/I ; de préférence encore mieux de 0,04 à 0,06 mol/I) de pipérazine ou d'un dérivé de pipérazine selon la formule (II) (II) dans laquelle R5 est choisi dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène, d'un groupe alkyle en C140, d'un groupe aryle en Co,i_1 d'un groupe arylalkyle en C140 et d'un groupe alkylaryle en C1_10 (de préférence un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C140, un groupe aryle en C6 et un groupe alkylaryle en C7 ; bien mieux encore un atome d'hydrogène, un groupe méthyle et un groupe phényle). La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient encore mieux de 0,0005 à 10 mol/I (encore mieux de 0,005 à 1 mol/I ; bien mieux encore de 0,01 à 0,5 mol/I ; de préférence encore mieux de 0,04 à 0,06 mol/I) de pipérazine.
La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention est efficace sur une gamme de pH de 8 à 12. La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention présente de préférence un pH de 8 à 12 (encore mieux de 9 à 11 ; bien mieux encore de 9,5 à 11,5 ; de préférence encore mieux de 10). Afin d'atteindre le pH souhaité, la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention peut éventuellement contenir un agent d'ajustement du pH. L'agent d'ajustement du pH est de préférence un agent d'ajustement du pH inorganique. Les agents d'ajustement du pH inorganiques préférés comprennent des acides et des bases inorganiques. Les agents d'ajustement du pH d'acides inorganiques préférés sont choisis parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique, l'acide sulfurique et l'acide chlorhydrique (encore mieux l'acide nitrique). Les agents d'ajustement du pH de bases inorganiques préférés sont choisis parmi l'hydroxyde d'ammonium et l'hydroxyde de potassium (encore mieux l'hydroxyde de potassium). La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention comprend de plus des ions choisis dans le groupe constitué d'ions carbonate et d'ions phosphate. La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient encore mieux de 0,00025 à 5 mo1/1 (encore mieux de 0,0025 à 0,5 mol/I ; bien mieux encore de 0,005 à 0,25 mol/1 ; de préférence encore mieux de 0,02 à 0,03 mol/I) d'ions choisis dans le groupe constitué d'ions carbonate et d'ions phosphate. La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient bien mieux encore de 0,00025 à 5 mol/1 (encore mieux de 0,0025 à 0,5 mol/1 ; bien mieux encore de 0,005 à 0,25 mol/I ; de préférence encore mieux de 0,02 à 0,03 mol/I) d'ions phosphate. La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient encore mieux de 0,00025 à 5 mol/1 (encore mieux de 0,0025 à 0,5 mol/I ; bien mieux encore de 0,005 à 0,25 mol/1 ; de préférence encore mieux de 0,02 à 0,03 mol/I) d'ions carbonate.
La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention comprend de préférence de plus des ions halogénure (de préférence des ions chlorure). La composition de polissage mécano-chimique contient encore mieux de 0,0001 à 4 % en masse (encore mieux de 0,001 à 0,5 % en masse ; bien mieux encore de 0,003 à 0,2 % en masse ; de préférence encore mieux de 0,01 à 0,03 en masse) d'ions halogénure (de préférence d'ions chlorure). La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention contient de préférence < 1 ppm (encore mieux < 0,1 ppm ; bien mieux encore < 0,01 ppm) de polymères.
La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention est encore mieux exempte de polymères (par exemple polymères solubles dans l'eau, tels que polymères à base de cellulose ; et polyélectrolytes, tels que hydroxyéthylcellulose, polyalcool vinylique), polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyéthylèneglycol, polypropylène- glycol, poly(oxyde d'éthylène), poly(acide acrylique)). Le procédé de fabrication de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention comprend de préférence : la fourniture d'une eau (de préférence une eau qui est au moins une parmi une désionisée et une distillée ; encore mieux une eau qui est à la fois désionisée et distillée) ; la fourniture d'un abrasif (de préférence un abrasif de silice colloïdale ; encore mieux un abrasif de silice colloïdale ayant une taille moyenne de particules de 10 à 50 nm ; encore mieux un abrasif de silice colloïdale ayant une taille moyenne de particules de 20 à 30 nm) ; la fourniture d'une source de cations selon la formule (I) R1, , R4 \ N N / I I R2 R3 (I) dans laquelle R1, R2, R3, R4 sont indépendamment choisis dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène et d'un groupe alkyle en C1_10, d'un groupe aryle en C1_10, d'un groupe arylalkyle en C1_10 et d'un 10 groupe alkylaryle en C1_10 (de préférence un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en Ci_io, un groupe aryle en C6 et un groupe alkylaryle en C7 ; encore mieux, un atome d'hydrogène, un groupe méthyle et un groupe phényle ; bien mieux encore, un atome d'hydrogène (c'est-à-dire NH2+ dans laquelle l'anion est 1-12N NH2 )) ; et, la fourniture d'une source 15 de pipérazine ou d'un dérivé de pipérazine selon la formule (II) (II) dans laquelle R5 est choisi dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène, d'un groupe alkyle en C1_10, d'un groupe aryle en C1_10, d'un 20 groupe arylalkyle en C1_10 et d'un groupe alkylaryle en C1_10 (de préférence un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1_10' un groupe aryle en C6 et un groupe alkylaryle en C7 ; encore mieux un atome d'hydrogène, un groupe méthyle et un groupe phényle ; bien mieux encore un atome d'hydrogène) ; éventuellement, la fourniture d'un agent d'ajustement du NH2+ pH ; et, la combinaison de l'eau, de la source de cations selon la formule (I), de la source de pipérazine ou de dérivé de pipérazine selon la formule (II) et de l'agent d'ajustement du pH éventuel ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable présente un pH de 8 à 12 (de préférence de 9 à 11 ; encore mieux de 9,5 à 10,5 ; bien mieux encore de 10). Dans le procédé de fabrication de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention, la source de cations selon la formule (I) est de préférence choisie dans le groupe constitué de carbonate de guanidine (c'est-à-dire, (F-I2NC(=NH)NH2)2.H2CO3) et de phosphate de guanidine (c'est-à-dire, (H2NC(=NH)NH2)2.H3PO4). Dans le procédé de fabrication de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de la présente invention, la source de pipérazine ou de dérivé de pipérazine selon la formule (II) est de préférence un hydrate de dihydrochlorure de pipérazine. Le procédé de polissage d'une pastille de silicium de la présente invention comprend de préférence : la fourniture d'une pastille de silicium ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon la présente invention ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; la fourniture d'une machine de polissage ; l'installation de la pastille de silicium et du feutre de polissage mécano-chimique dans la machine de polissage ; la création d'un contact dynamique à une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et la pastille de silicium avec une force descendante k 0,5 kPa (de préférence de 0,5 à 100 kPa ; encore mieux de 0,7 à 50 kPa ; bien mieux encore de 6 à 35 kPa ; de préférence encore mieux de 20 à 30 kPa) ; et la distribution de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et la pastille de silicium ; dans lequel la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable présente un pH de 8 à 12 (de préférence de 9 à 11 ; encore mieux de 9,5 à 10,5, bien mieux encore de 10). La composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable utilisée dans le procédé de la présente invention présente de préférence une vitesse de retrait du silicium d'au moins 300 nm/min (encore mieux d'au moins 400 nm/min ; encore mieux d'au moins 500 nm/min) avec une vitesse de plateau de 63 tours par minute, une vitesse de support de 57 tours par minute, un débit de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de 200 ml/min, et une force descendante nominale de 27,58 kPa (4 psi) sur une machine de polissage de 200 mm, dans lequel le feutre de polissage mécano-chimique utilisé comprend un feutre de polyester, non-tissé, imprégné de polyuréthane. Certains modes de réalisation de la présente invention seront maintenant décrits en détails dans les exemples suivants.
Exemples comparatifs C1-C16 et exemples 1-3 Préparation de compositions de polissage mécano-chimique On a préparé des compositions de polissage mécano-chimique par combinaison des constituants dans les quantités listées dans le tableau 1 et par ajustement du pH des compositions au pH final listé dans le tableau 1 avec HNO3 ou KOH si nécessaire.
Tableau 1 Ex Abrasif; A. Carbonate B. Hydrate Conc. A+B (moles/L) pH n° (ppm) de guanidine d'hydrochlorure (moles/L) de pipérazine'- (moles/L) Cl 0 0,01 0 0,01 10 C2 0 0 0,01 0,05 10 C3 0 0,05 0 0,1 10 C4 0 0 0,05 0,01 10 C5 0 0,1 0 0,01 10 C6 0 0 0,1 0,05 10 C7 0 0,005 0,005 0,1 10 C8 0 0,025 0,025 0,05 10 C9 0 0,05 0,05 0,1 10 C10 500 0 0,006 0,006 10 C11 500 0 0,031 0,031 10 C12 500 0 0,063 0,063 10 C13 500 0,011 0 0,011 10 C14 500 0,056 0 0,056 10 C15 500 0,111 0 0,111 10 C16 500 0,1 0 0,1 10 1 500 0,006 0,003 0,009 10 2 500 0,028 0,016 0,044 10 3 500 0,056 0,031 0,087 10 Suspension KlebosolTM 1598-B25 fabriquée par AZ Electronic Materials, disponible chez The Dow Chemical Company. y Carbonate de guanidine (disponible chez Sigma-Aldrich) 1 Hydrate d'hydrochlorure de pipérazine (disponible chez Sigma-Aldrich) PC1-PC9 comparatifs Expériences de polissage mécano-chimique On a réalisé des tests de polissage sur la vitesse de retrait du 10 silicium en utilisant les compositions de polissage mécano-chimique préparées selon les exemples comparatifs C1-C9, spécifiquement sur la vitesse de retrait du silicium pour chacune des compositions de polissage mécano-chimique Cl-C9 identifiées dans le tableau 1. On a réalisé ces expériences de vitesse de retrait du silicium en utilisant des pastilles de Si(100) de huit pouces, lesquelles ont été pré-décapées dans une solution d'acide fluorohydrique à 0,5 % en masse pendant 90 s, en utilisant un dispositif de polissage Strasbaugh Model 6EC et un feutre de polyester, non-tissé, imprégné de polyuréthane Suba 1200TM (disponible dans le commerce chez Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.) avec une force descendante de 27,58 kPa (4 psi), un débit de la composition de polissage mécano-chimique de 200 ml/min, une vitesse de rotation de plateau de 63 tr/min et une vitesse de rotation de support de 57 tr/min. On a déterminé les vitesses de retrait du silicium à partir d'une mesure de la perte de masse des pastilles individuelles de Si(100) du polissage. Les résultats des expériences de vitesse de retrait du silicium sont donnés dans le tableau 2.
Tableau 2 Exemple de Composition de Vitesse de retrait polissage n° polissage de Si (100) (nm/min) PC1 Cl 357 PC2 C2 377 PC3 C3 459 PC4 C4 425 PC5 C5 489 PC6 C6 461 PC7 C7 404 PC8 C8 481 PC9 C9 504 PC10-PC15 comparatifs et exemples P1-P3 Expériences de polissage mécano-chimique On a réalisé des tests de polissage sur la vitesse de retrait du silicium en utilisant les compositions de polissage mécano-chimique préparées selon les exemples comparatifs C10-C15 et les exemples 1-3, spécifiquement sur la vitesse de retrait du silicium pour chacune des compositions de polissage mécano-chimique C10-C15 et 1-3 identifiées dans le tableau 1. On a réalisé ces expériences de vitesse de retrait du silicium en utilisant des pastilles de Si(100) de huit pouces (présentant un oxyde natif sur la surface) en utilisant un dispositif de polissage Strasbaugh Model 6EC et un feutre de polyester, non-tissé, imprégné de polyuréthane Suba1200TM (disponible dans le commerce chez Rohm and Haas Electronics Materials CMP Inc.) avec une force descendante de 27,58 kPa (4 psi), un débit de la composition de polissage mécano-chimique de 200 ml/min, une vitesse de rotation de plateau de 63 tr/min et une vitesse de rotation de support de 57 tr/min. On a déterminé les vitesses de retrait du silicium à partir d'une mesure de la perte de masse des pastilles individuelles de Si(100) du polissage. Les résultats des expériences de la vitesse de retrait du silicium sont donnés dans le tableau 3.
Tableau 3 Exemple de Composition de Vitesse de retrait polissage n° Polissage de Si(100) (nm/min) PC10 C10 351 PC11 C11 448 PC12 C12 489 PC13 C13 364 PC14 C14 473 PC15 C15 518 P1 1 391 P2 2 503 P3 3 546 Exemple comparatif SC16 et exemple S2 Expériences de stabilité On a préparé des compositions de polissage mécano-chimique concentrées présentant des facteurs de concentration de 1X, 2X, 4X, 8X, 12X et 20X par rapport aux compositions de polissage mécano-chimique de base de l'exemple comparatif C16 et de l'exemple 2. On a ensuite stocké chacune de ces compositions de polissage mécano-chimique concentrées dans un récipient en verre scellé séparé sur une durée de deux semaines sous air, à 21°C et à pression atmosphérique. On a observé à la fin de la période de deux semaines les contenus des récipients. Pour les compositions de polissage mécano-chimique concentrées stables, on a observé qu'aucune particule abrasive n'a précipité au fond du récipient en verre. Les résultats de ces observations sont donnés dans le tableau 4.
Tableau 4 Facteur de Formulation de base Formulation de base concentration de Ex. C16 de Ex. 2 lx stable Stable 2X Abrasif précipité Stable 4X Abrasif précipité Stable 8X Abrasif précipité Stable 12X Abrasif précipité Abrasif précipité 20X Abrasif précipité Abrasif précipité
Claims (10)
- REVENDICATIONS1. Composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable pour le polissage d'une pastille de silicium, comprenant : de l'eau ; un abrasif ; un cation selon la formule (I) : NH2+ R1, ,R4 (I) \ N N/ I R2 R3 dans laquelle R1, R2, R3, R4 sont indépendamment choisis dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène et d'un groupe alkyle en C1-10, d'un groupe aryle en C1_10, d'un groupe arylalkyle en C1_10 et d'un groupe alkylaryle en C1-10; et, de la pipérazine ou un dérivé de pipérazine selon la formule (II) HN NR5 (II) dans laquelle R5 est choisi dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène, d'un groupe alkyle en C1_10, d'un groupe aryle en C1_10, d'un groupe arylalkyle en C1_10 et d'un groupe alkylaryle en C1_10; et, éventuellement, un agent d'ajustement du pH ; caractérisée en ce que la composition de polissage présente une vitesse de retrait du silicium d'au moins 300 nm/min.
- 2. Composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon la revendication 1, caractérisée en ce que la pastille de silicium présente un oxyde natif sur sa surface ; la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable contient de 0,001 à 0,5 % en masse d'abrasif ; et, l'abrasif est un abrasif de silice colloïdale présentant une taille moyenne de particules de 20 à 30 nm.
- 3. Composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable contient < 1 ppm de polymères.
- 4. Composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce qu'elle comprend de plus des ions carbonate ou des ions phosphate.
- 5. Composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce qu'elle comprend de plus des ions halogénure.
- 6. Composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que de l'abrasif reste dispersé et ne se dépose pas après un stockage de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable sur une durée d'au moins deux semaines à 21°C et à pression atmosphérique.
- 7. Procédé de fabrication de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon la revendication 1, comprenant : la fourniture d'une eau ; la fourniture d'un abrasif ; la fourniture d'une source de cations selon la formule (I) NH2+ R1 R4 R2 R3 (I) dans laquelle RI-, R2, R3, R4 sont indépendamment choisis dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène et d'un groupe alkyle en CH0, d'un groupe aryle en C1_10, d'un groupe arylalkyle en CH0 et d'un groupe alkylaryle en C,-10 et, la fourniture d'une source de pipérazine ou d'un dérivé de pipérazine selon la formule (II)NR5 dans laquelle R5 est choisi dans le groupe constitué d'un atome d'hydrogène, d'un groupe alkyle en C1_10, d'un groupe aryle en C1_10' d'un groupe arylalkyle en C1_10 et d'un groupe alkylaryle en C1-10; éventuellement, la fourniture d'un agent d'ajustement du pH ; et la combinaison de l'eau, de la source de cations selon la formule (I), de la source de pipérazine ou de dérivé de pipérazine selon la formule (II) et de l'agent d'ajustement du pH éventuel ; caractérisé en ce que la composition de polissage mécano- chimique stable et concentrable présente un pH de 8 à 12.
- 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la source de cations selon la formule (I) est choisie dans le groupe constitué de carbonate de guanidine et de phosphate de guanidine ; et, la source de pipérazine ou de dérivé de pipérazine selon la formule (II) est un hydrate de dihydrochlorure de pipérazine.
- 9. Procédé de polissage d'une pastille de silicium, comprenant : la fourniture d'une pastille de silicium ; la fourniture d'une composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable selon la revendication 1 ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; la fourniture d'une machine de polissage ; l'installation de la pastille de silicium et du feutre de polissage mécano-chimique dans la machine de polissage ; la création d'un contact dynamique à une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et la pastille de silicium avec une force descendante 0,5 kPa ; et la distribution de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et la pastille de silicium ; caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable présente un pH de 8 à 11.
- 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable présente une vitesse de retrait du silicium d'au moins 300 nm/min avec une vitesse de plateau de 63 tours par minute, une vitesse de support de 57 tours par minute, un débit de la composition de polissage mécano-chimique stable et concentrable de 200 ml/min, et une force descendante de 27,58 kPa (4 psi) sur une machine de polissage de 200 mm où le feutre de polissage mécano-chimique comprend un feutre de polyester, non-tissé, imprégné de polyuréthane.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13860830 | 2013-04-11 | ||
US13/860,830 US8801959B1 (en) | 2013-04-11 | 2013-04-11 | Stable, concentratable silicon wafer polishing composition and related methods |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR3004373A1 true FR3004373A1 (fr) | 2014-10-17 |
FR3004373B1 FR3004373B1 (fr) | 2018-02-16 |
Family
ID=51267238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1453226A Active FR3004373B1 (fr) | 2013-04-11 | 2014-04-11 | Composition de polissage de pastille de silicium stable et concentrable et procedes apparentes |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8801959B1 (fr) |
JP (1) | JP6302335B2 (fr) |
KR (1) | KR102311193B1 (fr) |
CN (1) | CN104099026B (fr) |
DE (1) | DE102014005125A1 (fr) |
FR (1) | FR3004373B1 (fr) |
TW (1) | TWI627244B (fr) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8795548B1 (en) * | 2013-04-11 | 2014-08-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Silicon wafer polishing composition and related methods |
CN105911533B (zh) * | 2016-06-24 | 2018-04-03 | 北京航空航天大学 | 一种基于平面扫描结构的三维成像降采样快速扫描方法 |
CN116254059B (zh) * | 2022-12-30 | 2024-01-23 | 昂士特科技(深圳)有限公司 | 用于边缘抛光的化学机械抛光组合物 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4588421A (en) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Nalco Chemical Company | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
US5860848A (en) | 1995-06-01 | 1999-01-19 | Rodel, Inc. | Polishing silicon wafers with improved polishing slurries |
JP2007012679A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨剤および半導体集積回路装置の製造方法 |
JP5518334B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2014-06-11 | デュポン エア プロダクツ ナノマテリアルズ,リミティド ライアビリティ カンパニー | シリコンウエハ用研磨組成物、シリコンウエハの研磨方法およびシリコンウエハ用研磨組成物キット |
US8017524B2 (en) * | 2008-05-23 | 2011-09-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Stable, high rate silicon slurry |
JP5309692B2 (ja) | 2008-05-28 | 2013-10-09 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
CN101637884A (zh) * | 2008-07-30 | 2010-02-03 | 长兴开发科技股份有限公司 | 硅贯通电极晶圆的研磨方法与其所使用的研磨组成物 |
JP2011142284A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-07-21 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 |
JP5759904B2 (ja) | 2010-01-29 | 2015-08-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 半導体ウェーハの再生方法及び研磨用組成物 |
CN101870852B (zh) * | 2010-06-13 | 2013-07-10 | 北京国瑞升科技有限公司 | 一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法 |
JP2012021151A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-02-02 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅配線半導体用洗浄剤 |
TWI465556B (zh) * | 2010-09-14 | 2014-12-21 | Everlight Chem Ind Corp | 用於粗拋晶圓之研磨組成物 |
DE112012000662T5 (de) | 2011-02-03 | 2013-11-14 | Nitta Haas Incorporated | Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben |
CN102816530B (zh) * | 2011-06-08 | 2016-01-27 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
JP2014125628A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用研磨液 |
-
2013
- 2013-04-11 US US13/860,830 patent/US8801959B1/en active Active
-
2014
- 2014-04-03 TW TW103112459A patent/TWI627244B/zh active
- 2014-04-08 DE DE102014005125.0A patent/DE102014005125A1/de not_active Withdrawn
- 2014-04-10 KR KR1020140042868A patent/KR102311193B1/ko active IP Right Grant
- 2014-04-10 JP JP2014080722A patent/JP6302335B2/ja active Active
- 2014-04-10 CN CN201410141252.6A patent/CN104099026B/zh active Active
- 2014-04-11 FR FR1453226A patent/FR3004373B1/fr active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8801959B1 (en) | 2014-08-12 |
KR102311193B1 (ko) | 2021-10-08 |
CN104099026B (zh) | 2016-06-22 |
JP6302335B2 (ja) | 2018-03-28 |
DE102014005125A1 (de) | 2014-10-16 |
TWI627244B (zh) | 2018-06-21 |
CN104099026A (zh) | 2014-10-15 |
FR3004373B1 (fr) | 2018-02-16 |
JP2014207449A (ja) | 2014-10-30 |
KR20140123012A (ko) | 2014-10-21 |
TW201446902A (zh) | 2014-12-16 |
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PLFP | Fee payment |
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PLFP | Fee payment |
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PLFP | Fee payment |
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